專利名稱：液晶顯示器裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)裝置，且更具體而言涉及使用狹縫掩模、能夠基本防止形成絕緣層的向后傾斜表面的LCD裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
LCD裝置通過使用電場(chǎng)控制具有介電各向異性的液晶的光透射率而顯示圖像。該LCD裝置通過組裝其上形成濾色器陣列的濾色器基板和其上形成薄膜晶體管(TFT)陣列的TFT基板而形成，液晶設(shè)置在濾色器陣列和TFT陣列之間。被提供公共電壓的公共電極形成在濾色器基板的整個(gè)表面上。分別提供數(shù)據(jù)信號(hào)的多個(gè)像素電極在TFT基板上形成為矩陣形式。用于分別驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素電極的TFT、用于控制TFT的柵線和用于向TFT提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線也形成在TFT基板上。
TFT基板具有多層結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)導(dǎo)電層和絕緣層堆疊。例如，用于形成柵線、TFT的柵電極等的第一導(dǎo)電層，用于形成數(shù)據(jù)線、TFT的源電極和漏電極等的第二導(dǎo)電層，和用于形成像素電極等的第三導(dǎo)電層堆疊在TFT基板上，絕緣層設(shè)置在這些導(dǎo)電層之間。
在TFT基板上存在用于連接第一和第二導(dǎo)電層的多個(gè)接觸部件，通過使用由第三導(dǎo)電層形成的橋電極而連接。橋電極通過第一接觸孔和第二接觸孔連接第一和第二導(dǎo)電層，第一接觸孔通過穿透至少兩個(gè)絕緣層而暴露第一導(dǎo)電層，第二接觸孔通過穿透至少一個(gè)絕緣層而暴露第二導(dǎo)電層。被第一接觸孔穿透的至少兩個(gè)絕緣層的上絕緣層邊緣由于過度蝕刻可以具有向后的傾斜表面。向后的傾斜表面可能導(dǎo)致通過第一接觸孔的橋電極的敞開缺陷(open defect)。即使橋電極未被敞開，濕氣也可能通過上和下絕緣層的松開的間隙而穿過，并逐漸增加橋電極的電阻，因此降低圖像質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD裝置包括至少兩個(gè)絕緣層，形成在第一導(dǎo)電層上；第二導(dǎo)電層，形成在該至少兩個(gè)絕緣層之間；第一接觸孔，穿透該至少兩個(gè)絕緣層中的上絕緣層并暴露一部分第二導(dǎo)電層；第二接觸孔，穿透該至少兩個(gè)絕緣層并暴露一部分所述第一導(dǎo)電層；和接觸部件，包括由第三導(dǎo)電層形成的橋電極，用于通過第一和第二接觸孔連接第一和第二導(dǎo)電層，其中第二接觸孔包括穿透該至少兩個(gè)絕緣層的內(nèi)孔和圍繞內(nèi)孔并形成在上絕緣層中的外孔。第二接觸孔的內(nèi)孔和第二接觸孔的外孔彼此分開給定距離。第一接觸孔以及第二接觸孔的外孔具有與第二接觸孔的內(nèi)孔的傾斜表面相比緩和傾斜的表面。第二接觸孔的外孔朝第一接觸孔比在其他方向延伸得更遠(yuǎn)。與第一接觸孔相鄰的外孔的傾斜表面比外孔的其他傾斜表面更緩和地形成。
接觸部件形成在包括圖像顯示單元并包括用于驅(qū)動(dòng)該圖像顯示單元的驅(qū)動(dòng)電路的TFT基板上，該圖像顯示單元由多個(gè)子像素構(gòu)成。
圖像顯示單元包括形成在子像素區(qū)中的像素電極、連接到像素電極的TFT、用于控制TFT的柵線和用于向TFT提供數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)線，且其中驅(qū)動(dòng)電路包括用于驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
第一導(dǎo)電層包括形成在絕緣基板上的柵極金屬層，第二導(dǎo)電層包括形成在覆蓋柵極金屬層的至少兩個(gè)絕緣層中的下絕緣層上的源極/漏極金屬層，且第三金屬層包括形成在覆蓋源極/漏極金屬層的上絕緣層上的透明導(dǎo)電層，其中下絕緣層可以是柵極絕緣層且上絕緣層可以是鈍化層。
源極/漏極金屬層包括單層或多層雙金屬層，其中鉬層可以連接到橋電極。圖像顯示單元還包括由柵極金屬層形成的存儲(chǔ)線，且其中所述源電極由源極/漏極金屬層形成并從TFT延伸從而交疊存儲(chǔ)線且中間設(shè)置柵極絕緣層，并通過穿透所述鈍化層的第三接觸孔連接到由透明導(dǎo)電層形成的像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，液晶顯示器裝置的制造方法包括步驟在絕緣基板上形成第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，并形成至少兩個(gè)絕緣層，第二導(dǎo)電層設(shè)置在其間；形成第一接觸孔，其穿透至少兩個(gè)絕緣層的上絕緣層并暴露一部分第二導(dǎo)電層；形成第二接觸孔，其穿透至少兩個(gè)絕緣層并暴露一部分第一導(dǎo)電層；和形成由第三導(dǎo)電層形成的橋電極，用于通過第一和第二接觸孔連接第一和第二導(dǎo)電層，其中第二接觸孔包括穿透至少兩個(gè)絕緣層的內(nèi)孔和圍繞內(nèi)孔并形成在上絕緣層中的外孔。
形成第一和第二接觸孔包括步驟在上絕緣層上形成光致抗蝕劑；通過使用衍射曝光掩模和半色調(diào)掩模之一曝光和顯影光致抗蝕劑而形成光致抗蝕劑圖案；通過光致抗蝕劑圖案的第一蝕刻工藝形成第二接觸孔的內(nèi)孔來僅穿透至少兩個(gè)絕緣層的上絕緣層；和通過光致抗蝕劑圖案的第二蝕刻工藝形成第一接觸孔以及穿透上絕緣層的第二接觸孔的外孔，并通過將內(nèi)孔延伸來穿透至少兩個(gè)絕緣層的上絕緣層而暴露第一導(dǎo)電層。第一接觸孔以及第二接觸孔的外孔形成在相應(yīng)于衍射曝光掩模的衍射曝光部件和半色調(diào)掩模的半色調(diào)透射部分之一的區(qū)域中。該方法還包括在第一和第二蝕刻工藝之間灰化所述光致抗蝕劑圖案。
衍射曝光掩模的衍射曝光部件包括基本平行于第一和第二接觸孔的長(zhǎng)度形成的多個(gè)狹縫。多個(gè)狹縫的線寬、間隙和節(jié)距中的至少一個(gè)從第一和第二接觸孔的中心朝外側(cè)減小。多個(gè)狹縫包括至少一個(gè)具有減小的線寬的末端。多個(gè)狹縫中與第一接觸孔對(duì)應(yīng)的第一狹縫和多個(gè)狹縫中與第二接觸孔對(duì)應(yīng)的第二狹縫彼此分開，且第二狹縫連接到相應(yīng)于第二接觸孔內(nèi)孔的透射部件。第一狹縫交疊部分第二導(dǎo)電層，第二狹縫交疊部分第一導(dǎo)電層且不交疊第二導(dǎo)電層。


當(dāng)結(jié)合附圖時(shí)，從下面的詳細(xì)描述中本發(fā)明的實(shí)施將變得更為明顯，在附圖中圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的LCD裝置的示意圖；圖2是圖1所示的柵極驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部方框圖；圖3是圖2所示的第一移位寄存器的具體電路圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的柵極驅(qū)動(dòng)器的接觸部件的平面圖；圖5是沿圖4所示的線V-V’所取的接觸部件的剖面圖；圖6是在根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的LCD裝置的制造方法中用于形成接觸孔的衍射曝光掩模的平面圖；圖7是沿圖6所示的線VII-VII’所取的TFT基板和衍射曝光掩模的剖面圖；圖8是示出其中橋電極形成在圖7所示的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖9是部分示出在根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的TFT基板中的一個(gè)子像素的平面圖；圖10是沿圖9所示的線X-X’所取的子像素的剖面圖；圖11是用于描述圖9所示的接觸孔的形成方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考圖1到11描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的LCD裝置的示意圖。
圖1所示的LCD裝置包括圖像顯示單元16和LCD面板10，在LCD面板10中形成用于驅(qū)動(dòng)圖像顯示單元16的柵線的柵極驅(qū)動(dòng)器12和14。LCD裝置包括電路膜26，該電路膜26在其上安裝用于驅(qū)動(dòng)圖像顯示單元16的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)集成電路(IC)28。電路膜26連接在印刷電路板(PCB)20和LCD面板10之間。LCD裝置包括安裝在PCB20上的時(shí)序控制器22和電源24。在LCD面板10中，為了描述的方便省略了濾色器基板而僅示出TFT基板。
在LCD面板10的圖像顯示單元16中，柵線GL1到GLm和數(shù)據(jù)線DL1到DLn形成為矩陣結(jié)構(gòu)，且TFT和像素電極216形成在由該矩陣結(jié)構(gòu)限定的子像素區(qū)中。每個(gè)TFT響應(yīng)于來自柵線GL1到GLm之一的掃描信號(hào)從數(shù)據(jù)線DL1到DLn之一提供數(shù)據(jù)信號(hào)到像素電極216。根據(jù)施加的數(shù)據(jù)信號(hào)，像素電極216與濾色器基板的公共電極一起形成電場(chǎng)，因此在子像素基礎(chǔ)上控制液晶從而顯示圖像。
柵極驅(qū)動(dòng)器12和14形成于圖像顯示單元16兩側(cè)的外側(cè)，在位于LCD面板10外側(cè)的非顯示區(qū)中，并依次驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€GL1到GLm。例如，柵極驅(qū)動(dòng)器12和14在LCD面板10兩側(cè)同時(shí)驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€GL1到GLm，或者分別驅(qū)動(dòng)奇數(shù)柵線GL1、GL3......和偶數(shù)柵線GL2、GL4......。每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器12和14包括用于單獨(dú)驅(qū)動(dòng)?xùn)啪€GL1到GLm的多個(gè)移位寄存器SR1到SRm，如圖2所示。每個(gè)移位寄存器SR1到SRm包括多個(gè)TFT T1到T7，如圖3所示。柵極驅(qū)動(dòng)器12和14與圖像顯示單元16的TFT和多個(gè)信號(hào)線及電極一起形成在TFT基板上。
用于驅(qū)動(dòng)圖像顯示單元16的數(shù)據(jù)線DL1到DLn的多個(gè)數(shù)據(jù)IC28的每個(gè)安裝在相應(yīng)的電路膜26上。電路膜26通過各向異性導(dǎo)電膜(ACF)安裝在LCD面板10和PCB20之間。帶載封裝(TCP)或膜上芯片(COF)可以用作安裝數(shù)據(jù)IC28的電路膜26?？扇〈?，數(shù)據(jù)IC28可以通過玻璃上芯片(COG)方法直接安裝在LCD面板10的TFT基板上而不使用電路膜26。數(shù)據(jù)IC28通過使用來自伽馬電壓發(fā)生器(未示出)的伽馬電壓把來自時(shí)序控制器22的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)，并在圖像顯示單元16的柵線GL1到GLm被驅(qū)動(dòng)的同時(shí)，在每個(gè)水平周期中向數(shù)據(jù)線DL1到DLn提供該模擬數(shù)據(jù)信號(hào)。
安裝在PCB20上的時(shí)序控制器22控制數(shù)據(jù)IC28和柵極驅(qū)動(dòng)器12和14。視頻數(shù)據(jù)信號(hào)和從時(shí)序控制器22產(chǎn)生的多個(gè)數(shù)據(jù)控制信號(hào)通過PCB20和電路膜26提供到每個(gè)數(shù)據(jù)IC28。從時(shí)序控制器22產(chǎn)生的多個(gè)柵極控制信號(hào)通過PCB20、電路膜26、和LCD面板10的TFT基板提供到柵極驅(qū)動(dòng)器12和14。電源24產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)IC28、柵極驅(qū)動(dòng)器12和14、以及LCD面板10所需要的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓。
圖2是圖1所示的柵極驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部方框圖。
參考圖2，每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器12和14包括分別用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)柵線GL1到GLm的多個(gè)移位寄存器SR1到SRm。
多個(gè)移位寄存器SR1到SRm的輸出端子OUT分別連接到多個(gè)柵線GL1到GLm。來自時(shí)序控制器22的開始脈沖STV提供到第一移位寄存器SR1的輸入端子IN。前一級(jí)的柵線的掃描信號(hào)提供到每個(gè)第二到第m移位寄存器SR2到SRm的輸入端子IN。來自電源24的高電勢(shì)電壓VDD和低電勢(shì)電壓VSS分別提供到每個(gè)移位寄存器SR1到SRm的功率端子VDD和VSS。來自時(shí)序控制器22的時(shí)鐘CPV提供到每個(gè)奇數(shù)寄存器SR1、SR3......的時(shí)鐘端子CK，且來自時(shí)序控制器22的反向時(shí)鐘CPVB提供到每個(gè)偶數(shù)移位寄存器SR2、SR4......的時(shí)鐘端子CK。時(shí)鐘CPV和反向時(shí)鐘CPVB具有相反的相位。下一級(jí)的柵線的掃描信號(hào)提供到每個(gè)移位寄存器SR1到SRm-1的控制端子CT。與提供到時(shí)鐘端子CK的反向時(shí)鐘CPVB相反的時(shí)鐘CPV提供到第m移位寄存器SRm的控制端子CT。因此，第一移位寄存器SR1響應(yīng)于開始脈沖STV和時(shí)鐘CPV輸出掃描信號(hào)到第一柵線GL1。第二到第m移位寄存器SR2到SRm響應(yīng)于前一級(jí)的移位寄存器的掃描信號(hào)和時(shí)鐘CPV和CPVB依次輸出掃描信號(hào)到第二柵線GL2到第m柵線GLm。每個(gè)移位寄存器SR1到SRm具有相同的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)。
圖3是圖2所示的第一移位寄存器SR1的具體電路圖。
圖3所示的第一移位寄存器SR1包括用于通過節(jié)點(diǎn)Q的控制而輸出時(shí)鐘CPV到第一柵線GL1的上拉(pull-up)晶體管的第一TFT T1、由用于通過節(jié)點(diǎn)QB的控制而輸出低電勢(shì)電壓VSS到第一柵線GL1的下拉(pull-down)晶體管的第二TFT T2構(gòu)成的輸出緩沖、和由用于控制節(jié)點(diǎn)Q和QB的第三到第七TFT T3到T7構(gòu)成的控制器。第一到第七TFT T1到T7可以形成為N型或P型晶體管。因此，第一到第七TFT T1到T7可以與圖像顯示單元16的TFT一起形成為N型晶體管。
第三TFT T3響應(yīng)于開始脈沖STV引起節(jié)點(diǎn)Q被預(yù)充電到高電勢(shì)電壓VDD。被預(yù)充電的節(jié)點(diǎn)Q被響應(yīng)于時(shí)鐘CPV的電容C的耦合現(xiàn)象自舉(bootstrap)，并引起時(shí)鐘CPV的高電壓通過第一TFT T1輸出為第一柵線GL1的掃描信號(hào)。第四和第五TFT T4和T5分別響應(yīng)于第二柵線GL2的掃描信號(hào)和節(jié)點(diǎn)QB而將節(jié)點(diǎn)Q放電到低電壓VSS。第六TFT T6作為正向二極管型連接到高電勢(shì)電壓VDD的供應(yīng)線，并引起節(jié)點(diǎn)QB被預(yù)充電到高電勢(shì)電壓VDD。第七TFT T7響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)Q將節(jié)點(diǎn)QB放電到低電勢(shì)電壓VSS。如果節(jié)點(diǎn)Q通過第四和第五TFT T4和T5被放電到低電壓，則第七TFT T7被截止且節(jié)點(diǎn)QB被充電到高電勢(shì)電壓VDD。第二TFT T2被導(dǎo)通且第一柵線GL1的掃描信號(hào)被放電到低電勢(shì)電壓VSS。第二TFT T2保持導(dǎo)通狀態(tài)直到開始脈沖STV提供到第三TFT T3，且第一柵線GL1保持低電勢(shì)電壓VSS。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD裝置在使用非晶硅的LCD面板10的TFT基板上安裝柵極驅(qū)動(dòng)器12和14，每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)TFT。由于柵極驅(qū)動(dòng)器12和14通過多個(gè)掩模工藝與TFT基板的圖像顯示單元16一起形成，堆疊至少三個(gè)導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層之間設(shè)置絕緣層。此外，在柵極驅(qū)動(dòng)器12和14中，存在用于通過橋電極連接不同導(dǎo)電層的多個(gè)接觸部件。例如，在柵極驅(qū)動(dòng)器12和14中，存在多個(gè)接觸部件，用于通過橋電極彼此連接?xùn)艠O金屬層和源極/漏極金屬層，柵極絕緣層設(shè)置在其間，該橋電極由鈍化層上的透明導(dǎo)電層形成。
圖4是圖1所示的柵極驅(qū)動(dòng)器中的不同導(dǎo)電層的接觸部件120的放大平面圖。圖5是沿圖4所示的線V-V’所取的接觸部件120的剖面圖。
圖4所示的柵極驅(qū)動(dòng)器包括并聯(lián)連接的一對(duì)TFT105和連接到該對(duì)TFT105的接觸部件120。接觸部件120包括用于連接?xùn)烹姌O100和源電極104的橋電極114，并從該對(duì)TFT105突出。接觸部件120不限于該對(duì)TFT105，而可以適用于其中柵極金屬層和源極/漏極金屬層通過TFT基板上的橋電極連接的所有結(jié)構(gòu)。
該對(duì)TFT105包括柵電極100、交疊柵電極100且柵極絕緣層設(shè)置在中間的半導(dǎo)體層102。該對(duì)TFT105包括交疊半導(dǎo)體層102并彼此分開的源電極104和漏電極106。該源電極104圍繞相對(duì)于半導(dǎo)體層102的中心向上和向下突出的漏電極106的三個(gè)側(cè)面，并與漏電極106分開。由半導(dǎo)體層102構(gòu)成的兩個(gè)溝道形成在源電極104和漏電極106之間。該對(duì)TFT105的每個(gè)TFT相應(yīng)于圖3所示的TFT T1到T7中的任何一個(gè)。
接觸部件120包括從該對(duì)TFT105突出的柵電極100和源電極104、用于分別暴露源電極104和柵電極100的第一和第二接觸孔110、和用于通過第一和第二接觸孔110和112連接源電極104和柵電極100的橋電極114。
參考圖5，柵電極100由絕緣基板130上的柵極金屬層形成。柵極絕緣層132形成在絕緣基板130和柵電極100上。源電極104由柵極絕緣層132上的源極/漏極金屬層形成，且鈍化層134形成在柵極絕緣層132和源電極104上。第一接觸孔110穿透鈍化層134以暴露一部分源電極104，且第二接觸孔112穿透鈍化層134和柵極絕緣層132以暴露一部分柵電極100。第二接觸孔112包括穿透鈍化層134和柵極絕緣層132的內(nèi)孔112A以及僅穿透鈍化層134的外孔112B。外孔112B延伸到內(nèi)孔12A的外側(cè)，僅在鈍化層134上。外孔112B具有比內(nèi)孔112A更寬的剖面面積且更靠近第一接觸孔110。外孔112B形成得相對(duì)寬以圍繞內(nèi)孔112A的外側(cè)。形成外孔112B的鈍化層134的邊緣與形成內(nèi)孔112A的柵極絕緣層132的部分分開，并具有與內(nèi)孔112A相比更緩和的傾斜角。第二接觸孔112的外孔112B由與內(nèi)孔112A相同的掩模工藝形成，且可以與第一接觸孔110一起通過使用衍射曝光或半透射形成從而僅穿透鈍化層134。形成外孔112B的鈍化層134的邊緣具有朝內(nèi)孔112B傾斜的表面。基本防止了鈍化層134的邊緣形成為具有離開內(nèi)孔112B向后傾斜的表面。
由鈍化層134上的透明導(dǎo)電層形成的橋電極114通過第一接觸孔110連接到源電極104并沿著第二接觸孔112的外孔112B的傾斜表面延伸。橋電極114也通過第二接觸孔112的內(nèi)孔112A連接到柵電極100?；痉乐沽藰螂姌O114被形成第二接觸孔112的外孔112B的鈍化層134的傾斜表面所敞開。在第一接觸孔110與第二接觸孔112的內(nèi)孔112A之間的第二接觸孔112的外孔112B形成來具有相對(duì)于形成內(nèi)孔112A的柵極絕緣層132的部分相對(duì)緩和的傾斜角，如圖5所示。因此，基本防止了由鈍化層134從第二接觸孔112向下朝第一接觸孔110相后傾斜的表面所引起的橋電極114的缺陷。
圖6是用于形成根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的TFT基板的接觸孔的衍射曝光掩模。圖7是沿圖6的線VII-VII’所取的TFT基板和衍射曝光掩模的剖面圖。圖8是其上形成橋電極的TFT基板的剖面圖。
參考圖6和7，在鈍化層134形成在TFT基板上之前，柵電極100、源電極104和漏電極106通過多個(gè)掩模工藝形成。
柵電極100通過第一掩模工藝形成在絕緣基板130上。通過例如濺射的沉積工藝在絕緣基板130上形成柵極金屬層，并通過利用第一掩模的光刻工藝和蝕刻工藝構(gòu)圖該柵極金屬層而形成柵電極100。柵極金屬層可以是單層或多層結(jié)構(gòu)的例如鉬(Mo)、鋁(Al)和鉻(Cr)的金屬或這些金屬的合金。例如，柵極金屬層可以形成為Al/Mo的雙層結(jié)構(gòu)。
柵極絕緣層132也形成在一部分柵電極100上。柵電極100形成在絕緣層130上。柵極絕緣層132通過例如PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的沉積工藝形成，且然后形成具有雙層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層102，該雙層結(jié)構(gòu)包括非晶硅層和n+非晶硅層。半導(dǎo)體層102通過使用第二掩模的光刻工藝和蝕刻工藝被構(gòu)圖。柵極絕緣層132可以由無機(jī)絕緣材料形成，例如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)。
源電極104和漏電極106通過第三掩模工藝形成在半導(dǎo)體層102上。源電極104和漏電極106通過例如濺射的沉積法在其上形成半導(dǎo)體層102的柵極絕緣層132上形成為源極/漏極金屬層。該源極/漏極金屬層通過使用第三掩模的光刻工藝和蝕刻工藝被構(gòu)圖。在源電極104和漏電極106之間暴露的n+非晶硅層通過蝕刻工藝除去，且在源電極104和漏電極106下面的n+非晶硅用作歐姆接觸層。源極/漏極金屬層可以由例如Mo、Al和Cr的金屬或這些金屬的合金以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。例如，源極/漏極金屬層可以形成為Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層102、源電極104和漏電極106可以利用衍射曝光掩模通過單個(gè)掩模工藝形成。
通過第四掩模工藝，鈍化層134形成在其上形成源電極104和漏電極106的柵極絕緣層132上。此外，第一和第二接觸孔110和112形成在鈍化層134中。鈍化層134通過例如比如PECVD的沉積法在柵極絕緣層132上沉積例如SiOx和SiNx的無機(jī)絕緣層而形成。鈍化層134和柵極絕緣層132通過使用衍射曝光掩模150的第四掩模的光刻工藝和蝕刻工藝被構(gòu)圖，因此形成第一和第二接觸孔110和112。第一接觸孔110和第二接觸孔112的外孔112B通過衍射曝光掩模150的衍射曝光僅穿透鈍化層134，且鈍化層134具有朝內(nèi)孔112A相對(duì)緩和地傾斜的表面。鈍化層134可以用快速沉積工藝沉積-因?yàn)殁g化層134的傾斜表面不是通過蝕刻工藝形成的，鈍化層134的沉積工藝時(shí)間可以縮短且生產(chǎn)率提高。雖然具有半色調(diào)透射部分的半色調(diào)掩?？梢匀〈苌淦毓庋谀?50的衍射曝光部件而使用，但下面僅描述衍射曝光掩模150。
衍射曝光掩模150包括其中不透明圖案154形成在掩?；?52上的不透明區(qū)P1、其中形成穿透不透明圖案154的透射孔160的透射區(qū)P2、和其中形成穿透不透明圖案154的多個(gè)狹縫156和158的衍射曝光區(qū)P3。第二接觸孔112的內(nèi)孔112A形成在相應(yīng)于衍射曝光掩模150的透射區(qū)P2的區(qū)域中。第一接觸孔110和第二接觸孔112的外孔112B形成在相應(yīng)于衍射曝光區(qū)P3的區(qū)域中。鈍化層134形成在相應(yīng)于不透明區(qū)P1的區(qū)域中。形成在衍射曝光區(qū)P3中的狹縫156和158設(shè)計(jì)為使得其寬度、間距和節(jié)距至少之一朝著第一和第二接觸孔110和112的外側(cè)逐漸減小，以逐漸減小曝光量。形成第一接觸孔110和第二接觸孔112的外孔112B的鈍化層134的部分具有緩和傾斜的表面。
例如，用于形成第一接觸孔110的衍射曝光掩模150的多個(gè)狹縫156與第一和第二接觸孔110和112的長(zhǎng)度平行地形成。用于形成第二接觸孔112的外孔112B的多個(gè)第二狹縫158形成為從用于形成內(nèi)孔112A的透射孔160縱向地延伸。第一和第二狹縫156和158彼此分開，其中源電極104的邊緣設(shè)置在其間，如圖6所示。第一狹縫156形成在源電極104的區(qū)域內(nèi)，從而不超過源電極104的區(qū)域?；旧戏乐乖措姌O104下面的柵極絕緣層132被直到柵極絕緣層132的蝕刻工藝中源電極104邊緣的曝光的過蝕刻而底切。第一狹縫156的中間部分具有第一寬度，且端部156A和156B具有小于第一寬度的第二寬度。第一狹縫156的線寬、間距和節(jié)距中的一個(gè)或多個(gè)沿第一狹縫156的寬度方向從第一接觸孔110的中心朝外側(cè)減小，使得形成第一接觸孔110的鈍化層134的部分具有相對(duì)緩和的傾斜表面。從透射孔延伸的每個(gè)第二狹縫158具有第三寬度，且其與第一狹縫156相對(duì)的端部158A具有小于第三寬度的第四寬度。第二狹縫158的線寬、間距和節(jié)距中的一個(gè)或多個(gè)沿第二狹縫158的寬度方向從第二接觸孔112的中心朝外側(cè)減小，使得圍繞第二接觸孔112的鈍化層134具有相對(duì)緩和的傾斜表面。第二狹縫158可以延伸從而與柵電極100的邊緣交疊。第二狹縫158不延伸交疊源電極104。
光致抗蝕劑(未示出)沉積在鈍化層134上，且通過使用衍射曝光掩模150的曝光和顯影，具有不同厚度的光致抗蝕劑圖案形成在相應(yīng)于不透明區(qū)P1和衍射曝光區(qū)P3的區(qū)域中。相應(yīng)于衍射曝光區(qū)P3的光致抗蝕劑圖案具有薄于相應(yīng)于不透明區(qū)P1的厚度。穿透鈍化層134的第二接觸孔112的內(nèi)孔112A通過使用這些光致抗蝕劑圖案作為掩模的第一干法蝕刻工藝而形成。此后，光致抗蝕劑圖案被灰化以除去具有相對(duì)薄厚度的光致抗蝕劑圖案，因此減小整個(gè)厚度。通過使用剩余的光致抗蝕劑圖案作為掩模的第二干法蝕刻工藝，形成穿透鈍化層134的第一接觸孔110和第二接觸孔112的外孔112B，且內(nèi)孔112A延伸以穿透柵極絕緣層132。第一干法蝕刻工藝、光致抗蝕劑圖案的灰化工藝和第二干法蝕刻工藝可以在相同的腔室中連續(xù)地進(jìn)行。暴露源電極104的第一接觸孔110通過第二干法蝕刻工藝形成，其中即使源電極104形成為Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)，也能基本防止上Mo層被蝕刻。因此，上Mo層不需要形成得厚于約1000以防止Al層暴露，且通過減小上Mo層的沉積厚度到約一半或約小于500，沉積時(shí)間可以縮短，因此提高生產(chǎn)率。剩余的光致抗蝕劑圖案通過光致抗蝕劑剝離工藝被除去。
參考圖8，用于通過第一和第二接觸孔110和112連接源電極104和柵電極100的橋電極114通過第五掩模工藝形成。通過例如濺射的沉積法在鈍化層134上形成透明導(dǎo)電層，并通過使用第五掩模的光刻和蝕刻工藝構(gòu)圖該透明導(dǎo)電層而形成該橋電極114。作為透明導(dǎo)電層，可以使用ITO(氧化銦錫)、TO(氧化錫)、IZO(氧化銦鋅)、ITZO(氧化銦錫鋅)、ZO(氧化鋅)等形成。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD裝置及其制造方法通過使用衍射曝光或半色調(diào)掩模而形成穿透鈍化層134的第一接觸孔110和第二接觸孔112的外孔112B。第一接觸孔110和第二接觸孔112的外孔112B通過與穿透鈍化層134和柵極絕緣層132的第二接觸孔112的內(nèi)孔112A相同的掩模工藝形成，且鈍化層134具有相對(duì)緩和傾斜的表面。然后，基本防止通過第一和第二接觸孔110和112的橋電極114的敞開缺陷和累積的敞開缺陷，且通過高速沉積鈍化層134，可以縮短沉積工藝時(shí)間，因此提高生產(chǎn)率。
圖9是局部示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的TFT基板中的一個(gè)子像素的平面圖。圖10是沿圖9的線X-X’所取的剖面圖。圖11是用于形成圖9所示的接觸孔的掩模的剖面圖。
參考圖9和10，子像素包括形成在由柵線202和數(shù)據(jù)線204的交叉所限定的子像素區(qū)中的像素電極216、和連接在柵線202、數(shù)據(jù)線204和像素電極216之間的TFT。
柵線202和數(shù)據(jù)線204形成在絕緣基板130上，柵極絕緣層132設(shè)置在其間。每個(gè)子像素區(qū)被柵線202和數(shù)據(jù)線204的矩陣結(jié)構(gòu)劃分。在絕緣基板130上，存儲(chǔ)線220交叉數(shù)據(jù)線204且基本平行于柵線202，柵極絕緣層132設(shè)置在其間。
TFT包括包含在柵線202中的柵電極206、連接到數(shù)據(jù)線204的漏電極210、連接到像素電極216的源電極212、和連接到漏電極210和源電極212的半導(dǎo)體層208。半導(dǎo)體層208包括用于形成漏電極210與源電極212之間的溝道的有源層208A、和用于有源層208A、漏電極210和源電極212的歐姆接觸的歐姆接觸層208B。
像素電極216形成在覆蓋TFT的鈍化層134上并通過穿透鈍化層134的第三接觸孔214連接到源電極212。源電極212從TFT延伸從而與存儲(chǔ)線220一起形成存儲(chǔ)電容器Cst，并交疊存儲(chǔ)線220且柵極絕緣層132設(shè)置在其間。穿透鈍化層134的第三接觸孔214形成在存儲(chǔ)線220與源電極212的交疊部分上，并連接到像素電極216。
具有上述結(jié)構(gòu)的TFT基板的圖像顯示單元與上述柵極驅(qū)動(dòng)器一起形成。
包括柵線202、柵電極206和存儲(chǔ)線220的柵極金屬圖案通過第一掩模工藝形成在絕緣基板130上。通過第二掩模工藝，形成柵極絕緣層132，且其中沉積由非晶硅層形成的有源層208A和由n+非晶硅層形成的歐姆接觸層208B的半導(dǎo)體層208形成在柵極絕緣層132上。包括數(shù)據(jù)線204、漏電極210和源電極212的源極/漏極金屬圖案通過第三掩模工藝形成。通過第四掩模工藝，形成鈍化層134和穿透鈍化層134的第三接觸孔214。通過第三接觸孔214連接到源電極212的像素電極216通過第五掩模工藝形成。
第三接觸孔214形成在相應(yīng)于衍射曝光部件P3的區(qū)域中，其中形成有衍射曝光掩模150的多個(gè)狹縫156。第三接觸孔214通過與參考圖6和7所述的接觸部件120的第一和第二接觸孔110和112相同的掩模工藝形成，并形成在與第一接觸孔110類似的相應(yīng)于衍射曝光部件或半色調(diào)透射部件的區(qū)域中。比不透明區(qū)P1的光致抗蝕劑圖案薄的光致抗蝕劑圖案形成在將通過使用曝光掩模150的曝光和顯影形成第三接觸孔214的部分的鈍化層134上。在用于形成第二接觸孔112的內(nèi)接觸孔112A的第一干法蝕刻工藝之后，薄的光致抗蝕劑圖案通過灰化工藝被除去，且通過第二干法蝕刻工藝形成僅穿透鈍化層134的第三接觸孔214。暴露源電極212的第三接觸孔214通過第二干法蝕刻工藝形成，其中即使源電極212形成為Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)，也可以基本防止上Mo層被蝕刻。由于上Mo層可以形成為具有小于約1000的厚度且基本防止Al層被暴露，所以可以通過減小上Mo層的沉積厚度到約小于500而縮短沉積時(shí)間，因此提高生產(chǎn)率。此外，由于基本防止源極/漏極金屬層的源電極212的上Mo層在第三接觸孔214的形成期間被過度蝕刻，所以基本防止了由源極/漏極金屬層的過度蝕刻引起的例如針孔的缺陷點(diǎn)。基本防止了能夠通過像素電極216將漏電極212連接到存儲(chǔ)線220的短路缺陷，該連接由于蝕刻劑的滲透將源極/漏極金屬層的針孔延伸到柵極絕緣層132而實(shí)現(xiàn)。即使暴露源極/漏極金屬層的接觸孔形成在柵極金屬層和源極/漏極金屬層交疊部分中且柵極絕緣層設(shè)置在其間，也可以基本防止由源極/漏極金屬層的過度蝕刻引起的源極/漏極金屬層與柵極金屬層之間的短路缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD及其制造方法通過使用衍射曝光或半色調(diào)掩模形成穿透鈍化層的接觸孔和穿透鈍化層134和柵極絕緣層的接觸孔中的外孔，并使用相同的掩模工藝為穿透鈍化層和柵極絕緣層的接觸孔中的內(nèi)孔，并引起鈍化層具有緩和傾斜的表面。鈍化層的傾斜表面朝內(nèi)孔傾斜，其中基本防止了通過接觸孔的橋電極的敞開缺陷且生產(chǎn)率提高。此外，由于基本防止了累積的敞開缺陷，所以通過鈍化層的快速沉積，圖像質(zhì)量提高且生產(chǎn)率提高。
此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD裝置及其制造方法通過使用衍射曝光或半色調(diào)透射形成穿透鈍化層的接觸孔，因此基本防止源極/漏極金屬層在形成接觸孔時(shí)被過度蝕刻。即使Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)應(yīng)用到源極/漏極金屬層，由于上Mo層的沉積時(shí)間的減小，上Mo層可以沉積得薄且生產(chǎn)率可以提高。此外，基本防止由源極/漏極金屬層的過度蝕刻引起的短路缺陷，同時(shí)暴露源極/漏極金屬層的接觸孔形成在柵極金屬層與源極/漏極金屬層的交疊部分。
雖然參考其實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的變化而不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
本申請(qǐng)要求2006年2月6日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第2006-0011112號(hào)的優(yōu)先權(quán)，將其全文引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器裝置，包括至少兩個(gè)絕緣層，形成在第一導(dǎo)電層上；第二導(dǎo)電層，形成在所述至少兩個(gè)絕緣層之間；第一接觸孔，穿透所述至少兩個(gè)絕緣層中的上絕緣層并暴露一部分所述第二導(dǎo)電層；第二接觸孔，穿透所述至少兩個(gè)絕緣層并暴露一部分所述第一導(dǎo)電層；和接觸部件，包括由第三導(dǎo)電層形成的橋電極，用于通過所述第一和第二接觸孔連接所述第一和第二導(dǎo)電層，其中所述第二接觸孔包括穿透所述至少兩個(gè)絕緣層的內(nèi)孔和圍繞所述內(nèi)孔并形成在所述上絕緣層中的外孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器裝置，其中所述第二接觸孔的內(nèi)孔和所述第二接觸孔的外孔彼此分開給定距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器裝置，其中所述第一接觸孔以及所述第二接觸孔的外孔具有與所述第二接觸孔的內(nèi)孔的傾斜表面相比緩和傾斜的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器裝置，其中所述第二接觸孔的外孔朝所述第一接觸孔比在其他方向延伸得更遠(yuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器裝置，其中與所述第一接觸孔相鄰的外孔的傾斜表面比所述外孔的其他傾斜表面更緩和地形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器裝置，其中所述接觸部件形成在包括圖像顯示單元并包括用于驅(qū)動(dòng)所述圖像顯示單元的驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管基板上，所述圖像顯示單元由多個(gè)子像素構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器裝置，其中所述圖像顯示單元包括形成在子像素區(qū)中的像素電極、連接到所述像素電極的薄膜晶體管、用于控制所述薄膜晶體管的柵線、和用于向所述薄膜晶體管提供數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)線，且其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括用于驅(qū)動(dòng)所述柵線的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器裝置，其中所述第一導(dǎo)電層包括形成在絕緣基板上的柵極金屬層，所述第二導(dǎo)電層包括形成在覆蓋所述柵極金屬層的所述至少兩個(gè)絕緣層中的下絕緣層上的源極/漏極金屬層，且所述第三金屬層包括形成在覆蓋所述源極/漏極金屬層的上絕緣層上的透明導(dǎo)電層，其中所述下絕緣層是柵極絕緣層且所述上絕緣層是鈍化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器裝置，其中所述源極/漏極金屬層包括雙金屬層，其中至少鋁層和鉬層堆疊，且所述鉬層連接到所述橋電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器裝置，其中所述圖像顯示單元還包括由所述柵極金屬層形成的存儲(chǔ)線，其中所述源電極由所述源極/漏極金屬層形成并從所述薄膜晶體管延伸從而交疊所述存儲(chǔ)線且中間設(shè)置所述柵極絕緣層，并且所述源電極通過穿透所述鈍化層的第三接觸孔連接到由所述透明導(dǎo)電層形成的像素電極。
11.一種液晶顯示器裝置的制造方法，包括步驟在絕緣基板上形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，并形成至少兩個(gè)絕緣層，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置在其間；形成第一接觸孔，其穿透所述至少兩個(gè)絕緣層的上絕緣層并暴露一部分所述第二導(dǎo)電層；形成第二接觸孔，其穿透所述至少兩個(gè)絕緣層并暴露一部分所述第一導(dǎo)電層；和形成由第三導(dǎo)電層形成的橋電極，用于通過所述第一和第二接觸孔連接所述第一和第二導(dǎo)電層，其中所述第二接觸孔包括穿透所述至少兩個(gè)絕緣層的內(nèi)孔和圍繞所述內(nèi)孔并形成在所述上絕緣層中的外孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二接觸孔的內(nèi)孔和所述第二接觸孔的外孔彼此分開給定距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一接觸孔以及所述第二接觸孔的外孔形成為具有與所述第二接觸孔的內(nèi)孔相比緩和傾斜的表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二接觸孔的外孔朝所述第一接觸孔比沿其他方向延伸得更遠(yuǎn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中與所述第一接觸孔相鄰的外孔的傾斜表面比所述外孔的其他傾斜表面更緩和地形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述第一和第二接觸孔包括步驟在所述上絕緣層上形成光致抗蝕劑；通過使用衍射曝光掩模和半色調(diào)掩模之一曝光和顯影所述光致抗蝕劑而形成光致抗蝕劑圖案；通過利用所述光致抗蝕劑圖案的第一蝕刻工藝，形成所述第二接觸孔的內(nèi)孔以僅穿透所述至少兩個(gè)絕緣層的上絕緣層；和通過利用所述光致抗蝕劑圖案的第二蝕刻工藝形成穿透所述上絕緣層的第一接觸孔以及第二接觸孔的外孔，并通過將所述內(nèi)孔延伸來穿透所述至少兩個(gè)絕緣層的下絕緣層而暴露所述第一導(dǎo)電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一接觸孔以及所述第二接觸孔的外孔形成在相應(yīng)于所述衍射曝光掩模的衍射曝光部件和所述半色調(diào)掩模的半色調(diào)透射部件之一的區(qū)域中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述第一和第二蝕刻工藝之間灰化所述光致抗蝕劑圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述衍射曝光掩模的衍射曝光部件包括基本平行于所述第一和第二接觸孔的長(zhǎng)度形成的多個(gè)狹縫。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述多個(gè)狹縫的線寬、間隙和節(jié)距中的任何一個(gè)從所述第一和第二接觸孔的中心朝外側(cè)減小。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括形成所述多個(gè)狹縫以包括至少一個(gè)具有減小的線寬的末端。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述多個(gè)狹縫中與所述第一接觸孔對(duì)應(yīng)的第一狹縫和所述多個(gè)狹縫中與所述第二接觸孔對(duì)應(yīng)的第二狹縫彼此分開，且所述第二狹縫連接到相應(yīng)于所述第二接觸孔內(nèi)孔的透射部件。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一狹縫交疊部分所述第二導(dǎo)電層，所述第二狹縫交疊部分所述第一導(dǎo)電層且不交疊所述第二導(dǎo)電層。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中包括用于連接所述第一和第二導(dǎo)電層的橋電極的接觸部件形成在薄膜晶體管基板上，所述薄膜晶體管基板包括包含多個(gè)子像素的圖像顯示單元和用于驅(qū)動(dòng)所述圖像顯示單元的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述圖像顯示單元包括形成在子像素區(qū)中的像素電極、連接到所述像素電極的薄膜晶體管、用于控制所述薄膜晶體管的柵線、和用于向所述薄膜晶體管提供數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)線，且其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括用于驅(qū)動(dòng)所述柵線的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電層包括形成在絕緣基板上的柵極金屬層，所述第二導(dǎo)電層包括形成在覆蓋所述柵極金屬層的至少兩個(gè)絕緣層的下絕緣層上的源極/漏極金屬層，且所述第三金屬層包括形成在覆蓋所述源極/漏極金屬層的上絕緣層上的透明導(dǎo)電層，其中所述下絕緣層是柵極絕緣層且所述上絕緣層是鈍化層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述源極/漏極金屬層包括雙金屬層，其中至少鋁層和鉬層堆疊，且所述鉬層連接到所述橋電極。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，還包括步驟在所述圖像顯示單元上通過所述柵極金屬層形成存儲(chǔ)線；使由所述源極/漏極金屬層形成并從所述薄膜晶體管延伸的源電極交疊所述存儲(chǔ)線，所述柵極絕緣層設(shè)置在其間；和在被所述存儲(chǔ)線交疊的漏電極上相應(yīng)于所述衍射曝光部件或所述半色調(diào)透射部件的區(qū)域中形成穿透所述鈍化層的第三接觸孔，其中所述像素電極通過所述第三接觸孔連接到所述漏電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器裝置及其制造方法，該液晶顯示器裝置包括形成在第一導(dǎo)電層上的至少兩個(gè)絕緣層；第二導(dǎo)電層，形成在該至少兩個(gè)絕緣層之間；第一接觸孔，穿透該至少兩個(gè)絕緣層中的上絕緣層并曝露一部分第二導(dǎo)電層；第二接觸孔，穿透該至少兩個(gè)絕緣層并曝露一部分第一導(dǎo)電層；和接觸部件，包括由第三導(dǎo)電層形成的橋電極，用于通過第一和第二接觸孔連接第一和第二導(dǎo)電層。第二接觸孔包括穿透該至少兩個(gè)絕緣層的內(nèi)孔和圍繞內(nèi)孔并形成在上絕緣層中的外孔。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101017297SQ20071000676
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2007年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月6日
發(fā)明者姜信宅, 金晶一, 李鐘赫, 金有珍, 孔香植, 許命九, 金圣萬(wàn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社