專利名稱：顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣型的顯示器件，該有源矩陣型的顯示器件具有在襯底上形成薄膜晶體管(以下稱為TFT)而形成的有源矩陣方式的顯示部分。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，作為使用TFT等有源元件的有源矩陣型顯示器件，以液晶顯示器件和發(fā)光器件為典型的顯示器件已經(jīng)是眾所周知的。由于這些有源矩陣型的顯示器件可以提高像素密度，并且其體積小重量輕且耗電低，因而作為代替CRT顯示器的平面顯示器中的一種，正在對計算機監(jiān)視器、電視機、以及汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的監(jiān)視器等產(chǎn)品進行開發(fā)。
此外，這些有源矩陣型的顯示器件都包括有源矩陣襯底而構(gòu)成，例如在液晶顯示器件中，將除了形成有多個TFT和布線以外還形成有包括第一電極(像素電極)的像素部分等的襯底(有源矩陣襯底)與形成有第二電極(相對電極)、遮光膜(黑矩陣)、以及著色膜(濾色片)等的襯底(相對襯底)貼合在一起，將液晶材料封入在它們之間，并利用施加到像素電極和相對電極之間的電場使液晶分子取向，以控制來自光源的光量來進行顯示。
注意，在有源矩陣襯底中，形成在像素部分的布線(源極線、柵極線、以及存儲電容線等)與形成在像素部分周圍的引導(dǎo)布線(也稱作公共線、地線或接地線)電連接，以便確保其功能及最合適的布局。在現(xiàn)有技術(shù)中，上述引導(dǎo)布線因為可以用與形成在像素部分的構(gòu)造物相同的導(dǎo)電材料且在相同的工藝中制造，所以具有一個優(yōu)點，即可以使制造工藝簡化。
然而，這些引導(dǎo)布線的布線長度很長，所以即使使用低電阻的金屬，布線電阻也會增大，因此需要使該布線的寬度大于像素部分的布線的寬度。然而，這樣存在有一個問題，即若增加布線寬度，邊框(襯底上的除像素部分外的周圍區(qū)域)部分的面積就擴大。
在謀求顯示器件的小型化時，為了形成顯示區(qū)域大的面板而謀求窄邊框化是很重要的，從而正在盡各種各樣的努力(例如，參見專利文獻1)。
日本專利申請公開2000-187237號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種顯示器件，該顯示器件將在有源矩陣襯底上形成引導(dǎo)布線而導(dǎo)致的襯底上的邊框部分的擴大抑制為最低限度，來實現(xiàn)窄邊框化。
在本發(fā)明的顯示器件中，在相對配置的一對襯底之中至少具有像素部分的有源矩陣襯底的端部處形成倒角部分，通過形成在倒角部分中的公共布線電連接有源矩陣襯底上的布線(源極線、柵極線、存儲電容線、引出線等)。
本發(fā)明的顯示器件的具體結(jié)構(gòu)至少具有相對配置的一對襯底、一直形成到所述一對襯底的一方的相對面的端部處的布線、在形成有所述布線的襯底的端部處形成的倒角部分、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布線，其中所述布線在所述倒角部分或其附近與所述公共布線電連接。
此外，本發(fā)明的顯示器件的另一結(jié)構(gòu)至少具有相對配置且具有不同面積的一對襯底、形成在所述一對襯底之中面積大的襯底的相對面的端部處且與面積小的襯底沒有重疊的位置中的倒角部分、一直形成到所述倒角部分附近的布線、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布線，其中所述布線在所述倒角部分或其附近與所述公共布線電連接。
此外，本發(fā)明的顯示器件的另一結(jié)構(gòu)至少具有相對配置的一對襯底、形成在所述一對襯底的一方的相對面上的多個薄膜晶體管、與所述多個薄膜晶體管中的至少一個電連接的布線、在形成有多個薄膜晶體管及所述布線的襯底的端部處形成的倒角部分、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布線，其中所述布線在所述倒角部分或其附近與所述公共布線電連接。
此外，本發(fā)明的顯示器件的另一個結(jié)構(gòu)至少具有相對配置的一對襯底、形成在所述一對襯底的一方的相對面上的多個薄膜晶體管、與所述多個薄膜晶體管中的至少一個電連接的源極線、與外部電路電連接的引出線、在形成有所述多個薄膜晶體管、所述源極線、以及所述引出線的襯底的端部處形成的倒角部分、以及在所述倒角部分及其附近形成的公共布線，其中所述源極線及所述引出線在所述倒角部分或其附近與所述公共布線電連接。
注意，在上述各個結(jié)構(gòu)中，所述公共布線包含如下材料而形成，即至少含有Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的某一種的導(dǎo)電材料，或者作為透明導(dǎo)電膜的銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。
在本發(fā)明中，顯示器件是指使用液晶元件或發(fā)光元件的器件，即圖像顯示器件。另外，顯示器件也包括如下模塊將例如柔性印刷布線(FPC)、TAB(載帶自動縫合)帶或者TCP(帶載封裝)的連接器安裝到顯示面板(液晶顯示面板、發(fā)光面板)上的模塊；在TAB帶或TCP的端部配備有印刷布線板的模塊；或通過COG(玻璃基芯片)方式在顯示面板上直接安裝了IC(集成電路)或CPU(中央運算處理裝置)的模塊。
通過實施本發(fā)明，將代替有源矩陣襯底上的引導(dǎo)布線的公共布線形成在襯底端部，而可以將襯底上的邊框部分的擴大抑制為最低限度，從而可以實現(xiàn)顯示面板的窄邊框化。此外，由于在制造上可以以較厚的膜厚來形成本發(fā)明的公共布線，所以可以降低布線電阻。


圖1說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)；
圖2A至2F說明本發(fā)明的顯示面板的制造方法；圖3A和3B說明本發(fā)明的顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖4說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)；圖5A至5E說明本發(fā)明的顯示面板的制造方法；圖6A和6B說明本發(fā)明的顯示面板的制造方法；圖7A至7E說明本發(fā)明的有源矩陣襯底的制造方法；圖8A至8D說明本發(fā)明的有源矩陣襯底的制造方法；圖9A和9B說明本發(fā)明的顯示面板；圖10說明本發(fā)明的模塊；圖11A至11E說明電子設(shè)備圖。
具體實施例方式
下面，將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。但是，本發(fā)明可以通過多種不同的方式來實施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內(nèi)容中。
實施方式1在本實施方式中，作為用于顯示器件的顯示面板的一例，將說明用于液晶顯示器件的液晶面板。具體而言，將說明如下結(jié)構(gòu)的情況，即，在通過液晶滴入法(ODF法One Drop Filling)將液晶材料夾在有源矩陣襯底和相對襯底之間，并且進行貼合之后，對有源矩陣襯底的元件形成面一側(cè)的端部進行倒角，在倒角部分等形成公共布線，通過公共布線將形成在有源矩陣襯底上的布線(源極線、柵極線、存儲電容線、引出線等)彼此電連接。注意，引出線就是將源極線、柵極線、存儲電容線等引出到像素部分外側(cè)并且連接外部電路和像素部分的部分。
圖1示出液晶面板的端部截面，該液晶面板在有源矩陣襯底101和相對襯底102之間夾著液晶材料103，并且將該兩個襯底使用密封材料104貼合來形成。注意，這里雖然未圖示，然而，在有源矩陣襯底101的配置有相對襯底102一側(cè)的表面(相對面)上除了形成有構(gòu)成像素部分的多個像素電極、多個薄膜晶體管(TFT)等的元件、以及多個布線(源極線、柵極線、存儲電容線等)之外，還形成有用于與外部驅(qū)動電路等連接的布線(引出線)等，并且這些多個TFT等的元件與像素電極或布線(源極線、柵極線、存儲電容線等)電連接。
由此，圖1所示的布線105示出電連接到構(gòu)成像素部分的TFT等的元件的布線(源極線、柵極線、存儲電容線等)或用于與外部驅(qū)動電路等進行連接的布線(引出線)，該布線105一直形成到有源矩陣襯底101的端部。
在實施方式1的情況下，由于相對襯底102的襯底面積比有源矩陣襯底101的襯底面積小，當(dāng)貼合有源矩陣襯底和相對襯底時，在有源矩陣襯底101上具有與相對襯底102沒有重疊的部分，從而如圖1所示那樣可以對有源矩陣襯底101的端部進行倒角。注意，為了容易形成之后形成的輔助電極，還可以相同地對相對襯底102的與配置有有源矩陣襯底101的表面相反一側(cè)的表面的端部進行倒角。
此外，在被倒角的部分(以下稱作倒角部分106)形成有由導(dǎo)電材料構(gòu)成的公共布線107。注意，公共布線107形成為在連接部分108中與有源矩陣襯底101上的布線105電連接。
如上那樣通過在倒角部分106中形成公共布線107，從而可以將形成在有源矩陣襯底上的布線圖形形成為最低限度的形狀。因而可以將襯底上的除像素部分外的周圍部分的面積形成得比現(xiàn)有技術(shù)更小(實現(xiàn)所謂的窄邊框化)。
這里，將參照圖2A至2F、圖3A以及3B說明圖1所示的液晶面板的具體制造方法。注意，在圖2A至2F、圖3A以及3B中使用共同的符號。
首先，如圖2A所示，在第一襯底201上形成有多個有源矩陣襯底203，并且涂敷密封材料205以包圍各個有源矩陣襯底的像素部分204。然后，當(dāng)在由密封材料205包圍的區(qū)域中滴入液晶材料206之后，對第一襯底201貼合形成有多個相對襯底207的第二襯底202(圖2B)。
注意，作為這里所使用的液晶材料206，可以使用已知的液晶材料。
接著，將貼合后的襯底按照圖2B中的虛線分割，以得到圖2C所示的液晶面板。注意，圖2C所示的液晶面板具有有源矩陣襯底203和相對襯底207由密封材料205貼合的結(jié)構(gòu)。
接著，只將分割后的液晶面板的相對襯底207按照圖2C的虛線分割，以得到圖2D所示的結(jié)構(gòu)。由此獲得的相對襯底208的面積比有源矩陣襯底203的面積小。在圖2D所示的液晶面板中形成倒角部分，以便在以符號209表示的兩邊形成與驅(qū)動電路之間的連接部分，并且在以符號210表示的另外兩邊形成公共布線。注意，也可以將倒角部分形成在形成有與驅(qū)動電路之間的連接部分的一邊上。
具體而言，有源矩陣襯底和相對襯底優(yōu)選以圖3A所示的大小來形成。亦即，在圖3A中，在包括形成有與驅(qū)動電路之間的連接部分的兩邊的區(qū)域a(209)中從相對襯底208到有源矩陣襯底203的端部設(shè)置距離(a)，而在包括沒有形成與驅(qū)動電路之間的連接部分的另外兩邊的區(qū)域b(210)中從相對襯底208到有源矩陣襯底203的端部設(shè)置距離(b)。注意，在此情況下，距離(a)和距離(b)之間的關(guān)系為距離(a)＞距離(b)。
此外，將在圖3A所示的液晶面板的區(qū)域b(210)中形成了倒角部分212的情況示出于圖3B，而將沿圖3B中的線A-A’的截面圖示出于圖2E。注意，作為倒角部分212的形成方法，可以使用已知的方法，例如使用金剛石等的磨石來拋光的方法或使用激光的倒角方法。此外，本發(fā)明中的倒角部分212的形狀如下如圖2E所示，以襯底平面和形成倒角部分212的平面相交的角度(θ)為倒角角度，該倒角角度(θ)為0°＜θ＜90°或具有曲面(R面)的形狀即可。
此外，當(dāng)形成倒角部分212時，已經(jīng)形成到有源矩陣襯底203端部的布線211的一部分與有源矩陣襯底203的端部一起被倒角。然而，需要在倒角部分212和相對襯底208的端部之間殘留布線211的一部分，以便使在下一個工序中形成的公共布線和布線211電連接。
然后，通過在圖3B的區(qū)域c(213)所示的部分中形成公共布線214，可以電連接形成在有源矩陣襯底203上的所有布線211。
注意，作為公共布線214的制造方法，可以使用濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法、PVD法、CVD法或涂敷法等。作為用于形成公共布線214的導(dǎo)電材料，例如，可以使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba、Nd等的金屬元素；以上述金屬元素為主要成分的合金材料；包含上述金屬元素的金屬氮化物等的化合物材料；或使用多個上述材料的導(dǎo)電材料。通過使用這些導(dǎo)電材料，可以降低布線電阻。
此外，還可以使用用作透明導(dǎo)電膜的銦錫氧化物(ITO)、使用含有氧化硅的氧化銦中再混合了2至20wt％的氧化鋅(ZnO)的靶來形成的銦鋅氧化物(IZO)等。在使用這些材料的情況下，因為可以形成具有透光性的布線，所以當(dāng)要提高像素部分的開口率時很有效。
此外，根據(jù)液晶面板的結(jié)構(gòu)或?qū)щ姴牧系男再|(zhì)，可以將在本發(fā)明中形成公共布線214的導(dǎo)電材料形成在相對襯底208的一部分上或所有部分上。尤其在采用IPS(平面內(nèi)切換)模式的液晶面板的情況下，優(yōu)選覆蓋相對襯底208的所有上表面而形成公共布線214。
注意，圖2F示出沿圖3B中線A-A’的形成公共布線214之后的截面圖。如圖2F所示，在連接部分215中，布線211和公共布線214電連接。
如上所述，通過在有源矩陣襯底的端部形成倒角部分，并且將電連接形成在像素部分等中的布線的公共布線形成在倒角部分，而可以減小在現(xiàn)有技術(shù)中引導(dǎo)在像素部分周圍的布線所占有的面積，因此，可以實現(xiàn)液晶面板的窄邊框化。
實施方式2在本實施方式中，作為用于顯示器件的顯示面板的一例，將說明用于液晶顯示器件的液晶面板。具體而言，將說明如下結(jié)構(gòu)貼合有源矩陣襯底和相對襯底，對所述有源矩陣襯底的元件形成面一側(cè)端部預(yù)先進行了倒角，然后在兩個襯底之間夾著液晶材料，在倒角部分等形成公共布線，并且使形成在有源矩陣襯底上的布線(源極布線、柵極布線、存儲電容線、引出線等)通過公共布線彼此電連接。
圖4示出液晶面板的端部截面，該液晶面板在使用密封材料404將預(yù)先進行了倒角的有源矩陣襯底401和相對襯底402貼合在一起之后，注入液晶材料403而構(gòu)成。注意，這里雖然未圖示，在有源矩陣襯底401的配置有相對襯底402的一側(cè)的表面(相對面)上除了形成有構(gòu)成像素部分的多個像素電極、多個薄膜晶體管(TFT)等的元件、以及多個布線(源極線、柵極線、以及存儲電容線等)之外，還形成有用于與外部驅(qū)動電路等進行連接的布線(引出線)等。這些多個TFT等的元件電連接到像素電極或布線(源極線、柵極線、存儲電容線等)。
因此，圖4中所示的布線405表示與構(gòu)成像素部分的TFT等的元件電連接的布線(源極線、柵極線、以及存儲電容線等)或用于與外部驅(qū)動電路等進行連接的布線(引出線)。該布線405一直形成到有源矩陣襯底401的端部。
在實施方式2的情況下，示出了在有源矩陣襯底401和相對襯底402彼此相對的面的端部分別形成有倒角部分的情況，然而，并不是必須在兩個襯底的端部形成倒角部分，而至少在有源矩陣襯底401的端部形成有倒角部分即可。
此外，在被倒角的部分(以下稱作倒角部分406)形成有由導(dǎo)電材料構(gòu)成的公共布線407。注意，公共布線407形成為在連接部分408中與有源矩陣襯底401上的布線405電連接。
如上所述，通過在倒角部分406中形成公共布線407，可以使形成在有源矩陣襯底上的布線的圖形為最低限度的形狀，因此，可以將襯底上的除像素部分外的周圍部分的面積形成得比現(xiàn)有技術(shù)更小(實現(xiàn)所謂的窄邊框化)。
這里將參照圖5A至5E、圖6A以及6B說明圖4所示的液晶面板的具體制造方法。注意，在圖5A至5E、圖6A以及6B中使用共同的符號。
首先，如圖5A所示，在第一襯底501上形成有多個有源矩陣襯底，并且將它們分離而得到多個有源矩陣襯底503。注意，將第一襯底501的詳細(xì)結(jié)構(gòu)示出于圖6A。此外，按照圖6A所示的虛線分離第一襯底501，以得到多個圖6B所示的有源矩陣襯底503。
此外，在第二襯底502上形成有多個相對襯底，并且將它們分離而得到多個相對襯底504。注意，相對襯底504被分離為其面積比有源矩陣襯底的面積小。然后，對有源矩陣襯底503和相對襯底504的端部分別進行倒角，以得到具有倒角部分505的有源矩陣襯底503a、具有倒角部分506的相對襯底504a。注意，作為倒角部分(505、506)的形成方法，可以使用已知的方法，例如使用金剛石等的磨石來拋光的方法或使用激光的倒角方法。注意，與實施方式1所說明的相同，本實施方式的倒角部分(505、506)的形狀為如下即可襯底平面和形成倒角部分(505、506)的平面相交的角度(θ)為倒角角度，該倒角角度(θ)為0°＜θ＜90°或具有曲面(R面)的形狀。
此外，當(dāng)形成倒角部分505時，已經(jīng)一直形成到有源矩陣襯底503端部的布線511的一部分與有源矩陣襯底503的端部一起被倒角。
在實施方式2中，在有源矩陣襯底503的兩邊形成與驅(qū)動電路之間的連接部分，所以在有源矩陣襯底503上的另外兩邊和與該兩邊對應(yīng)的相對襯底的兩邊分別形成倒角部分。
接著，使用密封材料507將有源矩陣襯底503a和相對襯底504a彼此貼合(圖5B)。注意，密封材料507設(shè)置為包圍有源矩陣襯底503a的像素部分并且形成注入口，而兩個襯底設(shè)置得各個倒角部分(505、506)位于內(nèi)側(cè)。
此外，在實施方式2中，與實施方式1的情況相同，在包括形成有與驅(qū)動電路之間的連接部分的兩邊的區(qū)域c(508)中從相對襯底504a到有源矩陣襯底503a的端部設(shè)置有距離(a)＞0。注意，包括形成有倒角部分的另外兩邊的區(qū)域d(509)中從相對襯底504a到有源矩陣襯底503a的端部未設(shè)置有距離。
接著，如圖5C所示那樣通過在貼合的兩個襯底(有源矩陣襯底503a及相對襯底504a)之間注入液晶材料510，密封注入口而得到液晶面板。注意，作為這里所使用的液晶材料510，可以使用已知的液晶材料。
此外，圖5D示出在液晶注入之后的液晶面板的區(qū)域d(509)的截面圖。在倒角部分505中，已經(jīng)形成在有源矩陣襯底503a上的布線511的一部分與有源矩陣襯底503a的端部一起被倒角。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以容易實現(xiàn)在之后工序中形成的公共布線512和布線511之間的電連接。
之后，通過圖5E所示那樣形成公共布線512，可以將形成在有源矩陣襯底503a上的布線511電連接。注意，作為在實施方式2的情況下制造公共布線512的方法，優(yōu)選使用涂敷法，因為當(dāng)考慮到形成倒角部分的位置等時其可加工性良好。此外，作為用于形成公共布線512的材料，優(yōu)選使用例如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba或Nd等的金屬元素；或以上述金屬元素為主要成分的合金材料等的導(dǎo)電膏材料。
在實施方式2中雖然說明了貼合有源矩陣襯底和相對襯底，在所述有源矩陣襯底中預(yù)先對有源矩陣襯底的元件形成面一側(cè)的端部進行了倒角，然后使用液晶注入法在兩個襯底之間夾著液晶材料，并且將公共布線形成在倒角部分等中的情況，然而，還可以使用如下方法通過在預(yù)先對有源矩陣襯底的元件形成面一側(cè)的端部進行削角的有源矩陣襯底和相對襯底之間夾著液晶材料來貼合兩個襯底(ODF法)。
如上所述，通過在有源矩陣襯底的端部形成倒角部分，并且將電連接形成在像素部分等的布線的公共布線形成在倒角部分中，可以減小在現(xiàn)有技術(shù)中引導(dǎo)在像素部分周圍的布線所占的面積，從而可以實現(xiàn)液晶面板的窄邊框化。
實施方式3在本實施方式中，作為可以用于實施方式1或2的有源矩陣襯底的制造方法，將參照圖7A至7E、圖8A至8D尤其說明形成在有源矩陣襯底上的像素部分(圖3B中的204、圖6A和6B中的513)的非晶硅薄膜晶體管(TFT)及像素電極的制造方法。注意，在圖7A至7E、圖8A至8D中使用共同的符號來說明。
如圖7A所示，在襯底701上形成第一導(dǎo)電膜702。第一導(dǎo)電膜702可以通過濺射法、PVD法、CVD法、液滴噴射法、印刷法、電鍍法等成膜方法來形成。作為用于形成第一導(dǎo)電膜702的材料，例如，可以使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba或Nd等的金屬元素；以上述金屬元素為主要成分的合金材料；包含上述金屬元素的金屬氮化物等的化合物材料；或使用上述材料中的多個的材料。由于這些材料為低電阻的導(dǎo)電材料，從而可以使布線電阻低電阻化。
此外，作為用于形成第一導(dǎo)電膜702的材料，還可以使用用作透明導(dǎo)電膜的銦錫氧化物(ITO)、使用將2至20wt％的氧化鋅(ZnO)混合到包含氧化硅的氧化銦中的靶來形成的銦鋅氧化物(IZO)等。在使用這些材料的情況下，可以形成具有透光性的布線，從而當(dāng)要提高像素部分的開口率時很有效。
作為襯底701，可以使用玻璃襯底、石英襯底、由諸如氧化鋁的陶瓷等絕緣物質(zhì)形成的襯底、塑料襯底、硅片或金屬板等。
這里雖然未圖示，然而，可以在襯底701上還形成有氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、或它們的疊層膜等作為阻擋膜，以便防止雜質(zhì)從襯底701混入到半導(dǎo)體膜等中。
接著，通過對第一導(dǎo)電膜702進行構(gòu)圖，形成柵電極703及柵極線704(圖7B)。在使用濺射法和CVD法等成膜方法來形成第一導(dǎo)電膜702的情況下，通過液滴噴射法、光刻工藝、以及使用激光束直接描畫裝置對感光材料進行曝光及顯影的方法等在導(dǎo)電膜上形成掩模，并且使用該掩模對導(dǎo)電膜進行構(gòu)圖以使它具有所要求的形狀。
此外，在使用液滴噴射法的情況下，由于可以直接形成圖形，所以從排放口(下文中示為噴嘴)噴射并加熱在有機樹脂中溶解或分散有上述金屬顆粒的液狀物質(zhì)，以形成柵電極703及柵極線704。有機樹脂可以使用選自用作金屬顆粒的粘合劑(binder)、溶劑、分散劑、以及涂料的有機樹脂中的一種或多種。典型地，可以舉出聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛清漆樹脂、蜜胺樹脂、酚樹脂(phenol resin)、環(huán)氧樹脂、硅樹脂、呋喃樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂等、或已知的有機樹脂。
注意，液狀物質(zhì)的粘度優(yōu)選為5至20mPa·s。這是因為為了防止干燥并且可從排放口平滑噴射金屬顆粒的緣故。此外，液狀物質(zhì)的表面張力優(yōu)選為40mN/m或更小。注意，可以根據(jù)使用的溶劑或用途適當(dāng)?shù)乜刂埔籂钗镔|(zhì)的粘度等。
此外，包含在液狀物質(zhì)中的金屬顆粒的直徑可以為幾nm至10μm，然而為了防止噴嘴的阻塞并且制造高清晰的圖形，其直徑優(yōu)選盡量小。更優(yōu)選的是，使用粒徑為0.1μm或更小的金屬顆粒。
接著，形成絕緣膜705。絕緣膜705通過CVD法或濺射法等成膜方法由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及其他含硅的絕緣膜等的單層或疊層結(jié)構(gòu)形成。注意，絕緣膜705的膜厚度優(yōu)選為300至500nm，更優(yōu)選為350至480nm。
接著，形成第一半導(dǎo)體膜706。第一半導(dǎo)體膜706可以通過CVD法或濺射法等成膜方法來形成，并且可以使用以硅、硅-鍺(SiGe)等為主要成分且其結(jié)晶狀態(tài)彼此不同的非晶半導(dǎo)體膜、在其一部分包括結(jié)晶狀態(tài)的非晶半導(dǎo)體膜、以及結(jié)晶半導(dǎo)體膜中的任何一個。此外，在第一半導(dǎo)體膜706中除了包含上述主要成分之外還可以包含磷、砷、硼等的受主元素或施主元素。第一半導(dǎo)體膜706的膜厚度優(yōu)選為40至250nm，更優(yōu)選為50至220nm。
接著，在第一半導(dǎo)體膜706上形成呈現(xiàn)一種導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體膜707。第二半導(dǎo)體膜707通過CVD法或濺射法等的成膜方法來形成。此外，在這里形成的以硅、硅-鍺(SiGe)等為主要成分且其結(jié)晶狀態(tài)彼此不同的非晶半導(dǎo)體膜、在其一部分包括結(jié)晶狀態(tài)的非晶半導(dǎo)體膜、以及結(jié)晶半導(dǎo)體膜等膜中，除了包含上述主要成分之外，還包含有磷、砷、硼等的受主元素或施主元素(圖7C)。
如圖7D所示，在第二半導(dǎo)體膜707上的所希望的位置形成第一掩模708，使用該掩模分別蝕刻第一半導(dǎo)體膜706及第二半導(dǎo)體膜707的一部分，以分別得到被構(gòu)圖的第一半導(dǎo)體膜709及第二半導(dǎo)體膜710(圖7D)。注意，第一半導(dǎo)體膜709用作之后工序中形成的TFT 714的溝道形成區(qū)域。
在去除第一掩模708之后，在第二半導(dǎo)體膜710及絕緣膜705上形成第二導(dǎo)電膜711。注意，第二導(dǎo)電膜711的膜厚度優(yōu)選為100nm或更厚，更優(yōu)選為200至700nm。此外，作為用于第二導(dǎo)電膜711的導(dǎo)電材料，可以舉出由Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr或Ba等的金屬元素構(gòu)成的膜；由以上述元素為主要成分的合金材料構(gòu)成的膜；或由金屬氮化物等的化合物材料構(gòu)成的膜等。
在第二導(dǎo)電膜711上形成第二掩模(712a、712b)，并且蝕刻第二導(dǎo)電膜711的一部分以使它形成為所希望的形狀。這里被構(gòu)圖的第二導(dǎo)電膜(713a、713b)用作TFT的源電極或漏電極(圖8A和8B)。注意，為了將第二導(dǎo)電膜711形成為所希望的形狀，可以采用以下方法，即通過液滴噴射法、光刻工藝、以及使用激光束直接描畫裝置曝光并且顯影感光材料的方法等在第二導(dǎo)電膜711上形成掩模，并且使用該掩模將第二導(dǎo)電膜711蝕刻成所希望的形狀。
在去除第二掩模(712a、712b)之后，通過以被構(gòu)圖的第二導(dǎo)電膜(713a、713b)作為掩模蝕刻第二半導(dǎo)體膜710的一部分，而形成TFT 714的源區(qū)域715a及漏區(qū)域715b(圖8C)。
注意，這里，第二導(dǎo)電膜(713a、713b)中的重疊于源區(qū)域715a的部分(713a)成為源電極716a，而重疊于漏區(qū)域715b的部分(713b)成為漏電極716b。
由此，形成包括柵電極703、絕緣膜705、第一半導(dǎo)體膜(溝道形成區(qū)域)709、源區(qū)域715a、漏區(qū)域715b、源電極716a、以及漏電極716b的TFT 714(圖8C)。
接著，形成保護膜717。注意，保護膜717通過等離子體CVD法或濺射法等的成膜方法由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及氧氮化硅膜等絕緣膜的單層或疊層結(jié)構(gòu)形成。保護膜717的膜厚度優(yōu)選為100至500nm，更優(yōu)選為200至300nm。
接著，在保護膜717的一部分且重疊于漏電極716b的位置中形成開口部分，并且在該開口部分中形成與漏電極716b電連接的像素電極718(圖8D)。
注意，像素電極718可以通過濺射法、蒸鍍法、CVD法、涂敷法等的成膜方法來形成。作為用于形成像素電極718的材料，可以使用銦錫氧化物(ITO)、使用將2至20wt％的氧化鋅(ZnO)混合到包含氧化硅的氧化銦中的靶來形成的銦鋅氧化物(IZO)、以及作為其組成物具有氧化硅的ITSO等。通過對由上述材料構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜進行構(gòu)圖而形成像素電極718。注意，像素電極718的膜厚度優(yōu)選為10至150nm，更優(yōu)選為40至120nm。
此外，在將氧化鋁、硅片、金屬板等的具有遮光性的襯底用作襯底701的情況下，作為用于形成像素電極718的材料，可以使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba或Nd等的金屬元素；以上述金屬元素為主要成分的合金材料；包含上述金屬元素的金屬氮化物等的化合物材料；或使用上述材料中的多個的材料。
通過上述工序，可以形成用于本發(fā)明的有源矩陣襯底。此外，通過在這種有源矩陣襯底的端部形成實施方式1或2中說明的倒角部分，在該倒角部分形成公共布線以代替形成在像素部分周圍的布線，而可以與現(xiàn)有技術(shù)相比進一步實現(xiàn)顯示面板的窄邊框化。注意，對于顯示面板的結(jié)構(gòu)，在實施方式4中詳細(xì)地說明。
實施方式4在本實施方式中，將參照圖9A和9B以液晶顯示面板為例子說明本發(fā)明的顯示面板的結(jié)構(gòu)。圖9A為將液晶材料夾在有源矩陣襯底901和相對襯底902之間而成的液晶顯示面板的俯視圖，而圖9B相當(dāng)于沿圖9A中的線A-A’的截面圖。
在圖9A中，由虛線表示的905為像素部分。在本實施方式中，像素部分905形成在由密封材料903包圍的區(qū)域中，而驅(qū)動電路部分通過FPC(柔性印刷電路)923安裝在液晶顯示面板的外部。
此外，用于密封有源矩陣襯底901和相對襯底902的密封材料903含有用于保持密封空間的間隔的間隙材料(gap material)，并且在由它們形成的空間中填充有液晶材料。
接著，將使用圖9B說明截面結(jié)構(gòu)。在形成有源矩陣襯底901的第一襯底907上形成有像素部分905，該像素部分905包括以TFT為典型的多個半導(dǎo)體元件。此外，在本實施方式中，安裝在外部的驅(qū)動電路部分包括源極線驅(qū)動電路以及柵極線驅(qū)動電路。
在像素部分905中形成有多個像素，并且作為像素電極的第一電極911通過布線與驅(qū)動TFT 913電連接。此外，在第一電極911、驅(qū)動TFT 913、以及柵極線914上形成有取向膜915。
另一方面，在形成相對襯底902的第二襯底908上形成有遮光膜916、著色層(濾色)917、以及作為相對電極的第二電極919。此外，在第二電極919上形成有取向膜920。
注意，在本實施方式所示的液晶顯示面板中，由形成在有源矩陣襯底901上的第一電極911和形成在相對襯底902上的第二電極919之間夾著液晶材料912而構(gòu)成的部分為液晶元件910。
符號921表示柱狀間隔物，該間隔物是為了控制有源矩陣襯底901和相對襯底902之間的距離(單元間隙)而提供的。將絕緣膜蝕刻成所希望的形狀來形成間隔物921。注意，還可以使用球狀間隔物。
供給給像素部分905的各種信號及電位通過連接布線922從FPC923供給。連接布線922和FPC 923通過各向異性導(dǎo)電膜或各向異性導(dǎo)電樹脂924彼此電連接。注意，可以使用焊料或銀膏等的導(dǎo)電膏而代替各向異性導(dǎo)電膜或各向異性導(dǎo)電樹脂。
此外，在像素部分905中以矩陣形狀形成的各個像素通過布線925以縱方向或橫方向彼此連接。注意，在本發(fā)明中，由于在有源矩陣襯底901上的布線925彼此分離地形成有多個，所以通過與布線925接觸地形成公共布線926，可以電連接布線925。
此外，雖然未圖示，然而在有源矩陣襯底901及相對襯底902的一側(cè)或兩側(cè)的表面上由粘接劑固定有偏振片。注意，除了偏振片之外還可以提供相位差板。
如上所說明的顯示面板通過使用有源矩陣襯底來形成，該有源矩陣襯底在實施方式1和2所說明的倒角部分中形成有公共布線以代替形成在像素部分周圍的布線，從而可以與現(xiàn)有技術(shù)相比進一步實現(xiàn)顯示面板的窄邊框化。
實施方式5在本實施方式中，將參照圖10的截面圖說明使用白色燈來進行彩色顯示的模塊，該模塊是以液晶顯示面板作為通過實施實施方式1至4來形成的本發(fā)明的顯示面板的例子，將電源電路、控制器等的外部電路連接到所述液晶顯示面板而形成的模塊(這里為液晶模塊)。
如圖10所示，有源矩陣襯底1001和相對襯底1002由密封材料1003固定，并且在它們之間提供有液晶材料1005以形成液晶顯示面板。
注意，在有源矩陣襯底1001上通過對其端部進行倒角而形成有倒角部分。在該倒角部分形成公共布線1021使其與布線1020接觸，所述布線1020使形成在有源矩陣襯底1001的像素部分中的多個像素電連接。
另外，形成在有源矩陣襯底1001上的著色膜1006是當(dāng)進行彩色顯示時所必需的。在采用RGB方式的情況下，對每個像素提供對應(yīng)于紅、綠和藍(lán)每種顏色的著色膜。在有源矩陣襯底1001和相對襯底1002的內(nèi)側(cè)形成有取向膜1018和1019。而在有源矩陣襯底1001和相對襯底1002的外側(cè)設(shè)置有偏振片1007和1008。另外，在偏振片1007的表面上形成有保護膜1009，以減輕來自外部的沖撞。
布線襯底1012通過FPC 1011連接到提供在有源矩陣襯底1001上的連接端子1010。在布線襯底1012中裝有像素驅(qū)動電路(IC芯片、驅(qū)動IC等)、控制電路或電源電路等的外部電路1013。
冷陰極管1014、反射板1015、光學(xué)薄膜1016、以及反相器(未圖示)為背照光單元，通過使用它們作為光源，將光投射到液晶顯示面板上。由框架(bezel)1017保持及保護液晶顯示面板、光源、布線襯底1012、以及FPC 1011等。
在上述模塊中，包括使用有源矩陣襯底的顯示面板，所述有源矩陣襯底是實施方式4中的說明那樣通過在倒角部分形成代替形成在像素部分周圍的布線的公共布線而實現(xiàn)窄邊框化的。因此，在形成模塊的情況下，也可以與現(xiàn)有技術(shù)相比進一步實現(xiàn)小型化(窄邊框化)。
實施方式6作為具備本發(fā)明的顯示器件的電子設(shè)備，可以舉出電視裝置(也簡單地稱之為電視或電視接收機)、影像拍攝裝置如數(shù)碼相機或數(shù)碼攝像機等、電話裝置(也簡單地稱之為電話機或電話)、PDA等信息終端、游戲機、用于計算機的監(jiān)視器、計算機、汽車音響或MP3唱機等聲音再現(xiàn)裝置、以及家用游戲機等具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置等。將參照圖11A至11E說明其優(yōu)選的應(yīng)用方式。
圖11A中所示的電視裝置包括主體8001、顯示部分8002等。對于顯示部分8002可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件。注意，由于本發(fā)明的顯示器件使用包括有源矩陣襯底的顯示面板，所以可以提供與現(xiàn)有技術(shù)相比更加小型化(窄邊框化)且降低了布線電阻的電視裝置，所述有源矩陣襯底通過在襯底的端部形成倒角部分且將代替在現(xiàn)有技術(shù)中形成在像素部分周圍的布線的公共布線形成在所述倒角部分，而謀求窄邊框化并且降低布線電阻。
圖11B中所示的信息終端設(shè)備包括主體8101、顯示部分8102等。對于顯示部分8102可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件。注意，由于本發(fā)明的顯示器件使用包括有源矩陣襯底的顯示面板，所以可以提供與現(xiàn)有技術(shù)相比更加小型化(窄邊框化)的信息終端設(shè)備，所述有源矩陣襯底通過在襯底的端部形成倒角部分且將代替在現(xiàn)有技術(shù)中形成在像素部分周圍的布線的公共布線形成在所述倒角部分，而謀求窄邊框化。
圖11C中所示的數(shù)碼攝像機包括主體8201、顯示部分8202等。對于顯示部分8202可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件。注意，由于本發(fā)明的顯示器件使用包括有源矩陣襯底的顯示面板，所以可以提供與現(xiàn)有技術(shù)相比更加小型化(窄邊框化)的數(shù)碼攝像機，所述有源矩陣襯底通過在襯底的端部形成倒角部分且將代替在現(xiàn)有技術(shù)中形成在像素部分周圍的布線的公共布線形成在所述倒角部分，而謀求窄邊框化。
圖11D中所示的電話機包括主體8301、顯示部分8302等。對于顯示部分8302可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件。注意，由于本發(fā)明的顯示器件使用包括有源矩陣襯底的顯示面板，所以可以提供與現(xiàn)有技術(shù)相比更加小型化(窄邊框化)的電話機，所述有源矩陣襯底通過在襯底的端部形成倒角部分且將代替在現(xiàn)有技術(shù)中形成在像素部分周圍的布線的公共布線形成在所述倒角部分，而謀求窄邊框化。
圖11E中所示的液晶監(jiān)視器包括主體8401、顯示部分8402等。對于顯示部分8402可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示器件。注意，由于本發(fā)明的顯示器件使用包括有源矩陣襯底的顯示面板，所以可以提供與現(xiàn)有技術(shù)相比更加小型化(窄邊框化)且降低了布線電阻的液晶監(jiān)視器，所述有源矩陣襯底通過在襯底的端部形成倒角部分且將代替在現(xiàn)有技術(shù)中形成在像素部分周圍的布線的公共布線形成在所述倒角部分，而謀求窄邊框化并且降低布線電阻。
如上所述，可以通過將包括有源矩陣襯底的顯示器件用于其顯示部分，而提供與現(xiàn)有技術(shù)相比更加小型化(窄邊框化)的電子設(shè)備，所述有源矩陣襯底通過在形成在襯底端部處的倒角部分形成代替形成在像素部分周圍的布線的公共布線來實現(xiàn)窄邊框化。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，包括第一襯底；第二襯底；形成在所述第一襯底上的布線；形成在所述第一襯底的端部處的倒角部分；以及形成在所述倒角部分中的公共布線，其中，所述第二襯底形成在所述第一襯底上，并且所述布線與所述公共布線電連接。
2.一種顯示器件，包括第一襯底；第二襯底；形成在所述第一襯底的端部處且形成在與第二襯底沒有重疊的位置中的倒角部分；形成在所述第一襯底上的布線；以及形成在所述倒角部分中的公共布線，其中，所述第二襯底形成在所述第一襯底上，所述第一襯底大于所述第二襯底，并且所述布線與所述公共布線電連接。
3.一種顯示器件，包括第一襯底；第二襯底；形成在所述第一襯底上的多個薄膜晶體管；與所述多個薄膜晶體管中的至少一個電連接的布線；形成在所述第一襯底的端部處的倒角部分；以及形成在所述倒角部分中的公共布線，其中，所述第二襯底形成在所述第一襯底上，并且所述布線與所述公共布線電連接。
4.一種顯示器件，包括第一襯底；第二襯底；形成在所述第一襯底上的多個薄膜晶體管；形成在所述第一襯底上且與所述多個薄膜晶體管中的至少一個電連接的源極線；形成在所述第一襯底上且與外部電路電連接的引出線；形成在所述第一襯底的端部處的倒角部分；以及形成在所述倒角部分中的公共布線，其中，所述第二襯底形成在所述第一襯底上，并且所述源極線以及所述引出線與所述公共布線電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中所述公共布線使用至少包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的一種的導(dǎo)電材料來形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中所述公共布線使用至少包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的一種的導(dǎo)電材料來形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中所述公共布線使用至少包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的一種的導(dǎo)電材料來形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中所述公共布線使用至少包含Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba和Nd中的一種的導(dǎo)電材料來形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中所述公共布線使用銦錫氧化物或銦鋅氧化物來形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中所述公共布線使用銦錫氧化物或銦鋅氧化物來形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中所述公共布線使用銦錫氧化物或銦鋅氧化物來形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中所述公共布線使用銦錫氧化物或銦鋅氧化物來形成。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示器件，該顯示器件將在有源矩陣襯底上形成引導(dǎo)布線而導(dǎo)致的襯底上的邊框部分的擴大抑制為最低限度，來實現(xiàn)窄邊框化。在本發(fā)明之一的顯示器件中，在相對配置的一對襯底中至少具有像素部分的有源矩陣襯底的端部處形成倒角部分，并且通過形成在倒角部分中的公共布線電連接有源矩陣襯底上的布線(源極線、柵極線、存儲電容線、引出線等)。
文檔編號G02F1/1345GK101013707SQ20071000739
公開日2007年8月8日 申請日期2007年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日
發(fā)明者細(xì)谷邦雄 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所