專利名稱：掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法
掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用掃描曝光機(jī)進(jìn)行晶片加工的領(lǐng)域，尤其涉及一種掃描曝 光才幾4交準(zhǔn)度4企測方法。背景4支術(shù)用來加工集成電路用的晶片， 一般分為十幾層，有些要分為二十幾層， 因?yàn)楦鲗拥慕Y(jié)構(gòu)不同，所以通常每層都是經(jīng)過不同的掃描曝光機(jī)加工到晶片 上的。如果不同的掃描曝光機(jī)的對準(zhǔn)不一致，則同一晶片的不同層之間就會 存在偏差，如果這個偏差超出了規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)范圍，則生產(chǎn)加工出來的晶片的 各層之間也會有很大的偏差，這樣的晶片就無法用來進(jìn)行后續(xù)加工，就是不 合格產(chǎn)品。要解決晶片不同層之間的對準(zhǔn)偏差問題，就要盡量使所有機(jī)臺的對準(zhǔn)都 一致。因此，業(yè)界一直不斷地致力于不同的掃描曝光機(jī)之間的絕對對準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn) 不同的問題，但絕對標(biāo)準(zhǔn)很難確定，因?yàn)椴煌瑱C(jī)臺內(nèi)部的標(biāo)準(zhǔn)不同。因此用 于檢測不同掃描曝光機(jī)的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)和方法也很難確定。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，克服了現(xiàn)有技 術(shù)的不足，通過檢測不同掃描曝光機(jī)之間的相對偏差，解決檢測多臺掃描曝 光機(jī)對準(zhǔn)不一致的問題。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方法實(shí)現(xiàn)的一種掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，包括下列步驟選定作為標(biāo)準(zhǔn)的掃描 曝光機(jī)，并調(diào)整所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)的傳輸系統(tǒng)的精度；使用所述的標(biāo)準(zhǔn) 掃描曝光機(jī)在晶片上定義出預(yù)定的標(biāo)記圖形，并經(jīng)刻蝕工藝加工后在晶片上 形成立體標(biāo)記圖形；用待測掃描曝光機(jī)模擬加工所述的刻有標(biāo)記的晶片；根 據(jù)所述的待測掃描曝光機(jī)輸出的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值與預(yù)定的偏差允許 范圍判斷待測掃描曝光機(jī)的校準(zhǔn)度。所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法中，所述的晶片應(yīng)為5片或5片以上。 所述的加工結(jié)果^I艮告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值 以及角度偏差值。所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值應(yīng)為平均值。所述的標(biāo)記 的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。所述的標(biāo)記的圖形的最大長度 不應(yīng)超過半徑的三分之一。所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑 和圓周之間。所述的掃描曝光才幾校準(zhǔn)度;f企測方法，所述的標(biāo)記應(yīng)為2個或2個以上。 所述的標(biāo)記之間的距離之和應(yīng)為最大。所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值包括X 方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工結(jié)果報(bào)告中的 偏差值應(yīng)為平均值。所述的標(biāo)記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。 所述的標(biāo)記的圖形的最大長度不應(yīng)超過半徑的三分之一。所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕 在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。本發(fā)明的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法以一臺作為標(biāo)準(zhǔn)的掃描曝光機(jī)加工 的若千晶片為參照，通過在待測機(jī)器上模擬加工時得出的數(shù)據(jù)來判斷待測機(jī) 器相對于標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)的對準(zhǔn)度，解決了多臺掃描曝光機(jī)對準(zhǔn)不一致時的 檢測問題。
圖1是本發(fā)明掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法的流程圖；圖2是有刻蝕標(biāo)記的晶片的示意圖；圖3是使用本發(fā)明方法判斷多臺掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度的示意圖；具體實(shí)施方式
請參閱圖1，圖1為本發(fā)明掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法的流程圖，包括下 列步驟選定作為標(biāo)準(zhǔn)的掃描曝光機(jī)，調(diào)整所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)的傳輸系 統(tǒng)的精度；使用所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)在晶片上定義出預(yù)定的標(biāo)記圖形，并 經(jīng)刻蝕工藝加工后在晶片上形成立體標(biāo)記圖形；用待測掃描曝光機(jī)模擬加工 所述的刻有標(biāo)記的晶片；將所述的待測掃描曝光機(jī)輸出的加工結(jié)果報(bào)告中的 偏差值與預(yù)定的偏差允許范圍對比，判斷待測掃描曝光機(jī)的校準(zhǔn)度。所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值 以及角度偏差值。所述的加工結(jié)果"t艮告中的偏差值應(yīng)為平均值。所述的標(biāo)記 的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。所述的標(biāo)記的圖形的最大長度 不應(yīng)超過半徑的三分之一。所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑 和圓周之間。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明用于檢測的晶片為1片時，檢測精度為80%;晶片為2片 時，檢測精度為93%;晶片為3片時，檢測精度為95%;晶片為4片時，檢 測精度為96%;晶片為5片時，檢測精度為98%。 一般認(rèn)為檢測精度為98% 以上，符合高精度對準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。因此，在本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中，使用本發(fā)明方法時，用于檢測的 刻蝕標(biāo)記的晶片為5片或5片以上，此時檢測精度為98%以上。其中所述的 加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值包括X方向的偏差值、丫方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值應(yīng)為平均值。所迷的標(biāo)記的形狀可以 是矩形、圓形、三角形或橢圓形。所述的標(biāo)記的圖形的最大長度不應(yīng)超過半 徑的三分之一。所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。請參閱圖2，圖2為有刻蝕標(biāo)記的晶片的示意圖。其中晶片2上的標(biāo)記 1可為一個或多個。為了提高精度，在本發(fā)明的另 一個較佳實(shí)施例中，使用本發(fā)明方法時， 用于檢測的晶片上刻蝕的標(biāo)記為2個或2個以上。其中，所述的標(biāo)記之間的 距離之和最好為最大，即相鄰標(biāo)記之間的距離相等。所述的加工結(jié)果報(bào)告中 的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加 工結(jié)果報(bào)告中的偏差值應(yīng)為平均值。所述的標(biāo)記的形狀可以是矩形、圓形、 三角形或橢圓形。所述的標(biāo)記的圖形的最大長度不應(yīng)超過半徑的三分之一。 所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。在上述實(shí)施例中，如果用于檢測的晶片為5片或5片以上，則其檢測精 度會更高。請參閱圖3,圖3為使用本發(fā)明方法判斷多臺掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度的示意 圖。圖上的每個點(diǎn)對應(yīng)一臺掃描曝光機(jī)^^莫擬加工晶片時輸出的偏差值，即待 測掃描曝光機(jī)相對于標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)的對準(zhǔn)偏差。圖3中0值對應(yīng)的線為無 偏差線，如果掃描曝光機(jī)對應(yīng)的偏差值的點(diǎn)位于O點(diǎn)上，說明沒有相對偏差， 完全對準(zhǔn)。與0值線相鄰的上下兩條線為預(yù)警線，即預(yù)定的偏差允許值；如 果掃描曝光機(jī)對應(yīng)的偏差值的點(diǎn)位于兩條預(yù)警線之間，即在預(yù)定的偏差允許 范圍內(nèi)，則符合對準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。與預(yù)警線相鄰的，位于預(yù)警范圍外的上下兩條線 為不符合標(biāo)準(zhǔn)線，如果掃描曝光機(jī)對應(yīng)的偏差值的點(diǎn)位于預(yù)警線與不符合標(biāo) 準(zhǔn)線之間時，其對準(zhǔn)基本符合標(biāo)準(zhǔn)，但對該臺掃描曝光機(jī)的檢測頻率應(yīng)提高， 防止偏差超過標(biāo)準(zhǔn)值。如果掃描曝光機(jī)對應(yīng)的偏差值的點(diǎn)位于不符合標(biāo)準(zhǔn)線上，或不符合標(biāo)準(zhǔn)線以外時，則該臺掃描曝光機(jī)已不符合對準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)對其 進(jìn)行手工一交對。以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的幾個較佳實(shí)施例，并不能以此來限定本 發(fā)明的范圍。任何對本發(fā)明的裝置作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的部件的替換、組合、 分立，以及對本發(fā)明實(shí)施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超 出本發(fā)明的揭露以及保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于包括下列步驟選定作為標(biāo)準(zhǔn)的掃描曝光機(jī)，并調(diào)整所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)的傳輸系統(tǒng)的精度；使用所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)在晶片上定義出預(yù)定的標(biāo)記圖形，并經(jīng)刻蝕工藝加工后在晶片上形成立體標(biāo)記圖形；用待測掃描曝光機(jī)模擬加工所述的刻有標(biāo)記的晶片；根據(jù)所述的待測掃描曝光機(jī)輸出的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值與預(yù)定的偏差允許范圍判斷待測掃描曝光機(jī)的校準(zhǔn)度。
2、 如權(quán)利要求1所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度^r測方法，其特征在于所述 的晶片應(yīng)為5片或5片以上。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于 所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及 角度偏差值。
4、 如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于 所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值應(yīng)為平均值。
5、 如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于 所述的標(biāo)記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。
6、 如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于 所述的標(biāo)記的圖形的最大長度不應(yīng)超過半徑的三分之一。
7、 如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于 所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。
8、 如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于 所述的標(biāo)記應(yīng)為2個或2個以上。
9、 如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于所述的標(biāo)記之間的距離之和應(yīng)為最大。
10、 如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于所 述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角 度偏差值。
11、 如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于所 述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值應(yīng)為平均值。
12、 如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于所 述的標(biāo)記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。
13、 如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于所 述的標(biāo)記的圖形的最大長度不應(yīng)超過半徑的三分之一。
14、 如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，其特征在于所 述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。
全文摘要
一種掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測方法，包括下列步驟選定作為標(biāo)準(zhǔn)的掃描曝光機(jī)，并調(diào)整所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)的傳輸系統(tǒng)的精度；使用所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)在晶片上定義出預(yù)定的標(biāo)記圖形，并經(jīng)刻蝕工藝加工后在晶片上形成立體標(biāo)記圖形；用待測掃描曝光機(jī)模擬加工所述的刻有標(biāo)記的晶片；根據(jù)所述的待測掃描曝光機(jī)輸出的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值與預(yù)定的偏差允許范圍判斷待測掃描曝光機(jī)的校準(zhǔn)度。本發(fā)明解決了多臺掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)不一致時的檢測問題。
文檔編號G03F7/20GK101226338SQ200710036530
公開日2008年7月23日 申請日期2007年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月17日
發(fā)明者楊金坡, 越 車, 超 鄒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司