專利名稱：：一種清洗等離子刻蝕殘留物的清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中一種清洗液，具體的涉及一種清洗等離子刻蝕殘留物的清洗液。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體元器件制造過程中，光阻層的涂敷、曝光和成像對(duì)元器件的圖案制造來(lái)說是必要的工藝步驟。在圖案化的最后(即在光阻層的涂敷、成像、離子植入和蝕刻之后)進(jìn)行下一工藝步驟之前，光阻層材料的殘留物需徹底除去。在摻雜步驟中離子轟擊會(huì)硬化光阻層聚合物，因此使得光阻層變得不易溶解從而更難于除去。至今在半導(dǎo)體制造工業(yè)中一般使用兩步法(干法灰化和濕蝕刻)除去這層光阻層膜。第一步利用干法灰化除去光阻層(PR)的大部分；第二步利用緩蝕劑組合物濕蝕刻/清洗工藝清洗去除剩余的光阻層。在第二步的清洗工藝過程中，緩蝕劑組合物只能除去殘留的聚合物光阻層和無(wú)機(jī)物，而不能損害金屬層如鋁層?，F(xiàn)有技術(shù)中典型的清洗液有以下幾種胺類清洗液，半水性胺基(非羥胺類)清洗液和氟化物類清洗液。其中，前兩類清洗液需要在高溫(一般在6(TC到8(TC之間)下使用，存在金屬腐蝕速率較大的問題；而現(xiàn)有的氟化物類清洗液也存在一些缺陷，如不能同時(shí)控制金屬和非金屬基材的腐蝕，因蝕刻率較大而造成通道特征尺寸改變，進(jìn)一步導(dǎo)致半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)改變，以及清洗操作窗口比較小等?，F(xiàn)有文獻(xiàn)己公開的清洗液也或多或少存在一些缺點(diǎn)US6，828,289公開了一種清洗液，其包括酸性緩沖液、有機(jī)極性溶劑、含氟物質(zhì)和水，且pH值在37之間，其中的酸性緩沖液由有機(jī)羧酸或多元酸與所對(duì)應(yīng)的銨鹽組成，組成比例為10:l至l:IO之間，但強(qiáng)調(diào)不能含有乙二醇類有機(jī)溶劑。US5，698，503公開了一種含氟清洗液，其大量使用乙二醇，該清洗液的粘度與表面張力都很大，從而影響清洗效果。US5,972,862公開了一種含氟清洗液，其包括含氟物質(zhì)、弱酸、弱堿和有機(jī)極性溶劑，pH為711，由于其不含有緩沖體系，清洗效果不穩(wěn)定，存在多樣的問題?，F(xiàn)有技術(shù)中，使用的抑制劑通常為鄰苯二酚和偏苯三酚等，這些抑制劑不能同時(shí)控制金屬以及氧化物的蝕刻速率；同時(shí)對(duì)環(huán)境和人體健康有危害。因此，尋求可避免以上現(xiàn)有的技術(shù)缺陷，既具有較強(qiáng)的清洗能力，又能滿足對(duì)基材的低刻蝕率，較大操作窗口和環(huán)境友好等其它清洗要求的清洗液成為半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有離子刻蝕殘留物清洗液清洗效果不佳或不穩(wěn)定，對(duì)基材腐蝕性大，操作窗口較小，環(huán)境污染的問題，而提供一種清洗能力強(qiáng)，具有低刻蝕率且安全無(wú)毒害的等離子刻蝕殘留物清洗液。本發(fā)明的清洗液含有下列成分檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液、高分子腐蝕抑制劑、抗凍劑、氟化物和溶劑。其中，所述的檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液在清洗液中的含量較佳的為質(zhì)量百分比15%56%;所述的高分子腐蝕抑制劑的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.0001%10%;所述的抗凍劑的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.0001%10%;所述的氟化物的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.01%3%;所述的溶劑的質(zhì)量百分比較佳的為質(zhì)量百分比40%80%。本發(fā)明中，所述的檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液中檸檬酸和檸檬酸鹽的質(zhì)量百分比含量較佳的為5%60%，更佳的為10%50%。其中，檸檬酸和檸檬酸鹽的比例可根據(jù)需要以任何比例進(jìn)行，但須使所得最終清洗液能保持均相。所述的擰檬酸鹽較佳的為檸檬酸與無(wú)機(jī)堿或季胺氫氧化物形成的鹽；其中，無(wú)機(jī)堿如氨水和氫氧化鉀等，季胺氫氧化物如四甲基氫氧化銨和四乙基氫氧化銨等。多官能團(tuán)的檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液不僅具有緩沖功能，還具有較強(qiáng)的螯合能力和清洗無(wú)機(jī)殘留物的能力。本發(fā)明中，所述的高分子腐蝕抑制劑較佳的選自含羥基聚合物和含羧基聚合物中的一種或多種。其中，所述的含羥基聚合物較佳的為含羥基聚醚或聚乙烯醇等；所述的含羧基聚合物較佳的為含羧基聚醚、聚馬來(lái)酸酐、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、丙烯酸與馬來(lái)酸共聚物、苯乙烯與丙烯酸共聚物、苯乙烯與馬來(lái)酸共聚物、丙烯腈與馬來(lái)酸共聚物或上述化合物的銨鹽、鉀鹽或鈉鹽等。本發(fā)明的清洗液配方中的高分子腐蝕抑制劑，可作為腐蝕抑制劑、表面活性劑或螯合劑使用，并且對(duì)環(huán)境和人體安全無(wú)害，避免了傳統(tǒng)的腐蝕抑制劑，如鄰苯二酚和偏苯三酚等的污染，同時(shí)其還可對(duì)金屬和非金屬起到很好的腐蝕抑制作用。本發(fā)明中，所述的抗凍劑可選自多元醇，如二元醇中的乙二醇和丙二醇，三元醇中的丙三醇，四元醇中的季戊四醇?？箖鰟┑氖褂每墒沟帽景l(fā)明的清洗液在-18。C的條件下存放兩個(gè)月不結(jié)冰。本發(fā)明的清洗液配方中，抗凍劑較佳使用量為質(zhì)量百分比0.0001%10%;較少量的抗凍劑對(duì)清洗液表面張力和溶液粘度影響都很小，不會(huì)影響對(duì)晶片的清洗功效，對(duì)基材基本無(wú)腐蝕。本發(fā)明中，所述的氟化物較佳的為氟化氫和氟化氫與堿形成的鹽中的一種或多種，如HF、NH4F、N(CH3)4F或N(CH2OH)3HF等。其中，所述的堿較佳的為氨水、季胺氫氧化物或醇胺。本發(fā)明中，所述的溶劑可選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯垸酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。其中，所述的亞砜較佳的為二乙基亞,或甲乙基亞砜；所述的砜較佳的為甲基砜、乙基砜或環(huán)丁砜；所述的咪唑垸酮較佳的為2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮或1，3-二乙基-2-咪唑烷酮；所述的吡咯烷酮較佳的為N-甲基吡咯垸酮；所述的咪唑啉酮較佳的為1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI);所述的酰胺較佳的為二甲基甲酰胺；所述的醚較佳的為乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚或二丙二醇單丁醚。本發(fā)明的清洗液還可含有小分子抑制劑，其含量較佳的為小于或等于質(zhì)量百分比10%。所述的小分子抑制劑可選自酚類，如苯酚、1,2-二羥基苯酚、對(duì)羥基苯酚或連苯三酚等；羧酸類，如苯甲酸、對(duì)氨基苯甲酸(PABA)、鄰苯二甲酸(PA)或沒食子酸(GA)等；羧酸酯類，如對(duì)氨基苯甲酸甲酯、鄰苯二甲酸甲酯或沒食子酸丙酯等；酸酐類，如乙酸酐或己酸酐等；苯并三氮唑類，如苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑或4-羧基苯并三氮唑等；膦酸類如1,3-(羥乙基)-2，4，6-三膦酸(HEDPA)、氨基三亞甲基膦酸(ATMP)或2-膦酸丁烷-l，2，4-三羧酸(PBTCA)等；或膦酸酯類等緩蝕劑中的一種或多種。本發(fā)明的清洗液由上述成分簡(jiǎn)單混合均勻即可使用。該清洗液可適用于批量浸泡式、批量旋轉(zhuǎn)式或單片旋轉(zhuǎn)式處理器等多種清洗儀器和清洗方式中使用。并且，本發(fā)明的清洗液可在較大的溫度范圍內(nèi)使用，一般可在室溫到45"C范圍內(nèi)使用。本發(fā)明所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于-(1)本發(fā)明的清洗液的清洗半導(dǎo)體制造過程中等離子刻蝕殘留物具有較高的清洗效力。本發(fā)明清洗液配方中，采用了多官能團(tuán)的檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液，其不僅具有緩沖功能，還具有較強(qiáng)的螯合能力，保證了清洗液清洗功效的高效和穩(wěn)定。(2)本發(fā)明的清洗液對(duì)非金屬和金屬基材，如Si、Si02、四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、低介質(zhì)材料、Ti、Al和Cu等，均具有較低的蝕刻速率。本發(fā)明的清洗液可在較大的溫度范圍內(nèi)使用，一般在室溫到45'C范圍內(nèi)使用，因此可避免現(xiàn)有技術(shù)中因使用溫度較高而引起的較高的金屬腐蝕速率。本發(fā)明清洗液配方中采用的高分子腐蝕抑制劑能同時(shí)對(duì)金屬和非金屬起到很好的腐蝕抑制作用。(3)本發(fā)明的清洗液對(duì)環(huán)境和人體安全友好，無(wú)污染危害。本發(fā)明清洗液配方中采用了高分子腐蝕抑制劑，其具有高效腐蝕抑制作用，同時(shí)也對(duì)環(huán)境和人體無(wú)毒害，避免了采用鄰苯二酚和偏苯三酚等傳統(tǒng)腐蝕抑制劑所帶來(lái)的污染危害。(4)本發(fā)明的清洗液耐低溫性能優(yōu)，可在-18'C的條件下存放兩個(gè)月不結(jié)冰，且抗凍劑在其較佳的用量范圍內(nèi)對(duì)清洗液表面張力和溶液粘度影響都很小，不會(huì)影響對(duì)晶片的清洗功效，對(duì)基材也基本無(wú)腐蝕作用。具體實(shí)施例方式下面通過實(shí)施例的方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。實(shí)施例l15wt。/。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖水溶液，0.0001wt。/。含羥基聚乙基醚(分子量1000)，5wt。/。乙二醇，2wt。/。氟化銨和77.9999wto/。環(huán)丁砜。檸檬酸/擰檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比5wt%，檸檬酸和擰檬酸銨的含量比為10:1。56wt。/。檸檬酸/擰檬酸四甲銨緩沖水溶液，lwt。/。聚乙烯醇均聚物(分子量2000)，lwt。/。丙三醇，lwt。/。氟化氫，lwt。/。2-膦酸丁烷-l，2，4-三羧酸和40wt%二甲基亞砜。檸檬酸/檸檬酸四甲銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸四甲銨的含量為質(zhì)量百分比60wt。/。，檸檬酸和檸檬酸四甲銨的含量比為1:1。實(shí)施例315wt。/。檸檬酸/檸檬酸四乙銨緩沖水溶液，lwt。/。聚乙烯醇共聚物(分子量3000)，lwt。/。季戊四醇，2wty。氟化四甲銨，1^%氨基三亞甲基膦酸和80^%>>[-甲基吡咯烷酮(NMP)。檸檬酸/檸檬酸四乙銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸四乙銨的含量為質(zhì)量百分比10wt。/。，檸檬酸和貯檬酸四乙銨的含量比為1:30。實(shí)施例415wt。/。擰檬酸/檸檬酸鉀緩沖水溶液，10wt。/o含羧基聚乙基醚(分子量1000))，10wt。/o乙二醇，0.01wt。/。氟化四乙銨，lwt%l，3-(羥乙基)-2,4,6-三膦酸和63.99wt。/。l，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)。檸檬酸/檸檬酸鉀緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸鉀的含量為質(zhì)量百分比50wt%，檸檬酸和檸檬酸鉀的含量比為10:1。實(shí)施例530wt。/。檸檬酸/擰檬酸鈉緩沖水溶液，3wt。/。含羥基聚乙基醚(分子量IOOO)，2wt。/。含羧基聚乙醚(分子量1000)，0.0001wt。/。乙二醇，0.5wt。/。氟化氫，0.5wt%氟化四甲銨，lwt。/。乙酸酐和62.9999wt。/。2-咪唑烷酮。檸檬酸/檸檬酸鈉緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸鈉的含量為質(zhì)量百分比20wt%，檸檬酸和檸檬酸鈉的含量比為20:1。實(shí)施例640wt。/。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖水溶液，0.001wt。/。聚馬來(lái)酸酐(分子量600)，lwt。/。乙二醇，lwt%N(CH2OH)3HF，lwtQ/。氟化氫，lwt。/。沒食子酸丙酯和55.999wtG/。甲乙基亞砜。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，擰檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比40wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為10:1。實(shí)施例750wty。檸檬酸/檸檬酸鉸緩沖水溶液，0.01wtn/。聚丙烯酸(分子量700)，0.001wt。/。乙二醇，2wt%氟化氫，5wt。/。鄰苯二甲酸甲酯和42.989wt。/。13-二甲基-2-咪唑垸酮。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比15wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為25:1。實(shí)施例820wt。/。擰檬酸/擰檬酸銨緩沖水溶液，0.1wt。/。聚甲基丙烯酸(分子量700)，0.01wt。/。乙二醇，2.5wt。/。氟化銨，8wt。/。對(duì)氨基苯甲酸甲酯和69.39wt。/。二甲基甲酰胺。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比25wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為10:1。實(shí)施例925wt。/。擰檬酸/桿檬酸銨緩沖水溶液，0.1wt。/。丙烯酸與馬來(lái)酸共聚物(分子量1000)，0.1wt。/。乙二醇，0.1wt。/o氟化氫，0.1wt。/o氟化銨，0.6wt。/。氟化四甲基銨，2wt。/。沒食子酸和72wt。/。乙二醇單乙醚。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比35wt%，療檬酸和檸檬酸銨的含量比為10:1。實(shí)施例1030wt。/。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖水溶液，lwt。/。苯乙烯與丙烯酸共聚物(分子量1500)，4wt。/。乙二醇，4wt。/。丙三醇，lwt。/。氟化氫，5wt。/。鄰苯二甲酸，30wt%l,3-二甲基-2-咪唑啉酮和25wt。/。二丙二醇單丁醚。擰檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和梓檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比45wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為10:1。實(shí)施例1140wt。/。檸檬酸/擰檬酸銨緩沖水溶液，2wt。/。苯乙烯與馬來(lái)酸共聚物(分子量1500)，2wt。/。乙二醇，lwt。/。氟化銨和5wt。/。環(huán)丁砜，2wt。/。對(duì)氨基苯甲酸和48wt15/()丙二醇單丁醚。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比5wt%，檸檬酸和檸檬酸鉸的含量比為10:1。實(shí)施例1256wt。/。擰檬酸/檸檬酸銨緩沖水溶液，0.5wt。/。丙烯腈與馬來(lái)酸共聚物(分子量1000)，0.5wt。/。聚丙烯酸(分子量700)，0.5wt。/。乙二醇，0.1wt。/。氟化氫，0.4wt%苯甲酸和42wt。/。二乙二醇單甲醚。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比55wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為10:1。實(shí)施例1320wt。/。擰檬酸/擰檬酸銨緩沖水溶液，0.5wtM丙烯酸與馬來(lái)酸共聚物(分子量IOOO)，2.5wt。/。乙二醇，3wt。/。氟化銨，4wt。/。連苯三酚和70wt。/。二丙二醇單甲醚。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比15wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為10:1。實(shí)施例1430wt。/。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖水溶液，0.001wtn/。聚甲基丙烯酸銨(分子量1000)，0.008wto/。乙二醇，0.1wto/。氟化氫，0.891wt。/o對(duì)羥基苯酚和69wto/。l，3-二乙基-2-咪唑烷酮。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比25wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為10:1實(shí)施例1515wt。/。檸檬酸/檸檬酸鈉緩沖水溶液，0.1wtM丙烯酸與馬來(lái)酸共聚物(分子量1000)，0.1wt。/。聚丙烯酸鉀(分子量1000)，5wt。/。乙二醇，3wt。/。氟化銨，5wt%l，2-二羥基苯酚，5wt。/。2-膦酸丁垸-l，2，4-三羧酸甲酯和66.8wt。/。二丙二醇單乙醚。檸檬酸/檸檬酸鈉緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸鈉的含量為質(zhì)量百分比10wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為20:1。實(shí)施例1615wt。/。擰檬酸/擰檬酸銨緩沖水溶液，2wty。含羥基聚醚，0.1wt。/。聚丙烯酸鈉，2wt。/。乙二醇，2wt。/。氟化氫，2wt。/。苯酚，2wt。/。己酸酐和74.9wt。/。二乙二醇單丁醚。檸檬酸/檸檬酸銨緩沖液中，檸檬酸和檸檬酸銨的含量為質(zhì)量百分比5wt%，檸檬酸和檸檬酸銨的含量比為20:1。效果實(shí)施例清洗劑124.55wt。/。檸檬酸/檸檬酸四甲基銨緩沖水溶液(22.09wt。/。水、2.37wt。/。檸檬酸四甲基銨和0.09wt。/。檸檬酸)，0.15wt。/。含羥基聚乙基醚(分子量1000)，0.3wt。/。苯并三氮唑，0.5wt。/。乙二醇，1.5wt。/。氟化銨和73wt%N-甲基卩比咯垸酮。清洗劑224.55wt。/。檸檬酸/檸檬酸四乙基銨緩沖水溶液(22.09wt。/。水、2.37wt。/。擰檬酸四乙基銨和0.09wt。/。擰檬酸)，0.15wt。/。含羥基聚乙基醚(分子量1000)，0.3wt。/。4-羧基苯并三氮唑，0.5wt。/。乙二醇，1.5wt。/。氟化銨，10wt%1，3-二甲基-2-咪唑啉酮和63wtn/。N-甲基吡咯烷酮。清洗劑334.55wt。/。檸檬酸/檸檬酸四乙基銨緩沖水溶液(31.09wt。/。水、3.33wt。/。擰檬酸四乙基銨鹽和0.13wt。/。檸檬酸)，0.15wt。/。含羥基聚乙基醚(分子量1000),0.3wt。/。甲基苯并三氮唑，0.5wt。/。乙二醇，1.5wt。/。氟化銨和63wt%N-甲基吡咯烷酮。按下述方法對(duì)清洗劑1~3進(jìn)行對(duì)金屬和非金屬腐蝕速率的測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表1所示。1.溶液的金屬腐蝕速率測(cè)試方法1)利用Napson四點(diǎn)探針儀測(cè)試^4cm鋁空白硅片的電阻初值(Rsl);2)將該W4cm鋁空白硅片浸泡在預(yù)先已經(jīng)恒溫到35'C的溶液中30分鐘；3)取出該4*4cm鋁空白硅片，用去離子水清洗，高純氮?dú)獯蹈?，再利用Napson四點(diǎn)探針儀測(cè)試4*4cm鋁空白硅片的電阻值(Rs2);4)重復(fù)第二和第三步再測(cè)試一次，電阻值記為Rs3;5)把上述電阻值和浸泡時(shí)間輸入到合適的程序可計(jì)算出其腐蝕速率。2.溶液的非金屬腐蝕速率測(cè)試方法1)利用Nanospec6100測(cè)厚儀測(cè)試W4cmPETEOS硅片的厚度(Tl);2)將該4*4cmPETEOS硅片浸泡在預(yù)先已經(jīng)恒溫到35'C的溶液中30分鐘；3)取出該^4cmPETEOS硅片，用去離子水清洗，高純氮?dú)獯蹈?，再利用Nanospec6100測(cè)厚儀測(cè)試4*4cmPETEOS硅片的厚度(T2);4)重復(fù)第二和第三步再測(cè)試一次厚度記為T3;5)把上述厚度值和浸泡時(shí)間輸入到合適的程序可計(jì)算出其腐蝕速率。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>從表l中可以看出本發(fā)明的清洗液組合物對(duì)半導(dǎo)體制成中所用的金屬(如金屬鋁)和非金屬(如PETEOS)的腐蝕速率均接近或小于半導(dǎo)體業(yè)界通常所要求的2埃每分鐘，基本不會(huì)侵蝕基材。用表l中的溶液對(duì)等離子刻蝕殘留物進(jìn)行清洗發(fā)現(xiàn)，其等離子刻蝕殘留物均被去除，而且基本沒有腐蝕金屬和非金屬。權(quán)利要求1.一種清洗等離子刻蝕殘留物的清洗液，其特征在于含有檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液、高分子腐蝕抑制劑、抗凍劑、氟化物和溶劑。2.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液在清洗液中的含量為質(zhì)量百分比15%56%。3.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的檸檬酸鹽為檸檬酸與無(wú)機(jī)堿或季胺氫氧化物形成的鹽。4.如權(quán)利要求3所述的清洗液，其特征在于所述的無(wú)機(jī)堿為氨水或氫氧化鉀；所述的季胺氫氧化物為四甲基氫氧化銨或四乙基氫氧化銨。5.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液中檸檬酸和檸檬酸鹽的含量為質(zhì)量百分比5%60%。6.如權(quán)利要求5所述的清洗液，其特征在于所述的檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液中檸檬酸和檸檬酸鹽的含量為質(zhì)量百分比10%50%。7.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的高分子腐蝕抑制劑或抗凍劑的含量為質(zhì)量百分比0.0001%10%。8.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的抗凍劑為多元醇中的一種或多種。9.如權(quán)利要求8所述的清洗液，其特征在于所述的多元醇為乙二醇、丙三醇或季戊四醇。10.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的高分子腐蝕抑制劑為含羥基聚合物和含羧基聚合物中的一種或多種。11.如權(quán)利要求10所述的清洗液，其特征在于所述的含羥基聚合物為含羥基聚醚或聚乙烯醇；所述的含羧基聚合物為含羧基聚醚、聚馬來(lái)酸酐、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、丙烯酸與馬來(lái)酸共聚物、苯乙烯與丙烯酸共聚物、苯乙烯與馬來(lái)酸共聚物、丙烯腈與馬來(lái)酸共聚物或上述化合物的銨鹽、鉀鹽或鈉i卜12.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的氟化物的含量為質(zhì)量百分比0.01%3%。13.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的氟化物為氟化氫和氟化氫與堿形成的鹽中的一種或多種。14.如權(quán)利要求13所述的清洗液，其特征在于所述的堿為氨水、季胺氫氧化物或醇胺。15.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的溶劑的含量為質(zhì)量百分比40%80%。16.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的溶劑為亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。17.如權(quán)利要求16所述的清洗液，其特征在于所述的亞砜為二甲基亞砜、二乙基亞砜或甲乙基亞砜；所述的砜為甲基砜、乙基砜或環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮為2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮或1，3-二乙基-2-咪唑烷酮；所述的吡咯烷酮為N-甲基吡咯垸酮；所述的咪唑啉酮為1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺為二甲基甲酰胺；所述的醚為乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚或二丙二醇單丁醚。18.如權(quán)利要求1所述的清洗液，其特征在于所述的清洗液還含有小分子抑制劑。19.如權(quán)利要求18所述的清洗液，其特征在于所述的小分子抑制劑的含量為小于或等于質(zhì)量百分比10%。20.如權(quán)利要求18所述的清洗液，其特征在于所述的小分子抑制劑選自酚類、羧酸類、羧酸酯類、酸酐類、苯并三氮唑類、膦酸類和膦酸酯類緩蝕劑中的一種或多種。21.如權(quán)利要求20所述的清洗液，其特征在于所述的酚類為苯酚、1，2-二羥基苯酚、對(duì)羥基苯酚或連苯三酚；所述的羧酸類為苯甲酸、對(duì)氨基苯甲酸、鄰苯二甲酸或沒食子酸；所述的羧酸酯類為對(duì)氨基苯甲酸甲酯、鄰苯二甲酸甲酯或沒食子酸丙酯；所述的酸酐類為乙酸酐或己酸酐；所述的苯并三氮唑類為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑或4-羧基苯并三氮唑；所述的磷酸類為1,3-(羥乙基)-2,4,6-三膦酸、氨基三亞甲基膦酸或2-膦酸丁垸-l，2，4-三羧酸。全文摘要本發(fā)明公開了一種用于半導(dǎo)體工業(yè)中清洗等離子刻蝕殘留物的清洗液，其含有檸檬酸/檸檬酸鹽緩沖水溶液、氟化物、高分子腐蝕抑制劑、抗凍劑和溶劑。本發(fā)明的清洗液可有效地清洗半導(dǎo)體制造過程中等離子刻蝕殘留物，同時(shí)對(duì)于非金屬和金屬基材，如Si、SiO₂、四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、低介質(zhì)材料、Ti、Al和Cu等，具有較低的蝕刻速率，并且對(duì)環(huán)境和人體安全無(wú)害，在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。文檔編號(hào)G03F7/42GK101290482SQ20071003966公開日2008年10月22日申請(qǐng)日期2007年4月19日優(yōu)先權(quán)日2007年4月19日發(fā)明者兵劉,彭洪修,浩曾申請(qǐng)人:安集微電子(上海)有限公司