專利名稱：掩模版及使用掩模版調(diào)式光刻機(jī)套刻精度的匹配方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造技術(shù)，具體地說(shuō)，涉及一種用于光刻制程的 掩模版以及使用該掩模版調(diào)式光刻機(jī)的套刻精度相匹配方法。
背景技術(shù)：
晶圓制造包括前段工藝流程(Front end of line, FEOL )和后段工藝流程(Back endofline,BEOL)。為了提高生產(chǎn)效率或者是企業(yè)自身硬件條件的限制，有些企 業(yè)(以下筒稱"提供商，，)只對(duì)晶圓進(jìn)行前段工藝流程做成半成品，而有些企業(yè) (以下簡(jiǎn)稱"制造商，，)則買進(jìn)其他企業(yè)的半成品進(jìn)行后段工藝流程加工成成品。 不同提供商在對(duì)晶圓的前段工藝過程中常常會(huì)采用不同類型的光刻機(jī)，不同光 刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)方法和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是不一樣的，因此，不同提供商的晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 和位置是不一樣的。前段工藝與后段工藝對(duì)準(zhǔn)精度即套刻精度(Overlay)越高， 晶圓的成品率就越高，因此，對(duì)于制造商來(lái)說(shuō)，控制套刻精度是一個(gè)嚴(yán)峻的問 題。
另外，對(duì)于具有多家提供商的制造商來(lái)說(shuō)，每次變換不同提供商(FEOL制 程)的晶圓半成品，都需要更換與提供商在前段工藝中使用相同的光刻機(jī)來(lái)調(diào)試 套刻精度，多次調(diào)整數(shù)據(jù)反復(fù)測(cè)試，直至套刻精度符合規(guī)格。采用現(xiàn)有方法和 現(xiàn)有掩模版嚴(yán)重影響了光刻機(jī)的生產(chǎn)效率。
因此，需要提供一種新的掩模版，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種可以有效地縮短調(diào)試套刻精度相匹配 時(shí)間的掩模版。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種新的掩模版，該掩模版具有至少 兩種不同類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，不同類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別與不同的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)相匹配。本發(fā)明還提供了 一種〗吏用具有至少兩種不同類型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩才莫版調(diào)式光
刻機(jī)套刻精度的匹配方法，該方法包括如下步驟提供所述具有至少兩種類型 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模版；提供光刻機(jī)，其具有與掩模版對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相匹配的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 模塊及補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊；提供數(shù)個(gè)具有不同類型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的測(cè)試晶圓； 根據(jù)每一測(cè)試晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，啟動(dòng)與其相對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊，與掩模版上 相匹配的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)齊，對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行光刻圖形步驟；對(duì)光刻圖形結(jié)'果進(jìn)行 匹配測(cè)試；若匹配測(cè)試所得的套刻精度值不符合規(guī)格，調(diào)整補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制 模塊的數(shù)據(jù)建立補(bǔ)正值，循環(huán)進(jìn)行匹配測(cè)試，直至套刻精度符合規(guī)格。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本發(fā)明的掩模版不需要根據(jù)晶圓前段工藝使用光刻 機(jī)類型的不同而改變；采用本發(fā)明提供的匹配方法，可有效節(jié)省調(diào)試套刻精度 的匹配時(shí)間，進(jìn)而起到了提高產(chǎn)品成品率的有益效杲。
具體實(shí)施例方式
以下對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié) 構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。 '
本發(fā)明提供了一種新的掩模版，該掩模版具有多種類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，不同 的類型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于掩模版的不同位置，與不同對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)相匹配。制造掩模版 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的類型根據(jù)其使用范圍來(lái)確定，例如，如果待加工晶圓根據(jù)其進(jìn)行前 段工藝流程使用的光刻機(jī)分為三種，由于不同類型光刻機(jī)具有不同類型的對(duì)準(zhǔn) 系統(tǒng)和對(duì)準(zhǔn)方法，因此本發(fā)明的掩模版上就需要蝕刻出分別與晶圓上對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 匹配的三種類型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。采用此種類型的掩模版，不需要根據(jù)待加工晶圓的 來(lái)源不同而進(jìn)行更換光刻機(jī)和掩模版，從而大大節(jié)省了生產(chǎn)時(shí)間，提高了生產(chǎn) 效率。
使用上述具有多種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模版只需要一種的光刻機(jī)。該光刻機(jī)設(shè)置 由具有多種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊和補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊，通過補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn) 系統(tǒng)控制模塊，修改對(duì)應(yīng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊的各種數(shù)據(jù)參數(shù)。所述光刻機(jī)的套刻精 度是采用如下步驟進(jìn)行匹配調(diào)式的首先搜集與掩模版上對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相匹配的所 有光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)分別輸入光刻機(jī)對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊內(nèi)；提 供數(shù)個(gè)具有不同對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的測(cè)試晶圓；根據(jù)測(cè)試晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，啟動(dòng)與之相
4匹配的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊，對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行光刻步驟；然后進(jìn)行匹配測(cè)試，將光刻 圖形各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析；若匹配測(cè)試所得光刻圖形的套刻精度不符合規(guī)格， 根據(jù)數(shù)據(jù)偏差值，通過光刻機(jī)的補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊，調(diào)整、修改對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 模塊內(nèi)的數(shù)據(jù)并保存，然后循環(huán)進(jìn)行匹配測(cè)試，直至套刻精度符合規(guī)格。調(diào)試 好的光刻機(jī)就可以采用所述該掩模版進(jìn)行批量生產(chǎn)。采用該光刻機(jī)和掩模版， 不要每更換一批晶圓就要重新進(jìn)行套刻精度測(cè)試，不僅較好地保證了產(chǎn)品的套 刻精度，而且節(jié)省了調(diào)試套刻精度時(shí)間，提高了產(chǎn)品的成品率。
權(quán)利要求
1、一種掩模版，其特征在于，該掩模版具有至少兩種不同類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，不同類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分別與不同的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)相匹配。
2、 一種使用如權(quán)利要求l所述掩模版調(diào)式光刻機(jī)套刻精度的匹配方法，其特征 在于，該方法包括如下步驟提供所述具有至少兩種類型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模版；提供光刻機(jī)，其具有與掩模版至少兩種類型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相匹配的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模 塊及補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊；提供數(shù)個(gè)具有不同類型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的測(cè)試晶圓；根據(jù)每一測(cè)試晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，啟動(dòng)與其相對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊，與掩模 版上相匹配的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)齊，對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行光刻圖形步驟；對(duì)光刻圖形結(jié)果進(jìn)行匹配測(cè)試； 若匹配測(cè)試所得的套刻精度值不符合規(guī)格，調(diào)整補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊的 數(shù)據(jù)建立補(bǔ)正值，循環(huán)進(jìn)行匹配測(cè)試，直至套刻精度符合規(guī)格。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于光刻制程的掩模版以及使用該掩模版調(diào)式光刻機(jī)的套刻精度的匹配方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。本發(fā)明提供的掩模版上具有兩種或兩種以上不同類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。使用該掩模版的光刻機(jī)具有與掩模版對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相匹配的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊及補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊，調(diào)式套刻精度時(shí)，根據(jù)測(cè)試晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，啟動(dòng)與晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相匹配的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)模塊，與掩模版上相匹配的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)齊，進(jìn)行光刻步驟，對(duì)光刻圖形進(jìn)行匹配測(cè)試，若套刻精度不符合規(guī)格，調(diào)整補(bǔ)正對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊的數(shù)據(jù)，循環(huán)進(jìn)行匹配測(cè)試，直至套刻精度符合規(guī)格。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有效地縮短調(diào)試時(shí)間，提高產(chǎn)品的成品率。
文檔編號(hào)G03F1/42GK101315514SQ20071004157
公開日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月1日
發(fā)明者朱文淵, 楊曉松 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司