專利名稱：多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置及其基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，特別是涉及一種能夠改善色差的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置及其基板制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(Liquid Crystal Display，LCD)是目前廣泛應(yīng)用的主流顯示技術(shù)之一，具有耗能小、厚度薄、重量輕及工作電壓低等特征。液晶顯示面板一般包括有上基板、下基板及填充在上下基板之間的液晶層；下基板上的顯示區(qū)域包含多個(gè)子像素區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管(TFT)以及像素電極，薄膜晶體管充當(dāng)開關(guān)元件；上基板具有共通電極(IPS液晶顯示模式除外)及彩色過濾器；在上下基板的電極上具有配向膜材料，使液晶分子得到配向；下基板的像素電極與上基板的共通電極之間形成電場(chǎng)，在電場(chǎng)的作用下，液晶分子的排列狀態(tài)發(fā)生變化，從而使背光源的透過率發(fā)生變化，形成圖案顯示。
目前應(yīng)用于電視方面的液晶顯示模式主要為MVA(Multi-domainVertical Alignment；多疇垂直取向)模式。MVA液晶顯示多為利用凸起物或者狹縫電極以形成多疇垂直取向顯示模式，以利用凸起物形成MVA顯示模式為例，在沒有電場(chǎng)存在的情況下，液晶分子在配向膜的作用下垂直取向，如圖1A所示，此時(shí)顯示器具有良好的黑態(tài)。對(duì)液晶分子施加一定的電壓，液晶由垂直排列狀態(tài)逐漸轉(zhuǎn)向平行排列，如圖1B所示，液晶顯示裝置透過率發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)灰階顯示。在這個(gè)過程中，由于凸起物的傾斜面或者由于條狀電極形成的傾斜電場(chǎng)，觸發(fā)液晶分子形成多個(gè)方向的取向，即形成多疇垂直取向顯示模式。在這種情況下，觀察者在各個(gè)視角下觀察屏幕所顯示的畫面，所觀察的灰階一致，沒有灰階反轉(zhuǎn)等現(xiàn)象的發(fā)生，顯示了良好的視角特性，如圖2所示。
MVA顯示模式在斜視角方面雖然表現(xiàn)的灰階一致，但是與正視角方向的灰階相比，則具有灰階方向依存性。表現(xiàn)在具體的顏色上，正視角方向和斜視角方向的顏色則不完全一致，會(huì)發(fā)生色差。通過液晶顯示器的透射光強(qiáng)變化公式為，I=I0sin22φsin2[πλ(neff-n0)d]]]>其中，I為透射光強(qiáng)，I0為入射光強(qiáng)，λ為入射光波長(zhǎng)，d為液晶盒的厚度，Φ為液晶分子的方位角。其有效折射率neff=n0nene2cos2θ+n02sin2θ,]]>在這里n0、ne、θ分別為液晶分子的尋常折射率、非常折射率和液晶分子的極性角。n0、ne、θ和Φ的定義如圖3所示。
從這個(gè)公式可以看出，液晶分子的有效折射率是和液晶分子的極性角相關(guān)的，在不同的視角下，液晶分子表現(xiàn)的極性角是不相同的，則會(huì)引起透射光強(qiáng)的變化。具體的表現(xiàn)為斜視角下的透過能力下降，斜視角方向和正視角方向所表現(xiàn)的顏色不一致，導(dǎo)致色差，從而影響視角范圍和畫面質(zhì)量。
為解決斜視角的色差問題，可以利用電容耦合的方法或者雙TFT驅(qū)動(dòng)的方法形成8疇以上的顯示模式，使液晶分子在各個(gè)視角方向表現(xiàn)的有效折射率趨于一致，則不同視角下的透過率差異變小，色差可以得到改善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種具有多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，使液晶顯示斜視角方向的色差得到改善。
本發(fā)明的另一解決的技術(shù)問題在于提供一種用于多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的基板的制造方法。
本發(fā)明的另一解決的技術(shù)問題在于提供另一種用于多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的基板的制造方法。
基于上述目的，本發(fā)明提供了一種多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，包括一上基板、一下基板；一液晶層，填充在上下基板之間；所述上基板表面形成有共通電極，共通電極上形成有狹縫或凸起；所述下基板的顯示區(qū)域包含有多個(gè)子像素區(qū)域，子像素內(nèi)設(shè)置有像素電極，像素電極上形成有狹縫或凸起；其中所述子像素分成具有一定面積比的至少兩個(gè)區(qū)域，且至少有兩個(gè)區(qū)域的共通電極和像素電極之間的間隙互不相同。
本發(fā)明還提供了一種基板的制造方法，應(yīng)用于多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的制造方法，包括如下步驟提供一透明基板；在所述透明基板上依次形成黑矩陣、色阻層、平坦層和透明電極層；其中使用掩膜版形成具有不同厚度的色阻層或平坦層。
所述的掩模版可以為半色調(diào)掩模版或灰階掩模版，經(jīng)一次曝光形成具有不同厚度的色阻層或平坦層。
所述的掩模版還可以為微移掩模版，經(jīng)多次曝光形成具有不同厚度的色阻層或平坦層。
本發(fā)明還提供了另一種基板的制造方法，應(yīng)用于多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的制造方法，包括如下步驟提供一透明基板；在所述透明基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、漏/源極、鈍化保護(hù)層、像素電極；其中在形成柵極絕緣層或鈍化保護(hù)層后，增加一刻蝕工序，形成具有不同厚度的柵極絕緣層或鈍化保護(hù)層。
基于上述構(gòu)思，本發(fā)明的多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置由于每個(gè)子像素內(nèi)至少有兩個(gè)區(qū)域形成的共通電極和像素電極之間的間隙互不相同，則子像素在相同電壓的驅(qū)動(dòng)下，各個(gè)區(qū)域表現(xiàn)的電場(chǎng)強(qiáng)度不全相同，同一子像素內(nèi)的液晶分子取向表現(xiàn)不同，因此能夠形成多疇顯示的效果，從而改善色差。
為了更進(jìn)一步說明本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。其中附圖僅供參考與輔助說明用，不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。


圖1A是不施加電場(chǎng)時(shí)MVA模式的液晶分子取向示意圖；圖1B是施加電場(chǎng)時(shí)MVA模式的液晶分子取向示意圖；圖2是在不同視角下觀察MVA模式的顯示畫面；圖3A是液晶分子狀態(tài)定義的示意圖；圖3B是液晶分子折射率定義的示意圖；圖4A是本發(fā)明實(shí)施例一中上基板側(cè)的共通電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B是本發(fā)明實(shí)施例一中像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例一中子像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖6A是本發(fā)明實(shí)施例一中14所在區(qū)域液晶分子在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下的形態(tài)示意圖；圖6B是本發(fā)明實(shí)施例一中15所在區(qū)域液晶分子在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下的形態(tài)示意圖；圖7是不同電壓下透過率隨視角θ的變化關(guān)系圖；圖8A是4疇顯示模式下正視角和斜視角60度時(shí)的V-T曲線圖；圖8B是8疇顯示模式下正視角和斜視角60度時(shí)的V-T曲線圖；圖9是本發(fā)明實(shí)施例中子像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖10是本發(fā)明實(shí)施例中子像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖11是上基板的一般制作流程與結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是本發(fā)明負(fù)性光刻膠在掩膜版下形成的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是本發(fā)明正性光刻膠在掩膜版下形成的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本發(fā)明實(shí)施例三中基板的制作流程的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15是使用了本發(fā)實(shí)明施例二和實(shí)施例三的制造方法所形成的液晶顯示裝置的截面示意圖；圖16是本發(fā)明實(shí)施例五的基板制造方法的制作過程；圖17是使用本發(fā)明實(shí)施例四、實(shí)施例五的基板制造方法所形成的液晶顯示裝置的截面示意圖；圖18是下基板上的子像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖19是圖18中的子像素結(jié)構(gòu)沿AA’的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖20是本發(fā)明實(shí)施例六的基板的制作流程的結(jié)構(gòu)示意圖；圖21是使用本發(fā)明實(shí)施例六的制造方法所形成的子像素結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
圖中10.下基板11.凸起(或狹縫)12.像素電極14、15、16間隙不同的區(qū)域20.上基板21.凸起(或狹縫)22.共通電極30.液晶層31.液晶分子40.透明基板 41.黑矩陣 42.色阻層43.平坦層50.掩膜版51.半色調(diào)掩膜版 52.灰階掩膜版 53.掩膜版60.負(fù)性光刻膠70.正性光刻膠80.透明基板121.掃描線 122.數(shù)據(jù)線 123.接觸孔 124.公共電極線125.鈍化保護(hù)層 126.柵極層 127.柵極絕緣層128.a-Si半導(dǎo)體層 129.n+a-Si半導(dǎo)體層130.源/漏極層具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖及典型實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
實(shí)施例一圖4A是本發(fā)明實(shí)施例一中上基板側(cè)的共通電極的結(jié)構(gòu)示意圖；4B是本發(fā)明實(shí)施例一中像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
參照?qǐng)D4A、4B，本發(fā)明的多疇垂直顯示模式的液晶顯示裝置包括一上基板20、一下基板10及填充在上下基板10和20之間的液晶層30；所述下基板10的顯示區(qū)域包含有多個(gè)子像素區(qū)域，子像素內(nèi)設(shè)置有像素電極12和TFT器件(圖中未示出)，像素電極12上形成有狹縫或凸起11；所述上基板20表面形成有共通電極22，共通電極22上形成有狹縫或凸起21。所述像素電極12上形成的狹縫或凸起11，與共通電極22上的狹縫或凸起21錯(cuò)位相對(duì)。像素電極12、共通電極22材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
參照?qǐng)D4B，子像素被分為兩個(gè)面積不同的區(qū)域，分別為14和15區(qū)域。所述兩個(gè)區(qū)域14、15中的共通電極22和像素電極12之間的間隙互不相同。所述子像素被分為面積不同的區(qū)域，可以為兩個(gè)區(qū)域，也可以為兩個(gè)以上區(qū)域，其區(qū)域形狀或數(shù)目可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。
參照?qǐng)D9，所述子像素中兩個(gè)間隙不同的區(qū)域14、15可呈矩形狀。
參照?qǐng)D10，子像素可被分為三個(gè)區(qū)域14、15和16顯示，三個(gè)區(qū)域14、15、16中至少有兩個(gè)區(qū)域的間隙不同。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例一子像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
為了更好說明本發(fā)明結(jié)構(gòu)的多疇顯示與現(xiàn)有有技術(shù)的4疇顯示的改善處，本實(shí)施例利用液晶顯示器模擬軟件分別制作了4疇顯示，以及應(yīng)用本發(fā)明結(jié)構(gòu)的多疇顯示(以8疇顯示為例)，進(jìn)行對(duì)比和比較。具體的模擬設(shè)定如下采用軟件模擬的子像素結(jié)構(gòu)如圖5所示。在上基板20、下基板10上的共通電極22、像素電極12上分別形成有狹縫21和11(也可以使用凸起，在本模擬中使用的為IT0狹縫)以便產(chǎn)生多疇垂直取向液晶顯示。如果為4疇顯示，則兩個(gè)區(qū)域共通電極22和像素電極12之間均采用相同的間隙，本模擬采用4.0微米。如果采用本發(fā)明裝置以形成8疇顯示，則對(duì)區(qū)域14共通電極22和像素電極12之間的間隙采用3.5微米，區(qū)域15采用4.0微米的間隙，即可實(shí)現(xiàn)8疇顯示。
在上述的4疇顯示模式下，兩個(gè)區(qū)域的液晶分子受到電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)時(shí)表現(xiàn)相同。在上述的8疇顯示模式下，兩個(gè)區(qū)域14、15的液晶分子31由于共通電極22和像素電極12之間的間隙不同，在相同電壓的作用下，受到的電場(chǎng)強(qiáng)度不同，區(qū)域14的液晶分子31受到的電場(chǎng)作用較高，則液晶分子31更趨向平行基板10、20方向排列；區(qū)域15的電場(chǎng)作用較弱，液晶分子31趨向平行基板10、20方向排列的程度不如區(qū)域14，則形成8疇顯示。液晶分子狀態(tài)示意如圖6所示。
利用軟件模擬，圖7給出了3.5V電壓下，4疇模式和8疇模式透過率隨視角θ的變化圖。在圖7中，本發(fā)明裝置的8疇顯示，視角±60度與0度的差值分別是0.02527和0.01164。4疇顯示的視角±60度與0度的差值分別為0.027411和0.037537?？梢钥闯?，8疇顯示在正視角和≤60度視角之內(nèi)的透過率差異比4疇顯示的差異小。
圖8給出了4疇顯示和8疇顯示，正視角和斜視角60度時(shí)透過率隨電壓變化的曲線。從圖8也可以看出，本發(fā)明結(jié)構(gòu)下的8疇顯示，斜視角60度與正視視角的差值比4疇的差值小。圖7、8表明，本發(fā)明結(jié)構(gòu)下的8疇顯示，其斜視角方向的透過率和正視角方向透過率差值的減少，則色差較小。
實(shí)施例二圖11是上基板的一般制作流程與結(jié)構(gòu)示意圖。
參照?qǐng)D11A，首先提供一透明基板40，該透明基板40為玻璃基板或塑膠基板；接著在透明基板40上形成一定圖案的黑矩陣(BM)41，BM41的材料可以為黑色樹脂或者金屬鉻制成。參照?qǐng)D11B，然后，在帶有BM41的透明基板40上形成一定厚度的色阻層42，利用圖11C所示的掩膜版50進(jìn)行曝光，紅色色阻層顯影后的圖案如圖11D所示，重復(fù)圖11B到圖11D所示的制作過程，依次形成如圖11E所示的紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)色阻層。
再次，在三層色阻層42之上形成一定厚度的平坦層43，如圖11F所示，平坦層43的材料可以為透明的光刻膠樹脂。
最后，在平坦層43之上形成一定圖案的共通電極22，如圖11G所示，共通電極22可以是氧化銦錫(IT0)材料。
在傳統(tǒng)的光刻法制造基板制程中，使用的掩膜版50一般為二元掩膜版。掩膜版50為二元掩膜版，透過掩膜版50的光強(qiáng)分布如圖12A所示。采用負(fù)性光刻膠層60，曝光顯影后光刻膠形狀如圖12A所示，采用半色調(diào)掩膜版51和灰階掩膜版52，其透過掩膜版的光強(qiáng)分布及曝光顯影后的光刻膠形狀分別如圖12B和圖12C所示。采用正性光刻膠層70，二元掩膜版、半色調(diào)掩膜版51和灰階掩膜版52的光強(qiáng)分布，以及曝光顯影后光刻膠形狀分別如圖13A、13B、13C所示?？梢钥闯?，采用半色調(diào)掩膜版51和灰階掩膜版52，可以在一次曝光中形成具有不同厚度的光刻膠層60、70。
在本實(shí)施例基板的制造方法中，使用光刻法制造上基板過程中，在子濾光區(qū)域范圍內(nèi)，利用半色調(diào)掩膜版51或灰階掩模版52制備上基板20的色阻層42，實(shí)現(xiàn)同一子濾光區(qū)域內(nèi)的色阻層42厚度不同，如其中一部分區(qū)域色阻層42厚度為2微米，另一部分區(qū)域的色阻層42厚度為1.5微米。以紅色子濾光區(qū)域?yàn)槔?，在形成紅色色阻層的子濾光區(qū)域時(shí)，子濾光區(qū)域曝光的光罩采用半色調(diào)掩膜版51或灰階掩模版52，在同一子濾光區(qū)域內(nèi)可以獲得不同厚度的色阻層。依次利用掩膜版51或灰階掩模版52形成厚度不同的綠色、藍(lán)色色阻層。最后形成厚度相同的平坦層43及共通電極層22，可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例三在使用光刻法制造上基板20的過程中，在子濾光區(qū)域范圍內(nèi)，利用微移掩膜版53，多次曝光的方法制備上基板20的色阻層42，實(shí)現(xiàn)同一子濾光區(qū)域的色阻層42厚度不同，如其中一部分區(qū)域色阻厚度為2微米，另一部分區(qū)域的色阻厚度為1.5微米。本實(shí)施例的掩膜版53與傳統(tǒng)的掩膜版50的不同之處在于，掩膜版50的透光部分為整個(gè)子濾光區(qū)域，掩膜版53的透光部分為1/2個(gè)子濾光區(qū)域。以紅色子濾光區(qū)域?yàn)槔?，在形成紅色色阻的子濾光區(qū)域時(shí)，首先，在1/2個(gè)子濾光區(qū)域以曝光量X進(jìn)行曝光，然后微移掩膜版53，微移距離為1/2個(gè)子濾光區(qū)域，以曝光量Y進(jìn)行曝光。經(jīng)顯影后同一個(gè)子濾光區(qū)域可以獲得不同厚度的色阻層42，其過程如圖14所示，依次利用掩膜版53形成厚度不同的綠色、藍(lán)色色阻層。最后形成厚度相同的平坦層43及共通電極層22，可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)。
使用實(shí)施例二和實(shí)施例三的制造方法所形成的液晶顯示裝置的截面圖如圖15所示，使用上述制造方法，可以在子像素區(qū)域內(nèi)，形成共通電極22和像素電極12間隙不同的區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)多疇液晶顯示。
實(shí)施例四在使用光刻法制造上基板20的過程中，與上述實(shí)施例二類似，在子濾光區(qū)域的范圍內(nèi)，利用半色調(diào)掩膜版51或灰階掩模版52制備上基板20的平坦層43，實(shí)現(xiàn)同一子濾光區(qū)域的平坦層43厚度不同，如其中一部分區(qū)域平坦層厚度為1微米，另一部分區(qū)域的厚度為0.5微米，然后在平坦層43之上形成共通電極22，可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例五使用光刻法制造上基板20的過程中，與上述實(shí)施例三類似，在子濾光區(qū)域范圍內(nèi)，利用微移掩膜版53，多次曝光的方法制備上基板20的平坦層43，實(shí)現(xiàn)同一子濾光區(qū)域的平坦層43厚度不同，如其中一部分區(qū)域色阻厚度為1微米，另一部分區(qū)域的色阻厚度為0.5微米。如圖16所示，首先，在1/2個(gè)子濾光區(qū)域以曝光量X’進(jìn)行曝光。然后微移掩膜版53，微移距離為1/2個(gè)子濾光區(qū)域，以曝光量Y’進(jìn)行曝光。經(jīng)顯影后同一個(gè)子濾光區(qū)域可以獲得不同厚度的平坦層43，最后形成共通電極層22，可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)。
使用實(shí)施例四和實(shí)施例五的制造方法所形成的液晶顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)如圖17所示，使用上述制造方法，可以在子像素區(qū)域內(nèi)，形成共通電極22和像素電極12間隙不同的區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)多疇液晶顯示。
實(shí)施例六圖18為下基板上的子像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖19是圖18中的子像素結(jié)構(gòu)沿AA’的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖20是本發(fā)明實(shí)施例六的基板的制作過程。
參照?qǐng)D18、圖19、圖20，首先提供一透明基板80，該透明基板80為玻璃基板或塑膠基板，然后在透明基板80上依次形成一第一金屬層(M1)和柵極絕緣層127，第一金屬層經(jīng)光刻形成一柵極層126圖案及與所述柵極電氣連接的一柵極掃描線121、與柵極掃描線121平行的公共電極線124；柵極絕緣層127覆蓋住柵極、柵極掃描線121和公共電極線124。
第一金屬層的材料可以為鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)等金屬或合金，柵極絕緣層127的材料可以為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅。
接著，在透明基板80上方形成半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層包括a-si半導(dǎo)體層層128和n+a-si半導(dǎo)體層129。然后在透明基板上形成第二金屬層(M2)，形成源/漏極層130的圖案，及與源極電氣連接的數(shù)據(jù)線122。數(shù)據(jù)線122和掃描線121交叉區(qū)域定義出像素區(qū)域，在漏極層130上方形成鈍化保護(hù)層125，并在鈍化保護(hù)層125上刻蝕出接觸孔123；最后在透明基板80表面形成像素電極12的圖案，像素電極12通過接觸孔123和漏極電氣連接。
在上述形成一定厚度的柵極絕緣層127(如0.5微米)后，如圖20A所示，增加如下工序，在TFT器件上部及部分子像素區(qū)域(如1/2個(gè)子像素)覆蓋光刻膠60，如圖20B所示，利用干刻的方法，將沒有覆蓋光刻膠60的區(qū)域刻蝕掉部分厚度的絕緣膜，如圖20C所示，或者將絕緣膜全部刻蝕掉，如圖20D所示，再完成光刻膠的剝離及基板的其它工序。子像素顯示區(qū)域形成后，由于像素電極12下的材料厚度不同，可實(shí)現(xiàn)同一像素內(nèi)共通電極22和像素電極12之間的間隙不同，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明裝置。
跟上述方法類似，在形成一定厚度的鈍化保護(hù)層125(如0.5微米)后，為了實(shí)現(xiàn)不同厚度的鈍化保護(hù)層125，增加如下工序在TFT器件上部及部分子像素區(qū)域(如1/2個(gè)子像素)覆蓋光刻膠60，利用干刻的方法，將沒有覆蓋光刻膠60的區(qū)域刻蝕掉部分厚度的鈍化保護(hù)層125，也可將鈍化保護(hù)層125全部刻蝕掉，再完成光刻膠的剝離及基板的其它工序，刻蝕掉部分鈍化保護(hù)層125的子像素結(jié)構(gòu)截面如圖21所示。子像素顯示區(qū)域形成后，由于像素電極12下的材料厚度不同，可實(shí)現(xiàn)同一像素內(nèi)共通電極22和像素電極12之間的間隙不同，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)。
上述實(shí)現(xiàn)本發(fā)明多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的方法，可以根據(jù)需要分別使用其中一種或者結(jié)合使用其中兩種或兩種以上的方法。
在不脫離本發(fā)明精神或者方法的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改和變形，但這些修改和變形均包括在本發(fā)明權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置，包括一上基板；一下基板；一液晶層，填充在上下基板之間；所述上基板表面形成有共通電極，共通電極上形成有狹縫或凸起；所述下基板的顯示區(qū)域包含有多個(gè)子像素區(qū)域，子像素內(nèi)設(shè)置有像素電極，像素電極上形成有狹縫或凸起；其中所述子像素分成具有一定面積比的至少兩個(gè)區(qū)域，且至少有兩個(gè)區(qū)域的共通電極和像素電極之間的間隙互不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的像素電極、共通電極材料為銦錫氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的子像素的至少兩個(gè)區(qū)域的面積不相等。
4.一種基板的制造方法，應(yīng)用于多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的制造方法，包括如下步驟提供一透明基板；在所述透明基板上依次形成黑矩陣、色阻層、平坦層和透明電極層；其特征在于使用掩膜版形成具有不同厚度的色阻層或平坦層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于所述的掩模版為半色調(diào)掩模版或灰階掩模版，經(jīng)一次曝光形成具有不同厚度的色阻層或平坦層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于通過微移掩模版，經(jīng)多次曝光形成具有不同厚度的色阻層或平坦層。
7.一種基板的制造方法，應(yīng)用于多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置的制造方法，包括如下步驟提供一透明基板；在所述透明基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、漏/源極、鈍化保護(hù)層、像素電極；其特征在于在形成柵極絕緣層或鈍化保護(hù)層后，增加一刻蝕工序，形成具有不同厚度的柵極絕緣層或鈍化保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多疇垂直取向模式的液晶顯示裝置及其基板制造方法，該液晶顯示裝置，包括一上基板、一下基板；一液晶層，填充在上下基板之間；所述上基板表面形成有共通電極，共通電極上形成有狹縫或凸起；所述下基板的顯示區(qū)域包含有多個(gè)子像素區(qū)域，子像素內(nèi)設(shè)置有像素電極，像素電極上形成有狹縫或凸起；其中所述子像素分成具有一定面積比的至少兩個(gè)區(qū)域，且至少有兩個(gè)區(qū)域的共通電極和像素電極之間的間隙互不相同。
文檔編號(hào)G02F1/139GK101089692SQ200710043459
公開日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2007年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月5日
發(fā)明者馬驥, 曹文一 申請(qǐng)人:上海廣電光電子有限公司