專利名稱：：一種全折射浸液式投影光學系統(tǒng)、裝置及其應用的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種投影光學系統(tǒng)，特別涉及一種用于半導體領域的浸液式光刻裝置的全折射投影光學系統(tǒng)、裝置及其應用。
背景技術：
：光刻投影物鏡用于制造半導體器件以及其它精密結構元件，已經(jīng)有數(shù)十年的歷史。它主要用于半導體前道光刻工藝，通過投影光學系統(tǒng)把掩模上的圖案投影成像在涂有光敏物質的襯底上。隨著半導體器件集成度的提高，對投影光學系統(tǒng)分辨率的要求不斷提高。一般主要有三種途徑提高投影光學系統(tǒng)分辨率，第一是提高投影光學系統(tǒng)的像方數(shù)值孔徑(NA);第二是采用波長更短的紫外光源；最后還可以采用其它手段提高光刻分辨率，比如相移掩模(PSM)技術、光學臨近效應校正(OPC)、光瞳濾波技術、部分相干照明和離軸照明等?？墒?，投影物鏡數(shù)值孔徑增大是相當困難的，這是因為隨著數(shù)值孔徑的增加，物鏡最大直徑急劇增加，將使投影物鏡設計、加工十分復雜，費用十分昂貴，必然導致使用更多的鏡片數(shù)量或引入非球面鏡來校正投影物鏡的像差。按照ITRS(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors,國際半導體4支術發(fā)展路線圖)的建議，65nm結點可以由NA為0.93的干式投影物鏡實現(xiàn)，而到45nm結點、32nm結點，則需要采用NA>1的浸液4殳影物4竟實現(xiàn)。在投影光學系統(tǒng)最后一個光學表面和像面之間充滿一種高折射率的液體介質，就能夠賦予光刻投影物鏡以更高的數(shù)值孔徑，高數(shù)值孔徑光學系統(tǒng)可以提升光刻分辨率。理論表明，當空氣作為投影成像的像方工作介質時，理論上數(shù)值孔徑NA最高可以達到1.0，然而當使用折射率n大于1的液體作為像方工作介質時，數(shù)值孔徑NA就能夠大于1.0，理論上NA最高可以達到液體折射率n的數(shù)值。這種技術就稱為浸液光刻技術，應用于此領域的投影光學系統(tǒng)就稱為浸液投影光學系統(tǒng)。采用浸液光刻技術是在不改變已有的光源技術、光學材料、鍍膜技術等條件下，通過縮短有效工作波長來提高分辨率的。由于引入液體介質，有效工作波長為，其中A。為光源的真空波長，"為液體介質的折射率。由此，浸液光學系統(tǒng)分辨率CD和焦深DOF分別為CD=&J，DOF=±A:2,則0沼o2其中A^。為像方數(shù)值孔徑，&、A^為依賴工藝條件的2個常數(shù)。更為重要的是，已經(jīng)有很好的液體介質，比如在波長193nm有很高透射率的超純水，其折射率為1.436627。美國專利US6,891,596(公告日2005年5月10日)，其采用25塊透鏡及6-9個非球面組成的折射式浸液投影光學系統(tǒng)，實現(xiàn)成像系統(tǒng)基本參數(shù)為像方視場為22mm、物方工作距為22mm、像方工作距為8.44mm10.366mm或50jim、數(shù)值孔徑為0.91.1,成像質量RMS波像差為0.91.3nrn。但是該專利存在以下問題透鏡以及非球面數(shù)量較多，像方視場較小、物方工作距較?。晃锓焦ぷ骶鄻O大地限制掩模的空間，為掩模的運動定位設計、傳輸結構設計等帶來很大的困難；像方工作距或者過大或者過小，增加液體介質的控制難度。另一美國專利US6，844,919(公告日2005年1月18日)。其采用31塊透鏡及8個非球面組成的折射式浸液投影光學系統(tǒng)，實現(xiàn)成像系統(tǒng)基本參數(shù)為像方^見場為23.2mm、物方工作距為31.66mm、像方工作距為0.5mm、數(shù)值孔徑為0.89。關于成像質量，該專利僅提供了光線像差曲線，沒有提供波像差的具體數(shù)據(jù)，而且非球面和透鏡的數(shù)量較多、像方視場、物方工作距、數(shù)值孔徑均偏小。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種全折射浸液式投影卑學系統(tǒng)，在獲得大數(shù)值孔徑的前提下，同時保證相對較大的物方工作距和良好的成像質量，像方工作距采用適合液體介質的比較薄的尺寸。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，從物面沿其光軸方向包括四個鏡組，第一鏡組和第三鏡組具有負光焦度，第二鏡組和第四鏡組具有正光焦度，孔徑光闌位置設置于第三鏡組和第四鏡組之間，在第一鏡組的最靠近物面透鏡的入射表面和在第四鏡組的襲靠近像面透鏡的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氮氣，在第四鏡組的最靠近像面透鏡的出射表面和像面之間充滿一種高折射率的液體介質。所述的第一鏡組包括第一到第六透鏡，其中第一透鏡是平凸正透鏡且靠近物面的一面為平面，第二透4竟是雙凹負透^:,第三透4竟是雙凹負透鏡，第四透鏡是凸面朝向物面一側的彎月正透鏡，第五透鏡是凸面朝向物面一側的彎月負透鏡，第六透鏡是凹面朝向物面一側的彎月負透鏡。所述的第二鏡組包括第七到第十二透鏡，其中第七到第九透鏡是凹面朝向物面一側的彎月正透鏡，第十和第十一透鏡是凸面朝向物面一側的彎月正透鏡，第十二透鏡是凸面朝向物面一側的彎月負透鏡。所述的第三鏡組包括第十三到第十七透鏡，第十三和第十四透鏡是雙凹負透鏡，第十五和第十六透鏡是凹面朝向物面一側的彎月正透鏡，第十七透鏡是雙凸正透鏡。所述的第四鏡組包括第十八到第二十三透鏡，其中第十八透鏡是凹面朝向像面一側的彎月負透鏡，第十九透鏡是雙凸正透鏡，第二十到第二十二透鏡是凹面朝向像面一側的彎月正透鏡，第二十三透鏡是平面朝向像面一側的平凸正透鏡。所述的第一、第二、第十三、第十四、第十七透鏡和第十八透鏡的出射面為非球面。所述的第二十三透鏡和像面之間為液體介質，其折射率大于1.3，可以選用純水。所述^L影光學系統(tǒng)的工作波長為193nm,所有透鏡的材料為熔石英或者所述投影光學系統(tǒng)的工作波長為157nm,所有透鏡的材料為氟化釣。本發(fā)明的另一方案在于提供一種用于光刻領域的投影曝光裝置，所述裝置包括一個投影光學系統(tǒng)，用于將置于所述光學系統(tǒng)物平面內的圖形成像到所述光學系統(tǒng)像平面內，其中，所述投影光學系統(tǒng)是全折射式投影光學系統(tǒng)，所述全折射式投影光學系統(tǒng)從物面一側順次包括第一雄組和第三鏡組具有負光焦度，第二鏡組和第四鏡組具有正光焦度，孔徑光闌位置設置于第三鏡組和第四鏡組之間，在第一鏡組的最靠近物面透鏡的入射表面和在第四鏡組的最靠近像面透鏡的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氣體介質，在第四鏡組的最靠近像面透鏡的出射表面和像面之間充滿一種高折射率的液體介質。本發(fā)明還提供一種制作半導體器件或其它精密結構器件的方法，所述方法是將掩模版上的預制圖形，用紫外波段光照明后將預制圖形通過投影光學系統(tǒng)投影成像在涂有光敏物質的襯底上，所述村底放置在投影物鏡的像平面上，其中，所述投影光學系統(tǒng)是全折射式投影光學系統(tǒng)，所述全折射式投影光學系統(tǒng)從物面一側順次包括第一鏡組和第三鏡組具有負光焦度，第二鏡組和第四鏡組具有正光焦度，孔徑光闌位置設置于第三鏡組和第四鏡組之間，在第一鏡組的最靠近物面透鏡的入射表面和在第四鏡組的最靠近像面透鏡的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氣體介質，在第四鏡組的最靠近像面透鏡的出射表面和涂有光敏物質的襯底之間充滿一種高折射率的液體介質。本發(fā)明由于采用了上述的技術方案，使之與現(xiàn)有技術相比，具有以下的優(yōu)點和積^f及效果1.本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，數(shù)值孔徑大，系統(tǒng)的光學分辨率高，成像質量良好，可以用于關鍵尺寸100nm以下的半導體制造工藝；2.本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，像方工作距較小，適合液體介質的控制；3.本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，釆用的透鏡和非球面數(shù)量較少，可以有效地降低制造成本。本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的具體結構由以下的實施例及附圖給出。圖1為本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的結構及光路示意圖；圖2為本發(fā)明的實施例的傳遞函數(shù)MTF示意圖。具體實施例方式以下將對本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)作進一步的詳細描述。本發(fā)明提供一種全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，如圖1所示，該浸液投影光學系統(tǒng)包括23塊透鏡，從物面一側開始依次分成G1G4四個鏡組。其中，第一鏡組Gl和第三鏡組G3具有負光焦度，第二鏡組G2和第四鏡組G4具有正光焦度，孔徑光闌STOP位置設置于第三鏡組和第四鏡組之間，在第一鏡組G1的第1塊透鏡L1的入射表面和物面之間充滿空氣；在第一鏡組G1的第1塊透鏡Ll的入射表面和在第四鏡組G4的第23塊透鏡L23的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氮氣；在第四鏡組G4的第23塊透鏡L23的出射表面和像面之間充滿一種高折射率的液體介質。第一鏡組G1包括透鏡L1L6，其中透鏡L1是平凸正透鏡且靠近物面的一面為平面，可以為掩模的調焦調平提供光學參考平面，透鏡L1的出射面為非球面。透鏡L2是雙凹負透鏡，透鏡L2的出射面為非球面。透鏡L3是雙凹負透鏡。透鏡L4是凸面朝向物面一側的彎月正透鏡。透鏡L5是凸面朝向物面一側的彎月負透鏡。透鏡L6是凹面朝向物面一側的彎月負透鏡。第一鏡組G1主要貢獻是在保持物方遠心度的同時校正畸變和像散。第一鏡組Gl本身具有負光焦度，由于孔徑光闌位置的關系產(chǎn)生負畸變，用以平衡由Gl與像面之間的其余鏡組綜合產(chǎn)生的正畸變。第二鏡組G2包括透鏡L7L12，具有正光焦度，其中透鏡L7、L8、L9是凹面朝向物面一側的彎月正透M;。透4竟L10、Lll是凸面朝向物面一側的彎月正透鏡。透鏡L12是凸面朝向物面一側的彎月負透鏡。第二鏡組G2主要貢獻是校正匹茲萬(Petzval)場曲以獲得平面像場，并可以有效地平tf并校正5求差和替差。第三鏡組G3包括透鏡L13L17,具有負光焦度，其中透鏡L13、L14是雙凹負透4竟，透鏡L13、L14的出射表面是非球面。透鏡L15、L16是凹面朝向物面一側的彎月正透鏡。透鏡L17是雙凸正透鏡，其出射表面為非球面。第三鏡組G3可以有效地校正由于第二鏡組G2產(chǎn)生的正畸變和彗差，同時可以有效地與第二鏡組G2和第四鏡組G4平衡以校正匹茲萬(Petzval)場曲。第四鏡組G4包括L18L23,具有正光焦度，其中透鏡L18是凹面朝向像面一側的彎月負透鏡，其出射表面為非球面。透鏡L19是雙凸正透鏡。透鏡L20、L21、L22是凹面朝向像面一側的彎月正透鏡。透鏡L23是平面朝向像面一側的平凸正透鏡，適合浸液介質的填充。第四鏡組G4主要貢獻是在保持大像方數(shù)值孔徑的同時避免產(chǎn)生高級球差，并利用其產(chǎn)生的負畸變來平衡其余鏡組綜合產(chǎn)生的殘余正畸變。透鏡L23出射表面和像面之間充滿高折射率的液體介質，透鏡L1入射表面和透鏡L23出射表面之間各個透鏡之間充滿氮氣，均參與像差的平衡和校正。像方工作距采用適合液體介質的比較薄的尺寸，為1.5mm。物方工作距設計為50mm，可以實現(xiàn)4交大的物方工作距。本發(fā)明的浸液投影光學系統(tǒng)，其第2、4、26、28、34、37表面為非球面，其余40個透鏡表面均為球面或平面。其中非球面表面采用多項式擬合，公式如下;^)=~~,V〃22+C4*/74+C6*/z6+C8*/z8+C,。*//°+...其中，r表示表面半徑，/z表示表面上的任意點到光軸的距離，常數(shù)A:、C4、C6、C8、C10，...等是非球面系數(shù)。如表1所示，本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的實施例中采用工作波長為193.368nm(也適用于其它波長如248nm或157nm)，l象方數(shù)值孔徑為1.1,像方視場為直徑23.4094mm的圓形視場、物方工作距為50mm、像方工作距為1.5mm、放大倍率為-0.25。本發(fā)明選擇在193nm有很高透射率的超純水作為液體介質，其折射率為1.436627。表2給出了本實施例的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的每一塊透鏡的具體參數(shù)值，其中，"所屬對象"一欄指示了從物面到像面之間每一表面所對應的透鏡；"半徑"一欄給出了每一表面所對應的球面半徑；"厚度/間距"一欄給出了相鄰兩表面之間的軸向距離，如果該兩表面屬于同一透鏡，則"厚度/間距"的數(shù)值表示該透鏡的厚度，否則表示物/像面到透鏡的距離或者相鄰透鏡的間距。"光學材料/氣體介質"一欄中透鏡前表面對應的是透鏡的材料，透鏡后表面對應的是透鏡表面之間的氣體介質，"半孔徑"一欄指明了所對應表面的1/2孔徑值。以透鏡L1和L2為例，Ll的前表面1的球面半徑為le+018，即為平面，Ll的前表面1到物面的間距為50mm，其光學材料為Si02，Ll前表面1的半孔徑為60.959312mm;Ll的后表面2的球面半徑為-108.820063mm,Ll的前表面1到Ll的后表面2,即透鏡L1的中心厚度為23.159351mm,Ll的后表面2的半孔徑為61.667828mm,即Ll是平凸正透4免且平面正對物面一側，Ll的出射面2為非球面(非球面系數(shù)見表3)。L2的前表面3的球面半徑和半孔徑分別為-160.191157和60.527416，L2的前表面3到L1的后表面2的間距為4.040232mm,透鏡L2的光學材料也為Si02;L2的后表面4的球面半徑和半孔徑分別為15301.997069mm和62.304363mm，透鏡L2的中心厚度為10.000000mm，即L2是雙凹負透鏡，透鏡L2的出射面4為非球面(非球面系數(shù)見表3)。Ll和L2的光學材料均為熔石英，各透鏡之間充有氮氣。除了像面(表面Image)的半孔徑表示像方視場半徑外，其余各表面的參數(shù)值含義根據(jù)L1、L2類推。除了Gl~G4的23塊透鏡外，G3和G4之間，即透鏡L17和L18之間還設置有孔徑光闌STOP,其到透鏡L17后表面34的間距為66.796469mm,到透鏡L18的前表面36的間距為O.OOlOOOmm,其1/2孔徑尺寸的改變將影響該投影光學系統(tǒng)的成像效果。在透鏡L23的后表面和像面之間，有高折射率的液體介質——水，其厚度為1.499508mm。表3給出了本實施例中第2、4、26、28、34及37非球面表面的系數(shù)值。才艮據(jù)表3數(shù)據(jù)即可得到各非球面的表達式。圖2顯示了本實施例的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的傳遞函數(shù)MTF,反映了該全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的成像質量。當工作波長為193.4nm時，根據(jù)專業(yè)光學設計軟件CODE_V的分析計算可知視場內RMS波像差的最大值為1.0nm,可以有效獲得高成像質量，同時可以實現(xiàn)較大的像方視場尺寸。本發(fā)明的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的最高光學分辨率能達到44nm(對于占空比1:1周期性物體的半周期長度)。像方視場為直徑是23.4mm的圓形，物方工作距為50mm、像方工作距為1.5mm、數(shù)值孔徑為1.1,實現(xiàn)成4象系統(tǒng)成像質量RMS波像差為l.Ornn。利用本發(fā)明的全折射投影光學系統(tǒng)制成的全折射浸液式投影光學裝置，結合本發(fā)明提供的應用方法，可以適用于關鍵尺寸100nm以下的半導體
技術領域：
。表1本實施例的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)的典型設計數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表2本實施例的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)各透鏡的設計數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表3透鏡非球面系數(shù)數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>權利要求1、一種全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，從物面沿其光軸方向包括四個鏡組，其特征在于第一鏡組(G1)和第三鏡組(G3)具有負光焦度，第二鏡組(G2)和第四鏡組(G4)具有正光焦度，孔徑光闌位置設置于第三鏡組(G3)和第四鏡組(G4)之間，在第一鏡組(G1)的最靠近物面透鏡的入射表面和在第四鏡組(G4)的最靠近像面透鏡的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氣體介質，在第四鏡組(G4)的最靠近像面透鏡的出射表面和像面之間充滿一種高折射率的液體介質。2、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述的第一鏡組(Gl)包括第一到第六透鏡(L1L6)，其中第一透鏡(Ll)是平凸正透鏡且靠近物面的一面為平面，第二透鏡(L2)是雙凹負透鏡，第三透鏡(L3)是雙凹負透鏡，第四透鏡(L4)是凸面朝向物面一側的彎月正透鏡，第五透鏡(L5)是凸面朝向物面一側的彎月負透鏡，第六透鏡(L6)是凹面朝向物面一側的彎月負透鏡。3、如權利要求2所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述的第一和第二透鏡(L1和L2)的出射面為非球面。4、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述的第二鏡組(G2)包括第七到第十二透鏡(L7L12)，其中第七到第九透鏡(L7L9)是凹面朝向物面一側的彎月正透鏡，第十和第十一透鏡(L10和L11)是凸面朝向物面一側的彎月正透鏡，第十二透鏡(L12)是凸面朝向物面一側的彎月負透鏡。5、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述的第三鏡組(G3)包括第十三到第十七透鏡(L13L17),第十三和十四透鏡(L13和L14)是雙凹負透鏡，第十五和十六透鏡(L15和L16)是凹面朝向物面一側的彎月正透鏡，第十七透鏡(L17)是雙凸正透鏡。6、如權利要求5所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述的第十三、十四和十七透鏡(L13、L14和L17)的出射面為非球面。7、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述的第四鏡組(G4)包括第十八到第二十三透鏡(L18L23)，其中第十八透鏡(L18)是凹面朝向像面一側的彎月負透鏡，第十九透鏡(L19)是雙凸正透鏡，第二十到第二十二透鏡(L20-L22)是凹面朝向像面一側的彎月正透鏡，第二十三透鏡(L23)是平面朝向像面一側的平凸正透鏡。8、如權利要求7所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述的第十八透4免(L18)的出射面為非球面。9、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所有的光學透鏡采用一種光學材料制成。10、如權利要求9所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述投影光學系統(tǒng)的工作波長為193nm，所述的光學材料為熔石英。11、如權利要求9所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述投影光學系統(tǒng)的工作波長為157nm,所述的光學材料為氟化鈣。12、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于其像方數(shù)值孔徑NA可以大于等于1.0。13、如權利要求12所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于其像方數(shù)值孔徑NA等于1.1。'14、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于放大倍率可以為l:4或1:5。15、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述氣體介質為氮氣。16、如權利要求1所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述液體介質的折射率大于1.3。17、如權利要求16所述的全折射浸液式投影光學系統(tǒng)，其特征在于所述液體介質為純水。18、一種用于光刻領域的投影曝光裝置，所述裝皇包括一個投影光學系統(tǒng)，用于將置于所述光學系統(tǒng)物平面內的圖形成像到所述光學系統(tǒng)像平面內，其特征在于所述投影光學系統(tǒng)是全折射式投影光學系統(tǒng)，所述全折射式投影光學系統(tǒng)從物面一側順次包括:第一鏡組(Gl)和第三鏡組(G3)具有負光焦度，第二鏡組(G)和第四鏡組(G4)具有正光焦度，孔徑光闌位置設置于第三鏡組(G3)和第四鏡組(G4)之間，在第一鏡組(Gl)的最靠近物面透鏡的入射表面和在第四鏡組(G4)的最靠近像面透鏡的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氣體介質，在第四鏡組(G4)的最靠近像面透鏡的出射表面和像面之間充滿一種高折射率的液體介質。19、一種制作半導體器件或其它精密結構器件的方法，所述方法是將掩模版上的預制圖形，用紫外波段光照明后將預制圖形通過投影光學系統(tǒng)投影成像在涂有光敏物質的村底上，所述村底放置在投影物鏡的像平面上，其特征在于:所述投影光學系統(tǒng)是全折射式投影光學系統(tǒng)，所述全折射式投影光學系統(tǒng)從物面一側順次包括第一鏡組(Gl)和第三鏡組(G3)具有負光焦度，第二鏡組(G2)和第四鏡組(G4)具有正光焦度，孔徑光闌在置設置于第三鏡組(G3)和第四鏡組(G4)之間，在第一鏡組(Gl)的最靠近物面透鏡的入射表面和在第四鏡組(G4)的最靠近像面透鏡的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氣體介質，在第四鏡組(G4)的最靠近像面透鏡的出射表面和涂有光敏物質的襯底之間充滿一種高折射率的液體介質。全文摘要本發(fā)明提供了一種全折射浸液式投影光學系統(tǒng)、裝置及其應用，用于將所述光學系統(tǒng)物平面內的圖形成像到所述光學系統(tǒng)像平面內。所述投影光學系統(tǒng)沿其光軸方向包括四個鏡組，第一和第三鏡組具有負光焦度、第二和第四鏡組具有正光焦度；孔徑光闌位置設置于第三鏡組和第四鏡組之間；在最靠近像面的透鏡表面和像面之間充滿了高折射率的液體介質；且最靠近物面的透鏡的入射表面和最靠近像面透鏡的出射表面之間的各個透鏡之間充滿氣體介質。本發(fā)明不僅實現(xiàn)了大于1.0的數(shù)值孔徑、高分辨率和較好的成像質量，而且增大了物方工作距，有效地降低了制造成本。文檔編號G02B1/04GK101101449SQ200710043869公開日2008年1月9日申請日期2007年7月17日優(yōu)先權日2007年7月17日發(fā)明者蔡燕民申請人:上海微電子裝備有限公司