專利名稱：一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，尤其涉及一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的堆疊如圖1所示，有多個(gè)金屬層(101、 103、 105……) 和多個(gè)過(guò)孔層(102、 104……)交叉堆疊而成，現(xiàn)有的金屬層中，每一層的對(duì) 準(zhǔn)單元都完全一樣，即在同樣的位置，要么都是l金屬，要么都是2氧化物。 并且在現(xiàn)有的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的層疊過(guò)程中，同 一位置的不同層面不能都放置對(duì) 準(zhǔn)(alignment mark )單元，每一層對(duì)準(zhǔn)單元的位置都必須相互錯(cuò)開(kāi)。例如在本 發(fā)明實(shí)例中所舉例的現(xiàn)有的SPM(scribe-lane primary mark)光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)計(jì)規(guī) 則下，每一個(gè)金屬層中對(duì)準(zhǔn)單元其水平方向上占用的空間是800umx 80um,豎 直方向上占用的空間為80um x 800um,而在切割道(scribe-lane)上總共有10 到12組光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記疊加在一起，這樣不管在水平或者豎直方向上都要占用 8mm-9mm的寬度，這樣就占用了太多的切割道上的空間，就導(dǎo)致了沒(méi)有足夠的 空間來(lái)放置WAT ( wafer acceptance test,晶圓的電性參數(shù)測(cè)試)測(cè)試電路、RE (Reliability test,可靠性測(cè)試)測(cè)試電路等電性測(cè)試電路等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供了 一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，能大大節(jié) 省切割道上的空間。
一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，多個(gè)金屬層與過(guò)孔層交叉排列，；相鄰兩個(gè)金屬 層中，第一金屬層的對(duì)準(zhǔn)單元中是金屬的地方，在第二金屬層中變?yōu)檠趸铮?在第一金屬層中是氧化物的地方，在第二層中是金屬；每一個(gè)金屬層中的對(duì)準(zhǔn) 單元的中間部分都為氧億物。
其中上述的一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，包括第一金屬層，第二金屬層，第三金屬層，其中第一金屬層和第二金屬層之間、第二金屬層和第三金屬層之間 都為過(guò)孔層。
本發(fā)明由于在光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中采用堆疊式對(duì)準(zhǔn)單元，使之不用錯(cuò)位就能堆 疊在一起，這樣就能大大節(jié)省切割道上的空間。


圖1為現(xiàn)有的SPM(scribe-lane primary mark)光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的示意圖2為本發(fā)明堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的示意圖3為本發(fā)明堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中對(duì)準(zhǔn)單元示意圖4為本發(fā)明堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記疊加示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明如圖2所示，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記第一金屬層201、第三金屬層205和原有 的金屬層一樣，不做任何改動(dòng)，即l仍然是金屬，2仍然是氧化物，而第二金屬 層203則做出了重大的改動(dòng)，即在第一金屬層的對(duì)準(zhǔn)單元中是金屬的地方，在 第二金屬層203的對(duì)準(zhǔn)單元中是氧化物，在第一金屬層的對(duì)準(zhǔn)單元中是氧化物 的地方，在第二金屬層203的對(duì)準(zhǔn)單元中是金屬，并保證第二金屬層203中對(duì) 準(zhǔn)單元的中間部分仍然是氧化物，如圖3所示。并且202、 204仍然是過(guò)孔層， 即過(guò)孔層仍然和金屬層交叉排列。堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記一般由3個(gè)到12個(gè)金屬 層和過(guò)孔層交叉堆疊在一起，如圖2所示。
并且該堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由于相鄰的金屬層中的金屬和氧化物的位置互 換，所以不用相互錯(cuò)開(kāi)，就能夠直接堆疊在一起，這樣不但能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)準(zhǔn)的功 能而且還可以節(jié)省切割道上的空間。
下面結(jié)合一個(gè)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記做一個(gè)詳細(xì)的說(shuō) 明，如圖2所示第一金屬層201和第三金屬層205的對(duì)準(zhǔn)單元是完全相同的， 和原有的金屬層的對(duì)準(zhǔn)單元是一樣的，而第二金屬層203的對(duì)準(zhǔn)單元中，金屬 和氧化物的位置剛好與第一金屬層201、第三金屬層205的對(duì)準(zhǔn)單元中的金屬和 氧化物的位置相反，并且保證第二金屬層203的對(duì)準(zhǔn)單元的中間位置仍然是氧 化物，其中三個(gè)金屬層堆疊起來(lái)如圖4所示，301中間位置仍然保證為氧化物。并且第一金屬層201和第二金屬層203之間為過(guò)孔，第二金屬層203和第三金 屬層205之間也為過(guò)孔。
這樣的三個(gè)金屬層能夠不用錯(cuò)開(kāi)，就能直接堆疊在一起，并且能夠起到很 好的對(duì)準(zhǔn)效果。
通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)分析我們可以得出，當(dāng)三個(gè)金屬層堆疊在一起時(shí)，其對(duì)準(zhǔn) 效果會(huì)最好。
本實(shí)施例只是本發(fā)明的 一個(gè)具體實(shí)施例，為銅互連制程中的堆疊式光刻對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記應(yīng)用。本發(fā)明中金屬層和過(guò)孔層，可以是3到12層，并且過(guò)孔層和金屬 層交叉排列。在鋁互連制程中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也可以是擺放在過(guò)孔層上的，其 堆疊原理和本實(shí)施例完全相同。
本發(fā)明中所舉例原始光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也是一種具體實(shí)施例，本發(fā)明可以應(yīng)用 于各種在切割道上擺放的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
本發(fā)明所采用的堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記能大大節(jié)省切割道上的空間，就能夠 預(yù)留出更多的空間來(lái)擺放其他的測(cè)試元件。
權(quán)利要求
1、一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，由多個(gè)金屬層和過(guò)孔層交叉排列，其特征在于，相鄰的金屬層中，第一金屬層(201)的對(duì)準(zhǔn)單元中是金屬(1)的地方，在第二金屬層(203)中變?yōu)檠趸?2)，在第一金屬層(201)中是氧化物(2)的地方，在第二層(203)中是金屬(1)；每一個(gè)金屬層中的對(duì)準(zhǔn)單元的中間部分都為氧化物(2)。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于所述的光刻對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記包括第一金屬層(201 )，第二金屬層(203 ),第三金屬層(205 ),其中第 一金屬層(201)和第二金屬層(203 )之間、第二金屬層(203 )和第三金屬層(205 )之間都為過(guò)孔層。
全文摘要
一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，由多個(gè)金屬層和過(guò)孔層交叉排列而成；相鄰兩個(gè)金屬層中，第一金屬層(201)的對(duì)準(zhǔn)單元中是金屬(1)的地方，在第二金屬層(203)中變?yōu)檠趸?2)，在第一金屬層(201)中是氧化物(2)的地方，在第二層(203)中是金屬(1)；每一個(gè)金屬層的對(duì)準(zhǔn)單元的中間部分都為氧化物(2)。本光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記能大大節(jié)省切割道上的空間。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101419407SQ200710047360
公開(kāi)日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2007年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月24日
發(fā)明者楊曉松 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司