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液晶顯示裝置及其修復(fù)方法

文檔序號(hào):2727755閱讀:131來源:國知局
專利名稱:液晶顯示裝置及其修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其修復(fù)方法,特別涉及修復(fù)點(diǎn)缺陷的液晶顯示 裝置及其修復(fù)方法。
背景技術(shù)
扭曲向列(Twist Nematic, TN)型薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT-LCD) 是由陣列基板、彩色濾光片基板以及充滿于這兩塊基板之間的液晶共同形成的。 其中陣列基板包括相互平行排列的柵極掃描線和公共電極線,同時(shí)跨過交叉柵 極掃描線的數(shù)據(jù)線,在數(shù)據(jù)線的兩側(cè)分別有一與柵極掃描線同層的金屬遮光條。
在工程制造生產(chǎn)過程中,由于工藝誤差、垃圾污染等原因不可避免地會(huì)在 液晶顯示裝置中出現(xiàn)點(diǎn)缺陷。點(diǎn)缺陷一般分為亮點(diǎn)缺陷和暗點(diǎn)缺陷,在實(shí)際生 產(chǎn)中以亮點(diǎn)缺陷居多,并且人眼對(duì)亮點(diǎn)更加敏感。所以比較高的出貨級(jí)別允許 有暗點(diǎn)的存在,但是不允許有亮點(diǎn)的存在。在點(diǎn)缺陷的工程修復(fù)中通用的方法 是把亮點(diǎn)缺陷修復(fù)成暗點(diǎn)缺陷,但是暗點(diǎn)缺陷還是屬于點(diǎn)缺陷。
常用的修復(fù)單個(gè)亮點(diǎn)缺陷的方法是在晶體管區(qū)域,通過激光打點(diǎn)的方法把 晶體管的漏極和柵極打通實(shí)現(xiàn)電連接。利用柵極掃描線上非常高的正電壓或者 非常低的負(fù)電壓與位于第二基板上的公共電極形成一個(gè)很大的電壓差,使亮點(diǎn) 缺陷所在的子像素實(shí)現(xiàn)暗態(tài)顯示。此外,如果在顯示區(qū)域存在連續(xù)3個(gè)以及3 個(gè)以上的亮點(diǎn)缺陷或者暗點(diǎn)缺陷, 一般都會(huì)把這個(gè)顯示器判定為不合格。所以, 常用的點(diǎn)缺陷修復(fù)方法無法實(shí)現(xiàn)連續(xù)3個(gè)以及3個(gè)以上點(diǎn)缺陷的修復(fù)。
綜上所述,基于現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管液晶顯示器在點(diǎn)缺陷修復(fù)方面主要 有下面幾個(gè)問題
1. 只能對(duì)亮點(diǎn)缺陷進(jìn)行修復(fù),修復(fù)后的亮點(diǎn)缺陷變成為暗點(diǎn)缺陷;
2. 無法實(shí)現(xiàn)連續(xù)3個(gè)以及3個(gè)以上點(diǎn)缺陷的修復(fù)。因?yàn)椴捎脗鹘y(tǒng)的方法,把 連續(xù)3個(gè)以及3個(gè)以上的亮點(diǎn)缺陷修改成暗點(diǎn)缺陷后,產(chǎn)品還是會(huì)被判定為不3.無法對(duì)顯示區(qū)域內(nèi)分散的大量點(diǎn)缺陷實(shí)現(xiàn)符合規(guī)格要求的修復(fù)效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種液晶顯示裝置及其修復(fù)方法,通過該液晶 顯示裝置及其修復(fù)方法將為點(diǎn)缺陷的修復(fù)成可以正常顯示的顯示單元。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置,其包括一像素電極,一 位于像素電極兩側(cè)用于防止漏光的遮光條,與像素電極對(duì)應(yīng)連接的晶體管,其 中,位于遮光條兩側(cè)還設(shè)置有與遮光條連接的金屬連接線,沿著遮光條相對(duì)的 方向形成凸起條。
本發(fā)明的另一技術(shù)方案是提供一種液晶顯示裝置修復(fù)方法,該液晶顯示裝 置包括一像素電極, 一位于像素電極兩側(cè)用于防止漏光的遮光條,與像素電極 對(duì)應(yīng)連接的晶體管,其中,位于遮光條兩側(cè)還設(shè)置有與遮光條連接的金屬連接 線,沿著遮光條相對(duì)的方向形成凸起條,其包括以下步驟當(dāng)液晶顯示裝置的 顯示單元為點(diǎn)缺陷時(shí),在顯示單元中的一凸起條進(jìn)行激光打點(diǎn),在該凸起條相 鄰側(cè)的顯示單元中的凸起條進(jìn)行激光打點(diǎn)。
本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案,使之與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下的優(yōu)
點(diǎn)和積極效果
1. 既可以修復(fù)亮點(diǎn)缺陷,也可以修復(fù)暗點(diǎn)缺陷,把點(diǎn)缺陷修復(fù)成可以正常
顯示的顯示單元;
2. 能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)3個(gè)以及3個(gè)以上點(diǎn)缺陷的修復(fù),增強(qiáng)液晶顯示裝置的顯 示品質(zhì),提升產(chǎn)品的合格率;
3. 實(shí)現(xiàn)顯示區(qū)內(nèi)大量點(diǎn)缺陷的修復(fù)。 一般,如果在顯示區(qū)內(nèi)存在5個(gè)分散 的點(diǎn)缺陷,也會(huì)被一些用戶判定為不合格。而采用本發(fā)明提供的液晶顯示裝置 的修復(fù)方法可以把這些分散的點(diǎn)缺陷都修復(fù)好。


圖1為本發(fā)明液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2為沿圖1中A-A'方向的剖視圖; 圖3為采用本發(fā)明的修復(fù)方法第一實(shí)施例示意圖; 圖4為采用本發(fā)明的修復(fù)方法第二實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的液晶顯示裝置及其修復(fù)方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖1為本發(fā)明液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,本發(fā)明的液晶顯示 裝置包括一陣列基板,該陣列基板上具有平行排列的數(shù)據(jù)線Dl、 D2,與數(shù)據(jù)線 Dl、 D2垂直排列的柵電極掃描線GS、公共電極線C0M,數(shù)據(jù)線D1、 D2、柵電極 掃描線GS、公共電極線C0M圍成一顯示單元,該顯示單元內(nèi)包括一像素電極PX1, 像素電極PX1通過一晶體管Tl與柵電極掃描線GS和數(shù)據(jù)線Dl連接,該像素電 極PX1的周邊設(shè)置有防止漏光的兩金屬遮光條Lll,位于金屬遮光條Lll兩側(cè)且 與金屬遮光條Lll連接的金屬連接線L12、 L13,遮光條Lll通過同層金屬連接 線L12、 L13分別與旁邊兩側(cè)的子像素內(nèi)的金屬遮光條實(shí)現(xiàn)電連接。沿著兩金屬 遮光條L11相對(duì)的方向形成激光打點(diǎn)用的凸起條L14、 L15,凸起條L14、 L15與 晶體管的漏極Tdl有部分重疊區(qū)域,在需要進(jìn)行點(diǎn)缺陷修復(fù)的時(shí)候就在這個(gè)重 疊區(qū)域?qū)嵤┘す獯螯c(diǎn)處理,實(shí)現(xiàn)遮光條Lll和漏極Tdl的電連接。
圖2為沿圖1中A-A'方向的剖視圖,結(jié)合圖2具體說明本發(fā)明液晶顯示裝 置的制造過程首先使用磁控濺射方法,在透明玻璃基板GL上沉積一層厚度在 1000A至5000A的第一金屬層。第一金屬層的材料可以使用鉬、鋁、鋁鎳合金、 鉬鉤合金、鉻、或者銅等金屬,也可以使用上述幾種金屬材料薄膜的組合。用 第一金屬層掩膜板通過曝光工藝和腐蝕工藝,在玻璃基的一定區(qū)域上形成柵極 掃描線GS,公共電極線COM,遮光條Lll,連接線L12、 L13,凸起條L14、 L15
等圖案。
接著,利用化學(xué)汽相沉積的方法在完成第一金屬層圖案的陣列基板上連續(xù)沉積厚度在2000A至5000A的柵電極絕緣層薄膜GI和厚度在IOOOA至4000A的 非晶硅薄膜A-Si。柵電極絕緣層薄膜GI材料可以使用氮化硅,也可以使用氧化 硅和氮氧化硅等,用非晶硅層掩膜板通過曝光工藝和腐蝕工藝,在一定區(qū)域上 形成硅島圖案。
接著,采用和第一金屬層類似的制備方法,在陣列基板上沉積一層厚度在 1000A至5000A的第二金屬層薄膜。通過第二金屬層掩膜板在一定區(qū)域內(nèi)形成數(shù) 據(jù)線D1、、 D2,晶體管漏電極Tdl和公共電極線COM等圖案。
接著,在整個(gè)陣列基板上沉積一層厚度在500A至5000A的鈍化層PA。其材 料可以是氮化硅,也可以是氧化硅或者氮氧化硅。第一金屬層圖案的上面同時(shí) 覆蓋有柵電極絕緣層和鈍化層,第二金屬層圖案的上面只覆蓋有鈍化層。通過 鈍化層的掩膜板,利用曝光工藝和腐蝕工藝分別在第一金屬層相關(guān)圖案和第二 金屬層相關(guān)圖案上形成鈍化層過孔。
最后,在基板上沉積一層厚度在100A至3000A的透明導(dǎo)電層薄膜,其材料 主要是氧化銦錫ITO(Indium Tin Oxide)。使用透明導(dǎo)電層掩膜板,通過曝光工 藝和腐蝕工藝,形成像素電極PX1、覆蓋接觸孔的連線等圖案。像素電極PX1覆 蓋到公共電極方塊上面后,以鈍化層、柵極絕緣層和公共電極絕緣層為介質(zhì)形 成公共電極方塊和像素電極之間的存儲(chǔ)電容。
圖3為采用本發(fā)明的修復(fù)方法第一實(shí)施例示意圖。如圖3所示,另一顯示 單元也具有如圖1的顯示單元結(jié)構(gòu),該顯示單元包括數(shù)據(jù)線D2、 D3,與數(shù)據(jù)線 D2、 D3垂直排列的柵電極掃描線GS、公共電極線COM, 一像素電極PX2,像素 電極PX2通過一晶體管T2與柵電極掃描線GS和數(shù)據(jù)線D2連接,該像素電極PX2 的周邊設(shè)置有防止漏光的兩金屬遮光條L21,位于金屬遮光條L21兩側(cè)且與金屬 遮光條L21連接的金屬連接線L22、 L23,遮光條L21通過同層金屬連接線L12、 L23分別與旁邊兩側(cè)的子像素內(nèi)的金屬遮光條Lll實(shí)現(xiàn)電連接。沿著兩金屬遮光 條L21相對(duì)的方向形成激光打點(diǎn)用的凸起條L24、 L25,凸起條L24、 L25與晶體 管的漏極Td2有部分重疊區(qū)域。本發(fā)明的點(diǎn)缺陷修復(fù)方法通過把相鄰顯示單元 上的正常電壓傳輸?shù)近c(diǎn)缺陷所在的顯示單元中來實(shí)現(xiàn)點(diǎn)缺陷的修復(fù)。如圖3所示,如果左側(cè)的顯示單元為亮點(diǎn)缺陷時(shí),在相鄰顯示單元中的凸起條L14和為 點(diǎn)缺陷顯示單元的L25處進(jìn)行激光打點(diǎn)實(shí)現(xiàn)金屬遮光條Lll、 L21和漏極Tdl、 Td2的電連接,且遮光條L21通過同層金屬連接線L12、 L23分別與旁邊兩側(cè)的 子像素內(nèi)的金屬遮光條Lll實(shí)現(xiàn)電連接,這樣相鄰顯示單元中的電位就可以通 過凸起條L14、 L25和遮光條連接線L12、 L23傳輸?shù)搅咙c(diǎn)缺陷處的顯示單元上, 該亮點(diǎn)缺陷處的顯示單元即為修復(fù)。
圖4為采用本發(fā)明的修復(fù)方法第二實(shí)施例示意圖。如圖4所示,另兩個(gè)顯 示單元也具有如圖3的顯示單元結(jié)構(gòu),該兩個(gè)顯示單元包括數(shù)據(jù)線D3、 D4、 D5, 與數(shù)據(jù)線D3、 D4、 D5垂直排列的柵電極掃描線GS、公共電極線C0M,像素電極 PX3、 PX4,像素電極PX3、 PX4通過晶體管T3、 T4與柵電極掃描線GS和數(shù)據(jù)線 D2連接,像素電極PX3、 PX4的周邊設(shè)置有防止漏光的金屬遮光條L31、 L41, 位于金屬遮光條L31、L41兩側(cè)且與金屬遮光條L31、L41連接的金屬連接線L32、 L33、 L42、 L43,遮光條L31、 L41通過同層金屬連接線L32、 L33、 L42、 L43分 別與旁邊兩側(cè)的子像素內(nèi)的金屬遮光條L21、 L31實(shí)現(xiàn)電連接。沿著兩金屬遮光 條L31、 L41相對(duì)的方向形成激光打點(diǎn)用的凸起條L34、 L35、 L44、 L45,凸起條 L34、 L35、 L44、 L45與晶體管的漏極Td3、 Td4有部分重疊區(qū)域。本發(fā)明的點(diǎn)缺
陷修復(fù)方法通過把相鄰顯示單元上的正常電壓傳輸?shù)近c(diǎn)缺陷所在的顯示單元中 來實(shí)現(xiàn)點(diǎn)缺陷的修復(fù)。如圖4所示,如果具有像素電極PX2、 PX3的兩個(gè)相鄰顯 示單元為亮點(diǎn)或者暗點(diǎn)缺陷時(shí),具有像素電極PX2的顯示單元修復(fù)如圖3所述, 這里就不再詳述了。具有像素電極PX3的顯示單元修復(fù)原理與具有像素電極PX2 的顯示單元修復(fù)原理相同,在相鄰顯示單元中的凸起條L45和為點(diǎn)缺陷顯示單 元的L34處進(jìn)行激光打點(diǎn)實(shí)現(xiàn)金屬遮光條L41、 L31和漏極Td4、 Td3的電連接, 且遮光條L31通過同層金屬連接線L32、 L43分別與旁邊兩側(cè)的子像素內(nèi)的金屬 遮光條L41實(shí)現(xiàn)電連接,這樣相鄰顯示單元中的電位就可以通過凸起條L34、L45 和遮光條連接線L32、 L43傳輸?shù)搅咙c(diǎn)缺陷處的顯示單元上,該亮點(diǎn)缺陷處的顯 示單元即為修復(fù)。
如果出現(xiàn)連續(xù)三個(gè)亮點(diǎn)缺陷的顯示單元時(shí),兩邊的亮點(diǎn)缺陷的顯示單元按照如圖3的顯示單元修復(fù)方法進(jìn)行修復(fù),中間的亮點(diǎn)缺陷可以通過像素電極與 掃描線短接實(shí)現(xiàn)暗點(diǎn)處理。
本發(fā)明的液晶顯示裝置及其修復(fù)方法與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下的優(yōu)點(diǎn)和 積極效果
l.既可以修復(fù)亮點(diǎn)缺陷,也可以修復(fù)暗點(diǎn)缺陷,把點(diǎn)缺陷修復(fù)成可以正常 顯示的顯示單元;
2. 能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)3個(gè)以及3個(gè)以上點(diǎn)缺陷的修復(fù),增強(qiáng)TFT-LCD的顯示品 質(zhì),提升產(chǎn)品的合格率;
3. 實(shí)現(xiàn)顯示區(qū)內(nèi)大量點(diǎn)缺陷的修復(fù), 一般如果在顯示區(qū)內(nèi)存在5個(gè)分散的點(diǎn) 缺陷,也會(huì)被一些用戶判定為不合格,而采用本發(fā)明提供的液晶顯示裝置的修 復(fù)方法可以把這些分散的點(diǎn)缺陷都修復(fù)好。
以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不能以此來限定本發(fā)明的 范圍。任何對(duì)本發(fā)明的測量裝置作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的步驟的替換、組合、分 立,以及對(duì)本發(fā)明實(shí)施步驟作本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本 發(fā)明的揭露以及保護(hù)范圍。
8
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置,其包括一像素電極,一位于像素電極兩側(cè)用于防止漏光的遮光條,與像素電極對(duì)應(yīng)連接的晶體管,其特征在于,位于遮光條兩側(cè)還設(shè)置有與遮光條連接的金屬連接線,沿著遮光條相對(duì)的方向形成凸起條。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于,所述遮光條連接的金 屬連接線與相鄰遮光條的金屬連接線連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于,所述凸起條與晶體管 的漏極有重疊區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于,所述遮光條、金屬連 接線、凸起條由同一層金屬形成。
5. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置,其特征在于,所述金屬使用鉬、鋁、 鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、銅中的一種金屬,或者使用上述幾種金屬材料薄膜 的組合。
6. —種液晶顯示裝置的修復(fù)方法,具有如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置, 其特征在于,其包括以下步驟當(dāng)液晶顯示裝置的顯示單元為點(diǎn)缺陷時(shí),在顯 示單元中的一凸起條進(jìn)行激光打點(diǎn),在該凸起條相鄰側(cè)的顯示單元中的凸起條 進(jìn)行激光打點(diǎn)。
7. 如權(quán)利要求6所述液晶顯示裝置的修復(fù)方法,其特征在于,所述凸起條 進(jìn)行激光打點(diǎn)的步驟將凸起條連接的遮光條與晶體管的漏極進(jìn)行電性連接。
8. 如權(quán)利要求6所述液晶顯示裝置的修復(fù)方法,其特征在于,所述點(diǎn)缺陷為亮點(diǎn)缺陷。
9. 如權(quán)利要求6所述液晶顯示裝置的修復(fù)方法,其特征在于,所述點(diǎn)缺陷 為暗點(diǎn)缺陷。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及其修復(fù)方法,該液晶顯示裝置包括一像素電極,一位于像素電極兩側(cè)用于防止漏光的遮光條,與像素電極對(duì)應(yīng)連接的晶體管,其中,位于遮光條兩側(cè)還設(shè)置有與遮光條連接的金屬連接線,沿著遮光條相對(duì)的方向形成凸起條。本發(fā)明的液晶顯示裝置及其修復(fù)方法可將點(diǎn)缺陷修復(fù)成可以正常顯示的顯示單元,且能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)3個(gè)以及3個(gè)以上點(diǎn)缺陷的修復(fù),增強(qiáng)液晶顯示裝置的顯示品質(zhì),提升產(chǎn)品的合格率。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101424794SQ200710047738
公開日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2007年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月2日
發(fā)明者馬群剛 申請(qǐng)人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司
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