專利名稱：微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子器件制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于鍵合工藝的 微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的制備方法。
背景技術(shù)：
在波分復(fù)用(WDM)網(wǎng)絡(luò)中，必須將光纖中以不同波長(zhǎng)傳輸?shù)男盘?hào) 進(jìn)行復(fù)用或解復(fù)用，這就需要解復(fù)用器和光插/分復(fù)用器(OADM)。對(duì)帶 通濾波器的要求是波長(zhǎng)必須精確地與國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)標(biāo)準(zhǔn)頻率匹配， 并具有低損耗、低串?dāng)_和寬通帶。微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器同普通的光學(xué)濾波器相比具有體積小、 易集成、成本低、調(diào)諧性能好的優(yōu)點(diǎn)。但是，目前國(guó)內(nèi)外還未見制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片方法 的相關(guān)報(bào)道。發(fā)明內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題 有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué) 解復(fù)用器芯片的方法，以降低制備成本，使微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片得以廣泛推廣和應(yīng)用。(二)技術(shù)方案 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法，該方法包括 步驟101:在第一片硅襯底的正面和背面生長(zhǎng)氮化硅薄膜； 步驟102:在所述氮化硅薄膜上光刻第一版上電極圖形； 步驟103:在所述氮化硅薄膜和形成的上電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得到上電極圖形；步驟104:在所述上電極圖形上光刻第二版上電極圖形；步驟105:在厚光刻膠掩蔽下將氮化硅薄膜刻透，得到上反射鏡圖形；步驟106:在所述第一片硅襯底的背面第三版光刻出背面的腐蝕窗口圖形；步驟107:在所述腐蝕窗口圖形上涂光學(xué)光刻膠，在光學(xué)光刻膠的掩 蔽下將背面的氮化硅薄膜刻透，得到腐蝕窗口圖形；步驟108:將所述第一片硅襯底置于氫氧化鉀KOH溶液進(jìn)行腐蝕， 去除上反射鏡下的多余部分的硅襯底，得到上反射鏡結(jié)構(gòu)；步驟109:在第二片硅襯底上光刻第四版下電極圖形；步驟110:在所述第四版下電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得 到下電極圖形；步驟111:將所述第一片和第二片硅襯底迸行對(duì)準(zhǔn)鍵和，然后劃片并 悍接引線。所述步驟101包括選用厚度為480至520 u m的普通雙拋硅片作為第一片硅襯底，采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法在所述第一片硅襯底的正面和背面生長(zhǎng)厚度為1.2至1.5微米的氮化硅薄膜。所述步驟102包括在所述氮化硅薄膜上涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚 IOOO至1500nm，對(duì)光學(xué)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成上電極圖形。步驟102與步驟103之間進(jìn)一步包括將顯影后的硅片在反應(yīng)離子刻 蝕中采用氧氣去底膠，氧氣流量為55至65毫升每秒，等離子體偏壓功率 為10至15瓦特，去底膠后將硅片送入蒸發(fā)臺(tái)。步驟103中所述蒸發(fā)鉻/金薄膜采用電子束蒸發(fā)工藝進(jìn)行，先蒸發(fā)厚度 為10至12 nm的鉻薄膜，再蒸發(fā)厚度為55至65nm的金薄膜；步驟103中所述剝離得到上電極圖形包括把蒸發(fā)過鉻/金薄膜的硅片 置于丙酮器皿中，并外加超聲波去除硅片上的光刻膠及膠上的鉻/金薄膜， 得到鉻/金的上電極圖形。所述步驟104包括在所述上電極圖形上涂BP218光學(xué)光刻膠，膠厚 3至4微米，經(jīng)過曝光顯影后得到上電極圖形。所述步驟105包括在BP218光學(xué)光刻膠的掩蔽下采用干法反應(yīng)離子 刻蝕工藝將正面的氮化硅薄膜刻透，得到上反射鏡圖形。所述步驟106包括:在所述第一片硅襯底的背面涂BP218光學(xué)光刻膠， 膠厚3至4微米，經(jīng)過曝光顯影后得到背面腐蝕窗口圖形。所述步驟107包括在BP218光學(xué)光刻膠的掩蔽下采用干法反應(yīng)離子 刻蝕工藝將背面氮化硅薄膜刻透，得到腐蝕窗口圖形。所述步驟108包括將所述第一片硅襯底放入KOH腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，去除上反射鏡下的多余部分的硅襯底，得到上反射鏡結(jié)構(gòu)。所述步驟109包括:在第二片硅襯底上涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚1000 至1500nm，經(jīng)過曝光顯影后得到下電極圖形。所述步驟110包括在所述第四版下電極圖形上采用電子束蒸發(fā)工藝 先蒸發(fā)厚度為10至12nm的鉻薄膜，再蒸發(fā)厚度為55至65nm的金薄膜， 得到鉻/金薄膜；把蒸發(fā)過鉻/金薄膜的第二片硅襯底置于丙酮器皿中，并外加超聲波去 除光刻膠及膠上的鉻/金薄膜，得到上電極圖形。所述步驟lll包括在溫度為220至250°C、電壓為400至600V的 條件下將所述第一片和第二片硅襯底進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，最終使兩片硅片完全 鍵合在一起；然后按照硅片上器件圖形的分布，劃片成線列器件；并分別 在上下硅片的金膜上焊接電極引線。步驟105和步驟107中所述刻蝕氮化硅薄膜釆用干法反應(yīng)離子刻蝕工 藝進(jìn)行，工藝條件為氣體采用SF6，流量55至65毫升每秒，等離子體 偏壓功率為60至80瓦特，加磁場(chǎng)，水冷。(三)有益效果 從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果1、 本發(fā)明提供的這種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法， 由于芯片的加工制作可以批量進(jìn)行，加工成本低，所以大大降低了制備成 本，使微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片得以廣泛推廣和應(yīng)用。2、 本發(fā)明提供的這種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法，由于采用了獨(dú)特的雙片鍵合工藝，所以整體的加工難度降低了，有效地提 高了器件的成品率。3、本發(fā)明提供的這種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法， 由于光學(xué)解復(fù)用器是光纖通信系統(tǒng)中所必須的重要器件，所以具有非常廣 泛的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。


圖1為本發(fā)明提供的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法流程圖；圖2為依照本發(fā)明實(shí)施例在第一片硅襯底的正面和背面生長(zhǎng)氮化硅薄 膜的工藝流程圖；圖3為依照本發(fā)明實(shí)施例在氮化硅薄膜上光刻第一版上電極圖形的工 藝流程圖；圖4為依照本發(fā)明實(shí)施例蒸發(fā)鉻/金薄膜的工藝流程圖；圖5為依照本發(fā)明實(shí)施例對(duì)蒸發(fā)的鉻/金薄膜進(jìn)行剝離的工藝流程圖；圖6為依照本發(fā)明實(shí)施例光刻第二版上電極圖形的工藝流程圖；圖7為依照本發(fā)明實(shí)施例干法掩蔽刻蝕正面氮化硅薄膜的工藝流程圖；圖8為依照本發(fā)明實(shí)施例在硅基片背面第三版光刻腐蝕窗口圖形的工 藝流程圖；圖9為依照本發(fā)明實(shí)施例干法掩蔽刻蝕背面氮化硅薄膜的工藝流程圖；圖10為依照本發(fā)明實(shí)施例濕法腐蝕第一片硅襯底的工藝流程圖； 圖11為依照本發(fā)明實(shí)施例在第二片硅片光刻第四版下電極圖形的工 藝流程圖；圖12為依照本發(fā)明實(shí)施例在下電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄膜的工藝流程圖；圖13為依照本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行超聲剝離的工藝流程圖； 圖14為依照本發(fā)明實(shí)施例將第一片和第二片硅襯底進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)鍵和的 工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，圖1為本發(fā)明提供的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法流程圖，該方法包括以下步驟步驟101:在第一片硅襯底的正面和背面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；步驟102:在所述氮化硅薄膜上光刻第一版上電極圖形；步驟103:在所述氮化硅薄膜和形成的上電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得到上電極圖形；步驟104:在所述上電極圖形上光刻第二版上電極圖形；步驟105:在厚光刻膠掩蔽下將氮化硅薄膜刻透，得到上反射鏡圖形;步驟106:在所述第一片硅襯底的背面第三版光刻出背面的腐蝕窗口圖形；步驟107:在所述腐蝕窗口圖形上涂光學(xué)光刻膠，在光學(xué)光刻膠的掩 蔽下將背面的氮化硅薄膜刻透，得到腐蝕窗口圖形；步驟108:將所述第一片硅襯底置于氫氧化鉀KOH溶液進(jìn)行腐蝕， 去除上反射鏡下的多余部分的硅襯底，得到上反射鏡結(jié)構(gòu)； 步驟109:在第二片硅襯底上光刻第四版下電極圖形； 步驟110:在所述第四版下電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得 到下電極圖形；步驟111:將所述第一片和第二片硅襯底進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)鍵和，然后劃片并 焊接引線。上述步驟101包括選用厚度為480至520 li m的普通雙拋硅片作為 第一片硅襯底，采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法在所述第一片硅襯底的正面 和背面生長(zhǎng)厚度為1.2至1.5微米的氮化硅薄膜。上述步驟102包括在所述氮化硅薄膜上涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚 1000至1500nm，對(duì)光學(xué)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成上電極圖形。上述步驟102與步驟103之間進(jìn)一步包括將顯影后的硅片在反應(yīng)離 子刻蝕中采用氧氣去底膠，氧氣流量為55至65毫升每秒，等離子體偏壓 功率為10至15瓦特，去底膠后將硅片送入蒸發(fā)臺(tái)。上述步驟103中所述蒸發(fā)鉻/金薄膜采用電子束蒸發(fā)工藝進(jìn)行，先蒸發(fā) 厚度為10至12 nm的鉻薄膜，再蒸發(fā)厚度為55至65nm的金薄膜。上述步驟103中所述剝離得到上電極圖形包括把蒸發(fā)過鉻/金薄膜的 硅片置于丙酮器皿中，并外加超聲波去除硅片上的光刻膠及膠上的鉻/金薄 膜，得到鉻/金的上電極圖形。上述步驟104包括在所述上電極圖形上涂BP218光學(xué)光刻膠，膠厚3至4微米，經(jīng)過曝光顯影后得到上電極圖形。上述步驟105包括在BP218光學(xué)光刻膠的掩蔽下采用干法反應(yīng)離子刻蝕工藝將正面的氮化硅薄膜刻透，得到上反射鏡圖形。上述步驟106包括:在所述第一片硅襯底的背面涂BP218光學(xué)光刻膠， 膠厚3至4微米，經(jīng)過曝光顯影后得到背面腐蝕窗口圖形。上述步驟107包括在BP218光學(xué)光刻膠的掩蔽下釆用干法反應(yīng)離子 刻蝕工藝將背面氮化硅薄膜刻透，得到腐蝕窗口圖形。上述步驟108包括將所述第一片硅襯底放入KOH腐蝕液中進(jìn)行腐 蝕，去除上反射鏡下的多余部分的硅襯底，得到上反射鏡結(jié)構(gòu)。上述步驟109包括:在第二片硅襯底上涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚1000 至1500nm，經(jīng)過曝光顯影后得到下電極圖形。上述步驟110包括在所述第四版下電極圖形上采用電子束蒸發(fā)工藝 先蒸發(fā)厚度為10至12nm的鉻薄膜，再蒸發(fā)厚度為55至65nm的金薄膜， 得到鉻/金薄膜；把蒸發(fā)過鉻/金薄膜的第二片硅襯底置于丙酮器皿中，并 外加超聲波去除光刻膠及膠上的鉻/金薄膜，得到上電極圖形。上述步驟lll包括在溫度為220至250°C、電壓為400至600V的條件下將所述第一片和第二片硅襯底進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，最終使兩片硅片完全 鍵合在一起；然后按照硅片上器件圖形的分布，劃片成線列器件；并分別 在上下硅片的金膜上焊接電極引線。上述步驟105和步驟107中所述刻蝕氮化硅薄膜采用干法反應(yīng)離子刻 蝕工藝進(jìn)行，工藝條件為氣體采用SFe，流量55至65毫升每秒，等離子體偏壓功率為60至80瓦特，加磁場(chǎng)，水冷?；趫D1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法流程 圖，以下結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯 片的方法進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。 實(shí)施例現(xiàn)結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，根據(jù)以上所述的微電子機(jī)械 系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的制備方法，其操作步驟為第一步在硅基片101表面雙面生長(zhǎng)氮化硅膜102和103。 如圖2所示，圖2為依照本發(fā)明實(shí)施例在第一片硅襯底的正面和背面 生長(zhǎng)氮化硅薄膜的工藝流程圖；選用普通雙拋硅片做襯底101，襯底的厚 度為500微米，采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法在硅襯底雙面生長(zhǎng)氮化硅膜 102和103，厚度為1.2至1.5微米。 第二步光刻第一版上電極圖形104;如圖3所示，圖3為依照本發(fā)明實(shí)施例在氮化硅薄膜上光刻第一版上 電極圖形的工藝流程圖；在氮化硅102上涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚 1000-1500nm，經(jīng)過曝光顯影后得到上電極圖形104。第三步蒸發(fā)絡(luò)/金薄膜105;如圖4所示，圖4為依照本發(fā)明實(shí)施例蒸發(fā)鉻/金薄膜的工藝流程圖； 在氮化硅102上和光刻膠104上采用電子束蒸發(fā)工藝先蒸發(fā)鉻厚度10nm， 然后蒸發(fā)金厚度60nm，得到鉻/金薄膜105。第四步超聲剝離；如圖5所示，圖5為依照本發(fā)明實(shí)施例對(duì)蒸發(fā)的鉻/金薄膜進(jìn)行剝離的 工藝流程圖；把蒸發(fā)過金屬膜的基片置于丙酮器皿中，并外加超聲波去除 光刻膠104及膠上的鉻/金薄膜105，得到上電極圖形106。第五步光刻第二版上電極圖形107;如圖6所示，圖6為依照本發(fā)明實(shí)施例光刻第二版上電極圖形的工藝 流程圖；在上電極106上面涂BP218光學(xué)光刻膠，膠厚3-4微米，經(jīng)過曝 光顯影后得到上電極圖形107。第六步光刻膠掩蔽干法掩蔽刻蝕；如圖7所示，圖7為依照本發(fā)明實(shí)施例干法掩蔽刻蝕正面氮化硅薄膜 的工藝流程圖；在厚光刻膠掩蔽下采用干法反應(yīng)離子刻蝕(R正)工藝將 氮化硅刻透，得到上反射鏡圖形108。第七步硅基片背面第三版光刻腐蝕窗口圖形109如圖8所示，圖8為依照本發(fā)明實(shí)施例在硅基片背面第三版光刻腐蝕 窗口圖形的工藝流程圖；在硅片的背面BP218光學(xué)光刻膠，膠厚3-4微米， 經(jīng)過曝光顯影后得到背面腐蝕窗口圖形109。第八步光刻膠掩蔽干法掩蔽刻蝕；如圖9所示，圖9為依照本發(fā)明實(shí)施例干法掩蔽刻蝕背面氮化硅薄膜 的工藝流程圖；在厚光刻膠掩蔽下采用干法反應(yīng)離子刻蝕(RIE)工藝將 背面氮化硅刻透，得到腐蝕窗口圖形IIO。第九步濕法腐蝕；如圖IO所示，圖IO為依照本發(fā)明實(shí)施例濕法腐蝕第一片硅襯底的工 藝流程圖；將整個(gè)硅片放入KOH腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，去除上反射鏡下的多余部分的硅襯底，并得到上反射鏡結(jié)構(gòu)111。第十步在第二片硅片光刻第四版下電極圖形112;如圖11所示，圖11為依照本發(fā)明實(shí)施例在第二片硅片光刻第四版下電極圖形的工藝流程圖；在第二片硅片上涂涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚 1000-1500nm，經(jīng)過曝光顯影后得到下電極圖形112。第十一步蒸發(fā)鉻/金薄膜113;如圖12所示，圖12為依照本發(fā)明實(shí)施例在下電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄 膜的工藝流程圖；在下電極圖形112上采用電子束蒸發(fā)工藝先蒸發(fā)鉻厚度 10nm，然后蒸發(fā)金厚度50nm，得到鉻/金薄膜113。第十二步超聲剝離；如圖13所示，圖13為依照本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行超聲剝離的工藝流程圖； 把蒸發(fā)過金屬膜的基片置于丙酮器皿中，并外加超聲波去除光刻膠112及 膠上的鉻/金薄膜113，得到上電極圖形114。第十三步鍵合；如圖14所示，圖14為依照本發(fā)明實(shí)施例將第一片和第二片硅襯底進(jìn) 行對(duì)準(zhǔn)鍵和的工藝流程圖；在溫度220 25CTC、電壓400 600V的條件 下進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，最終使兩片硅片完全鍵合在一起。第十四步劃片；按照硅片上器件圖形的分布，劃片成線列器件； 第十五步焊接引線；分別在上下硅片的金膜上焊接電極引線，至此， 微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片制備完畢。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而 已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修 改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法，其特征在于，該方法包括步驟101在第一片硅襯底的正面和背面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；步驟102在所述氮化硅薄膜上光刻第一版上電極圖形；步驟103在所述氮化硅薄膜和形成的上電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得到上電極圖形；步驟104在所述上電極圖形上光刻第二版上電極圖形；步驟105在厚光刻膠掩蔽下將氮化硅薄膜刻透，得到上反射鏡圖形；步驟106在所述第一片硅襯底的背面第三版光刻出背面的腐蝕窗口圖形；步驟107在所述腐蝕窗口圖形上涂光學(xué)光刻膠，在光學(xué)光刻膠的掩蔽下將背面的氮化硅薄膜刻透，得到腐蝕窗口圖形；步驟108將所述第一片硅襯底置于氫氧化鉀KOH溶液進(jìn)行腐蝕，去除上反射鏡下的多余部分的硅襯底，得到上反射鏡結(jié)構(gòu)；步驟109在第二片硅襯底上光刻第四版下電極圖形；步驟110在所述第四版下電極圖形上蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得到下電極圖形；步驟111將所述第一片和第二片硅襯底進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)鍵和，然后劃片并焊接引線。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法，其特征在于，所述步驟101包括選用厚度為480至520U m的普通雙拋硅片作為第一片硅襯底，采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法在所述第一片硅襯底的正面和背面生長(zhǎng)厚度為1.2至1.5微米的氮化硅薄膜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟102包括在所述氮化硅薄膜上涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚1000至1500nm，對(duì) 光學(xué)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成上電極圖形。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，步驟102與步驟103之間進(jìn)一步包括將顯影后的硅片在反應(yīng)離子刻蝕中采用氧氣去底膠，氧氣流量為55 至65毫升每秒，等離子體偏壓功率為10至15瓦特，去底膠后將硅片送 入蒸發(fā)臺(tái)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，步驟103中所述蒸發(fā)絡(luò)/金薄膜采用電子束蒸發(fā)工藝進(jìn)行，先蒸發(fā)厚度 為10至12 nm的鉻薄膜，再蒸發(fā)厚度為55至65nm的金薄膜；步驟103中所述剝離得到上電極圖形包括把蒸發(fā)過鉻/金薄膜的硅片 置于丙酮器皿中，并外加超聲波去除硅片上的光刻膠及膠上的鉻/金薄膜， 得到鉻/金的上電極圖形。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟104包括在所述上電極圖形上涂BP218光學(xué)光刻膠，膠厚3至4微米，經(jīng)過曝光顯影后得到上電極圖形。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法，其特征在于，所述步驟105包括在BP218光學(xué)光刻膠的掩蔽下采用干法反應(yīng)離子刻蝕工藝將正面的 氮化硅薄膜刻透，得到上反射鏡圖形。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟106包括在所述第一片硅襯底的背面涂BP218光學(xué)光刻膠，膠厚3至4微米， 經(jīng)過曝光顯影后得到背面腐蝕窗口圖形。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟107包括在BP218光學(xué)光刻膠的掩蔽下釆用干法反應(yīng)離子刻蝕工藝將背面氮 化硅薄膜刻透，得到腐蝕窗口圖形。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟108包括將所述第一片硅襯底放入KOH腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，去除上反射鏡下 的多余部分的硅襯底，得到上反射鏡結(jié)構(gòu)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟109包括在第二片硅襯底上涂S9912光學(xué)光刻膠，膠厚IOOO至1500nm，經(jīng)過 曝光顯影后得到下電極圖形。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟110包括在所述第四版下電極圖形上采用電子束蒸發(fā)工藝先蒸發(fā)厚度為10至12nm的鉻薄膜，再蒸發(fā)厚度為55至65nm的金薄膜，得到鉻/金薄膜；把蒸發(fā)過鉻/金薄膜的第二片硅襯底置于丙酮器皿中，并外加超聲波去 除光刻膠及膠上的鉻/金薄膜，得到上電極圖形。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，所述步驟lll包括在溫度為220至25(TC、電壓為400至600V的條件下將所述第一片 和第二片硅襯底進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，最終使兩片硅片完全鍵合在一起；然后按 照硅片上器件圖形的分布，劃片成線列器件；并分別在上下硅片的金膜上 焊接電極引線。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的 方法，其特征在于，步驟105和步驟107中所述刻蝕氮化硅薄膜釆用干法 反應(yīng)離子刻蝕工藝進(jìn)行，工藝條件為氣體采用SF6，流量55至65毫升 每秒，等離子體偏壓功率為60至80瓦特，加磁場(chǎng)，水冷。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法，包括在第一片硅襯底的正面和背面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；光刻第一版上電極圖形；蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得到上電極圖形；光刻第二版上電極圖形；將氮化硅薄膜刻透；在第一片硅襯底的背面第三版光刻出背面的腐蝕窗口圖形；在腐蝕窗口圖形上涂光學(xué)光刻膠，將背面氮化硅薄膜刻透；將第一片硅襯底置于氫氧化鉀溶液進(jìn)行腐蝕，去除上反射鏡下的多余部分的硅襯底；在第二片硅襯底上光刻第四版下電極圖形；蒸發(fā)鉻/金薄膜，超聲剝離后得到下電極圖形；將第一片和第二片硅襯底進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)鍵和，劃片并焊接引線。利用本發(fā)明，降低了制備成本，使微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片得以廣泛推廣和應(yīng)用。
文檔編號(hào)G02B6/136GK101276020SQ20071006486
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2007年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月28日
發(fā)明者輝 劉, 孫雨南, 芳 崔, 毅 歐, 董立軍, 陳大鵬, 韓勁東 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所