專利名稱：硅片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅片上曝光時用來對準(zhǔn)的標(biāo)記。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制造過程中，曝光是將特定圖形制備在硅片上必需的一 個步驟。而在曝光過程中，需要先對硅片上的前層(即前面的一個光刻層) 做對準(zhǔn)。目前有多種曝光對準(zhǔn)的方法，其中一種是通過尋找和識別放置在
硅片上切割道(scribe line)里的標(biāo)記來實現(xiàn)的(如用Nikon光刻機臺)。 在作精確對準(zhǔn)之前，通常有一步相對粗略的對準(zhǔn)步驟，叫搜索對準(zhǔn)(search alignment),這一步對準(zhǔn)是很關(guān)鍵的步驟，因為其是在對硅片做最粗對準(zhǔn) 后相對精確的對準(zhǔn)步驟，其能為后面更精確的對準(zhǔn)提供比較準(zhǔn)確的坐標(biāo)。
搜索對準(zhǔn)中使用的對準(zhǔn)標(biāo)記是平行于硅片上切割道的三根線。具體在 硅片中為通過在硅片上刻蝕制備的三條平行于硅片上切割道的突起線或 溝槽線(見圖1)。當(dāng)對硅片做搜索對準(zhǔn)時，傳感器收集到這三根線的信 號，然后對照曝光程式里的設(shè)置，尋找到標(biāo)記的中心，對硅片的位置做進 一步修正，以便進行下一步更精確的對準(zhǔn)。
但是當(dāng)切割道越來越窄的時候，這種對準(zhǔn)方法會遇到比較大的問題。 就是三根線之間的距離會越來越近，即圖1中的a、 b、 c和d的值會越來 越小，而且最靠近硅片切割道的兩根線還必須和硅片分割線邊緣保持一定 距離，因此傳感器探測到的標(biāo)記信號會很微弱，而且三根線的信號難以區(qū)分，所以當(dāng)切割道越來越窄的時候，這種搜索對準(zhǔn)的方式出錯的概率會比 較高，影響生產(chǎn)的正常進行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種硅片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，其能有 效避免因切割道越來越窄引起的搜索對準(zhǔn)出錯概率變高的問題。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的硅片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，用于曝光前 的搜索對準(zhǔn)步驟中，包括線狀突起或溝槽，線狀突起或溝槽是垂直于切割 道排列的。
本發(fā)明的硅片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，一方面標(biāo)記線之間的間距可以設(shè)置 比較大，而不會因為切割道的縮小而比較擁擠，導(dǎo)致標(biāo)記信號比較弱不好 識別分辨，另一方面標(biāo)記線在長度方向上可以一直延伸到切割道的邊緣， 而不用象傳統(tǒng)標(biāo)記中的那樣必須與切割道邊緣有一定距離，所以長度仍然 足夠長，不至于造成信號的減弱，故有效地減少了硅片曝光對準(zhǔn)中發(fā)生錯 誤的幾率。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明 圖1為現(xiàn)有的搜索對準(zhǔn)標(biāo)記示意圖； 圖2為本發(fā)明的搜索對準(zhǔn)標(biāo)記示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的硅片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，將傳統(tǒng)的平行于切割道放置的搜索 標(biāo)記(即線狀突起或溝槽)改成垂直于切割道方向放置。圖2為本發(fā)明的 一個具體實施例子，其中三條平行排列的線狀突起或溝槽垂直與切割道放置。圖中直線表示標(biāo)記為一整條突起或溝槽，而虛線表示標(biāo)記是由多個小 段的突起或溝槽組成的。這樣的設(shè)置， 一方面搜索標(biāo)記線之間的間距可以 設(shè)置比較大，而不因為切割道寬度的縮小而導(dǎo)致搜索標(biāo)記線只能更短，導(dǎo)
致信號比較弱而且不利于分辨識別;另一方面搜索標(biāo)記線的長度方向可以 一直延伸到切割道邊緣，不需要象傳統(tǒng)使用的那樣必須與切割到邊緣有一 定距離，所以長度仍然足夠長，使得傳感器能清楚的探測到搜索標(biāo)記線。 故本發(fā)明的硅片曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，在切割道之間的間距不斷縮小的情況下， 仍然可以有良好的信號及被識別能力，能有效地減小硅片曝光搜索對準(zhǔn)中 的發(fā)生錯誤的幾率。
權(quán)利要求
1、一種硅片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，用于曝光前的搜索對準(zhǔn)步驟中，所述曝光對準(zhǔn)標(biāo)記包括線狀突起或溝槽，其特征在于所述線狀突起或溝槽垂直于切割道排列。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種硅片上的曝光對準(zhǔn)標(biāo)記，用于曝光前的搜索對準(zhǔn)步驟中，包括線狀突起或溝槽，其明顯特征是垂直于硅片切割道方向放置。本發(fā)明的對準(zhǔn)標(biāo)記一方面標(biāo)記線之間的間距可以設(shè)置比較大，另一方面標(biāo)記線在長度方向上可以一直延伸到切割道的邊緣，有效地減少了當(dāng)硅片切割道縮小時硅片曝光對準(zhǔn)中發(fā)生錯誤的幾率。
文檔編號G03F7/20GK101446766SQ20071009428
公開日2009年6月3日 申請日期2007年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者濤 熊, 嘯 羅, 瑜 陳, 陳華倫, 陳雄斌 申請人:上海華虹Nec電子有限公司