專利名稱：：圖像形成裝置以及圖像形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及小型高速的圖像形成裝置以及圖像形成方法。
背景技術(shù)：
：近年，對于以1200dpi以上的高圖像質(zhì)量為前提的圖像形成裝置，有2大課題。一個是高速化，另一個是小型化的問題。關(guān)于前一個問題，為了提高圖像形成裝置的生產(chǎn)性，關(guān)鍵在于提高打印速度。在單色機(jī)中，一般說來，是通過提高靜電潛影承載體(以下，也稱為電子照相感光體、感光體或光導(dǎo)電性絕緣體)的線速度以及感光體的大口徑化來加以解決的。對于全色機(jī)，有兩個方向，一個是串聯(lián)化(使用復(fù)數(shù)個的圖像形成單元)；另外一個與單色機(jī)同樣，通過使感光體高速化以及大型化來加以對應(yīng)。這里所說的圖形形成單元是指具有感光體、充電部件、寫入部件、顯影部件的圖像形成所需的最低的結(jié)構(gòu)組成。其他的轉(zhuǎn)印部件以及定影部件雖然也是必要的，但是，它們不需要復(fù)數(shù)個，只要共同的一個就可以了。關(guān)于后一個問題，在單色機(jī)或單鼓全色機(jī)中，基本上只存在一個圖像形成單元，所以圖像形成裝置的整體的大小一般取決于感光體的直徑。這是因為在進(jìn)行圖像形成單元的設(shè)計時，一般是圍繞感光體為中心，配置部件。一般說來，如果感光體的口徑大，其周圍的部件也會變大。由此，有關(guān)小型化的要求，并非太困難。但是，串聯(lián)式的全色機(jī)的場合，是將復(fù)數(shù)個的圖像形成單元(一般為4個)進(jìn)行并列配置。所以，其尺寸再小也是有限度的。一般使用宜使用外徑為40mm以下的感光體。通常，打印的速度與感光體的直徑成正比，感光體的直徑越小，打印的速度越低。為了克服這一問題，盡可能地提供感光體的線速度，以提高打印速度。但是，在現(xiàn)今的圖像形成裝置中，帶電工序以及寫入工序?qū)D像形成裝置的整體速度起決定作用，因此,小型(感光體直徑在40mm以下)、高速(50張/分鐘以上)以及高析像度(1200dpi)的圖像形成裝置的設(shè)計是困難的。在帶電工序，為了高速化，有必要提高充電能力。在使感光體的直徑變小的場合，帶電部件有感光體正面相對的距離的寬度(稱作帶電縫隙)就會變得很窄。如果增加至今所使用的以柵極電暈帶電器為代表的電線式充電部件向感光體表面發(fā)射的電暈的量，使用了增加電線的條數(shù)的方法是可能的,但是，如果，電線間的距離太近，就會產(chǎn)生相互干擾的情況，并且會增大電力消費。另外,為了使帶電安定，有必要具有柵極，但是，其大小會決定帶電縫隙的寬度。一般說來,柵極是由導(dǎo)電性金屬板構(gòu)成，并被配置在感光體的切線方向上。由此，在感光體的直徑小的場合，從柵極的中心與兩端到感光體的表面的距離由很大的差異，實質(zhì)上的縫隙的寬度會變得狹窄(兩端的帶電變得不安定)。為了解決這一問題，可以使用與感光體的曲率相符的非平板柵極。但是，為了配置這一裝置，會使裝置變得復(fù)雜，并且由于感光體的直徑的小型化，配置帶電部件的空間變的很小，因此，這一方法并不現(xiàn)實。另一種方法是使用棍型的帶電部件。這種棍型的帶電部件是以與感光體相接觸，或者使該棍型的帶電部件與感光體隔一個50瞧的間隙相對的形式而加以配置的。一般說來，使兩者的表面等速旋轉(zhuǎn)，并在棍上施加偏壓，從而棍向感光體放電，從而使感光體的表面帶電。在此場合，可以在容許的范圍內(nèi)使棍的直徑變小，從而達(dá)成帶電部件的小型化。棍的直徑越小，可以帶電的范圍(大約為感光體與棍的表面以50-100um離開的范圍，被稱作帶電間隙)變小，帶電能力變低。但是，這并不是像前述的柵極電暈帶電裝置那樣的低，并且，向棍施加的偏壓不僅僅是直流(DC)，而是將交流成分疊加在其上，以此，可以使帶電能力得到飛躍性地提高。通過使用這樣的技術(shù)，帶電序己經(jīng)不再是圖像形成過程的瓶頸。但是，為了獲得帶電能，而疊加交流，會使感光體的表面受傷，從而縮短感光體的耐久性(壽命)的問題。另一方面，關(guān)于寫入工序，直至近年作為寫入光源，都是使用的發(fā)光二極管(LED)以及激光二極管(LD)。LED是作為光源是將其以縱列形式配置在感光體的近旁。但是，其析像度是由1個元件的尺寸來決定，并依賴與元件的間距，由此，在現(xiàn)在已經(jīng)很難說其作為1200dpi以上的光源是最為合適的。另一方面,在使用LD的場合，是由多棱反射鏡在感光體的縱向掃描而進(jìn)行寫入的。如使感光體的直徑變小，從與打印速度的關(guān)系來看，感光體的線速度就會變大，由此多棱鏡的轉(zhuǎn)速也就會變大。但是，多棱鏡的轉(zhuǎn)速的上限為4萬轉(zhuǎn)/分，由此，用單光束的寫入速度也就有了限制。由此，作為這種問題的對氣也就開始了使用復(fù)數(shù)的光束。即，使用從復(fù)數(shù)的LD光源進(jìn)行光束照射的方式以及將復(fù)數(shù)的LD配置于一個陣列的方式等的多束曝光技術(shù)。作為最近的多束曝光手段，有使用3個或3個以上的面發(fā)光激光的技術(shù)以及進(jìn)一步將激光進(jìn)行2維配置發(fā)光的技術(shù)。由于這些技術(shù)的應(yīng)用，使以1200dpi以上的析像度對感光體進(jìn)行的寫入成為可能。如此，通過對構(gòu)成各工序(圖像形成單元)的部件的改良或新技術(shù)的應(yīng)用，使小型(感光體直徑40nira以下)、高速(50張/分以上)以及高析像度(1200dpi以上)的實現(xiàn)成為可能。另一方面,如使用上述的技術(shù)來同時使小型化與高速化實現(xiàn)的話，在進(jìn)行工序設(shè)計時，感光體的線速、感光體周圍的部件的尺寸中那一個是制約因素并不是太明確，對應(yīng)于制約因素的感光體技術(shù)就更不得而知了。本發(fā)明的目的就是解決上述的問題。即本發(fā)明的目的就是提供一種在小型化的圖像形成裝置中能夠高速地形成高質(zhì)量地圖像的圖像形成裝置以及圖像形成方法。此外，本發(fā)明還提供一種即使反復(fù)使用，也能夠安定地高耐久地輸出異常圖像極少的圖像的圖像形成裝置以及圖像形成方法。本發(fā)明人對上述的小型化(感光體直徑40mm以下)、高速(50張/分以上)以及高析像度(1200dpi以上)的圖像形成過程中的制約過程進(jìn)行了各種各樣的模擬。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)在維持感光體的小直徑的同時來實行高速化的場合，雖然感光體的線速有必要變大,但是該線速根據(jù)設(shè)定的打印速度以及紙間距的不同而不同。當(dāng)然，在目標(biāo)打印速度一定的場合，紙間距越小，就可以將感光體的線速設(shè)定得越小。但是，紙間距也是有下限的，所以，感光體的線速度下限值被自動地設(shè)定。感光體的線速度影響著感光體周圍的圖像形成元件的能力以及大小。如上所述，當(dāng)充電器具有足夠有余的充電能力時，充電器可以變小以及感光體周圍可以具有額外的空間。由此，例如除電器以及曝光器就能更為有利地加以配置。當(dāng)感光體在除電后不具有充分的電位衰減時，除電以及充電的間隔(距離)變大，這是因為充電器小。另外，當(dāng)感光體曝光后不具有充分的電位衰減時,曝光器就能處于充電器附近以及曝光以及顯影之間的間隔(距離)就可以變大。在小型化的圖像形成裝置(感光體的直徑不大于40mm)中，以高速(不小于50張/分)生成高析像度圖像(不小于1，200dpi)時，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)從曝光到顯影的時間(以下稱為"曝光-顯影時間")極短，現(xiàn)有圖像形成裝置的曝光-顯影時間最快大約為70msec，但是，上述圖像形成裝置的曝光-顯影時間小于50msec。但是，至今沒有嘗試過在圖像形成裝置中的感光體具有這樣短的曝光-顯影時間，因此本發(fā)明評價了感光體表面電位光衰減的時間-響應(yīng)性，以求得可使用的感光體特性。作為評價感光體表面電位光衰減的時間-響應(yīng)性的方法，特開10-115944以及2001-312077公開了評價包括電荷輸送材料(CTM)或CTM以及粘結(jié)樹脂的樹脂層的F光時間(TOF)方法。該方法在可以有效地用來設(shè)計感光體的組成。但是，在裝置內(nèi)使用的感光體的電荷輸送條件是曝光后膜中的電場強度在時時刻刻的發(fā)生變化;而用TOF法得出的電荷輸送的條件是電場的強度為一定。并且,在多層型感光體的場合，由曝光而產(chǎn)生的在電荷發(fā)生層中電荷發(fā)生以及從電荷發(fā)生層向電荷輸送層電荷的注入對電荷輸送的影響在TOF法的測量值中也沒有得到不能得到反映。另外，作為直接評價感光體的響應(yīng)的方法，在特開2000-305289中公開了一種技術(shù)。該技術(shù)是用高速電位計對可見脈沖光曝光后的感光體的表面電位的變化進(jìn)行高速紀(jì)錄,從而測得到達(dá)規(guī)定的電位所要的響應(yīng)時間。該方法被稱為XT0F方法。該方法作為對彌補T0F法的不足的的評價方法可以說是有用的。但是，該方法在很多場合所使用的測定光源與電子照相裝置所使用的光源是不同，很難說該方法是一種直接測定方法。于此不同,特開2000-275872公開了一種技術(shù),是通過使用其公開的感光體特性評價裝置,可以設(shè)定感光部位(寫入光照射的部位)到達(dá)顯影裝置的規(guī)定的時間(以下，將該時間簡稱為曝光-顯影時間(TED))，把握曝光部電位(曝光部的表面電位)與從LD輸出的感光體的曝光(能量)的關(guān)系(光衰減曲線)。將以這種測定的結(jié)果列于圖2中。從圖2中的感光體的表面電位對曝光能量的關(guān)系曲線，可以看出隨曝光能量的增加電位衰減變大(表面電位變低)的領(lǐng)域與表面電位不變低的領(lǐng)域。將兩者的相接點為境界點，使用比其小的光量進(jìn)行以下的測定。如圖3所示，當(dāng)對曝光-顯影時間用特開2000-275872公開的測量儀器加以改變時，可以測量曝光部分的電位的變化。然后,如圖4所示，當(dāng)描繪出曝光-顯影時間與曝光部電位的關(guān)系曲線，則可以發(fā)現(xiàn)一曲折點。在曲折點的曝光-顯影時顯影時間在本發(fā)明中就被定義為轉(zhuǎn)換時間。由此，曝光-顯影時間、曝光部分的電壓以及轉(zhuǎn)換時間之間的關(guān)系，即電子照相感光體的表面電位光衰減的時間響應(yīng)性就可以被準(zhǔn)確地得知。轉(zhuǎn)換時間取決于在用寫入光進(jìn)行曝光之前的表面電位以及感光體的厚度，(換句話說，取決于施加于感光體的電場強度)。因此，在測定轉(zhuǎn)換時間時,就需要有與在實際中使用的感光體相同的組成以及厚度的感光體，以及使用寫入光進(jìn)行曝光之前的感光體的電位與使用感光體的圖形形成裝置中的未曝光表面電位相等?？刂聘泄怏w的轉(zhuǎn)換時間的方法將在說明感光體時詳加說明。本發(fā)明人對典型的負(fù)帶電的多層感光體的轉(zhuǎn)換時間進(jìn)行了解析,該多層感光體是在基層上以中間層、CGL、CTL的順序設(shè)置中間層、CGL以及CTL而形成的。這樣，轉(zhuǎn)換時間就反應(yīng)了在CGL中產(chǎn)生的光載體(photocarrier)的輸送特性，并且最終反應(yīng)了CTL中的空穴的輸送特性。因此，要想對轉(zhuǎn)換時間進(jìn)行有效地控制，CTL的組成就變成了關(guān)鍵。曝光-顯影時間定義為感光體上給定的任意一點從位于曝光裝置的正前方到位于顯影裝置的正前方的時間。更具體地說,如圖1所示，是在感光體沿著點線箭頭方向旋轉(zhuǎn)的場合，感光體上給定的任意一點被從位于曝光裝置的正前方的位置(A)輸送到位于顯影裝置的正前方的位置(B)的時間。位置(A)是從光源向感光體的中心照射到寫入光(束)的中心與感光體的表面的交點。位置(B)可以說是顯影間隙的中心。當(dāng)顯影套筒為一個如圖l所示的棍的形式時，位置B可以說是顯影套筒與與感光體的表面最為接近的位置。因此，曝光-顯影時間為用感光體的線速度除從位置(A)到位置(b)的圓弧的長度所得到的時間。這樣,轉(zhuǎn)換時間與曝光-顯影時間的關(guān)系就變得清楚，從而完成了本發(fā)明。在圖像形成裝置為小型(感光體的直徑不大于40mm)、高質(zhì)量(析像度不小于1200dpi)以及高速度(不低于50張/分)的場合，感光體需要在曝光-顯影時間內(nèi)完成光的衰減。當(dāng)在感光體帶電后，寫入光以激光束的形式在短時間內(nèi)向感光體進(jìn)行照射時,感光體的電位會隨著時間而衰減。該電位的衰減會在一段具體的時間內(nèi)快速進(jìn)行，但是在該段具體時間過去后，電位就會變得幾乎不再衰減。該段具體時間被認(rèn)為是轉(zhuǎn)換時間，在該轉(zhuǎn)換時間內(nèi)，在感光體內(nèi)產(chǎn)生的光載體幾乎全部穿過感光層。該時間被認(rèn)為取決于感光體內(nèi)載流子的產(chǎn)生與輸送時間。但是，還沒有明確在串連式的全色圖像形成裝置中的圖像形成過程條件與轉(zhuǎn)換時間的關(guān)系。如果，曝光裝置跟不上,感光體的曝光水平就會變低，從而會造成負(fù)-正顯影中的圖像密度變差，以及會使串聯(lián)式全色圖像形成裝置中的彩色的平衡變差。由此，寫入圖像的析像度變差。如轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間長，則在感光體的已曝光的部分到達(dá)顯影裝置時，而在感光體的感光層中產(chǎn)生的光載體還處在輸送之中。由此，(l)感光體的表面電位就不能得到充分的降低,從而得不到充分的顯影電位差，造成負(fù)-正顯影中的圖像密度變差。(2)即使假定可以得到顯影電位,在通過顯影部分后，感光體的表面電位變低，在負(fù)-正顯影中調(diào)色劑對感光體的曝光部分的附著力降低，造成析像度的降低以及在轉(zhuǎn)印時的調(diào)色劑的飛散。(3)進(jìn)一步，在感光體形成第一圖像終了后再形成第二圖像時，落后一點而形成的載流子會使第一圖像的曝光部分的電位稍微有點降低。這樣，就會使中間色調(diào)的電位各不相同，由此就會使單色圖像形成裝置中形成具有殘留圖像的不正常圖像,使在實際中生成中間色調(diào)圖像多的全色圖像形成裝置的彩色再現(xiàn)性變差。由于這些原因，就有必要使小型圖像形成裝置以高速形成高質(zhì)量的圖像。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目的是提供一種可以高速生成高質(zhì)量圖像的小型圖像形成裝置。本發(fā)明另一個目的是提供一種極少有不正常圖像(即使在反復(fù)使用后也是如此)的高耐久的具有穩(wěn)定質(zhì)量的圖像形成裝置。本發(fā)明的目的可以用以下的技術(shù)方案來達(dá)到(l).一種圖像形成裝置，包括靜電潛影承載體；充電裝置，對靜電潛影承載體進(jìn)行充電；曝光裝置，用具有圖像信息的析像度為不小于1200dpi的光對靜電潛影承載體進(jìn)行曝光，從而在該靜電潛影承載體上形成靜電潛影；顯影裝置，用調(diào)色劑對靜電潛影進(jìn)行顯影，在圖像潛影承載體上形成調(diào)色劑圖像；轉(zhuǎn)印裝置，將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到紀(jì)錄介質(zhì)上；定影裝置，將調(diào)色劑圖像固定在紀(jì)錄介質(zhì)上；其中，靜電承載體上給定的任意一點，從正對曝光裝置的位置運動到正對顯影裝置的位置的時間小于50msec,并且大于靜電潛影承載體的轉(zhuǎn)換時間。(2)上述(1)所述的圖像形成裝置，其中進(jìn)一步包括復(fù)數(shù)的靜電潛影承載體、充電器、曝光器以及顯影裝置。(3)上述(l)所述的圖像形成裝置，其中，靜電潛影承載體包括外徑為不大于40mm的圓筒狀的基底。(4)上述(l)所述的圖像形成裝置，其中，曝光器為包括復(fù)數(shù)的激光束的多光束曝光器。(5)上述(4)所述的圖像形成裝置，其中，所述多光束曝光器包括3個或3個以上的面發(fā)光激光。(6)上述(5)所述的圖像形成裝置，其中，3個或3個以上的面發(fā)光激光被排成2維陣列。(7).上述(1)所述的圖像形成裝置，其中，靜電潛影承載體包括感光層，該感光層包括電荷生成層，具有有機(jī)電荷生成物質(zhì)；電荷輸送層；其中，所述有機(jī)電荷輸送物質(zhì)為具有下式(I)的偶氮顏料其中，CPl以及Cp2各自獨立地代表具有通式(n)的耦合劑殘基:其中，R加代表氫原子、烷基或芳香基；R測，R加，R鵬，R抓以及各自獨立地代表氫原子、氮原子、氰基、鹵素原子、鹵代垸基、烷基、烷氧基、二烷基氨基以及羥基；Z代表可以形成取代的或非取代的芳環(huán)，或者可以形成取代的或非取代的芳香雜環(huán)的原子；Rm以及R2。2各自獨立地代表氫原子，鹵原子，垸基,垸氧基以及氰基。(8)上述(7)所述的圖像形成裝置，其中，CPl以及Cp2a相互不同。(9)上述(7)所述的圖像形成裝置，其中的有機(jī)電荷生成物質(zhì)是酞菁氧鈦晶體，該鈦箐氧鈦晶體具有下述的X-射線衍射光譜在27.2士0.2°的布拉格(20)角處觀察到最大峰；或者在27.2±0.2°的布拉格(29)角處觀察到最大峰，在7.3±0.2°布拉格(20)角處有最低角峰，在9.4±0.2°、9.6±0.2°和24.0±0.2°布拉格(26)角處分別有主峰，其中在7.3°(±0.2°)禾口9.4°(±0.2°)的峰之間和26.3°(±0.2°)處未觀察到峰。(10)上述(l)所述的圖像形成裝置，其中靜電潛影承載體包括處于感光層上的保護(hù)層。(11)上述(10)所述的圖像形成裝置，其中的保護(hù)層包括具有不低于101QQcm的電阻率的無機(jī)顏料。(12)上述(10)所述的圖像形成裝置，其中保護(hù)層是通過在以下的單體之間進(jìn)行交聯(lián)而形成的，這些單體為沒有電荷輸送結(jié)構(gòu)的，自由基聚合性的，具有3個或3個以上的官能基的單體；以及具有電荷輸送結(jié)構(gòu)的，自由基聚合性的，具有一個官能基的單體。(13)上述(l)所述的圖像形成裝置，其進(jìn)一步包括可以裝在圖像形成裝置之上或從其上卸下的處理合，該處理合包括靜電潛影承載體以及選自充電器、曝光器、顯影器、除電器以及清潔器的一個或一個以上的裝置。(14)一種圖像形成方法,包括；對靜電潛影承載體進(jìn)行充電；用具有圖像信息的析像度為不小于1200dpi的光對靜電潛影承載體進(jìn)行曝光，從而在該靜電潛影承載體上形成靜電潛影；用調(diào)色劑對靜電潛影進(jìn)行顯影，在圖像潛影承載體上形成調(diào)色劑圖像；將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到紀(jì)錄介質(zhì)上；將調(diào)色劑圖像固定在紀(jì)錄介質(zhì)上；其中，靜電承載體上給定的任意一點，從正對曝光裝置的位置運動到正對顯影裝置的位置的時間小于50msec，并且大于靜電潛影承載體的轉(zhuǎn)換時間。(15)上述(14)所述的圖像形成方法，進(jìn)一步包括復(fù)數(shù)的充電、曝光以及顯影過程。(16)上述(14)所述的圖像形成方法，其中靜電潛影承載體包括外徑不大于40咖的圓筒型基底。(17)上述(14)所述的圖像形成方法，其中曝光由具有復(fù)數(shù)的激光光束的曝光器來進(jìn)行。(18)上述(17)所述的圖像形成方法，其中曝光器包括3個或3個以上的面發(fā)光激光。(19)上述(18)所述的圖像形成方法，其中三個或三個以上的面發(fā)光激光被排成二維陣列。圖1是說明圖像形成裝置中曝光-顯影時間的示意圖。圖2是表明感光體的光衰減特性的圖。圖3是說明評價光衰減特性的示意圖。圖4是表明轉(zhuǎn)換時間的測量方法的曲線。圖5是說明本發(fā)明的感光體的層組成的一個實施例的截面圖。圖6是說明本發(fā)明的感光體的層組成的另一個實施例的截面圖。圖7是說明本發(fā)明的感光體的層組成的再一個實施例的截面圖。圖8是說明本發(fā)明的感光體的層組成的再一個實施例的截面圖。圖9是說明本發(fā)明的電子照相過程以及圖像形成方法的示意圖。圖IO是說明本發(fā)明的串連式全色圖像形成裝置的示意圖。圖11是說明本發(fā)明的圖像形成裝置的處理合的示意圖。圖12是在合成例1中制備的酞菁氧鈦晶體的X線衍射光譜圖圖13是在合成例1中制備的濕膏狀物干燥后得到的酞菁氧鈦晶體的X線衍射光譜圖圖14是在實施例6中使用的測試圖。具體實施例方式本發(fā)明提供一種可以高速生成高質(zhì)量圖像的小型的圖像形成裝置以及方法。本發(fā)明還提供一種可以生成高耐久以及具有穩(wěn)定的質(zhì)量的圖像形成裝置以及圖像形成方法(僅有極少得不正常圖像，即使在法反復(fù)生成圖像后也是如此)本發(fā)明的圖像形成裝置一種圖像形成裝置，包括靜電潛影承載體，充電裝置，曝光裝置，顯影裝置，轉(zhuǎn)印裝置，定影裝置，其中，靜電承載體上給定的任意一點，從正對曝光裝置的位置運動到正對顯影裝置的位置的時間小于50msec，并且大于靜電潛影承載體的轉(zhuǎn)換時間；該圖像形成裝置還可以任選地包括其他的裝置，例如清潔裝置，除電裝置，循環(huán)器以及控制器。本發(fā)明的圖像形成方法，至少包括靜電潛影承載體，充電過程，曝光過程，顯影過程，轉(zhuǎn)印過程，定影過程，其中，靜電承載體上給定的任意一點，從正對曝光裝置的位置運動到正對顯影裝置的位置的時間小于50msec，并且大于靜電潛影承載體的轉(zhuǎn)換時間；該圖像形成方法還可以任選地包括其他的過程，例如清潔過程，除電過程，循環(huán)過程以及控制過程。本發(fā)明的圖像形成方法優(yōu)選使用本發(fā)明的圖像形成裝置來進(jìn)行。具體的說，充電過程，曝光過程，顯影過程，轉(zhuǎn)印過程，定影過程，可以分別通過使用充電裝置，曝光裝置，顯影裝置，轉(zhuǎn)印裝置，定影裝置來進(jìn)行。其他的任選性過程也可以通過使用上述的任選性裝置來進(jìn)行。用于本發(fā)明的圖像形成裝置的感光體的轉(zhuǎn)換時間比圖像形成裝置中的曝光-顯影時間要短，并且優(yōu)選在具有包括CGL層以及CTL層的感光層；該CGL層以及CTL層疊置于基底上。感光體的材料，形狀，結(jié)構(gòu)以及尺寸等沒有特別的限制。感光體優(yōu)選具有導(dǎo)電性的基底。圖5-8表示了本發(fā)明的電子照相感光體的層的組成的實施例。圖5中的感光體具有導(dǎo)電性基底31，以及層疊在該基底31上的CGL35和CTL37。CGL35至少包括作為其主要成分的有機(jī)CGM。CTL37包括作為其主要成分的CTM。圖6中的感光體具有導(dǎo)電性基底31;以及層疊在該基底31上的中間層39、CGL35以及CTL37。中間層39包括金屬氧化物。CGL35至少包括作為其主要成分的有機(jī)CGM。CTL37包括作為其主要成分的CTM。圖7中的感光體與圖6中的感光體相類似，但是具有設(shè)置在CTL之上的保護(hù)層41。圖8中的感光體與圖6中的感光體相類似，但是中間層39具有電荷阻擋層43以及防波紋層45。用作導(dǎo)電基底31的合適的材料包括具有不大于l(TQcra體積電阻的材料。該材料的具體實例包括在塑料圓筒，塑料薄膜或紙張等材料的表面上以將鋁、鎳、鉻、尼克洛姆鎳鉻耐熱合金(nichrome)、銅、金、銀和鉑的金屬或諸如氧化錫和氧化銦的金屬氧化物通過沉積或濺射涂敷而形成。此外，可使用諸如鋁，鋁合金，鎳以及不銹鋼的金屬板。金屬圓筒也可用作基底31，該圓筒通過諸如沖擊壓平或直接壓平的方法將諸如鋁、鋁合金、鎳以及不銹鋼制成管狀，然后通過切割、超級研磨、拋光等處理管表面而制得。此外，諸如鎳以及不銹鋼的金屬環(huán)帶也可用作基底31。此外，其中將包括粘合劑樹脂和導(dǎo)電粉末的涂布液涂布到上述支持體上的基底可用作基底31。該導(dǎo)電粉末的具體實例包括炭黑，乙炔炭黑，諸如鋁、鎳、鐵、尼克洛姆鎳鉻耐熱合金、銅、鋅和銀的金屬粉末，和諸如導(dǎo)電氧化錫和IT0的金屬氧化物粘合劑樹脂的具體實例包括公知的熱塑性樹脂、熱固性樹脂和光交聯(lián)樹脂，諸如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯脂、聚偏二氯乙烯、聚芳酯、苯氧樹脂、聚碳酸酯、乙酸纖維素樹脂、乙基纖維素樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇縮甲醛樹脂、聚乙烯基甲苯、聚-N-乙烯基咔唑、丙烯酸類樹脂、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、密胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂和醇酸樹脂。該導(dǎo)電層可通過涂布涂布液、然后干燥已涂布的該液體形成，在該涂布液中導(dǎo)電粉末和粘合劑樹脂分散或溶解在諸如四氫呋喃、二氯甲烷、丁酮和甲苯的適當(dāng)溶劑中。此外，具有導(dǎo)電材料的基底也可用作基底31，在該基底中釆用熱可收縮的樹脂管在圓筒基底表面上形成導(dǎo)電樹脂薄膜，該樹脂管由諸如聚氯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、氯化橡膠和含氟樹脂(諸如TEFLON)的樹脂組合物形成。在這些材料中，鋁或鋁合金制成的圓筒是優(yōu)選的，因為鋁易于陽極氧化。用做基底的合適的鋁材料包括鋁和諸如JIS1000系，3000系和6000系的鋁合金。陽極氧化薄膜可通過在電解液中陽極氧化金屬或金屬合金形成。在陽極氧化薄膜中，可通過陽極氧化鋁或鋁合金制備的防蝕鋁薄膜優(yōu)選地用于本發(fā)明的感光體。這是因為得到的感光體在用于反轉(zhuǎn)顯影(reversedevelopment)(g卩，負(fù)性-正性顯影)時幾乎不導(dǎo)致不理想的圖像，如黑點和背景污染陽極氧化處理在包括諸如鉻酸、硫酸、草酸、磷酸、硼酸和氨基磺酸的酸的酸性溶液中實施。在這些酸中，硫酸優(yōu)選用于本發(fā)明的陽極氧化處理。對基底的陽極氧化處理優(yōu)選在下述條件下實施(1)硫酸的濃度10到20%(2)處理液的溫度5到25°C(3)電流密度1到4A/dm2(4)電解電壓5至U30V(5)處理時間5到60分鐘。然而，處理條件不限于此。這樣制備的陽極氧化薄膜是多孔和高絕緣的。因此，基底的表面很不穩(wěn)定，且陽極氧化薄膜的物理性能隨時間改變。為了避免該問題，該陽極氧化薄膜優(yōu)選進(jìn)行密封處理。該密封處理可通過例如下述方法實施(1)將陽極氧化薄膜浸漬在氟化鎳或乙酸鎳的水溶液中；(2)將陽極氧化薄膜浸漬在沸水中；和(3)對陽極氧化薄膜進(jìn)行汽封。在密封處理之后，陽極氧化薄膜進(jìn)行洗滌處理以去除密封處理期間黏附到陽極氧化薄膜的表面的如金屬鹽的外來材料。基底的表面上存在的外來材料不僅影響在其上形成的層的涂布質(zhì)量而且因為通常具有低電阻而生成具有背景污染的圖像。該洗滌處理通過利用純水一次或多次清洗在其上具有陽極氧化薄膜的基底實施。優(yōu)選實施洗滌處理直到洗滌水(即，去離子的)盡可能干凈。此外，還優(yōu)選在洗滌處理中利用諸如刷子的清洗元件摩擦基底。這樣制備的陽極氧化薄膜的厚度優(yōu)選為5到15ixm。當(dāng)陽極氧化薄膜太薄時，其屏障效應(yīng)不令人滿意。相反，當(dāng)陽極氧化薄膜太厚時，電極卿，基底)的時間常數(shù)變得極其大，導(dǎo)致得到的感光體的殘余電位增加和其響應(yīng)降低。基底優(yōu)選具有圓筒形狀(鼓形狀)，其外徑不大于40mm。本發(fā)明的感光體可包括導(dǎo)電基底31和CGL35之間的中間層39。中間層39包括樹脂作為主要成分。由于通常通過涂布包括有機(jī)溶劑的液體在中間層上形成CGL，因此中間層的樹脂優(yōu)選對于一般的有機(jī)溶劑具有較好的抗蝕性。該樹脂的具體實例包括水溶性樹脂諸如聚乙烯醇樹脂，酪蛋白和聚丙烯酸鈉鹽；醇溶性樹脂諸如尼龍共聚物和甲氧基甲基化尼龍樹脂；和能形成三維網(wǎng)狀的熱固性樹脂，諸如聚氨脂樹脂、密胺樹脂、醇酸-密胺樹脂和環(huán)氧樹脂。該中間層包括防止波紋和降低殘余電位的金屬氧化物。金屬氧化物的具體實例包括二氧化鈦、二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化錫、氧化銦、氧化鋅等。具體地，有效地使用二氧化鈦和氧化鋅。銳鈦礦型二氧化鈦優(yōu)選地用作二氧化鈦。考慮光吸收，銳鈦礦型二氧化鈦因吸收具有短于金紅石型二氧化鈦吸收波長的光而比金紅石型二氧化鈦更優(yōu)選使用?？赏ㄟ^利用適當(dāng)溶劑和適當(dāng)涂布方法涂布涂布液形成中間層，且優(yōu)選具有O.l到5"m的厚度。該中間層39具有防止在充電過程中將在層的導(dǎo)電基底側(cè)感生的電荷注入到感光層的功能，以及防止因釆用如激光的相干光作為圖像寫入光而引起的莫爾條紋(moir6fringe)(以下稱波紋)生成的功能。在本發(fā)明中優(yōu)選使用功能分離的中間層，即，電荷阻擋層43和抗波紋層45的組合。下面將解釋功能分離的中間層。電荷阻擋層43的功能是防止電荷注入到感光層中，該電荷在電極(即，導(dǎo)電基底31)中感生且具有與充電器施加到感光體上的電壓相反的極性。特別地，當(dāng)實施負(fù)充電時，電荷阻擋層43防止正空穴注入到感光層中。相反，當(dāng)實施正充電時，電荷阻擋層43防止電子注入到感光層中。電荷阻擋層的具體實例包括以下層(1)由陽極氧化制備的層如氧化鋁層；(2)如SiO的無機(jī)材料的絕緣層；(3)由玻璃態(tài)金屬氧化物網(wǎng)制成的層；(4)由聚磷嗪制成的層；(5)由氨基硅垸的反應(yīng)產(chǎn)物制成的層；(6)由絕緣樹脂制成的層；和(7)交聯(lián)樹脂層。在這些層中，優(yōu)選使用可通過濕涂法形成的絕緣樹脂層和交聯(lián)樹脂層。由于抗波紋層和感光層通常在電荷阻擋層上通過濕涂法形成，所以電荷阻擋層優(yōu)選對于抗波紋層和感光層的涂布液中包括的溶劑具有良好的抗蝕性。用于電荷阻擋層的合適的樹脂包括熱塑性樹脂諸如聚酰胺樹脂、聚酯樹脂和氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物；和熱固性樹脂，其可通過熱聚合具有多個活潑氫原子(諸如-0H、-NH2和-NH的氫原子)的化合物和具有多個異氰酸酯基的化合物和/或具有多個環(huán)氧基的化合物制得。具有多個活潑氫原子的化合物的具體實例包括聚乙烯醇縮丁醛、苯氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚乙二醇樹脂、聚丙二醇樹脂、聚丁二醇樹脂以及如甲基丙烯酸羥乙酯樹脂的丙烯酸類樹脂。具有多個異氰酸酯基的化合物的具體實例包括甲苯二異氰酸酯、二異氰酸己二醇酯、二苯基甲垸二異氰酸酯、這些化合物的預(yù)聚物等。具有多個環(huán)氧基的化合物的具體實例包括基于環(huán)氧樹脂的雙酚A等。在這些樹脂中，考慮到薄膜成型性、環(huán)境穩(wěn)定性和對溶劑的抗蝕性優(yōu)選地使用聚酰胺樹脂。具體地，最優(yōu)選使用N-甲氧基甲基化尼龍。該N-甲氧基甲基化尼龍可通過T.L.Cairns(J.Am.Chem.Soc.71.P651(1949))公開的方法對包括聚酰胺6的聚酰胺進(jìn)行改性制備。原始聚酰胺的酰胺連接的氫由甲氧基甲基取代以形成N-烷氧基甲基化尼龍。其取代率很大程度上依據(jù)改性條件，然而，根據(jù)抑制中間層的吸濕性，醇親和性和環(huán)境穩(wěn)定性，優(yōu)選不小于15mol%，且更優(yōu)選不小于35mol%。取代率越大醇溶劑的親和性就越大。然而，吸濕性增加和結(jié)晶性變差導(dǎo)致熔點、機(jī)械強度和彈性下降，這是因為主鏈周圍的大的側(cè)鏈基影響主鏈的松弛和配位所致。因此，取代率優(yōu)選不大于85mol%，且更優(yōu)選不大于70mol%。此外，最優(yōu)選使用尼龍6，優(yōu)選使用尼龍66，而優(yōu)選不使用如公開待審的日本專利申請No.9-265202中公開的、諸如尼龍6/66/610的共聚物尼龍。此外，還可使用無油醇酸樹脂；諸如通過熱聚合丁基化密胺樹脂制備的熱固性氨基樹脂的氨基樹脂；也可使用通過將諸如不飽和聚氨脂樹脂、不飽和聚酯樹脂的不飽和樹脂與如噻噸酮化合物和甲酸甲芐基酯的光聚合引發(fā)劑反應(yīng)制備的光交聯(lián)樹脂。此外，還可使用具有整流特性的導(dǎo)電聚合物和包括具有電子接收或供給性質(zhì)的樹脂或化合物的層，以防止從基底的電荷注入，該電子接收或供給性質(zhì)依據(jù)感光體表面上形成的電荷的極性來確定。該電荷阻擋層43優(yōu)選具有不小于0.1Pm且小于2.0um的厚度，且更優(yōu)選0.3ura到1.0ixm的厚度。當(dāng)電荷阻擋層太厚時，感光體的殘余電位在重復(fù)進(jìn)行成像光輻射后增加，特別是在低溫低濕條件下尤為如此。相反，電荷阻擋層太薄，幾乎不能生成電荷阻擋效應(yīng)。電荷阻擋層43可包括一種或多種材料，諸如交聯(lián)劑、溶劑、添加劑和交聯(lián)促進(jìn)劑。電荷阻擋層43可通過諸如刮刀涂布、浸涂、噴涂、顆粒涂布(beadcoating)和噴嘴涂布的涂布方法涂覆涂布液，接下來通過采用熱或光進(jìn)行干燥和交聯(lián)來制備?？共y層45的功能是防止當(dāng)相干光(諸如激光)用于光學(xué)寫入時得到的圖像由于光的干涉發(fā)生莫爾條紋。即，抗波紋層散射上述寫入光。為了實現(xiàn)該功能，層優(yōu)選地包括具有高折射率的材料。由于電荷從基底31的注入由電荷阻擋層43阻擋，所以抗波紋層45優(yōu)選具有傳輸與感光體表面上形成電荷相同極性的電荷的能力，以防止殘余電位增加。例如，在負(fù)電荷型感光體中，抗波紋層45優(yōu)選具有導(dǎo)電子能力。因此優(yōu)選將導(dǎo)電無機(jī)顏料或?qū)щ娦詿o機(jī)顏料用于抗波紋層45。或者，導(dǎo)電材料(諸如接收體)可添加到抗波紋層45中。用于抗波紋層45的粘合劑樹脂的具體實例包括上述用于電荷阻擋層43的樹脂。由于感光層(CGL35和CTL37)通過涂覆涂布液在抗波紋層45上形成，因此粘合劑樹脂優(yōu)選對于感光層涂布液中包括的溶劑具有良好的抗蝕性。在這些樹脂中，優(yōu)選使用熱固性樹脂。具體地，最優(yōu)選使用醇酸樹脂和密胺樹脂的混合物。醇酸樹脂與密胺樹脂的混合比是影響抗波紋層45的結(jié)構(gòu)和特性的重要因素，且其重量比優(yōu)選為5/5到8/2。當(dāng)密胺樹脂含量太高時，涂布的薄膜在熱固化過程中收縮，由此在得到的薄膜中形成涂層缺陷，或發(fā)生殘余電位增加的問題。相反，當(dāng)醇酸樹脂的含量太高時，該層的電阻嚴(yán)重地降低，盡管感光體的殘余電位降低，但是這樣得到的圖像具有背景污染?？共y層45中金屬氧化物與粘合劑樹脂的混合比也是重要因素，且其體積比率優(yōu)選為1/1到3/1。當(dāng)比率太低(g卩，金屬氧化物含量太低)時，重復(fù)使用之后不僅抗波紋效果變差而且殘余電位增加。相反，當(dāng)比率太高時，層的成膜性降低，導(dǎo)致得到的層的表面情況變差。此外，由于涂布液滲透到抗波紋層中，出現(xiàn)上層(舉例來說，感光層)不能在其上形成好的薄膜的問題。該問題對于具有包括薄電荷生成層的多層型感光層的感光體而言是致命的。此外，當(dāng)比率太大時，出現(xiàn)金屬氧化物的表面不能由粘合劑樹脂覆蓋的問題。在這種情況中，CGM與電荷發(fā)生物質(zhì)直接接觸，由此熱載流子的問題發(fā)生的可能性增加，導(dǎo)致背景污染問題的發(fā)生。通過將兩種具有不同平均粒徑的二氧化鈦用于抗波紋層，基底1通過抗波紋層有效地隱藏，由此可很好地防止波紋的發(fā)生，且還可防止層內(nèi)的小孔的形成。在這點上，兩種金屬氧化物的平均粒徑(D1和D2)優(yōu)選滿足下述關(guān)系0.2〈D2/D1《0.5。當(dāng)D2/D1的比率太低時，金屬氧化物的表面變得更活潑，由此得到的感光體的靜電特性的穩(wěn)定性嚴(yán)重下降。相反，當(dāng)比率太高，導(dǎo)電基底31不能較好地由抗波紋層隱藏，由此抗波紋效應(yīng)降低且生成異常的圖像。在這點上，金屬氧化物的平均粒徑表示通過將金屬氧化物分散在水中同時對其施加強剪切力制備的分散體內(nèi)的金屬氧化物的平均粒徑。此外，具有更小平均粒徑的金屬氧化物(T2)的平均粒徑(D2)也是一個重要因素，且優(yōu)選大于0.05Pm并小于0.20um。當(dāng)D2太小時，層的隱藏能力變差。因此，易于導(dǎo)致波紋。相反，當(dāng)D2太大時，金屬氧化物在層內(nèi)的填充因數(shù)小，且由此不能很好的產(chǎn)生防止背景污染的效果抗波紋層45內(nèi)的兩種金屬氧化物的混合比(重量比)也是重要因素，該混合比優(yōu)選地滿足下述關(guān)系0.2《T2/(T1+T2)《0.8，其中Tl表示具有更大平均粒徑的金屬氧化物的重量，且T2表示具有更小平均粒徑的二氧化鈦的重量。當(dāng)混合比率太低時，層內(nèi)的二氧化鈦的填充因數(shù)小，且由此不能很好的產(chǎn)生防止背景污染的效果。相反，當(dāng)混合比率太高時，層的隱藏能力變差，且由此不能很好產(chǎn)生抗波紋效應(yīng)?？共y層優(yōu)選具有I到IO"m的厚度，且更優(yōu)選2到5ixm。當(dāng)層太薄時，不能很好地生成抗波紋效應(yīng)。相反，當(dāng)層太厚時，重復(fù)使用之后殘余電位增加。通常如下述制備抗波紋層。采用諸如球磨機(jī)、砂磨機(jī)以及磨碎機(jī)的分散機(jī)將金屬氧化物和粘合劑樹脂分散在溶劑中。在這種情況中，視需要而定可將交聯(lián)劑、其它溶劑、添加劑、交聯(lián)促進(jìn)劑等添加到其中。通過諸如刮刀涂布、浸涂、噴涂、顆粒涂布以及噴嘴涂布的方法將這樣制備的涂布液涂布到電荷阻擋層上，隨后采用光或熱進(jìn)行干燥和交聯(lián)。接下來，將解釋感光層。該感光層包括具有有機(jī)CGM的CGL35和具有CTM的CTL37。該CGL35包括有機(jī)CGM作為主要成分，且通常采用將涂布液涂布到導(dǎo)電基底上隨后干燥制備，該涂布液通過采用諸如球磨機(jī)、磨碎機(jī)、砂磨機(jī)以及超聲分散機(jī)的分散機(jī)將有機(jī)CGM和任選的粘合劑樹脂一起分散在溶劑中制備。任選地包括在CGL涂布液內(nèi)的粘合劑樹脂的具體實例包括聚酰胺、聚氨脂、環(huán)氧樹脂、聚酮、聚碳酸酯、硅樹脂、丙烯酸類樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯酮、聚苯乙烯、聚砜、聚-N-乙烯基咔唑、聚丙烯酰胺、聚乙烯基甲基苯(polyvinylbenzal)、聚酯、苯氧樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯脂、聚苯氧化物、聚酰胺、聚乙烯吡啶、纖維素樹脂、酪蛋白、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯垸酮等。在粘合劑樹脂中，優(yōu)選使用以聚乙烯醇縮丁醛為代表的聚乙烯醇縮醛類。在層內(nèi)包括的每100重量份CGM中，CGL優(yōu)選包括0到500重量份的粘合劑樹脂，且優(yōu)選10到300重量份。用于CGL涂布液的溶劑的具體實例包括異丙醇、丙酮、丁酮、環(huán)己酮、四氫呋喃、二噁烷、溶纖劑、乙酸乙酯、乙酸甲酯、二氯甲烷、二氯乙垸、一氯代苯、環(huán)己垸、甲苯、二甲苯、輕石油等。在這些溶劑中，優(yōu)選使用酮、酯和醚。涂布方法為刮刀涂布、浸涂、噴涂、顆粒涂布以及噴嘴涂布等。制得的CGL優(yōu)選具有0.01到5Pm的厚度，且更優(yōu)選0.1到2um的厚度。有機(jī)CGM的具體實例包括酞菁顏料(諸如金屬酞菁和無金屬酞菁)、奠鐺鹽(azuleniumsalt)顏料、方酸次甲基顏料、具有咔唑骨架的偶氮顏料、具有三苯胺骨架的偶氮顏料、具有二苯胺骨架的偶氮顏料、具有二苯并噻吩骨架的偶氮顏料、具有芴酮骨架的偶氮顏料、具有噁二唑骨架的偶氮顏料、具有雙芪(bisstilbene)骨架的偶氮顏料、具有聯(lián)苯乙烯噁二唑骨架的偶氮顏料、具有聯(lián)苯乙烯咔唑骨架的偶氮顏料、二萘嵌苯顏料、蒽醌顏料、多環(huán)醌顏料、醌亞胺顏料、二苯甲垸顏料、三苯甲垸顏料、苯醌顏料、萘醌顏料、花青顏料、甲亞胺顏料、靛類顏料、二苯并咪唑顏料等。這些CGM可單獨或結(jié)合使用。在顏料中，含有下式(I)的不對稱偶氮顏料可有效地使用其中Cp,和Cp2表示耦合劑(coupler)殘基，并且相互不同；R加和R鵬獨立地表示氫原子、鹵素原子、垸基、烷氧基或氰基此外，Cp,和Cp2具有下式(II):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>其中R加表示氫原子、垸基或芳基。R，、R鄉(xiāng)、R鵬、R加7和R加8獨各自獨立地表示氫原子、硝基、氰基、鹵素原子、鹵代垸基、烷基、烷氧基、二烷基氨基和羥基。z表示形成取代或未取代的芳香碳環(huán)或取代或未取代的芳香雜環(huán)所需要的原子。此外，優(yōu)選使用這樣的酞菁氧鈦化合物其X-射線衍射光譜在布拉格(26)角(±0.2°)為27.2°處觀察到最大峰；或X-射線衍射光譜在布拉格(26)角(±0.2°)為27.2°處觀察到最大峰，在角度為7.3°處有最小角度峰，并且在布拉格(20)角(±0.2°)分別為9.4°、9.6°和24.0°處有主峰，其中在7.3°和9.4°的峰之間以及角度為26.3°處未觀察到峰。有機(jī)CGM優(yōu)選具有不大于0.25um的平均粒徑，且更優(yōu)選不大于0.2Um。具有粒徑不小于0.25um的有機(jī)CGM在分散后去除。在此，平均粒徑為體積平均粒徑，且可通過用HoribaLtd.的自動離心粒徑分析器CAPA-700確定。體積平均粒徑表示累積分布的50%粒徑(g卩，中值粒徑)。然而，該粒徑確定方法，有少量粗顆粒不能檢測的情況。因此，在需要對粒徑進(jìn)行更詳細(xì)的觀察時，可用電子顯微鏡直接觀察包括CGM的分散體以確定粒徑。接下來，將解釋從有機(jī)CGM分散體中去除粗顆粒的方法。通過采用球磨機(jī)、磨碎機(jī)、砂磨機(jī)、玻珠磨機(jī)、超聲分散機(jī)等將有機(jī)CGM及任選的粘合劑樹脂一起分散在溶劑中來制備分散體。在這種情況中，可以考慮得到的感光體的靜電特性來選擇適當(dāng)?shù)恼澈蟿渲?，并且考慮溶劑浸潤和分散顏料的能力來選擇適當(dāng)?shù)娜軇?。具體時，在制備其中顆粒盡可能微細(xì)化而制成分散體之后，采用具有適當(dāng)孔徑的過濾器過濾分散體。通過采用該方法，少量粗顆粒(它們不能肉眼觀察到或不能通過粒徑測量儀器檢測到)可從分散體中去除。此外，分散體中顆粒的粒徑分布可適當(dāng)?shù)乜刂啤?yōu)選使用具有不大于5"m的有效孔徑的過濾器，且更優(yōu)選不大于3um。通過采用該過濾器。由此可制備其中CGM已分散同時具有不大于0.25ym，優(yōu)選不大于0.20ym的平均粒徑的分散體。通過采用該分散體，可形成不導(dǎo)致涂層缺陷的CGL，從而可完全地達(dá)成本發(fā)明的效果。當(dāng)過濾包括大量粗顆粒的分散體時，過濾去除的顆粒數(shù)量增加，且由此帶來得到的分散體的固體含量急劇降低的問題。因此，待過濾的分散體優(yōu)選具有適當(dāng)?shù)牧椒植?即，適當(dāng)粒徑和適當(dāng)?shù)牧綐?biāo)準(zhǔn)偏差)。特別是，為了在得到的CGM很少損失的情況下有效地實施過濾操作而不導(dǎo)致過濾器的堵塞問題，優(yōu)選平均粒徑不大于0.3Hm,且粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于0.2ym。用于本發(fā)明的CGM具有高分子間氫鍵力。因此，分散的顏料顆粒具有高相互作用。作為其結(jié)果，分散的CGM顆粒易于聚集。通過采用具有特定孔徑的過濾器施上述過濾，可去除該聚集體。在這點上，分散體具有觸變性，且由此可去除粒徑小于過濾器孔徑的顆粒。或者，具有結(jié)構(gòu)粘度的液體通過過濾可變?yōu)镹ewtonian液體。通過從CGL涂布液中去除粗顆粒，可制備良好的CGL并可達(dá)到本發(fā)明的效果。優(yōu)選根據(jù)要去除粗顆粒的尺寸選擇適當(dāng)?shù)倪^濾器。作為本發(fā)明人研究的成果，發(fā)現(xiàn)具有不小于3ym的粒徑的粗顆粒影響具有600dpi析像度的圖像的圖像質(zhì)量。因此，優(yōu)選使用具有孔徑不大于5um的過濾器，且更優(yōu)選不大于3ixm。具有太小孔徑的過濾器會過濾掉可用于CGL的TiOPc顆粒以及要去除的粗顆粒。此外，這樣的過濾器導(dǎo)致以下問題長時間過濾、過濾器由顆粒堵塞，和對泵施加過量的壓力。因此，優(yōu)選使用具有適當(dāng)孔徑的過濾器。不必說，過濾器優(yōu)選對用于分散的溶劑具有良好的抗蝕性。CTL通常采用涂敷涂布液來制備，該涂布液采用將CTM與任選的粘合劑樹脂一起溶解或分散在溶劑中，隨后干燥而制備。視需要而定，諸如增塑劑、均化劑以及抗氧化劑的添加劑可添加到涂布液中。CTM包括正空穴傳輸材料和電子傳輸材料。正空穴傳輸材料的具體實例包括公知的材料，諸如聚-N-咔唑和它的衍生物、聚-Y-咔唑基乙基谷氨酸酯和它的衍生物、芘-甲醛縮合產(chǎn)物和它們的衍生物、聚乙烯芘、聚乙烯菲、聚硅垸、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、單芳基胺、二芳基胺、三芳基胺、芪衍生物、a-苯基芪衍生物、二苯胺衍生物、二芳基甲垸衍生物、三芳基甲垸衍生物、9-苯乙烯基蒽衍生物、吡唑啉衍生物、二乙烯基苯衍生物、腙衍生物、茚衍生物、丁二烯衍生物、芘衍生物、雙芪衍生物、烯胺衍生物等。這些CTM可單獨或結(jié)合使用。電子傳輸材料的具體實例包括電子接收材料，諸如四氯代對苯醌、四溴代對苯醌、四氰乙烯、四氰代二甲基苯醌、2，4，7-三硝基-9-芴酮、2,4，5,7-四硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基口占噸酮、2，4，8-三硝基噻噸酮、2，6，8-三硝基-4H-茚并[1，2-b]噻酚-4-酮、1，3，7-三硝基二苯并噻酚-5，5-二氧化物、苯醌衍生物等。用于CTL的粘合劑樹脂的具體實例包括公知的熱塑性樹脂和熱固性樹脂，諸如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯脂、聚偏二氯乙烯、聚芳酯、苯氧樹脂、聚碳酸酯、乙酸纖維素樹脂、乙基纖維素酯、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇縮甲醛樹脂、聚乙烯甲苯、聚-N-乙烯基咔唑、丙烯酸類樹脂、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、密胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂和醇酸樹脂。以CTL中包括的每100重量份粘合劑樹脂計，在電荷傳輸層中CTM的含量優(yōu)選20到300重量份，且更優(yōu)選40到150重量份。CTL的厚度優(yōu)選5到100um。用于CTL涂布液的合適的溶劑包括四氫呋喃、二噁烷、甲苯、二氯甲烷、一氯代苯、二氯乙垸、環(huán)己酮、丁酮、丙酮等溶劑。然而，考慮到環(huán)境保護(hù)，優(yōu)選使用非鹵代溶劑。特別地，優(yōu)選使用如四氫呋喃、二氧戊環(huán)和二噁烷的環(huán)醚，諸如甲苯和二甲苯的芳烴，和它們的衍生物。CTL可包括添加劑諸如增塑劑和均化劑。增塑劑的具體實例包括公知的增塑劑諸如鄰苯二甲酸二丁酯和鄰苯二甲酸二辛酯。以CTL中包括的粘合劑樹脂的總重量計，CTL中的增塑劑的含量為0到30%重量。均化劑的具體實例包括硅油，諸如二甲基硅油和甲基苯基硅油，以及它們的側(cè)鏈中包括全氟垸基的聚合物和低聚物。以CTL中包括的粘合劑樹脂的總重量計，CTL優(yōu)選包括0到1%重量的均化劑。如上所述，感光體的變換時間，一般取決于CTL的載體的輸送能力。以下對轉(zhuǎn)換時間的控制方法進(jìn)行說明。變換時間是在CGL生成的光載體注入CTL，并通過CTL以及將電荷消去的時間。與通過CTL的時間相比，注入CTL的時間以及將表面電荷消除的時間短得可以加以忽略。粗略地說，轉(zhuǎn)換時間就是光載體通過CTL的時間。因此，控制該轉(zhuǎn)換時間就是要控制載體的通過速度以及運動的距離。前者取決于CTL的組成以及材料，后者取決于CTL的厚度。所謂CTL的組成包括CTM(電荷輸送物質(zhì))種類，粘結(jié)樹脂的種類，CTM的濃度以及添加劑。特別是，CTM的種類以及其濃度以及粘結(jié)樹脂的種類是重要的。一般說來，如CTM具有高的傳輸能力就可以縮短轉(zhuǎn)換時間。使用具有小的極性的粘結(jié)樹脂或者電荷輸送聚合物材料可以縮短轉(zhuǎn)換時間。具有高濃度的CTM可以縮短轉(zhuǎn)換時間。薄的CTL可以縮短轉(zhuǎn)換時間。但是，在CTL處于表面時，CTL就不能僅設(shè)計用來縮短轉(zhuǎn)換時間。例如，在CTL中的CTM的濃度增加到最大值時，耐磨性就會極度變差，就會得到壽命短的感光體，盡管轉(zhuǎn)換時間變短。當(dāng)CTL極薄時，絕緣性就會被破壞，并且產(chǎn)生背景污染的圖像的可能性就會增加。因此，在CTL用上述材料制成后，轉(zhuǎn)換時間就可用特開2000-275872公開的方法來進(jìn)行測量，以使轉(zhuǎn)換時間最優(yōu)化。最優(yōu)先考慮載體在CTL中的輸送速度來在感光體的表面形成保護(hù)層是一個好的方法。這樣，耐磨性可以適當(dāng)?shù)睾雎?，可以將重點集中在載體的輸送速度上。用于本發(fā)明的感光體可任選包括保護(hù)層，其在感光層上形成以保護(hù)感光層。近來，在日常生活中使用計算機(jī)，且因此需要高速和小尺寸打印機(jī)。通過在感光層上形成保護(hù)層，得到的感光體具有較好的耐久性同時具有高光敏性，并制造沒有異常圖像的圖像。用于本發(fā)明的保護(hù)層分為兩種類型，一種是包括粘合劑樹脂以及分散在粘合劑樹脂中的填充物的層，另一種是包括交聯(lián)粘合劑樹脂的層。首先，將解釋第一種類型的保護(hù)層。用于保護(hù)層的材料的具體實例包括ABS樹脂、ACS樹脂、烯烴-乙烯基單體共聚物、氯化聚醚、芳基樹脂、酚醛樹脂、聚縮醛、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚烯丙基砜、聚丁烯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、丙烯酸類樹脂、聚甲基戊烯、聚丙烯、聚苯氧化物、聚砜、聚苯乙烯、AS樹脂、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚氨脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、環(huán)氧樹脂等。在這些樹脂中，優(yōu)選使用聚碳酸酯和聚芳酯。此外，為了提高保護(hù)層的抗磨損性，可為此使用含氟樹脂諸如聚四氟乙烯和硅樹脂。此外，還可以為此使用上述樹脂與如二氧化鈦、氧化鋁、氧化錫、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂、鈦酸鉀和二氧化硅的無機(jī)填充物或有機(jī)填充物混合的材料。用于保護(hù)層的合適的有機(jī)填充物包括如聚四氟乙烯的含氟樹脂粉末、硅樹脂粉末、無定形碳粉末等。用于保護(hù)層的無機(jī)填充物的具體實例包括粉末狀的金屬諸如銅、錫、鋁和銦；金屬氧化物諸如氧化鋁、二氧化硅、氧化錫、氧化鋅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、氧化銦、氧化銻、氧化鉍、氧化用銻摻雜的氧化錫、用錫摻雜的氧化銦、鈦酸鉀等?？紤]到硬度，無機(jī)填充物是優(yōu)選的，并且特別有效使用二氧化硅、二氧化鈦和氧化鋁。保護(hù)層中的填充物的含量優(yōu)選依據(jù)所使用的填充物的種類和得到的感光體的應(yīng)用而確定，但是保護(hù)層表面部分的填充物的含量優(yōu)選不小于5%重量，更優(yōu)選10到50%重量，且進(jìn)一步優(yōu)選10到30%重量，以保護(hù)層表面部分的總重量計。保護(hù)層中包括的填充物優(yōu)選具有0.1至U2um的體積平均粒徑，且更優(yōu)選0.3到1um。當(dāng)平均粒徑太小時，無法將良好的抗磨損性賦予給得到的感光體。相反，當(dāng)平均粒徑太大時，得到的保護(hù)層的表面非常粗糙或出現(xiàn)無法形成保護(hù)層本身的問題。在本申請中，除非另外限定，填充物的平均粒徑表示體積平均粒徑，并采用由HoribaLtd制造的儀器CAPA-700測量。在這種情況中，50%累積粒徑(即，中值粒徑)定義為平均粒徑。此外，優(yōu)選的是保護(hù)層中所使用的填充物的粒徑分布曲線的標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于lPm。當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)偏差太大時(gp，當(dāng)填充物具有寬的粒徑分布時)，不能產(chǎn)生本發(fā)明的效果。在保護(hù)層涂布液內(nèi)所使用的填充物的pH很大程度上影響其中填充物的可分散性和由得到的感光體產(chǎn)生的圖像的析像度。其原因如下所述。填充物(尤其是，金屬氧化物)通常包括生產(chǎn)填充物時所使用的鹽酸。當(dāng)殘余鹽酸的量大時，得到的感光體易于產(chǎn)生模糊圖像。此外，包含過多量的鹽酸導(dǎo)致填充物的可分散性變差其另一個原因是因為填充物(尤其是，金屬氧化物)的電荷特性很大程度上受填充物的pH影響。通常，液體中分散的顆粒帶正電或負(fù)電。在這種情況中，具有與顆粒的電荷相反的電荷的離子聚集在顆粒周圍以中和顆粒的電荷，導(dǎo)致電偶層的形成，且由此顆粒穩(wěn)定地分散在液體中。一個顆粒周圍某點的電位(即，^電位)隨著該點與顆粒之間距離的增加而降低(即，趨近于零)。即，遠(yuǎn)離顆粒的點是電中性的，即，其C電位為零。在這種情況中，；電位越高，顆粒的分散越好。當(dāng)C電位近似等于零時，顆粒容易聚集(即，顆粒是不穩(wěn)定分散的)。體系的；電位很大程度上依據(jù)體系的pH。當(dāng)體系具有特定pH時，S電位變?yōu)榱恪Ｔ損H點稱為等電點。為了提高體系的分散穩(wěn)定性，優(yōu)選通過將體系的pH設(shè)定為遠(yuǎn)離等電點以提高；電位。為了防止模糊圖像的形成，優(yōu)選的是保護(hù)層包括在pH為5或更高時具有等電點的填充物。換句話說，具有高堿性的填充物可優(yōu)選用于本發(fā)明的感光體中，因為它可加強本發(fā)明的效果。當(dāng)填充物所用于的體系是酸性時，具有高堿性的填充物具有高C電位(即，填充物是穩(wěn)定分散的)。在該申請中，填充物的pH表示等電點處填充物的pH，等電點由填充物的^電位確定。C電位可通過OotsukaElectricCo.，Ltd制造的激光束電位儀測量。此外，為了防止模糊圖像的生成，優(yōu)選使用具有高電阻(即，電阻率不小于lx10ieQ'cm)的填充物。此外，可更優(yōu)選使用pH不小于5的填充物和介電常數(shù)不小于5的填充物。介電常數(shù)不小于5禾B/或pH不小于5的填充物可單獨或結(jié)合使用。此外，也可使用pH不小于5的填充物和pH小于5的填充物的組合，或介電常數(shù)不小于5的填充物和介電常數(shù)小于5的填充物的組合。在這些填充物中，優(yōu)選使用具有最密裝填結(jié)構(gòu)的a-氧化鋁。這是因為a-氧化鋁具有高絕緣特性、高熱穩(wěn)定性和好的抗磨損性，且由此可防止模糊圖像的形成且可提高得到的感光體的抗磨損性。在本發(fā)明中，填充物的電阻率如下述定義。當(dāng)測量電阻率時，諸如填充物的粉末的電阻率很大程度上依據(jù)粉末的填充因數(shù)而變化。因此，有必要在恒定條件下測量電阻率。在本申請中，通過與5-113688中的圖1公開的相似的設(shè)備測量電阻率。設(shè)備的電極的表面積為4.0cm2。在測量樣品粉末的電阻率之前，將4kg的負(fù)荷施加于一個電極之上1分鐘且調(diào)節(jié)樣品粉末的量使得在兩電極之間的距離變?yōu)?mm。樣品粉末的電阻率僅通過上面的電極的重力(即，1kg)向樣品粉末加壓而不給樣品施加任何其他的負(fù)荷來測量。施加給樣品粉末的電壓為100V。當(dāng)電阻率不小于106Qcm時，使用高電阻表(YokogawaHewlett-PackardCo.)測量電阻率。當(dāng)電阻率小于106Qcm時，使用數(shù)字萬用表(FlukeCorp.)測量。填充物的介電常數(shù)如下述測量。同樣使用與用來測量電阻率的單元相似的單元測量介電常數(shù)。在對樣品粉末施加負(fù)荷之后，采用介電損失測量儀(AndoElectricCo.，Ltd.)測量樣品粉末的電容以確定粉末的介電常數(shù)。為了改善保護(hù)層中填充物的分散，在保護(hù)層中包括的填充物優(yōu)選采用表面處理劑進(jìn)行表面處理。當(dāng)填充物在保護(hù)層中分散差時，發(fā)生下述問題(1)得到的感光體的殘余電位增加；(2)得到的保護(hù)層的透明度降低；(3)在得到的保護(hù)層中形成涂層缺陷；(4)保護(hù)層的抗磨損性變差；(5)得到的感光體的耐久性變差；和(6)由得到的感光體生成的圖像的圖像質(zhì)量變差。合適的表面處理劑包括公知的表面處理劑。然而，優(yōu)選使用可保持所使用的填充物高絕緣特性的表面處理劑。關(guān)于表面處理劑，可優(yōu)選使用鈦酸鹽偶合劑、鋁偶合劑、鋁酸鋯偶合劑、更高級脂肪酸、這些試劑與硅偶合劑的組合物、AIA、Ti02、Zr02、硅樹脂、硬脂酸鋁等，用于提高填充物的可分散性且防止模糊圖像的形成。這些材料可單獨或結(jié)合使用。當(dāng)使用用硅垸偶合劑處理過的填充物時，得到的感光體易于生成模糊圖像。然而，硅垸偶合劑與上述一種表面處理劑的組合通常可生成不模糊的好的圖像。表面處理劑的涂布重量優(yōu)選為3到30%重量，且更優(yōu)選為5到20%重量，以要處理的填充物的重量計，但該重量是依據(jù)填充物的平均一次粒徑確定得到的。當(dāng)表面處理劑的含量太低時，填充物的可分散性不能得到提高。相反，當(dāng)含量太高時，得到的感光體的殘余電位急劇增加。這些填充物可采用適當(dāng)?shù)姆稚C(jī)分散。在這種情況中，優(yōu)選分散填充物使得聚集的顆粒解離且填充物的一次顆粒(primaryparticulate)是分散的以提高得到的保護(hù)層的透明度。此外，CTM可包括在保護(hù)層中以提高光響應(yīng)(photoresponse)并降低得到的感光體的殘余電位。用于電荷傳輸層的上述CTM也可用于保護(hù)層。當(dāng)?shù)头肿恿康腃TM用于保護(hù)層時，CTM的濃度可在保護(hù)層的厚度方向上改變。特別地，為了提高得到的感光體的抗磨損性，優(yōu)選降低保護(hù)層的表面部分處的CTM的濃度。在該點處，CTM的濃度表示CTM的重量與保護(hù)層的總重量的比率。為了提高感光體的耐久性和高速電荷傳輸能力，優(yōu)選將一種或更多種用于CTL的上述電荷傳輸聚合物用于保護(hù)層。該保護(hù)層可通過任何公知的涂布方法形成。保護(hù)層的厚度優(yōu)選為0.1至寸10um。接下來，將解釋交聯(lián)的保護(hù)層。該交聯(lián)的保護(hù)層優(yōu)選通過施加光或熱使分子中具有多個可交聯(lián)官能團(tuán)的反應(yīng)單體發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)來制備。通過形成三維網(wǎng)狀的保護(hù)層，感光體具有好的耐磨損性。為了制備上述保護(hù)層，優(yōu)選使用整個部分或一部分具有電荷傳輸部分的單體。通過采用該單體，得到的保護(hù)層在三維網(wǎng)絡(luò)內(nèi)具有電荷傳輸部分。因此，CTL可完全行使電荷傳輸功能。在單體中，優(yōu)選使用具有三芳基胺結(jié)構(gòu)的單體。由此，載體的輸送速度得以提高，轉(zhuǎn)換時間縮短。具有三維結(jié)構(gòu)的保護(hù)層具有好的抗磨損性，但是如果層太厚時常在其中形成裂縫。為了防止這種裂縫問題的發(fā)生?？墒褂迷诒Ｗo(hù)層上形成交聯(lián)保護(hù)層的多層保護(hù)層，在保護(hù)層內(nèi)低分子的CTM分散在聚合物中。具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的該交聯(lián)的保護(hù)層優(yōu)選通過使無電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的三或更多官能單體與有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的單官能單體反應(yīng)并交聯(lián)來制備。因為該保護(hù)層具有良好展開的三維網(wǎng)絡(luò)和高交聯(lián)密度，所以具有高硬度和高彈性。此外，由于保護(hù)層的表面均勻且平坦，所以保護(hù)層具有好的抗磨損性和抗劃痕性。盡管增加保護(hù)層的交聯(lián)密度很重要，但由于交聯(lián)反應(yīng)中的收縮，容易發(fā)生保護(hù)層具有高內(nèi)應(yīng)力的問題。內(nèi)應(yīng)力隨著保護(hù)層厚度的增加而增加。因此，當(dāng)厚的保護(hù)層交聯(lián)時，會發(fā)生保護(hù)層破裂且脫落的問題。即使盡管在感光體是新的時未出現(xiàn)這些問題，但當(dāng)重復(fù)充電、顯影、轉(zhuǎn)印以及清潔之后感光體在受到各種應(yīng)力時仍容易出現(xiàn)這些問題。為了防止這些問題的發(fā)生，可使用以下技術(shù)(1)將聚合組分添加到所述交聯(lián)保護(hù)層中；(2)將大量單或雙官能單體用于形成所述交聯(lián)的保護(hù)層；以及(3)將具有能賦予得到的交聯(lián)保護(hù)層以柔軟性的多官能單體用于形成交聯(lián)的保護(hù)層。然而，采用這些技術(shù)制備的所有交聯(lián)的保護(hù)層具有低交聯(lián)密度。因此，不能賦予得到的保護(hù)層以好的抗磨損性。相反，用于本發(fā)明的感光體的交聯(lián)保護(hù)層在具有l(wèi)-10iim的厚度時具有良好展開的三維網(wǎng)絡(luò)、高交聯(lián)密度和高電荷傳輸能力。因此，得到的感光體具有高抗磨損性并且?guī)缀醪怀霈F(xiàn)破裂和脫落的問題。該交聯(lián)的保護(hù)層的厚度優(yōu)選2到8um。在這種情況中，可提高上述問題的容限(margin)且可提高形成高交聯(lián)密度的保護(hù)層的材料的選擇靈活性。為什么用于本發(fā)明的感光體幾乎不出現(xiàn)破裂和脫落問題的原因如下述。(1)形成具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的相對薄的交聯(lián)保護(hù)層，且由此可防止感光體的內(nèi)應(yīng)力的增加；和(2)由于在具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的交聯(lián)保護(hù)層的下面形成CTL，因此可使交聯(lián)保護(hù)層的內(nèi)應(yīng)力松弛。因此，有必要增加保護(hù)層中聚合物的量。因此，可防止因聚合物組分的不完全混合以及可自由基聚合的單體反應(yīng)而形成的交聯(lián)材料所導(dǎo)致的保護(hù)層擦刮或在保護(hù)層上形成薄膜(諸如調(diào)色劑薄膜)的問題的發(fā)生。此外，當(dāng)保護(hù)層通過輻射光交聯(lián)時，如果保護(hù)層太厚，會出現(xiàn)保護(hù)層的內(nèi)部不完全反應(yīng)的問題，因為電荷傳輸部分吸收光。然而，由于用于本發(fā)明的感光體的保護(hù)層具有不大于10um的厚度，因此保護(hù)層的內(nèi)部完全交聯(lián)，且由此可賦予整個保護(hù)層以良好的抗磨損性。此外，由于采用具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的單官能單體制備交聯(lián)保護(hù)層，所以單官能單體結(jié)合到一個或多個三或更多官能單體形成的交聯(lián)鍵中。當(dāng)采用無官能團(tuán)的低分子量CTM形成交聯(lián)保護(hù)層時，出現(xiàn)低分子量CTM與交聯(lián)樹脂分離的問題，導(dǎo)致低分子量CTM的沉淀和混濁保護(hù)層的形成，且由此保護(hù)層的機(jī)械強度下降。當(dāng)采用雙或更多官能團(tuán)電荷傳輸化合物作為主要組分形成交聯(lián)保護(hù)層時，得到的保護(hù)層嚴(yán)重變形，導(dǎo)致內(nèi)應(yīng)力增加，因為雖然電荷轉(zhuǎn)移部分很大，但保護(hù)層具有高交聯(lián)密度。此外，本發(fā)明的感光體具有好的電特性、好的穩(wěn)定性以及高的耐久性。這是因為交聯(lián)保護(hù)層的結(jié)構(gòu)中，從帶有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的單官能單體獲得的單元象懸垂物一樣與交聯(lián)鍵連接。相反，采用無官能團(tuán)的低分子量CTM形成的保護(hù)層出現(xiàn)沉淀和混濁問題，且由此感光體的光敏性變差且感光體的殘余電位增加(即，感光體具有差的電特性)。此外，在采用雙或更高官能團(tuán)的電荷傳輸化合物作為主要成分形成的交聯(lián)保護(hù)層中，電荷傳輸部分固定在交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中，且由此俘獲電荷，導(dǎo)致光敏性變差且殘余電位增加。當(dāng)感光體的電特性變差時，出現(xiàn)得到的圖像具有低圖像密度和字符影象(characterimage)變窄的問題。由于可形成具有高遷移率和少的電荷陷阱的CTL作為本發(fā)明的感光體的CTL，即使在CTL上形成交聯(lián)保護(hù)層時也能防止產(chǎn)生對感光體的電特性的副作用。此外，本發(fā)明的交聯(lián)保護(hù)層不溶于有機(jī)溶劑且通常具有優(yōu)異的抗磨損性。通過使無電荷傳輸結(jié)構(gòu)的三或更多官能團(tuán)的可聚合單體與具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的單官能單體反應(yīng)制備的交聯(lián)保護(hù)層具有良好展開的三維網(wǎng)絡(luò)和高交聯(lián)密度。然而，在添加除了上述可聚合單體之外的材料(諸如單或雙官能單體、聚合物粘合劑、抗氧化劑、均化劑和增塑劑)和/或改變交聯(lián)條件的情況中，易出現(xiàn)得到的保護(hù)層的交聯(lián)密度局部低且得到的保護(hù)層由具有高交聯(lián)密度的微交聯(lián)材料聚集體組成的問題。該交聯(lián)保護(hù)層具有差的機(jī)械強度和差的抗有機(jī)溶劑性。因此，當(dāng)重復(fù)使用感光體時，出現(xiàn)部分保護(hù)層嚴(yán)重磨蝕或從保護(hù)層中脫離出來的問題。相反，用于本感光體的交聯(lián)保護(hù)層因為具有良好展開的三維網(wǎng)絡(luò)和高交聯(lián)密度而具有高分子量和好的抗溶劑性。因此，得到的感光體具有優(yōu)異的抗磨損性并且不出現(xiàn)上述問題。然后將解釋形成具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的交聯(lián)保護(hù)層的涂布液的組分。無電荷傳輸結(jié)構(gòu)的三或更多官能單體表示具有三個或更多可自由基聚合的基團(tuán)且不具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)(諸如正空穴傳輸結(jié)構(gòu)(舉例來說，三芳基胺、腙、吡唑啉以及咔唑結(jié)構(gòu))的單體；電子傳輸結(jié)構(gòu)(舉例來說，稠合多環(huán)奎寧結(jié)構(gòu)、二苯酚合苯醌結(jié)構(gòu)、氰基和硝基))。作為可自由基聚合的基團(tuán)，可使用具有碳-碳雙鍵的任何可自由基聚合的基團(tuán)。合適的可自由基聚合的基團(tuán)包括分別具有下式的1-取代乙烯基和1,1-取代乙烯基。l一取代乙烯基CH2=CH-X「其中Xi表示任選具有取代基的亞芳基(諸如亞苯基和亞萘基)、取代或未取代的亞烯基(alkenylene)、-CO-基、-C00-基、-C0N(R0)基(其中R1。表示氫原子、垸基(舉例來說，甲基和乙基)、芳烷基(舉例來說，苯甲基、萘甲基和乙氧苯基)或芳基(舉例來說，苯基和萘基)或-S-基。具有結(jié)構(gòu)式中的基團(tuán)的具體實例包括乙烯基、苯乙烯基、2-甲基-1，3-丁二烯基、乙烯基羰基、丙烯酰氧基、丙烯?；０?acryloylamide)、乙烯基硫醚等。1，1-取代乙烯基CH2=C(Y)-X廠其中Y表示取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基(諸如苯基和萘基)、鹵素原子、氰基、硝基、垸氧基(諸如甲氧基和乙氧基)或-C00R11基(其中R"表示氫原子、取代或未取代的烷基(諸如甲基和乙基)、取代或未取代的芳烷基(諸如苯甲基和苯乙基)、取代或未取代的芳基(諸如苯基和萘基)或-C0NR12R13基(其中各Ri2和R"表示氫原子、取代或未取代的垸基儲如甲基和乙基)、取代或未取代的芳烷基(諸如苯甲基、萘甲基和苯乙基)、取代或未取代芳基(諸如苯基和萘基)；和X2表示選自用于X』勺上述基團(tuán)和亞烷基的基團(tuán)，其中Y和X2至少一個是氧基羰基、氰基、亞烯基或芳基。具有式(XI)的基團(tuán)的具體實例包括ci-氯代丙烯酰氧基、異丁烯酰氧基、a-氰基乙烯基、a-氰基丙烯酰氧基、a-氰基亞苯基、異丁烯酰氨基等。用于基團(tuán)X"X2和Y中的取代基的具體實例包括鹵素原子、硝基、氰基、烷基(諸如甲基和乙基)、烷氧基(諸如甲氧基和乙氧基)、芳氧基(諸如苯氧基)、芳基(諸如苯基和萘基)、芳垸基儲如苯甲基和苯乙基)等。在這些可自由基聚合的三或更多官能的基團(tuán)中，優(yōu)選使用具有三或更多官能團(tuán)的丙烯酰氧基和異丁烯酰氧基。具有三或更多丙烯酰氧基的化合物通過使具有三或更多羥基的(甲基)丙烯酸(鹽)、氯代(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸酯發(fā)生酯反應(yīng)和酯交換反應(yīng)來制備。在可自由基聚合的三或更多官能單體中包括的三個或更多可自由基聚合的基團(tuán)為相同或彼此不同?？勺杂苫酆系娜蚋喙倌軉误w的具體實例包括，但不限于，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、三羥甲基丙垸三甲基丙烯酸酯、亞垸基改性的三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙烯氧基改性的三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、丙烯氧基改性的三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、己內(nèi)酯改性的三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、亞烷基改性的三羥甲基丙垸三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯(PETTA)、甘油三丙烯酸酯、表氯醇改性的甘油三丙烯酸酯、乙烯氧基改性的甘油三丙烯酸酯、丙烯氧基改性的甘油三丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)異氰脲酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、己內(nèi)酯改性的二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇羥基五丙烯酸酯、烷基化二季戊四醇四丙烯酸酯、垸基化二季戊四醇三丙烯酸酯、二羥甲基丙烷四丙烯酸酯(DTMPTA)、季戊四醇乙氧基三丙烯酸酯、乙烯氧基改性的三丙烯酰基磷酸酯(triacrylphosphate)、2，2，5，5-四羥甲基環(huán)戊酮四丙烯酸酯等。這些單體可單獨或結(jié)合使用。為了在交聯(lián)保護(hù)層中形成緊湊的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，三或更多官能單體的分子量(Mw)與單體的分子中包括的官能團(tuán)(F)的數(shù)量的比率(Mw/F)優(yōu)選不大于250。當(dāng)數(shù)量太大時，得到的保護(hù)層變軟，且由此層的抗磨損性稍微變差。在這種情況中，不優(yōu)選僅使用一種具有長鏈基團(tuán)的官能團(tuán)的單體，如環(huán)氧乙烷、環(huán)氧丙烷和己內(nèi)酯。以保護(hù)層的總重量計，交聯(lián)的保護(hù)層中由三或更多官能單體獲得的單元含量優(yōu)選為20到80%重量，且更優(yōu)選30到70%重量。當(dāng)含量太低時，三維交聯(lián)密度低，且由此不能賦予保護(hù)層以好的抗磨損性。相反，當(dāng)含量太高時，電荷傳輸化合物的含量降低，不能賦予保護(hù)層以好的電荷傳輸特性。為了平衡交聯(lián)保護(hù)層的抗磨損性和電荷傳輸特性，保護(hù)層中由三或更多官能單體獲得的單元含量優(yōu)選為30到70%重量。用于制備交聯(lián)保護(hù)層的具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的合適的可自由基聚合的單官能單體包括具有一個可自由基聚合的官能團(tuán)和諸如正空穴傳輸基(舉例來說，三芳基胺、腙、吡唑啉和咔唑結(jié)構(gòu))和電子傳輸基(舉例來說，接收電子的芳基，諸如稠合多環(huán)奎寧結(jié)構(gòu)、二苯酚合苯醌結(jié)構(gòu)、和氰基以及硝基)的電荷傳輸結(jié)構(gòu)的化合物。作為可自由基聚合的單官能單體的官能團(tuán)，優(yōu)選使用丙烯酰氧基和異丁烯酰氧基。在這些電荷傳輸基中，優(yōu)選使用三芳基氨基。在具有三芳基氨基的化合物中，優(yōu)選使用具有下式(1)或(2)的化合物，因為它們具有好的電特性(即，高光敏性和低殘余電位)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>(2)其中&表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、氰基、硝基、垸氧基、其中R7表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳烷基以及取代或未取代的芳基和鹵代羰基的-C00R7或其中R8和R9獨立地表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基以及取代或未取代的芳基的C0NR8R9;Ar,和Ar2獨立地表示取代或未取代的亞芳基；Ar3和Ar4獨立地表示取代或未取代的芳基；X表示單鍵、取代或未取代的亞垸基、取代或未取代的亞環(huán)垸基、取代或未取代的亞垸醚基(alkyleneether)、氧原子、硫原子以及亞乙烯基；Z表示取代或未取代的亞烷基、取代或未取代的亞烷醚基和亞烷氧基羰基；且m和n表示0和1到3的整數(shù)。在結(jié)構(gòu)式(l)和(2)中，在IU勺這些取代基中，烷基包括甲基、乙基、丙基、丁基等；芳基包括苯基、萘基等；芳烷基包括苯甲基、苯乙基、萘甲基等；并且烷氧基包括甲氧基、乙氧基、丙氧基等。這些可以由如鹵素原子、硝基、氰基、甲基和乙基的垸基；如甲氧基和乙氧基的烷氧基；如苯氧基的芳氧基；如苯基和萘基的芳基；如苯甲基和苯乙基的芳烷基所取代。R的這些取代基優(yōu)選為氫原子或甲基。Ar3和Ar4獨立地表示取代或未取代的芳基，且其具體實例包括稠合多環(huán)烴基、非稠合的環(huán)烴基和雜環(huán)基。稠合多環(huán)烴基優(yōu)選為具有由18個或更少的碳原子形成的環(huán)的基團(tuán)，如芬太尼基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、亞聯(lián)苯基、As-indacenyl基、荷基、苊基、praadenyl基、苊基、非那烯基(phenalenyl)、phenantolyl基、蒽基、螢蒽基、ac印henantolylenyl基、aceanthrylenyl基、三苯基、芘基、crycenyl基和萘并萘基。非稠合環(huán)烴基和雜環(huán)基的具體實例包括如苯、二苯基醚、聚乙烯二苯基醚、二苯基硫醚和二苯基砜的單環(huán)烴化合物的一價基團(tuán)；如聯(lián)苯、聚苯、二苯基烷烴、二苯基烯烴、二苯基炔烴、三苯基甲垸、二苯乙烯基苯、1,1-二苯基環(huán)垸烴、聚苯基烷烴和聚苯基烯烴的非稠合烴化合物的一價基團(tuán)；和如9，9-二苯基芴的環(huán)聚集經(jīng)(ringgatheringhydrocarbon)化合物的一價基團(tuán)。雜環(huán)基的具體實例包括如咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩和噁二唑的一價基團(tuán)。Ar3和Ar4表示的取代或未取代的芳基的具體實例包括下述基團(tuán)(1)鹵素原子、氰基和硝基；(2)具有1到12，優(yōu)選1到8,且更優(yōu)選1到4個碳原子的直鏈或支鏈烷基，且這些烷基還可包括氟原子、羥基、氰基、l到4個碳原子的烷氧基、苯基或鹵素原子、1到4個碳原子的垸基或由1到4個碳原子的烷氧基取代的苯基。垸基的具體實例包括甲基、乙基、正丁基、異丙基、叔丁基、仲丁基、正丙基、三氟甲基、2-羥基乙基、2-乙氧基乙基、2-氰基乙基、2-甲氧基乙基、苯甲基、4-氯代苯甲基、4-甲基苯甲基、4-苯基苯甲基等。(3)垸氧基(-0R2),其中R2表示(2)中限定的烷基。其具體實例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、異丁氧基、2-羥基乙氧基、苯甲氧基、三氟甲氧基等。(4)芳氧基，且芳基的具體實例包括苯基和萘基。這些芳基可包括1到4個碳原子的垸氧基、l到4個碳原子或鹵素原子作為取代基的烷基。芳氧基的具體實例包括苯氧基、卜萘氧基、2-萘氧基、4-甲氧基苯氧基、4-甲基苯氧基等。(5)如甲硫基、乙硫基、苯硫基和對-甲基苯硫基的垸基巰基或芳基巰基。(6)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>其中R3和R4獨立地表示氫原子、(2)中限定的烷基和芳基，且芳基的具體實例包括苯基、聯(lián)苯基和萘基，且這些可包括1到4個碳原子的烷氧基、1到4個碳原子或鹵素原子作為取代基的垸基，且R3和R4可一起形成環(huán)。具有該結(jié)構(gòu)式的基團(tuán)的具體實例包括氨基、二乙氨基、N-甲基-N-苯基氨基、N，N-二苯基氨基、N-N-二(甲苯基)氨基、二苯甲基氨基、哌啶基、嗎啉基、吡咯垸酮基(pyrrolidinogro叩)等。(7)如亞甲二硫基或亞烷二硫基的亞甲二氧基、亞垸二氧基。(8)取代或未取代的苯乙烯基、取代或未取代的e-苯基苯乙烯基、二苯基氨基苯基、二甲苯基氨基苯基等。Ar,和Ar2表示的亞芳基是衍生自An和Ar4表示的芳基的二價基團(tuán)。上述X表示單鍵、取代或未取代的亞垸基、取代或未取代的亞環(huán)烷基、取代或未取代的亞烷醚基、氧原子、硫原子以及亞乙烯基。取代或未取代的亞垸基是有1到12，優(yōu)選1到8，更優(yōu)選1到4個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，且這些亞烷基還可包括氟原子、羥基、氰基、1到4個碳原子的烷氧基、苯基或鹵素原子、1到4個碳原子的烷基或由1到4個碳原子的垸氧基取代的苯基。亞烷基的具體實例包括亞甲基、亞乙基、正亞丁基、異亞丙基、叔亞丁基，仲亞丁基、正亞丙基、三氟亞甲基、2-羥基亞乙基、2-乙氧基亞乙基、2-氰基亞乙基、2-甲氧基亞乙基、亞節(jié)基、苯基亞乙基、4-氯代苯基亞乙基、4-甲基苯基亞乙基、4-聯(lián)苯基亞乙基等。取代或未取代的亞環(huán)垸基是有5到7個碳原子的環(huán)狀亞烷基，且這些亞烷基可包括氟原子、羥基、氰基、l到4個碳原子的烷氧基。其具體實例包括亞環(huán)己基(cyclohexylidinegroup)、環(huán)亞己基(cyclohexylene)禾口3，3-二甲基亞環(huán)己基等。取代或未取代的亞烷醚基的具體實例包括乙烯氧基、丙烯氧基、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、四乙二醇和三丙二醇，且亞垸醚基的亞烷基可包括如羥基、甲基和乙基的取代基。亞乙烯基具有下式其中R5表示氫原子、烷基(與(2)中限定的相同)，芳基(與Ar.，和Ar4表示的相同)；a表示l或2;且b表示l、2或3。Z表示取代或未取代的亞烷基、取代或未取代的二價亞垸醚基和亞烷氧基羰基。取代或未取代的亞烷基的具體實例包括X中的這類基團(tuán)。取代或未取代的二價亞垸醚基的具體實例包括X中的這類基團(tuán)。二價亞烷氧基羰基的具體實例包括二價己內(nèi)酯改性的基團(tuán)。此外，具有本發(fā)明的電荷傳輸結(jié)構(gòu)的單官能自由基聚合化合物更優(yōu)選為具有下式(3)的化合物其中o、p和q獨立地表示0或1;Ra表示氫原子或甲基；除了氫原子和有1到6個碳原子的烷基之外，Rb和Rc還表示取代基，且當(dāng)具有多個碳原子時可以彼此不同；s禾卩t表示0或1至ij3的整數(shù)；Za表示單鍵、亞甲基、亞乙基、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>或者具有結(jié)構(gòu)式(3)的化合物優(yōu)選具有甲基或乙基作為Rb和Rc的取代基的化合物。具有用于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)式(l)，(2)，尤其(3)的電荷傳輸結(jié)構(gòu)的單官能自由基聚合化合物不成為鏈端結(jié)構(gòu)，因為碳之間的雙鍵在向兩側(cè)打開時發(fā)生聚合并接入鏈型聚合物中。在與具有三或更多官能團(tuán)的自由基聚合單體聚合的交聯(lián)聚合物中，化合物存在于主鏈和主鏈之間的交聯(lián)鏈中(該交聯(lián)鏈包括一種聚合物和另一種聚合物之間的分子間交聯(lián)鏈以及分子內(nèi)交聯(lián)鏈，其中具有折疊主鏈的部分與源于單體的另一部分發(fā)生聚合，該單體在主鏈上除上述聚合處以外的位置發(fā)生聚合)。即使當(dāng)主鏈或交聯(lián)鏈中存在化合物時，從主鏈懸垂的三芳基胺結(jié)構(gòu)距離氮原子具有至少三個處于徑向的芳基，該三芳基胺結(jié)構(gòu)不直接與主鏈鍵合且通過羰基等懸垂，它盡管龐大但卻是以柔性的方式空間固定的。三芳基胺結(jié)構(gòu)可在聚合物中空間定位為彼此之間適度相鄰，且具有更小的分子結(jié)構(gòu)變形。因此，推測在電照相感光體的表面層中具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的單官能自由基聚合化合物可具有這樣的分子內(nèi)結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中相對地防止了電荷傳輸路線的阻擋。具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的單官能自由基聚合化合物的具體實例包括具有下式的化合物，但不限于該化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>No.74CH=CH2INo.72No.73No.75H3C、ZNo.76No.78CH3oH<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula>No.146No.140H3CNo.142No.143No.144No-141、、ZOII(CH2(HO)3-OCH=CH2CH3CH3O——(CH2(HO)3-C——C=CH2、59<formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula>可自由基聚合的單官能單體用于賦予得到的保護(hù)層以電荷傳輸特性?？勺杂苫酆系膯喂倌軉误w的添加量優(yōu)選20到80%重量，且更優(yōu)選30到70%重量，以保護(hù)層的總重量計。當(dāng)添加量太小時，不能賦予得到的聚合物以好的電荷傳輸特性，且由此得到的感光體的電特性(諸如光敏性和殘余電位)受變差。相反，當(dāng)添加量太大時，得到的保護(hù)層的交聯(lián)密度降低，且由此得到的感光體的抗磨損性變差。鑒于此，單官能單體的添加量為30到70%重量。該交聯(lián)保護(hù)層通常通過將至少一種可自由基聚合的三或更多官能單體與可自由基聚合的單官能單體反應(yīng)(交聯(lián))來制備。然而，為了降低涂布液的粘度，使保護(hù)層的應(yīng)力松弛，并降低保護(hù)層的表面能和摩擦系數(shù)，可將公知的可自由基聚合的單或雙官能單體以及無電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的低聚物與其結(jié)合使用。無電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的單官能單體的具體實例包括丙烯酸-2-乙基己基酯、丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、丙烯酸四氫糠酯、2-乙基己基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸-3-甲氧基丁酯、丙烯酸苯甲酯、丙烯酸環(huán)己酯、丙烯酸異戊酯、丙烯酸異丁酯、甲氧基三甘醇丙烯酸酯、苯氧基四甘醇丙烯酸酯、丙烯酸十六垸基酯、丙烯酸異十八烷基酯、丙烯酸十八烷基酯、苯乙烯等。無電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的二官能單體的具體實例包括二丙烯酸-1，3-丁二醇酯、二丙烯酸-1,4-丁二醇酯、二甲基丙烯酸-1，4-丁二醇酯、二丙烯酸-l,6-己二醇酯、二甲基丙烯酸-l，6-己二醇酯、二丙烯酸二甘醇酯、二丙烯酸新戊二醇酯、雙酚A-乙烯氧基改性的二丙烯酸酯、雙酚F-乙烯氧基改性的二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯等。用于賦予交聯(lián)的保護(hù)層以諸如低表面能和/或低摩擦系數(shù)的單或雙官能單體的具體實例包括含氟單體，如八氟代戊基丙烯酸酯、2-全氟代辛基乙基丙烯酸酯、2-全氟代辛基乙基甲基丙烯酸酯和2-全氟代異壬基乙基丙烯酸酯;和具有聚硅氧烷基，諸如有重復(fù)數(shù)目為20到70的硅氧烷單元的乙烯基單體、丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯，其在公開審查的日本專利申請No.05-60503和06-45770(舉例來說，丙烯酰聚二甲基硅氧烷乙基、異丁烯酰聚二甲基硅氧烷乙基、丙烯酰聚二甲基硅氧垸丙基、丙烯酰聚二甲基硅氧垸丁基以及二丙烯酰聚二甲基硅氧垸二乙基)中有描述?？勺杂苫酆系牡途畚锏木唧w實例包括環(huán)氧丙烯酸酯低聚物、尿烷丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物等。使用每100重量份的三或更高官能單體時，該單和雙官能單體的添加量優(yōu)選不大于50重量份，且更優(yōu)選不大于30重量份。當(dāng)添加量太大時，交聯(lián)密度降低，且由此得到的保護(hù)層的抗磨損性變差。此外，為了有效地使保護(hù)層交聯(lián)，可向保護(hù)層涂布液中添加聚合引發(fā)劑。合適的聚合引發(fā)劑包括熱聚合引發(fā)劑和光聚合引發(fā)劑。該聚合引發(fā)劑可單獨或結(jié)合使用。熱聚合引發(fā)劑的具體實例包括過氧化物引發(fā)劑，如2,5-二甲基己烷-2，5-二氫過氧化物、二異丙苯基過氧化物、苯甲酰過氧化物、叔丁基異丙苯基過氧化物、2，5-二甲基-2，5-二(過氧苯甲酰)己炔-3,二叔丁基過氧化物、叔丁基氫過氧化物、異丙基苯氫過氧化物、月桂酰過氧化物和2，2-雙(4,4-二叔丁基過氧環(huán)己基)丙烷；和偶氮型引發(fā)劑，如偶氮雙異丁腈、偶氮雙環(huán)己烷腈、偶氮雙丁酸甲酯、偶氮雙異丁基脒的鹽酸鹽以及4,4'-偶氮雙氰基戊酸。光聚合引發(fā)劑的具體實例包括苯乙酮或縮酮型光聚合引發(fā)劑，諸如二乙氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙垸-1-酮、1-羥基-環(huán)己基-苯基-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、2-苯甲基-2-二甲基氨基-卜(4-嗎啉代苯基)丁酮-1、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙垸-1-酮、2-甲基-2-嗎啉代(4-甲硫基苯基)丙垸-l-酮、和1-苯基-1，2-丙垸二酮-2-(鄰-乙氧基羰基)躬；安息香醚型光聚合引發(fā)劑，諸如安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丁基醚和安息香異丙基醚；二苯甲酮型光聚合引發(fā)劑，諸如二苯甲酮、4-羥基二苯甲酮、鄰-苯甲酰苯甲酸甲酯、2-苯甲酰萘、4-苯甲酰聯(lián)苯、4-苯甲酰苯基醚、丙烯酸化的二苯甲酮和1,4-苯甲酰苯；噻噸酮型光聚合引發(fā)劑，諸如2-異丙基噻噸酮、2-氯代噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮和2，4-二氯代噻噸酮；和其它光聚合引發(fā)劑，諸如乙基蒽醌、2，4，6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦、2，4，6-三甲基苯甲酰苯基乙氧基氧化膦、雙(2，4，6-三甲基苯甲酰)苯基氧化膦、雙(2,4-二甲氧基苯甲酰)-2，4,4-三甲基戊基氧化膦、甲基苯基乙醛酰酯、9,10-菲、吖啶化合物、三嗪化合物、咪唑化合物等。光聚合加速劑可單獨或結(jié)合上述的光聚合引發(fā)劑使用。光聚合加速劑的具體實例包括三乙醇胺、甲基二乙醇胺、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸異戊酯、2-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、4,4'-二甲基氨基二苯甲酮等。使用每ioo重量份的可自由基聚合的單體的總重量時，聚合引發(fā)劑的添加量優(yōu)選為0.5到40重量份，且更優(yōu)選l到20重量份。為了使該交聯(lián)的保護(hù)層的應(yīng)力松弛且提高保護(hù)層與CTL的粘合力，保護(hù)層涂布液可包括添加劑，如增塑劑、均化劑和無自由基聚合能力的低分子量的電荷傳輸材料。增塑劑的具體實例包括用于通用樹脂的公知增塑劑，如鄰苯二甲酸二丁酯和鄰苯二甲酸二辛酯。以涂布液中包括的總固體組分計，增塑劑在保護(hù)層涂布液中的添加量優(yōu)選不大于20%重量，且更優(yōu)選不大于10%重量。均化劑的具體實例包括硅油(諸如二甲基硅油和甲基苯基硅油)，以及在其側(cè)鏈具有全氟烷基的聚合物和低聚物。以涂布液中包括的總固體組分計，均化劑的添加量優(yōu)選不大于3%重量。通常通過在CTL上涂布包括可自由基聚合的三或更多官能單體和可自由基聚合的單官能單體的涂布液，然后使該涂層交聯(lián)來制備交聯(lián)的保護(hù)層。當(dāng)該單體為液體時，可以在單體中溶解其它組分，結(jié)果制備保護(hù)層涂布液。該涂布液可任選地包括溶劑以較好地溶解其它組分和/或以降低涂布液的粘度。溶劑的具體實例包括醇，諸如甲醇、乙醇、丙醇和丁醇；酮，如丙酮、丁酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮；酯，如乙酸乙酯和乙酸丁酯；醚，如四氫呋喃、二噁烷和丙基醚；鹵代溶劑，如二氯甲烷、二氯乙烷、三氯乙烷和氯苯；芳香溶劑，如苯、甲苯和二甲苯；溶纖劑諸如甲基溶纖劑、乙基溶纖劑和乙酸溶纖劑；等等。這些溶劑可單獨或結(jié)合使用。溶劑的添加量依據(jù)固體組分的溶解度、所使用的涂布方法以及保護(hù)層的目標(biāo)厚度來確定。諸如浸涂法、噴涂法、顆粒涂布法和環(huán)涂法(ringcoating)的涂布方法可用于形成保護(hù)層。在涂布保護(hù)層涂布液之后，將諸如熱能、光能以及輻射能的能量施加到涂層上以使該層交聯(lián)。施加熱能的方法的具體實例如下述(1)向其施加熱氣(諸如空氣和氮氣)；(2)使其與受熱的材料接觸；和(3)利用光或電磁波從涂層側(cè)或相反側(cè)輻射涂層。所涂布的保護(hù)層的加熱溫度優(yōu)選為100到170°C。當(dāng)溫度太低時，交聯(lián)速度太低，且由此導(dǎo)致涂層不能充分交聯(lián)的問題。當(dāng)溫度太高時，交聯(lián)反應(yīng)不均勻進(jìn)行，且由此導(dǎo)致得到的保護(hù)層具有大的應(yīng)變或包括未反應(yīng)的官能團(tuán)的問題。為了均勻地實施交聯(lián)反應(yīng)，優(yōu)選使用如下方法，首先在相對低溫(不高于約100°C)下加熱涂層，隨后在相對高溫(不低于約100°C)下加熱。用于使涂層光交聯(lián)的光源的具體實例包括紫外光發(fā)射器件，如高壓汞燈和金屬鹵化物燈。此外，如果可自由基聚合的單體和所使用的光聚合引發(fā)劑在可見光區(qū)域內(nèi)有吸收時，也可使用可見光發(fā)射燈。照明強度優(yōu)選為50到1000mW/cm2。當(dāng)照明強度太低時，涂層交聯(lián)需花費長時間。相反，當(dāng)照明強度太高時，出現(xiàn)以下問題交聯(lián)反應(yīng)不均勻進(jìn)行，由此在得到的保護(hù)層中形成皺紋，或保護(hù)層中包括未反應(yīng)的反應(yīng)基。此外，還出現(xiàn)以下問題由于迅速交聯(lián)，所以得到的保護(hù)層出現(xiàn)破裂或脫落。施加輻射能的方法的具體實例包括采用電子束。在這些方法中，優(yōu)選使用采用熱或光的方法，因為反應(yīng)速度高且施加能量的設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單。該交聯(lián)保護(hù)層的厚度優(yōu)選為1到10"m，且更優(yōu)選2到8um。當(dāng)該交聯(lián)的保護(hù)層太厚時，出現(xiàn)上述破裂和脫落問題。當(dāng)厚度不大于8ura時，破裂和脫落問題的容限增加。因此，可向涂層施加相對大量的能量，且由此交聯(lián)密度可進(jìn)一步增加。此外，可提高在選擇賦予保護(hù)層以好的抗磨損性的材料方面的靈活性以及設(shè)定交聯(lián)條件的靈活性。通常，空氣中包括的氧氣妨礙自由基聚合反應(yīng)，即，由于空氣中的氧氣，在涂層的表面部分(O到約l詣的厚度方向內(nèi))內(nèi)不能很好地實施交聯(lián)，導(dǎo)致不均勻交聯(lián)層的形成。因此，如果該交聯(lián)保護(hù)層太薄(即，保護(hù)層的厚度小于約1Pm)，該層具有差的抗磨損性。此外，當(dāng)保護(hù)層涂布液直接涂布到CTL上時，在CTL中包括的組分易于溶解在涂布液中，導(dǎo)致組分遷移到保護(hù)層中。在這種情況中，如果保護(hù)層太薄，組分遷移到整個保護(hù)層中，導(dǎo)致發(fā)生不能很好地實施交聯(lián)或交聯(lián)密度低的問題。這樣，保護(hù)層的厚度優(yōu)選不小于lum，使得保護(hù)層具有好的抗磨損性和抗劃痕性。然而，如果磨蝕整個保護(hù)層，那么位于保護(hù)層下的CTL比保護(hù)層更容易磨蝕。在這種情況中，發(fā)生以下問題感光體的光敏性急劇變化，且產(chǎn)生不均勻半色調(diào)圖像。為了得到的感光體可長時間產(chǎn)生高質(zhì)量圖像，交聯(lián)保護(hù)層優(yōu)選具有不小于2ura的厚度。當(dāng)該交聯(lián)的保護(hù)層在有機(jī)溶劑中不溶解時，得到的感光體具有顯著提高的抗磨損性和抗劃痕性，該保護(hù)層作為具有CGL和CTL的感光體的最外層形成。保護(hù)層的抗溶劑性可通過以下方法檢査(1)往保護(hù)層的表面上滴溶劑，該溶劑可較好地溶解聚合物，如四氫呋喃和二氯甲烷；(2)使該溶劑自然干燥；和(3)目視觀察保護(hù)層的表面以確定表面情況是否變化。如果保護(hù)層有差的抗溶劑性，則觀察到下述的現(xiàn)象(1)表面部分凹進(jìn)去同時其邊緣凸出來；(2)在保護(hù)層中的電荷傳輸材料結(jié)晶，且由此表面部分渾濁；或(3)表面部分首先膨脹，且然后起皺。如果保護(hù)層有好的抗溶劑性，那么將觀察不到上述現(xiàn)象。為了制備具有好的抗有機(jī)溶劑性的交聯(lián)保護(hù)層，關(guān)鍵點如下(1)最優(yōu)化保護(hù)層涂布液的配方，即，最優(yōu)化液體中包括的各組分的(2)選擇適當(dāng)?shù)娜軇┫♂尡Ｗo(hù)層涂布液，同時適當(dāng)?shù)乜刂仆坎家旱墓腆w含量；(3)使用適當(dāng)?shù)姆椒ㄍ坎急Ｗo(hù)層涂布液；(4)在適當(dāng)?shù)慕宦?lián)條件下使涂層交聯(lián)；和(5)形成CTL，該CTL位于保護(hù)層下且在保護(hù)層涂布液中包括的溶劑中幾乎不溶。優(yōu)選使用這些技術(shù)中的一種或多種。除了包括無電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的三或多官能單體和有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的單官能單體之外，該保護(hù)層涂布液還可包括添加劑，諸如無可自由基聚合的基團(tuán)的粘合劑樹脂、抗氧化劑和增塑劑。由于這些添加劑的添加量太大，交聯(lián)密度降低且保護(hù)層出現(xiàn)交聯(lián)的聚合物與添加劑分離的相分離問題，且由此得到的保護(hù)層變得在有機(jī)溶劑中可溶。因此，以保護(hù)層涂布液中包括的固體組分的總重量計，添加劑的添加量優(yōu)選不大于20%重量。此外，為了不降低交聯(lián)密度，以可自由基聚合的三或更多官能單體的重量計，保護(hù)層涂布液中的單或雙官能單體、反應(yīng)性低聚物和反應(yīng)性聚合物的總添加量優(yōu)選地不大于20%重量。尤其是，當(dāng)具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的雙或更多官能單體的添加量太大時，具有龐大結(jié)構(gòu)的單元結(jié)合到保護(hù)層中，同時該單元與保護(hù)層的多個鏈連接，由此在保護(hù)層中產(chǎn)生應(yīng)變，導(dǎo)致在保護(hù)層中形成微交聯(lián)材料的聚集體。該保護(hù)層在有機(jī)溶劑中可溶。具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的雙官能或更多官能單體的添加量可依據(jù)所用單體的種類確定，但是以保護(hù)層中包括的具有電荷傳輸結(jié)構(gòu)的可自由基聚合的單官能單體的重量計，所述添加量通常不大于10%重量。當(dāng)具有低揮發(fā)速度的有機(jī)溶劑用于保護(hù)層涂布液時，出現(xiàn)以下問題涂層中殘留的溶劑對保護(hù)層的交聯(lián)有負(fù)面影響；且CTL中包括的大量組分遷移到保護(hù)層中，導(dǎo)致交聯(lián)密度降低或形成不均勻交聯(lián)的保護(hù)層(即，交聯(lián)保護(hù)層變得在有機(jī)溶劑中可溶)。因此，優(yōu)選使用溶劑，諸如四氫呋喃、四氫呋喃和甲醇的混合溶劑、乙酸乙酯、丁酮和乙基溶纖劑。優(yōu)選的是根據(jù)所使用的涂布方法在這些溶劑中選擇一種或多種適當(dāng)?shù)娜軇?。?dāng)保護(hù)層涂布液的固體含量太低時，發(fā)生相似的問題。固體含量的上限依據(jù)保護(hù)層的目標(biāo)厚度和保護(hù)層涂布液的目標(biāo)粘度確定，后者依據(jù)使用的涂布方法確定，但是通常，保護(hù)層涂布液的固體含量優(yōu)選為10到50%重量。用于制備該交聯(lián)的保護(hù)層的合適的涂布方法包括以下方法其中涂層中包括的溶劑的重量盡可能低，以及在涂層中的溶劑與將涂布液涂布到其上的CTL接觸的時間盡可能短。該涂布方法的具體實例包括噴涂法和環(huán)涂法，其中控制涂層的重量使其較輕。此外，為了控制迀移到保護(hù)層中的CTL的組分的量使其盡可能小，優(yōu)選對CTL使用電荷傳輸聚合物和/或在CTL和保護(hù)層之間形成幾乎不溶于用于保護(hù)層涂布液的溶劑的中間層。當(dāng)在交聯(lián)過程中熱和輻射能低時，涂層不完全交聯(lián)。在這種情況中，得到的層在有機(jī)溶劑中可溶。相反，當(dāng)能量太高時，進(jìn)行的是不均勻交聯(lián)，導(dǎo)致未交聯(lián)部分或自由基封端的部分增加，或形成微交聯(lián)材料的聚集體。在這種情況中，得到的保護(hù)層在有機(jī)溶劑中可溶。為了使保護(hù)層在有機(jī)溶劑中不溶，交聯(lián)條件優(yōu)選如下加熱交聯(lián)條件溫度100到170°C加熱時間IO分鐘到3小時UV光交聯(lián)條件照明強度50到1000mW/cm2輻射時間5秒到5分鐘涂布材料的溫度50°C或更低當(dāng)將具有三個丙烯酰氧基的丙烯酸酯單體和具有一個丙烯酰氧基的三芳基胺化合物用于保護(hù)層涂布液時，為了使保護(hù)層在有機(jī)溶劑中不溶，丙烯酸酯單體(A)與三芳基胺化合物(T)的重量比(A/T)優(yōu)選為7/3到3/7。聚合引發(fā)劑的添加量優(yōu)選為3到20%重量，以丙烯酸酯單體(A)和三芳基胺化合物(T)的總重量計。此外，優(yōu)選向涂布液中添加適當(dāng)溶劑。如果其上涂布保護(hù)層涂布液的CTL由三芳基胺化合物(作為CTM)和聚碳酸酯樹脂(作為粘合劑樹脂)形成，且保護(hù)層涂布液通過噴涂法涂布，那么保護(hù)層涂布液的溶劑優(yōu)選選自四氫呋喃、2-丁酮和乙酸乙酯。以每100重量份的丙烯酸酯單體(A)計，該溶劑的添加量優(yōu)選為300到1000重量份。在制備保護(hù)層涂布液之后，采用噴涂法將涂布液涂布到鼓的外圍表面，該鼓包括例如，鋁圓筒和內(nèi)涂層(undercoat)，在鋁圓筒上形成的CGL和CTL。然后使該涂層自然干燥，隨后在相對低溫(25到80°C)下干燥一小段時間(1到10分鐘)。然后將該干燥的層加熱或曝光于UV光以進(jìn)行交聯(lián)。當(dāng)采用UV光實施交聯(lián)時，優(yōu)選使用金屬鹵化物燈。在這種情況中，UV光的照明強度優(yōu)選50mW/cm2到1000mW/cm2。如果使用發(fā)射200mW/cm2UV光的多個UV燈，優(yōu)選的是多個燈利用UV光沿著已涂布的鼓的外圍表面均勻輻射該涂層約30秒。在這種情況中，控制鼓的溫度以使其不超過50。C。當(dāng)實施熱交聯(lián)時，溫度優(yōu)選為100到170°C，加熱器件優(yōu)選為具有鼓風(fēng)機(jī)的爐子。當(dāng)加熱溫度為150°C時，加熱時間優(yōu)選20分鐘到3小時。優(yōu)選的是在交聯(lián)操作之后，在100到150°C下加熱這樣制備的感光體10分鐘到30分鐘以去除保護(hù)層中殘留的溶劑。這樣，制備本發(fā)明的感光體(即，圖像承載體)。此外，在保護(hù)層中通過諸如濺射的真空成膜法形成無定形碳層或無定形SiC層，這樣的保護(hù)層也可用于本發(fā)明的感光體。當(dāng)保護(hù)層形成為感光體的最外層時，有這樣的情況如果保護(hù)層大量吸收放電光時，放電光幾乎不能到達(dá)感光層，導(dǎo)致殘余電位增加和保護(hù)層變差。因此，該保護(hù)層對于放電光優(yōu)選具有不小于30%的透射率，更優(yōu)選不小于50%，進(jìn)一步優(yōu)選不小于85%。如上述，通過將電荷傳輸聚合物用于CTL禾口/或形成保護(hù)層作為最外層，可提高感光體的耐久性。此外，當(dāng)該感光體用于下述串連型全色圖像形成裝置時，可產(chǎn)生新的效果。在用于本發(fā)明的感光體中，下面的抗氧化劑可添加到保護(hù)層、CTL、CGL、電荷阻擋層、抗波紋層等中以提高抵擋環(huán)境條件(尤其，避免敏感性受損和殘余電位的增加)的穩(wěn)定性。用于感光體的層的合適的抗氧化劑包括下面的化合物，但不限于此。(a)酚化合物2,6-二叔丁基-對-甲酚、丁基化羥基苯甲醚、2,6-二叔丁基-4-乙基苯酚、正十八烷基-3-(4'-羥基-3'，5'-二叔丁基酚)、2，2'-亞甲基-雙-(4-甲基-6-叔丁基酚)、2，2'_亞甲基-雙-(4-乙基-6-叔丁基酚)、4，4'-硫代雙-(3-甲基-6-叔丁基酚)、4，4'-亞丁基雙-(3-甲基-6-叔丁基酚)、1，1，3-三-(2-甲基-4-羥基-5-叔丁基苯基)丁垸、1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二-叔丁基-4-羥基苯甲基)苯、四_[亞甲基-3-(3'，5'-二-叔丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯]甲垸、雙[3，3'-雙(4'-羥基-3'-叔丁基苯基)丁酸]乙二醇酯、維生素E化合物等。(b)對苯二胺化合物N-苯基-N'-異丙基-對-苯二胺、N，N'-二仲丁基-對-苯二胺、N-苯基-N-仲丁基-對-苯二胺、N,N'-二異丙基-對-苯二胺、N，N'-二甲基-N，N'-二叔丁基-對-苯二胺等。(c)氫醌化合物2,5-二叔辛基氫醌、2，6-雙十二烷基氫醌、2-十二烷基氫醌、2-十二烷基-5-氯代氫醌、2-叔辛基-5-甲基氫醌、2-(2-十八烷基)-5-甲基氫醌等。(d)含硫有機(jī)化合物雙十二烷基-3，3'-硫代二丙酸酯、雙十八垸基-3，3'-硫代二丙酸酯、雙十四垸基-3，3'-硫代二丙酸酯等。(e)含磷有機(jī)化合物三苯基膦、三(壬基苯基)膦、三(二壬基苯基)膦、三甲苯基膦、三(2，4-二丁基苯氧基)膦等。這些化合物己用作橡膠、樹脂和油以及脂肪的抗氧化劑，且商業(yè)上可購得。層中抗氧化劑的含量以層的總重量計為0.01到10%重量。當(dāng)形成全色圖像時，生成各種圖案的彩色圖像。在這種情況中，對感光體的所有部分進(jìn)行成像處理，諸如成像輻射以及顯影。相反，存在有定影彩色圖像(諸如批準(zhǔn)的印記)的原始文件。批準(zhǔn)的印記通常位于文件的邊緣部分，且其色彩有限。當(dāng)該圖像形成在感光體上時，感光體的特定部分主要用于其成像。在這種情況中，該部分比感光體的其它部分損壞得快。如果對此使用耐久性不夠(即，物理、化學(xué)和機(jī)械耐久性不夠)的感光體時，易出現(xiàn)圖像問題。然而，用于本發(fā)明的感光體有好的耐久性，且因此幾乎不導(dǎo)致該圖像問題。靜電潛像形成裝置在圖像載體(即，感光體)利用充電器充電之后，曝光器利用成像光輻射充電的感光體以在感光體上形成靜電潛像，其中充電器和曝光器用作靜電潛像形成裝置。該靜電潛像形成裝置通常包括充電器和曝光器，充電器設(shè)置為對感光體均勻充電。不具體限制用于本發(fā)明的圖像形成裝置的充電器，可使用公知的充電器。其具體實例包括接觸式充電器(舉例來說，導(dǎo)電或半導(dǎo)電輥，刷，薄膜和橡膠刀)；短程充電器，其充電部件在100Um量級的間隙對感光體充電；非接觸式充電器，諸如有電暈放電的充電器(舉例來說，電暈管和scorotron)等。通過充電器在感光體上形成的電場強度優(yōu)選為20到60V/um，且更優(yōu)選30至lj50V/um。在這點上，電場越強，得到的圖像具有的點再現(xiàn)性越好。然而，當(dāng)電場強度太高時，出現(xiàn)以下問題，感光體出現(xiàn)電介質(zhì)擊穿和載流子顆粒黏附到靜電潛像上。電場強度(E)由以下等式表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula>其中SV表示顯影部分處感光體的非光照部分的電位(V);且G表示感光體的感光層厚度，感光層至少包括CGL和CTL。圖像曝光采用曝光器，利用成像光通過輻射充電的感光體來實施?？墒褂霉钠毓馄?，且選擇適當(dāng)?shù)钠毓馄饔糜谑褂帽景l(fā)明的調(diào)色劑的圖像形成裝置。其具體實例包括用于復(fù)印機(jī)讀取圖像的光學(xué)系統(tǒng)；采用棒形透鏡陣列的光學(xué)系統(tǒng)；采用激光器的光學(xué)系統(tǒng)和采用液晶快門的光學(xué)系統(tǒng)。從感光體的后側(cè)輻射感光體是可能的。用于曝光器的光源的具體實例包括發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)和場致發(fā)光器件(EL)。公開待審的日本專利申請No.9-275242、9-189930和5-313033公開了一種采用非線性光學(xué)材料通過二次諧波生成技術(shù)(secondharmonicgeneration,SHG)將激光束波長降低到一半的方法。該方法可使用壽命長并能產(chǎn)生大功率的GaAsLD和YAG激光器。寬間隙半導(dǎo)體可以制造比采用二次諧波生成技術(shù)(SHG)的設(shè)備更小的圖像形成裝置。因為其高發(fā)光效率，已經(jīng)研究了在公開待審的日本專利申請No.7-321409和6-334272中公開的采用ZnSe半導(dǎo)體的LD，和公開待審的日本專利申請No.8-88441和7-335975中公開的GaN半導(dǎo)體。此外，近來，Nichia公司已使采用GaN半導(dǎo)體和發(fā)射具有405nra波長光的LD進(jìn)入實際應(yīng)用，該LD遠(yuǎn)比上述材料高級且可用于本發(fā)明。此外，也可使用市售的采用上述材料的LED燈。目前，還沒有對短于約350nm的波長的光完全透明的CTM。這是因為幾乎所有CTM均含有具有約300到350nm的吸收端的三芳基胺結(jié)構(gòu)。因此，如果CTM更透明，用于本發(fā)明的光源將可發(fā)射更短波長的光。靜電潛像(和調(diào)色劑圖像)的析像度依賴于圖像寫入光的析像度。即，更高的圖像寫入光的析像度，得到的靜電潛像就有更好的析像度。然而，當(dāng)圖像寫入光的析像度高時，花費長時間寫入圖像。當(dāng)僅有一種光源用于圖像寫入時，圖像處理速度(即，圖像載體的速度)依賴于圖像寫入速度。因此，當(dāng)僅有一種光源用于圖像寫入時，析像度的上限為約1,200dpi(每英寸點數(shù))且優(yōu)選2，400dpi。當(dāng)使用多個光源(n個)，析像度的上限為l,200(或2，400)dpixn。在這些光源中，優(yōu)選使用LED和LD。圖像顯影裝置釆用包括調(diào)色劑的顯影劑利用圖像顯影裝置使感光體上形成的靜電潛像顯影，且在感光體上形成調(diào)色劑圖像。在這點上，通常使用負(fù)性一正性顯影方法。因此使用具有與感光體上形成的電荷極性相同的調(diào)色劑。僅包括調(diào)色劑的單組分顯影劑和包括調(diào)色劑和載體的雙組分顯影劑均可用于本發(fā)明的圖像形成裝置。在本發(fā)明中，關(guān)鍵的是感光體上給定的任意一點從曝光器移動到顯影器的時間(曝光-顯影時間)不大于50msec。轉(zhuǎn)印裝置轉(zhuǎn)印裝置將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到接收材料上。該轉(zhuǎn)印方法分為直接轉(zhuǎn)印法，其中調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印到接收材料上；和間接轉(zhuǎn)印法，其中將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印介質(zhì)(一次轉(zhuǎn)印)，然后轉(zhuǎn)印到接收材料(二次轉(zhuǎn)印)上。兩種轉(zhuǎn)印方法均可用于本發(fā)明的圖像形成裝置。當(dāng)生成高析像度的圖像時，優(yōu)選使用直接轉(zhuǎn)印方法。當(dāng)轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像時，通常利用包括在轉(zhuǎn)印設(shè)備中的轉(zhuǎn)印裝置充電器對感光體充電。不限制該轉(zhuǎn)印裝置，且也可使用公知的轉(zhuǎn)印裝置，諸如轉(zhuǎn)印帶和轉(zhuǎn)印輥。本發(fā)明的圖像形成裝置的合適的轉(zhuǎn)印裝置(一次和二次轉(zhuǎn)印裝置)包括這樣的轉(zhuǎn)印裝置，該轉(zhuǎn)印裝置對調(diào)色劑圖像充電以使其容易地轉(zhuǎn)印到接收材料上。轉(zhuǎn)印裝置的具體實例包括電暈-電荷轉(zhuǎn)印裝置、轉(zhuǎn)印帶、轉(zhuǎn)印輥、壓力轉(zhuǎn)印輥、黏附轉(zhuǎn)印裝置等。該轉(zhuǎn)印裝置可以是一個或多個。不具體限制該接收材料，可使用公知的接收材料，諸如紙張和薄膜。合適的轉(zhuǎn)印充電器包括轉(zhuǎn)印帶充電器和轉(zhuǎn)印輥充電器。在這點上，考慮到生成的臭氧的量，優(yōu)選使用接觸型轉(zhuǎn)印帶充電器和轉(zhuǎn)印輥充電器。電壓恒定型充電方法和電流恒定型充電方法均可用于本發(fā)明，但是優(yōu)選使用電流恒定型充電方法，因為可施加恒定的轉(zhuǎn)移電荷且由此可穩(wěn)定地進(jìn)行充電。如上述，在一個成像循環(huán)中通過感光體的電荷量很大程度上依據(jù)轉(zhuǎn)印過程之后感光體的殘余電位而改變。即，感光體具有的殘余電位越高，感光體損壞得就越快。在這點上，電荷量意味著在感光體厚度方向內(nèi)通過的電荷量。特別地，利用主充電器對感光體進(jìn)行(負(fù))充電使其具有預(yù)定電位。然后在充電的感光體上實施成像光輻照。在這種情況中，感光體的亮部分生成光載體，且由此感光體表面上的電荷衰減。在這種情況中，對應(yīng)于載體生成量的電流在感光體的厚度方向內(nèi)流動。相反，在顯影和轉(zhuǎn)印過程(以及任選的清潔過程)之后將感光體非亮部分送到放電位置。如果在緊接著充電過程之后非亮部分的電位接近其電位，那么在放電過程中電荷通過感光體，該電荷量幾乎與成像光輻照過程中通過感光體的電荷量相同。通常，要生成的圖像在圖像區(qū)域有小的凸出部分，且因此在一個成像循環(huán)中幾乎所有電荷在放電過程中都通過感光體。假如圖像區(qū)域的凸出部分為10%，那么90%的電流在放電過程中流動。如果組成感光體的材料由電荷損壞，那么感光體的靜電特性很大程度上受通過感光體的電荷影響。特別地，感光體的殘余電位依據(jù)通過感光體的電荷量而增加。如果殘余電位增加，那么當(dāng)使用負(fù)性一正性顯影方法時將出現(xiàn)得到的調(diào)色劑圖像的圖像密度降低的問題。因此，為了延長感光體的壽命，不得不降低穿過感光體的電荷量。建議在不實施放電過程的情況下進(jìn)行成像。在這種情況中，無法對感光體的所有部分均勻地充電(結(jié)果形成重影)，除非使用大功率的充電器。為了降低通過感光體的電荷量，優(yōu)選在不使用光的情況下對感光體上的電荷放電。因此，通過控制轉(zhuǎn)印偏壓降低感光體上的非亮部分的電位是有效的。特別地，優(yōu)選在放電過程之前，將感光體的非亮部分的電位降低到約(-)ioov(優(yōu)選ov)。在這種情況中，可降低通過感光體的電荷量。更優(yōu)選對感光體充電以使其具有與在主充電過程中在感光體上形成的電荷極性相反的電位，因為在這種情況中不生成光載體。然而，在這種情況中出現(xiàn)以下問題調(diào)色劑圖像分散且感光體無法充電以具有預(yù)定電位，除非使用大功率的充電器作為主充電器。因此，轉(zhuǎn)印過程之后感光體的電位優(yōu)選不大于ioov。定影裝置當(dāng)轉(zhuǎn)印多個顏色的圖像以形成多色(或全色)圖像時，定影操作可在各彩色圖像上或在重疊的彩色圖像上實施。公知的定影裝置可用于本發(fā)明的圖像形成裝置中。在這些定影裝置中，優(yōu)選使用包括加熱輥和壓力輥的組合，或加熱輥、壓力輥以及環(huán)形帶的組合的熱/壓定影設(shè)備。加熱部件的溫度優(yōu)選為80到200°C。定影裝置不限于此，且可使用公知的光定影裝置。除電裝置用于本發(fā)明的圖像形成裝置的除電裝置不具體限制，且可以為公知的設(shè)備諸如熒光燈、鎢燈、鹵化物燈、汞燈、鈉燈、以及氙燈、LED、LD以及EL?？墒褂媚苓x擇性地獲得具有理想波長的光的光學(xué)濾波器，諸如銳截止(sharp-cut)濾波器、帶通濾波器、近紅外切割濾波器(near-infraredcuttingfilter)、二向色濾波器、干涉濾波器以及色溫轉(zhuǎn)換濾波器。其它本發(fā)明的圖像形成裝置可包括清潔器，它去除感光體表面上殘留的調(diào)色劑顆粒，甚至在轉(zhuǎn)印過程之后也是如此。該清潔器不具體限制，且可使用公知的清潔器，諸如磁清潔刷、靜電清潔刷、磁清潔輥、葉片清潔器、清潔刷以及清潔網(wǎng)。本發(fā)明的圖像形成裝置可包括調(diào)色劑再循環(huán)器，它將由清潔器收集的調(diào)色劑顆粒送到圖像顯影裝置。不具體限制該調(diào)色劑再循環(huán)器，并且為此可使用粉末加料器。本發(fā)明圖像形成裝置可包括控制上述過程的控制器。為此可使用任何公知的控制器，諸如程序裝置和計算機(jī)。以下將參照附圖解釋本發(fā)明圖像形成裝置。圖9是說明圖像形成裝置實施方案的示意圖。該圖像形成裝置包括感光體1，該感光體1包括至少一個導(dǎo)電基底、疊置在基底上的包括有機(jī)CGM的CGL、以及疊置在CGL上的CTL。盡管感光體1具有鼓狀，但其形狀不限于此且可使用片狀和環(huán)帶狀的感光體。另外，關(guān)鍵是感光體上給定的任一點從曝光裝置的正前方運動到顯影器的正前方所用的時間不大于50msec。在感光體l的周圍與其接觸或鄰近地設(shè)置放電燈2，其使感光體1上殘留的電荷放電；充電器3，其對感光體1充電；曝光器5，其利用成像光輻射感光體1以在感光體l上形成靜電潛像；圖像顯影裝置6，其利用調(diào)色劑使?jié)撓耧@影以在感光體l上形成調(diào)色劑圖像；以及清潔器，其包括清潔感光體l表面的毛刷14和清潔鏟15。在感光體l上形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到接收紙9上，該紙張在轉(zhuǎn)印裝置(即，一對轉(zhuǎn)印充電器IO和分離充電器11)處由一對對準(zhǔn)輥8供應(yīng)。在其上具有調(diào)色劑圖像的接收紙9通過分離爪12與感光體1分開。作為充電器3，優(yōu)選使用金屬絲充電器和輥充電器。當(dāng)需要高速度充電時，優(yōu)選使用scorotron充電器。對于小型圖像形成裝置和串聯(lián)型圖像形成裝置，優(yōu)選使用輥充電器，因為通過充電形成的如N0x和S0x的酸性氣體以及臭氧的量小。通過充電器在感光體上形成的電場強度優(yōu)選不小于20V/um。在這點上，電場強度越大，得到的圖像所具有的點再現(xiàn)性更好。然而，當(dāng)電場強度太高時，出現(xiàn)感光體導(dǎo)致電介質(zhì)擊穿以及載流子顆粒黏附到靜電潛像上的問題。因此，電場強度優(yōu)選不大于60V/um，且更優(yōu)選不大于50V/um。用于曝光器5的合適的光源包括有高強度光源和發(fā)射具有短于450nm波長的寫入光(中間層內(nèi)的金屬氧化物不吸收)的發(fā)光二極管(LED)，激光二極管(LD)以及場致發(fā)光器件(EL)。靜電潛像(和調(diào)色劑圖像)的析像度依賴于圖像寫入光的析像度。即，圖像寫入光的析像度越高，得到的靜電潛像具有的析像度更好。然而，當(dāng)圖像寫入光的析像度高時，要花費長時間寫入圖像。當(dāng)僅有一種光源用于圖像寫入時，圖像處理速度(即，圖像載體的速度)依賴于圖像寫入速度。因此，當(dāng)僅有一種光源用于圖像寫入時，析像度的上限約為1，200dpi(每英寸點數(shù))。當(dāng)使用多個光源(n個)時，析像度的上限基本為1,200dpixn。在這些光源中，優(yōu)選使用LED和LD，因為它們具有高照明能。特別是，面發(fā)光激光由于可以同時進(jìn)行多點的寫入，所以適宜于進(jìn)行高密度寫入的圖像形成裝置。顯影裝置6包括至少一個顯影套筒(developingsleeve)。該顯影設(shè)備利用包括調(diào)色劑的顯影劑通過負(fù)性一正性顯影方法使感光體上形成的靜電潛像顯影。目前的數(shù)字圖像形成裝置采用負(fù)性一正性顯影方法，其中調(diào)色劑黏附到亮部分，因為原圖像的圖像區(qū)域的凸出部分低，且因此考慮到曝光器的壽命，對于光輻射設(shè)備優(yōu)選利用光輻射感光體的圖像部分。關(guān)于顯影劑，對于本發(fā)明的圖像形成裝置可使用僅包括調(diào)色劑的單組分顯影劑，也可使用包括調(diào)色劑和載體的雙組分顯影劑。關(guān)于轉(zhuǎn)印充電器10，也可以對其使用轉(zhuǎn)印帶和轉(zhuǎn)印輥。具體地，優(yōu)選使用接觸式轉(zhuǎn)印帶和轉(zhuǎn)印輥，因為在轉(zhuǎn)印過程中臭氧生成量少。在本發(fā)明中可使用電壓恒定型充電方法和電流恒定型充電方法，但是優(yōu)選使用電流恒定型充電方法，因為可施加恒定的轉(zhuǎn)印電荷，由此可穩(wěn)定地實施充電。在轉(zhuǎn)印過程中，當(dāng)從電源對轉(zhuǎn)印裝置施加電壓時，優(yōu)選在轉(zhuǎn)印過程中通過轉(zhuǎn)印部件控制感光體中的電流。由于電荷的施加，轉(zhuǎn)印電流流動以從感光體上去除調(diào)色劑并將調(diào)色劑轉(zhuǎn)印到接收材料上，該調(diào)色劑通過靜電黏附到感光體上。為了防止部分調(diào)色劑圖像未被轉(zhuǎn)印的轉(zhuǎn)印問題的發(fā)生，增加轉(zhuǎn)印電流。然而，當(dāng)使用負(fù)性一正性顯影方法時，在轉(zhuǎn)印過程中施加與在感光體上形成的電荷極性相反的電壓，且由此感光體經(jīng)歷嚴(yán)重的靜電疲勞。在該轉(zhuǎn)印過程中，轉(zhuǎn)印電流越高，調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印效率越好，但是如果電流大于閾值時，在感光體和接收材料之間發(fā)生放電現(xiàn)象，導(dǎo)致形成發(fā)散的調(diào)色劑圖像。因此，優(yōu)選控制轉(zhuǎn)印電流使其不超過閾值電流。該閾值電流依據(jù)感光體的材料和接收材料之間的距離以及組成感光體和接收材料的因素而改變，但是通常為約200UA以防止放電現(xiàn)象的發(fā)生。轉(zhuǎn)印方法分為直接轉(zhuǎn)印法，其中調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印到接收材料上；和間接轉(zhuǎn)印法，其中調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印介質(zhì)(一次轉(zhuǎn)印)上，然后轉(zhuǎn)印到接收材料上(二次轉(zhuǎn)印)。兩種轉(zhuǎn)印方法都可用于本發(fā)明的圖像形成裝置。如上所述，優(yōu)選的是控制轉(zhuǎn)印電流以降低感光體未輻射部分的電位，其導(dǎo)致在一次成像循環(huán)中通過感光體的電荷量降低。用于除電裝置2的合適的光源包括，諸如熒光燈、鎢燈、鹵化物燈、汞燈、鈉燈和氤燈的公知光源，以及LED、LD和EL，尤其是發(fā)射具有中間層包括的金屬氧化物不吸收的波長的光?？墒褂媚苓x擇性獲得具有理想波長的光的光學(xué)濾波器，諸如銳截止濾波器、帶通濾波器、近紅外切割濾波器、二向色濾波器、干涉濾波器以及色溫轉(zhuǎn)換濾波器。圖9中清潔器采用毛刷和清潔鏟，但是清潔可僅通過清潔刷實施。對于清潔刷，可使用公知的刷，諸如毛刷和磁毛刷。圖10是說明本發(fā)明的圖像形成裝置(即，串聯(lián)型圖像形成裝置)的另一個實施方案的示意圖。在圖9中，串聯(lián)型圖像形成裝置具有黃色成像單元25Y、品紅色成像單元25M、青色成像單元25C和黑色成像單元25K。鼓狀感光體16Y、16M、16C和16K以各自箭頭表示的方向旋轉(zhuǎn)，該感光體為上述的感光體并且各自在CGL中至少包括有機(jī)CGM，且在CTL中包括至少一種具有結(jié)構(gòu)式(I)到(IV)的電荷傳輸材料。在感光體16Y、16M、16C和16K周圍以順時針方向分別依次設(shè)置充電器17Y、17M、17C禾口17K;曝光器18Y、18M、18C禾卩18K;顯影設(shè)備19Y、19M、19C和19K;清潔器20Y、20M、20C和20K以及除電裝置27Y、27M、27C和27K。作為充電器，優(yōu)選使用上述充電器，該充電器可均勻地對感光體的表面充電。在充電器和圖像顯影裝置之間的點處，該曝光器18Y、l腦、18C禾Q18K利用激光束輻射各自感光體的表面以在各自的感光體上形成靜電潛像。該四個成像單元25、25M、25C和25K沿著轉(zhuǎn)印帶22設(shè)置。在位于各自的圖像顯影裝置和各自的清潔器之間的圖像轉(zhuǎn)印點處，轉(zhuǎn)印帶22與各自的感光體16接觸以接收在感光體上形成的彩色圖像。在轉(zhuǎn)印帶22的圖像轉(zhuǎn)印點的背面，設(shè)置轉(zhuǎn)印刷21Y、21M、21C和21K以對轉(zhuǎn)印帶22施加轉(zhuǎn)印偏壓。除了調(diào)色劑的顏色彼此不同之外，成像單元具有基本相同的配置。將參照圖io解釋該成像過程。首先，在每個成像單元25Y、25M、25C和25K中，沿箭頭表示的方向旋轉(zhuǎn)的感光體16Y、16M、16C和16K用充電器17Y、17M、17C和17K充電，以使其具有20到60V/um的電場，且優(yōu)選為20到50V/um。然后曝光器18Y、18M、18C和18K用短于450nm波長的、中間層內(nèi)的金屬氧化物不吸收的成像激光束輻射感光體16Y、16M、16C和16K以在每個感光體上形成靜電潛像，該潛象通常具有不小于1，200dpi(且優(yōu)選不小于2,400dpi)的析像度。然后利用顯影設(shè)備19Y、19M、19C和19K采用黃色、品紅色、青色或黑色調(diào)色劑使在感光體上形成的靜電潛像顯影以在各自的感光體上形成不同顏色的調(diào)色劑圖像。將這樣制備的彩色調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到接收材料26上，該接受材料從紙盤供應(yīng)給一對對準(zhǔn)輥23并通過對準(zhǔn)輥23及時地供應(yīng)給轉(zhuǎn)印帶22。在每個感光體16Y、16M、16C和16K與接收材料26的接觸點處(即，轉(zhuǎn)印位置)將感光體上的各調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到接收材料26上。各感光體上的調(diào)色劑圖像因電場轉(zhuǎn)印到接收材料26上，該電場因為施加給轉(zhuǎn)印部件21Y、21M、21C和21K的轉(zhuǎn)印偏壓和各自的感光體16Y，16M，16C和16K的電位之間的差而形成。在通過四個轉(zhuǎn)印位置之后，其上具有彩色調(diào)色劑圖像的接收材料26接著傳輸?shù)蕉ㄓ把b置24，以將彩色調(diào)色劑圖像定影到接收材料26上。然后接收材料26從圖像形成裝置的主體中排出。殘留在感光體上的調(diào)色劑顆粒，甚至在轉(zhuǎn)印過程之后仍然殘留的顆粒由各自的清潔器20Y、20M、20C和20K收集。然后放電器件27Y、27M、27C禾n27K從各自的感光體16Y、16M、16C和16K上去除殘余電位，使得感光體16Y、16M、16C和16K為下次成像操作準(zhǔn)備。在圖像形成裝置中，成像單元25Y、25M、25C和25K在進(jìn)紙方向上以所述順序設(shè)置，但是該順序不限于此。此外，生成黑色圖像時，可停止除了感光體16K之外的感光體16Y、16M和16C的運行。如上述，感光體16優(yōu)選具有不高于100V(g卩，當(dāng)由主充電器對感光體進(jìn)行負(fù)充電時為-100V)的電位。更優(yōu)選地，當(dāng)由主充電器對感光體進(jìn)行負(fù)充電時，對感光體充電以使其在轉(zhuǎn)印過程中具有不低于+100V的電位(g卩，具有與感光體上形成的電荷極性相反的IOOV)。在這種情況中，可很好地防止發(fā)生殘余電位增加的問題。上述成像單元可固定地設(shè)置在圖像形成裝置中，如復(fù)印機(jī)、傳真和打印機(jī)中。然而，該成像單元也可設(shè)置在如處理盒中。該處理盒指成像單元，其至少包括上述感光體和一個或多個充電設(shè)備；光輻射設(shè)備；顯影設(shè)備；轉(zhuǎn)印設(shè)備；清潔設(shè)備以及放電設(shè)備。圖11是說明本發(fā)明的處理盒的實施方案的示意圖。在圖10中，處理盒包括感光體101，其由感光層形成，該感光層在基底上至少包括一個包括金屬氧化物的中間層、包括有機(jī)CGM的CGL以及包括電荷傳輸材料的CTL。充電器102對感光體101充電，光輻射設(shè)備103利用具有短于450nm波長的中間層內(nèi)的金屬氧化物不吸收的成像光輻射感光體101以在感光體IOI上形成靜電潛像。包括顯影套筒的顯影設(shè)備104利用調(diào)色劑使?jié)撓駡D像顯影，圖像轉(zhuǎn)印設(shè)備106將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到接收紙105上，清潔設(shè)備107清潔感光體IOI的表面，且放電設(shè)備108使感光體101放電。在已概括地描述了本發(fā)明的情況下，通過參照本申請?zhí)峁┑哪承┚唧w的實施例可進(jìn)一步理解本發(fā)明，該實施例僅用于解釋的目的而不意在限制。在下面實施例的描述中，除非另外限定，份為重量份，其比為重量比。實施例首先，將解釋用于本發(fā)明的合成偶氮顏料和酞菁氧鈦晶體的方法。根據(jù)公開審査的日本專利申請No.60-29109和日本專利號3026645公開的方法制備該偶氮顏料。根據(jù)公開待審的日本專利2004-83859公開的方法制備酞菁氧鈦晶體。酞菁氧鈦(titanylphthalocyanine)b1j體的合成(合成實施例1)通過公開待審的日本專利申請?zhí)?00卜19871的合成實施例1公開的方法制備酖菁氧鈦晶體。具體地，首先混合29.2g的1，3-二亞氨基異二氫H引哚和200ml的環(huán)丁砜。然后在氮氣流下將20.4g的四丁氧基鈦滴入到混合物中。然后將該混合物加熱到180°C且在攪拌的同時在170到180°C的溫度下反應(yīng)5小時。在反應(yīng)之后，冷卻反應(yīng)產(chǎn)物，隨后過濾。利用氯仿清洗這樣制備的濕濾餅，直到該濾餅顏色變藍(lán)。然后用甲醇洗滌濾餅數(shù)次，隨后用加熱到80°C的熱水洗滌數(shù)次并干燥。這樣，制得粗品酞菁氧鈦。將一份這樣制備的粗品酞菁氧鈦滴入20份濃硫酸中以使其在其中溶解。將該溶液滴入到100份的冰水中同時攪拌，以使酞菁氧鈦顏料沉淀。通過過濾獲得該顏料。利用具有7.0的pH和1.0uS/cm比電導(dǎo)的離子交換水清洗該顏料，直到濾液呈中性。在這種情況中，濾液的pH和比電導(dǎo)為6.8和2.6"S/cm。這樣，獲得酞菁氧鈦顏料的含水膏狀物。將四十(40)克的這樣制備的酞菁氧鈦顏料的含水膏狀物加入到200g的四氫呋喃(THF)中并將該混合物攪拌約4小時，該膏狀物具有15%重量的固體含量。酞菁氧鈦顏料與晶體交換溶劑(即，THF)的重量比為1/33。然后過濾該混合物，并且將濕濾餅干燥以制備酞菁氧鈦粉末(顏料1)。為此所使用的材料不包括鹵代化合物。當(dāng)采用RigakuCorp.的市售的X-射線衍射分析儀RINT1100在下述條件下對這樣制備的酞菁氧鈦粉末進(jìn)行X-射線衍射分析時，證實酞菁氧鈦粉末具有這樣的X-射線衍射光譜，在27.2±0.2°的布拉格(Bragg)(29)角處觀察到最大峰，7.3±0.2°角處有最低峰，在9.4±0.2°、9.6±0.2°和24.0±0.2°角處分別有主峰，其中在7.3°和9.4°的峰之間和26.3角處未觀察到峰。圖12說明了其X-射線衍射光譜。此外，將一份上述制備的含水膏狀物在5mmHg的減壓下在80°C下干燥2天，以制備酞菁氧鈦顏料，該顏料具有低結(jié)晶度。圖12是酞菁氧鈦顏料的x-射線衍射光譜。X-射線衍射光譜測量條件X-射線管Cu使用的X-射線具有1.542A波長的Cu-Ka電壓50kV電流30mA掃描速度2°/min掃描范圍3°到40°時間常數(shù)2秒將上述合成實施例1中制備的、未經(jīng)過晶體交換處理的酞菁氧鈦顏料的含水膏狀物一份用離子交換水稀釋，使得得到的分散體具有1%重量的固體含量。將該分散體放在150目、由連續(xù)硝棉膠膜和導(dǎo)電碳層覆蓋的銅網(wǎng)上。利用75，000倍放大率的透射電子顯微鏡(HitachiLtd.的H-9000NAR,在下文稱為TEM)觀察該酞菁氧鈦顏料以測量酞菁氧鈦顏料的平均顆粒尺寸。如下述確定其平均粒徑。在TEM中拍攝酞菁氧鈦顏料的顆粒圖像。在照片中酞菁氧鈦顏料的顆粒(針狀顆粒)中，任意選擇30個顆粒以在顆粒的長軸方向內(nèi)測量顆粒的長度。用算術(shù)方法對長度求平均以確定酞菁氧鈦顏料的平均粒徑。結(jié)果，已證實合成實施例1中制備的含水膏狀物中的酞菁氧鈦顏料具有0.06ym的平均粒徑。相似地，利用四氫呋喃稀釋合成實施例1和2中制備的、經(jīng)過晶體交換處理但未過濾的各酞菁晶體，使得得到的分散體具有1%重量的固體含量。采用上述方法確定晶體的平均粒徑。晶體的形狀不均勻并包括三角形、四角形等。因此，將顆粒的最大的對角線長度作為長徑，來進(jìn)行計算。得到的平均粒子徑為0.12陶。(分散體制備實施例1)分散體的配方酞菁氧鈦(顏料l)15聚乙烯醇縮丁醛10(SekisuiChemicalCo"Ltd.的BX-1)2-丁酮280首先，將聚乙烯醇縮丁醛樹脂溶解在溶劑中。該溶液與酞菁晶體混合，且采用VMA-GetzmannGmbH的球磨機(jī)DISPERMATSL-05C1-EX對混合物進(jìn)行30分鐘的分散處理，該球磨機(jī)包括0.5mm直徑的PSZ球且在1200rpm的轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)以制備分散體l。(分散體制備實施例2)以以下配方和條件制備作為CGL涂布液的分散液。分散體的配方具有下式的偶織辦斗5聚乙烯醇縮丁醛2(SekisuiChemicalCo.，Ltd.的BX-l)環(huán)己酮2502-丁酮100首先，將聚乙烯醇縮丁醛樹脂溶解在溶劑中。該溶液與偶氮顏料混合，且利用球磨機(jī)對該混合物進(jìn)行分散處理7天以制備分散體2，該球磨機(jī)包括10mm直徑的PSZ球且在85rpm的轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)該球磨機(jī)。(分散體制備實施例3)除了用具有下式的偶氮顏料代替上述偶氮顏料之外，重復(fù)制備實施例2中的分散體2的制備工藝以制備分散體3。采用粒徑測量儀(HoribaLtd.的CAPA-700)測量在這樣制備的分散體l到3中的顏料的粒徑分布。結(jié)果示于表l。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage79</column></row><table>(感光體制備實施例1)在具有30mm直徑的JIS1050鋁鼓上，涂布下面的中間層涂布液、CGL涂布液和CTL涂布液并逐一干燥以制備多層感光體(感光體1),該感光體具有3.5vim厚的中間轉(zhuǎn)印層、0.5um的CGL和17uni厚的CTL。中間層涂布液的配方表面未處理的銳鈦礦型二氧化鈦112(TitanKogyoK.L的KA-IO，具有0.40um的平均粒徑)醇酸樹脂33.6(DainipponInk&Chemicals,Inc.的BEKKOLITEM6401-50-S，固體含量50%)密胺樹脂18.7(DainipponInk&Chemicals,Inc.的SUPERBEKKAMINL-12卜60，固體含量60%)2-丁酮260CGL涂布液的組成上述制備的分散體l用作CGL涂布液。CTL涂布液的配方聚碳酸酯10(TeijinChemicalsLtd.的TS2050)具有下式的CTM:8<formula>formulaseeoriginaldocumentpage80</formula>二氯甲垸80(感光體制備實施例2)除了在CTL的厚度變?yōu)?7um之外，重復(fù)感光體制備實施例1中感光體1的制備工藝以制備感光體2。(感光體制備實施例3)除了在CTL的厚度變?yōu)?7ura之外，重復(fù)感光體制備實施例1中感光體1的制備工藝以制備感光體2。(感光體制備實施例4)除了在CTL的厚度變?yōu)?5um以及使用以具有下配方的保護(hù)層涂敷液在CTL上形成1um的保護(hù)層之外，重復(fù)感光體制備實施例1中感光體1的制備工藝以制備感光體4。保護(hù)層涂敷液的配方聚碳酸酯10(TeijinChemicalsLtd.的TS2050)具有下式的CTM:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage81</formula>二氯甲烷80a-氧化鋁2(SUMICORUNDUMAA-03由SumitomoChemicalCo.,Ltd.制造)電阻降低劑0.1(BYK-P105由BykChemie制造)環(huán)己酮160四氫呋喃570(感光體制備實施例5)除了將保護(hù)層的厚度變?yōu)?"ra之夕卜，重復(fù)感光體制備實施例4中感光體4的制備工藝以制備感光體5。(感光體制備實施例6)除了將CTL的厚度變?yōu)?5um,以及用具有下列配方的保護(hù)層涂布液在CTL上形成厚為1她保護(hù)層之外，重復(fù)感光體制備實施例1中感光體1的制備工藝以制備感光體6。保護(hù)層涂敷液的配方不含電荷輸送結(jié)構(gòu)的具有三個-或三個以上的官能基的聚合性單體10(三羥甲基丙垸三丙烯酸酯，KAYARADTMPTA，由Ni卯onKayakuCo.，Ltd.制造,分子量(M)為296，具有三個官能基(F)以及(M/F)為99)具有電荷輸送結(jié)構(gòu)并且具有下列結(jié)構(gòu)式的單官能自由基聚合性單體10光聚合引發(fā)劑1(l-羥基環(huán)己基苯基酮，IRGACURE184，由CibaSpecialtyChemicals制造)四氫呋喃100將保護(hù)層用噴涂法進(jìn)行涂布，并使其自然干燥20分鐘。然后，用鹵化金屬燈以160W/cra能量對其進(jìn)行照射使其硬化。硬化的條件如下-..光強度500mW/cm2照射時間60秒(感光體制備實施例7)除了將保護(hù)層的厚度變?yōu)?um之外，重復(fù)感光體制備實施例6中感光體6的制備工藝以制備感光體7。(感光體制備實施例8)除了用厚1.00陶的屏蔽層與在屏蔽層上形成的3.5Wn厚的防波紋層，CTL的厚度變?yōu)?5um，以及用具有下列配方的保護(hù)層涂布液在CTL上形成厚為1Mffl保護(hù)層之外，重復(fù)感光體制備實施例1中感光體1的制備工藝以制備感光體6。電荷屏蔽層涂布液的配方N-甲氧基甲基化尼龍4(FINERESINFR-101由NamariichiCo.，Ltd.制造)甲醇70n-丁醇30防波紋層涂布液配方?jīng)]有進(jìn)行表面處理的銳鈦礦型二氧化鈦126(CR-EL由IshiharaSangyoKaishaLtd.制造，具有0.25陶的平均粒徑)醇酸樹脂25.2(BEKKOLITEM6401-50-S由DainipponInk&Chemicals,Inc.制造，固型份50%)密胺樹脂14.0(SUPERBEKKAMING821-60，由DainipponInk&Chemicals'Inc.制造，固形份為60%)2-丁醇1501-8中的個感光體的轉(zhuǎn)換時間如下進(jìn)行測量。被照射的部分的表面電位用特開2000-275872中公開的裝置,并按以下條件進(jìn)行測量。感光體的線速度262mm/sec副掃描方向的析像度400dpi圖像表面靜態(tài)能0.3mW(曝光量0.4W/cm2)寫入波長780nm除電開帶電條件進(jìn)行控制，使感光體在曝光之前的表面電位為-800V如圖3所示,設(shè)置在顯影位置的表面電位計的位置沿著感光體的圓周方向變換位置,在20-155msec之間，測量10個點的照射-顯影時間。將如此測得的10個點的曝光電位如圖4那樣相對于曝光-顯影時間進(jìn)行構(gòu)圖,求得曲折點以及轉(zhuǎn)換時間。其結(jié)果列于表3。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage85</column></row><table>實施例1將該感光體1設(shè)置在具有圖9所示的單鼓黑圖像形成裝置中。充電裝置是以50um的間隙接近配置的充電棍(僅在棍兩端的非圖像形成領(lǐng)域巻有形成間隙用的帶)。使感光體帶電。光源是使用波長為780nm的4段的具有4個4LD的LDA。析像度為1，200dpi,并使用多棱鏡來進(jìn)行寫入。顯影劑是2組分的，調(diào)色劑的平均粒徑為6.8陶。在感光體上將靜電潛影進(jìn)行顯影以在感光體上形成調(diào)色劑圖像。使用轉(zhuǎn)印帶將調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印紙上。感光體用清潔刮板進(jìn)行清潔，并且使用660mn的LED進(jìn)行除電。各元件的配置是如此配置，即要使分別從圖像曝光光源的照射部(進(jìn)行向感光體寫入的中心)以及顯影套筒的中心向感光體的中心引一條直線而形成的夾角為45°。感光體的線速度為240,/sec,曝光-顯影時間為49msec。初始過程的條件如下感光體的帶電電位-800V(未曝光部分的電位)顯影偏壓-550V(負(fù)-正顯影方法)感光體照射部分的電位-120V(密實圖像)評價項目(1)表面電位(SP)對感光體2-8的每一個都如感光體1那樣進(jìn)行測試。結(jié)果列于表3-1至3-2中。(2)背景臟污(BF)在22°C以及50%朋下，輸出白色密實圖像，觀察是否有背景臟污。將結(jié)果分為以下4個等級。◎:優(yōu)〇良△:差X:很差結(jié)果列于表3-l至3-2中。(3)點的再現(xiàn)性(DOT)生成1點(獨立)圖像，用光學(xué)顯微鏡觀察其外邊沿是否清楚。點的再現(xiàn)性分為以下4級?！?優(yōu)〇良△:差X:很差結(jié)果列于表3-l至3-2中。在上述的評價(1)-(3)結(jié)束后，連續(xù)生成10，000張有字面積為6%的圖像。在生成IO，OOO張后，進(jìn)行重復(fù)上述的評價(I)-(3)。(4)摩擦損失(AL)The測定在進(jìn)行(1)-(3)評價先后的感光體的厚度的差,這也就是感光體的磨損。在感光體的縱向以lcrn的間隔測定數(shù)點的感光體的厚度(具有5cm寬度的兩端除外)，將測定的厚度進(jìn)行平均，結(jié)果列于表3-1至3-2。實施例2-5以及比較例1-3重復(fù)在實施例1中對感光體1進(jìn)行評價的步驟,進(jìn)行感光體1-8的評價。結(jié)果列于表3-1以及3-2.表3-1感光體初始No.SP(-V)BFDOT實施例11120〇◎?qū)嵤├?2125〇◎◎比較例13135〇◎〇實施例34120〇◎◎比較例25140〇◎〇△實施例46125〇◎◎比較例37145〇◎〇△實施例58120◎◎表3-287<table>tableseeoriginaldocumentpage88</column></row><table>如表3-1以及3-2所示，在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間短的場合(實施例1-5),感光體1、2、4、6以及8都具有良好的初始光衰減特性、甚至在反復(fù)使用后也是如此。在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間長的場合，(比較例1-3)，在反復(fù)使用后，電位的有顯著增加。用感光體3、5and7(比較例1-3)產(chǎn)生的黑色密實圖像的圖像密度變差。另外，在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間短的場合(實施例slto5)，感光體l，2，4，6以及8的每一個都有良好的點再現(xiàn)性，并且再反復(fù)使用后也是如此。而在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間長的場合，感光體3，5and7(比較例1-3)產(chǎn)生的圖像的點的再現(xiàn)性變差。進(jìn)一步，感光體8(實施例5)具有包括電荷阻擋呈以及防波紋層的多層的中間層。其具有較少的背景污染，甚至在反復(fù)使用后也是如此。保護(hù)層使可以減少在反復(fù)使用后的磨損以及背景污染。實施例6將感光體1裝在圖11所示的處理合中，該處理合裝在圖10的圖像形成裝置中。充電棍以及50的間隙與感光體靠近配置。由此，對感光體進(jìn)行充電。在感光體的兩端纏有厚50to的間隙形成用帶，由此使僅有感光體的非圖像形成的兩端與充電棍相接觸。在特開No.2004-287085中公開的在其表面可以發(fā)光的激光陣列(有32(8x4)條激光光束，波長為780nm，形式為二維陣列)被用作帶有信息的光源來使感光體曝光，析像度2,400dpi。二組分顯影劑包括調(diào)色劑(黃，品紅，青綠以及黑色，平均粒徑為6.2,)被用來將感光體上的靜電潛影加以顯影，使其成為調(diào)色劑圖像。轉(zhuǎn)印帶將調(diào)色劑直接轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印紙上，。感光體用清潔刮板進(jìn)行清潔,并且使用655nm的LED迸行除電。各元件的配置是如此配置，即要使分別從圖像曝光光源的照射部(進(jìn)行向感光體寫入的中心)以及顯影套筒的中心向感光體的中心引一條直線而形成的夾角為45。。感光體的線速度為240mm/sec，曝光-顯影時間為49mseCo初始過程的條件如下感光體的帶電電位-800V(未曝光部分的電位)顯影偏壓-550V(負(fù)-正顯影方法)感光體照射部分的電位-150V(密實圖像)評價項目(1)表面電位(SP)對感光體2-8的每一個都如感光體1那樣進(jìn)行測試。但是,在圖10的品紅顯影站裝有表面電位儀。結(jié)果列于表4-1至4-2中。(2)彩色的再現(xiàn)性(CR)輸出IS0/JIS-SCIDNl(照片)圖像,評價各感光體的觀察彩色的再現(xiàn)性。將結(jié)果分為以下4個等級?！?優(yōu)〇良△:差結(jié)果列于表4-l至4-2中。(3)殘留圖像(RI)生成圖14中的黑白的A4圖紙(前半2/5為斜線圖像，后半3/5為半色調(diào)圖像)，對生成的負(fù)殘像(有時，斜線會在半色調(diào)的圖像上述)。將結(jié)果分為4級?！?優(yōu)〇良差X:很差結(jié)果列于表4-l至4-2中。在上述的評價(l)-(3)結(jié)束后，連續(xù)生成10，000張全色的斜線面積為6%的圖像。在生成IO，OOO張后，進(jìn)行重復(fù)上述的評價(I)-(3)。實施例7-10以及比較例4-6重復(fù)實施6中的對感光體1進(jìn)行評價的過程，來評價感光體2-8。其結(jié)果列于表4-1至4-2中。表4一1<table>tableseeoriginaldocumentpage90</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage91</column></row><table>如表4-1以及4-2所示，在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間短的場合(實施例6-IO),感光體I、2、4、6以及8都具有良好的初始光衰減特性、甚至在反復(fù)使用后也是如此。在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間長的場合，(比較例4-6)，在反復(fù)使用后，電位的有顯著增加。另外，在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間短的場合(實施例6-10),感光體l，2，4，6以及8的每一個都有良好的色彩再現(xiàn)性，并且再反復(fù)使用后也是如此。而在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間長的場合，感光體3，5以及7(比較例4-6)產(chǎn)生的圖像的色彩再現(xiàn)性變差。進(jìn)一步，在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間短的場合(實施例6-10),感光體l，2,4，6以及8的每一個都有良好的抗殘留圖像性，并且再反復(fù)使用后也是如此。而在轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間長的場合,感光體3，5以及7(比較例4-6)產(chǎn)生的圖像的抗殘留圖像性變差。(感光體制備實施例9-16)重復(fù)制備感光體1-8的制備工序來制備感光體9-16，但是要用分散體2來代替各CGL涂布液。(感光體制備實施例17)重復(fù)制備感光體1的制備工序來制備感光體17，但是要用分散體3來代替各CGL涂布液。感光體9-17的轉(zhuǎn)換時間如下進(jìn)行測量。感光體的曝光部分的表面電位用特開2000-275872公開的裝置在以下條件下進(jìn)行測量。感光體的線速度262mm/sec副掃描方向上的析像度400dpi圖像表面禁止能0.3mW(曝光量:0.4W/cm2)寫入波長655咖除電器開充電條件控制到感光體的曝光前的表面電位為-800V如圖3所示，設(shè)置在顯影部位的表面電位儀的位置在感光體的圓周方向進(jìn)行變動，在作為曝光-顯影時間的20-155秒內(nèi)，測量10個點。將10個曝光點的表面電位對應(yīng)于曝光-顯影時間繪制成圖4的曲線，由此來確定曲折點以及感光體的轉(zhuǎn)換時間，結(jié)果列于表5。<table>tableseeoriginaldocumentpage93</column></row><table>將感光體9安裝在圖9所示的單鼓單色的圖像形成裝置上。棍式充電以50Wn的間距緊靠棍式充電器，由此來對感光體進(jìn)行充電，厚為50陶的間距形成用的帶狀物纏繞在充電棍上，使僅有充電棍兩端的非充電領(lǐng)域與感光體相接觸。具有4個780皿的LD的4道(CHANNEL)LDA陣列被作為帶有圖像信息的光源通過多棱鏡對感光體進(jìn)行曝光。具有圖像信息的光的析像度為1200dpi。包括平均粒徑為6.8Wn的調(diào)色劑的二成分顯影劑被用來對感光體上的靜電潛影進(jìn)行顯影。轉(zhuǎn)印帶將調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印紙上。感光體用清潔刮板進(jìn)行清潔，并用660nm波長的LED作為光源進(jìn)行除電。從圖像曝光光源的照射部(向感光體進(jìn)行寫入的中心)以及顯影套筒的中心分別向感光體的中心引直線而形成45。夾角。感光體的線速度為240mm/sec,曝光-顯影時間為49msec。初始過程的條件如下感光體的帶電電位-800V(未曝光部分的電位)顯影偏壓-550V(負(fù)-正顯影方法)感光體曝光部分的電位-70V(密實圖像電位)評價項目(l)表面電位(SP)對感光體10-17的每一個都如感光體9那樣進(jìn)行測試。結(jié)果列于表6-1至6-2中。(2)背景污染在22。C以及50%朋的環(huán)境條件下，生成空白圖像，觀察是否有背景的污染，質(zhì)量分為4個等級。◎:優(yōu)〇良△:差X:很差結(jié)果列于表6-1至6-2。(3)點的再現(xiàn)性(DOT)生成l點(獨立)圖像，用光學(xué)顯微鏡觀察其外邊沿是否清楚。點的再現(xiàn)性分為以下4級?！?優(yōu)〇良差X:很差結(jié)果列于表6-l至6-2中。在上述的評價(l)-(3)結(jié)束后，連續(xù)生成10，000張有字面積為6%的圖像。在生成IO，OOO張后，進(jìn)行重復(fù)上述的評價(I)-(3)。實施例12-16以及比較例7-9重復(fù)實施11中的對感光體9進(jìn)行評價的過程，來評價感光體10-17。其結(jié)果列于表6-1至6-2中。表6-1<table>tableseeoriginaldocumentpage95</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage96</column></row><table>如表6-1以及6-2，當(dāng)轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間短時(實施例11-16)，感光體9、10、12、14、16以及17具有好的光衰減性，甚至在反復(fù)使用以后也是如此。如轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間長時(比較例7-9)，表面電位會升高，并且在反復(fù)使用后更加顯著。感光體ll、13、以及15(比較例7-9)生成的黑的密實圖像的圖像密度變差。另外，當(dāng)轉(zhuǎn)換時間比曝光-顯影時間短時(實施例11-16)，感光體9、10、12、14、16以及17具有好的點再現(xiàn)性，甚至在反復(fù)使用以后也是如此。感光體ll、13、以及15(比較例7-9)生成的圖像的圖像的點再現(xiàn)性差。進(jìn)一步，感光體16(實施例15)具有包括電荷阻擋層以及防波紋層的多層結(jié)構(gòu)的中間層，該感光體的背景污染較輕，甚至在反復(fù)使用后也是如此。感光體9的表面電位比感光體17低，這是由于在感光體9中使用的不對稱偶氮顏料使感光體變得更敏感。權(quán)利要求1.一種圖像形成裝置，包括靜電潛影承載體；充電裝置，對靜電潛影承載體進(jìn)行充電；曝光裝置，用具有圖像信息的析像度為不小于1200dpi的光對靜電潛影承載體進(jìn)行曝光，從而在該靜電潛影承載體上形成靜電潛影；顯影裝置，用調(diào)色劑對靜電潛影進(jìn)行顯影，在圖像潛影承載體上形成調(diào)色劑圖像；轉(zhuǎn)印裝置，將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到紀(jì)錄介質(zhì)上；定影裝置，將調(diào)色劑圖像固定在紀(jì)錄介質(zhì)上；其中，靜電承載體上給定的任意一點，從正對曝光裝置的位置運動到正對顯影裝置的位置的時間小于50msec，并且大于靜電潛影承載體的轉(zhuǎn)換時間。2.權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其中進(jìn)一步包括復(fù)數(shù)的靜電潛影承載體、充電器、曝光器以及顯影裝置。3.權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其中，靜電潛影承載體包括外徑為不大于40mm的圓筒狀的基底。4.權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其中，曝光器為包括復(fù)數(shù)的激光束的多光束曝光器。5.權(quán)利要求4所述的圖像形成裝置，其中，所述多光束曝光器包括3個或3個以上的面發(fā)光的激光。6.權(quán)利要求5所述的圖像形成裝置，其中，3個或3個以上的面發(fā)光的激光被排成2維陣列。7.權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其中，靜電潛影承載體包括感光層，該感光層包括電荷生成層，具有有機(jī)電荷生成物質(zhì)；電荷輸送層；其中，所述有機(jī)電荷輸送物質(zhì)為具有下式(I)的偶氮顏料:其中，CPl以及Cp2各自獨立地代表具有通式(II)的耦合劑殘基:其中，R2。3代表氫原子、垸基或芳香基；R,R,R艦，R抓以及R加8各自獨立地代表氫原子、氮原子、氰基、鹵素原子、鹵代垸基、烷基、垸氧基、二烷基氮基以及羥基；Z代表可以形成取代的或非取代的芳環(huán)，或者可以形成取代的或非取代的芳香雜環(huán)的原子；R皿以及R2。2各自獨立地代表氫原子，鹵原子,烷基，垸氧基以及氰基。8.權(quán)利要求7所述的圖像形成裝置，其中，Cp,以及Cp2a相互不同。9.權(quán)利要求7所述的圖像形成裝置，其中的有機(jī)電荷生成物質(zhì)是酞菁氧鈦晶體，該鈦箐氧鈦晶體具有下述的X-射線衍射光譜在27.2±0.2°的布拉格(2S)角處觀察到最大峰；或者在27.2±0.2°的布拉格(29)角處觀察到最大峰，在7.3±0.2°布拉格(26)角處有最低角峰，在9.4°、9.6°和24.0°布拉格(29)角(±0.2°)處分別有主峰，其中在7.3°(±0.2°)和9.4°(±0.2°)的峰之間和26.3°(±0.2°)處未觀察到峰。10.權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其中靜電潛影承載體包括處于感光層上的保護(hù)層。11.權(quán)利要求10所述的圖像形成裝置，其中的保護(hù)層包括具有不低于l(TQcm的電阻率的無機(jī)顏料。12.權(quán)利要求10所述的圖像形成裝置，其中保護(hù)層是通過在以下的單體之間進(jìn)行交聯(lián)而形成的，這些單體為沒有電荷輸送結(jié)構(gòu)的，自由基聚合性的，具有3個或3個以上的官能基的單體；以及具有電荷輸送結(jié)構(gòu)的，自由基聚合性的，具有一個官能基的單體。13.權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其進(jìn)一步包括可以裝在圖像形成裝置之上或從其上卸下的處理合，該處理合包括靜電潛影承載體以及選自充電器、曝光器、顯影器、除電器以及清潔器的一個或一個以上的裝置。14.一種圖像形成方法，包括；對靜電潛影承載體進(jìn)行充電；用具有圖像信息的析像度為不小于1200dpi的光對靜電潛影承載體進(jìn)行曝光，從而在該靜電潛影承載體上形成靜電潛影；用調(diào)色劑對靜電潛影進(jìn)行顯影，在圖像潛影承載體上形成調(diào)色劑圖像；將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到紀(jì)錄介質(zhì)上；將調(diào)色劑圖像固定在紀(jì)錄介質(zhì)上；其中，靜電承載體上給定的任意一點，從正對曝光裝置的位置運動到正對顯影裝置的位置的時間小于50msec，并且大于靜電潛影承載體的轉(zhuǎn)換時間。15.權(quán)利要求14所述的圖像形成方法,進(jìn)一步包括復(fù)數(shù)的充電、曝光以及顯影過程。16.權(quán)利要求14的圖像形成方法，其中靜電潛影承載體包括外徑不大于40mm的圓筒型基底。17.權(quán)利要求14的圖像形成方法，其中曝光由具有復(fù)數(shù)的激光光束的曝光器來進(jìn)行。18.權(quán)利要求17所述的圖像形成方法，其中曝光器包括3個或3個以上的面發(fā)光的激光。19.權(quán)利要求18所述的圖像形成方法，其中三個或三個以上的面發(fā)光的激光被排成二維陣列。全文摘要一種圖像形成裝置，包括靜電潛影承載體；充電裝置，對靜電潛影承載體進(jìn)行充電；曝光裝置，用具有圖像信息的析像度為不小于1200dpi的光對靜電潛影承載體進(jìn)行曝光，從而在該靜電潛影承載體上形成靜電潛影；顯影裝置，用調(diào)色劑對靜電潛影進(jìn)行顯影，在圖像潛影承載體上形成調(diào)色劑圖像；轉(zhuǎn)印裝置，將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到紀(jì)錄介質(zhì)上；定影裝置，將調(diào)色劑圖像固定在紀(jì)錄介質(zhì)上；其中，靜電承載體上給定的任意一點，從正對曝光裝置的位置運動到正對顯影裝置的位置的時間小于50msec，并且大于靜電潛影承載體的轉(zhuǎn)換時間。文檔編號G03G15/04GK101308347SQ200710103860公開日2008年11月19日申請日期2007年5月17日優(yōu)先權(quán)日2006年5月17日發(fā)明者新美達(dá)也,稻葉佳范申請人:株式會社理光