專利名稱：液晶顯示器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，更具體地，涉及一種液晶顯示(LCD)器 件的制造方法。
背景技術(shù)：
直到最近，顯示器件通常采用陰極射線管(CRT)。當(dāng)前，人們正在進行 大量工作和研究以發(fā)展諸如液晶顯示(LCD)器件、等離子體面板(PDP)、 場致顯示器、和電致發(fā)光顯示器(ELD)的各種類型的平板顯示器來取代CRT。 在這些平板顯示器中，LCD器件具有許多優(yōu)點，諸如分辨率高、重量輕、外 形薄、體積小、以及耗電低。
通常，LCD器件包括兩個隔開且彼此相對的基板，在這兩個基板之間夾 有'液晶材料。這兩個基板包括彼此相對的電極，以使在電極之間施加的電壓感 應(yīng)一個穿過液晶材料的電場。液晶材料中液晶分子的排列根據(jù)該感應(yīng)電場的強 度而改變?yōu)樵摳袘?yīng)電場的方向，由此改變LCD器件的透光率。因而，LCD器 件通過改變感應(yīng)電場的強度來顯示圖像。
圖1是用于解釋依照現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的透視圖。參照圖l， LCD器 件3包括陣列基板22、濾色片基板5、和位于兩個基板之間的液晶層ll。
陣列基板22包括彼此交叉的柵線12和數(shù)據(jù)線24以限定第一基板22上的 像素區(qū)域P。薄膜晶體管T位于柵線12和數(shù)據(jù)線24的交叉處。薄膜晶體管T 包括柵極30、半導(dǎo)體層32、源極34和漏極36。像素電極17設(shè)在像素區(qū)域P 內(nèi)且與漏極36相連。
濾色片基板5包括位于濾色片基板5上各個像素區(qū)域P內(nèi)的紅(R)、綠 (G)和藍(lán)(B)濾色片圖案7a、 7b和7c以及位于濾色片圖案7a、 7b和7c之間的黑色矩陣6。公共電極9設(shè)在濾色片圖案7a、 7b和7c上。
當(dāng)電壓施加給像素電極17和公共電極9時，感應(yīng)出電場。液晶分子在該 感應(yīng)電場的作用下排列，于是LCD器件3的透光率發(fā)生改變。從而顯示圖像。
薄膜晶體管可以有各種類型，例如，倒置交錯型。圖2是示出依照現(xiàn)有技 術(shù)的、具有倒置交錯型薄膜晶體管的LCD器件的橫截面圖。參照圖2，倒置 交錯型薄膜晶體管T包括位于基板50上的柵極52、在柵極52上的半導(dǎo)體層 56、以及位于半導(dǎo)體層56上的源極60和漏極62。半導(dǎo)體層56具有有源層57 和歐姆接觸層58。鈍化層64位于薄膜晶體管T上，并且像素電極68位于鈍 化層64上，使像素電極68通過漏極接觸孔66接觸漏極62。
圖3A至圖3E是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的、具有倒置交錯型薄膜晶體管的陣 列基板的制造方法的橫截面圖。參照圖3A，在基板50上沉積金屬材料，并且 對其構(gòu)圖以形成柵極52和柵線(未示出)。在具有柵極52的基板50上形成 柵絕緣層54。參照圖3B，在柵絕緣層54上形成本征非晶硅層和摻雜非晶硅 層，并對其構(gòu)圖以形成有源層57和歐姆接觸層58。參照圖3C，在具有有源 層57和歐姆接觸層58的基板50上沉積金屬材料，并對其構(gòu)圖以形成源極60 和漏極62，以及數(shù)據(jù)線(未示出)。去除暴露于源極60和漏極62之間的那 部分歐姆接觸層58，并且一部分有源層57 (也即溝道部分)暴露出來。參照 圖3D，在具有源極60和漏極62的基板50上形成鈍化層64。對鈍化層64構(gòu) 圖以形成用于暴露漏極62的漏極接觸孔66。參照圖3E，在鈍化層64上形成 透明導(dǎo)電層，并對其構(gòu)圖以形成與漏極62接觸的像素電極68。
如上所述，柵極52和柵線(未示出)在第一掩模工序中形成，有源層57 和歐姆接觸層58在第二掩模工序中形成，源極60和漏極62以及數(shù)據(jù)線(未 示出)在第三掩模工序中形成，具有漏極接觸孔66的鈍化層64在第四掩模工 序中形成，并且像素電極68在第五掩模工序中形成。通過上述五道掩模工序， 制造陣列基板22。
在上面每道掩模工序中，要執(zhí)行這些處理在腔室內(nèi)的基板上形成層、在 該層上形成光刻膠層、利用掩模對該光刻膠層曝光、剝離該光刻膠層以形成光 刻膠圖案、利用該光刻膠圖案蝕刻該層、清洗該基板等等。
在執(zhí)行在腔室內(nèi)形成該層的工序之后，可將該基板置于腔室外進行其它的 處理并暴露于外部條件下。當(dāng)該基板暴露時，基板的暴露部分可能受外部微粒
的污染。特別是，當(dāng)溝道部分暴露且受到污染時，可能會因溝道部分表面的污 染而引起泄漏電流。因而，薄膜晶體管不正常工作，導(dǎo)致圖像模糊，并且降低 了可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件的制造方法，其基本上消除了因現(xiàn)有 技術(shù)的局限和缺點引起的一個或者多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種液晶顯示器件的制造方法，其能夠提高可靠性。
本發(fā)明其他優(yōu)點、目的和特征一部分將在以下描述中加以闡述，并且一部
分對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在研究下文時變得顯而易見或通過實施本發(fā)明 而了解。本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點將通過在書面的描述及其權(quán)利要求以及附圖
中特別指出的結(jié)構(gòu)而實現(xiàn)和獲得。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體實施和廣義的 描述的， 一種液晶顯示器件的制造方法包括以下步驟在第一基板上形成柵極 和柵線，在該柵極上形成柵絕緣層，在該柵絕緣層上形成有源層，并在該有源 層上形成歐姆接觸層，在該歐姆接觸層上形成彼此隔開的源極和漏極，形成與 該柵線交叉的數(shù)據(jù)線，在干蝕設(shè)備的腔室內(nèi)蝕刻位于該源極和漏極之間的那部 分歐姆接觸層，以使一部分有源層暴露，在留在該腔室內(nèi)的第一基板上形成鈍 化層，該鈍化層覆蓋這部分有源層，形成與該漏極相連接的像素電極，并且在 該像素電極與第二基板之間夾入液晶層。
在另一方案中， 一種液晶顯示器件的制造方法包括以下步驟在陣列基板 上形成彼此交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)域，在該陣列基板上形成與該柵 線和數(shù)據(jù)線相連接的薄膜晶體管，其包括柵極、位于該柵極上方的有源層、在 該有源層上的歐姆接觸層以及在該歐姆接觸層上的源極和漏極，其中在蝕刻設(shè) 備的腔室內(nèi)對位于該源極和漏極之間的那部分歐姆接觸層進行蝕刻，以使一部 分該有源層暴露，在保留在該腔室內(nèi)的該陣列基板上形成鈍化層，該鈍化層覆 蓋這部分有源層，在該像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極，以及粘合該陣列基板與一個 相對的基板，在該陣列基板與該相對的基板之間具有液晶層。
應(yīng)理解，上述的概括說明和以下的詳細(xì)描述為示例性和解釋性的，并旨在
提供如權(quán)利要求書所述的進一步的解釋。


這些附圖提供了對本發(fā)明的進一步的理解，與本說明書結(jié)合并且構(gòu)成其一 部分，其圖示了本發(fā)明的實施例，并且連同說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。 在附圖中
圖1是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的透視圖2是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的、具有倒置交錯型薄膜晶體管的LCD器件的 橫截面圖3A到圖3E是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的、具有倒置交錯型薄膜晶體管的陣 列基板的制造方法的橫截面圖4是示出依照本發(fā)明一個實施方式的、LCD器件的陣列基板的橫截面
圖5是示出依照本發(fā)明另一個實施方式的、LCD器件的陣列基板的平面
圖6A到圖6G是沿著圖5中的VI-VI線剖開的、示出陣列基板的制造方 法的橫截面圖7A到圖7G是沿著圖5中的VII-VII線剖開的、示出陣列基板的制造 方法的橫截面圖；以及
圖8A到圖8G是沿著圖5中的vm-vin線剖開的、示出陣列基板的制造
方法的橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在對本發(fā)明所示的實施方式進行詳細(xì)的說明，在附圖中示出這些實施方式。
圖4是示出依照本發(fā)明一個實施方式的、LCD器件的陣列基板的橫截面 圖。參照圖4，位于開關(guān)區(qū)域S內(nèi)的倒置交錯型薄膜晶體管T包括位于基板 100上的柵極102，在柵極102上方的半導(dǎo)體層106、以及彼此隔開的源極110 和、漏極112。像素電極116在柵絕緣層118上形成，且與漏極112接觸。半導(dǎo) 體層106包括有源層107和歐姆接觸層108。位于歐姆接觸層108之間或者源
極110與漏極112之間的有源層107的溝道部分由鈍化層114覆蓋。
鈍化層114可以在用于對源極110和漏極112之間的那部分歐姆接觸層 108進行干蝕刻的同一個腔室內(nèi)形成。更具體地，這部分歐姆接觸層108是在 干蝕刻設(shè)備的真空腔室內(nèi)蝕刻的。在對這部分歐姆接觸層108進行蝕刻后，將 室內(nèi)的殘留氣體抽出，將基板100留在腔室內(nèi)，使該腔室處于高真空條件下。 然后，使用于形成鈍化層114的反應(yīng)性氣體流進該腔室，并且用化學(xué)氣相沉積 法形成鈍化層114，使之覆蓋有源層108的溝道部分。
按照下述去除這部分歐姆接觸層108。使六氟化硫(SF6)流進該室，在 等離子體狀態(tài)下進行處理，從而產(chǎn)生氟自由基(F radical)。氟自由基與歐姆 接觸層108的硅發(fā)生反應(yīng)，于是形成揮發(fā)性四氟化硅(SiF4)。通過這樣的化 學(xué)反應(yīng)，去除這部分歐姆接觸層108，并且暴露有源層107的溝道部分。在去 除這部分歐姆接觸層108之后，將基板留在該腔室內(nèi)，將氮化硅(SiNx)和氧 化硅(Si02)之一形成在溝道部分上，以形成鈍化層114。
如上所述，將基板留在該腔室內(nèi)，并且在同一腔室內(nèi)去除這部分歐姆接觸 層108和形成覆蓋暴露的溝道部分的鈍化層114。因而，該溝道部分不會受外 部微粒的污染，從而能夠使薄膜晶體管的泄漏電流達(dá)到最小。
圖5是示出依照本發(fā)明另一個實施方式的、LCD器件的陣列基板的平面 圖。圖5中的陣列基板200是用四道掩模工序制造的。參照圖5，在該陣列基 板200中，柵線204和數(shù)據(jù)線238彼此交叉，以限定像素區(qū)域P。在柵線204 的一端設(shè)置柵焊盤206，在數(shù)據(jù)線238的一端設(shè)置數(shù)據(jù)焊盤240。在柵焊盤206 上設(shè)置與之接觸的柵焊盤電極GP，并且在數(shù)據(jù)焊盤240上設(shè)置與之接觸的數(shù) 據(jù)焊盤電極DP。
倒置交錯型薄膜晶體管T位于柵線204和數(shù)據(jù)線238的交叉處附近。薄膜 晶體管T包括柵極202、在柵極202上的第一半導(dǎo)體層230a、以及位于第一半 導(dǎo)體層230a上的源極234和漏極236。像素電極PXL在像素區(qū)域P內(nèi)且與漏 極236接觸。第二半導(dǎo)體層230b位于數(shù)據(jù)線238下方，并且從第一半導(dǎo)體層 230a延伸出來。
在一部分柵線240處可以形成存儲電容Cst。這部分柵線204可以構(gòu)成第 一電容電極，并且與該部分柵線204重疊的那部分像素電極PXL可以構(gòu)成第 二電容電極。
圖6A到圖6G、圖7A到圖7G、以及圖8A到圖8G是分別沿著VI-VI、
vii-vn、和vin-vm線剖開的、示出圖5中的陣列基板的制造方法的橫截面
圖。參照圖6A、圖7A和圖8A,在具有開關(guān)區(qū)域S、像素區(qū)域P、柵區(qū)域G、 數(shù)據(jù)區(qū)域D和存儲區(qū)域C的基板200上沉積金屬材料。用第一掩模工序?qū)υ?金屬材料構(gòu)圖，以在開關(guān)區(qū)域S內(nèi)形成柵極202、在柵區(qū)域G內(nèi)形成柵線204 和柵焊盤206。 一部分柵線204可以在存儲區(qū)域C內(nèi)。金屬材料包括鋁(Al)、 鋁合金(AlNd)、鉤(W)、絡(luò)(Cr)、和鉬(Mo)。可以用這些材料中至 少兩種形成至少一個兩層結(jié)構(gòu)，例如鋁/鉻或者鋁/鉬(Al/Cr或Al/Mo)。
參照圖6B、圖7B和圖8B，在具有柵極202的基板200上依次形成柵絕 緣層208、本征非晶硅層(a-Si:H) 210、摻雜非晶硅層(n+或者p+a-Si:H) 212、 和金屬層214。
柵絕緣層208包括諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(Si02)的無機絕緣材料、 和i者如苯并環(huán)丁烯(BCB)和丙烯酸樹酯的有機絕緣材料。金屬層214包括鋁 (Al)、鋁合金(AlNd)、鎢(W)、鉻(Cr)、和鉬(Mo)?？梢杂眠@些 材料中至少兩種形成至少一個兩層結(jié)構(gòu)，例如鋁/鉻或者鋁/鉬(Al/Cr或 A畫o)。
在金屬層214上形成光刻膠層216。在光刻膠層216上方設(shè)置一個掩模M。 該掩模M包括透光部分B1、遮光部分B2、和半透光部分B3。半透光部分B3 可以包括用以減小光強度的半透光膜或者狹縫圖案，以使其光強度比透光部分 Bl小，而比遮光部分B3大。光刻膠層216可以是正性的。
半透光部分B3對應(yīng)一部分開關(guān)區(qū)域S。例如，至少一部分的柵極202對 應(yīng)半透光部分B3。遮光部分B2設(shè)在半透光部分B3的兩側(cè)。遮光部分B2設(shè) 在數(shù)據(jù)區(qū)域D處，例如像素區(qū)域P的兩側(cè)。透光部分Bl對應(yīng)像素區(qū)域P和柵 區(qū)域G。利用掩模M將光刻膠層216曝光，并將其顯影。
參照圖6C、圖7C和圖8C，通過曝光和顯影，在開關(guān)區(qū)域S和數(shù)據(jù)區(qū)域 D形成第一和第二光刻膠圖案218a和218b。與掩模M (圖6B的M)的半透 光部分(圖6B中的B3)對應(yīng)的那部分第一光刻膠圖案218a具有比與掩模的 遮光部分(圖6B中的B2)對應(yīng)的其它部分的第一光刻膠圖案218a更薄的厚 度。利用第一光刻膠圖案218a和第二光刻膠圖案218b對金屬層214、摻雜非 晶硅層212、和本征非晶硅層210實施第一蝕刻。當(dāng)對這些層進行蝕刻時，基
于金屬層214的蝕刻性質(zhì)，硅層212和210可與金屬層214同步蝕刻，或者可 在蝕刻金屬層214后干蝕刻硅層212和210。
參照圖6D、圖7D和圖8D,通過第一蝕刻，在第一光刻膠圖案218a下方 形成第一金屬圖案220和第一半導(dǎo)體層圖案230a，并且在第二光刻膠圖案218b 下方形成第二金屬圖案222和第二半導(dǎo)體圖案230b。第一半導(dǎo)體圖案230a和 第二半導(dǎo)體圖案230b每個都包括構(gòu)圖后的本征非晶硅層210和摻雜的非晶硅 層212。對第一和第二光刻膠圖案218a和218b實施灰化處理，直到將厚度較 薄的這部分第一光刻膠圖案218a去除。在灰化處理期間，去除第一和第二光 刻膠圖案218a和218b的側(cè)面部分，第一和第二光刻膠圖案218a和218b的厚 度減小。利用灰化的第一和第二光刻膠圖案218a和218b對第一和第二金屬圖 案220和222以及第一和第二半導(dǎo)體圖案230a和230b的摻雜非晶硅層212實 施第二蝕刻。
參照圖6E、圖7E和圖8E，通過第二蝕刻，將灰化后的第一和第二光刻 膠圖案218a和218b沒有覆蓋到的第一和第二金屬圖案(圖6D中的220和圖 8D中的222)以及第一和第二半導(dǎo)體圖案230a和230b的摻雜非晶硅層212 去除，以在灰化后的第一光刻膠圖案218a下方形成彼此隔開的源極234和漏 極236，且在灰化后的第二光刻膠圖案218b下方形成數(shù)據(jù)線238和數(shù)據(jù)焊盤 240。將第一和第二半導(dǎo)體圖案230a和230b稱為第一和第二半導(dǎo)體層230a和 230b。
將第一半導(dǎo)體層230a的摻雜非晶硅層212稱為歐姆接觸層232b,并且將 第一半導(dǎo)體層230a的本征非晶硅層210稱為有源層232a。在第二蝕刻中可將 有源層232a部分地去除，以去除其上可能留下的雜質(zhì)。
具體地，在第二蝕刻中，對第一和第二金屬圖案進行蝕刻，以便形成源極 234和漏極236以及數(shù)據(jù)線238。然后，將陣列基板200放在干蝕刻設(shè)備的真 空腔室內(nèi)。使干蝕氣體例如六氟化硫(SF6)流入該腔室，以去除源極234和 漏極236之間暴露著的那部分歐姆接觸層232b。然后，將陣列基板200仍然 留在該腔室內(nèi)，并且將腔室內(nèi)的氣體抽出。
然后，使反應(yīng)性氣體流入該腔室，以通過化學(xué)反應(yīng)形成鈍化層PAS。該反 應(yīng)'性氣體可以包括硅烷(SiH4)、氨氣(NH3)、和氧氣(02)，并且該鈍化 層包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(Si02)。
鈍化層PAS可以在留有第一和第二光刻膠圖案218a和218b的整個基板 上形成。因而，鈍化層PAS覆蓋基板的位于源極234、漏極236、和數(shù)據(jù)線238 之間的部分。換句話說，鈍化層PAS完全覆蓋有源層232a的溝道部分。此外， 鈍化層PAS在第一和第二光刻膠圖案218a和218b上形成。在形成鈍化層PAS 后，可通過剝離方法將第一和第二光刻膠圖案218a和218b去除，從而將第一 和第二光刻膠圖案218a和218b上的鈍化層PAS去除。因而，源極234和漏 極236、以及數(shù)據(jù)線238暴露出來。
如上所述，因為去除這部分的歐姆接觸層232b與形成覆蓋溝道部分的鈍 化層PAS是在同一腔室內(nèi)進行的，所以溝道部分不會暴露在外部條件下。因 而，溝道部分不會受到外部微粒污染，從而能夠使薄膜晶體管的泄漏電流達(dá)到 最小。通過上面圖6B到圖6E、圖7B到圖7E、和圖8B到圖8E的處理進行 第二掩模工序。
參照圖6F、圖7F和圖8F，利用第三掩模工序構(gòu)圖柵焊盤206上的一部 分鈍化層PAS和一部分柵絕緣層208，以形成柵焊盤接觸孔CH。
參照圖6G、圖7G和圖8G，在具有鈍化層PAS的基板200上沉積透明導(dǎo) 電材料，并利用第四掩模工序?qū)ζ錁?gòu)圖，以形成與漏極236接觸的像素電極 PXL、通過柵焊盤接觸孔CH與柵焊盤206接觸的柵焊盤電極GP、和與數(shù)據(jù) 焊盤240接觸的數(shù)據(jù)焊盤電極DP。像素電極PXL可以在柵線204上延伸，以 形成存儲電容Cst。透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、 和氧化銦錫鋅(ITZO)。
通過上面的四道工序，能夠制造陣列基板。粘合陣列基板和濾色片基板， 在其間夾入液晶層，從而完成LCD器件。
顯然，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍內(nèi)，可對本 發(fā)明進行各種修改和變化。因而，本發(fā)明旨在覆蓋落在所附權(quán)利要求書及其等 效物的范圍內(nèi)的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟在第一基板上形成柵極和柵線；在該柵極上形成柵絕緣層；在該柵絕緣層上形成有源層，并且在該有源層上形成歐姆接觸層；在該歐姆接觸層上形成彼此隔開的源極和漏極；形成與該柵線交叉的數(shù)據(jù)線；在干蝕設(shè)備的腔室內(nèi)蝕刻位于該源極和漏極之間的那部分歐姆接觸層，以使一部分有源層暴露；在留在該腔室內(nèi)的第一基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋這部分有源層；形成與該漏極相連接的像素電極；以及在該像素電極與該第二基板之間夾入液晶層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述蝕刻那部分歐姆接觸層 包括步驟使蝕刻氣體流入該腔室；以及在等離子體狀態(tài)下處理該蝕刻氣體，以形成與該部分歐姆接觸層發(fā)生反應(yīng) 的自由基，由此形成揮發(fā)性氣體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于該蝕刻氣體包括六氟化硫 (SF6)，并且該有源層和該歐姆接觸層包括硅。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述形成鈍化層包括步驟-在蝕刻該部分歐姆接觸層之后抽出該腔室內(nèi)的殘留氣體；以及 使反應(yīng)性氣體流入該腔室，以形成該鈍化層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于該反應(yīng)性氣體包括硅烷 (SiH4)、氨氣(NH3)和氧氣(02)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于形成該有源層、該歐姆接觸 層、該源極和漏極、以及該數(shù)據(jù)線是利用掩模形成的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于該有源層和該歐姆接觸層在 該數(shù)據(jù)線下方延伸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于形成該有源層、該歐姆接觸 層、該源極和漏極、以及該數(shù)據(jù)線包括步驟形成本征非晶硅層、摻雜非晶硅層、和金屬層；利用掩模在該金屬層上形成第一和第二光刻膠圖案，該第一光刻膠圖案的 一部分的厚度比其它部分的厚度更??；以及利用該第一光刻膠圖案，對該金屬層、該摻雜非晶硅層和該本征非晶硅層 構(gòu)圖，以形成該有源層、該歐姆接觸層、以及該源極和漏極，并且利用該第二 光刻膠圖案形成該數(shù)據(jù)線，其中該有源層由本征非晶硅層構(gòu)成，而該歐姆接觸 層由該摻雜非晶硅層構(gòu)成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述形成第一和第二光刻膠 圖案包括步驟在該金屬層上形成光刻膠層；利用具有透光部分、半透光部分和遮光部分的該掩模將該光刻膠層曝光；以及顯影該光刻膠層，其中其厚度小于其它部分的那部分第一光刻膠圖案對應(yīng) 于該半透光部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于對該金屬層、該摻雜非晶硅 層和該本征非晶硅層構(gòu)圖包括步驟利用所述第一和第二光刻膠圖案對該金屬層、該摻雜非晶硅層和該本征非晶硅層進行第一蝕刻；灰化所述第一和第二光刻膠圖案，以去除其厚度小于其它部分的那部分第 一光刻膠圖案；以及利用灰化后的所述第一和第二光刻膠圖案對第一蝕刻后的金屬層和摻雜 非晶硅層進行第二蝕刻。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述灰化后的第一和第二 光亥!J膠圖案在形成該鈍化層的期間仍然保留。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于通過剝離方法將所述灰化 后的第一和第二光刻膠圖案去除。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟 在與形成該柵線相同的工序中形成柵焊盤；以及 在與形成該數(shù)據(jù)線相同的工序中形成數(shù)據(jù)焊盤。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括步驟通過對位于該柵焊盤上方的該鈍化層和該柵絕緣層構(gòu)圖，形成用以暴露該 柵焊盤的柵焊盤接觸孔。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在與形成該像素電極相同的工 序中形成柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的步驟，其中該柵焊盤電極與該柵焊盤接 觸，并且該數(shù)據(jù)焊盤電極與該數(shù)據(jù)焊盤接觸。
16. —種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟 在陣列基板上形成彼此交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)域； 在該陣列基板上形成與該柵線和數(shù)據(jù)線相連接的薄膜晶體管，其包括柵極、位于該柵極上方的有源層、在該有源層上的歐姆接觸層以及在該歐姆接觸 層上的源極和漏極，其中在蝕刻設(shè)備的腔室內(nèi)對位于該源極和漏極之間的那部 分歐姆接觸層進行蝕刻，以使一部分該有源層暴露；將保留在該腔室內(nèi)的陣列基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋該部分有源層；在該像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極；以及粘合該陣列基板和一個相對的基板，在該陣列基板與該相對的基板之間具 有液晶層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于該鈍化層是利用剩余的光 刻膠圖案形成的，該光刻膠圖案用于形成所述源極和漏極。
全文摘要
一種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟在第一基板上形成柵極和柵線，在該柵極上形成柵絕緣層，在該柵絕緣層上形成有源層，并在該有源層上形成歐姆接觸層，在該歐姆接觸層上形成彼此隔開的源極和漏極，形成與該柵線交叉的數(shù)據(jù)線，在干蝕設(shè)備的腔室內(nèi)蝕刻位于該源極和漏極之間的那部分歐姆接觸層，以使一部分有源層暴露，在留在該腔室內(nèi)的第一基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋這部分有源層，形成與該漏極相連接的像素電極，以及在該像素電極與第二基板之間夾入液晶層。
文檔編號G03F7/00GK101097382SQ20071012601
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者金孝昱 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社