專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件及其制作方法，特別是涉及一種能 夠通過減少數(shù)據(jù)線下面設(shè)置的半導(dǎo)體層的線寬來改進孔徑比的LCD器件及其 制造方法。
背景技術(shù)：
最近，LCD器件越來越受到重視，因為它們提供高科技、高增加值的產(chǎn)品， 并且LCD器件具有低功耗和良好的便攜性。
通常，LCD器件包括薄膜晶體管陣列基板、濾色片陣列基板和液晶層，其 中液晶層形成在薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板之間。薄膜晶體管陣列 基板包括彼此交叉以限定多個像素區(qū)的多條柵線和數(shù)據(jù)線；相當(dāng)于開關(guān)元件的 多個薄膜晶體管，其中各薄膜晶體管設(shè)置在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部分附近；以 及分別形成在像素區(qū)中的多個像素電極。
濾色片陣列基板包括表現(xiàn)各種顏色的濾色片；以及劃分濾色片并避免漏光 的黑矩陣。
通過多個半導(dǎo)體工序和掩模工序制造薄膜晶體管陣列基板，因而薄膜晶體 管陣列基板的制造工序復(fù)雜，并且增加了其制造成本。
因此，己經(jīng)提出了一種新方法以減少掩模工序，其中通過一個掩模工序完 成半導(dǎo)體層圖案、數(shù)據(jù)線圖案和包括源極和漏極的源/漏圖案。BP,提供第一 蝕刻工序以形成具有相同圖案的源/漏圖案和半導(dǎo)體層，并且提供第二蝕刻工 序以將源極和漏極彼此分離。
使用該方法，可以通過一個蝕刻步驟制造半導(dǎo)體層。然而，通過兩個蝕刻 步驟制造位于半導(dǎo)體層上的數(shù)據(jù)線。因而，數(shù)據(jù)線的線寬小于位于數(shù)據(jù)線下面
的半導(dǎo)體層的線寬。
因此，半導(dǎo)體層向位于數(shù)據(jù)線兩側(cè)的像素區(qū)突出。為了減少寄生電容的影 響，像素區(qū)的像素電極形成在與數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層有預(yù)定距離的地方。所以， 像素電極的面積按照突出超過數(shù)據(jù)線的半導(dǎo)體層的距離成比例減少。
發(fā)明內(nèi)容
在一個實施方式中， 一種LCD器件包括基板，包括在基板上彼此交叉以 限定多個像素區(qū)的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管(TFT)位于柵線和數(shù) 據(jù)線的交叉部分，各TFT包括電連接到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的半導(dǎo)體層以及電連接到像 素電極的漏極。在基板上相鄰像素電極之間的區(qū)域上，數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層形成 組合線，其中在組合線中，數(shù)據(jù)線的線寬與半導(dǎo)體層的線寬基本上相同。
在另一實施方式中， 一種LCD器件包括基板，包括在基板上彼此交叉以 限定像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管(TFT)位于柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部 分。TFT包括連接到柵線的柵極、位于柵極之上的柵絕緣層、位于柵絕緣層之 上的半導(dǎo)體層、位于半導(dǎo)體層之上并連接到數(shù)據(jù)線的源極、以及漏極。像素電 極連接到漏極，并且在與像素電極相鄰的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線的部分位于半導(dǎo)體層 的部分之上，并且在與像素電極相鄰的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線的線寬和半導(dǎo)體層的線 寬基本上相同。
在又一實施方式中， 一種LCD器件的制造方法包括在基板上形成柵線和 柵木及并且在基板、柵線和柵極之上順序形成柵絕緣層，半導(dǎo)體層和金屬層。形 成、源極和漏極以及數(shù)據(jù)線并且在源極和漏極之上形成鈍化層。在鈍化層上形成 掩牟莫圖案，其中掩模具有在數(shù)據(jù)線的部分上面的開口。使用掩模圖案蝕刻鈍化
層并且使用掩模圖案和數(shù)據(jù)線的部分作為蝕刻掩模來蝕刻半導(dǎo)體層，以形成組 合層，在組合中，半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線的部分具有基本上相同的線寬。
應(yīng)該理解，上面的概括性描述和下面的詳細(xì)描述都是示意性和解釋性的， 意欲對本發(fā)明的權(quán)利要求提供進一步的解釋。
本申請所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，并且包括在該申請 中并且作為本申請的一部分，示出了本發(fā)明的實施方式并且連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件的平面圖2示出了沿圖1的截面線I-1'至V-V'提取的LCD器件的可選實施方 式的截面圖3示出了沿圖1的截面線I-I'至V-V'提取的另一LCD器件的截面以及
圖4A至4H示出了圖2所示的LCD器件的制造方法的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，它們的實施例示于附圖中。盡可能， 所有附圖采用相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似部件。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件的平面圖。圖2示出了沿 圖1的截面線I-I'至V-V'提取的LCD器件的截面圖。
如圖1和2所示，根據(jù)本發(fā)明實施方式的LCD器件包括彼此交叉以在基板 100上限定像素區(qū)的柵線114和數(shù)據(jù)線112;形成在柵線114和數(shù)據(jù)線112的 交叉部分的薄膜晶體管(TFT);通過第一接觸孔122a與薄膜晶體管(TFT) 電連接的像素電極124;與柵線114電連接的柵焊盤80;與數(shù)據(jù)線112電連接 的數(shù)據(jù)焊盤90;暴露數(shù)據(jù)線112和其外圍部分的線孔130;以及包圍暴露的數(shù) 據(jù)線112的數(shù)據(jù)鈍化圖案113。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，顯示器件包括以陣 列設(shè)置的許多這種像素區(qū)。
薄膜晶體管(TFT)包括從柵線114分叉的柵極118;形成在包括柵極118 的基板100的整個表面上的柵絕緣層102;形成在柵極118上面的柵絕緣層102 上的半導(dǎo)體層120;從數(shù)據(jù)線112分叉并形成在半導(dǎo)體層120的兩側(cè)的源極和 漏極116a和116b。
當(dāng)數(shù)據(jù)線112位于半導(dǎo)體層120上時，數(shù)據(jù)線112的線寬等于或小于半導(dǎo) 體層120的線寬。
半導(dǎo)體層120包括有源層120a和歐姆接觸層120b。半導(dǎo)體層120位于柵 極118之上并且其間夾有柵絕緣層102，并且半導(dǎo)體層120也形成在數(shù)據(jù)線112 和數(shù)據(jù)下焊盤90a的下面。重要的是，如果半導(dǎo)體層120位于相鄰像素電極 124之間的數(shù)據(jù)線112的下面，半導(dǎo)體層120的線寬與數(shù)據(jù)線112的線寬相同。
如果半導(dǎo)體層120位于柵線114和數(shù)據(jù)線112的交叉處，半導(dǎo)體層120的線寬 等于或大于數(shù)據(jù)線112的線寬。在半導(dǎo)體層120位于數(shù)據(jù)下焊盤90a下面的情 況下，半導(dǎo)體層120的線寬等于或大于數(shù)據(jù)下焊盤90a的線寬。
柵焊盤80包括從柵線114延伸的下柵焊盤80a;以及通過第二接觸孔122b 與下柵焊盤80a電連接的上柵焊盤80b。
數(shù)據(jù)焊盤90包括從數(shù)據(jù)線112延伸的下數(shù)據(jù)焊盤90a;以及通過第三接 觸孔122c與下數(shù)據(jù)焊盤90a電連接的上數(shù)據(jù)焊盤90b。
然后，鈍化層104形成在包括源極和漏極116a和116b、數(shù)據(jù)線112和下 數(shù)據(jù)焊盤90a的源/漏圖案上，其中鈍化層104暴露漏極116b、下數(shù)據(jù)焊盤90a 和數(shù)據(jù)線112。
而且，上柵焊盤80b和上數(shù)據(jù)悍盤90b形成在與像素電極124相同的層上， 并且由與像素電極124相同的材料形成。
然后，數(shù)據(jù)保護圖案113覆蓋由線孔130和位于相應(yīng)數(shù)據(jù)線112下面的半 導(dǎo)體層120的側(cè)面暴露出的相應(yīng)數(shù)據(jù)線112的上面和側(cè)面。此時，數(shù)據(jù)保護圖 案113由與像素電極相同的材料形成，并且數(shù)據(jù)保護圖案113形成在線孔130 中。
通過去除包圍數(shù)據(jù)線112的鈍化層104和柵絕緣層102，線孔130暴露基 板IOO的上表面以及數(shù)據(jù)線112。
此外，可以如圖3所示形成線孔130。如圖3所示，線孔130通過去除包 圍數(shù)據(jù)線112的鈍化層104來暴露數(shù)據(jù)線112和柵絕緣層102的上表面。
圖4A至4H示出了圖2所示的LCD器件的制造方法的截面圖。
首先，如圖4A所示，通過使用濺射的沉積法在基板100上形成柵金屬層。 然后，通過光刻法對柵金屬層構(gòu)圖，因而在基板100上形成包括柵線114、柵 極118和下柵焊盤80a的柵圖案。
然后，如圖4B所示，在基板100上在柵圖案上方順序形成柵絕緣層102、 包J舌有源層120a和歐姆接觸層120b的半導(dǎo)體層120、以及源漏金屬層116。
柵絕緣層102可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的無機絕緣金屬形 成。而且，源漏金屬層116可以形成為鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬合 金(Mo合金)、銅(Cu)、鋁(Al)或釹化鋁(AlNd)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié) 構(gòu)。
然后，在源漏金屬層116上形成光刻膠層(未示出)。在其上，設(shè)置使用 衍射掩?；虬肷{(diào)掩模的第二掩模(未示出)。在該情況下，第二掩模包括遮 擋入射光的遮蔽部分；部分透射入射光的半透射部分或衍射部分；以及透射入 射光的透射部分。
當(dāng)使用第二掩模曝光并顯影光刻膠層時，第一光刻膠圖案200形成為不同 厚度，其中第一光刻膠圖案200位于包括下數(shù)據(jù)焊盤90a、源極和漏極116a 和116b、以及數(shù)據(jù)線112的預(yù)定部分上。換句話說，以將源極和漏極彼此分 離的第一光刻膠圖案200的預(yù)定部分為相對較薄。(圖4B所示的凹陷區(qū)域)。
如圖4C所示，通過使用第一光刻膠圖案200作為掩模的濕刻去除除了源 漏圖案的部分之外的源漏金屬層116。然后，通過使用第一光刻膠圖案200作 為掩模的干刻去除除了半導(dǎo)體圖案的部分之外的半導(dǎo)體層120。
如圖4D所示，通過灰化減少第一光刻膠圖案200的厚度。因此，去除用 于將源極和漏極彼此分離的第一光刻膠圖案200的預(yù)定部分。
如圖4E所示，通過使用第一光刻膠圖案200作為掩模來濕刻源漏圖案， 從而源極和漏極116a和116b彼此分離。然后，去除通過干刻暴露的歐姆接觸 層120b。此時，通過兩次濕刻工序形成源極和漏極圖案。因而，數(shù)據(jù)線112 的寬度小于位于其下的半導(dǎo)體層120的寬度，并且源極和漏極116a和116b 的寬度小于位于其下的半導(dǎo)體層120的寬度。
例如，如果數(shù)據(jù)線112由鉬(Mo)的能干刻(dry-etchable)的金屬形成， 位于數(shù)據(jù)線112下面的半導(dǎo)體層120從數(shù)據(jù)線112的兩側(cè)突出約l-3Mm。同時， 如果數(shù)據(jù)線112由銅(Cu)的能濕刻(wet-etchable)的金屬形成，位于數(shù)據(jù) 線112下面的半導(dǎo)體層120從數(shù)據(jù)線112的兩側(cè)突出約3-5Wn。在該情況下， 由銅(Cu)的能濕刻的金屬形成的半導(dǎo)體層120的線寬和數(shù)據(jù)線112的線寬之 間的差大于由鉬(Mo)的能干刻的金屬形成的半導(dǎo)體層120的線寬和數(shù)據(jù)線 112的線寬之間的差。
如圖4F所示，鈍化層104形成在包括下柵焊盤80a和源漏圖案的基板的 整個表面上。鈍化層104可以由與柵絕緣層102相同的無機絕緣材料、介電常 數(shù)小的丙烯酸基有機化合物、或BCB或PFCB的有機絕緣材料形成。
然后，光刻膠層(未示出)形成在鈍化層104上，并且隨后使用第三掩模 進斗予曝光和顯影。所以，形成第二光刻膠圖案300，其暴露設(shè)置在柵焊盤80a、
漏極116b、數(shù)據(jù)線112和下數(shù)據(jù)焊盤90a上的鈍化層104的預(yù)定部分。
如圖4G所示，通過使用第二光刻膠圖案300作為掩模的蝕刻工序形成第 一至第三接觸孔122a、 122b和122c以及線孔130。在蝕刻工序之后，第一接 觸孔122a貫穿鈍化層104暴露漏極116b;第二接觸孔122b貫穿鈍化層104 和柵絕緣層102暴露下柵焊盤80a;第三接觸孔122c貫穿鈍化層104暴露下 數(shù)據(jù)焊盤90a;并且線孔130貫穿鈍化層104和柵絕緣層102暴露數(shù)據(jù)線112 的上面和側(cè)面,并且暴露位于其下的半導(dǎo)體層120的側(cè)面和基板100的上表面。 還進行蝕刻工序以去除在線孔130暴露的區(qū)域中半導(dǎo)體層120中突出超過 數(shù)據(jù)線112的部分。當(dāng)形成線孔130時，通過去除由第二光刻膠圖案300暴露 的鈍化層104以及在數(shù)據(jù)線112的兩側(cè)突出的半導(dǎo)體層120，位于相鄰像素電 極124之間的數(shù)據(jù)線112下面的半導(dǎo)體層120的線寬等于數(shù)據(jù)線112的線寬。 而且，鈍化層保留在柵線114和數(shù)據(jù)線112的交叉處，從而避免位于數(shù)據(jù)線 112下面的半導(dǎo)體層120和柵絕緣層102被蝕刻。
為了形成圖3所示的線孔，使用狹縫掩模或半色調(diào)掩模。下面是使用狹縫 掩豐莫的例子。狹縫掩模由對應(yīng)于第一至第三接觸孔122a、 122b和122c的透射 部分；對應(yīng)于線孔130的狹縫部分；以及對應(yīng)于鈍化層104的遮蔽部分形成。
通過使用由利用狹縫掩模的曝光和顯影形成的光刻膠圖案的蝕刻工序，形 成第一至第三接觸孔122a、122b和122c并且形成貫穿鈍化層104的線孔130。 當(dāng)形成線孔130時，去除在數(shù)據(jù)線112的兩側(cè)突出的半導(dǎo)體層120，從而位于 數(shù)據(jù)線122下面的半導(dǎo)體層120具有與數(shù)據(jù)線122相同的線寬。
如圖4H所示，形成第一至第三接觸孔122a、 122b和122c以及線孔130。 透明導(dǎo)電材料(未示出)沉積在鈍化層104上以覆蓋數(shù)據(jù)線112。透明導(dǎo)電材 料可以由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、或氧化銦錫鋅 (ITZO)形成。
然后，通過使用第四掩模(未示出)的光刻法和蝕刻形成包括像素電極 124、數(shù)據(jù)保護圖案113、上數(shù)據(jù)焊盤90b和上柵焊盤80b的透明導(dǎo)電圖案。
數(shù)據(jù)保護圖案113覆蓋半導(dǎo)體層120的側(cè)面以及由線孔130暴露的數(shù)據(jù)線 112的上面和下面。而且，數(shù)據(jù)保護圖案113位于數(shù)據(jù)線112之上，并且在數(shù) 據(jù)線112與柵線114交叉的地方夾有鈍化層104。
形成數(shù)據(jù)保護圖案113以避免由線孔130暴露的半導(dǎo)體層120和數(shù)據(jù)線
112在形成像素電極124時被蝕刻劑蝕刻。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD器件及其制造方法具有下述優(yōu)點。 在根據(jù)本發(fā)明的LCD器件及其制造方法中，減少位于數(shù)據(jù)線下面的半導(dǎo)體
層的線寬，從而像素電極的面積按照半導(dǎo)體層的減少的線寬成比例增加，從而
改進LCD器件的孔徑比。
很明顯，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不背離本發(fā)明精神或范圍的基礎(chǔ)上對本發(fā)明
做出修改和變化。因此，本發(fā)明意欲覆蓋落入本發(fā)明權(quán)利要求及其等效范圍內(nèi)
的各種修改和變化。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示器件，包括基板，包括在基板上彼此交叉以限定多個像素區(qū)的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線；以及薄膜晶體管，形成在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部分，各薄膜晶體管包括電連接到相應(yīng)數(shù)據(jù)線的半導(dǎo)體層以及電連接到像素電極的漏極，其中在基板上相鄰像素電極之間的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層組成組合線，并且其中數(shù)據(jù)線的線寬與半導(dǎo)體層的線寬基本上相同。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括覆蓋組合 線的數(shù)據(jù)保護層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括覆蓋柵線、 數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的鈍化層，所述鈍化層具有暴露組合線的線開口。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述組合線在基 板上延伸超過像素電極的邊緣并延伸到數(shù)據(jù)焊盤，并且其中在數(shù)據(jù)焊盤，半導(dǎo) 體層的相對的兩邊緣突出超過數(shù)據(jù)線的相對的兩邊緣。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器件，其特征在于，半導(dǎo)體層的相對的兩邊緣突出超過數(shù)據(jù)線的相對的兩邊緣的位置基本上與像素電極的邊緣重合。
6、 一種液晶顯示器件，包括基板，包括在基板上彼此交叉以限定像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線； 形成在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括連接到柵線的柵極、位于柵極之上的柵絕緣層、位于 柵鄉(xiāng)色緣層之上的半導(dǎo)體層、位于半導(dǎo)體層之上并連接到數(shù)據(jù)線的源極、以及漏 極；以及連接到漏極的像素電極，其中在鄰近像素電極的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線的部分在半導(dǎo)體層的部分之上，并且其中，在鄰近像素電極的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線的線寬與半導(dǎo)體層的線寬基本上相同。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件，其特征在于，數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體 層在基板上延伸超過像素電極的邊緣并延伸到數(shù)據(jù)焊盤，并且其中在數(shù)據(jù)焊 盤，半導(dǎo)體層的相對的兩邊緣突出超過數(shù)據(jù)線的相對的兩邊緣。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征在于，半導(dǎo)體層的相對的兩邊緣突出超過數(shù)據(jù)線的相對的兩邊緣的位置基本上與像素電極的邊緣重 合。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括位于柵線、 數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管之上的鈍化層，所述鈍化層具有暴露與像素電極相鄰的區(qū) 域中的部分?jǐn)?shù)據(jù)線的線開口。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件，其特征在于，在與像素電極相 鄰的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層以及柵絕緣層組成組合層，所述組合層具有頂 面和側(cè)壁，并且其中數(shù)據(jù)保護層位于組合層的頂面和側(cè)壁之上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件，其特征在于，在與像素電極相 鄰的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層組成位于柵絕緣層之上的組合層，所述組合層 具有頂面和側(cè)壁，并且其中數(shù)據(jù)保護層位于組合層的頂面和側(cè)壁之上。
12、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件，其特征在于，數(shù)據(jù)線、源極和 漏極包括鉬Mo、鈦Ti、鉭Ta、鉬合金、銅Cu、鋁Al或釹化鋁AlNd的至少其 中之一。
13、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件，其特征在于，柵絕緣層包括氧 化硅或氮化硅。
14、 一種液晶顯示器件的制造方法，包括 在基板上形成柵線和柵極；在基板、柵線和柵極之上順序形成柵絕緣層，半導(dǎo)體層和金屬層； 形成源極和漏極以及數(shù)據(jù)線；在源極和漏極之上形成鈍化層，并且在鈍化層上形成掩模圖案，其中掩模 具有在數(shù)據(jù)線的部分上面的開口；以及使用掩模圖案蝕刻鈍化層并且使用掩模圖案和數(shù)據(jù)線的部分作為蝕刻掩 模來蝕刻半導(dǎo)體層，以形成組合層，其中，在組合層中，半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線的 部分具有基本上相同的線寬。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成源極和漏極的步驟包括在金屬層上形成光刻膠層，并且區(qū)別地暴露光刻膠層以形成在位于柵極之上的區(qū)域中具有薄光刻膠部分的掩模；使用掩模進行第一蝕刻工序以部分蝕刻金屬層；以及 使用掩模進行第二蝕刻工序以蝕刻半導(dǎo)體層，其中第二蝕刻工序侵蝕薄光刻膠部分并蝕刻薄光刻膠層下面的金屬層，以 形成源極和漏極以及數(shù)據(jù)線，其中半導(dǎo)體層突出超過數(shù)據(jù)線的相對的兩邊緣。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述區(qū)別地暴露光刻膠 層的步驟包括使用掩模暴露光刻膠層，所述掩模具有遮擋入射光的遮蔽部分、 部分透射入射光的衍射部分、以及透射入射光的透射部分。
17、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述進行第一蝕刻工序 的步驟包括進行濕刻工序，并且所述進行第二蝕刻工序的步驟包括進行干刻工 序。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成金屬層的步驟 包括形成鉬層，并且其中在數(shù)據(jù)線的第二部分中，半導(dǎo)體層以約lta至3Mm 突出超過數(shù)據(jù)線的相對的兩邊緣。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成金屬層的步驟 包括形成銅層，并且其中在數(shù)據(jù)線的第二部分中，半導(dǎo)體層以約3Mm至5Mm 突出超過數(shù)據(jù)線的相對的兩邊緣。
20、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括在鈍化層中形成接觸孔； 在鈍化層上面形成像素電極；以及 形成覆蓋組合層的數(shù)據(jù)線保護層。
全文摘要
一種LCD器件包括彼此交叉以在基板上限定像素區(qū)的多條柵線和數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管(TFT)位于柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部分，并且像素電極與TFT電連接。TFT包括柵極、柵極上的柵絕緣層以及柵絕緣層上的半導(dǎo)體層。在相鄰q像素電極之間數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層的部分形成組合層，其中數(shù)據(jù)線的線寬與半導(dǎo)體層的線寬相同。一種LCD器件的制造方法包括使用掩模圖案蝕刻鈍化層并且使用掩模圖案和數(shù)據(jù)線的部分作為蝕刻掩模蝕刻鈍化層以形成組合層。
文檔編號G02F1/1362GK101206361SQ20071012601
公開日2008年6月25日 申請日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者盧承光, 李正一 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社