專利名稱：低反射率薄膜及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種低反射率薄膜；具體而言，本發(fā)明涉及一種低 反射率薄膜，供降低光學(xué)元件或顯示裝置的顯示器中的屏幕的光反
射率之用。
背景技術(shù)：
光反射率是影響光學(xué)元件或顯示裝置的顯示器中的屏幕顯示 效果的重要因素之一。較低的光反射率可提高顯示效果。因此，光 學(xué)元件或顯示裝置的顯示器多會(huì)使用抗反射薄膜以降低光反射率。
同介質(zhì)具有不同折射率，導(dǎo)致有部分光會(huì)乂人不同介質(zhì)界面射回原介 質(zhì)中。
已知的降低光反射率薄膜包含氟化物薄膜。其原理在于氟化物 薄膜的折射率比基材低，且所反射的光線的相位差達(dá)到180° ,兩
界面的反射光線因而形成破壞性干涉而達(dá)到降低光反射的目的。氟 化物薄膜包含利用蒸鍍法形成，然而，此法在制作大面積的基板時(shí)， 較難利用蒸鍍法形成均勻的氟化物薄膜。
中國(guó)臺(tái)灣專利案號(hào)91136165 4皮露了具有納米結(jié)構(gòu)的4氐反射率 薄膜。其原理是利用在薄膜表面做出雕紋等結(jié)構(gòu)變化，進(jìn)而使折射 率產(chǎn)生變化。然而，此法在制程上4交為繁瑣且成本專交高。另外，在
美國(guó)專利US6472012中所披露的另一低光反射率薄膜制造方法，制 程中需要經(jīng)過420。C的高溫處理，并不適于應(yīng)用在如偏光々反等不耐 高溫的基一反上。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種低反射率薄膜，具有較低的光 反射率。
本發(fā)明的另 一主要目的在于提供一種低反射率薄膜制造方法， 供減少薄膜的光反射率。
本發(fā)明的低反射率薄膜包含至少一種硅氧烷類樹脂與多個(gè)二 氧化硅孩i粒。石圭氧烷類樹脂具有至少二個(gè)烷氧基。二氧化石圭孩t粒由 硅氧烷類樹脂固定，且突出于硅氧烷類樹脂表面。其中，二氧化硅 微粒的粒徑為5-150nm。低反射率薄膜中的硅氧烷類樹脂與二氧化 硅微粒以重量為基準(zhǔn)的比例為4-71: 96-29。
低反射率薄膜的制造方法步驟包含準(zhǔn)備第一溶液；準(zhǔn)備第二 溶液；將第二溶液涂布于表面；以及進(jìn)行干燥程序，以形成低反射 率薄膜。第一溶液的準(zhǔn)備，是將催化劑及硅氧烷類樹脂的前驅(qū)物的 混合溶液進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)后，加入第一溶劑而成。第二溶液的準(zhǔn) 備，是將第一溶液與多個(gè)二氧化硅孩吏?；旌隙伞Ｆ渲?，第一溶液 與二氧化硅微粒的混合步驟，進(jìn)一步包含混合第一溶液與二氧化硅 樣吏粒的溶液。制造方法步驟中進(jìn)一步包含在二氧化義圭孩t粒的溶液中 加入第一〉容劑。
本發(fā)明提供了一種低反射率薄膜，包含至少一硅氧烷類樹脂與 多個(gè)二氧化硅孩i粒，其中所述硅氧烷類樹脂具有至少二個(gè)烷氧基， 所述二氧化硅微粒由所述硅氧烷類樹脂固定，且突出于所述硅氧烷 類樹脂表面。
其中所述硅氧烷類樹脂是從甲基三甲氧硅烷、曱基三乙氧硅 烷、乙基三曱氧娃烷、乙基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙 基三乙氧硅烷、異丙基三甲氧硅烷、異丙基三乙氧硅烷、乙烯基三
曱氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三曱氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三甲氧硅烷、3-硫醇基 丙基三乙氧硅烷、苯基三甲氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3,4-環(huán)氧基 環(huán)己基乙基三甲氧硅烷、3,4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三乙氧硅烷、二曱 基二甲氧硅烷、二甲基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、三氟丙 基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三甲氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅烷、 庚癸氟癸基三曱氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混合物中選 擇。
其中所述二氧化石圭孩t粒具有透光性。其中所述二氧化石圭樣t粒的 粒徑為5-150nm。
其中所述硅氧烷類樹脂與所述二氧化硅孩支粒以重量為基準(zhǔn)的 比例為4-71: 96-29。
本發(fā)明還纟是供了 一種低反射率薄膜的制造方法，包含以下步 驟準(zhǔn)備第一溶液，是將催化劑及至少一硅氧烷類樹脂的前驅(qū)物的 混合溶液進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)后，加入第一溶劑而成；準(zhǔn)備第二溶液， 是將所述第一溶液與多個(gè)二氧化石圭孩i?；旌隙?；將所述第二溶液 涂布于表面；以及進(jìn)行干燥程序，以形成所述低反射率薄膜；其中， 所形成的所述低反射率薄膜中的所述硅氧烷類樹脂具有至少二個(gè) 烷氧基，所述二氧化硅微粒是由薄膜中的所述硅氧烷類樹脂固定， 且突出于所述石圭氧烷類樹脂表面。
其中所述第 一溶液與所述二氧化硅孩史粒的混合步驟，進(jìn)一步包 含混合所述第一溶液與所述二氧化硅微粒的溶液。
所述制造方法進(jìn)一步包含在所述二氧化硅微粒的溶液中加入 所述第一溶劑。
其中所述硅氧烷類樹脂是從甲基三甲氧硅烷、甲基三乙氧硅 烷、乙基三曱氧硅烷、乙基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙 基三乙氧硅烷、異丙基三甲氧硅烷、異丙基三乙氧硅烷、乙烯基三
甲氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三甲氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三甲氧硅烷、3-硫醇基 丙基三乙氧珪烷、苯基三曱氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3,4-環(huán)氧基 環(huán)己基乙基三甲氧硅烷、3,4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三乙氧硅烷、二曱 基二曱氧硅烷、二曱基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、三氟丙 基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三甲氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅烷、 庚癸氟癸基三曱氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混合物中選 擇。
其中所述催化劑包含酸性或石咸性物質(zhì)。
其中所述第一溶劑是從異丙醇、正丁醇、異丁醇、權(quán)丁醇、曱 基乙基酮、甲基異丁酮、乙二醇單曱基醚、乙二醇單乙基醚、二亞 乙基乙二醇單曱基醚、二亞乙基乙二醇單乙基醚、亞丙基乙二醇單 甲基醚或其混合物中選擇。
其中所述二氧化石圭《鼓粒具有透光性。其中所述二氧化硅微粒的
粒徑為5-150nm。
其中低反射率薄膜中的所述硅氧烷類樹脂與所述二氧化硅微 并立以重量為基準(zhǔn)的比例為4-71: 96-29。
本發(fā)明還提供了一種透光光學(xué)板材，包含低反射率薄膜，其中 所述低反射率薄膜包含硅氧烷類樹脂與多個(gè)二氧化硅微粒，其中所 述硅氧烷類樹脂具有至少二個(gè)烷氧基，所述二氧化硅微粒由所述硅 氧烷類樹脂固定，且突出于所述石圭氧烷類樹脂表面。
其中所述硅氧烷類樹脂是從曱基三曱氧硅烷、曱基三乙氧硅 烷、乙基三曱氧硅烷、乙基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙 基三乙氧硅烷、異丙基三曱氧硅烷、異丙基三乙氧硅烷、乙烯基三
曱氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三曱氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三甲氧硅烷、3-硫醇基 丙基三乙氧硅烷、苯基三曱氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3，4-環(huán)氧基 環(huán)己基乙基三甲氧硅烷、3，4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三乙氧硅烷、二曱 基二甲氧硅烷、二甲基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、三氟丙 基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三曱氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅烷、 庚癸氟癸基三甲氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混合物中選 擇。
其中所述二氧化石圭孩吏粒具有透光性。其中所述二氧化石圭樣i粒的 粒徑為5-150nm。
其中所述低反射率薄膜中的所述硅氧烷類樹脂與所述二氧化 硅樣i粒以重量為基準(zhǔn)的比例為4-71: 96-29。


圖1為本發(fā)明的低反射率薄膜的優(yōu)選實(shí)施例示意圖； 圖2為本發(fā)明的低反射率薄膜的優(yōu)選實(shí)施例流程具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供了 一種低反射率薄膜，以及制造此低反射率薄膜的 方法。
如圖1所示的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的低反射率薄膜100包含至 少一種硅氧烷類樹脂300與多個(gè)二氧化石圭4效粒500。 二氧化石圭孩么粒 500由硅氧烷類樹脂300固定，且突出于該硅氧烷類樹脂表面。在 此優(yōu)選實(shí)施例中，低反射率薄膜100涂布于硬涂層210上，且硬涂 層210涂布于以三醋酸纖維素(tri-acetyl cellulose, TAC )制成的透 光板材200上。然而在不同實(shí)施例中，4氐反射率薄月莫100可涂布于 不同的透光基材上，透光基材的材料則可從聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯 (Polyethylene terephthalate， PET )、聚甲基丙蹄酸甲酯(poly-methyl methacrylate, PMMA )、聚碳酸月旨(poly-carbonate, PC )、或聚苯 乙烯(poly-styrene， PS)或其混和物、以及如玻璃等透光材料中選 擇。
二氧化硅微粒500具透光性。在優(yōu)選實(shí)施例中，二氧化硅樣i粒 500的粒徑為50-1 OOnm。然而在不同實(shí)施例中，二氧化石圭樣i粒500 的粒徑可以為5-150nm。在優(yōu)選實(shí)施例中，石圭氧烷類樹脂300與二 氧化石圭樣史粒500以重量為基準(zhǔn)的比例為13-54: 87-46。然而在不同 實(shí)施例中，硅氧烷類樹脂300與二氧化硅樣i粒500以重量為基準(zhǔn)的 比例可為4-71: 96-29。
硅氧烷類樹脂300具有至少二個(gè)烷氧基。硅氧烷類樹脂300是 /人甲基三甲氧石圭》克(methyl trimethoxy silane )、甲基三乙氧石圭烷 (methyl triethoxy silane )、 乙基三曱氧石圭力克(ethyl trimethoxy silane )、乙基三乙氧石圭》克(ethyl triethoxy silane )、正丙基三曱氧石圭 步克(n-propyl trimethoxy silane )、 正丙基三乙氧石圭步克(n-propyl triethoxy silane )、 異丙基三曱氧娃烷(isopropyl trimethoxy silane )、
異丙基三乙氧石圭;烷(isopropyl triethoxy silane )、 乙烯基三甲氧義圭火克 (vinyl trimethoxy silane )、 乙?；已跏绮娇?vinyl triethoxy silane )、 3-乙二酉孚氧基丙基三曱氧石圭步克(3-glycidoxy propyl trimethoxy silane )、 3-乙二S孚氧基丙基三乙氧；圭火克(3-glycidoxy propyl triethoxy silane )、 3-石克醇基丙基三曱氧娃坑(3-mercapto propyl trimethoxy silane )、 3-石克醇基丙基三乙氧石圭》克(3-mercapto propyl triethoxy silane )、笨基三曱氧娃烷(phenyl trimethoxy silane )、笨基 三乙氧石圭火克(phenyl triethoxy silane )、 3,4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三甲氧 娃坑(3,4-epoxy cyclohexyl ethyl trimethoxy silane silane )、 3,4-環(huán)氧 基環(huán)己基乙基三乙氧娃坑(3，4-epoxy cyclohexyl ethyl triethoxy silane silane )、 二甲基二曱氧石圭》克(dimethyl dimethoxy silane )、 二甲基二 乙氧石圭》克(diethyl diethoxy silane )、三氟丙基三甲氧石圭》克(trifluoro propyl trimethoxy silane )、 三氟丙基三乙氧娃坑(trifluoro propyl triethoxy silane )、 三發(fā)氟辛基三曱氧石圭》克(tridecafluoro octyl trimethoxy silane )、 三發(fā)氟辛基三乙氧娃烷(tridecafluoro octyl triethoxy silane )、 庚發(fā)氟發(fā)基三曱氧硅坑(heptadeca fluoridecyl trimethoxy silane )、 庚姿氟發(fā)基三乙氧娃烷(heptadeca fluoridecyl triethoxy silan)或其混合物中選4奪。其中，以含有氟素者為佳，而 在優(yōu)選實(shí)施例中，石圭氧烷類樹脂300選用三氟丙基三曱氧石圭烷 (trifluoro propyl trimethoxy silane )。
如圖2所示本發(fā)明的低反射率薄膜制造方法實(shí)施例流程圖。步 驟3001包含準(zhǔn)備第一溶液，是將催化劑及硅氧烷類樹脂的前驅(qū)物 的混合溶液進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)后，加入第一溶劑而成。上述催化劑 包含酸性或石成性物質(zhì)。在優(yōu)選實(shí)施例中，催化劑選用氯化氫 (hydrogen chloride, HC1 )。
硅氧烷類樹脂具有至少二個(gè)烷氧基，由曱基三曱氧硅烷、曱基 三乙氧硅烷、乙基三甲氧硅烷、乙基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅
烷、正丙基三乙氧硅烷、異丙基三甲氧硅烷、異丙基三乙氧硅烷、
乙烯基三曱氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三甲氧 硅烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三甲氧硅烷、 3-硫醇基丙基三乙氧硅烷、苯基三曱氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3,4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三甲氧硅烷、3，4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三乙氧硅烷、 二曱基二曱氧硅烷、二曱基二乙氧硅烷、三氟丙基三甲氧硅烷、三 氟丙基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三曱氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅 烷、庚癸氟癸基三曱氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混合物中 選擇。其中，以含有氟素者為佳，而在優(yōu)選實(shí)施例中，珪氧烷類樹 脂選用三氟丙基三曱氧^ 圭烷。
第 一 溶劑是乂人異丙醇(i-propyl alcohol ， IPA )、正丁醇 (n陽(yáng)butanol)、異丁醇(i-butanol )、殺又丁醇(t-butanol)、曱基乙基 酉同(methyl ethyl ketone )、 曱基異丁酉同(methyl isobutyl ketone )、 乙 二醇單甲基醚(ethylene glycol monomethyl ether )、乙二酉孚單乙基醚 (ethylene glycol monoethyl ether )、 二亞乙基乙二醇單曱基醚 (diethylene glycol monomethyl ether )、 二亞乙基乙二醇單乙基醚 (diethylene glycol monoethyl ether )、 亞丙基乙二醇單曱基醚 (propylene glocol monoethyl ether)或其〉'毘合物中選才奪。在4尤選實(shí) 施例中，第一溶劑選用異丙醇。
步驟3003包含準(zhǔn)備第二溶液，是將第一溶液與二氧化硅孩i粒 混合而成。二氧化^圭樣吏粒500具透光性。在優(yōu)選實(shí)施例中，二氧化 石圭孩i粒500的粒徑為50-100nm。然而在不同實(shí)施例中，二氧化石圭樣史 并立500的斗立徑可以為5-150nm。其中，第一〉容液與該二氧化石圭孩吏4立 的混合不限于直接使用二氧化硅微粒與第一溶液混合。在優(yōu)選實(shí)施 例中，也可進(jìn)一步包含混合第一溶液與二氧化石圭樣M立的溶液，以達(dá) 到將第一溶液與二氧化硅樣克粒混合的目的。所謂二氧化石圭孩i粒的溶
液，也就是說含有二氧化硅微粒的溶液。在優(yōu)選實(shí)施例中，此含有 二氧化石圭樣t粒的溶液可加入前述第 一溶劑作為溶劑。
步驟3005包含將第二溶液涂布于表面。在優(yōu)選實(shí)施例中，第 二卩容液的涂布方法是〗吏用線沖奉〉余布法。然而在不同實(shí)施例中，第二 溶液的涂布方法可使用旋涂法、浸涂法或噴涂法等方法。涂布步驟 3007包含進(jìn)行干燥程序，以形成低反射率薄膜。在優(yōu)選實(shí)施例中， 干燥程序是使用循環(huán)烘箱加熱烘烤。然而在不同實(shí)施例中，也可4吏 用自然風(fēng)干、真空干燥等干燥程序。以下舉例說明上述低反射率薄 膜制造方法及各步驟。
實(shí)施例1
耳又3 />克四乙基々卩石圭&復(fù)鹽(tetraethyl orthosilicate )、 1 ^>克甲基 三乙氧硅烷、0.02 乂>克1N氯化氫與3乂>克純水，在室溫中攪拌0.5 小時(shí)進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)后再加入5公克異丙醇溶劑，成為第一溶 液。 <吏用粒徑為70-100 nm的二氧化石圭樣W立〉容液10 〃>克加入30 乂> 克異丙醇溶劑后，再與第一溶液攪拌混合3小時(shí)，成為第二溶液。 取l公克的第二溶液，加入5公克的異丙醇溶劑攪拌稀釋后，涂布 于基才反表面上并置于100。C的循環(huán)烘箱中烘烤，5分鐘后取出即可 得到附著于基板表面的低反射率薄膜。
實(shí)施例2
耳又2.16乂>克四乙基鄰石圭酸鹽、2公克曱基三乙氧硅烷、0.02 克1N氯化氫與3公克純水，在室溫中攪拌1小時(shí)進(jìn)行溶膠-凝膠反 應(yīng)后再加入15公克異丙醇溶劑，成為A溶液。另外取2.61公克三 氟丙基三甲氧石圭》克(trifluoro propyl trimethoxy silane )、 13公克異丙 醇溶劑、l公克純水、及0.06公克1N氯化氫，在室溫中攪拌l小 時(shí)，成為B溶液。將A卩容液及B溶液混合，并在6(TC反應(yīng)3小時(shí)， 成為第一溶液。耳又1.5 7>克第一溶液、粒徑為70-100 nm的二氧化 硅微粒溶液3公克、以及10公克異丙醇溶劑攪拌混合，成為第二 溶液。將第二溶液涂布于基4反表面上并置于100。C的循環(huán)烘箱中洪 烤，2分鐘后取出即可得到附著于基板表面的低反射率薄膜。
本發(fā)明已通過上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為 實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已4皮露的實(shí)施例并未限制本發(fā) 明的范圍。相反地，包含在權(quán)利要求范圍的精神及范圍的修改及均 等設(shè)置均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
主要組件符號(hào)說明
100 低反射率薄膜 200 透光+反材 210 硬涂層 300 -圭氧纟克類4對(duì)脂 500 二氧化硅微粒
權(quán)利要求
1.一種低反射率薄膜，包含至少一硅氧烷類樹脂與多個(gè)二氧化硅微粒，其中所述硅氧烷類樹脂具有至少二個(gè)烷氧基，所述二氧化硅微粒由所述硅氧烷類樹脂固定，且突出于所述硅氧烷類樹脂表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射率薄膜，其中所述硅氧烷類樹脂是從曱基三甲氧硅烷、曱基三乙氧硅烷、乙基三曱氧硅烷、乙 基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙基三乙氧硅烷、異丙 基三甲氧硅烷、異丙基三乙氧硅烷、乙烯基三曱氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三甲氧硅烷、3-乙二醇氧基 丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三曱氧硅烷、3-硫醇基丙基三 乙氧硅烷、苯基三曱氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3，4-環(huán)氧基環(huán) 己基乙基三甲氧硅烷、3,4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三乙氧硅烷、二 曱基二曱氧硅烷、二曱基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、 三氟丙基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三甲氧硅烷、三癸氟辛基三 乙氧硅烷、庚癸氟癸基三曱氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或 其混合物中選擇。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射率薄膜，其中所述二氧化硅微粒 具有透光性。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射率薄膜，其中所述二氧化硅微粒 的灃立^圣為5-150nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射率薄膜，其中所述硅氧烷類樹脂 與所述二氧化硅孩i粒以重量為基準(zhǔn)的比例為4-71: 96-29。
6. —種低反射率薄膜的制造方法，包含以下步驟準(zhǔn)備第 一溶液，是將催化劑及至少 一硅氧烷類樹脂的前 馬區(qū)物的混合溶液進(jìn)4亍溶月交-凝月交反應(yīng)后，加入第 一溶劑而成；準(zhǔn)備第二溶液，是將所述第一溶液與多個(gè)二氧化硅微粒 混合而成；將所述第二溶液涂布于表面；以及進(jìn)行干燥程序，以形成所述低反射率薄膜；其中，所形成的所述低反射率薄膜中的所述硅氧烷類樹 脂具有至少二個(gè)烷氧基，所述二氧化硅微粒是由薄膜中的所述硅氧烷類樹脂固定，且突出于所述硅氧烷類樹脂表面。
7. 才艮據(jù)4又利要求6所述的制造方法，其中所述第一溶液與所述二 氧化硅微粒的混合步驟，進(jìn)一步包含混合所述第一溶液與所述 二氧化石圭纟效粒的溶液。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，進(jìn)一步包含在所述二氧化硅 樣史粒的溶液中加入所述第一溶劑。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中所述硅氧烷類樹脂是從 甲基三曱氧硅烷、曱基三乙氧硅烷、乙基三曱氧硅烷、乙基三 乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙基三乙氧硅烷、異丙基三 甲氧硅烷、異丙基三乙氧硅烷、乙烯基三甲氧硅烷、乙烯基三 乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三曱氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基 三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三曱氧硅烷、3-硫醇基丙基三乙氧 硅烷、苯基三甲氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3，4-環(huán)氧基環(huán)己基 乙基三曱氧硅烷、3,4-環(huán)氧基環(huán)己基乙基三乙氧硅烷、二甲基 二曱氧硅烷、二甲基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、三氟 丙基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三甲氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅烷、庚癸氟癸基三甲氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混 合物中選4奪。
10.—種透光光學(xué)板材，包含低反射率薄膜，其中所述低反射率薄膜包含硅氧烷類樹脂與多個(gè)二氧化硅微粒，其中所述硅氧烷類 樹脂具有至少二個(gè)烷氧基，所述二氧化硅微粒由所述硅氧烷類 樹脂固定，且突出于所述硅氧烷類樹脂表面。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種低反射率薄膜及其制造方法。低反射率薄膜包含至少一種硅氧烷類樹脂與多個(gè)二氧化硅微粒。硅氧烷類樹脂具有至少二個(gè)烷氧基。二氧化硅微粒由硅氧烷類樹脂固定，且突出于硅氧烷類樹脂表面。低反射率薄膜的制造方法步驟包含準(zhǔn)備第一溶液，是將催化劑及硅氧烷類樹脂的前驅(qū)物的混合溶液進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)后，加入第一溶劑而成；準(zhǔn)備第二溶液，是將第一溶液與多個(gè)二氧化硅微粒混合而成；將第二溶液涂布于表面；以及進(jìn)行干燥程序，以形成低反射率薄膜。
文檔編號(hào)G02B1/00GK101339257SQ200710127228
公開日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2007年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月3日
發(fā)明者翁暢健, 陳慶松 申請(qǐng)人:達(dá)信科技股份有限公司