專利名稱：半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種具有高開口率的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器的制造上，像素開口率的大小直接影響到背光源的利用率，也影響到面板的顯示亮度。影響開口率大小的主要因素，即是透明導(dǎo)電電極與數(shù)據(jù)線(data line)之間的距離，若欲追求較大的開口率，在布局時必須縮短透明電極與數(shù)據(jù)線之間的距離。然而，當(dāng)透明導(dǎo)電電極與數(shù)據(jù)線過于接近時，其所受到的雜散電容(Cpd，capacitance between pixel and data line)會變大，導(dǎo)致像素電極(pixel electrode)上充飽的電荷在下個畫面(frame)轉(zhuǎn)換前，會因數(shù)據(jù)配線傳送不同電壓，而產(chǎn)生串音效應(yīng)(cross talk)。
為減少雜散電容的效應(yīng)，已有許多方式被研究，例如增加儲存電容的大小，其可降低雜散電容占影響一個子像素單元(sub-pixel)所有電容的比率；另外，當(dāng)像素電極與數(shù)據(jù)配線間有穩(wěn)定電場屏蔽時，可降低數(shù)據(jù)配線對像素電極的寄生電容(parasitic capacitance)；此外，OIS(Optical Imaging Systems)還提出，利用曝光成型(photo-imaged)及旋轉(zhuǎn)涂布(SOG，spin on glass)方式涂布的有機(jī)低介電常數(shù)絕緣膜(organic insulator film，K＝2.7～3.5)，可降低數(shù)據(jù)配線與像素電極間的電容效應(yīng)，使像素電極可重疊(overlap)到數(shù)據(jù)配線上。
然而，上述方式會造成若干對于顯示效果或工藝上的不良影響，而有待進(jìn)一步的改善。舉例來說，若以增大面積的方式增加儲存電容，會影響像素開口率。有機(jī)低介電常數(shù)絕緣膜本身具有吸濕(water adsorption)、黃化(yellowed)及界面附著性(interface adhesion)不佳的問題，進(jìn)而影響工藝合格率(yield)及產(chǎn)出速度(throughput)。
此外，對于半穿透半反射式液晶顯示器而言，部分產(chǎn)品的規(guī)格要求低反射率，例如反射率小于3％，也就是反射區(qū)的面積占顯示區(qū)的總面積的比例小于3％，在此狀況下要將薄膜晶體管元件與儲存電容同時設(shè)置于反射區(qū)內(nèi)并完全被反射電極所遮蔽在設(shè)計上存在著極大的困難，由于薄膜晶體管元件為必要元件而無法省略，若要完全不影響穿透區(qū)開口率，勢必需要縮小儲存電容的尺寸，一旦儲存電容偏低將容易產(chǎn)生漏電問題，并進(jìn)而造成微亮點或微暗點的產(chǎn)生，影響顯示品質(zhì)。因此，如何在不影響開口率的前提下增加半穿透半反射式液晶顯示器的儲存電容，實為半穿透半反射式液晶顯示器的發(fā)展上一重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)，以提升儲存電容與開口率。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種半穿透半反射式液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有像素區(qū)，該像素區(qū)包含反射區(qū)與穿透區(qū)；數(shù)據(jù)線，沿第一方向設(shè)置于該基板上，該數(shù)據(jù)線包含第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段，其中該第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與該第二數(shù)據(jù)線區(qū)段通過連接洞電連接；共通電極，設(shè)置于該基板上，該共通電極包含至少一個第一共通電極區(qū)段，沿該第一方向設(shè)置于該穿透區(qū)，且與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段相重疊；掃描線，沿第二方向設(shè)置于該基板上，其中該掃描線與該第二數(shù)據(jù)線區(qū)段由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，該第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與該共通電極由第二導(dǎo)電層構(gòu)成；穿透電極，設(shè)置于該穿透區(qū)內(nèi)，其中該穿透電極與該共通電極彼此絕緣并至少部分重疊；反射電極，設(shè)置于該反射區(qū)內(nèi)，并與該穿透電極電連接；以及薄膜晶體管，與該掃描線與該數(shù)據(jù)線電連接。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中所述共通電極還包含至少一個第二共通電極區(qū)段，沿所述第二方向設(shè)置于所述穿透區(qū)，且電連接于所述第一共通電極區(qū)段。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二共通電極區(qū)段設(shè)于所述反射區(qū)與所述穿透區(qū)的交界處。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一共通電極區(qū)段與所述第二共通電極區(qū)段大體環(huán)繞所述穿透區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，還包含調(diào)整層，設(shè)置于所述反射區(qū)內(nèi)，且所述反射電極設(shè)于所述調(diào)整層上。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中所述反射電極至少暴露出所述調(diào)整層的傾斜表面。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中所述共通電極還包含至少一個第二共通電極區(qū)段，沿所述第二方向設(shè)置于所述穿透區(qū)，所述第二共通電極區(qū)段大體位于所述調(diào)整層的傾斜表面下方。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，所述反射電極具有連接電極，電連接所述穿透電極。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一方向大體與所述第二方向垂直。
本發(fā)明還提供了一種半穿透半反射式液晶顯示面板，包含第一基板，具有多個像素區(qū)，各像素區(qū)包含反射區(qū)與穿透區(qū)；多條數(shù)據(jù)線，沿第一方向設(shè)置于所述第一基板上，各數(shù)據(jù)線包含第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段，其中所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)段通過連接洞電連接；多條掃描線，沿第二方向設(shè)置于所述第一基板上；多個共通電極，設(shè)置于所述第一基板上，各共通電極包含至少一個第一共通電極區(qū)段，沿所述第一方向設(shè)置于各穿透區(qū)，且與所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)段大體相重疊；其中所述多個掃描線與所述多個第二數(shù)據(jù)線區(qū)段由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，所述多個數(shù)據(jù)線區(qū)段與所述多個共通電極由第二導(dǎo)電層構(gòu)成；多個穿透電極，分別設(shè)置于所述多個像素區(qū)的各穿透區(qū)內(nèi)，其中于同一像素區(qū)中，所述穿透電極與所述共通電極彼此絕緣并至少部分重疊；多個反射電極，分別設(shè)置于所述多個像素區(qū)的各反射區(qū)內(nèi)，其中于同一像素區(qū)中，所述反射電極與所述穿透電極電連接；多個薄膜晶體管，各薄膜晶體管分別與對應(yīng)的各掃描線與各數(shù)據(jù)線電連接；第二基板，與所述第一基板對向設(shè)置；以及液晶層，設(shè)置于所述第一基板與所述第二基板之間。
由上述可知，本發(fā)明的半穿透半反射式液晶顯示面板的掃描線與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，而第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與共通電極由第二導(dǎo)電層構(gòu)成，而由于共通電極與穿透電極相重疊，因此可提供儲存電容。通過上述設(shè)計，本發(fā)明的半穿透半反射式液晶顯示面板的反射區(qū)內(nèi)僅需設(shè)置薄膜晶體管，而不需配置容納儲存電容的空間，因此可有效縮減反射區(qū)的面積，以提升穿透區(qū)開口率。
以下為有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。然而所附圖式僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。


圖1至圖5為本發(fā)明第一實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6至圖9為本發(fā)明第二實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖10至圖13為本發(fā)明第三實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖14至圖17為本發(fā)明第四實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖18為本發(fā)明又一實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板的示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下10 第一基板 12 像素區(qū)12R 反射區(qū)12T 穿透區(qū)14 數(shù)據(jù)線14a 第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14b 第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14c 連接洞15 掃描線15a 柵極16 共通電極 16a 第一共通電極區(qū)段16b 第二共通電極區(qū)段 17 半導(dǎo)體層18 數(shù)薄膜晶體管 18a 源極18b 漏極 20 穿透電極21 介電層22 反射電極24 連接電極 26 調(diào)整層26a、26b 傾斜表面 28 缺口30 第二基板 32 彩色濾光片
32R紅色濾光片32G綠色濾光片32B藍(lán)色濾光片34 保護(hù)層36 共通電極層38 配向凸起物40 調(diào)整凸塊 50 液晶層具體實施方式
請參考圖1至圖5。圖1至圖5為本發(fā)明第一實施例的半穿透半反射式多區(qū)域垂直配向(multi-domain vertical alignment，MVA)液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。本實施例以雙間隙(dual cell gap)型的半穿透半反射式液晶顯示面板為例說明本發(fā)明的特點，其中圖1為半穿透半反射式液晶顯示面板的陣列基板的俯視示意圖，圖2為圖1的陣列基板的部分結(jié)構(gòu)俯視示意圖，圖3為圖1的半穿透半反射式液晶顯示面板沿AA’的剖面示意圖，圖4為圖1的半穿透半反射式液晶顯示面板沿BB’的剖面示意圖，并包含延伸的相鄰像素的穿透區(qū)12T，圖5為圖1的半穿透半反射式液晶顯示面板沿CC’的剖面示意圖。如圖1至圖5所示，半穿透半反射式液晶顯示面板包含第一基板(陣列基板)10、第二基板(彩色濾光片基板)(圖1與圖2未示)30與第一基板10對向設(shè)置，以及液晶層(圖1與圖2未示)50設(shè)置于第一基板10與第二基板30之間。第一基板10具有多個像素區(qū)12，且各像素區(qū)12均包含反射區(qū)12R與穿透區(qū)12T。另外，第一基板10具有多條沿第一方向(圖1中的橫向)設(shè)置的數(shù)據(jù)線14，以及多條沿第二方向(圖1中的縱向)設(shè)置的掃描線15，其中第一方向大體與第二方向垂直，而各數(shù)據(jù)線14包含第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b，且第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b分屬不同層的導(dǎo)電層所制作。更精確地說，本實施例的第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a由第二導(dǎo)電層(以下柵極型薄膜晶體管工藝為例，第二導(dǎo)電層與薄膜晶體管元件的源極/漏極為同層金屬)所構(gòu)成，而第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b為第一導(dǎo)電層所構(gòu)成(以下柵極型薄膜晶體管工藝為例，第一導(dǎo)電層與掃描線15以及薄膜晶體管元件的柵極為同層金屬)。各數(shù)據(jù)線14的第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b為部分重疊(如圖5所示)，并通過設(shè)于第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b之間的連接洞(contact via)14c電連接第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b。換句話說，位在第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b之間的絕緣層(未標(biāo)示)具有連接洞14c用以暴露出第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b，而第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a的部分填滿該連接洞14c用以電連接第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b。
另外，半穿透半反射式液晶顯示面板還包含多個共通電極16，設(shè)置于第一基板10上，其中各共通電極16包含至少一個第一共通電極區(qū)段16a，沿第一方向設(shè)置于各穿透區(qū)12T，且第一共通電極區(qū)段16a由第二金屬層所構(gòu)成，并與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b大體相重疊。另外于本實施例中，各共通電極16還可還包含至少一個第二共通電極區(qū)段16b，沿第二方向設(shè)置于穿透區(qū)12T，其中第二共通電極區(qū)段16b與第一共通電極區(qū)段16a舉例為同層金屬，均由第二金屬層構(gòu)成。此外于本實施例中，第二共通電極區(qū)段14b設(shè)于反射區(qū)12R與穿透區(qū)12T的交界處，且各共通電極16的第一共通電極區(qū)段16a與第二共通電極區(qū)段16b為彼此電連接，并大體環(huán)繞相對應(yīng)的穿透區(qū)12T。
半穿透半反射式液晶顯示面板還包含多個薄膜晶體管18，各薄膜晶體管18分別設(shè)置于相對應(yīng)的像素區(qū)12的反射區(qū)12R內(nèi)，且各薄膜晶體管18包含柵極15a與對應(yīng)的掃描線15電連接、源極18a與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線14電連接、漏極18b，以及半導(dǎo)體層(非晶硅層)17。此外，半穿透半反射式液晶顯示面板還具有多個穿透電極20分別設(shè)置于各像素區(qū)12的穿透區(qū)12T之內(nèi)并與薄膜晶體管18的漏極18b電連接，以及多個反射電極22分別設(shè)置于各像素區(qū)12的反射區(qū)12R之內(nèi)，其中穿透電極20由透明導(dǎo)電材質(zhì)，例如氧化銦錫構(gòu)成，而反射電極22則由具高反射率的材質(zhì)，例如鋁、銀等金屬材質(zhì)構(gòu)成，此外于同一像素區(qū)12中，穿透電極20與共通電極16之間設(shè)置有介電層21，使得穿透電極20與共通電極16彼此絕緣并至少部分重疊，而穿透電極20、介電層21與共通電極16并形成儲存電容Cst，而于同一像素區(qū)12中，反射電極22則通過連接電極24與穿透電極20電連接，而于本實施例中連接電極24舉例為穿透電極20的延伸部分。第一基板10還包含調(diào)整層26，設(shè)置于各反射區(qū)12R內(nèi)的反射電極22下方，且反射電極22大體覆蓋調(diào)整層26。設(shè)置調(diào)整層26的目的在于墊高反射電極22，使得半穿透半反射式液晶顯示面板在顯示時，反射區(qū)12R的外界光與穿透區(qū)12T的背光在通過液晶層50時具有相同的光程差，另外調(diào)整層26利用黃光光刻工藝形成凹凸表面，由此設(shè)于其上的反射電極22還隨著調(diào)整層26的表面起伏而具有凹凸表面，由此可散射進(jìn)入反射區(qū)12R的外界光。此外，調(diào)整層26的二側(cè)壁各具有傾斜表面26a與傾斜表面26b，而傾斜表面26a、26b會影響其上的液晶層50的液晶分子排列，因此此處容易產(chǎn)生漏光問題。在本實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板設(shè)計中，反射電極22只有形成于調(diào)整層26具有凹凸表面的位置，此外為了使反射電極22與穿透電極20電連接接，反射電極22僅僅覆蓋靠近穿透區(qū)12T的調(diào)整層26的部分傾斜表面26a上，由此與穿透電極20電連接。本實施例的反射電極22暴露出傾斜表面26b與大部分的傾斜表面26a，而針對漏光問題，則利用將第二共通電極區(qū)段16b的位置設(shè)置于大體對應(yīng)于調(diào)整層26的傾斜表面26a、26b，換句話說，第二共通電極區(qū)段16b與傾斜表面26a有至少部分重疊，如此一來第二共通電極區(qū)段16b可發(fā)揮遮蔽漏光的效果。
另一方面，第二基板30則包含多個彩色濾光片32如紅色濾光片32R、綠色濾光片32G與藍(lán)色濾光片32B分別對應(yīng)各像素區(qū)12、保護(hù)層(overcoat)34覆蓋彩色濾光片32的表面、共通電極層36設(shè)于保護(hù)層34的表面，以及多個配向凸起物(protrusion)38設(shè)于共通電極層36的表面。此配向凸起物38可改變電場分部，使液晶往配向凸起物38傾倒，達(dá)到多區(qū)域配向的功能，可解決灰階反轉(zhuǎn)的問題即達(dá)到廣視角的顯示功能。
由上述可知，本實施例利用共通電極16與穿透電極20的重疊部分制作儲存電容，因此反射區(qū)12R的空間僅需容納薄膜晶體管18而可以不需設(shè)置儲存電容，故可有效縮減反射區(qū)12R的比例以提升穿透區(qū)12T的開口率。值得說明的是本發(fā)明的掃描線15與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段14b由相同的第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，因此在制作上可于同一沉積與蝕刻工藝完成，而第一數(shù)據(jù)線區(qū)段14a與共通電極16還由相同的第二導(dǎo)電層構(gòu)成，因此還可利用同一沉積與蝕刻工藝完成。另外，反射電極22設(shè)置于調(diào)整層26之上，因此可直接與穿透電極20電連接而不需通過接觸洞加以連接，故本發(fā)明的半穿透半反射式液晶顯示面板不需額外增加制作成本。
為了便于比較本發(fā)明各實施例的異同處，以彰顯各實施例的特征所在，在以下各實施例中相同的元件將使用相同的符號標(biāo)記，并不多加贅述，而說明部分將僅就各實施例相異處進(jìn)行說明。
請參考圖6至圖9。圖6至圖9為本發(fā)明第二實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。本實施例以單液晶間隙(single cell gap)型的半穿透半反射式多區(qū)域垂直配向液晶顯示面板為例說明本發(fā)明的特點，其中圖6為半穿透半反射式液晶顯示面板的陣列基板的俯視示意圖，圖7為圖6的半穿透半反射式液晶顯示面板沿DD’的剖面示意圖，圖8為圖6的半穿透半反射式液晶顯示面板沿EE’的剖面示意圖，且包含延伸的相鄰像素的穿透區(qū)12T，圖9為圖6的半穿透半反射式液晶顯示面板沿FF’的剖面示意圖。如圖6至圖9所示，由于本實施的半穿透半反射式液晶顯示面板為單液晶間隙型，因此于穿透區(qū)12T中還設(shè)置有調(diào)整層26，使得反射區(qū)12R與穿透區(qū)12T均具有相同的液晶間隙，但穿透電極20可于調(diào)整層26之前先形成，因此穿透電極20位于調(diào)整層26的下方，且調(diào)整層26于穿透區(qū)12T與反射區(qū)12R的交界處具有缺口28暴露出穿透電極20，由此后續(xù)形成的反射電極22可經(jīng)由缺口28直接與穿透電極20電連接。
請參考圖10至圖13。圖10至圖13為本發(fā)明第三實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。本實施例也為單液晶間隙型的半穿透半反射式液晶顯示面板，其中圖10為半穿透半反射式液晶顯示面板的陣列基板的俯視示意圖，圖11為圖10的半穿透半反射式液晶顯示面板沿GG’的剖面示意圖，圖12為圖10的半穿透半反射式液晶顯示面板沿HH’的剖面示意圖，圖13為圖10的半穿透半反射式液晶顯示面板沿II’的剖面示意圖。如圖10至圖13所示，由于本實施的半穿透半反射式液晶顯示面板為單液晶間隙型，因此于穿透區(qū)12T中還設(shè)置有調(diào)整層26，使得反射區(qū)12R與穿透區(qū)12T均具有相同的液晶間隙，且穿透電極20于設(shè)置于調(diào)整層26的表面，而由于穿透電極20不需具有凹凸表面，因此在穿透區(qū)12T的調(diào)整層26并不具有凹凸表面。另外，調(diào)整層26于穿透區(qū)12T與反射區(qū)12R的交界處具有缺口28，且穿透電極20與反射電極22于缺口28內(nèi)電連接，并進(jìn)而與薄膜晶體管電連接。
請參考圖14至圖17。圖14至圖17為本發(fā)明第四實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的示意圖。其中圖14為半穿透半反射式液晶顯示面板的陣列基板的俯視示意圖，圖15為圖14的半穿透半反射式液晶顯示面板沿JJ’的剖面示意圖，圖16為圖14的半穿透半反射式液晶顯示面板沿KK’的剖面示意圖，圖17為圖10的半穿透半反射式液晶顯示面板沿LL’的剖面示意圖。如圖14至圖17所示，本實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板的第一基板10的結(jié)構(gòu)與第三實施例的第一基板10類似，而本實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板在第二基板30對應(yīng)于各反射區(qū)12R的位置，另分別設(shè)置有調(diào)整凸塊40，由此反射區(qū)12R與穿透區(qū)12T會具有不同的液晶間隙。
于上述各實施例中，反射電極22設(shè)于穿透電極20上方且連接電極24為穿透電極20的延伸部分，但本發(fā)明的作法并不限于此。請參考圖18，圖18為本發(fā)明又一實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板的示意圖。如圖18所示，與前述各實施例不同的處在于本實施例的連接電極24為反射電極22的延伸部分，而穿透電極20設(shè)于反射電極22的上，由此也可使穿透電極20與反射電極22彼此電連接。
綜上所述，本發(fā)明的各實施例的半穿透半反射式液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線包含有由第二金屬層構(gòu)成的第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與由第一金屬層構(gòu)成的第二數(shù)據(jù)線區(qū)段，而對應(yīng)于第二數(shù)據(jù)線區(qū)段的第二金屬層則設(shè)置有共通電極，由此共通電極不僅可發(fā)揮遮蔽電極的效果，并可與和其相重疊的穿透電極形成儲存電容。通過上述設(shè)計，本發(fā)明的半穿透半反射式液晶顯示面板的反射區(qū)內(nèi)僅需設(shè)置薄膜晶體管，而不需配置容納儲存電容的空間，因此可有效縮減反射區(qū)的面積，以提升穿透區(qū)的開口率。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修改，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有像素區(qū)，所述像素區(qū)包含反射區(qū)與穿透區(qū)；數(shù)據(jù)線，沿第一方向設(shè)置于所述基板上，所述數(shù)據(jù)線包含第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段，其中所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)段通過連接洞電連接；共通電極，設(shè)置于所述基板上，所述共通電極包含至少一個第一共通電極區(qū)段，沿所述第一方向設(shè)置于所述穿透區(qū)，且與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段相重疊；掃描線，沿第二方向設(shè)置于所述基板上，其中所述掃描線與所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)段由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與所述共通電極由第二導(dǎo)電層構(gòu)成；穿透電極，設(shè)置于所述穿透區(qū)內(nèi)，其中所述穿透電極與所述共通電極彼此絕緣并至少部分重疊；反射電極，設(shè)置于所述反射區(qū)內(nèi)，并與所述穿透電極電連接；以及薄膜晶體管，與所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述共通電極還包含至少一個第二共通電極區(qū)段，沿所述第二方向設(shè)置于所述穿透區(qū)，且電連接于所述第一共通電極區(qū)段。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第二共通電極區(qū)段設(shè)于所述反射區(qū)與所述穿透區(qū)的交界處。
4.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一共通電極區(qū)段與所述第二共通電極區(qū)段大體環(huán)繞所述穿透區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含調(diào)整層，設(shè)置于所述反射區(qū)內(nèi)，且所述反射電極設(shè)于所述調(diào)整層上。
6.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述反射電極至少暴露出所述調(diào)整層的傾斜表面。
7.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述共通電極還包含至少一個第二共通電極區(qū)段，沿所述第二方向設(shè)置于所述穿透區(qū)，所述第二共通電極區(qū)段大體位于所述調(diào)整層的傾斜表面下方。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，所述反射電極具有連接電極，電連接所述穿透電極。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述第一方向大體與所述第二方向垂直。
10.一種半穿透半反射式液晶顯示面板，包含第一基板，具有多個像素區(qū)，各像素區(qū)包含反射區(qū)與穿透區(qū)；多條數(shù)據(jù)線，沿第一方向設(shè)置于所述第一基板上，各數(shù)據(jù)線包含第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段，其中所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)段通過連接洞電連接；多條掃描線，沿第二方向設(shè)置于所述第一基板上；多個共通電極，設(shè)置于所述第一基板上，各共通電極包含至少一個第一共通電極區(qū)段，沿所述第一方向設(shè)置于各穿透區(qū)，且與所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)段大體相重疊；其中所述多個掃描線與所述多個第二數(shù)據(jù)線區(qū)段由一第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，所述多個第數(shù)據(jù)線區(qū)段與所述多個共通電極由一第二導(dǎo)電層構(gòu)成；多個穿透電極，分別設(shè)置于所述多個像素區(qū)的各穿透區(qū)內(nèi)，其中于同一像素區(qū)中，所述穿透電極與所述共通電極彼此絕緣并至少部分重疊；多個反射電極，分別設(shè)置于所述多個像素區(qū)的各反射區(qū)內(nèi)，其中于同一像素區(qū)中，所述反射電極與所述穿透電極電連接；多個薄膜晶體管，各薄膜晶體管分別與對應(yīng)的各掃描線與各數(shù)據(jù)線電連接；第二基板，與所述第一基板對向設(shè)置；以及液晶層，設(shè)置于所述第一基板與所述第二基板之間。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半穿透半反射式液晶顯示面板和像素結(jié)構(gòu)，其中該液晶顯示面板包含多條掃描線、數(shù)據(jù)線與共通電極，其中各數(shù)據(jù)線包含第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段，而各共通電極包含至少一個第一共通電極區(qū)段。掃描線與第二數(shù)據(jù)線區(qū)段由第一導(dǎo)電層所構(gòu)成，而第一數(shù)據(jù)線區(qū)段與共通電極由第二導(dǎo)電層構(gòu)成。第一共通電極區(qū)段與穿透電極相重疊，因此可提供儲存電容。本發(fā)明的半穿透半反射式液晶顯示面板的反射區(qū)內(nèi)僅需設(shè)置薄膜晶體管，而不需配置容納儲存電容的空間，因此可有效縮減反射區(qū)的面積，以提升穿透區(qū)開口率。
文檔編號G02F1/133GK101067706SQ20071012743
公開日2007年11月7日 申請日期2007年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月5日
發(fā)明者范姜士權(quán), 江秉儒, 林祥麟, 林敬桓, 張志明 申請人:友達(dá)光電股份有限公司