專利名稱：：電子照相感光體和圖像形成裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及電子照相感光體和圖像形成裝置。尤其涉及即使在設置中間層的情況下，也能有效抑制曝光記憶的產生和殘留電位上升的電子照相感光體以及使用該電子照相感光體的圖像形成裝置。
背景技術：
：對通常在復印機或激光打印機等電子照相設備中使用的電子照相感光體，由于近年來低價格和低環(huán)境污染性的要求，而廣泛使用有機感光體。在這種有機感光體中，為了防止從基體注入電荷、消除由于基體的缺陷所導致的圖像缺陷、提高感光層與基體間的粘合性、并提高帶電性等，己知的是采用在感光層與基體間設置中間層的方法。然而，在設置該中間層的情況下，存在感光層中產生的電荷無法充分向基體一側逃逸的問題。結果，在感光層中容易產生殘留電荷，導致產生曝光記憶。此外，由于感光層中電荷的移動效率降低，從而感光層的載流子捕獲以及在中間層與感光層的界面上積蓄的電荷增加，在反復形成圖像的情況下，存在殘留電位上升的問題。因此，為了解決該問題，提出了使氧化鈦等金屬氧化物顆粒分散于中間層中，以調節(jié)中間層導電性的方法(例如專利文獻1和2)。更具體地說，在專利文獻l中，提出了設置包含導電的金屬化合物顆粒、且體積電阻率為1X1(T1X10"Q'cm的中間層的電子照相感光體。此外，在專利文獻2中，提出了一種設置中間層的電子照相感光體，所述中間層具有非線性特性，即，其帶電方向的任意電場中的體積電阻率為該電場5倍的電場中的體積電阻率的5倍以上。專利文獻l:特開2004—302462號公報(權利要求)專利文獻2:特開2002—99107號公報(權利要求)然而，專利文獻1中記載的電子照相感光體必須將在中間層中分散的金屬化合物顆粒通過碳黑或鈀等導電性材料等進行覆蓋，制造困難。此外，在專利文獻2中記載的電子照相感光體著眼于中間層的體積電阻率，并沒有著眼于中間層的膜厚和中間層中分散的金屬氧化物的分散性等。因此，難以穩(wěn)定地控制中間層整體的導電性。所以，本發(fā)明人對上述問題進行了精心的研究，結果發(fā)現通過將中間層中分散的氧化鈦的平均一次粒徑、中間層的膜厚和中間層的體積電阻率分別控制在規(guī)定的范圍內，能容易地調節(jié)中間層的導電性，并有效地抑制曝光記憶的產生和殘留電位的上升。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供一種能容易地調節(jié)中間層的導電性，從而能有效地抑制曝光記憶的產生和殘留電位上升的電子照相感光體以及使用該電子照相感光體的圖像形成裝置。根據本發(fā)明提供的電子照相感光體，其在基體上設置有包含氧化鈦和粘合樹脂的中間層、以及感光層，其特征在于，所述氧化鈦的平均一次粒徑為530mn范圍內的值，并且所述中間層的膜厚為0.53nm范圍內的值，且中間層的體積電阻率為lX10lfl5X1013Q.cm范圍內的值，從而能解決上述問題。艮P，通過使氧化鈦的平均一次粒徑在規(guī)定的范圍內，能使中間層內的分散性良好，中間層的導電性均勻。此外，通過使中間層的膜厚和體積電阻率在規(guī)定的范圍內，能將中間層的整體導電性調節(jié)至合適的范圍內。因此，通過容易地調節(jié)中間層的導電性，能有效地抑制曝光記憶的產生和殘留電位的上升。此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，優(yōu)選從在基體上形成中間層的狀態(tài)下測定的L值(使用根據JISZ8722的色差計測定的參數值)中減去單獨測定基體的L值所獲得的值(AL值)為一5.00范圍內的值。通過這種構成，能容易地確認中間層中氧化鈦的分散性。因此，能更容易且可靠地調節(jié)中間層的導電性。此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，優(yōu)選相對于100重量份粘合樹脂，氧化鈦的添加量為150350重量份范圍內的值。通過這種構成，能容易地將中間層的體積電阻率調節(jié)在規(guī)定的范圍內，且能提高氧化鈦的分散性。此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，優(yōu)選通過氧化鋁、二氧化硅和有機硅化合物對氧化鈦進行表面處理。通過這種構成，能進一步提高中間層中氧化鈦的分散性，同時將中間層的導電性調節(jié)在適當的范圍內。此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，優(yōu)選相對于100重量份氧化鈦，通過氧化鋁和二氧化硅進行表面處理的量為130重量份范圍內的值，且相對于100重量份氧化鈦，通過有機硅化合物進行表面處理的量為115重量份范圍內的值。通過這種構成，能進一步提高中間層中氧化鈦的分散性，且能將中間層的導電性調節(jié)在適當的范圍內。另外，所謂通過氧化鋁和二氧化硅進行表面處理的量，是指氧化鋁和二氧化硅的總處理量。此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，氧化鈦優(yōu)選含有兩種以上的氧化鈦。通過這種構成，能更容易地調節(jié)中間層的導電性。此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，優(yōu)選粘合樹脂為聚酰胺樹脂。通過這種構成，不僅能提高中間層、基體與感光層的粘合性，還能提高氧化鈦的分散性。此外，在構成本發(fā)明時，優(yōu)選粘合樹脂的數均分子量為100050000范圍內的值。通過這種構成，不僅能更均勻地形成中間層的膜厚，還能進一步提高氧化鈦的分散性。此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，用于形成中間層的中間層用涂布液優(yōu)選通過包含下述步驟(A)(B)的制造方法獲得(A)在溶解了相當于構成中間層的全部粘合樹脂的3165重量％的粘合樹脂的粘合樹脂溶液中添加氧化鈦，形成一次分散液的步驟；(B)對一次分散液，溶解相當于全部粘合樹脂的3569重量％的粘合樹脂，形成中間層用涂布液的步驟；通過這種構成，能進一步提高中間層中氧化鈦的分散性。此外，本發(fā)明提供一種圖像形成裝置，其特征在于具有上述任意一種的電子照相感光體，并且在該電子照相感光體的周圍分別配置帶電裝置、曝光裝置、顯影裝置、以及轉印裝置。即，如果采用本發(fā)明的圖像形成裝置，由于具有包含滿足規(guī)定條件的中間層的電子照相感光體，所以能穩(wěn)定地形成可抑制記憶圖像產生的優(yōu)質圖像。此外，即使在反復形成圖像的情況下，也能抑制殘留電位的上升，高速形成清晰的圖像。此外，在形成本發(fā)明的圖像形成裝置時，圖像形成裝置優(yōu)選為省略電荷去除裝置的無除電型的圖像形成裝置。即使在這種結構的情況下，采用本發(fā)明的圖像形成裝置，也能穩(wěn)定地形成可抑制記憶圖像產生的優(yōu)質圖像。因此，可以實現圖像形成裝置的緊湊化和低成本化。圖1(a)和(b)是用于說明本發(fā)明積層型電子照相感光體簡要結構的圖。圖2是用于說明氧化鈦的平均一次粒徑與記憶電位關系的圖。圖3是用于說明中間層的體積電阻率與記憶電位關系的圖。圖4是用于說明中間層的體積電阻率與殘留電位關系的圖。圖5是用于說明中間層的膜厚與殘留電位關系的圖。圖6(a)和(b)是用于說明中間層中AL值測定方法的圖。圖7是用于說明AL值(分散性)與曝光記憶關系的圖。圖8(a)和(b)是用于說明本發(fā)明單層型電子照相感光體簡要結構的圖。圖9是用于說明本發(fā)明圖像形成裝置簡要結構的圖。具體實施方式第一實施方式本發(fā)明第一實施方式的電子照相感光體，其在基體上設置有包含氧化鈦和粘合樹脂的中間層、以及感光層，其特征在于，氧化鈦的平均一次粒徑為530nm范圍內的值，并且中間層的膜厚為0.53txm范圍內的值，且中間層的體積電阻率為lX10ie5X1013Qcm范圍內的值。以下，針對第一實施方式的電子照相感光體，主要以如圖1(a)和(b)所示的，具有基體13、中間層12、電荷產生層34和電荷輸送層32的積層型電子照相感光體IO為例，對各結構要件分別進行說明。l.基體作為圖1中例示的基體13，可以使用具有導電性的各種材料。例如可以例舉出由鐵、鋁、銅、錫、鉑、銀、釩、鉬、鉻、鎘、鈦、鎳、鈀、銦、不銹鋼、以及黃銅等金屬形成的基體；由蒸鍍或層疊上述金屬的塑料材料構成的基體；或被碘化鋁、防腐鋁、氧化錫和氧化銦等覆蓋的玻璃制的基體等。艮口，只要基體本身具有導電性或基體表面具有導電性即可。此外，基體優(yōu)選在使用時具有足夠的機械強度。此外，基體的形狀也可以是與使用的圖像形成裝置的結構相符的片狀或鼓狀等任意一種。2.中間層此外，如圖l中所例示的，本發(fā)明的電子照相感光體的特征在于，在基體13上設置含有粘合樹脂和氧化鈦的中間層12。以下，分別就粘合樹脂和氧化鈦等，對中間層進行說明。(1)粘合樹脂(1)一l種類作為粘合樹脂，優(yōu)選使用選自例如聚酰胺樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇甲縮醛樹脂、醋酸乙烯酯樹脂、苯氧基樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸酯樹脂中的至少一種樹脂。此外，在上述粘合樹脂中，特別優(yōu)選使用聚酰胺樹脂。其理由是，通過使用聚酰胺樹脂作為粘合樹脂，不僅能提高中間層、基體和感光層的粘合性，而且還能提高氧化鈦的分散性。即，如果采用聚酰胺樹脂，則與基體的粘合性優(yōu)異，因此能有效地抑制由于基體表面缺陷而引起的圖像缺陷。此外，即使是在高溫高濕條件下，中間層、基體和感光層各自的界面也能穩(wěn)定地粘合，因此能防止在這些界面產生剝離等，從而能有效防止在形成圖像中產生灰霧。此外，通過提高該樹脂中所含氧化鈦的分散性，能形成具有均勻導電性的中間層。另外，由于在溶劑中的溶解性優(yōu)異，因此優(yōu)選使用醇可溶性聚酰胺樹脂作為優(yōu)選使用的聚酰胺樹脂。作為具體例子，優(yōu)選使用將尼龍6、尼龍66、尼龍610、尼龍ll、尼龍12等共聚的被稱為共聚物尼龍的物質、或如N—烷氧基甲基改性尼龍、N—垸氧基乙基尼龍等將尼龍化學改性的被稱為改性尼龍的物質。(1)一2數均分子量此外，粘合樹脂的數均分子量優(yōu)選為100050000范圍內的值。其理由是，通過使粘合樹脂的數均分子量為該范圍內的值，不僅能均勻地形成中間層的膜厚，還能進一步提高氧化鈦的分散性。艮口，如果粘合樹脂的數均分子量不足1000，則形成中間層時的涂布液粘度顯著降低，難以獲得均勻的膜厚，機械強度、成膜性或粘合性有時也會顯著降低。另一方面，粘合樹脂的數均分子量如果超過50000,則形成中間層時的涂布液粘度顯著增加，難以控制中間層的膜厚，導電性有時會顯著降低。因此，粘合樹脂的數均分子量優(yōu)選為200030000范圍內的值，更優(yōu)選為500015000范圍內的值。另外，粘合樹脂的數均分子量可以使用凝膠滲透色譜(GPC)作為聚苯乙烯換算的分子量進行測定，或者在粘合樹脂是縮合類樹脂的情況下，也可以由其縮合度計算得出。此外，即使代替數均分子量，當粘度平均分子量在上述范圍內的情況下，也能獲得同樣的效果。(1)一3粘度此外，優(yōu)選粘合樹脂的溶液粘度(在乙醇/甲苯=1/1的溶劑中，5重量％濃度、25'C的條件下)為10200mPasec范圍內的值。其理由是，粘合樹脂的溶液粘度如果不足10mPa.sec，則中間層的成膜性降低，膜厚差增大，中間層的機械強度和粘附性顯著降低，此外，顏料等的分散性有時也發(fā)生降低。另一方面，粘合樹脂的溶液粘度如果超過200mPa*sec，則有時難以形成均勻厚度的中間層。因此，粘合樹脂的溶液粘度(在乙醇/甲苯=1/1的溶劑中，5重量％濃度)更優(yōu)選為30180mPa'sec范圍內的值，進一步優(yōu)選為50150mPa*sec范圍內的值。(1)—4羥基量此外，在粘合樹脂具有羥基的涂膜形成樹脂的情況下，該羥基量優(yōu)選為1040mol^范圍內的值。其理由是，具有羥基的涂膜形成樹脂的羥基量如果不足10mol%，則中間層的機械強度、成膜性或粘附性顯著降低，或者氧化鈦的分散性有時也會降低。另一方面，具有羥基的涂膜形成樹脂的羥基量如果超過40mol%，則容易發(fā)生凝膠化，有時難以形成均勻厚度的中間層。因此，在粘合樹脂使用具有羥基的涂膜形成樹脂的情況下，其羥基量更優(yōu)選為2038mol^范圍內的值，進一步優(yōu)選為2535mol%范圍內的值。另外，作為具有羥基的涂膜形成樹脂，例如可以列舉聚乙烯醇縮丁醛或聚乙烯醇甲縮醛樹脂等。(2)氧化鈦此外，本發(fā)明的電子照相感光體的特征在于，中間層包含上述粘合樹脂和氧化鈦。其理由是，由于氧化鈦具有規(guī)定的導電性，因此通過在中間層中分散該氧化鈦，能對中間層賦予規(guī)定的導電性。艮口，如果中間層的導電性過低，則在感光層中產生的電荷難以向基體一側移動，有時會導致曝光記憶或殘留電位上升。另一方面，如果中間層的導電性過高，則有時會從基體一側注入電荷，或者帶電性降低。因此，為了將中間層的導電性調節(jié)在適當的范圍內，必須分別改變氧化鈦的添加量、平均一次粒徑和表面處理等。以下，對各個要件進行說明。另外，氧化鈦可以使用晶體或非晶體。此外，在氧化鈦為晶體的情況下，當其晶型是銳鈦礦型、金紅石型和板鈦礦型任一種時，均可以使用，尤其優(yōu)選使用金紅石型。(2)—l平均一次粒徑本發(fā)明的電子照相感光體的特征在于，氧化鈦的平均一次粒徑(數均一次粒徑，以下相同。)為530nm范圍內的值。其理由是，通過使氧化鈦的平均一次粒徑為530nm范圍內的值，而使其在中間層內的分散性良好，從而使中間層的導電性均勻。艮P，如果氧化鈦的平均一次粒徑不足5nm，則不僅難以高精度地制造該氧化鈦顆粒，而且有時顆粒之間容易凝集。另一方面，如果氧化鈦的平均一次粒徑超過30nm，則其在中間層內的分散性降低，中間層的導電性有時會不均勻。結果感光層中容易產生殘留電荷，有時難以有效地抑制曝光記憶。因此，氧化鈦的平均一次粒徑更優(yōu)選為1020nm范圍內的值，進一步優(yōu)選為1218nm范圍內的值。另外，氧化鈦的平均一次粒徑可以通過將電子顯微鏡照相和圖像處理裝置組合進行測定。更具體地說，例如在通過掃描電鏡獲得氧化鈦3萬倍的照片后，使用CCD攝影，把圖像數據讀取到個人電腦中。然后，例如可以使用三谷商事(株)制造的WINROOF等通用圖像處理軟件，求出圖像中反映出的任意100個以上氧化鈦的數均粒徑(長徑)，來作為氧化鈦的平均一次粒徑。下面，利用圖2，對氧化鈦的平均一次粒徑與設置分散有該氧化鈦的中間層的電子照相感光體的記憶電位的關系進行說明。在圖2示出的特性曲線中(在相對于IOO重量份中間層的粘合樹脂氧化鈦含量為300重量份、中間層的膜厚為2um的條件下)，橫軸為氧化鈦的平均一次粒徑(nm)，縱軸為具有包含該氧化鈦的中間層的電子照相感光體的記憶電位絕對值(V)。另外，對使用的電子照相感光體的結構、記憶電位的測定方法等在以后的實施例中記載。由該特性曲線可知，在氧化鈦平均一次粒徑(nm)的值為30nm以下的情況下，記憶電位的絕對值(V)穩(wěn)定地維持在15V左右的較低的值。另一方面，在氧化鈦平均一次粒徑(醒)的值超過30nm，則伴隨著該值的增加，記憶電位的絕對值(V)也急劇增加，當氧化鈦平均一次粒徑(nm)的值為50nm時，記憶電位的絕對值(V)增加至約35V。因此，通過使氧化鈦的平均一次粒徑為30nm以下，可以將記憶電位穩(wěn)定地抑制在較低的值。(2)—2添加量此外，相對于100重量份粘合樹脂，氧化鈦的添加量優(yōu)選為150350重量份范圍內的值。其理由是，通過使氧化鈦的添加量在該范圍內，能將中間層的體積電阻率容易地調節(jié)在規(guī)定的范圍內，且能提高氧化鈦的分散性。艮P，如果相對于IOO重量份粘合樹脂，氧化鈦的添加量不足150重量份，則有時難以充分提高中間層的導電性。另一方面，如果相對于100重量份粘合樹脂，氧化鈦的添加量超過350重量份，則中間層的導電性過高，氧化鈦的分散性有時會降低。因此，相對于100重量份粘合樹脂，氧化鈦的添加量更優(yōu)選為180320重量份范圍內的值，進一步優(yōu)選為200300重量份范圍內的值。另外，所謂氧化鈦添加量，如以下所述，在一起使用兩種以上氧化鈦的情況下，是指其總量。此外，作為氧化鈦，優(yōu)選還含有平均一次粒徑和表面處理等不同的其它氧化鈦。其理由是，通過一起使用兩種以上的氧化鈦，能更容易地調節(jié)中間層的導電性艮P，通過改變兩種以上氧化鈦的混合比，能容易地適當調節(jié)中間層的導電性。(2)—3表面處理此外，優(yōu)選通過氧化鋁、二氧化硅和有機硅化合物對氧化鈦進行表面處理。其理由是，通過進行這種表面處理，能進一步提高中間層中氧化鈦的分散性，且將中間層的導電性調節(jié)至適當的范圍內。艮P，通過利用氧化鋁(A1203)和二氧化硅(Si02)對氧化鈦進行表面處理，能提高中間層中氧化鈦的基本分散性。此外，通過利用氧化鋁、二氧化硅對氧化鈦進行表面處理，能容易地調節(jié)利用后述有機硅化合物的表面處理量。此外，再通過使用有機硅化合物進行表面處理，不僅能進一步提高氧化鈦的分散性，還能改變其表面處理量，從而能夠容易地調節(jié)氧化鈦的導電性。另外，作為適合使用的有機硅化合物，可以列舉出烷基硅烷化合物、烷氧基硅垸化合物、含乙烯基硅垸化合物、含巰基硅垸化合物、含氨基硅烷化合物、或者作為這些物質縮聚物的聚硅氧垸化合物。更具體地說，優(yōu)選甲基氫化二烯聚硅氧垸或二甲基聚硅氧烷等硅氧垸化合物，特別優(yōu)選甲基氫化二烯聚硅氧垸。另外，作為氧化鋁和二氧化硅的添加量，相對于ioo重量份氧化鈦，優(yōu)選為130重量份范圍內的值，更優(yōu)選為520重量份范圍內的值。此外，作為有機硅化合物的添加量，相對于IOO重量份氧化鈦，優(yōu)選為115重量份范圍內的值，更優(yōu)選為510重量份范圍內的值。此外，通過利用上述有機硅化合物對氧化鈦進行表面處理，能提高含有該被實施表面處理的氧化鈦的中間層、基體和感光層之間的粘附力。之所以具有這樣的效果，認為是由于有機硅化合物與聚酰胺樹脂相互作用，從而提高該聚酰胺樹脂的凝集力，還認為是由于有機硅化合物像底料那樣，能發(fā)揮使中間層的表面改質的效果。無論是哪種，通過有機硅化合物對氧化鈦進行表面處理，不僅能調節(jié)氧化鈦的分散性及其導電性，還能調節(jié)中間層、基體和感光層之間的粘附力。(3)添加劑此外，為了防止由于光散射而產生干涉條紋，提高分散性等，還優(yōu)選在中間層中添加與上述氧化鈦不同的其它各種添加劑(有機粉末或無機粉末)。尤其是氧化鋅、鋅白、硫化鋅、鉛白、鋅鋇白等白色顏料、氧化鋁、碳酸鈣、硫酸鋇等作為填充顏料的無機顏料或氟樹脂顆粒、苯并胍胺樹脂顆粒、苯乙烯樹脂顆粒等是優(yōu)選的添加劑。此外，在添加粉末等添加劑的情況下，優(yōu)選其粒徑為0.013um范圍內的值。其理由是，如果該粒徑過大，則中間層的凹凸變大，產生導電不均勻的部分，此外，有時容易產生畫質缺陷。另一方面，如果該粒徑過小，則有時無法獲得足夠的光散射效果。另外，在添加粉末等添加劑的情況下，相對于中間層的固體成分，其添加量以重量比計，優(yōu)選為170重量％，更優(yōu)選為560重量％范圍內的值。此外，還優(yōu)選在中間層中添加電荷輸送劑。即，通過使其含有電荷輸送劑，能迅速地將感光層中產生的電荷移動至基體一側，從而能夠顯示穩(wěn)定的電特性。此外，作為這種電荷輸送劑，可以使用目前公知的各種化合物。(4)體積電阻率此外，本發(fā)明的電子照相感光體的特征在于，中間層的體積電阻率為1X1(T5X10"Q'cm范圍內的值。其理由是，通過使中間層的體積電阻率在規(guī)定的范圍內，在與后述的中間層的膜厚的關系中，能夠將中間層整體的導電性調節(jié)在適當的范圍內。艮P，如果中間層的體積電阻率不足lX10"Q.cm，則中間層的絕緣性過低，即使在加厚其膜厚的情況下，有時也難以維持規(guī)定的帶電特性。結果，感光層中殘留電荷的影響相對變大，有時容易產生曝光記憶。另一方面，如果中間層的體積電阻率超過5X10"Q*Cra，則中間層的導電性過低，即使在減薄中間層膜厚的情況下，感光層中產生的電荷有時也難以向基體一側逃逸。結果，感光層中的載流子捕獲、以及中間層與感光層界面上積蓄的電荷增加，從而殘留電位上升，有時由于殘留電荷本身容易產生曝光記憶。因此，中間層的體積電阻率更優(yōu)選為2X1(T3X10130"cm范圍內的值，進一步優(yōu)選為1X10"5X10120'cm范圍內的值。另外，對中間層的體積電阻率的測定方法，在以后的實施例中進行具體說明。下面，利用圖3，對中間層的體積電阻率與具有該中間層的電子照相感光體的記憶電位的關系進行說明。在圖3中示出橫軸為中間層的體積電阻率(Q*cm)，縱軸為具有該中間層的電子照相感光體的記憶電位絕對值(V)的特性曲線(在中間層的氧化鈦的平均一次粒徑為10nm、中間層的膜厚為2um的條件下)。另外，記憶電位的絕對值(V)越小，越能抑制感光層中殘留電荷的產生，從而防止記憶圖像的產生。此外，關于使用的電子照相感光體的結構、記憶電位的測定方法等，在以后的實施例中記載。由該特性曲線為下凸型曲線可知，伴隨著中間層的體積電阻率(Q，cm)值的增加，記憶電位的絕對值(V)發(fā)生臨界変化。更具體地說，中間層的體積電阻率(Q.cm)的值如果從1X106Q.cm增加至1X1(TQ'cm，則記憶電位的絕對值(V)從約40V急劇減少至約20V。另一方面，在中間層的體積電阻率(Q.cm)的值在1X1(T5X10"Q*cm范圍內的情況下，記憶電位的絕對值能穩(wěn)定地維持在15V左右較低的值。如果中間層的體積電阻率(Q'cm)的值超過5X10"Q'cm，則記憶電位的絕對值(V)急劇增加。因此，通過使中間層的體積電阻率為lX101()5X101:iQ'cm范圍內的值，能將曝光記憶穩(wěn)定地抑制在較低的值。下面利用圖4，對中間層的體積電阻率與具有該中間層的電子照相感光體的殘留電位的關系進行說明。在圖4中示出橫軸為中間層的體積電阻率(Q，cm),縱軸為具有該中間層的電子照相感光體的殘留電位絕對值(V)的特性曲線(在中間層的氧化鈦的平均一次粒徑為10nm、中間層的膜厚為2um的條件下)。另外，記憶電位的絕對值(V)越小，通過曝光形成的靜電潛影與非曝光部分的表面電位之差越大，從而能形成清晰的圖像。此外，對于使用的電子照相感光體的結構、殘留電位的測定方法等，在以后的實施例中記載。由該特性曲線可知，伴隨著中間層的體積電阻率(Q'cm)值的增加，殘留電位的絕對值(V)也增加。更具體地說，當中間層的體積電阻率(Q'cm)的值在5X1013Q'cm以下的范圍內，隨著該值增加，殘留電位的絕對值(V)也極緩慢地增加，穩(wěn)定地維持在約8V以下。另一方面，中間層的體積電阻率(Q"cm)的值如果超過5X10"Q"cm，則殘留電位的絕對值(V)急劇增加，當體積電阻率約5X10"Q'cm時，殘留電位的絕對值(V)增加至約14V。因此，通過使中間層的體積電阻率為5Xl(y3Q'cm以下，則能將殘留電位穩(wěn)定地抑制在較低的值。(5)膜厚此外，本發(fā)明的電子照相感光體的特征在于，中間層的膜厚為0.53ttra范圍內的值。其理由是，通過使中間層的膜厚在規(guī)定的范圍內，則在與上述中間層的體積電阻率的關系中，能將中間層整體的導電性調節(jié)在適合的范圍內。即，如果中間層的膜厚不足0.5pm，則無論中間層的體積電阻率為多少，在基體與感光層之間均會產生漏電流，在形成圖像上容易產生黑斑。另一方面，中間層的膜厚如果超過3um，則即使在減小中間層的體積電阻率的情況下，長期的話，在感光層中產生的電荷的輸送效率也會降低。結果，感光層中的載流子捕獲、以及中間層與感光層的界面上積蓄的電荷增加，殘留電位會上升。因此，中間層的膜厚更優(yōu)選為0.82.5um范圍內的值，進一步優(yōu)選為12um范圍內的值。下面，利用圖5，對中間層的膜厚與具有該中間層的電子照相感光體的殘留電位的關系進行說明。在圖5中示出橫軸為中間層的膜厚(Pra)，縱軸為具有該中間層的電子照相感光體的殘留電位絕對值(V)的特性曲線(在中間層中氧化鈦的平均一次粒徑為10nm、相對于IOO重量份的中間層的粘合樹脂氧化鈦的含量為100重量份的條件下)。此外，對于使用的電子照相感光體的結構、殘留電位的測定方法等，在以后的實施例中記載。由該特性曲線可知，隨著中間層的膜厚(Pm)值的增加，殘留電位的絕對值(V)也增加。更具體地說，當中間層的膜厚(lira)在3um以下的范圍內，無論該值如何增加，殘留電位的絕對值(V)幾乎維持在固定的水平，即，穩(wěn)定地維持在約8V以下。另一方面，如果中間層的膜厚(um)超過3nm，則殘留電位的絕對值(V)急劇增加，當中間層的膜厚約4.5nm時，殘留電位的絕對值增加至約17V。因此，通過使中間層的膜厚為3um以下，能將殘留電位穩(wěn)定地抑制在較低的值。(6)AL值(根據JISZ8722)此外，從在基體上形成中間層的狀態(tài)下測定的L值(使用根據JISZ8722的色差計測定的參數值)中，減去單獨測定的基體的L值，所獲得的值(AL值)優(yōu)選為一5.00范圍內的值。其理由是，通過使AL值在該范圍內，能容易地確認中間層中的氧化鈦的分散性。因此，能更容易且可靠地調節(jié)中間層的導電性。艮卩，如果AL值不足一5.0，則基體的亮度由于隔著中間層而顯示出過度降低，這種亮度的過度降低意味著氧化鈦的分散性過度降低。如果氧化鈦的分散性過度降低，則中間層的導電性變得不均勻，有時難以有效地抑制曝光記憶和殘留電位的上升。因此，AL值更優(yōu)選為一4.00范圍內的值，進一步優(yōu)選為一3.00范圍內的值。此外，AL值的測定可以如下進行艮P，對層疊中間層(基準厚度2!im)的基體，使用色差計(例如美能達(株)制造，CM1000)測定其相對于波長550nm的光的L值(LJ。然后，同樣測定沒有層疊中間層的基體相對于波長550nm的光的L值(L2)。更具體地說，如果使用圖6(a)和(b)進行說明，則圖6(a)表示在基體13上層疊著中間層12的狀態(tài)，圖6(b)表示僅有基體的狀態(tài)。此外，圖6(a)和(b)中的H。表示分別照射基體的光(入射光)，H,和H2表示分別照射基體的入射光的反射光。因此，為了求出排出基體的影響后中間層中的中間層的L值(AL值)，只要從中間層與基體的反射光混合的Hi的L值(LJ中減去基體單獨的H2的L值(L2)，作為修正值即可。艮P，可以通過所得L值(L、L2)，由下述數學式(1)計算出中間層的修正L值(AL值)。AL=Li—L2(1)下面，利用圖7，對中間層中氧化鈦的分散性與電子照相感光體的曝光記憶的關系進行說明。另外，作為分散性指標，使用上述AL值。艮P，在圖7中分別示出橫軸為AL值(一)，左縱軸為電子照相感光體的記憶電位的絕對值(V)的特性曲線A，以及右縱軸為中間層中氧化鈦的分散性(相對評價)的特性曲線B。此外，中間層中氧化鈦分散性的相對評價基于通過顯微鏡觀察中間層的結果進行評價。首先，如特性曲線B所示，AL值越增加，則中間層中氧化鈦的分散性(相對評價)越高。艮P，AL值越大，中間層中氧化鈦的分散性越高。因此，通過AL值能明確評價中間層中氧化鈦的分散性。此外，如特性曲線A所示，隨著AL值增加，記憶電位的絕對值減少。更具體地說，在AL值不足一5.0的情況下，記憶電位的絕對值是20V以上的較高的值，如果AL值為一5.0以上的值，則記憶電位的絕對值能穩(wěn)定地維持在20V以下較低的值。因此，如果對特性曲線A和B的結果進行綜合評價，則通過將AL值調節(jié)在規(guī)定范圍內，提高中間層中氧化鈦的分散性，則能有效地抑制曝光記憶的產生。另外，通過其他途徑還確認，通過使AL值在規(guī)定的范圍內，也能有效地抑制殘留電位上升。3.電荷產生層(1)電荷產生劑(1)一l種類作為本發(fā)明的電荷產生劑，可以使用例如無金屬酞菁、氧代鈦氧基酞菁等酞菁類顏料、二萘嵌苯類顏料、雙偶氮顏料、二羰代吡咯并吡咯顏料、無金屬萘花青顏料、金屬萘花青顏料、方酸顏料(squarainepigment)、三偶氮顏料、靛藍顏料、甘菊環(huán)鑰顏料、花青苷顏料、吡喃鎗顏料、蒽嵌蒽醌顏料(anthanthronepigment)、三苯基甲烷類顏料、士林顏料、甲苯胺類顏料、吡唑啉類顏料、喹吖啶酮類顏料這樣的有機光導電體、以及硒、硒一碲、硒一砷、硫化鎘、非晶態(tài)硅這樣的無機光導電材料等目前公知的電荷產生劑。更具體地說，更優(yōu)選使用下式(1)(4)表示的酞菁類顏料(CGM—ACGM—D)。其理由是，在使用具有半導體激光的激光束作為光源的打印機和傳真機等數字光學類圖像形成裝置的情況下，必須采用對600800nm以上波長區(qū)域的光具有靈敏度的電子照相感光體。另一方面，在使用具有鹵素燈等白色光源的靜電式復印機等模擬光學類圖像形成裝置的情況下，必須采用對可見光區(qū)域具有靈敏度的電子照相感光體，因此可適合使用例如二萘嵌苯類顏料或雙偶氮顏料等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>(1)-2含有量此外，相對于IOO重量份構成電荷產生層的粘合樹脂，電荷產生劑的含量優(yōu)選為51000重量份范圍內的值。其理由是，如果該含量相對于100重量份粘合樹脂不足5重量份，則電荷產生量不足，有時難以形成清晰的靜電潛影。另一方面，如果該含量相對于100重量份粘合樹脂超過1000重量份，則有時難以形成均勻的電荷產生層。因此，相對于100重量份構成電荷產生層的粘合樹脂，電荷產生劑的含量更優(yōu)選為30500重量份范圍內的值。(2)粘合樹脂此外，作為電荷產生層使用的粘合樹脂，可以列舉出雙酚A類、雙酚Z類或雙酚C類等聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂、丙烯酸酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇乙縮醛樹脂、苯乙烯一丁二烯共聚物樹脂、偏氯乙烯一丙烯腈共聚物樹脂、氯乙烯一醋酸乙烯酯一馬來酸酐樹脂、硅樹脂、硅一醇酸樹脂、苯酚一甲醛樹脂、苯乙烯一醇酸樹脂、N一乙烯基咔唑等一種或二種以上的組合。(3)厚度此外，電荷產生層的厚度優(yōu)選為O.15"m范圍內的值。其理由是，通過使電荷產生層的厚度為0.15um范圍內的值，能提高由于曝光引起的電荷產生量。艮P，電荷產生層的厚度如果不足O.liim，則有時會難以形成具有足夠電荷產生能的電荷產生層。另一方面，電荷產生層的厚度如果超過5um，則有時難以抑制殘留電荷的產生，或難以形成均勻的電荷產生層。因此，更優(yōu)選電荷產生層的厚度為0.154um范圍內的值，進一步優(yōu)選為0.23pm范圍內的值。4.電荷輸送層(1)電荷輸送劑(1)一l種類作為電荷輸送層中使用的電荷輸送劑(空穴輸送劑和電子輸送劑)，可以列舉出2,5—二(對二乙基氨基苯基)一l，3，4一噁二唑等噁二唑衍生物、1，3，5—三苯基一吡唑啉、l一(吡啶基一(2))—3—(對二乙基氨基苯乙烯基)一5—(對二乙基氨基苯乙烯基)吡唑啉等吡唑啉衍生物、三苯基胺、三(對甲基)苯基胺、N，N—二(3，4一二甲基苯基)二苯基一4一胺、二芐基苯胺等芳香族叔胺化合物、N，N'—二苯基一N，N'—二(3一甲基苯基)一(1，l一二苯基)一4，4'一二胺等芳香族叔二胺化合物、3—(4'一二甲基氨基苯基)一5，6—二一(4'一甲氧基苯基)一l,2，4-三嗪等l，2，4一三嗪衍生物、4一二乙基氨基苯甲醛一1，l一二苯基腙等腙衍生物、2—苯基一4一苯乙烯基一喹唑啉等喹唑啉衍生物、6—羥基一2，3—二(P—甲氧基苯基)一苯并呋喃等苯并呋喃衍生物、p_(2，2—二苯基乙烯基)一N，N—二苯基苯胺等的ci一二苯乙烯衍生物、烯胺衍生物、N—乙基咔唑等咔唑衍生物、聚一N—乙烯基咔唑及其衍生物等空穴輸送物質；氯醌、溴醌、蒽醌等苯醌類化合物、四氰基醌二甲烷類化合物、2，4，7—三硝基芴酮、2，4，5，7—四硝基一9一芴酮等芴酮化合物、咕噸酮類化合物、噻吩化合物、聯苯醌化合物等電子輸送物質；以及在主鏈或側鏈具有由上述化合物構成的基團的聚合物等的一種或二種以上的組合。(1)一2添加量此外，相對于100重量份粘合樹脂，電荷輸送劑的添加量優(yōu)選為10100重量份范圍內的值。其理由是，電荷輸送劑的添加量如果不足10重量份，則靈敏度降低，有時在實用上會產生弊端。另一方面，電荷輸送劑的添加量如果超過ioo重量份，則電荷輸送劑容易結晶，有時無法形成適當的膜。因此，更優(yōu)選電荷輸送劑的添加量為2080重量份范圍內的值。另外，作為使用的電荷輸送劑，根據電子照相感光體的帶電特性，通常使用空穴輸送劑或電子輸送劑，還可以一起使用空穴輸送劑和電子輸送劑。(2)添加劑此外，為了防止由于電子照相裝置中產生的臭氧或氧化性氣體、或光、熱導致的感光體的劣化，優(yōu)選在感光層中添加抗氧化劑、光穩(wěn)定劑、熱穩(wěn)定劑等。例如，作為抗氧化劑，可以使用受阻酚、受阻胺、對亞苯基二胺、芳基鏈垸烴、氫醌、螺色滿、螺二氫茚酮和這些物質的衍生物、有機硫化合物、有機磷化合物等。此外，作為光穩(wěn)定劑，可以列舉出二苯甲酮、苯并三唑、二硫代氨基甲酸酯、四甲基哌啶等衍生物。(3)粘合樹脂此外，作為構成電荷輸送層的粘合樹脂，可以使用迄今為止在感光層中使用的各種樹脂?？梢允褂美缫跃厶妓狨渲⒕埘渲?、聚丙烯酸酯樹脂為代表的苯乙烯一丁二烯共聚物、苯乙烯一丙烯腈共聚物、苯乙烯一馬來酸共聚物、丙烯酸酯共聚物、苯乙烯一丙烯酸共聚物、聚乙烯、乙烯一醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、離子聚合物、氯乙烯一醋酸乙烯酯共聚物、醇酸樹脂、聚酰胺、聚氨酯、聚砜、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、酮樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚醚樹脂等熱塑性樹脂、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、尿素樹脂、蜜胺樹脂、其它交聯性的熱固性樹脂、環(huán)氧丙烯酸酯、尿烷一丙烯酸酯等光固型樹脂等樹脂。此外，這些粘合樹脂可以單獨使用，或將兩種以上混合或共聚使用。(4)厚度此外，電荷輸送層的膜厚通常優(yōu)選為550um范圍內的值。其理由是，電荷輸送層的膜厚如果不足5um，則有時難以均勻涂布。另一方面，電荷輸送層的膜厚如果超過50um，則機械強度有時會降低。因此，更優(yōu)選是設定在1040um范圍內的值。5.制造方法(1)基體的制備為了防止干涉條紋的產生，優(yōu)選使用蝕刻、陽極氧化、濕式噴砂法、噴砂法、粗切削、無中心切削(centerlessmachining)等方法，在基體的表面進行粗糙化處理。(2)氧化鈦的表面處理此外，作為對氧化鈦進行表面處理的方法，優(yōu)選使用干式處理方法，例如使用粉碎機，不用溶劑，將氧化鋁、二氧化硅、有機硅化合物和氧化鈦混合、分散，對氧化鈦進行表面處理。此外，還優(yōu)選使用在氧化鈦漿液中加入在適當的溶劑中溶解的氧化鋁、二氧化硅和有機硅化合物后，攪拌，然后干燥，對氧化鈦進行表面處理的濕式處理方法。另外，在干式處理方法和濕式處理方法中，由于可以進行更均勻的表面處理，因此更優(yōu)選濕式處理方法。此外，作為濕式處理方法，優(yōu)選使用濕式介質分散型裝置。其理由是，如果采用這種濕式介質分散型裝置，由于分散能力優(yōu)異，因此能有效地粉碎和分散氧化鈦的凝集顆粒，且能進行均勻的表面處理。其中，所謂濕式介質分散型裝置，是能在裝置內填充介質，且具有例如可高速旋轉的攪拌圓盤等提高分散力的部材的裝置。此外，作為上述介質，優(yōu)選使用球或珠等，為了進行更均勻的表面處理，優(yōu)選使用珠。此外，作為珠的原料，適合使用氧化鋁、玻璃、鋯石、氧化鋯、鋼和前石(frontstone)等。另外，作為珠的直徑，優(yōu)選在0.32mm范圍內。(3)中間層的形成(3)—l中間層用涂布液的制備此外，在形成中間層時，優(yōu)選在溶解樹脂成分的溶液中添加上述氧化鈦和空穴輸送劑等添加劑，并進行分散處理，形成涂布液。此外，對進行分散處理的方法沒有特別的限制、優(yōu)選使用通常公知的輥磨機、球磨機、振動球磨機、立式球磨機、砂磨、膠體磨、涂料振蕩機等。此外，在制備中間層用涂布液時，優(yōu)選分成多個階段溶解粘合樹脂，并與上述氧化鈦混合。更具體地說，在制備中間層用涂布液時，優(yōu)選包含下述步驟(A)(B):(A)在溶解了相當于構成中間層的全部粘合樹脂的3165重量％的粘合樹脂的粘合樹脂溶液中添加氧化鈦，形成一次分散液的步驟；(B)對一次分散液，溶解相當于全部粘合樹脂的3569重量％的粘合樹脂，形成中間層用涂布液的步驟。其理由是，在不分成多個階段，一開始就將全部的粘合樹脂、全部的氧化鈦、有機溶劑在一個階段中混合的情況下，氧化鈦顆粒表面的樹脂和有機溶劑的接觸比例容易不均勻。因此，中間層用涂布液中的氧化鈦的表面性質發(fā)生改變，氧化鈦的分散性有時會惡化。此外，在一個階段中混合的情況下，尤其是如果使用平均一次粒徑為15nra以下的氧化鈦，則分散性有時會顯著降低。另一方面，在制備中間層用涂布液時，在設置(A)、(B)兩個步驟的情況下，首先，(A)步驟中一次分散液中的氧化鈦濃度非常高，與各個氧化鈦顆粒表面的樹脂的接觸比例、以及與有機溶劑的接觸比例容易均勻。因此，接著在(B)步驟中，即使在加入全部添加樹脂量的狀態(tài)下，氧化鈦的分散性也能保持在穩(wěn)定的狀態(tài)。結果，能提高中間層用涂布液的保存穩(wěn)定性，能夠容易且穩(wěn)定地形成規(guī)定的中間層。因此，步驟(A)中加入的粘合樹脂的量更優(yōu)選為與全部粘合樹脂的3560重量％相當的量，進一步優(yōu)選為與4055重量％相當的量。(3)—2中間層用涂布液的涂布方法此外，對中間層用涂布液的涂布方法沒有特別的限制，可以使用浸涂法、噴涂法、熱涂法、刮涂法、輥涂法等涂布方法。另外，為了更穩(wěn)定地形成中間層和其上的感光層，優(yōu)選在涂布中間層用涂布液后，在30200。C下加熱干燥處理5分鐘2小時。(4)電荷產生層的形成(4)一l電荷產生層用涂布液的制備此外，在形成電荷產生層時，在溶解了樹脂成分的溶液中添加電荷產生劑等，并進行分散處理，制備涂布液。此外，對進行分散處理的方法沒有特別的限制，優(yōu)選使用通常公知的輥磨機、球磨機、立式球磨機、涂料振蕩機、超聲波分散機等進行分散混合，形成涂布液。(4)一2電荷產生層用涂布液的涂布此外，對電荷產生層用涂布液的涂布方法沒有特別的限制，但優(yōu)選使用例如旋涂器、涂布輥、噴涂器、棒涂器、浸涂器、刮片等。此外，在涂布步驟后干燥步驟中，優(yōu)選使用高溫干燥機或減壓干燥機，例如在6(TC15(TC的干燥溫度下進行干燥。(5)電荷輸送層的形成電荷輸送層的形成優(yōu)選在溶解了樹脂成分的溶液中添加電荷輸送劑等，制備涂布液。另外，分散處理、涂布方法、干燥方法由于與電荷產生層重復，因此省略。6.單層型電子照相感光體此外，在構成本發(fā)明的電子照相感光體時，如圖8(a)所示，感光層還優(yōu)選是具有基體13、中間層12、以及感光層11的單層型電子照相感光體10。如圖8(b)所示，還優(yōu)選在感光層ii上設置保護層ir。此外，即使在單層型電子照相感光體中，也能夠通過與積層型電子照相感光體同樣的條件和方法設置中間層。另一方面，作為在中間層上設置的感光層，是通過將與積層型電子照相感光體同樣的電荷產生劑、電荷輸送劑、粘合樹脂等與分散介質一并分散混合而制備的感光層用涂布液，涂布在中間層上并干燥而形成。此外，相對于100重量份粘合樹脂，該單層型感光層中電荷產生劑的含量優(yōu)選為0.150重量份范圍內的值，更優(yōu)選為0.530重量份范圍內的值。此外，對于空穴輸送劑的含量，相對于IOO重量份粘合樹脂，優(yōu)選為l120重量份范圍內的值，更優(yōu)選為5100重量份范圍內的值。此外，對于電子輸送劑的含量也與空穴輸送劑同樣，相對于100重量份粘合樹脂，優(yōu)選為1120重量份范圍內的值，更優(yōu)選為5100重量份范圍內的值。此外，對于感光層的厚度，優(yōu)選為5.0100iim范圍內的值，更優(yōu)選為1080Pm范圍內的值。第二實施方式本發(fā)明第二實施方式的圖像形成裝置，其特征在于，具有第一實施方式中說明的電子照相感光體，且在該電子照相感光體的周圍分別設置有帶電裝置、曝光裝置、顯影裝置和轉印裝置。以下，圍繞與第一實施方式的不同點進行說明。1.基本結構圖9表示本發(fā)明圖像形成裝置50的基本結構。該圖像形成裝置50具有鼓型的感光體IO，在該電子照相感光體10的周圍，沿箭頭A所示的轉動方向，依次設置一次帶電器14a、曝光裝置14b、顯影器14c、轉印帶電器14d、分離帶電器14e、清潔裝置18、以及除電器23，此外還可以是省略除電器23的無除電系統(tǒng)。此外，記錄材料P沿箭頭B所示的運送方向，從其上游一側依次通過供紙輥19a、19b和運送帶21進行運送，在途中，設置用于定影調色劑進行圖像形成的定影輥22a和加壓輥22b。此外，電子照相感光體10在基體13上具有上述規(guī)定的中間層12。因此，不僅具有均勻厚度的中間層，且經過長時間后，仍能顯示出良好的電特性和圖像特性。2.動作下面，參照圖9，對圖像形成裝置50的基本動作進行說明。首先，將該圖像形成裝置50的電子照相感光體10通過驅動裝置(圖中未表示)，沿箭頭A所示的方向，以規(guī)定的處理速度(圓周速度)進行轉動，并且通過一次帶電器14a使其表面帶有規(guī)定的極性和電位。例如，在導電性彈性輥與感光體表面接觸方式的情況下，優(yōu)選在直流電壓(DC)中疊加交流電壓(AC)。然后，由激光、LED等曝光裝置14b，一邊根據圖像信息調制光，一邊通過反射鏡等照射光，從而將電子照相感光體10的表面曝光。通過該曝光，在電子照相感光體10的表面上形成靜電潛影。接著，基于靜電潛影，通過顯影器14c使顯影劑(調色劑)顯影。艮卩，通過對所具有的顯影套筒施加規(guī)定的顯影偏壓，使裝在顯影器14c中的調色劑，對應于電子照相感光體IO的靜電潛影進行附著，形成調色劑像。然后，在電子照相感光體10上形成的調色劑像轉印到記錄材料P上。該記錄材料P從供紙盒(圖中未示出)通過供紙輥19a、19b供紙后，進行調整，使得與電子照相感光體10上的調色劑像時間同步，提供到電子照相感光體10與轉印帶電器14d之間的轉印部。此外，通過對轉印帶電器14d施加規(guī)定的轉印偏壓，電子照相感光體10上的調色劑像能夠可靠地轉印到記錄材料P上。被轉印了調色劑像后的記錄材料P由分離帶電器14e從電子照相感光體IO表面分離，通過運送帶21運送至定影器。通過定影輥22a和加壓輥22b實施加熱處理和加壓處理，在調色劑像定影在其表面上后，通過排出輥(圖中未表示)排出到圖像形成裝置50的外部。另一方面，轉印調色劑像后的電子照相感光體10以其原狀態(tài)繼續(xù)轉動，將轉印時未轉印到記錄材料P上的殘留調色劑(附著物)從電子照相感光體10的表面，通過清潔裝置18除去，電子照相感光體10用于下一次圖像形成。如上所述，電子照相感光體IO在基體13上具有規(guī)定的中間層12，因此經過長時間仍能顯示出良好的電特性和圖像特性。實施例以下，通過實施例對本發(fā)明迸行具體的說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例的記載內容。1.中間層用涂布液A在容器內加入75重量份通過氧化鋁和二氧化硅進行表面處理后、再由甲基氫化二烯聚硅氧烷進行表面處理的氧化鈦(TeycaCo.Ltd.制造，SMT一02，數均一次粒徑為10nm)、25重量份通過氧化鋁和二氧化硅進行表面處理的氧化鈦(TeycaCo.Ltd.制造，MT—05,數均一次粒徑為10nm)、300重量份甲醇、75重量份丁醇、50重量份預先相對于100重量份甲醇、25重量份丁醇溶解的聚酰胺CM8000(東麗(株)制造，四元共聚聚酰胺樹脂(分子量8000)，然后使用球磨機(介質直徑O.5mm的二氧化鋯球)，混合1小時，形成一次分散溶液。然后，在加入預先相對于IOO重量份甲醇、25重量份丁醇溶解的50重量份聚酰胺CM8000后，使用涂料振蕩機混合1小時，進行二次分散，從而形成中間層用涂布液A(氧化鈦粘合樹脂=100:100)。另外，關于上述中間層用涂布液中各構成材料的添加量，是以中間層用涂布液中添加的聚酰胺CM8000的總量為基準量(IOO重量份)的。在以下的中間層用涂布液中也一樣。2.中間層用涂布液B中間層用涂布液B(氧化鈦粘合樹脂=30:100)除了相對于100重量份聚酰胺CM的氧化鈦、甲醇和丁醇的添加比例分別是制備中間層用涂布液A情況下的0.3倍以外，與中間層用涂布液A同樣制備。3.中間層用涂布液C的制備中間層用涂布液C(氧化鈦粘合樹脂=300:100)除了相對于100重量份聚酰胺CM的氧化鈦、甲醇和丁醇的添加比例分別是制備中間層用涂布液A情況下的3倍以外，與中間層用涂布液A同樣制備。4.中間層用涂布液D中間層用涂布液D(氧化鈦粘合樹脂=400:100)除了相對于100重量份聚酰胺CM的氧化鈦的添加比例是制備中間層用涂布液A情況下的4倍，且相對于100重量份聚酰胺CM的甲醇和丁醇的添加比例分別為制備中間層用涂布液A情況下的2倍以外，與中間層用涂布液A同樣制備。5.中間層用涂布液E中間層用涂布液E(氧化鈦粘合樹脂=300:100)除了使用通過氧化鋁和二氧化硅進行表面處理的氧化鈦(石原產業(yè)(株)制造，TT0—55A，數均一次粒徑為40腿)代替SMT—02和MT—05作為氧化鈦以外，與中間層用涂布液C同樣制備。6.中間層用涂布液F中間層用涂布液F(氧化鈦粘合樹脂=300:100)除了使用通過氧化鋁和二氧化硅進行表面處理的氧化鈦(TeycaCo.Ltd.制造，MT—600SA，數均一次粒徑為50nm)代替SMT—02和MT—05作為氧化鈦以外，與中間層用涂布液C同樣制備。實施例11.積層型電子照相感光體的制備(1)中間層的形成在實施例1中，將所得中間層用涂布液A用5微米的過濾器過濾后，將直徑30mra、長度238.5mm的鋁基體(基體)的一端向上，在所得中間層用涂布液中，以5mm/sec的速度浸漬涂布。然后，在13(TC、30分鐘的條件下進行固化處理，形成膜厚0.5pm的中間層。(2)體積電阻率的測定此外，測定形成的中間層中的體積電阻率。艮P，對形成的中間層通過濺射蒸鍍形成金電極。然后，將金電極一側作為負極、把基體一側作為正極，施加10V/um的電場，測定中間層的體積電阻率。更具體地說，將形成中間層的基體切成20mmX20mni的小片后，對該小片中的中間層表面，進行掩膜，使得開口部分為0.5cm2。然后，通過離子濺射裝置，濺射蒸鍍金電極，使得膜厚為40nm。并且，在由此形成的三明治單元的金電極和基體之間，施加如上所述的電場，測定此時流過的電流，并由該測定值計算出中間層的體積電阻率。另外，以下使用與該體積電阻率測定中使用的基體和中間層同樣制造的其它基體和中間層，制造電子照相感光體。(3)感光層的形成然后，相對于IOO重量份作為粘合樹脂的聚乙烯醇乙縮醛樹脂(積水化學工業(yè)，S-LECKS—5)，混合100重量份作為電荷產生劑的按照以下順序制造的鈦氧基酞菁、6000重量份作為分散介質的丙二醇單甲醚、和2000重量份四氫呋喃，使用球磨機分散48小時，制備電荷產生層用涂布液。將所得電荷產生層用涂布液用3微米的過濾器過濾后，通過浸涂涂布法涂布在中間層上，在80。C下干燥5分鐘，形成膜厚O.3um的電荷產生層。然后，相對于100重量份作為粘合樹脂的聚碳酸酯樹脂(帝人化成TS2020),混合溶解70重量份作為空穴輸送劑的、用下式(5)表示的芪化合物(HTM—1)和460重量份作為溶劑的四氫呋喃，制備電荷輸送層用涂布液。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(HTM-1)將所得電荷輸送層用涂布液與電荷產生層用涂布液同樣地涂布在電荷產生層上，在13(TC、30分鐘的條件下干燥后，形成膜厚20um的電荷輸送層，作為積層型電子照相感光體。另外，使用的鈦氧基酞菁按照以下順序合成。首先，在氬氣置換的燒瓶中，加入作為反應原料的22g鄰一酞菁、25g四丁氧基鈦、2.28g尿素和300g喹啉后，邊使用攪拌裝置攪拌，邊升溫至150。C。然后，餾去燒瓶內由反應原料產生的蒸汽，并再升溫至215T:。然后，維持該溫度，再邊攪拌2小時邊使反應原料反應。反應結束后，在冷卻至15(TC時，從燒瓶取出反應物，通過玻璃過濾器過濾。在將所得固體物通過N，N—二甲基甲酰胺和甲醇依次洗浄后，進行真空干燥，獲得24g青紫色固體。(顏料化前處理)然后，在具有攪拌裝置的燒瓶內，加入10g所得青紫色的固體、和100mlN，N—二甲基甲酰胺，加熱至130。C，攪拌處理2小時，形成反應液。然后，停止加熱，在冷卻至23士rC后，將反應液靜置12小時，進行穩(wěn)定化處理。此外，使用玻璃過濾器過濾已穩(wěn)定化的反應液，再通過甲醇洗凈所得固體。然后，對其進行真空干燥，獲得9.83g鈦氧基酞菁的粗結晶。然后，在具有攪拌裝置的燒瓶內，加入5g所得鈦氧基酞菁的粗結晶、和100ml濃硫酸，均勻溶解。在水冷的水中滴入所得溶液后，在室溫下攪拌15分鐘，再在23士1℃下靜置30分鐘，進行重結晶。然后，通過玻璃過濾器過濾重結晶的溶液，水洗所得固體至洗浄液為中性。然后，在不干燥、存在水的狀態(tài)下，分散在200ml氯苯中，并將其加熱至50°C，攪拌10小時。通過玻璃過濾器過濾所得溶液，在5(TC下真空干燥所得固體5小時，以鈦氧基酞菁結晶的形式獲得4.lg藍色粉末。另外，所得鈦氧基酞菁在初期以及在1，3—二氧雜戊環(huán)或四氫呋喃中浸漬7天后，確認在布拉格角20±0.2°=7.4°和26.2°處沒有產生峰，而且除了伴隨吸附水的氣化在9(TC附近產生的峰以外，在296。C處存在一個峰。2.評價(1)殘留電位的測定對所得電子照相感光體的殘留電位進行評價。艮P，在溫度2CTC、濕度60%的環(huán)境下，使用鼓靈敏度試驗機(GENTEC(株)制造)，在電子照相感光體的表面電位為一700V的狀態(tài)下，對電子照相感光體表面照射1.5sec使用帶通濾波器從鹵素燈的白色光中取出的波長780nra的單色光(半幅值20nm、光強度8nW/cm2)，并進行1秒鐘660nm除電光的照射，將3秒后表面電位的絕對值作為殘留電位的絕對值進行測定。此外，基于下述基準評價測定結果。所得結果在表l中示出。〇殘留電位的絕對值不足IOV。X:殘留電位的絕對值為10V以上。(2)記憶電位的評價此外，對所得電子照相感光體的記憶電位進行評價。艮P，從采用負帶電反轉顯影方式的打印機(沖數據(株)制造，MicroLine5400)的成像單元中取出顯影裝置，并在其中安裝電位測定裝置，制成電位測定用的成像單元。該電位測定裝置相對于成像單元，設置電位測定探針。此外，該電位測定探針相對于電子照相感光體軸向的中央設置，電位測定探針與電子照相感光體表面的距離為5ram。然后，在常溫常濕環(huán)境下(溫度23°C、相對濕度50%RH)，將用1%原稿打印ioooo張后的電子照相感光體安裝在上述電位測定用成像單元中，對第一圈(95mra長)的電子照相感光體，進行相當于黑圖像的65mm的曝光(曝光部分)，對剩余的30mm不進行曝光(非曝光部分)。然后，對第二圈的全部電子照相感光體，都不進行曝光。測定相當于第一圈曝光部分的部分在第二圈中的表面電位VOb(V)、以及相當于第一圈非曝光部分的部分在第二圈中的表面電位V0(V)，計算該電位差的絕對值IVO—VObI(V)，作為曝光記憶(V)。所得結果在表l中示出。(3)記憶圖像的評價此外，使用所得電子照相感光體，進行記憶圖像的評價。艮P，將所得電子照相感光體安裝在打印機(沖數據(株)制造，MicroLine5400)中，在高溫高濕條件下(溫度35°C、相對濕度85%)，印刷100000張文字圖像。然后，連續(xù)印刷半色調圖像。此外，在低溫低濕條件下(溫度10°C、相對濕度20%)，也同樣在印刷100000張文字圖像后，連續(xù)印刷半色調圖像。此外，根據下述標準評價在各種條件下印刷的半色調圖像上有無產生作為殘像的文字圖像。所得結果在表1中示出。〇在半色調圖像上，確認沒有文字圖像的殘像。△:在半色調圖像上，盡管無法判斷是文字圖像，但確認存在殘像。X:在半色調圖像上，確認存在清晰的文字圖像的殘像。(4)黑斑產生的評價此外，對使用所得電子照相感光體進行圖像形成時的黑斑的產生進行評價。艮P，將所得電子照相感光體安裝在打印機(沖數據(株)制造，MicroLine5400)中，在高溫高濕條件下(40°C、90%RH)下印刷5000張。然后，空白印刷A4尺寸的紙，計量產生的黑斑數(個/枚)。所得結果在表1中示出。另外，該評價試驗是在惡劣環(huán)境下作為強制試驗進行的。(5)粘附性的評價此外，使用所得電子照相感光體，對感光層的粘附性進行評價。艮P，用切刀將所得的電子照相感光體的感光層(電荷產生層和電荷輸送層)，切斷成3mmX3mm的片，縱橫為5X5，總計25個。另外，作為電荷產生層下層的中間層，不用切刀切斷而維持著。然后，在形成的片上粘貼賽璐玢帶后，剝離，根據下述標準評價片的感光層與中間層的粘附性。所得結果在表l中示出。〇感光層完全沒有剝離。X:發(fā)現感光層剝離。實施例2在實施例2中，除了中間層的膜厚為2um以外，與實施例1同樣地測定中間層的體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表1中示出。實施例34在實施例3中，除了使用中間層用涂布液C作為中間層用涂布液，且中間層的膜厚如表l中所示，分別為0.5、2um以外，與實施例1同樣地測定中間層的體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表l中示出。比較例14在比較例14中，除了使用中間層用涂布液B作為中間層用涂布液，且中間層的膜厚如表1中所示，分別為O.3、0.5、2、4.5txm以外，與實施例1同樣地測定中間層的體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表1中示出。比較例56在比較例56中，除了中間層的膜厚如表1中所示，分別為0.3、4.5"m以外，與實施例1同樣地測定中間層的體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表l中示出。比較例78在比較例78中，除了中間層的膜厚如表1中所示，分別為0.3、4.5pm以外，與實施例3同樣地測定中間層的體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表l中示出。比較例911在比較例911中，除了使用中間層用涂布液D作為中間層用涂布液，且中間層的膜厚如表1中所示，分別為0.6、2、4.5wm以外，與實施例1同樣地測定中間層的體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表1中示出。比較例1213在比較例1213中，除了使用中間層用涂布液E作為中間層用涂布液，且中間層的膜厚如表1中所示，分別為0.6、2ym以外，與實施例1同樣地測定中間層中體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表1中示出。比較例1415在比較例1415中，除了使用中間層用涂布液F作為中間層用涂布液，且中間層的膜厚如表1中所示，分別為0.6、2um以外，與實施例l同樣地測定中間層的體積電阻率并制造電子照相感光體，進行評價。所得結果在表1中示出。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>采用本發(fā)明的電子照相感光體和使用該電子照相感光體的圖像形成裝置，通過使中間層中分散的氧化鈦的平均一次粒徑、中間層的膜厚、以及中間層的體積電阻率分別在規(guī)定的范圍內，能容易地調節(jié)中間層的導電性，并有效地抑制曝光記憶的產生和殘留電位的上升。因此，期待本發(fā)明的電子照相感光體和使用該電子照相感光體的圖像形成裝置，能有助于顯著提高復印機或打印機等各種圖像形成裝置的電特性，并使形成圖像的質量顯著提高。權利要求1.一種電子照相感光體，在基體上設置有包含氧化鈦和粘合樹脂的中間層、以及感光層，其特征在于，所述氧化鈦的平均一次粒徑為5～30nm范圍內的值，所述中間層的膜厚為0.5～3μm范圍內的值，且中間層的體積電阻率為1×1010～5×1013Ω·cm范圍內的值。2.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，從在基體上形成中間層的狀態(tài)下測定的L值中，減去單獨測定所述基體的L值，所獲得的值(AL值)為一5.00范圍內的值，其中所述L值表示使用根據JISZ8722的色差計測定的參數值。3.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，相對于IOO重量份所述粘合樹脂，所述氧化鈦的添加量為150350重量份范圍內的值。4.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，利用氧化鋁、二氧化硅和有機硅化合物對所述氧化鈦進行表面處理。5.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，相對于IOO重量份所述氧化鈦，利用所述氧化鋁和二氧化硅進行表面處理的量為l30重量份范圍內的值，且相對于IOO重量份所述氧化鈦，利用所述有機硅化合物進行表面處理的量為115重量份范圍內的值。6.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，所述氧化鈦包含兩種以上的氧化鈦。7.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，所述粘合樹脂為聚酰胺樹脂。8.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，所述粘合樹脂的數均分子量為100050000范圍內的值。9.如權利要求l所述的電子照相感光體，其特征在于，用于形成中間層的中間層用涂布液通過包含下述步驟(A)(B)的制造方法獲得(A)在溶解了相當于構成中間層的全部粘合樹脂的3165重量％的粘合樹脂的粘合樹脂溶液中添加所述氧化鈦，形成一次分散液的步驟;(B)對一次分散液，溶解相當于全部粘合樹脂的3569重量％的粘合樹脂，形成中間層用涂布液的步驟。10.—種圖像形成裝置，其特征在于，具有權利要求1至9中任意一項所述的電子照相感光體，且在該電子照相感光體的周圍分別配置有帶電裝置、曝光裝置、顯影裝置、以及轉印裝置。11.如權利要求IO所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述圖像形成裝置為省略電荷去除裝置的無除電型的圖像形成裝置。全文摘要本發(fā)明提供一種能容易地調節(jié)中間層的導電性、有效地抑制曝光記憶的產生和殘留電位上升的電子照相感光體以及使用該電子照相感光體的圖像形成裝置。所述電子照相感光體在基體上設置有包含氧化鈦和粘合樹脂的中間層、以及感光層，所述氧化鈦的平均一次粒徑為5～30nm范圍內的值，并且所述中間層的膜厚為0.5～3μm范圍內的值，且中間層的體積電阻率為1×10¹⁰～5×10¹³Ω·cm范圍內的值。文檔編號G03G5/14GK101131548SQ20071014047公開日2008年2月27日申請日期2007年8月24日優(yōu)先權日2006年8月25日發(fā)明者潤東,丸尾敬司,大坪淳一郎,稻垣義雄申請人:京瓷美達株式會社