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一種具有納米孔的防反射薄膜,及其制備方法、用途的制作方法

文檔序號:2731650閱讀:156來源:國知局
專利名稱:一種具有納米孔的防反射薄膜,及其制備方法、用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種防反射薄膜,及其制備方法、用途。具體涉及一種具有納 米孔無機(jī)聚合層的防反射薄膜,及其制備方法、用途。
背景技術(shù)
光線照射在物體表面會發(fā)生反射,透射和吸收。光線的反射有些是有益,如 反射鏡、光纖通訊等。然而,有時反射光卻是有害的。例如在顯示器表面,在無 涂層情況下會有4%的反射率,這時一方面會直接影響使用者的觀賞質(zhì)量及降低 顯示器的光穿透性不僅在顯示屏上產(chǎn)生物體的影像,破壞屏幕圖像的完整性, 而且還反射周圍光源的光線,造成屏幕亮度不均;另一方面,從環(huán)保的角度來 講,顯示屏長時間的反射不僅會對人體視覺器官造成嚴(yán)重的損害,而且會對使 用者造成心理上的影響。所以如何減少顯示屏的反射,使其減少對人眼睛的損 害成為研究者的目標(biāo)。目前抑制反射主要通過以下途徑 一是將熒光屏打磨處理,使其對環(huán)境的 光線形成漫反射,但反射率仍有2%; 二是在屏幕表面覆蓋一層特殊的防反射薄 膜。防反射膜的基本原理是讓反射光之間產(chǎn)生干涉,從而抵消反射光的能量,達(dá) 到降低反射的作用(圖1)。防反射薄膜的制作工藝分為濕式和干式。干式工藝 如真空蒸鍍、磁控濺射、物理氣沉積、化學(xué)氣沉積等。干式工藝生產(chǎn),設(shè)備 及原材料成本高、效率低、能耗大。而濕式工藝生產(chǎn),即用凹版、凸版、滾筒 等涂布機(jī)把母液直接涂敷在基材上。這樣的生產(chǎn)方式設(shè)備成本低、效率高、能 耗小、原材料成本低,從而成為目前防反射膜的發(fā)展趨勢。防反射膜可以使用多層膜和單層膜技術(shù)。多層膜技術(shù)因為需要涂敷多次從 而成本高。單層膜則通常折射率或機(jī)械性能較差。如現(xiàn)在通常使用的MgF2,折
射率為l. 38,在玻璃、TAC等顯示器通用表面的反射高達(dá)為1.5%以上。又如一 些介孔材料的納米涂層,機(jī)械性能差且光學(xué)性能不夠穩(wěn)定。中國專利申請CN1463367公開了一種防反射薄膜以及帶反射層塑料基片, 是采用干式工藝生產(chǎn)的多層膜,其生產(chǎn)設(shè)備及原材料成本高、效率低、能耗大。公開號為KR20000016858、名稱為"抗反射和抗靜電膜"的韓國專利申請, 公開了一種濕式工藝開發(fā)的單層防反射膜,在可^L光的范圍內(nèi)反射率在1%以下, 最低可達(dá)O. 3°/ ,透射率為60-80%以上,在顯示屏表面可呈現(xiàn)清晰的圖像;比起 三層或四層的膜,不4又縮短生產(chǎn)操作時間,而且減少了厚度、節(jié)約了原料成本。 但這種膜仍然具有較高的反射率。美國專利申請公開說明書US2004058079A1 (申請日2003-08-22 )公開了 一 種多孔氧化硅膜的制備方法,是用可水解烷氧基硅烷化合物、水、醇和非離子 表面活性劑涂于基材,濕式工藝制備的多孔氧化硅膜。該方法制備的防反射膜 防反射性能及機(jī)械性能仍有待提高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種反射率低于現(xiàn)有技術(shù)中的防反射膜、同時機(jī)械 性能提高的單層防反射膜。本發(fā)明的另一目的在于提供上述防反射膜的制備方法。 本發(fā)明的第三個目的在于提供上述防反射膜的用途。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種具有納米孔的防反射薄膜,包括基 材層和防反射涂層,所述基材層為透明材料,所述防反射涂層中隨機(jī)分布或有 序分布孔尺寸均勻的納米孔,納米孔直徑為0. 5-5納米,孔間距為0. 5-50納米, 所述防反射涂層是以分子式為M-(OR) x的化合物為原料水解形成,其中M為Si、 Ti、 Zr、 Hf、 Ta、 Nb或Al; R為CH3、 C2H5isU3H7; 當(dāng)M為Al, X為3; 當(dāng)M為Si、 Ti、 Zr、 Hf, X為4; 當(dāng)M為Ta、 Nb, X為5。 本發(fā)明將具有直徑0. 5-5納米的納米孔的聚合材料在基材表面形成涂層, 成功的發(fā)明了 一種反射率低于現(xiàn)有技術(shù)、同時機(jī)械性能提高的單層防反射膜。 本發(fā)明的防反射薄膜優(yōu)選方案中,所述納米孔直徑為0. 5-2納米。 本發(fā)明釆用的基材層為透射率高于85%的玻璃片材或塑料片材,厚度為 0. 1-5毫米。所述納米孔直徑更優(yōu)選為0. 5-1, 5納米。所述防反射涂層優(yōu)選以正硅酸四乙酯或鈦酸四異丙酯為原料水解形成。所述塑料包括聚對苯二曱酸乙二醇酯片材、聚碳酸酯片材或聚曱基丙烯酸 甲脂片材,所述玻璃包括偏光片TAC或光學(xué)玻璃。本發(fā)明的防反射薄膜的制備方法,所述方法包括(1)母液的制備將所述 化合物M-(0R)x、離子型表面活性劑和溶劑混合,用酸調(diào)節(jié)pH值為0. 5-6或用 堿調(diào)節(jié)pH值為9-12,攪拌均勻,于20-12(TC的溫度下放置30分鐘至20小時, 充分水解;所述化合物M-(OR)x與離子型表面活性劑的重量比為10: 1-1: 10, 所述離子型表面活性劑在母液中的濃度在臨界膠束濃度范圍,所述溶劑為水、 體積比濃度為1%-99%的乙醇、1°/ -99%的丙酮或1%-99%的異丙酮溶液;(2 )母液 涂布基材將制備的母液涂于基材表面,涂層厚度為0. 5-20微米,20-20(TC烘 干;(3)用燒結(jié)、浸泡或紫外照射方法除去離子型表面活性劑,所述燒結(jié)溫度 為300-600。C,時間為30分鐘至10小時;所述浸泡為在體積百分比濃度為9%-90% 的乙醇或丙酮溶液中,浸泡10秒-30分鐘;所述紫外照射為在波長小于200nm 的紫外固化設(shè)備中處理0. 5-30分鐘。本發(fā)明臨界膠束濃度的測定方法采用表面張力測試法。
本發(fā)明的防反射薄膜的另一制備方法,所述方法包括(1)母液的制備將 所述化合物M-(0R)x、直徑1-5納米的蛋白顆粒和溶劑混合,用酸調(diào)節(jié)pH值為 0. 5-6或用堿調(diào)節(jié)pH值為9-12,攪拌均勻,20-120。C放置30分鐘至20小時, 充分水解;所述化合物M-(OR)x與蛋白顆粒的重量比為1:10-10:1,所述蛋白 顆粒在母液中的重量體積比濃度為2-10%,所述溶劑為水、重量體積比濃度為 1%-99%的丙酮溶液或重量體積比濃度為1%-99%的異丙酮溶液;(2)母液涂布基 材將所述母液涂于基材表面,涂層厚度為0.5-20微米,烘干;(3)用燒結(jié)、 浸泡或紫外照射方法除去離子型表面活性劑,所述燒結(jié)溫度為300-600°C,時間 為30分鐘至10小時;所述浸泡為在體積百分比濃度為9°/。-90%的乙醇或丙酮溶 液中,浸泡10秒-30分鐘;所述紫外照射為在波長小于200nm的紫外固化設(shè)備 中處理0. 5-30分鐘。所述化合物M- (OR) x發(fā)生如下水解反應(yīng) 1)水解M-(OR)x+H20 — HO-M (OR)h + H-OR(2) 聚合(OR)h+RO-M-(OR)h—(RO)x-「M-OM-(OR)w + ROH(3) 進(jìn)一步水解0 o o1 I I0~ M~ 0~ ]VF" 0~~ O I I I(RO)x-「M-OM-(OR)h 0OO+ ROH本發(fā)明中母液涂布基材的方法可采用滾筒涂布方法、凸板印刷或凹板印刷 方法。20-20(TC烘干條件可釆用通熱風(fēng)的干燥道烘干。本發(fā)明中制備母液時所用調(diào)節(jié)pH值的酸和堿不包括極強(qiáng)酸或極強(qiáng)堿。 本發(fā)明中的基材可采用市售的日本電工公司的偏光片、深圳南玻公司的玻璃。制備方法的優(yōu)選方案為,所述化合物M- (OR) x為正石圭酸四乙酯或鈥酸四異丙 酯,所述離子型表面活性劑為十烷基三曱基氯化銨DTMAC、十二烷基三甲基氯化 銨DTAC、十四烷基三曱基氯化銨ITAC、十六烷基三曱基氯化銨CTAC、十八烷基 三曱基氯化銨OTAC、十二烷基硫酸鈉SDS、十二烷基苯磺酸鈉SDBS或十六烷基 三甲基溴化銨CTAB;所述燒結(jié)溫度為400-550°C,時間為2小時至5小時;所 述浸泡為在體積百分比濃度為9%-90%的乙醇或丙酮溶液中,浸泡1分鐘-20分 鐘;所述紫外照射為在波長小于200nm的紫外固化設(shè)備中處理5-20分鐘。另 一制備方法的優(yōu)選方案為,所述化合物M- (OR) x為正硅酸四乙酯或鈦酸四 異丙酯,所述蛋白顆粒為煙草花葉病毒;所述燒結(jié)溫度為400-550°C,時間為2 小時至5小時;所述浸泡為在體積百分比濃度為9%-90%的乙醇或丙酮溶液中, 浸泡1分鐘-20分鐘;所述紫外照射為在波長小于200nm的紫外固化設(shè)備中處理 5-20分鐘。正硅酸四乙酯在弱酸或弱4^條件下發(fā)生如下水解反應(yīng)<formula>formula see original document page 9</formula>本發(fā)明的防反射薄膜的用途,其中所述防反射薄膜用于顯示屏、汽車倒位4竟或眼4竟表面。本發(fā)明的有益效果在于1.防反射效果好本發(fā)明采用離子型表面活性劑在臨界膠束濃度范圍內(nèi)形
成孔結(jié)構(gòu)模板,使形成的納米孔直徑可低于1. 5納米,防反射膜反射率可達(dá)到 0. 1%以下,防反射效果優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)。2. 機(jī)械性能好、穩(wěn)定性強(qiáng)現(xiàn)有技術(shù)采用非離子型表面活性劑形成薄膜的 孔結(jié)構(gòu),由于非離子型表面活性劑存在較大的親水頭,在去除表面活性劑模板 后,通常除主孔外還在主孔邊緣形成多個由親水頭作為模板的次孔,造成機(jī)械 性及穩(wěn)定性較差;而本發(fā)明采用離子型表面活性劑形成薄膜的孔結(jié)構(gòu),在去除 表面活性劑模板后,通常只有一個由模板形成的主孔,因此,機(jī)械性能好、穩(wěn) 定性強(qiáng)。3. 原料便宜、易得本發(fā)明采用的離子型表面活性劑種類多、價格低、容 易得到。4. 工藝簡單采用濕式工藝單層涂布,無需復(fù)雜的生產(chǎn)設(shè)備;母液配制后 可長期保存,使防反射薄膜生產(chǎn)方便。


圖1防反射膜原理l.入射光;2.反射光;l防反射涂層;4.基材層圖2納米孔防反射膜反射率低至0. 1%圖3表面活性劑組成膠束的一種形式圖4表面活性劑相圖
具體實施例方式
實施例1:(1)母液的配制將10千克的正硅酸四乙酯與1千克的十六烷基三曱基 溴化銨(CTAB)混合,加入重量體積比濃度為50%的丙酮溶液,用1%HC1調(diào)節(jié) PH值為0.5。所加入丙酮溶液的量使十六烷基三曱基溴化銨達(dá)到其臨界膠束濃 度,臨界膠束濃度的測定方法為表面張力測試法;攪拌均勻5(TC放置10小時, 充分水解。(2) 涂布于基材用滾筒涂布機(jī)將母液涂布在0.7毫米厚、透射率為91% 的偏光片(TAC)上,涂層厚度為2微米,放于4(TC溫度下烘至干燥。(3) 去除模^1:置于紫外固化設(shè)備中,于波長150nm照射3分鐘。 所制得的納米孔防反射薄膜,電子顯微鏡觀察其氧化硅防反射涂層中有序分布孔徑均勻的直徑為lnm左右的小孔,孔間距為3nm左右。用德國的Nanocal 反射儀UV-VIS方法測得其表面反射率為0. 05%,用日本TOKYO的光電霧度計測得 透射率為99%以上(雙面涂布時)。此納米孔防反射薄膜可用于電腦液晶顯示屏表面o實施例2(1) 母液的配制將1千克的鈦酸四異丙酯與10千克的十烷基三曱基氯 化銨(DTMAC)混合,加入重量體積比濃度為99%的異丙酮溶液,用3%硼酸調(diào)節(jié) PH值為6。所加入的異丙酮溶液的量使十烷基三曱基氯化銨達(dá)到其臨界膠束濃 度,臨界膠束濃度的測定方法為表面張力測試法;攪拌均勻,2(TC放置20小時, 充分水解。(2) 涂布于基材用滾筒涂布機(jī)將母液涂布在5毫米厚、透射率為90%的 有機(jī)玻璃片上,涂層厚度為0. 5微米,放于2(TC溫度下至干燥。(3) 去除模板在重量體積比濃度為80%的乙醇溶液中,浸泡20分鐘,取 出,放至干燥。所制得的納米孔防反射薄膜,電子顯微鏡觀察其氧化硅防反射涂層中隨機(jī) 分布孔徑均勻的直徑為1. 5nm左右的小孔,孔間距為2nm左右。用德國的Nanocal 反射儀UV-VIS方法測得其表面反射率為0.05°/。。此納米孔防反射薄膜可用于電 腦液晶顯示屏表面。 實施例3 (1) 母液的配制將5千克的鉭酸五乙酯與5千克的十二烷基三曱基氯化 銨(DTAC)混合,加入水,用P/。NaOH調(diào)節(jié)PH值為9。所加入的水的量使十二烷 基三甲基氯化銨(DTAC)達(dá)到其臨界膠束濃度,臨界膠束濃度的測定方法為表 面張力測試法;攪拌均勻12(TC放置30分鐘,充分水解。(2) 涂布于基材用凸版印刷機(jī)將母液涂布在1. 0毫米厚、透射率為90% 的光學(xué)玻璃片上,涂層厚度為20ym,放于20(TC溫度下至干燥。(3) 去除才莫;f反在60(TC, 30分鐘條件下燒結(jié),冷卻。 所制得的納米孔防反射薄膜,電子顯微鏡觀察其氧化硅防反射涂層中隨機(jī)分布孔徑均勻的直徑為0. 5nm左右的小孔,孔間距為l咖左右。用德國的Nanocal 反射儀UV-VIS方法測得其表面反射率為0. 05%,用日本TOKYO的光電霧度計測得 透射率為98%以上(雙面涂布時)。此納米孔防反射薄膜用于手機(jī)顯示屏表面。 實施例4(1)母液的配制將3千克的鋯酸四曱酯與10千克的十四烷基三甲基氯 化銨(ITAC)混合,重量體積比濃度為1%的異丙酮溶液,用1%HC1調(diào)節(jié)PH值為 5。所加入的異丙酮溶液的量使十四烷基三曱基氯化銨(ITAC)達(dá)到其臨界膠束 濃度,臨界膠束濃度的測定方法為表面張力測試法;攪拌均勻8(TC放置1小時, 充分水解。(2 )涂布于基材用凹版印刷機(jī)將母液涂布在0. 4毫米厚、透射率為90% 的聚對苯二曱酸乙二醇酯片材上,涂層厚度為3jum,放于9(TC溫度下至干燥。(3 )去除模板在重量體積百分比濃度為90%的丙醇溶液中浸泡10秒鐘, 取出,放至干燥。所制得的納米孔防反射薄膜,電子顯微鏡觀察其氧化硅防反射涂層中隨機(jī) 分布孔徑均勻的直徑為5nm左右的小孔,孔間距為20nm左右。用德國的Nanocal 反射儀UV-VIS方法測得其表面反射率為0. 05%,用日本T0KY0的光電霧度計測得
透射率為99%以上(雙面涂布時)。此納米孔防反射薄膜用于眼鏡表面。 實施例5(1) 母液的配制將7千克的鉿酸四乙酯與4千克的十四烷基三曱基氯化 銨(ITAC)混合,重量體積比濃度為1°/ 的異丙酮溶液,用0. 5。/。Na0H調(diào)節(jié)PH值 為12。所加入的異丙酮溶液的量使十四烷基三曱基氯化銨(ITAC)達(dá)到其臨界 膠束濃度,臨界膠束濃度的測定方法為表面張力測試法;攪拌均勻8(TC放置1 小時,充分水解。(2) 涂布于基材用凹版印刷機(jī)將母液涂布在0.1毫米厚的透過率為90% 光學(xué)玻璃片上,涂層厚度為0. 9pm,放于9(TC溫度下至干燥。(3 )去除模板在重量體積百分比濃度為9%的丙醇溶液中浸泡30分鐘,取 出,放至干燥。所制得的納米孔防反射薄膜,電子顯微鏡觀察其氧化硅防反射涂層中隨機(jī) 分布孔徑均勻的直徑為2nm左右的小孔,孔間距為0. 5mn左右。用德國的Nanocal 反射儀UV-VIS方法測得其表面反射率為0. 05°/。。此納米孔防反射薄膜可用于電 腦液晶顯示屏表面。 實施例6(1)母液的配制將10千克的鈮酸五曱酯與2千克的十四烷基三曱基氯 化銨(ITAC)混合,加入水,用1。/。砷酸調(diào)節(jié)PH值為3。所加入的水的量使十四 烷基三曱基氯化銨UTAC)達(dá)到其臨界膠束濃度為,臨界膠束濃度的測定方法 為表面張力測試法;攪拌均勻5(TC放置IO小時,充分水解。(2 )涂布于基材用涂布機(jī)將母液涂布在0. 8毫米、透過率為90°/ 聚對苯二 甲酸乙二醇酯片材上,涂層厚度為0. 5ym,放于18(TC溫度下至干燥。(3) 去除模板置于紫外固化設(shè)備中,于波長190nm照射20分鐘。 所制得的納米孔防反射薄膜,電子顯微鏡觀察其氧化硅防反射涂層中隨機(jī) 為3nm左右的小孔,孔間^^為2nm左右。用德國的Nanocal 反射儀UV-VIS方法測得其表面反射率為0. 05%,用日本TOKYO的光電霧度計測得 透射率為99%以上(雙面涂布時)。此納米孔防反射薄膜用于顯示器貼膜。 實施例7(1)母液的配制將3千克的鋁酸三丙酯與900mg的煙草花葉病毒混合, 重量體積比濃度為1%的異丙酮溶液,用1%HC1調(diào)節(jié)PH值為6。所加入的異丙酮 溶液的量使煙草花葉病毒濃度達(dá)到3mg/l;攪拌均勻5(TC放置8小時,充分水(2) 涂布于基材用凹版印刷機(jī)將母液涂布在0.3毫米厚、透過率為90% 的深圳南玻公司生產(chǎn)的玻璃片上,涂層厚度為10ym,放于60。C溫度下至干燥。(3) 去除模板在50(TC, 3小時燒結(jié)。所制得的納米孔防反射薄膜,電子顯微鏡觀察其氧化硅防反射涂層中隨機(jī) 分布孔徑均勻的直徑為1. 5nm左右的小孔,氣體吸附法測得孔間距為10nm左右。 用德國的Nanocal反射儀UV-VIS方法測得其表面反射率為0.05%。此納米孔防 反射薄膜可用于電腦液晶顯示屏表面。 實施例8基本與實施例6相同,所不同之處在于,所使用的離子型表面活性劑為十 六烷基三曱基氯化銨CTAC。 實施例9基本與實施例3相同,所不同之處在于,所使用的離子型表面活性劑為十 二烷基硫酸鈉SDS。 實施例10基本與實施例1相同,所不同之處在于,所使用的離子型表面活性劑為十 二烷基苯磺酸鈉SDBS。
實施例11基本與實施例2相同,所不同之處在于,所使用的離子型表面活性劑為十 六烷基三甲基溴化銨CTAB。 實施例12基本與實施例4相同,所不同之處在于,所使用的離子型表面活性劑為十 四烷基三曱基氯化銨ITAC。
權(quán)利要求
1.一種具有納米孔的防反射薄膜,包括基材層和防反射涂層,其特征在于,所述基材層為透明材料,所述防反射涂層中隨機(jī)分布或有序分布孔尺寸均勻的納米孔,納米孔直徑為0.5-5納米,孔間距為0.5-50納米,所述防反射涂層是以分子式為M-(OR)x的化合物為原料水解形成,其中M為Si、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb或Al;R為CH3、C2H5或C3H7;當(dāng)M為Al,X為3;當(dāng)M為Si、Ti、Zr、Hf,X為4;當(dāng)M為Ta、Nb,X為5。
2. 按照權(quán)利要求1所述的防反射薄膜,其特征在于,所述納米孔直徑為0.5-2 納米。
3. 按照權(quán)利要求1所述的防反射薄膜,其特征在于,所述基材層為透射率高于 85%的玻璃片材或塑料片材,厚度為0. 1-5毫米;所述納米孔直徑為0. 5-1. 5納 米;所述防反射涂層是以正硅酸四乙酯或鈦酸四異丙酯為原料水解形成。
4. 按照權(quán)利要求3所述的防反射薄膜,其特征在于,所述塑料包括聚對苯二甲 酸乙二醇酯片材、聚碳酸酯片材或聚曱基丙烯酸曱脂片材,所述玻璃包括偏光 片TAC或光學(xué)玻璃。
5. 按照權(quán)利要求1所述的防反射薄膜的制備方法,其特征在于,所述方法包括 (l)母液的制備將所述化合物M-(0R)x、離子型表面活性劑和溶劑混合,用酸調(diào)節(jié)pH值為0.5-6或用堿調(diào)節(jié)pH值為9-12,攪拌均勻,于20-120。C的溫度 下放置30分鐘至20小時,充分水解;所述化合物M-(OR),與離子型表面活性劑 的重量比為10: 1-1: 10,所述離子型表面活性劑在母液中的濃度在臨界膠束 濃度范圍,所述溶劑為水、體積比濃度1%-99%的乙醇、體積比濃度1°/ -99%的丙酮或體積比濃度1%-99%的異丙酮溶液;(2)母液涂布基材將制備的母液涂于 基材表面,涂層厚度為0.5-20微米,20-200。C烘干;(3)用燒結(jié)、浸泡或紫外 照射方法除去離子型表面活性劑,所述燒結(jié)溫度為300-600°C,時間為30分鐘 至10小時;所述浸泡為在體積百分比濃度為9%-90%的乙醇或丙酮溶液中,浸泡 10秒-30分鐘;所述紫外照射為在波長小于200nm的紫外固化設(shè)備中處理0. 5-30 分鐘。
6. 按照權(quán)利要求1所述的防反射薄膜的制備方法,其特征在于,所述方法包括 (1)母液的制備將所述化合物M-(OR)x、直徑1-5納米的蛋白顆粒和溶劑混合,用酸調(diào)節(jié)pH值為0. 5-6或用堿調(diào)節(jié)pH值為9-12,攪拌均勻,20-120。C放 置30分鐘至20小時,充分水解;所述化合物M-(OR)x與蛋白顆粒的重量比為 1:10-10:1,所述蛋白顆粒在母液中的重量體積比濃度為2-10%,所述溶劑為水、 體積比濃度1%-99%的乙醇、體積比濃度1%-99%的丙酮或體積比濃度1%-99%的異 丙酮溶液;(2)母液涂布基材將所述母液涂于基材表面,涂層厚度為0.5-20 微米,烘干;(3)用燒結(jié)、浸泡或紫外照射方法除去離子型表面活性劑,所述 燒結(jié)溫度為300-600°C,時間為30分鐘至10小時;所述浸泡為在體積百分比濃 度為9%-90%的乙醇或丙酮溶液中,浸泡10秒-30分鐘;所述紫外照射為在波長 小于200nm的紫外固化設(shè)備中處理0. 5-30分鐘。
7. 按照權(quán)利要求5所述的防反射薄膜的制備方法,其特征在于,所述化合物化 合物M- (OR) x為正硅酸四乙酯或鈥酸四異丙酯,所述離子型表面活性劑為十烷基 三甲基氯化銨DTMAC、十二烷基三曱基氯化銨DTAC、十四烷基三曱基氯化銨ITAC、 十六烷基三曱基氯化銨CTAC 、十八烷基三甲基氯化銨OTAC 、十二烷基硫酸鈉SDS 、 十二烷基苯磺酸鈉SDBS或十六烷基三曱基溴化銨CTAB;所述燒結(jié)溫度為 400-550°C,時間為2小時至5小時;所述浸泡為在體積百分比濃度為9%-90%的乙醇或丙酮溶液中,浸泡1分鐘-20分鐘;所述紫外照射為在波長小于200nm 的紫外固化設(shè)備中處理5-20分鐘。
8. 按照權(quán)利要求6所述的防反射薄膜的制備方法,其特征在于,所述化合物化 合物M- (OR) x為正硅酸四乙酯或鈥酸四異丙酯,所述蛋白顆粒為煙草花葉病毒; 所述燒結(jié)溫度為400-550°C,時間為2小時至5小時;所述浸泡為在體積百分比 濃度為9%-90%的乙醇或丙酮溶液中,浸泡1分鐘-20分鐘;所述紫外照射為在 波長小于200nm的紫外固化設(shè)備中處理5-20分鐘。
9. 按照權(quán)利要求1所述的防反射薄膜的用途,其特征在于,所述防反射薄膜用 于顯示屏、汽車倒位鏡表面或眼鏡表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有納米孔的防反射薄膜,及其制備方法、用途。本發(fā)明的防反射薄膜是在透明基材層上形成聚合防反射涂層,其中聚合防反射涂層中具有孔尺寸均勻、直徑為0.5-5納米的納米孔,所說的納米孔是采用臨界膠束濃度的離子型表面活性劑為模板,通過進(jìn)一步去除模板而形成的。本發(fā)明提供的防反射膜折射率低于現(xiàn)有技術(shù),同時機(jī)械性能提高、穩(wěn)定性強(qiáng)、原料便宜易得、工藝簡單。
文檔編號G02B1/10GK101149442SQ20071015126
公開日2008年3月26日 申請日期2007年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日
發(fā)明者欒玉成 申請人:欒玉成;方 針
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