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半色調(diào)掩模板及其制造方法

文檔序號(hào):2732620閱讀:184來源:國知局
專利名稱:半色調(diào)掩模板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及掩模板及其制造方法,特別涉及一種半色調(diào)掩模板及其制造 方法。
背景技術(shù)
半色調(diào)掩模板為在透明的基板上設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū) 域的干凈的基板,其中半透射區(qū)域的透射率介于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的透 射率之間。因此使用半色調(diào)掩模板照射光刻膠時(shí),在非透射區(qū)域留有全部光 刻膠、在半透射區(qū)域殘留部分光刻膠、在透射區(qū)域完全去掉光刻膠,從而可 以達(dá)到用 一個(gè)半色調(diào)掩^t板蝕刻兩個(gè)區(qū)域的目的。
目前,通過多次掩模工藝制造陣列基板或互補(bǔ)型氧化金屬半導(dǎo)體
(Complementary Metal Oxide Semiconductor,簡稱為C0MS )的過程中,所 使用的半色調(diào)掩模板通常設(shè)計(jì)在掩模板一面。即為在掩模板一面沉積掩模 板材料(MaskMaterial ),通過后續(xù)工藝在掩模板材料表面形成半透射區(qū)域, 然后在掩模材料表面沉積半色調(diào)材料(Half Tone Material),通過后續(xù)工 藝蝕刻除半透射區(qū)域外的半色調(diào)材料。其中掩模板材料通常為鉻(Cr)、半 色調(diào)材料通常為多氧化鉻(CrOx)。在基板一面用兩種材料形成半色調(diào)掩模 板是比較常用的方法,并且被大多生產(chǎn)廠商所采用。 現(xiàn)有技術(shù)半色調(diào)掩模板的制造方法如下
圖1為現(xiàn)有技術(shù)沉積Cr層的示意圖。在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和 透射區(qū)域的基板1 一面沉積Cr層2。
圖2為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖。在Cr層2表面涂布光刻膠4,然后通過光刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠4。
圖3為現(xiàn)有技術(shù)形成非透射區(qū)域的示意圖。通過蝕刻工藝去掉未^L光刻 膠覆蓋的Cr層2,形成被Cr層2覆蓋的非透射區(qū)域。
圖4為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖。通過去膠工藝去掉剩余光刻膠4。
圖5為現(xiàn)有技術(shù)沉積Cr0x層的示意圖。在設(shè)置有Cr層2的基板1 一面 沉積Cr0x層3,使CrOx層3覆蓋整個(gè)基板1。
圖6為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖。在CrOx層3表面涂布光刻膠4, 然后通過光刻工藝去掉除半透射區(qū)域外的光刻膠4。
圖7為現(xiàn)有技術(shù)形成半透射區(qū)域的示意圖。通過蝕刻工藝去掉未被光刻 膠4覆蓋的CrOx層3,形成被CrOx層3覆蓋的半透射區(qū)域。
圖8為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖。通過去膠工藝去掉位于CrOx層3 上的光刻膠,完成半色調(diào)掩模板的制造。
圖9a為現(xiàn)有方法制造的半色調(diào)掩才莫板示意圖。掩才莫板表面有A區(qū)域、B 區(qū)域和C區(qū)域,其中A區(qū)域?yàn)榉峭干鋮^(qū)域;B區(qū)域和C區(qū)域?yàn)榘胪干鋮^(qū)域。但 是這種半色調(diào)掩模板在C區(qū)域出現(xiàn)重疊沉積的現(xiàn)象,即C區(qū)域材料層的厚度 大于B區(qū)域材料層的厚度,導(dǎo)致B區(qū)域和C區(qū)域具有不同的透射率。
圖9b為現(xiàn)有方法制造的另一半色調(diào)掩模板示意圖。A區(qū)域?yàn)榉峭干鋮^(qū)域; B區(qū)域和C區(qū)域?yàn)榘胪干鋮^(qū)域,其中C區(qū)域?yàn)橥干渎蕽u變的區(qū)域,導(dǎo)致了半透 射區(qū)域具有多個(gè)透射率。
通過現(xiàn)有方法制造的半色調(diào)掩模板都在基板一面沉積兩種材料,導(dǎo)致在 半透射區(qū)域出現(xiàn)材料層重疊沉積的情況,使其在半透射區(qū)域具有多個(gè)透射率, 降低半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半色調(diào)掩模板及其制造方法,有效解決通過現(xiàn) 有方法制造的半色調(diào)掩模板半透射區(qū)域具有多個(gè)透射率的缺陷。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種半色調(diào)掩模板,包括基板,基板設(shè) 有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域,非透射區(qū)域設(shè)置有第一掩模材料層, 半透射區(qū)域設(shè)置有可調(diào)節(jié)透射率的第二掩模材料層,第 一掩沖莫材料層位于基 板的一面,第二掩沖莫材料層位于基板的另一面。
其中,第 一掩模材料層和第二掩模材料層部分重疊。
其中,第一掩模材料層為4各層、鉬層或鈦層;第二掩模材料層為多氧化 鉻層、硅層、鉻層、鉬層或鈦層。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明還提供一種半色調(diào)掩^^板的制造方法,包括 分別在基板的二面上形成作為非透射區(qū)域的第一掩模材料層和作為半透射區(qū) 域的第二掩模材料層。
其中,分別在基板的二面上形成作為非透射區(qū)域的第一掩模材料層和作 為半透射區(qū)域的第二掩模材料層具體為步驟IOI、通過沉積工藝在設(shè)有非透 射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基板的一面沉積第一掩模材料層;步驟102、 通過沉積工藝在第一掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工藝去掉位于半 透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟103、通過蝕刻工藝完全去掉位于半透射 區(qū)域和透射區(qū)域的第一掩模材料層;步驟104、通過去膠工藝去掉剩余的光刻 膠;步驟105、通過沉積工藝在基板的另一面沉積可調(diào)節(jié)透射率的第二掩模材 料層;步驟106、通過沉積工藝在第二掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻 工藝去掉位于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟107、通過蝕刻工藝去掉 非透射區(qū)域和透射區(qū)域的第二掩模材料層;步驟108、通過去膠工藝去掉剩余 的光刻膠。
其中,分別在基板的二面上形成作為非透射區(qū)域的第 一掩沖莫材料層和作 為半透射區(qū)域的第二掩模材料層具體為步驟201、通過沉積工藝在設(shè)有非透 射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基板一面沉積可調(diào)節(jié)透射率的第二掩^f莫材 料層;步驟202、通過沉積工藝在第二掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻 工藝去掉位于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟203、通過蝕刻工藝去掉非透射區(qū)域和透射區(qū)域的第二掩模材料層;步驟204、通過去膠工藝去掉剩余 的光刻膠;步驟205、通過沉積工藝在基板另一面沉積第一掩模材料層;步驟 206、通過沉積工藝在第一掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工藝去掉位 于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟207、通過蝕刻工藝完全去掉位于半 透射區(qū)域和透射區(qū)域的第一掩模材料層;步驟208、通過去膠工藝去掉剩余的 光刻月交。
其中,第 一掩模材料層和第二掩模材料層部分重疊。 其中,步驟204和步驟205之間包括步驟通過沉積工藝在基板的另一 面形成保護(hù)層,保護(hù)層覆蓋所形成的第二掩模材料層。 其中,步驟208后還包括步驟去掉保護(hù)層。
其中,在基板上形成作為非透射區(qū)域的第一掩模材料層具體為形成鉻 層、鉬層或鈦層;在基板上形成作為半透射區(qū)域的第二掩^t材料層具體為 形成多氧化鉻層、硅層、鉻層、鉬層或鈦層。
本發(fā)明提供的半色調(diào)掩模板,通過在基板兩面分別設(shè)置掩模板材料層的 結(jié)構(gòu),解決了現(xiàn)有的半色調(diào)掩模板在半透射區(qū)域出現(xiàn)的材料層重疊沉積的問 題,有效提高了半色調(diào)掩模板透射率的均勻性,從而提高了半色調(diào)掩模板的 質(zhì)量。
本發(fā)明提供的半色調(diào)掩模板的制造方法,通過在基板兩面分別形成覆蓋 有第 一掩模材料層的非透射區(qū)域和覆蓋有第二掩模材料層的半透射區(qū)域的方 法,解決了現(xiàn)有制造方法中半色調(diào)掩模板的半透射區(qū)域出現(xiàn)材料層重疊沉積 的問題,有效提高了半色調(diào)掩模板透射率的均勻性,從而提高了半色調(diào)掩模 板的質(zhì)量。同時(shí)本發(fā)明提供的制造方法,通過在已形成的材料層上形成保護(hù) 層,可以防止在蝕刻工藝中所使用的不同蝕刻物質(zhì)和已形成的材料層產(chǎn)生化 學(xué)反應(yīng)的缺陷,因此可以減少相應(yīng)的保護(hù)措施,從而不僅使制造過程簡單化, 還提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
下面通過附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)沉積Cr層的示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖3為現(xiàn)有技術(shù)形成非透射區(qū)域的示意圖4為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖5為現(xiàn)有技術(shù)沉積Cr0x層的示意圖6為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖7為現(xiàn)有技術(shù)形成半透射區(qū)域的示意圖8為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖9a為用現(xiàn)有方法制造的半色調(diào)掩模板的示意圖9b為用現(xiàn)有方法制造的另一半色調(diào)掩模板的示意圖10為本發(fā)明半色調(diào)掩^^莫板的結(jié)構(gòu)示意圖11為本發(fā)明半色調(diào)掩才莫板的另一結(jié)構(gòu)示意圖12為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖13為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第二實(shí)施例的流程圖。
附圖標(biāo)記說明
l一基板; 2—Cr層; 3—Cr0x層;
4一光刻膠; 5 —第一掩模材料層; 6—第二掩模材料層。
具體實(shí)施例方式
圖10為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖IO所示,半色調(diào)掩模 板包括干凈透明的基板l、第一掩模材料層5和可調(diào)節(jié)透射率的第二掩模材 料層6,其中基板l設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域?;錶一面的 非透射區(qū)域設(shè)有第一掩模材料層5、基板1另一面的半透射區(qū)域設(shè)有第二掩模 材料層6。本實(shí)施例提供半色調(diào)掩模板,通過在基板兩面分別設(shè)置掩模板材料層的 結(jié)構(gòu),解決了現(xiàn)有的半色調(diào)掩模板在半透射區(qū)域出現(xiàn)的材料層重疊沉積的問 題,有效提高了半色調(diào)掩模板透射率的均勻性,從而提高了半色調(diào)掩模板的 質(zhì)量。
進(jìn)一步的,基板為玻璃基板、石英基板或藍(lán)寶石基板;第一掩模材料層 為Cr層、鉬(以下簡稱為"Mo")層或鈦(以下簡稱為"Ti")層;第 二掩模材料層為Cr0x層、硅(以下簡稱為"Si")層或硬度較大的金屬層, 如Cr層、Mo層或Ti層等。
圖11為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的另一結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11所示,半色調(diào) 掩模板包括干凈透明的基板l、第一掩模材料層5和可調(diào)節(jié)透射率的第二掩 模材料層6,其中基板l設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域?;錶一 面的非透射區(qū)域設(shè)有第一掩才莫材料層5、基板1另一面的半透射區(qū)域設(shè)有第二 掩模材料層6,并且第一掩模材料層5和第二掩模材料層6部分重疊,重疊區(qū) 域?yàn)镈。
本實(shí)施例提供半色調(diào)掩模板,通過使第一掩模材料層和第二掩模材料層 部分重疊,可以防止非透射區(qū)域和半透射區(qū)域相鄰的區(qū)域出現(xiàn)漏光現(xiàn)象,從 而進(jìn)一步提高半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法包括包括分別在基板的二面上形成作 為非透射區(qū)域的第 一掩模材料層和作為半透射區(qū)域的第二掩模材料層。
圖12為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖,具體為
步驟IOI、通過沉積工藝在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基 板一面沉積第 一掩模材料層;
步驟102、通過沉積工藝在第一掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工 藝去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;
步驟10 3 、通過蝕刻工藝完全去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的第 一掩模 材料層;步驟104、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠;
步驟105 、通過沉積工藝在基板的另 一面沉積可調(diào)節(jié)透射率的第二掩^^莫材
料層;
步驟106、通過沉積工藝在第二掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工 藝去掉位于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;
步驟107、通過蝕刻工藝去掉非透射區(qū)域和透射區(qū)域的第二掩模材料層; 步驟108、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠。
本實(shí)施例提供半色調(diào)掩模板的制造方法,通過在基板兩面分別形成覆蓋 有第 一掩模材料層的非透射區(qū)域和覆蓋有第二掩模材料層的半透射區(qū)域的方 法,解決了現(xiàn)有制造方法中半色調(diào)掩模板的半透射區(qū)域出現(xiàn)材料層重疊沉積 的問題,有效提高了半色調(diào)掩模板透射率的均勻性,從而提高了半色調(diào)掩模 板的質(zhì)量。
進(jìn)一步地,所形成的第一掩模材料層和第二掩模材料層部分重疊,這樣 可以產(chǎn)生防止第 一掩模材料層和第二掩模材料層相鄰的區(qū)域漏光的有益效 果,另外還可以提高工程容差。
更進(jìn)一步地,基板可以為玻璃基板、石英基板或藍(lán)寶石基板;第一掩模 材料層為Cr層、Mo層或Ti層;第二掩模材料層為Cr0x層、Si層或硬度較 大的金屬層,如Cr層、Mo層或Ti層等。
圖13為本發(fā)明半色調(diào)掩才莫板的制造方法第二實(shí)施例的流程圖,具體為
步驟201、通過沉積工藝在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基 板一 面沉積可調(diào)節(jié)透射率的第二掩模材料層;
步驟202、通過沉積工藝在第二掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工 藝去掉位于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;
步驟203、通過蝕刻工藝去掉非透射區(qū)域和透射區(qū)域的第二掩模材料層;
步驟204、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠;
步驟205、通過沉積工藝在基板另一面沉積第一掩模材料層;步驟206、通過沉積工藝在第一掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工 藝去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;
步驟207 、通過蝕刻工藝完全去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的第 一掩模 材料層;
步驟208、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠。
進(jìn)一步地,在本實(shí)施例中,形成覆蓋有第二掩模材料層的半透射區(qū)域時(shí), 使用硬度較大的金屬材料形成半透射區(qū)域,如Cr、 Mo或Ti等,這樣可以防 止制造過程中因翻轉(zhuǎn)或傳送引起半透射區(qū)域被刮擦的現(xiàn)像,有助于進(jìn)一步提 高半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
進(jìn)一步地,在本實(shí)施例中步驟204和步驟205之間增加步驟通過沉積 工藝在基板的另一面形成保護(hù)層,保護(hù)層覆蓋所形成的第二掩模材料層。該 半色調(diào)掩模板的制造方法,通過先形成覆蓋有第二掩模材料層的半透射區(qū)域, 并且再形成保護(hù)層,然后形成覆蓋有第一掩模材料層的非透射區(qū)域的制造方 法,有效解決了先形成半透射區(qū)域后翻轉(zhuǎn)或傳送基板時(shí)半透射區(qū)域有可能受 到物理損傷的缺陷,同時(shí)還可以防止蝕刻工藝中所使用的蝕刻物質(zhì)和已形成 的材料層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),因此可以減少相應(yīng)的保護(hù)措施,從而不僅使制造過 程簡單化,還提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
步驟204和步驟205之間包括步驟通過沉積工藝在基板的另一面形成 保護(hù)層,保護(hù)層覆蓋所形成的第二掩模材料層;步驟208后還包括步驟去 掉保護(hù)層。
再進(jìn)一步地,步驟208后還增加步驟去掉保護(hù)層。該半色調(diào)掩模板的 制造方法,通過去掉已經(jīng)形成在半透射區(qū)域上的保護(hù)層的制造方法,不僅有 效解決了先形成半透射區(qū)域后翻轉(zhuǎn)或傳送基板時(shí)半透射區(qū)域有可能受到物理 損傷的缺陷,而且還解決了保護(hù)層有可能影響半透射區(qū)域透射率的缺陷,同 時(shí)還可以防止蝕刻工藝中所使用的蝕刻物質(zhì)和已形成的材料層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),從而提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其 限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或 者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種半色調(diào)掩模板,包括基板,所述基板設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域,所述非透射區(qū)域設(shè)置有第一掩模材料層,所述半透射區(qū)域設(shè)置有可調(diào)節(jié)透射率的第二掩模材料層,其特征在于所述第一掩模材料層位于所述基板的一面,所述第二掩模材料層位于所述基板的另一面。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半色調(diào)掩模板,其特征在于所述第一掩模材 料層和所述第二掩模材料層部分重疊。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半色調(diào)掩模板,其特征在于所述第一掩 模材料層為鉻層、鉬層或鈦層;所述第二掩模材料層為多氧化鉻層、硅層、 鉻層、鉬層或鈦層。
4、 一種半色調(diào)掩模板的制造方法,其特征在于,包括分別在基板的二面 上形成作為非透射區(qū)域的第 一掩模材料層和作為半透射區(qū)域的第二掩模材料 層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半色調(diào)掩模板的制造方法,其特征在于,分別 在基板的二面上形成作為非透射區(qū)域的第 一掩模材料層和作為半透射區(qū)域的 第二掩模材料層具體為步驟IOI、通過沉積工藝在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基 板的 一 面沉積第 一掩模材料層;步驟102、通過沉積工藝在第一掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工 藝去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟10 3 、通過蝕刻工藝完全去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的第 一掩模 材料層;步驟104、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠;步驟105、通過沉積工藝在所述基板的另 一 面沉積可調(diào)節(jié)透射率的第二掩 模材料層;步驟106、通過沉積工藝在第二掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工藝去掉位于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟107、通過蝕刻工藝去掉非透射區(qū)域和透射區(qū)域的第二掩;f莫材料層; 步驟108、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半色調(diào)掩模板的制造方法,其特征在于,分別在基板的二面上形成作為非透射區(qū)域的第 一掩模材料層和作為半透射區(qū)域的 第二掩模材料層具體為步驟201、通過沉積工藝在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基 板一面沉積可調(diào)節(jié)透射率的第二掩模材料層;步驟202、通過沉積工藝在第二掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工 藝去掉位于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟203、通過蝕刻工藝去掉非透射區(qū)域和透射區(qū)域的第二掩模材料層;步驟204、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠;步驟205、通過沉積工藝在所述基板另一面沉積第一掩才莫材料層;步驟206、通過沉積工藝在第一掩模材料層表面覆蓋光刻膠,通過光刻工 藝去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠;步驟207 、通過蝕刻工藝完全去掉位于半透射區(qū)域和透射區(qū)域的第 一掩模 材料層;步驟208、通過去膠工藝去掉剩余的光刻膠。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4、 5或6所述的半色調(diào)掩模板的制造方法,其特征在 于所述第一掩模材料層和所述第二掩^t材料層部分重疊。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半色調(diào)掩模板的制造方法,其特征在于所述 步驟204和步驟205之間包括步驟通過沉積工藝在所述基板的另一面形成 保護(hù)層,所述保護(hù)層覆蓋所形成的第二掩模材料層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半色調(diào)掩模板的制造方法,其特征在于所述 步驟208后還包括步驟去掉所述保護(hù)層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求4、 5或6所述的半色調(diào)掩模板的制造方法,其特征在于所述在基板上形成作為非透射區(qū)域的第一掩模材料層具體為形成鉻層、 鉬層或鈦層;所述在基板上形成作為半透射區(qū)域的第二掩模材料層具體為 形成多氧化鉻層、硅層、鉻層、鉬層或鈦層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半色調(diào)掩模板及其制造方法,半色調(diào)掩模板包括基板,基板設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域,非透射區(qū)域設(shè)置有第一掩模材料層,半透射區(qū)域設(shè)置有可調(diào)節(jié)透射率的第二掩模材料層,第一掩模材料層位于基板的一面,第二掩模材料層位于基板的另一面。半色調(diào)掩模板的制造方法,括分別在基板的二面上形成作為非透射區(qū)域的第一掩模材料層和作為半透射區(qū)域的第二掩模材料層。本發(fā)明有效解決了半透射區(qū)域出現(xiàn)材料層重疊沉積的現(xiàn)象和蝕刻工藝中所使用的蝕刻物質(zhì)和已形成的材料層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的現(xiàn)象,從而提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
文檔編號(hào)G03F1/32GK101408724SQ200710175648
公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2007年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月9日
發(fā)明者劉圣烈, 崔瑩石 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司
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