專利名稱：液晶顯示面板以及液晶顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示面板以及液晶顯示設(shè)備的制造方法，并且可以應(yīng)用到例如TN (Twisted Nematic,扭曲向歹'J )、 ECB (Electrically Controlled birefringence,電控制雙折射)、STN ( Super Twisted Nematic,超扭曲向列) 和IPS (In-Plane Switching,平面內(nèi)轉(zhuǎn)換)才莫式的液晶模式。與通過為取 向膜的下表面提供凹槽形狀來為取向膜提供取向能力的現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備和 方法相比，本發(fā)明能夠保證高生產(chǎn)率和充分的錨定力(anchoring strength) 和圖像質(zhì)量。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，在例如TN、 ECB、 STN和IPS模式的各種液晶模式的液晶顯 示面板中，通過取向工藝將液晶分子取向到固定方向，并且對(duì)于該取向工藝 已經(jīng)提出了各種各樣的方法。這里，作為取向工藝之一的摩擦方法是最經(jīng)常采用的方法，并且通過在 透明電極上形成取向膜，并且用具有布等粘附在其表面的滾筒沿固定方向摩 擦該取向膜，從而給由聚酰亞胺等制造的高分子膜形成的取向膜施加取向能 力。然而，對(duì)于摩擦方法，存在摩擦廢物會(huì)粘到和污染取向膜表面的可能性， 并且也存在TFT(薄膜晶體管)會(huì)由產(chǎn)生的靜電而擊穿(broken down)的可 能性。取向工藝方法用于取代摩擦方法的格柵法(grating method )在基板的表 面上加工取向膜以形成柵格(凹槽)并且利用柵格的彈性變形來取向液晶分 子。在格柵法中，液晶分子在彈性自由能最穩(wěn)定的沿柵格在平行方向上取向。關(guān)于該格柵法，在M. Nakamura et al. J. Appl. Phys. 52, 210 ( 1981 )中提 出了這樣的方法，其中光照射在形成取向膜的光敏聚合物上，以在固定的距 離上形成線性柵格。同樣，在日本專利申請(qǐng)公開No.平11-218763的公報(bào)上， 提出了這樣的方法，其中光照射在基板上的光聚合單體上，以形成帶有柵格 的取向膜。此外，在日本專利申請(qǐng)公開No. 2000-105380中，提出了這樣的方法，其中應(yīng)用轉(zhuǎn)印技術(shù)在形成于基板的表面上的樹脂涂敷膜上形成柵格的 凹凸形狀，以形成帶有柵格的取向膜。已知的是，根據(jù)這種格柵法，通過調(diào)整柵格的間距和高度可以控制錨定能量(anchoring energy) ( Y. Ohta et al" J. J. Appl. Phys" 43, 4310 ( 2004 ))。此外，關(guān)于格柵法，還提出了這樣的方法，其中利用聚酰亞胺等的取向 膜自身具有的取向調(diào)節(jié)力來改善錨定力。特別是，在日本專利申請(qǐng)公開No. 平5-88177的公報(bào)中，提出了這樣的方法，其中通過光刻法圖案化光敏聚酰 亞胺。在日本專利申請(qǐng)公開No.平8-114804的公報(bào)中，提出了這樣的方法， 其中在第一取向膜的表面上形成凹凸形狀，該凹凸形狀的表面形狀是沿預(yù)定 方向的條形，并且在垂直于該預(yù)定方向的方向上為鋸齒形，并且在第一取向 膜上層疊分子軸指向該垂直方向的有機(jī)物質(zhì)，以形成另一個(gè)取向膜。此外， 在曰本專利申請(qǐng)公開No.平3-209220的公報(bào)上，提出了這樣的方法，其中光 刻光敏玻璃以在其表面上形成凹凸形狀，然后涂敷取向材料。順便提及，根據(jù)該格柵法，可以防止由摩擦方法引起的取向膜表面的污 染或者靜電的產(chǎn)生。然而，在僅利用根據(jù)格柵法的彈性變形效應(yīng)來取向液晶分子時(shí)，為了實(shí) 現(xiàn)水平等同于摩擦方法的水平的錨定力，就必須使凹槽的間隔P和高度H之 間的比率T ( = H/P )足夠高。特別是，根據(jù)Y. Ohta et al" J. J. Appl. Phys" 43， 4310 (2004),為了獲得基本上等于通過摩擦工藝產(chǎn)生的取向膜的方位角錨 定力水平的方位角錨定力水平(約為1 x 10" [J/m2])，必須使凹槽的間隔P 和高度H之間的比率T等于或大于1。因此，因?yàn)楣烙?jì)實(shí)際使用的柵格的間 隔為1 [pm]或者更大，為了保證足夠的方位角錨定力，在僅利用彈性變形效 應(yīng)來取向液晶分子時(shí)，必須使柵格的深度等于1 [pm]或者更大。這里，在液 晶顯示面板中，因?yàn)閱卧g隙約為3至4[(im]，如果柵格的深度等于1 [pm] 或者更大，則在面板表面上形成深度為1 [(im]或者更大的周期性凹凸，并且 延遲在面板的表面內(nèi)變化且難于有效地保證對(duì)比率。此外，考慮到生產(chǎn)率， 所希望的是使柵格的深度小于1 [Kim]以保證足夠的錨定力。因此，在僅通過格柵法利用彈性變形效應(yīng)來取向液晶分子時(shí)，就保證充 分的錨定力而言，在實(shí)際使用中仍然存在不充分的問題。同時(shí)，根據(jù)利用取向膜材料自身具有的取向調(diào)節(jié)力來改善錨定力的方 法，估計(jì)即使柵格的深度制造為小于1 [|im],也能保證足夠的錨定力。然而，日本專利申請(qǐng)公開No.平5-88177的公報(bào)中所公開的技術(shù)具有這 樣的問題，其中只有具有光敏屬性的材料可以應(yīng)用于取向膜，而不能采用迄 今生產(chǎn)上已經(jīng)穩(wěn)定使用并且在耐熱性、機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)穩(wěn)定性和電壓保持特 性上優(yōu)良的材料。同樣，在日本專利申請(qǐng)公開No.平8-114804的公報(bào)中公開 的技術(shù)具有這樣的問題，其中因?yàn)楸仨毿纬蓪盈B結(jié)構(gòu)的取向膜，所以使制造 工藝復(fù)雜并且生產(chǎn)率下降。此外，在日本專利申請(qǐng)公開No.平3-209220的公 報(bào)中公開的技術(shù)具有這樣的問題，其中調(diào)整取向膜的高分子鏈的方向的方法 不精確，并且因此該方法仍然不足以實(shí)際使用。專利文獻(xiàn)1:日本專利申請(qǐng)公開No.平11-218763的公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本專利申請(qǐng)公開No. 2000-105380的公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本專利申請(qǐng)公開No.平5-88177的公報(bào) 專利文獻(xiàn)4:日本專利申請(qǐng)公開No.平8-114804的公報(bào) 專利文獻(xiàn)5:日本專利申請(qǐng)公開No.平3-209220的公報(bào) 非專利文獻(xiàn)1: M. Nakamura et al. J. Appl. Phys. 52， 210 ( 1981 ) 非專利文獻(xiàn)2: Y. Ohta et al., J. J. Appl. Phys" 43， 4310 ( 2004 )發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題本發(fā)明考慮到前面的問題而進(jìn)行，并且提供能夠解決上述問題的液晶顯 示面板和液晶顯示面板的制造方法，其與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備和方法相比生產(chǎn)率 高，且可以保證足夠的錨定力和圖像質(zhì)量。技術(shù)方案為了解決上述問題，權(quán)利要求1的發(fā)明用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾 持液晶的液晶顯示面板，其中兩個(gè)基板中的至少一個(gè)形成為使得制造有取向 膜的表面的形狀為凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直 于該預(yù)定方向的方向上，并且該凹槽形狀覆蓋有高分子膜，以形成高分子鏈 調(diào)整為垂直方向的取向膜。權(quán)利要求18的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板，其中兩個(gè)基板中的至少一個(gè)形成為使得制造有取向膜的表面的形狀 為凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于該預(yù)定方向的 方向上，并且該凹槽形狀覆蓋有高分子膜，以形成將液晶分子取向?yàn)榇怪狈较虻娜∠蚰?。?quán)利要求34的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板，其中兩個(gè)基板中的至少一個(gè)包括絕緣基板和用于相差板的取向膜， 該取向膜具有這樣的表面，在該表面上沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)形成在垂 直于該預(yù)定方向的方向上并覆蓋有高分子膜，使得高分子鏈調(diào)整為該垂直方 向，并且由沿用于相差板的取向膜確定的方向取向的液晶形成的相差板接續(xù) 地形成在絕緣基板上。權(quán)利要求35的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板，其中兩個(gè)基板中的至少一個(gè)包括絕緣基板和用于相差板的取向膜， 該取向膜具有這樣的表面，在該表面上沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在 垂直于預(yù)定方向的方向上，并且該取向膜覆蓋有高分子膜，并且由分子取向 為垂直方向的液晶形成的相差板接續(xù)地形成在絕緣基板上。權(quán)利要求36的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板的制造方法，其中液晶顯示面板的制造方法包括加工兩個(gè)基板中的至 少一個(gè)以使制造有取向膜的表面的形狀為凹槽形狀的凹槽加工步驟，其中沿 預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于該預(yù)定方向的方向上；以及用高分 子膜覆蓋凹槽形狀以形成取向膜的取向膜制造步驟，該取向膜的高分子鏈調(diào) 整為該垂直方向。權(quán)利要求37的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板的制造方法，其中兩個(gè)基板包括接續(xù)地形成在絕緣基板上的電極和取 向膜，并且液晶顯示面板的制造方法包括加工兩個(gè)基板的至少一個(gè)以使制造 有取向膜的表面的形狀為凹槽形狀的凹槽加工步驟，其中沿預(yù)定方向延伸的 凹槽重復(fù)地形成在垂直于該預(yù)定方向的方向上；以及用高分子膜覆蓋凹槽形 狀以形成取向膜的取向膜制造步驟，該取向膜將液晶分子取向?yàn)榇怪狈较颉?quán)利要求38的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板的制造方法，其中該兩個(gè)基板的至少 一個(gè)包括接續(xù)地設(shè)置在透明基板 上的用于相差板的取向膜和相差板，并且液晶顯示面板的制造方法包括加工 一個(gè)基板以使其上要制造取向膜的表面的形狀為凹槽形狀的凹槽加工步驟，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)形成在垂直于該預(yù)定方向的方向上；用高分子膜覆蓋凹槽形狀以形成用于相差板的取向膜的取向膜制造步驟，該取向膜的高分子鏈調(diào)整為垂直方向；將在相差板的取向膜上布置液晶的液晶布置步驟；以及固化該液晶的固化步驟。權(quán)利要求39的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板的制造方法，其中該兩個(gè)基板的至少 一個(gè)包括接續(xù)地設(shè)置在透明基板 上的取向膜和相差板，并且用于液晶面板的制造方法包括加工一個(gè)基板以使 其上要制造取向膜的表面的形狀為凹槽形狀的凹槽加工步驟，其中沿預(yù)定方 向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于該預(yù)定方向的方向上；用高分子膜覆蓋凹 槽形狀以形成用于相差板的取向膜的取向膜制造步驟；在相差板的取向膜上 布置分子取向?yàn)樵摯怪狈较虻囊壕У囊壕Р贾貌襟E；以及固化該液晶的固化 步驟。權(quán)利要求40的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板，其中兩個(gè)基板的至少一個(gè)形成為使得其上要制造取向膜的表面的形 狀為凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)形成在垂直于該預(yù)定方向的 方向上，并且該凹槽形狀覆蓋有高分子膜以形成高分子鏈調(diào)整為該預(yù)定方向 的取向膜。權(quán)利要求41的發(fā)明應(yīng)用于彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間夾持液晶的液晶顯 示面板，其中兩個(gè)基板的至少一個(gè)形成為使得制造有取向膜的表面的形狀為 凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)形成在垂直于該預(yù)定方向的方向 上，并且凹槽形狀覆蓋有高分子膜以形成使液晶分子取向?yàn)樵摯怪狈较虻娜?向膜。根據(jù)權(quán)利要求l、 18、 36或者37的構(gòu)造，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽 重復(fù)形成在垂直方向上的凹槽形狀覆蓋有高分子膜，在這樣形成的取向膜 中，高分子通過制造時(shí)的熱處理引起的伸縮而調(diào)整為垂直于該凹槽延伸方向 的方向，由此保證取向能力。因此，根據(jù)權(quán)利要求l、 18、 36或者37的構(gòu) 造，以簡單易行的步驟可以保證高生產(chǎn)率來制造取向膜。對(duì)于這里以此形式 保證取向能力，即使凹槽的深度沒有制造得很深，液晶分子也能以足夠的錨 定力取向，并且現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備和方法中的問題此時(shí)可以得到解決，以與現(xiàn) 有技術(shù)的設(shè)備和方法相比保證高生產(chǎn)率，并且保證足夠的錨定力和圖像質(zhì) 量。根據(jù)權(quán)利要求34、 35、 38或者39的構(gòu)造，在用于相差板的取向膜的表 面上，沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直方向上，該取向膜的其上形 成凹槽的表面覆蓋有高分子膜，在這樣形成的取向膜中，高分子通過制造時(shí)的熱處理引起的伸縮來調(diào)整為垂直于凹槽延伸方向的方向，由此保證取向能力。因此，根據(jù)權(quán)利要求34、 35、 38或者39的構(gòu)造，以簡單易行的步驟可 以保證高生產(chǎn)率來制造取向膜。此外，用于相差板的取向膜可以用于制造相 差板。在根據(jù)權(quán)利要求40或者41的構(gòu)造，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)形 成在垂直方向上的凹槽形狀以高分子膜覆蓋，在這樣形成的取向膜中，高分 子通過在制造時(shí)由熱處理引起的伸縮來調(diào)整為預(yù)定方向，由此保證取向能 力。因此，根據(jù)權(quán)利要求40或者41的構(gòu)造，以簡單易行的步驟可以保證高 生產(chǎn)率以制造取向膜。對(duì)于這里以此方式保證的取向能力，即使凹槽的深度 沒有制作得很深，也可以以足夠的錨定力取向液晶分子，并且與現(xiàn)有技術(shù)的 設(shè)備和方法相比，此時(shí)可以解決現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備和方法中的問題以保證高生 產(chǎn)率，并保證足夠的錨定力和圖像質(zhì)量。有益效果根據(jù)本發(fā)明，與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備和方法相比具有高生產(chǎn)率，并且可以保 證足夠的錨定力和圖像質(zhì)量。


圖l是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例1的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的截 面圖。圖2是展示應(yīng)用于圖1的液晶顯示面板的TFT陣列基板的透視圖。圖3是圖解摩擦工藝的液晶顯示面板的觀察結(jié)果的照片。圖4是圖解圖1的液晶顯示面板的觀察結(jié)果的照片。圖5是圖解給圖1的液晶顯示面板施加電壓的狀態(tài)的截面圖。圖6是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例2的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的TFT陣列基板的透視圖。圖7是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例3的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的TFT陣列基板的透視圖。圖8是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例4的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的截面圖。圖9是展示圖8的液晶顯示面板的TFT陣列基板的透視圖。 圖IO是圖解給圖8的液晶顯示面板施加電壓的狀態(tài)的截面圖。圖11是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例5的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖。圖12是圖解給圖11的液晶顯示面板施加電壓的狀態(tài)的截面圖。 圖13是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例6的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖。圖14是圖解給圖13的液晶顯示面板施加電壓的狀態(tài)的截面圖。 圖15是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例7的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 一個(gè)像素的總體構(gòu)造的平面圖。圖16是沿著圖15的A-A線剖取的詳細(xì)截面圖。圖17是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例8的液晶顯示設(shè)備的TFT陣列基板的 構(gòu)造的透視圖。圖18是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例9的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的圖19是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例IO的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的圖20M示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例11的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖。圖21是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例12的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的圖22是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例13的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 平面圖。圖23是圖22的液晶顯示面板的截面圖。圖24是圖解給圖22的液晶顯示面板施加電壓的狀態(tài)的截面圖。 圖25是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例14的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 平面圖。圖26是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例15的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖。圖27是圖解給圖26的液晶顯示面板施加電壓的狀態(tài)的截面圖。 參考符號(hào)的說明1、 41、 51、 61、 71、 101、 111、 121、 131、 141、 151、 161……液晶顯示面板;2、 22、 32、 42、 72、 92、 102……TFT陣列基板;3、 43、 73、 103、 113、 123、 133……CF基板；4、 10……玻璃基板；5……濾色器；6、 11、 105……絕緣膜；7,12……電極；8、 13、 106……取向膜；15、 55、 108…… 液晶分子；74 ......反射顯示部分；75……透射顯示部分；76、 79、 107 ......四分之一波板；77、 80……半波板；78， 81……偏振板；144……凸起； M……!HJ槽。
具體實(shí)施方式
下面，將適當(dāng)?shù)貐⒄崭綀D來描述本發(fā)明的實(shí)施例。 實(shí)施例1(1)該實(shí)施例的構(gòu)造和操作圖l是以局部放大的形式展示應(yīng)用于本發(fā)明的實(shí)施例1的液晶顯示設(shè)備 的液晶顯示面板1的截面圖。本實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備是透射式或者反射式， 并且偏振板等設(shè)置在液晶顯示面板1的前側(cè)表面上，該前側(cè)表面是圖1等中 的上側(cè)。在透射式中，背光設(shè)備設(shè)置在液晶顯示面板1的后表面?zhèn)龋摵蟊?面?zhèn)仁菆D1中的下側(cè)，但是在反射式中，前光設(shè)備設(shè)置在為圖1中上側(cè)的液 晶顯示面板1的前表面?zhèn)?。液晶顯示面板1包括夾設(shè)在TFT陣列基板2和CF基板3之間的液晶。 這里，CF基板3通過在作為透明絕緣基板的玻璃基板4上接續(xù)地形成濾色 器5、絕緣膜6、以透明電極形式的電極7和取向膜8來制造。這里，盡管 電極7通常通過在整個(gè)區(qū)域上形成ITO (銦錫氧化物)膜來形成，但是還可 以通過對(duì)于每個(gè)像素或者每個(gè)子像素圖案化來形成。同時(shí)，取向膜8這樣來 制造通過印刷法涂敷可溶性聚酰亞胺和聚酰胺酸(polyamic acid)的混合 物作為誘導(dǎo)水平取向的液晶取向材料，并且在200度的溫度下烘焙涂敷的混 合物75分鐘以形成膜厚為50 [nm]的聚酰亞胺薄膜，然后執(zhí)行摩擦工藝以提 供取向能力。應(yīng)當(dāng)注意的是，摩擦工藝的方向是該圖中的箭頭標(biāo)志的方向， 并且是垂直于在下文中描述的凹槽M的延伸方向的方向。相反，TFT陣列基板2這樣制造在作為透明絕緣基板的玻璃基板10 上形成TFT等，并且形成絕緣膜ll，然后在絕緣膜11上接續(xù)地形成電極12 和取向膜13,如圖2所示。TFT陣列基板2形成為使得制造有取向膜13的表面的形狀為凹槽形狀，其中線性地沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于該預(yù)定方向的方向上，并且該凹槽形狀涂敷有高分子膜以形成取向膜13。此外，在本實(shí)施例中， 絕緣膜11的表面形狀為這種凹槽形狀以使制造有取向膜13的表面形成凹槽 形狀。這里，凹槽M的每一個(gè)的截面形狀都形成為相對(duì)于凹槽M的頂點(diǎn)為對(duì) 稱形狀的基本上弓形形狀。此外，每個(gè)凹槽M形成為使得間距P為1 [pm]， 而高度(深度)H為200 [nm],并且從而間距P和高度H之間的比率T( = H/P ) 為0.2，該比率T小于1。更具體地講，在TFT陣列基板2中，絕緣膜11由例如酚醛基 (novolac-based )抗蝕劑材料或者丙烯酸基抗蝕劑材料的有機(jī)抗蝕劑材料、 Si02、 SiN或者包括Si02、 SiN作為主要成分的無機(jī)基材料來形成。這里，當(dāng)絕緣膜11由光敏有機(jī)抗蝕劑材料形成時(shí)，TFT陣列基板2涂 敷有光敏有機(jī)抗蝕劑材料，然后預(yù)烘焙，隨后采用具有對(duì)應(yīng)于凹槽M的圖 案的掩模將該抗蝕劑材料暴露至紫外線等。此外，進(jìn)行顯影和后烘焙以應(yīng)用 光刻法加工絕緣膜11的表面。應(yīng)當(dāng)注意的是，取代使用掩模，可以利用從 兩個(gè)不同方向輻射的光通量的干涉來進(jìn)行曝光工藝?；蛘?，可以使用納米印 刷技術(shù)等技術(shù)來取代光刻方法。另一方面，當(dāng)絕緣膜11由無機(jī)基材料形成時(shí)，無機(jī)材料通過真空氣相 沉積、賊射、CVD等在TFT陣列基板2上沉積到預(yù)定的膜厚，然后光每文有 機(jī)抗蝕劑材料通過光刻法圖案化成凹槽，隨后進(jìn)行濕蝕刻或者干蝕刻以將取 向膜13的側(cè)表面形成為凹槽。還可以采用公開投放市場(chǎng)的無機(jī)基材料和有 機(jī)基材料的混合物形成的并且具有光敏性的材料制造絕緣膜11。在此情況 下，因?yàn)樵诠饪谭▓D案化后應(yīng)用烘焙等工藝，所以有機(jī)基成分散發(fā)到大氣中， 而絕緣膜11主要由無機(jī)成分形成。同樣，在透射式設(shè)備中，電極12通常通過在整個(gè)區(qū)域上形成例如ITO 的透明電極材料的膜然后圖案化該透明電極材料而形成。應(yīng)當(dāng)注意的是，在 反射式設(shè)備中，可以應(yīng)用例如鋁或銀的金屬材料。取向膜13這樣來形成，通過通常采用的膠印法(offset printing method) 涂敷聚酰亞胺基材料，然后在200度的溫度下烘焙該材料75分鐘以形成膜。 通過烘焙工藝，取向膜13中的高分子鏈調(diào)整為垂直于凹槽M的延伸方向的 方向，從而提供了取向能力。應(yīng)當(dāng)注意的是，作為取向膜13的涂敷方法，可以應(yīng)用各種技術(shù)，例如旋涂法、將取向膜13浸泡在通過稀釋伽馬丁內(nèi)酯 (gamma-butyrolactone )或丙酮制造的溶液的罐中的浸涂法(dipping method ) 以及采用噴霧的霧化法(method of atomization )。這里，在下層的表面形狀確定為凹槽形狀的情況下執(zhí)行涂敷和烘焙取向 材料的工藝中，由于取向膜中的高分子鏈的方向調(diào)整為垂直于凹槽M的延 伸方向的方向，取向膜13提供有取向能力。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，這起因于這樣的 事實(shí)，在供焙時(shí)溫度升高和溫度下降的過程中，基板10膨脹和收縮，并且 取向膜中的高分子鏈通過單軸向拉伸效應(yīng)(uniaxial stretching effect)調(diào)整為 垂直方向，其中由于凹槽的形狀，膨脹和收縮引起的應(yīng)力作用在取向膜13 的特定方向上。根據(jù)各種研究的結(jié)果已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了在如上所述涂敷后通過烘焙使分子 軸調(diào)整為固定方向，沿垂直于該固定方向的方向延伸的凹槽M形成在取向 膜13的下表面上是必要的，并且只有凸起或者凹凸不能在特定的方向上提 供取向能力，這是因?yàn)槿∠蚰さ姆肿虞S設(shè)置為從頂點(diǎn)(apexe)到腳部(feet) 的方向。同樣，關(guān)于凹槽M，即使間距P和高度H之間的比率T (= H/P)小于 1，也可以提供足夠的取向能力，就從將取向膜13的下表面加工成凹槽形狀 而言，通過設(shè)定間距P和高度H之間的比率T到小于1的值或者優(yōu)選通過 設(shè)定間距P和高度H之間的比率T到小于0.5的值，可以改善生產(chǎn)率。通過利用密封材料將TFT陣列基板2和CF基板3粘附到一起并且將具 有正介電常數(shù)各向異性的向列型液晶注入TFT陣列基板2和CF基板3之間 的間隙來形成液晶顯示面板1。應(yīng)當(dāng)注意的是，在圖1中，液晶分子由附圖 標(biāo)記15表示，而e和0/2表示液晶分子15的傾斜角。在此情況下，當(dāng)注入 液晶以確定液晶分子15的取向方向時(shí)，可以確定的是，在TFT陣列基板2 的側(cè)表面上，液晶分子15取向到垂直于凹槽M的延伸方向的方向，并且這 里的TFT陣列基板2和CF基板3粘附到一起，從而凹槽M的延伸方向垂 直于如圖1所示的摩擦方向延伸，液晶分子15沿面取向(homogeneously oriented )。應(yīng)當(dāng)注意的是，可以確定當(dāng)TFT陣列基板2和CF基板3粘附到 一起使得凹槽M的延伸方向平行于摩擦方向延伸時(shí)，液晶分子15具有扭曲 向歹'J (twisted-nematic )取向。具體地講，圖4是在圖解利用偏振顯微鏡觀察液晶顯示面板1的一個(gè)像素(紅、綠和藍(lán)的一套子像素)的結(jié)果的照片，以與圖3進(jìn)行對(duì)比，其中偏 4展寺反i殳置成正交尼-牛爾i殳置，并且具有沿面取向(homogeneous orientation) 的液晶顯示面板l設(shè)置在偏振板之間并且被觀察。應(yīng)當(dāng)注意的是，液晶顯示 面板1設(shè)置為使得其光軸平行于偏振器的吸收軸延伸。同樣，圖3圖解了與 圖4的情況相同的條件下根據(jù)常規(guī)格柵法的液晶顯示面板的觀察結(jié)果，其中 液晶分子僅利用彈性變形效應(yīng)取向，液晶顯示面板構(gòu)造為類似于液晶顯示面 板l，而省略了 TFT陣列基板2上的取向膜13。在此情況下，如果液晶顯示面板1的光軸充分調(diào)整，則從偏振器進(jìn)入的 光不發(fā)生相位變化，并且該光觀察為黑色。然而，如果光軸局部移動(dòng)，則該 光觀察為灰色或者白色圖案。根據(jù)圖3和4的觀察結(jié)果，因?yàn)閳D4的觀察結(jié)果觀察到更黑，所以能夠 確定本實(shí)施例的液晶顯示面板l與根據(jù)僅利用彈性變形效應(yīng)來取向液晶分子 的格柵法的常規(guī)液晶顯示面板相比具有更高的取向調(diào)節(jié)力。此外，在本實(shí)施例的液晶顯示面板1中，因?yàn)榘疾鄣拈g距P和高度H 之間的比率T為等于或小于1的0.2，所以與以常規(guī)的格柵法相比能夠顯著 簡化凹槽M的制造步驟以保證高的生產(chǎn)率，在常規(guī)的格柵法中必須使該比 率等于或者大于l,并且其中僅利用彈性變形結(jié)果來取向液晶分子。此外， 具有較好特性的各種材料可以用于制造液晶顯示面板1。此外，通過簡單而確定地提供取向能力，可以有效地消除其中在格柵法中利用取向膜材料自身 具有的取向調(diào)節(jié)力的常規(guī)構(gòu)造的各種問題。此外，通過圖3和4的觀察結(jié)果可以確定，盡管在本實(shí)施例的液晶顯示 面板1中，液晶分子取向到垂直于TFT陣列基板2側(cè)上凹槽M的延伸方向 的方向，但是在根據(jù)格柵法的常規(guī)液晶顯示面板中，液晶分子取向到平行于 TFT陣列基板2側(cè)上凹槽M的延伸方向的方向。因此，可以確定的是，根 據(jù)本實(shí)施例的取向膜13的液晶分子15的取向方向不同于根據(jù)利用彈性變形 效應(yīng)的常規(guī)格柵法的取向方向。此外，當(dāng)通過晶體旋轉(zhuǎn)法(crystal rotation method)測(cè)量沿面取向狀態(tài)下 的液晶單元的傾斜角時(shí)，該傾斜角約為1.5度。這里，因?yàn)門FT陣列基板2 和CF基板3經(jīng)受摩擦工藝時(shí)的液晶單元的傾斜角約為3度，所以可以預(yù)計(jì) 的是，在根據(jù)本實(shí)施例的液晶顯示面板1中，CF基板3的表面上的傾斜角e 為3度，并且TFT陣列基板2的表面上的傾斜角為0度。圖5是給液晶顯示面板1施加電壓時(shí)的示意圖。即使給液晶顯示面板1施加電壓，在TFT陣列基板2和CF基板3的界面附近，液晶分子的取向也 不變化，但是隨著距界面距離的增加，液晶分子15的傾斜角逐漸增加，直 到該傾斜角變?yōu)榧s90度，并且在TFT陣列基板2和CF基板3之間的中心 部分最大。通過晶體旋轉(zhuǎn)法(crystal rotation method )測(cè)量施加電壓時(shí)的延遲，并且 與TFT陣列基板2和CF基板3 二者都經(jīng)受摩擦工藝的液晶單元的延遲進(jìn)行 比較。這里，如果錨定力很低，則因?yàn)槭┘拥碾妷焊淖僒FT陣列基板2的界 面上的液晶分子的傾斜角，所以與TFT陣列基板2和CF基板3 二者都經(jīng)受 摩擦工藝的液晶單元相比延遲很低。然而，根據(jù)測(cè)量結(jié)果，在施加電壓時(shí)， 對(duì)于本實(shí)施例的液晶顯示面板1,測(cè)量到延遲基本上等于TFT陣列基板2和 CF基板3 二者都經(jīng)受摩擦工藝的液晶單元的延遲。因此，可以確定的是， TFT陣列基板2側(cè)的取向膜13保證了足夠的錨定力。應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管在上面圖1的實(shí)例中描述了分別通過凹槽形狀和摩 擦工藝給TFT陣列基板2的取向膜13和CF基板3的取向膜8提供取向能力， 但是本實(shí)施例不限于此，可以相反地分別通過摩擦工藝和凹槽形狀給TFT陣 列基板2的取向膜13和CF基板3的取向膜8提供取向能力?；蛘?，對(duì)TFT 陣列基板2和CF基板3的取向膜8和13 二者都可以通過凹槽形狀提供取向 能力。此外，盡管在參照?qǐng)D1所述的實(shí)例中采用向列型液晶，但是可以廣泛 地采用各種液晶，例如近晶相液晶(smectic liquid crystal)和膽甾型液晶 (cholesteric liquid crystal)。(2)實(shí)施例的效果關(guān)于上述構(gòu)造，通過設(shè)定彼此相對(duì)的兩個(gè)基板2和3中的至少一個(gè)TFT 陣列基板2的表面的形狀，并且在兩個(gè)基板之間夾設(shè)液晶，在該表面上制造 取向膜13制造成凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽M重復(fù)形成在垂直 于該預(yù)定方向的方向上且用高分子膜覆蓋凹槽形狀以形成取向膜13，與現(xiàn)有 技術(shù)的設(shè)備和方法相比生產(chǎn)率高，并且可以保證足夠的錨定力和圖像質(zhì)量。具體地講，通過形成取向膜13使得一個(gè)基板的高分子鏈調(diào)整到垂直方 向，能夠減少凹槽深度來保證足夠的錨定力，以與僅利用彈性變形效應(yīng)的常 規(guī)格纟冊(cè)法相比改善生產(chǎn)率。此外，由于凹槽的單軸向拉伸效應(yīng)，通過形成取向膜13可以提供取向 能力，從而高分子鏈調(diào)整到垂直方向。此外，因?yàn)橥ㄟ^凹槽的深度除以凹槽的間距獲得的值小于1，可以保證 高生產(chǎn)率。此外，通過設(shè)定液晶使得其分子取向到一個(gè)基板的表面上的垂直方向， 可以廣泛地應(yīng)用各種液晶，例如向列型液晶、近晶相液晶和膽甾型液晶。此外，通過設(shè)定形成在玻璃基板10和電極12之間的絕緣膜11的表面 形狀為凹槽形狀，并且設(shè)定制造有取向膜13的表面的形狀為凹槽形狀，可 以廣泛地應(yīng)用加工絕緣膜11的各種技術(shù)，從而與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備和方法相 比生產(chǎn)率高，并且可以保證足夠的錨定力和圖像質(zhì)量。實(shí)施例2圖6是展示應(yīng)用到本發(fā)明實(shí)施例2的液晶顯示面板的TFT陣列基板的透 視圖，以與圖2相對(duì)比。在該TFT陣列基板22中，不是絕緣膜11的表面形 狀而是電極12的表面形狀形成凹槽形狀，而制造有取向膜13的表面電極12 的形狀形成凹槽形狀。本實(shí)施例的液晶顯示面板形成為類似于實(shí)施例1的液 晶顯示面板l,除了加工凹槽形狀外。具體地講，在根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列基板22中，絕緣膜11以類似于 上文結(jié)合實(shí)施例1描述的形式以固定的膜厚形成在玻璃基板10上。此外， 在ITO、鋁或銀等依次形成后，通過光刻法將光敏抗蝕劑圖案化成凹槽形狀， 然后進(jìn)行濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝以在電極12上形成凹槽形狀。應(yīng)當(dāng)注意 的是，類似于實(shí)施例l的描述，圖6所示構(gòu)造可以應(yīng)用到CF基板側(cè)。作為本實(shí)施例的情況，當(dāng)取代絕緣膜的表面結(jié)構(gòu)，電極12的表面形狀 設(shè)定為凹槽形狀，并且其上形成取向膜的表面的形狀設(shè)定為凹槽形狀時(shí)，可 以獲得與實(shí)施例1類似的效果。實(shí)施例3圖7是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例3的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 TFT陣列基板的透視圖，以與圖2形成對(duì)比。該TFT陣列基板32構(gòu)造為作 為絕緣基板的玻璃基板10的表面形狀直接形成為凹槽形狀，而不是絕緣膜 11的表面形狀，并且制造有取向膜13的玻璃基板10的表面的形狀形成為凹 槽形狀。本實(shí)施例的液晶顯示面板類似于實(shí)施例1的液晶顯示面^11而形成， 除了加工凹槽形狀方面的差別以外。應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管在圖7的實(shí)例中省略了絕緣膜，但是必要時(shí)可以提供絕緣膜。具體地講，在TFT陣列基板32中，在通過光刻法將玻璃基板10的前表 面上的光敏抗蝕劑圖案化成凹槽后，進(jìn)行濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝，以將玻 璃基板10的前表面加工成凹槽形狀。其后，依次制造電極12和取向膜13。 應(yīng)當(dāng)注意的是，類似于實(shí)施例l的描述，圖7所示的構(gòu)造可以應(yīng)用于CF基板側(cè)。而且，作為本實(shí)施例，當(dāng)取代絕緣膜的表面形狀，絕緣基板的表面形狀 設(shè)定為凹槽形狀，并且制造有取向膜的表面的形狀設(shè)定為凹槽形狀時(shí)，可以 取得與實(shí)施例1類似的效果。實(shí)施例4圖8是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例4的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的截 面圖，以與圖1形成對(duì)比。本實(shí)施例的液晶顯示面板41構(gòu)造為類似于實(shí)施 例1至實(shí)施例3的液晶顯示面板，除了形成在TFT陣列基板42上的凹槽M 具有不同的截面形狀，并且類似于TFT陣列基板42的凹槽形狀還形成在CF 基板43側(cè)外。應(yīng)當(dāng)注意的是，在圖8和下文描述的圖9和10中，為了便于 理解，絕緣膜6和11的表面形狀為類似于實(shí)施例1的凹槽形狀。具體地講，如圖9所示，TFT陣列基板42在凹槽M的橫向方向上的截 面形狀相對(duì)于每個(gè)凹槽M的頂點(diǎn)形成不對(duì)稱形狀。因此，液晶顯示面板41 將TFT陣列基板42的表面上的液晶分子15的傾斜角0控制為由非對(duì)稱形狀 確定的角度。具體地講，在本實(shí)施例中，TFT陣列基板42具有這樣形成的凹槽形狀， 凹槽M具有鋸齒截面形狀，并且因此由一對(duì)傾斜表面Ml和M2限定的三角 形截面形狀的肋(rib)以預(yù)定的間距連續(xù)地重復(fù)。因此，在TFT陣列基板 42中，由一對(duì)傾斜面Ml和M2限定的相對(duì)于平行于玻璃基板10表面的平 面H的角ei和02設(shè)定為不同的角度，以控制液晶分子15的傾斜角。應(yīng)當(dāng) 注意的是，凹槽的截面形狀不限于其中為鋸齒形狀的情況，4旦總而言之，可 以以非對(duì)稱形狀不同地形成凹槽，比如每個(gè)凹槽M的頂點(diǎn)移動(dòng)到一側(cè)以獲 得非對(duì)稱形狀，從而控制液晶分子15的傾斜角。更加具體地講，在本實(shí)施例中，凹槽M形成為使得間距P為1 [jim]， 并且高度為200 [nm],而角度01設(shè)定為3度。此外，與實(shí)施例l類似，取 向膜13通過涂敷聚酰亞胺基材料然后在200度的溫度下烘焙75分鐘以具有50[nm]的厚度來形成。而且對(duì)于CF基板43,在與TFT陣列基板42相同的 凹槽形狀形成后形成取向膜8。通過利用密封材料將TFT陣列基板42和CF基板43粘附在一起，然后 將具有正介電常數(shù)各向異性的向列型液晶注入TFT陣列基板42和CF基板 43之間的間隙，而形成本實(shí)施例的液晶顯示面板41 。這里，當(dāng)液晶分子15的取向膜以在上文結(jié)合實(shí)施例1所描述相類似的 方式確定時(shí)，可以確定的是，液晶分子15指向垂直于凹槽M延伸方向的方 向。此外，可以確定的是，如果TFT陣列基板42和CF基板43粘附在一起 使得TFT陣列基板42的鋸齒形狀連續(xù)呈現(xiàn)的方向和CF基板43的鋸齒形狀 連續(xù)呈現(xiàn)的方向彼此相反，則獲得沿面取向。然而，如果TFT陣列基板42 和CF基板43粘附在一起使得TFT陣列基板42的鋸齒形狀連續(xù)呈現(xiàn)的方向 和CF基板43的鋸齒形狀連續(xù)呈現(xiàn)的方向?yàn)橄嗤姆较?，則獲得7t取向。圖10是給液晶顯示面板41施加電壓時(shí)的示意圖。在液晶顯示面板41 中，即使施加電壓，在TFT陣列基板42和CF基板43的界面附近液晶分子 的取向也不變化，并且隨著距界面距離的增加，液晶分子15的傾斜角逐漸 增加，直到傾斜角變?yōu)榻咏?0度，且在TFT陣列基板42和CF基板43之 間的中心部分顯示出最大值?？梢源_定的是，在此狀態(tài)下的液晶顯示面板41 上測(cè)得的延遲基本上等于TFT陣列基板和CF基板二者都經(jīng)受摩擦工藝的液 晶單元的延遲，并且因此液晶顯示面板41保證了足夠的錨定力。對(duì)于上述構(gòu)造，可以通過使垂直于凹槽的方向的截面形狀形成為相對(duì)于 每個(gè)凹槽頂點(diǎn)的非對(duì)稱形狀，從而以各種方式控制液晶分子的傾斜角。實(shí)施例5圖11是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例5的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖，以與圖1進(jìn)行對(duì)比。本實(shí)施例的液晶顯示面板51以與實(shí)施例1至 實(shí)施例3相同的構(gòu)造形成，除了具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的向列型液晶而不 是具有正介電常數(shù)各向異性的向列型液晶注入TFT陣列基板2和CF基板3 之間，并且采用誘導(dǎo)垂面取向(homeotropic orientation)的取向膜外。應(yīng)當(dāng) 注意的是，在圖11和在下文描述的圖12中，為了便于理解，絕緣膜11的 表面形狀為類似于實(shí)施例1的凹槽形狀。在此情況下，可以確定的是，液晶分子55取向到液晶顯示面板51的厚 度方向，并且具有垂面取向。這里，圖12是給液晶顯示面板51施加電壓時(shí)的示意圖。在該液晶顯示 面板51中，即使施加電壓，在TFT陣列基板2和CF基板3的界面附近液 晶分子55的取向也不變化，并且隨著距界面的距離的增加，液晶分子55的 傾斜角逐漸減小，直到傾斜角變?yōu)榻咏?度，并且在TFT陣列基板2和CF 基板3之間的中心部分顯示出最小值?？梢源_定的是，傾斜角接近0度時(shí)的 液晶分子55的取向方向是垂直于凹槽延伸方向的方向，并且傾斜方向取決 于摩擦方向。對(duì)于本實(shí)施例，即使應(yīng)用具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的向列型液晶，也可 以取得與上述實(shí)施例類似的效果。 實(shí)施例6圖13和14是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例6的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面 板的截面圖，以與圖8和10形成對(duì)比。本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板61形 成為與實(shí)施例4的液晶顯示面板41相同的構(gòu)造，除具有負(fù)性介電常數(shù)各向 異性的向列型液晶而不是具有正介電常數(shù)各向異性的向列型液晶注入TFT 陣列基板42和CF基板43之間，并且采用誘導(dǎo)垂面取向的取向膜外。應(yīng)當(dāng) 注意的是，在圖13和14中，為了便于理解，絕緣膜6和11的表面形狀是 類似于圖8中的凹槽形狀。而且在此情況下，可以確定的是，與實(shí)施例5相類似，液晶分子55沿 液晶顯示面板61的厚度方向被取向，并且具有垂面取向。此外，可以確定 的是，在TFT陣列基板42和CF基板43的界面附近，液晶分子55以在由 凹槽形狀確定的方向上的傾斜角相對(duì)于玻璃基板4或者10表面的垂直方向 被取向。此外，即使施加電壓，在TFT陣列基板42和CF基板43的界面附近， 液晶分子55的取向也不變化，并且隨著距界面的距離的增加，液晶分子55 的傾斜角減小，直到變?yōu)閹缀鮋度，并且在TFT陣列基板42和CF基板43 之間的中心部分為最小。可以確定的是，傾斜角變?yōu)榻咏麿度時(shí)，液晶分子 55的取向方向?yàn)榇怪庇诎疾垩由旆较虻姆较?。?duì)于本實(shí)施例，即使應(yīng)用具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的向列型液晶，也可 以取得與上述實(shí)施例4相類似的效果。實(shí)施例7圖15是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例7的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的一個(gè)像素的示意性構(gòu)造的平面圖，而圖16是沿著A-A線剖取的展示液晶顯 示面板71的詳細(xì)截面圖。應(yīng)當(dāng)注意的是，圖15是展示形成在CF基板73 上的凹槽M以及液晶分子15的示意圖。液晶顯示面板71為半透射式，并且包括設(shè)置在一個(gè)像素中的反射顯示 部分74和透射顯示部分75。四分之一波板(quarter-wave plate ) 76、半波板 (half-wave plate )77和偏振板78依次設(shè)置在TFT陣列基板72的下表面上。 同時(shí)，四分之一波板79、半波板80和偏振板81依次設(shè)置在CF基板73的 上表面上。在該TFT陣列基板72中，在絕緣膜11、電極12和取向膜13依次形成 在玻璃基板IO上后，進(jìn)行摩擦工藝以給取向膜13提供取向能力。另一方面， 在反射顯示部分74中，在絕緣膜11上形成凹凸形狀以散射入射光，而電極 12和取向膜13的前側(cè)表面形成為凹凸形狀。同樣，在CF基板73中，濾色器5、絕緣膜6、電極7和取向膜8依次 形成在玻璃基板4上，并且其上形成取向膜8的表面的形狀形成為凹槽形狀 以給取向膜8提供取向能力，與上述結(jié)合實(shí)施例1至實(shí)施例4的TFT陣列基 板的情況相類似。這里，在本液晶顯示面板71中，反射顯示部分74和透射顯示部分75 進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)以具有相同的軸角(axial angle)和延遲，并且TFT陣列基板 72和CF基板73之間的間隙設(shè)定到相同的距離。同時(shí)，在透射顯示部分75 中，形成在CF基板73上的凹槽M的延伸方向設(shè)定為與TFT陣列基板72 的摩擦方向一致。另一方面，在反射顯示部分74中，形成在CF基板73上 的凹槽M的延伸方向設(shè)定為相對(duì)于TFT陣列基板72的摩擦方向傾斜。因此，本液晶顯示面板71可以容易地利用反射顯示部分74和透射顯示 部分75在一個(gè)像素中保證不同的取向，而不在TFT陣列基板72和CF基板 73之間的間隙中提供段差(offset )。應(yīng)當(dāng)注意的是，在本實(shí)施例中，透射顯 示部分75具有沿面取向，而反射顯示部分74具有50度的扭曲取向。應(yīng)當(dāng) 注意的是，反射顯示部分74的扭曲角度不限于50度，而是液晶顯示面板71 可以構(gòu)造為使得扭曲角度在40度至70度的范圍之內(nèi)。因此，在本實(shí)施例中， 盡管在反射顯示部分74上凹槽M的延伸方向設(shè)定為相對(duì)于在透射顯示部分 75上凹槽M的延伸方向具有50度的角度，但是在實(shí)際使用中，該角度可以 采用的范圍在40度至70度內(nèi)。具體地講，在半透射式液晶顯示面板中，盡管在透射顯示部分中只有來 自后表面的光穿過并且從液晶發(fā)出，但是在反射顯示部分中入射光在液晶中往復(fù)(reciprocate )。因此，為了允許透射顯示部分和反射顯示部分給出射光 提供相等的相差，必須設(shè)定反射顯示部分的間隙為等于透射顯示部分的間隙 的一半的距離，并且必須給透射顯示部分和反射顯示部分之間的TFT陣列基 板和/或CF基板的液晶側(cè)表面提供段差。然而，當(dāng)以該方式設(shè)置段差時(shí)，復(fù)雜了工藝并且降低了生產(chǎn)率。而且存 在由段差引起的光泄漏和對(duì)比度下降。應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管通過金屬電極覆是在此情況下出現(xiàn)不能用于顯示的無效區(qū)，這使得妨礙取得更高的清晰度。然而，對(duì)于本實(shí)施例，消除了如上所述設(shè)置段差的必要性，并且通過簡 單易行的工藝可以形成高反射因數(shù)和高開口率的液晶顯示面板。應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管在上述的本實(shí)施例中，在CF基板73上通過凹槽形 狀給取向膜提供取向能力，但是取而代之的是，可以通過在TFT陣列基板 72上的凹槽形狀給取向膜提供取向能力?；蛘?，可以通過在CF基板73和 TFT陣列基板72二者上的凹槽形狀給取向膜提供取向能力。此外，當(dāng)在CF 基板73和TFT陣列基板72 二者上通過凹槽形狀給取向膜提供取向能力時(shí)， 在CF基板73和TFT陣列基板72 二者或者之一上，反射顯示部分中的凹槽 的延伸方向可以相對(duì)于透射顯示部分中的凹槽的延伸方向傾斜。此外，在以該方式通過CF基板73和TFT陣列基板72 二者上的凹槽形 狀給取向膜提供取向能力時(shí)，凹槽的截面形狀可以設(shè)定為非對(duì)稱形狀，以控 制上面結(jié)合實(shí)施例4描述的傾斜角。此外，如上結(jié)合實(shí)施例5和實(shí)施例6所述，可以應(yīng)用具有負(fù)介電常數(shù)各 向異性的液晶來取代具有正介電常數(shù)各向異性的液晶。此外，對(duì)于形成一個(gè)像素的每個(gè)子像素，透射顯示部分和反射顯示部分 之間的凹槽M的傾斜度可以制作得不同，從而對(duì)每個(gè)子像素優(yōu)化光學(xué)特性。 應(yīng)當(dāng)注意的是，以這樣的方式對(duì)每個(gè)子像素優(yōu)化光學(xué)特性的構(gòu)造不僅可以應(yīng) 用于半透射式液晶顯示面板，而且可以應(yīng)用于透射式液晶顯示面板和反射式 液晶顯示面板。具體地講，例如，當(dāng)對(duì)綠顏色優(yōu)化CF基板和TFT陣列基板 之間的間隙時(shí)，該間隙的距離對(duì)于藍(lán)顏色過大，而該間隙的距離對(duì)于紅顏色 過小。因此，在此情況下，通過使藍(lán)和紅子像素的凹槽延伸方向相對(duì)于綠子像素傾斜，對(duì)每個(gè)子像素可以優(yōu)化光學(xué)特性。對(duì)于上述構(gòu)造，通過由透射顯示部分和反射顯示部分形成一個(gè)像素，并 且使得反射顯示部分中的凹槽延伸方向相對(duì)于透射顯示部分中的凹槽延伸 方向傾斜，可以通過簡單的工藝獲得高圖像質(zhì)量的半透射式液晶顯示面板。實(shí)施例8圖17是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例8的液晶顯示設(shè)備的TFT陣列基板92 的構(gòu)造實(shí)例的透—見圖，以與圖2進(jìn)行對(duì)比。在TFT陣列基板92中，凹槽M 形成為使得等于或者多于固定數(shù)量的具有固定間距P的凹槽M不連續(xù)出現(xiàn)。 更具體地講，TFT陣列基板92設(shè)定為使得間距P沿著連續(xù)凹槽M隨機(jī)變化。 因此，TFT陣列基板92設(shè)定為使得連續(xù)凹槽M不起衍射光柵的作用。本實(shí) 施例的液晶顯示面板形成與上文描述的實(shí)施例相同的構(gòu)造，除了 TFT陣列基 板92的間距P的設(shè)定不同外。具體地講，當(dāng)凹槽M以固定的間距P形成時(shí)，周期性的凹槽M起書亍射 光柵的作用，并且觀察到彩虹顏色的干涉條紋，且圖像質(zhì)量顯著下降。在透 射型液晶顯示面板的情況下，因?yàn)槿∠蚰づc折射率約為1.5的液晶接觸，所 以盡管彩虹顏色的干涉條紋沒有凹槽M暴露到空氣時(shí)呈現(xiàn)那樣多，但是由 于ITO等的透明電極的折射率約等于2而還是會(huì)出現(xiàn)。此外，在反射式液晶 顯示面板的情況下彩虹顏色的干涉條紋變得顯著。然而，如果間距P隨機(jī)變化使得如在本實(shí)施例的情況下多于固定數(shù)量的 固定間距P的凹槽M不連續(xù)呈現(xiàn)，則可以防止該彩虹顏色的干涉條紋的出 現(xiàn)，由此防止圖〗象質(zhì)量的下降。應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管在上面描述的本實(shí)施例中凹槽形狀形成在TFT陣列 基板上以提供取向能力，但是彩虹顏色的干涉條紋的防止方法也可以應(yīng)用于 上文描述的任何實(shí)施例和下文描述的各實(shí)施例。在本實(shí)施例中，因?yàn)殚g距變化從而等于或者多于固定數(shù)量的具有固定間 距的凹槽不連續(xù)呈現(xiàn)，所以可以防止彩虹顏色的干涉條紋的出現(xiàn)，以防止圖 像質(zhì)量的下降。實(shí)施例9圖18是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例9的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖，以與圖16進(jìn)行對(duì)比。在本實(shí)施例的液晶顯示面板101中，與上述 實(shí)施例中相同的部件由形同的附圖標(biāo)記表示，并且在此適當(dāng)?shù)厥÷灾貜?fù)性的描述。本液晶顯示面纟反101是透射式的，并且四分之一波板76、半波板77 和偏振板78依次設(shè)置在TFT陣列基板102的下表面上。另 一方面，半波板 80和偏振板81依次設(shè)置在CF基板103的上表面上以在CF基板103的玻璃 基板4上形成四分之一波板。這里，CF基板103包括依次形成在玻璃基板4上的絕緣膜105和取向 膜106。 CF基板形成取向膜106的表面以類似于參考上述實(shí)施例1至3所述 的方式形成凹槽形狀，并且高分子材料以覆蓋凹槽形狀的方式涂敷固定的膜 厚。其后，應(yīng)用加熱和冷卻步驟以形成取向膜106。其后，用于相差板的向列型液晶材料涂敷到CF基板103，并且形成向 列型液晶材料的液晶分子108通過取向膜106取向在垂直于形成在取向膜 106上的凹槽M的延伸方向的方向上。在這種狀態(tài)將紫外線照射到CF基板 103上以固化液晶材料，從而在玻璃基板4上形成A板的四分之一波板107。 其后，濾色器5、絕緣膜6、電極7和取向膜8依次形成在CF基板103上， 并且通過摩擦方法給取向膜8提供取向能力。相反，在TFT陣列基板102中，絕緣膜11、電極12和取向膜13依次 形成在玻璃基板10上，并且通過摩擦方法給取向膜13施加取向能力。應(yīng)當(dāng)注意的是，替代將絕緣膜105的表面形狀加工成凹槽形狀，可以將 玻璃基板4的表面形狀加工成如上結(jié)合實(shí)施例3所述的凹槽形狀。對(duì)于本實(shí)施例，通過利用凹槽形狀取向液晶分子以在其間夾持有液晶的 絕緣基板上制作作為相差板的四分之一波板，可以減少整個(gè)的厚度。實(shí)際上， 在本實(shí)施例中，四分之一波板107的厚度可以設(shè)定到幾[pm]或者更小，并且 與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備和方法相比可以顯著減小總體厚度。此外，因?yàn)楣饪碳夹g(shù) 可以應(yīng)用于形成高精度的凹槽形狀，所以凹槽的延伸方向可以在一個(gè)像素內(nèi) 變化，以對(duì)每個(gè)顏色的每個(gè)子像素進(jìn)而在一個(gè)像素內(nèi)優(yōu)化光學(xué)特性。實(shí)施例10圖19是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例IO的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖，以與圖16和18進(jìn)行對(duì)比。在本實(shí)施例的液晶顯示面板111中，與 上述實(shí)施例中相同的部件由相同的附圖標(biāo)記表示，并且在此適當(dāng)?shù)厥÷灾貜?fù) 的描述。本液晶顯示面板111為半透射式的，并且包括每個(gè)都由反射顯示部 分74和透射顯示部分75形成的像素。TFT陣列基板72形成與圖16的液晶 顯示面板71相同的構(gòu)造，并且四分之一波板76、半波板77和偏振板78依次設(shè)置在TFT陣列基板72上。相反，半波板80和偏振板81依次設(shè)置在CF基板113的上表面上。CF 基板113類似于液晶顯示面板101的CF基板103包括形成在玻璃基板4上 的絕緣膜105、取向膜106、四分之一波板107和濾色器5。其后，在絕緣膜 6沉積在CF基板113上后，例如，應(yīng)用光刻技術(shù)選擇性去除透射顯示部分 75側(cè)的CF基板113，以由此形成透射顯示部分75和反射顯示部分74之間 的段差。其后，依次形成電極7和取向膜8，并且通過摩擦法給取向膜8提 供取向能力。應(yīng)當(dāng)注意的是，透射顯示部分和反射顯示部分之間的段差非限 制性地設(shè)置在CF基板上，但是可以設(shè)置在TFT陣列基板側(cè)或者可以提供在 二者上。應(yīng)當(dāng)注意的是，取代將絕緣膜105的表面形狀加工成凹槽形狀，玻璃基 板4的表面形狀可以加工成如在上文結(jié)合實(shí)施例3描述的凹槽形狀。對(duì)于本實(shí)施例，即使段差設(shè)置在CF基板的液晶側(cè)的表面上以形成透射 式的液晶顯示面板，通過利用凹槽形狀取向液晶分子，以在其間夾持有液晶 的絕緣基板上制造作為相差板的四分之一波板，也可以取得與實(shí)施例9類似 的效果。實(shí)施例11圖20是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例11的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖，以與圖16至19進(jìn)行對(duì)比。在本實(shí)施例的液晶顯示面板121中，與 上述實(shí)施例相同的部件由相同的附圖標(biāo)記表示，并且在此適當(dāng)?shù)厥÷灾貜?fù)性 的描述。本液晶顯示面板121是透射式的，并且TFT陣列基板102形成與圖 18的液晶顯示面板101相同的構(gòu)造，并且四分之一波板76、半波板77和偏 振板78依次設(shè)置在TFT陣列基板102上。另 一方面，CF基板123類似于液晶顯示面板101的CF基板103包括在 玻璃基板4上形成的絕緣膜105、取向膜106、四分之一波板107和濾色器5。 其后，絕緣膜6沉積在CF基板123上，并且絕緣膜6的表面形狀加工成凹 槽形狀，而電極7和取向膜8形成為使得通過該凹槽形狀給取向膜8提供取 向能力。應(yīng)當(dāng)注意的是，替代將絕緣膜105的表面形狀加工成凹槽形狀，玻璃基 板4的表面形狀加工成在上文結(jié)合實(shí)施例3描述的凹槽形狀。對(duì)于本實(shí)施例，即使通過凹槽形狀取向液晶，通過由凹槽形狀取向液晶分子，以在其間夾持液晶的絕緣基板上制造作為相差板的四分之一波板，也可以取得與實(shí)施例9相類似的效果。 實(shí)施例12圖21是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例12的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 截面圖，以與圖16至19進(jìn)行對(duì)比。在本實(shí)施例的液晶顯示面板131中，與 如上所述實(shí)施例相同的部件由相同的附圖標(biāo)記表示，并且在此適當(dāng)?shù)厥÷灾?復(fù)性的描述。本液晶顯示面板131是半透射式的，并且一個(gè)像素由反射顯示 部分74和透射顯示部分75形成。TFT陣列基板72形成與圖16的液晶顯示 面板71相同的構(gòu)造，并且四分之一波板76、半波板77和偏振板78依次設(shè) 置在TFT陣列基板72上。另一方面，CF基板133與液晶顯示面板101的CF基板103類似包括玻 璃基板4、形成在玻璃基板4上的絕緣膜105、取向膜106、四分之一波板 107和濾色器5。其后，絕緣膜6沉積在CF基板133上，并且絕緣膜6的表 面形狀加工成凹槽形狀，而電極7和取向膜8形成為使得通過凹槽形狀給取 向膜8提供取向能力。CF基板133由反射顯示部分74和透射顯示部分75 形成，使得間隙相等，類似于上面參考圖16描述的液晶顯示面板71。此外， 形成在取向膜8的下表面上的凹槽M的延伸方向可以為不同的方向。對(duì)于本實(shí)施例，同樣，當(dāng)半透射式液晶顯示面板中的凹槽的斜度變化以 便以均勻的間隙設(shè)置透射顯示部分和反射顯示部分時(shí)，通過利用凹槽形狀取 向液晶分子以在其間夾持液晶的絕緣基板上制造作為相差板的四分之一波 板，可以獲得與實(shí)施例9類似的效果。實(shí)施例13圖22是展示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例13的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 平面圖，以與圖15進(jìn)行對(duì)比，而圖23是展示沿著A-A線剖取的液晶顯示面 板141的詳細(xì)截面圖。此外，圖24是展示給電極施加電壓時(shí)的狀態(tài)的截面 圖，以與圖23進(jìn)行對(duì)比。在本實(shí)施例的液晶顯示面板141中，與上述實(shí)施 例相同的部件由相同的附圖標(biāo)記表示，并且在此適當(dāng)?shù)厥÷灾貜?fù)性的描述。在液晶顯示面板141中，對(duì)于CF基板的取向膜8和TFT陣列基板的取 向膜13通過凹槽形狀提供取向能力。應(yīng)當(dāng)注意的是，在制造凹槽形狀時(shí)， 可以應(yīng)用實(shí)施例1至3中的任何一個(gè)。在液晶顯示面板141中，凹槽M形成在CF基板和TFT陣列基板上，使得從一個(gè)像素的中心向上和向下的方向上，每個(gè)凹槽水平延伸，而從一個(gè)像素的中心向左和向右的方向上，每個(gè)凹槽垂直延伸，從而凹槽M形成為 以像素的中心為中心的四邊形形狀。因此，液晶顯示面板141設(shè)定為使得凹 槽M形成相對(duì)于一個(gè)像素的中心在不同方向上對(duì)稱的形狀，并且在從一個(gè) 像素中心的向上和向下方向上，液晶分子15取向?yàn)橄蛏虾拖蛳碌姆较?，?在從一個(gè)^^素中心向左和向右的方向上，液晶分子15水平取向，>^人而液晶 分子15指向像素的中心。此外，在液晶顯示面板141上，四邊形金字塔形狀的凸起144形成在 TFT陣列基板上的一個(gè)像素的中心上，使其朝著CF基板突起。因此，液晶 顯示面板141設(shè)定為使得傾斜角隨著從一個(gè)像素的中心到該像素的外圍的距 離的增加而減小。因此，在液晶顯示面板141中，即使方位角不同，從相同 極角入射到液晶單元的光的相位也基本上相等，并且形成的液晶顯示面板 141擴(kuò)大了^L角。對(duì)于本實(shí)施例，通過改變?cè)谝粋€(gè)像素內(nèi)的凹槽延伸方向可以保證所希望 的視角。具體地講，通過形成相對(duì)于一個(gè)^^素的中心在不同方向上對(duì)稱形狀的凹 槽M可以擴(kuò)大視角。應(yīng)當(dāng)注意的是， 一個(gè)像素可以分成多個(gè)子像素以相對(duì) 于每個(gè)子像素的中心形成對(duì)稱形狀的凹槽。實(shí)施例14圖25 M示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例14的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示面板的 平面圖，以與圖22進(jìn)行對(duì)比。本液晶顯示面板151形成與實(shí)施例13的液晶 顯示面板141相同的構(gòu)造，除了凹槽M同心地形成外。因此，在一個(gè)^f象素 的中心設(shè)置圓錐形凸起而不是四邊形金字塔形狀的凸起。對(duì)于本實(shí)施例，同樣同心地形成凹槽時(shí)，可以獲得與實(shí)施例13類似的 效果。實(shí)施例15圖26和27 M示應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例15的液晶顯示設(shè)備的液晶顯示 面板的截面圖，以與圖23和24進(jìn)行對(duì)比。本液晶顯示面板161形成與實(shí)施 例13和實(shí)施例14類似的構(gòu)造，除了省略了四邊形金字塔形狀或圓錐形狀的 凸起，并且凹槽M形成上面結(jié)合實(shí)施例4所述的截面形狀以外。對(duì)于本實(shí)施例，即使凹槽形狀設(shè)定為非對(duì)稱形狀來控制傾斜角，也可以獲得與實(shí)施例13和實(shí)施例14類似的效果。 實(shí)施例16應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管在上述的實(shí)施例8中凹槽的間距隨機(jī)變化以防止彩 虹顏色的干涉條紋，但是根據(jù)本發(fā)明，取而代之或者除此之外，凹槽的寬度此外，盡管在上述的實(shí)施例9至實(shí)施例12中四分之一波板制造在CF 基板上，但是本發(fā)明不限于此，而是也可以廣泛地應(yīng)用于在CF基板上制造 半波板、偏振板和其它各種相差板的情況。此外，相差板可以制造在TFT 陣列基板側(cè)。此外，盡管在上述的實(shí)施例9至12中向列型液晶材料用于制造A板的 相差板，但是本發(fā)明不限于此，而是混合取向(hybrid orientation)的液晶材 料也可以用于制造O板的相差板，并且可以廣泛地應(yīng)用各種液晶材料，例如 近晶相、膽甾型和碟型(discotic)液晶。此外，通過形成用于誘導(dǎo)垂直取向 的取向膜并且垂面取向(homeotropically orienting)液晶分子可以形成C板 的相差板。此外，盡管在上述的實(shí)施例IO至實(shí)施例12中凹槽均勻地形成在一個(gè)像 素中以產(chǎn)生相差板，但是本發(fā)明不限于此，而是凹槽的延伸方向可以在一個(gè) 像素中變化以對(duì)于每個(gè)顏色的每個(gè)子像素進(jìn)而在一個(gè)像素中優(yōu)化光學(xué)特性。此外，盡管在上述的實(shí)施例IO至實(shí)施例12中相差板制造在絕緣基板的 液晶側(cè)，但是本發(fā)明不限于此，而是相差板也可以制造在其相反側(cè)上。此外，盡管在上述的實(shí)施例13至實(shí)施例15中凹槽的延伸方向在一個(gè)像 素內(nèi)變化，但是本發(fā)明不限于此，而是凹槽的延伸方向可以在一個(gè)子像素內(nèi) 變化。此外，盡管在上述實(shí)施例中實(shí)施例1至實(shí)施例4的技術(shù)選擇地適用于將 其上形成取向膜的表面的形狀形成為凹槽形狀，但是本發(fā)明不限于此，而是 在不損壞上面結(jié)合實(shí)施例描述的構(gòu)造的范圍內(nèi)，可以應(yīng)用實(shí)施例1至實(shí)施例4的任何一個(gè)其它的技術(shù)來替換上面結(jié)合實(shí)施例描述的技術(shù)。此外，盡管在上述實(shí)施例中玻璃板用作絕緣基板，但是本發(fā)明不限于此，而是可以廣泛地應(yīng)用例如塑料基板的各種絕緣基板。此外，盡管在上述實(shí)施例中，取向膜涂敷在沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)形成在垂直于該預(yù)定方向的方向上的表面上，并且取向膜的高分子鏈調(diào)整到垂直于凹槽的方向，但是可以應(yīng)用高分子鏈調(diào)整到凹槽延伸方向的取向膜。此外，盡管在上述實(shí)施例中，取向膜涂敷在沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù) 形成在垂直于該預(yù)定方向的方向上的表面上，并且液晶分子調(diào)整到垂直于凹 槽的方向，但是可以應(yīng)用液晶分子調(diào)整到凹槽延伸方向的取向膜。 工業(yè)應(yīng)用本發(fā)明可以應(yīng)用于例如TN、 ECB、 STN和IPS模式的液晶模式的液晶 顯示面板。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示面板，其中液晶夾持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)形成為使得制造有取向膜的表面的形狀為凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)形成在垂直于所述預(yù)定方向的方向上，并且所述凹槽形狀覆蓋有高分子膜以形成所述取向膜，所述取向膜的高分子鏈被調(diào)整至所述垂直方向上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板的所述取向膜形成為使得通過所述凹槽的單軸向拉伸效應(yīng)將所述高分子鏈調(diào)整至所述垂直方向上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽的深度除以所述凹槽的間距所得的值小于1。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述液晶的分子取向?yàn)樗龃怪狈较颉?br> 5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板形成為使得設(shè)置在所述取向膜的相對(duì)于所述液晶側(cè)的相反側(cè)上的絕緣膜的表面形狀形成為所述凹槽形狀，并且制造有所述取向膜的 表面的形狀形成所述凹槽形狀。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板形成為使得設(shè)置在所述取向膜的相對(duì)于所述液晶側(cè)的相反側(cè)上的電極的表面形狀形成為所述凹槽形狀，并且制造有所述取向膜的表 面的形狀形成為所述凹槽形狀。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板形成為使得設(shè)置在所述取向膜的相對(duì)于所述液晶側(cè)的相反側(cè)上的絕緣基板的表面形狀形成為所述凹槽形狀，并且制造有所述取向膜 的表面的形狀形成為所述凹槽形狀。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽形成為使得所述凹槽的橫切方向上的截面形狀形成為關(guān)于所述凹槽的頂點(diǎn)的對(duì)稱形狀。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽形成為使得所述凹槽的橫切方向上的截面形狀形成為關(guān)于所述凹槽的頂點(diǎn)的非對(duì)稱形狀。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽形狀在所述凹槽的橫切方向上具有鋸齒截面形狀，并且設(shè)定為使得形成所述鋸齒形狀的成對(duì)的相鄰表面相對(duì)于平行于所述絕緣基板的表 面的平面具有不同的夾角，以在所述一個(gè)基板的所述表面上設(shè)定液晶分子的 傾斜角。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述液晶為具有正介電常數(shù)各向異性的向列型液晶，并且 當(dāng)給設(shè)置在所述兩個(gè)基板上的電極施加電壓時(shí)，盡管在所述兩個(gè)基板的表面上的所述液晶的分子保持取向?yàn)槠叫杏谒龌宓谋砻娴姆较颍窃?所述兩個(gè)基板之間的中心部分的所述液晶的分子取向?yàn)榇怪庇谒龌宓?表面的方向。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述液晶為具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的向列型液晶，并且 當(dāng)給設(shè)置在所述兩個(gè)基板上的電極施加電壓時(shí)，盡管在所述兩個(gè)基板的表面上的所述液晶的分子保持取向?yàn)榇怪庇谒龌宓谋砻娴姆较?，但是?所述兩個(gè)基板之間的中心部分的所述液晶的分子取向?yàn)槠叫杏谒龌宓?表面的方向和取向?yàn)樗龃怪狈较颉?br> 13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 一個(gè)像素由透射顯示部分和反射顯示部分形成，并且 在所述反射顯示部分中所述凹槽的延伸方向設(shè)定為相對(duì)于所述透射顯示部分中所述凹槽的延伸方向傾斜。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽形成為使得間距在連續(xù)的凹槽之間變化，從而等于或者大于固定數(shù)目的多個(gè)連續(xù)的凹槽不具有固定間距。
15、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于用于相差板的取向膜和相差板依次形成在所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)上， 所述取向膜具有這樣的表面，在所述表面上沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形 成在垂直于所述預(yù)定方向的方向上并且所述表面覆蓋有高分子膜，所述相差板由取向?yàn)橛捎糜谒鱿嗖畎宓乃鋈∠蚰ご_定的方向的液晶形成。
16、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽延伸的方向在一個(gè)像素或者一個(gè)子像素中變化。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽相對(duì)于一個(gè)像素或者一個(gè)子像素的中心在不同方向上形成為對(duì)稱形狀。
18、 一種液晶顯示面板，其中液晶夾持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其 特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)形成為使得制造有取向膜的表面的形狀為凹 槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所述預(yù)定方向的方 向上，并且所述凹槽覆蓋有高分子膜以形成所述取向膜，所述取向膜將所述液晶的 分子取向?yàn)樗龃怪狈较颉?br> 19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板的所述取向膜形成為使得所述高分子鏈通過所述凹槽的單軸向拉伸效應(yīng)調(diào)整至所述垂直方向上。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽的深度除以所述凹槽的間距所得的值小于1。
21、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板形成為使得設(shè)置在所述取向膜的相對(duì)于所述液晶側(cè)的相反側(cè)上的絕緣膜的表面形狀形成為所述凹槽形狀，并且制造有所述取向膜的 表面的形狀形成為所述凹槽形狀。
22、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板形成為使得設(shè)置在所述取向膜的相對(duì)于所述液晶側(cè)的相反側(cè)上的電極的表面形狀形成為所述凹槽形狀，并且制造有所述取向膜的表 面的形狀形成為所述凹槽形狀。
23、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述一個(gè)基板形成為使得設(shè)置在所述取向膜的相對(duì)于所述液晶側(cè)的相反側(cè)上的絕緣基板的表面形狀形成為所述凹槽形狀，并且制造有所述取向膜 的表面的形狀形成為所述凹槽形狀。
24、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于所述凹槽形成為使得所述凹槽的橫切方向上的截面形狀形成為相對(duì)于 所述凹槽的頂點(diǎn)的對(duì)稱形狀。
25、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽形成為使得所述凹槽的橫切方向上的截面形狀形成為相對(duì)于所述凹槽的頂點(diǎn)的非對(duì)稱形狀。
26、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽形狀在所述凹槽的橫切方向上具有鋸齒截面形狀，并且設(shè)定為使得形成所述鋸齒形狀的成對(duì)的相鄰表面相對(duì)于平行于所述絕緣基板的表 面的平面具有不同的夾角，以在所述一個(gè)基板的所述表面上設(shè)定液晶分子的 傾斜角。
27、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述液晶為具有正介電常數(shù)各向異性的向列型液晶，并且 當(dāng)給設(shè)置在所述兩個(gè)基板上的電極施加電壓時(shí)，盡管在所述兩個(gè)基板的表面上的所述液晶的分子保持取向?yàn)槠叫杏谒龌宓谋砻娴姆较颍窃?所述兩個(gè)基板之間的中心部分的所述液晶的分子取向?yàn)榇怪庇谒龌宓?表面的方向。
28、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述液晶為具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的向列型液晶，并且 當(dāng)給設(shè)置在所述兩個(gè)基板上的電極施加電壓時(shí)，盡管在所述兩個(gè)基板的表面上的所述液晶的分子保持取向?yàn)榇怪庇谒龌宓谋砻娴姆较?，但是?所述兩個(gè)基板之間的中心部分的所述液晶的分子取向?yàn)槠叫杏谒龌宓?表面的方向和所述垂直方向。
29、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 一個(gè)像素由透射顯示部分和反射顯示部分形成，并且 在所述反射顯示部分中的所述凹槽的延伸方向設(shè)定為相對(duì)于所述透射顯示部分中的所述凹槽的延伸方向傾斜。
30、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽形成為使得間距在連續(xù)的凹槽之間變化，從而等于或者大于固定數(shù)目的多個(gè)連續(xù)凹槽不具有固定間距。
31、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于用于相差板的取向膜和相差板依次形成在所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)上，所述取向膜具有這樣的表面，在所述表面上沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形 成在垂直于所述預(yù)定方向的方向上并且所述表面覆蓋有高分子膜，所述相差 板由取向?yàn)橛捎糜谒鱿嗖畎宓乃鋈∠蚰ご_定的方向的液晶形成。
32、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽延伸的方向在一個(gè)像素或者一個(gè)子像素中變化。
33、 根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述凹槽相對(duì)于一個(gè)像素或者一個(gè)子像素的中心在不同方向上形成為對(duì)稱形狀。
34、 一種液晶顯示面板，其中液晶夾持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其 特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)包括 絕緣基板，和用于相差板的取向膜，具有這樣的表面，在所述表面上沿預(yù)定方向延伸 的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所述預(yù)定方向的方向上并且所述表面覆蓋有高 分子膜，使得高分子鏈調(diào)整至所述垂直方向上，以及相差板，由取向?yàn)橛捎糜谒鱿嗖畎宓乃鋈∠蚰ご_定的方向的液晶形成,所述取向膜和所述相差板依次形成在所述絕緣基板上。
35、 一種液晶顯示面板，其中液晶夾持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其 特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)包括 絕緣基板，和用于相差板的取向膜，具有這樣的表面，在所述表面上沿預(yù)定方向延伸 的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所述預(yù)定方向的方向上并且所述表面覆蓋有高 分子膜，以及相差板，由分子取向?yàn)樗龃怪狈较虻囊壕纬?，所述取向膜和相差板依次形成在所述絕緣基板上。
36、 一種用于液晶顯示面板的制造方法，在所述液晶顯示面板中液晶夾 持在;f皮此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其特征在于液晶顯示面板的制造方法包括凹槽加工步驟，加工所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)，使得將制造有取向膜的表面的形狀為凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所 述預(yù)定方向的方向上，以及取向膜制造步驟，以高分子膜覆蓋所述凹槽形狀以形成所述取向膜，所 述取向膜的高分子鏈調(diào)整至所述垂直方向上。
37、 一種用于液晶顯示面板的制造方法，在所述液晶顯示面板中液晶夾 持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其特征在于液晶顯示面板的制造方法包括凹槽加工步驟，加工所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)，使得將制造有取向膜的 表面的形狀為凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所 述預(yù)定方向的方向上，以及取向膜制造步驟，以高分子膜覆蓋所述凹槽形狀以形成所述取向膜，所 述取向膜將所述液晶的分子取向?yàn)樗龃怪狈较颉?br> 38、 一種用于液晶顯示面板的制造方法，在所述液晶顯示面板中液晶夾 持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)包括依次設(shè)置在透明基板上的用于相差板的 取向膜以及相差板，以及所述液晶顯示面板的制造方法包括凹槽加工步驟，加工所述一個(gè)基板使得將制造有取向膜的表面的形狀為 凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所述預(yù)定方向的方向上，取向膜制造步驟，以高分子膜覆蓋所述凹槽形狀以形成用于所述相差板 的所述取向膜，所述取向膜的高分子鏈調(diào)整至所述垂直方向上，液晶設(shè)置步驟，在用于所述相差板的所述取向膜上設(shè)置液晶，以及 固化步驟，固化所述液晶。
39、 一種用于液晶顯示面板的制造方法，在所述液晶顯示面板中液晶夾 持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)包括依次設(shè)置在透明基板上的取向膜和相差 板，以及所述液晶顯示面板的制造方法包括凹槽加工步驟，加工所述一個(gè)基板使得將制造有取向膜的表面的形狀為 凹槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所述預(yù)定方向的方向上，取向膜制造步驟，以高分子膜覆蓋所述凹槽形狀以形成用于所述相差板 的所述取向膜，液晶設(shè)置步驟，在用于所述相差板的所述取向膜上設(shè)置分子取向?yàn)樗?垂直方向的液晶，以及固化步驟，固化所述液晶。
40、 一種液晶顯示面板，其中液晶夾持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其 特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)形成為使得制造有取向膜的表面的形狀為凹 槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所述預(yù)定方向的方 向上，并且所述凹槽形狀覆蓋有高分子膜以形成所述取向膜，所述取向膜的高分子 鏈調(diào)整至所述預(yù)定方向上。
41、 一種液晶顯示面板，其中液晶夾持在彼此相對(duì)的兩個(gè)基板之間，其 特征在于所述兩個(gè)基板的至少一個(gè)形成為使得制造有取向膜的表面的形狀為凹 槽形狀，其中沿預(yù)定方向延伸的凹槽重復(fù)地形成在垂直于所述預(yù)定方向的方 向上，并且所述凹槽形狀覆蓋有高分子膜，以形成所述取向膜，所述取向膜將所述 液晶的分子取向?yàn)樗龃怪狈较颉?br> 全文摘要
可以提供液晶顯示面板以及液晶顯示面板的制造方法，與常規(guī)技術(shù)相比，其具有更高的產(chǎn)率并能夠保證足夠的錨定力和圖像質(zhì)量。取向膜(13)由具有凹槽形狀的面制造，該凹槽形狀重復(fù)地形成在垂直交叉沿預(yù)定方向延伸的凹槽M的方向上，從而給取向膜(13)提供取向能力。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101405647SQ20078001001
公開日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2007年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月21日
發(fā)明者玉置昌哉 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社