專利名稱：：光學(xué)薄膜、圖像顯示裝置、二乙炔基芴及其聚合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光學(xué)薄膜和圖像顯示裝置、可用作該光學(xué)薄膜的形成材料的二乙炔基芴和含有該二乙炔基芴的聚合物。
背景技術(shù)：
：相位差板是用于實(shí)現(xiàn)例如液晶顯示裝置的視角擴(kuò)大等和補(bǔ)償液晶單元等的光學(xué)薄膜。相位差板的相位差具有波長依賴性，其相位差的波長色散大致分為以下三類。第一種顯示相位差值越是在短波長側(cè)越大的波長色散(以下稱為"正色散")，第二種顯示相位差值從短波長側(cè)到長波長側(cè)幾乎不變的波長色散(以下稱為"平坦色散")，第三種顯示了相位差值越是在短波長側(cè)越小的波長色散(以下稱為"逆色散")。另外，正色散和逆色散具有相位差的波長依賴性大的光學(xué)性質(zhì)，而平坦色散具有相位差的波長依賴性小的光學(xué)性質(zhì)。在所述三種相位差板當(dāng)中，以往，作為顯示平坦色散的相位差板，使用將降冰片烯系樹脂制膜拉伸的降冰片烯系薄膜(例如，JSRi朱式會(huì)社制造，商品名ArtonFilm)。然而，降冰片烯系薄膜較厚，具有大約60~80pm的厚度，因此，不能實(shí)現(xiàn)光學(xué)部件的薄膜輕質(zhì)化。另一方面，已知聚酰亞胺通過涂布到基材上顯示了規(guī)定的相位差(專利文獻(xiàn)l)。因此，包含聚酰亞胺的相位差板能夠以較薄的厚度形成。然而，由于聚酰亞胺通常顯示了正色散，使用聚酰亞胺的相位差板不能顯示平坦色散。專利文獻(xiàn)l:日本專利申請公表2000-511296號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供顯示了優(yōu)選的波長色散并且能以較薄的厚度形成的光學(xué)薄膜以及使用該薄膜的圖像顯示裝置。本發(fā)明的另一目的是提供適合作為前述光學(xué)薄膜形成材料的二乙炔基藥。以往，作為液晶顯示裝置的液晶單元，VA(垂直陣列)模式得到廣泛地普及。本發(fā)明人等詳細(xì)調(diào)查了該VA模式的液晶單元的波長色散，發(fā)現(xiàn)近年來的VA模式的液晶單元大多顯示平坦色散。因此，作為補(bǔ)償它的相位差板，波長色散顯示平坦色散的材料是優(yōu)選的。然而，如上所述，以往的相位差板各有優(yōu)缺點(diǎn)。因此，本發(fā)明人等深入研究了各種材料，發(fā)現(xiàn)通過使用具有攜帶三鍵基團(tuán)(-C三C-R)的芴骨架的聚合物，可以實(shí)現(xiàn)上述目的。也就是說，本發(fā)明涉及包含具有用下述通式(I)表示的重復(fù)單元的聚合物的光學(xué)薄膜。(I)其中，在式(I)中，A、A，、B和B，各自表示取代基，a和a，表示對應(yīng)的A和A，的:又代數(shù)(0~4的整lt),b和b，表示對應(yīng)的B和B，的取代數(shù)(0~3的整數(shù))。A、A，、B和B，各自獨(dú)立地表示囟素或者碳數(shù)l~4的烷基。R/和R^各自獨(dú)立地表示氫、鹵素、碳數(shù)l~IO的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的乙炔基、SiR3R4R5(R3~W各自是碳數(shù)l~6的烷基或芳基)、CR6R7(OH)(116和117各自是碳數(shù)l~4的烷基)。導(dǎo)入了用上述式(I)表示的重復(fù)單元的聚合物，其芴骨架的共軛體系通過三鍵基團(tuán)(乙炔基)被延伸出來，而且芴骨架以相對于主鏈正交的方向取向。因此，用該聚合物制膜的光學(xué)薄膜其相位差的波長色散接近平坦。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案涉及上述光學(xué)薄膜，其中具有上述式(I)的重復(fù)單元的聚合物為聚酰亞胺系聚合物。具有上述式(I)的重復(fù)單元的聚合物如果是聚酰亞胺系聚合物，就可以通過涂膜來制備光學(xué)薄膜。因此，光學(xué)薄膜可以以較薄的厚度形成。此外，本發(fā)明提供了具有上述光學(xué)薄膜的圖像顯示裝置(優(yōu)選液晶顯示裝置)。另外，本發(fā)明提供了用下述通式(X)表示的二乙炔基芴。(X)其中，在式(X)中，A、A，、B和B，各自表示取代基，a和a，表示對應(yīng)的A和A，的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，b和b，表示對應(yīng)的B和B，的取代數(shù)(0~3的整數(shù))。A、A，、B和B，各自獨(dú)立地表示卣素或者碳數(shù)l~4的烷基。Ri和I^各自獨(dú)立地表示氫、卣素、碳數(shù)l~IO的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的乙炔基、SiR3R4R5(R3~115各自是碳數(shù)l~6的烷基或芳基)、CR6R7(OH)(R6和R7各自是碳數(shù)l~4的烷基)。D和D，各自獨(dú)立地表示OH基、NHR基(其中所述R表示氫或碳數(shù)14的烷基)、COOH基或者NCO基。本發(fā)明的優(yōu)選的二乙炔基芴是上述式(X)的W和I^各自獨(dú)立地是氬、碳數(shù)1~6的烷基、三甲基曱硅烷基或者C(CH3)2(OH)基。另外，本發(fā)明的優(yōu)選的二乙炔基藥是上述式(X)的W和W的至少任意一個(gè)為三曱基曱硅烷基。此外，本發(fā)明的優(yōu)選的二乙炔基芴是上述式(X)的D和D，為麗2基。另外，本發(fā)明提供了具有上述二乙炔基芴作為重復(fù)單元的聚合物。本發(fā)明的光學(xué)薄膜由于相位差的波長色散成為平坦色散，因此可以適宜地用作例如補(bǔ)償VA模式的液晶單元的相位差板。另外，本發(fā)明的光學(xué)薄膜由于通過涂布形成的涂膜表現(xiàn)了雙折射性，因此可以以較薄的厚度形成。具備所述光學(xué)薄膜的圖像顯示裝置可以很好的改善視角等，并且可以實(shí)現(xiàn)薄型輕質(zhì)化。此外，本發(fā)明的二乙炔基藥例如通過導(dǎo)入到適宜的聚合物中，能夠獲得可使相位差的波長色散接近平坦的聚合物。圖l是表示實(shí)施例1~2和比較例3的波長色散的圖。圖2是表示實(shí)施例3~4的波長色散的圖。圖3是表示實(shí)施例5~7的波長色散的圖。圖4是表示比較例1~3的波長色散的圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，通過將具有用通式(I)表示的重復(fù)單元的聚合物制膜，該薄膜的相位差在波長450750nm的可見光區(qū)域接近平坦色散。本發(fā)明主要利用該性質(zhì)，提供顯示平坦色散(相位差的波長依賴性小)的光學(xué)薄膜。在上述式(I)中，A、A，、B和B，各自表示取代基，a和a，表示對應(yīng)的A和A，的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，b和b，表示對應(yīng)的B和B，的取代數(shù)(0~3的整數(shù))。A、A，、B和B，各自獨(dú)立地表示鹵素或者碳數(shù)l~4的烷基。Ri和R"各自獨(dú)立地表示氫、鹵素、碳數(shù)l~IO的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的乙炔基、SiR3R4R5(R3~115各自是碳數(shù)l~6的烷基或芳基)、CR6R7(OH)(R6和R7各自是碳數(shù)l~4的烷基)。在具有用上述式(I)表示的重復(fù)單元的聚合物中，具有用下述式(IV)表示的重復(fù)單元的聚合物是優(yōu)選的。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(IV)在上述式(IV)中，R8~R"各自獨(dú)立地表示氫或者碳數(shù)l~4的烷基(優(yōu)選曱基)，！^和RS與式(I)含義相同。在上述式(iv)中，r8和R"的至少任意一個(gè)是甲基，而且，R"和R"的至少任意一個(gè)是甲基的重復(fù)單元是優(yōu)選的。這是因?yàn)榫哂星笆鲋貜?fù)單元的聚合物具有優(yōu)異的透明性，并且具有優(yōu)異的溶劑溶解性。在式(I)和式(IV)中，1^和112分別獨(dú)立地優(yōu)選氫、碳數(shù)1~6的烷基、三甲基甲硅烷基或者C(CH3)2(OH)基，尤其優(yōu)選碳數(shù)l~6的烷基、三曱基甲硅烷基或者C(CH3)2(OH)基。在具有上述式(I)(和式(IV))的重復(fù)單元的聚合物中，藥骨架的共軛體系通過三鍵基團(tuán)(乙炔基)被延伸出來，而且芴骨架以相對于主鏈正交的方向取向。因此，本發(fā)明的聚合物在具有式(I)的重復(fù)單元的部位的相位差的波長色散變大。因此，在聚合物中導(dǎo)入的式(I)的重復(fù)單元越多，所得薄膜的相位差的波長色散越接近從短波長側(cè)到長波長側(cè)幾乎不變的平坦?fàn)顟B(tài)。對用上述式(I)(和式(IV))表示的重復(fù)單元的導(dǎo)入量沒有特定限制，可以包含聚合物總量的lmol。/。以上。不過，如上所述，在聚合物中導(dǎo)入的式(I)越多，將該聚合物制膜所獲得的光學(xué)薄膜越接近平坦色散。因此，含有聚合物總量的5mo10/0以上的式(I)的聚合物是優(yōu)選的，此外，10mol。/o以上是更優(yōu)選的，含有12.5mol。/。以上的式(I)的聚合物是特別優(yōu)選的。另一方面，如果式(I)的導(dǎo)入量過多，有可能無法獲得耐熱性、剛性、透明性等優(yōu)異的光學(xué)薄膜。根據(jù)該理由，上述式(I)的導(dǎo)入量的上限優(yōu)選為90mol。/o以下，更優(yōu)選為60molQ/o以下，特別優(yōu)選為40mol。/Q以下。上述式(I)的重復(fù)單元可以作為聚酰亞胺系聚合物、聚酯系聚合物、聚酰胺系聚合物、聚酰胺酰亞胺系聚合物、聚乙烯醇系聚合物、聚碳酸酯系聚合物等各種聚合物的重復(fù)單元的一部分導(dǎo)入。在本發(fā)明中，在這些各種聚合物中導(dǎo)入式(I)的重復(fù)單元的聚合物可以作為光學(xué)薄膜的形成材料使用。在這些當(dāng)中，從耐熱性優(yōu)異、折射率較高、即使在涂膜(涂覆膜)中也顯示規(guī)定的相位差等理由來看，具有用上述式(I)表示的重復(fù)單元的聚酰亞胺系聚合物作為光學(xué)薄膜的形成材料是優(yōu)選的。作為聚酰亞胺系聚合物，可以列舉面內(nèi)取向性高并可溶于有機(jī)溶劑的聚酰亞胺，例如美國專利5071997、美國專利5480964、曰本專利申諱-7>表平8-511812、曰本專利申謫-^>表平10-508048、日本專利申請公表2000-511296號(hào)公才艮等中記載的聚酰亞胺等。作為本發(fā)明的光學(xué)薄膜的形成材料使用的聚酰亞胺系聚合物在分子中包含例如用下述通式(II)表示的重復(fù)單元，其中，在式(II)中，Y表示共價(jià)鍵或者選自CH2基、C(CH3)2基、C(CZg)2基(這里Z是鹵素)、CO基、O原子、S原子、S02基、Si(CH2CH3)2基和N(CH3)基所組成的組中的原子或基團(tuán)。E是取代基，e是E的取代數(shù)(0~3的整數(shù))。E是卣素、碳數(shù)1~3的烷基、碳數(shù)13的卣代烷基、苯基或者取代苯基，在具有多個(gè)E時(shí)，它們各自是相同或不同的。作為取代苯基，例如可以列舉具有至少一種選自卣素、碳數(shù)l~3的烷基和碳數(shù)1~3的囟代烷基所組成的組中的取代基的苯基。另外，作為卣素，例如可以列舉氟、氯、溴或碘。在包含用上述式(II)表示的重復(fù)單元的聚酰亞胺系聚合物中，從透明性優(yōu)異的方面考慮，包含用下述式(VI)表示的重復(fù)單元的聚酰亞胺系聚合物是優(yōu)選的。在式(VI)中，E表示鹵素、碳數(shù)13的烷基、碳數(shù)1~3的卣代烷基、苯基或者取代苯基。優(yōu)選的是，E是氯等卣素。此外，上述聚酰亞胺系聚合物優(yōu)選是在分子中進(jìn)一步包含用下述通式(III)表示的重復(fù)單元的聚合物。(m)在式(III)中，X表示共價(jià)鍵或者選自CH2基、C(CH3)2基、C(CZ3)2基(這里Z是鹵素)、CO基、氧原子、硫原子、S02基團(tuán)、Si(CH2CH3)2基和N(CH3)基所組成的組中的原子或基團(tuán)。G和H是取代基，g表示G的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，h表示H的取代數(shù)(0~4的整數(shù))。G和H各自是相同或不同的，表示選自氫、鹵素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷酯基和取代烷酯基所組成的組中的原子或基團(tuán)，在具有多個(gè)時(shí)，它們各自是相同或不同的。ql表示03的整數(shù)，q2表示l3的整數(shù)。作為鹵素，例如可以列舉氟、氯、溴和碘。作為取代烷基，例如可以列舉卣代烷基。另外，作為取代芳基，例如可以列舉卣代芳基。在包含用上述式(III)表示的重復(fù)單元的聚酰亞胺系聚合物中，包含用下述式(VII)表示的重復(fù)單元的聚酰亞胺系聚合物是優(yōu)選的。1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>(VII)在式(VII)中，G和H各自是相同或不同的，表示選自氫、鹵素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷酯基和取代烷酯基所組成的組中的原子或基團(tuán)。優(yōu)選G和H是非氫的原子或基團(tuán)，更優(yōu)選G和H是卣代烷基(CF3等)等取代烷基。另外，上述聚酰亞胺系聚合物例如可以是在分子中包含下述通式(VIII)表示的重復(fù)單元代替上述式(II)的重復(fù)單元、或者與上述式(II)的重復(fù)單元并用的聚合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>在式(VIII)中，1112和1113分別是選自氫、卣素、苯基、取代苯基、烷基和取代烷基所組成的組中的原子或基團(tuán)。R"和R13各自獨(dú)立地優(yōu)選由代烷基。本發(fā)明的優(yōu)選聚酰亞胺系聚合物在分子中具有上述式(I)的重復(fù)單元和選自上述式(II)~(VIII)中的至少一種重復(fù)單元。在這些當(dāng)中，本發(fā)明的優(yōu)選的聚酰亞胺系聚合物的結(jié)構(gòu)實(shí)例在下述通式(V)中示出。在式(V)中，Aa、A，a，、Bb和B，b，以及Ri和R2與前述式(I)含義相同。Ee和Y與前述式(II)含義相同。Gg、Hh、X、ql和q2與前述式(III)含義相同。m表示l~90mol%,n表示1070mol%。其中，在全部聚合物為100時(shí)，m+n^lOOmol%。此外，在式(V)所包含的聚合物中，優(yōu)選的是用下述通式(IX)表示的聚酰亞胺系聚合物。(DO在式(IX)中，R8R"以及R1、R2與式(IV)含義相同，G和H與式(VII)含義相同，E與式(VI)含義相同。m表示l~90mol%,n表示10~70mol%。其中，m+n￡l00mol%。對本發(fā)明聚合物的重均分子量(Mw)沒有特定限制，優(yōu)選在1000~IOOOOOO的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2000~500000的范圍內(nèi)。這是因?yàn)橹鼐肿恿吭谇笆龇秶鷥?nèi)的聚合物在形成薄膜狀時(shí)可以獲得充分的強(qiáng)度，此外不容易由于伸縮、變形等導(dǎo)致裂紋，還有，可以獲得在溶劑中的良好溶解性。另外，本發(fā)明聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度根據(jù)式(I)和主鏈的種類、各重復(fù)單元的導(dǎo)入量等而改變，是在100。C以上，優(yōu)選在130°C以上。具有所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的聚合物作為光學(xué)薄膜時(shí)，具有充分耐熱性。另外，該玻璃化轉(zhuǎn)變溫度根據(jù)JISK7121(1987)通過DSC法求得。具有上述式(I)的重復(fù)單元的聚合物可以通過導(dǎo)入下述通式(X)表示的二乙炔基芴作為重復(fù)單元來獲得。(X)其中，在式(X)中，A、A，、B和B，各自表示取代基，a和a，表示對應(yīng)的A和A，的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，b和b，表示對應(yīng)的B和B，的取代數(shù)(0~3的整數(shù))。A、A，、B和B，各自獨(dú)立地表示卣素或者碳數(shù)l~4的烷基。Ri和R^各自獨(dú)立地表示氫、鹵素、碳數(shù)l~IO的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的乙炔基、SiR3R4R5(R3~Rs各自是碳數(shù)l~6的烷基或芳基)、CR6R7(OH)(116和117各自是碳數(shù)l~4的烷基)。D和D，各自獨(dú)立地表示OH基、NHR基(其中所述R表示氫或碳數(shù)14的烷基)、COOH基或者NCO基。在上述式(X)所包含的二乙炔基芴中，用下述通式(XI)表示的二乙炔基芴是優(yōu)選的。(XI)其中，在式(XI)中，RSRH各自獨(dú)立地表示氫或曱基,R1、R2、D和D，與式(X)含義相同。在上述式(XI)中，RS和R"均為曱基、W和R"均為氫的二乙炔基藥是優(yōu)選的。另外，在式(X)和式(XI)中，R^和ie各自獨(dú)立地是氫、碳數(shù)l~6的烷基、三曱基甲硅烷基或C(CH3)2(OH)基的二乙炔基芴是優(yōu)選的。另外，上述D和D，是用來與其它重復(fù)單元鍵合的取代基。例如，從與酸反應(yīng)容易形成酰亞胺鍵的觀點(diǎn)來看，在式(X)和式(XI)中，D和D，優(yōu)選是NH2基。例如，在如通式(I)所示的實(shí)施方案中，上述二乙炔基芴可以作為重復(fù)單元導(dǎo)入到聚合物中。通過將本發(fā)明的二乙炔基藥導(dǎo)入到顯示正色散的聚合物(在原來的性質(zhì)的基礎(chǔ)上，波長色散顯示正色散的聚合物)中，改變了該聚合物的光學(xué)性質(zhì)，該聚合物的波長色散接近平坦色散。因此，本發(fā)明的二乙炔基藥自身顯示了逆色散，通過導(dǎo)入到顯示正色散的聚合物中，具有使該聚合物的波長色散接近平坦色散的作用。該作用對應(yīng)于二乙炔基芴的導(dǎo)入量，隨著該導(dǎo)入量的增加，變得接近平坦色散。因此，本發(fā)明提供了一種光學(xué)薄膜的相位差調(diào)節(jié)方法，該方法通過將上述式(X)或式(XI)表示的二乙炔基藥導(dǎo)入到聚酰亞胺等聚合物中來調(diào)節(jié)包含該聚酰亞胺等聚合物的光學(xué)薄膜的相位差。根據(jù)所述調(diào)節(jié)方法，通過調(diào)節(jié)相對于聚酰亞胺的二乙炔基藥的導(dǎo)入量，可以制造從接近平坦色散的光學(xué)薄膜到顯示大致平坦色散的光學(xué)薄膜的任意薄膜。作為二乙炔基藥，例如可以列舉具有乙炔基的芴；具有鹵代乙炔基的藥；具有烷基乙炔基的藥；具有苯基乙炔基、聯(lián)苯基乙炔基、萘基乙炔基、蒽基乙炔基、菲基乙炔基等芳基乙炔基的芴；具有三曱基曱硅烷基乙炔基等三烷基硅烷基的芴等。作為具有乙炔基的芴的具體實(shí)例，可以列舉9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2，7-雙(乙炔基)芴、9,9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2，7-二乙炔基芴、9，9-雙(4-氨基苯基)-2,7-二乙炔基芴等。作為具有卣代乙炔基的芴的具體實(shí)例，可以列舉9，9-雙(4-氨基苯基)-2,7-二氯乙炔基芴、9,9-雙(4-氨基苯基)-2,7-二溴乙炔基芴、9,9-雙(4-氨基苯基)-2，7_二碘乙炔基芴等。作為具有烷基乙炔基的芴的具體實(shí)例，可以列舉9,9-雙(4-氨基苯基)-2，7-二己烷基乙炔基芴、9，9-雙(4-氨基苯基)-2，7-二戊烷基乙炔基藥、9,9-雙(4-氨基苯基)-2,7-二庚烷基乙炔基芴等。作為具有芳基乙炔基的芴的具體實(shí)例，可以列舉9,9-雙(4-氨基苯基)-2,7-雙(苯基乙炔基)芴等。具有三烷基甲硅烷基乙炔基的芴的具體實(shí)例，可以列舉9,9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2,7-雙(三甲基甲硅烷基乙炔基)芴、9，9-雙(4-氨基苯基)-2，7-雙(三曱基甲硅烷基乙炔基)芴、9，9-雙(4-氨基苯基)-2，7-雙(三乙基曱硅烷基乙炔基)芴、9，9-雙(4-氨基苯基)-2，7-雙(叔丁基二甲基曱硅烷基乙炔基)芴等。另外，二乙炔基藥的其它實(shí)例包括9,9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2，7-雙(2-羥基-2-甲基-3-丁炔基)藥等。上述各二乙炔基藥例如可以通過以下方法來制備。例如，在酸催化劑的存在下讓2，7-二溴藥與苯胺衍生物反應(yīng)。將由前述反應(yīng)獲得的中間體在鈀(0)催化劑存在下與乙炔基化合物反應(yīng)，可以獲得具有氨基的二乙炔基藥(反應(yīng)式A)。另外，通過用苯酚衍生物代替上述苯胺衍生物，可以獲得具有羥基的二乙炔基芴(反應(yīng)式B)。具有上述式(I)的重復(fù)單元的聚酰亞胺系聚合物例如可以通過上述例示的二乙炔基芴、酸二酐和二胺反應(yīng)來獲得。具體地說，以規(guī)定的摩爾比將二乙炔基芴、酸二酐和二胺溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲胁⒒旌?，然后在室溫下攪拌?guī)定時(shí)間，生成聚酰胺酸。然后，添加醋酸酐和吡啶，根據(jù)需要加熱，在攪拌的同時(shí)將聚酰胺酸酰亞胺化。將所得的聚酰亞胺冷卻至室溫，用適當(dāng)?shù)娜軇┨峒?。通過將該提純物洗滌和干燥，可以獲得本發(fā)明的聚合物。作為酸二酐，例如可以列舉芳香族四羧酸二酐。作為前述芳香族四羧酸二酐，例如可以列舉均苯四甲酸二酐、二苯曱酮四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、雜環(huán)式芳香族四羧酸二酐、2，2，-取代聯(lián)苯四羧酸二酐等。作為前述均苯四甲酸二酐，例如可以列舉均苯四甲酸二酐、3,6-二苯基均苯四甲酸二酐、3,6-雙(三氟甲基)均苯四甲酸二酐、3,6-二溴均苯四曱酸二酐、3，6-二氯均苯四曱酸二酐等。作為前述二苯曱酮四羧酸二酐，例如可以列舉3,3，,4,4，-二苯甲酮四羧酸二酐、2，3，3，，4，-二苯曱酮四歡酸二酐、2,2，，3,3，-二苯甲酮四羧酸二酐等。作為前述萘四羧酸二酐，例如可以列舉2，3，6,7-萘-四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2，6-二氯-萘-1,4，5,8-四羧酸二酐等。作為前述雜環(huán)式芳香族四羧酸二酐，例如可以列舉p塞p分-2，3,4，5-四羧酸二酐、P比口秦-2，3，5,6-四羧酸二酐、p比啶-2，3，5，6-四羧酸二酐等。作為前述2，2，-取代聯(lián)苯四羧酸二酐，例如可以列舉2，2，-二溴-4，4，，5,5，-聯(lián)苯四羧酸二酐、2,2，-二氯-4,4，，5,5，-聯(lián)苯四羧酸二酐、2，2，-雙(三氟甲基)-4,4，，5,5，-聯(lián)苯四羧酸二肝等。另外，作為上述芳香族四羧酸二酐的其它實(shí)例，可以列舉3，3，，4，4，-聯(lián)苯四羧酸二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,5，6-三氟-3，4-二羧基苯基)曱烷二肝、2,2-雙(3，4-二羧基苯基)-l,l,l,3，3,3-六氟丙烷二酐、4,4，-雙(3,4-二羧基苯基)-2，2-二苯基丙烷二酐、雙(3，4-二羧基苯基)醚二酐、4，4，-氧雙鄰苯二甲酸酐、雙(3，4-二羧基苯基)磺酸二酐、3，3，，4,4，-二苯基砜四羧酸二酐、4，4，-[4,4，-異亞丙基-二(對亞苯基氧基)]雙(鄰苯二甲酸酐)、N，N-(3,4-二羧基苯基)-N-曱胺二酐、雙(3，4-二羧基苯基)二乙基甲硅烷二酐等。在這些當(dāng)中，作為芳香族四羧酸二酐，取代聯(lián)苯四羧酸二酐是優(yōu)選的，更優(yōu)選為1，1，-二氯-3,3，，4，4，-聯(lián)苯四羧酸二酐。作為上述二胺，例如可以列舉芳香族二胺。前述二胺的具體實(shí)例包括苯二胺、二氨基二苯曱酮、萘二胺、雜環(huán)式芳香族二胺以及其它芳香族二胺等。作為前述苯二胺，例如可以列舉選自鄰苯二胺、間苯二胺和對苯二胺、2,4-二氨基曱苯、1，4-二氨基-2-甲氧基苯、1,4-二氨基-2-苯基苯、1，3-二氨基-4-氯苯等苯二胺所組成的組中的二胺等。作為前述二氨基二苯甲酮，例如可以列舉2,2，-二氨基二苯甲酮、3,3，-二氨基二苯曱酮等。作為前述萘二胺，例如可以列舉l，8-二氨基萘、1,5-二氨基萘等。作為前述雜環(huán)式芳香族二胺，例如可以列舉2,6-二氨基吡啶、2，4-二氨基吡咬、2,4-二氨基_均三嗪等。另外，芳香族二胺的其它實(shí)例包括4,4，-二氨基聯(lián)苯、4,4，-二氨基二苯基甲烷、4，4，-(9-亞芴基)-二苯胺、2,2，-雙(三氟曱基)_4,4，-二氨基聯(lián)苯、3,3，-二氯-4，4，-二氨基二苯基甲烷、2,2，-二氯-4，4，-二氨基聯(lián)苯、2，2，，5,5，-四氯聯(lián)苯胺、2，2-雙(4-氨基苯氧基苯基)丙烷、2，2-雙(4-氨基苯基)丙烷、2，2-雙(4-氨基苯基)-l，l，l,3,3，3-六氟丙烷、4，4，-二氨基二苯醚、3,4，-二氨基二苯醚、1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，4-雙(4-氨基苯氧基)苯、4，4'-雙(4-氨基苯氧基)聯(lián)苯、4，4'-雙(3-氨基苯氧基)聯(lián)苯、2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-l,l，l,3,3，3-六氟丙烷、4,4，-二氨基二苯基硫醚、4，4，-二氨基二苯石風(fēng)等。在這些當(dāng)中，作為上述二胺，2,2，-雙(三氟曱基)-4，4，-二氨基聯(lián)苯等是優(yōu)選的。本發(fā)明的光學(xué)薄膜可以通過將包含本發(fā)明聚合物的形成材料制膜來獲得。另外，作為光學(xué)薄膜的形成材料，只要不顯著降低取向性，除了本發(fā)明的聚合物以外，可以進(jìn)一步混合結(jié)構(gòu)不同的其它聚合物。這種混合用聚合物的實(shí)例是通用樹脂、工程塑料、熱塑性樹脂、熱固化性樹脂等。前述通用樹脂的實(shí)例是聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚曱基丙烯酸曱酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯樹脂等。前述工程塑料的實(shí)例是聚醋酸酯、聚碳酸酯、聚酰胺(尼龍)、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚對苯二曱酸丁二醇酯等。前述熱塑性樹脂的實(shí)例是聚苯硫醚、聚醚砜、聚酮、聚酰亞胺、聚對苯二曱酸環(huán)己烷二曱醇酯、聚芳酯、液晶聚合物等。前述熱固化性樹脂的實(shí)例是環(huán)氧樹脂、酚醛清漆樹脂等。在將這些混合用的聚合物與本發(fā)明的聚合物配合時(shí)，混合用聚合物的配合量例如為050質(zhì)量％,優(yōu)選為0~30質(zhì)量%。另外，根據(jù)需要，在前述形成材料中例如可以配合包含穩(wěn)定劑、增塑劑、金屬類等的各種添加劑。對本發(fā)明的光學(xué)薄膜的厚度沒有特定限制，通常，厚度為200jum以下。其中，主要從尋求圖像顯示裝置的薄型化的角度考慮，光學(xué)薄膜的厚度優(yōu)選為20jam以下，更優(yōu)選為15pm以下，還更優(yōu)選為10pm以下。另一方面，光學(xué)薄膜的厚度的下限根據(jù)補(bǔ)償對象的相位差而適宜i殳定，通常，該下限為l)im以上，優(yōu)選為2pm以上。通過涂布本發(fā)明的聚合物顯示光學(xué)單軸性，因此可以如上所述形成為薄膜狀。對本發(fā)明的光學(xué)薄膜的制造方法沒有特定限制，例如，可以通過將上述形成材料制膜，根據(jù)需要拉伸(或收縮)來制備。本發(fā)明的聚合物由于在溶劑中溶解性優(yōu)異，因此可以溶解在適宜溶劑之后制膜。尤其，通過在基材上涂布包含本發(fā)明的聚酰亞胺系聚合物的形成材料，可以形成顯示負(fù)的單軸性(nx-ny〉nz)的涂膜。也就是說，本發(fā)明的聚酰亞胺系聚合物不管基材有無取向，在基材上涂布時(shí)，均顯示了光學(xué)單軸性。作為上述形成材料的涂布方法，例如，可以列舉將形成材料加熱溶解后涂布的方法、將形成材料溶解在溶劑中而獲得的聚合物溶液涂布的方法等。從制備效率、分子取向控制和光學(xué)各向異性控制等方面考慮，前述涂布聚合物溶液的方法是優(yōu)選的。對上述溶劑沒有特定限制，可以適當(dāng)選擇，只要它能夠溶解本發(fā)明的聚合物等材料。具體地說，溶劑的實(shí)例是氯仿、二氯曱烷、四氯化>^1、二氯乙烷、四氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烯、氯苯、鄰二氯苯等卣代烴類；苯酚、對氯苯酚等苯酚類；苯、曱苯、二曱苯、甲氧基苯、1,2-二甲氧基苯等芳香族烴類；丙酮、曱乙酮、曱基異丁基酮、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、2-吡咯烷酮、N-甲基-2-吡咯烷酮等酮系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系溶劑；叔丁醇、甘油、乙二醇、三乙二醇、乙二醇單曱醚、二乙二醇二曱醚、丙二醇、二丙二醇、2-甲基-2，4-戊二醇等醇系溶劑；二曱基甲酰胺、二甲基乙酰胺等酰胺系溶劑；乙腈、丁腈等腈系溶劑；二乙醚、二丁醚、四氫呋喃等醚系溶劑；二硫化碳；乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等溶纖劑類以及其它等等。這些溶劑可以單獨(dú)使用l種，或者將兩種以上并用。從形成容易涂布的粘度的觀點(diǎn)出發(fā)，上述聚合物溶液例如在每100質(zhì)量份溶劑中優(yōu)選配合5~50質(zhì)量份，更優(yōu)選IO~40質(zhì)量份的形成材料。另外，涂布方法可以用旋轉(zhuǎn)涂布法、輥涂法、流涂法、印刷法、浸涂法、流延成膜法、棒涂法、凹版印刷法等適宜方法進(jìn)行。在涂布前述聚合物溶液后，可以將基材上的涂膜干燥。干燥例如可以通過自然干燥、風(fēng)干、加熱干燥等方法進(jìn)行。在加熱干燥時(shí)，對溫度沒有特定限制，例如可以為25~250°C,優(yōu)選為40~200°C。通過干燥處理，最終獲得的薄膜中殘留的溶劑量優(yōu)選調(diào)節(jié)至1質(zhì)量°/。以下，更優(yōu)選調(diào)節(jié)至0.5質(zhì)量％以下。這是因?yàn)闅埩羧軇┝可俚谋∧ぞ哂袃?yōu)異的尺寸穩(wěn)定性，不容易發(fā)生光學(xué)特性的經(jīng)時(shí)變化。對涂布上述形成材料的基材沒有特定限制，例如該基材可以是合成樹脂制的基材，或者是玻璃基材、硅片之類的無機(jī)化合物制的基材。作為合成樹脂制基材，可以列舉用澆鑄法制作的薄膜基材；將熔融聚合物制膜后通過拉伸處理制備的薄膜基材等。在這些當(dāng)中，從可以精密地涂布的觀點(diǎn)出發(fā)，通過實(shí)施拉伸處理而增加機(jī)械強(qiáng)度的薄膜基材是優(yōu)選的。另外，使用透明性優(yōu)異的基材是優(yōu)選的。通過使用透明性優(yōu)異的基材，可以不從基材上剝離在該基材上形成的光學(xué)薄膜，原樣用作光學(xué)部件。上述基材的實(shí)例是醋酸酯樹脂(例如三乙酰纖維素等)、聚酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸類樹脂、聚降冰片烯樹脂、纖維素樹脂、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯酸類樹脂以及它們的混合物等。另外，也可以使用液晶聚合物等。此外，作為基材，例如可以使用將在側(cè)鏈上具有取代酰亞胺基或者未取代酰亞胺基的熱塑性樹脂和在側(cè)鏈上具有取代苯基或未取代苯基和腈基的熱塑性樹脂的混合物等制膜所形成的薄膜。這種薄膜在日本專利申請公開2001-343529號(hào)公報(bào)中有記載?；牡暮穸壤鐬?2idm以上200jum以下，優(yōu)選為20pm以上150^im以下，更優(yōu)選為25^im以上100nm以下。在基材厚度為12lum以上時(shí)，可以更精密地涂布。在基材厚度為200inm以下時(shí)，在安裝在液晶面板上時(shí)，可以進(jìn)一步抑制薄膜的變形量。如上所述，含有本發(fā)明的聚酰亞胺系聚合物的形成材料可以通過在基材上涂布而形成顯示光學(xué)單軸性的涂膜。通過使用這種涂膜作為本發(fā)明的光學(xué)薄膜，可以提供薄膜狀的單軸性(nx-ny>nz)的相位差4反。此外，通過拉伸或收縮這種涂膜，可以形成顯示nx〉ny〉nz的雙軸性的光學(xué)薄膜。作為上述涂膜的拉伸方法，例如，在薄膜的長度方向上單軸拉伸的自由端縱向拉伸法、薄膜的長度方向固定的同時(shí)在寬度方向上單軸拉伸的固定端橫向拉伸法等是優(yōu)選的。另外，拉伸方法例如可以是在長度方向和寬度方向兩個(gè)方向上拉伸的逐次或同時(shí)雙軸拉伸法等。另外，在形成有涂膜的基材為可拉伸的基材時(shí)，通過拉伸該基材來拉伸前述涂膜是優(yōu)選的。根據(jù)該方法，由于基材被均勻地拉伸，隨著該拉伸，可以間接而均勻地拉伸涂膜。另外，該方法從可適用于連續(xù)生產(chǎn)工序、且制品的批量生產(chǎn)率高等觀點(diǎn)來看是優(yōu)選的。另外，上述基材與涂膜可以共同拉伸。另外，在形成有涂膜的基材是可收縮的基材時(shí)，通過使該基材收縮，可以間接地收縮該涂膜。此時(shí)，優(yōu)選利用拉伸機(jī)等控制收縮率。作為該控制方法，例如，可以列舉暫時(shí)開放拉伸機(jī)的夾具、在前述基材的輸送方向上松弛的方法，慢慢縮小拉伸機(jī)的夾具的間隔的方法等。在本發(fā)明的光學(xué)薄膜中，厚度方向相位差值Rth、面內(nèi)方向的相位差值Re例如可以通過調(diào)節(jié)所使用的聚合物材料的結(jié)構(gòu)和分子量以及光學(xué)薄膜的厚度、拉伸(或收縮)比率等來控制。包含具有上述式(I)的重復(fù)單元的聚合物的光學(xué)薄膜的波長色散接近平坦。具體地說，本發(fā)明的光學(xué)薄膜滿足0.97^Rth(450)/Rth(550)化06,1.03^Rth(650)/Rth(550)》0.95的關(guān)系式。尤其，在本發(fā)明的聚合物中，通過增加式(I)的導(dǎo)入量，所形成的光學(xué)薄膜顯示了諸如0.97SRth(450)/Rth(550)S1.03，尤一其0.97^Rth(450)/Rth(550)Sl.02的更近似平坦色散的波長色散。同樣地，通過增加式(I)的導(dǎo)入量，所形成的光學(xué)薄膜顯示了諸如1.032Rth(650)/Rth(550)20.97,尤其1.03》Rth(650)/Rth(550)20.98的更近似平坦色散的波長色散。由以往公知的聚酰亞胺系聚合物形成的薄膜顯示越在短波長側(cè)相位差越大的波長色散。具體地說，在由公知的聚酰亞胺系聚合物形成的薄膜中，通常Rth(450)/Rth(550)>1.06，Rth(650)/Rth(550)〈約0.95。這與導(dǎo)入藥骨架作為重復(fù)單元的聚酰亞胺相同。本發(fā)明的光學(xué)薄膜通過使用導(dǎo)入了具有三鍵基團(tuán)的藥骨架的聚合物，可以使波長色散更接近平坦色散。這是首次由本發(fā)明人得出的見解。另外，在本發(fā)明的光學(xué)薄膜顯示nx〉ny〉nz的關(guān)系時(shí)，該光學(xué)薄膜的面內(nèi)相位差值滿足Re(450)/Re(550)S1.06、Re(650)/Re(550)》0.95的關(guān)系式，通過增加式(I)的導(dǎo)入量，面內(nèi)相位差值顯示了更近似平坦色散的波長色散。另外，Rth(450)、Rth(550)和Rth(650)分別表示在波長450nm、波長550nm和波長650nm下的厚度方向相位差值。厚度方向相位差值通過Rth(X)^nx-nz)xd求得。Re(450)、Re(550)和Re(650)分別表示在波長450nm、波長550nm和波長650nm下的面內(nèi)相位差值。面內(nèi)相位差值通過Re(Xh(nx-ny)xd求得。其中，nx表示薄膜面內(nèi)的X軸方向的折射率，ny表示薄膜面內(nèi)的Y軸方向的4斤射率，nz表示與前述X軸方向和Y軸方向正交的方向的折射率，d表示薄膜的厚度(nm)。X軸方向是薄膜面內(nèi)的折射率變?yōu)樽畲蟮姆较?，Y軸方向是該面內(nèi)與X軸正交的方向。本發(fā)明的光學(xué)薄膜的雙折射率可以根據(jù)式(I)的導(dǎo)入量、聚酰亞胺的結(jié)構(gòu)等來適宜設(shè)計(jì)。本發(fā)明光學(xué)薄膜的波長550nm下的雙折射率(Anxz(550)=nx-nz)優(yōu)選為0.01以上，更優(yōu)選為0.015~0,070，特另'J優(yōu)選為0,0200.055。本發(fā)明的光學(xué)薄膜可以用于任何適當(dāng)?shù)挠猛?。本發(fā)明的光學(xué)薄膜的代表性用途例如可以用作液晶顯示裝置的X/4板、入/2板、視角擴(kuò)大薄膜等液晶顯示裝置的相位差板。另外，本發(fā)明的光學(xué)薄膜例如可以用于液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示器和等離子體顯示器等圖像顯示裝置的防反射膜等。本發(fā)明的光學(xué)薄膜能夠以層壓其它光學(xué)部件的光學(xué)層壓體的形式使用。作為該光學(xué)層壓體，例如可以列舉在本發(fā)明的光學(xué)薄膜上層壓具有保護(hù)層的起偏振器的層壓體(偏振片)、在本發(fā)明的光學(xué)薄膜上層壓其它相位差板的層壓體等。構(gòu)成這些層壓體的光學(xué)薄膜等通常使用公知的粘合劑(或者粘結(jié)劑)來層壓和粘合。該粘合劑(或粘結(jié)劑)的實(shí)例是溶劑型粘合劑、乳液型粘合劑、壓敏粘合劑、再濕性粘合劑、縮聚型粘合劑、無溶劑型粘合劑、薄膜狀粘合劑、熱熔型粘合劑等。上述起偏振器可以采用任何適宜的起偏振器，只要它能夠?qū)⒆匀还饣蚱窆廪D(zhuǎn)換為直線偏振光。上述起偏振器優(yōu)選是含有碘或二色性染料的、以乙烯醇系聚合物為主要成分的拉伸薄膜。起偏振器的厚度通常為5iLim50pm。上述保護(hù)層用于防止起偏振器收縮或膨脹。另外，上述保護(hù)層用于防止起偏振器被紫外線所劣化。保護(hù)層優(yōu)選是含有纖維素系聚合物或者降冰片烯系聚合物的高分子薄膜。保護(hù)層的厚度通常為10pm~200wm。另外，上述保護(hù)層可以同時(shí)用作形成本發(fā)明光學(xué)薄膜時(shí)的基材。本發(fā)明的圖像顯示裝置以使用本發(fā)明的光學(xué)薄膜為條件，可以采用各種顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置可以用于任意適當(dāng)?shù)挠猛?。在液晶顯示裝置的情況下，該用途例如是OA器材如個(gè)人電腦監(jiān)視器、筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)、復(fù)印機(jī)等；便攜式器材如手機(jī)、手表、數(shù)碼相機(jī)、便攜式信息終端(PDA)、便攜式游戲機(jī)等；家用電器如攝像機(jī)、微波爐等；安裝在車輛上的器材如后面監(jiān)視器、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)用監(jiān)視器、汽車聲頻裝置等；展示器材如商店用信息用監(jiān)視器等；警戒器材如監(jiān)視用監(jiān)視器等；護(hù)理和醫(yī)療器材如護(hù)理用監(jiān)視器、醫(yī)療用監(jiān)視器等。包括液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示器和等離子體顯示器等的本發(fā)明的圖像顯示裝置的優(yōu)選用途是電視。所述電視的畫面尺寸優(yōu)選為17寸寬屏(373mmx224mm)以上，更優(yōu)選為23寸寬屏(499mmx300mm)以上，尤其優(yōu)選為32寸寬屏(687mmx412mm)以上。包含本發(fā)明聚酰亞胺系聚合物的聚合物由于具有優(yōu)異的透明性和耐熱性，另外顯示了規(guī)定的相位差，因此適合用作上述光學(xué)薄膜的形成材料。另外，作為除了光學(xué)薄膜以外的用途，本發(fā)明的聚合物可以用作塑料透鏡、棱鏡、光盤、光纖、光刻膠、全息圖等各種光學(xué)部件的形成材料。另外，本發(fā)明的聚合物例如可以用作燃料電池用電解質(zhì)膜、半導(dǎo)體用涂層材料(芯片表面保護(hù)材料、芯片層間絕緣材料等)、半導(dǎo)體裝置用密封材料、柔性電路基板用材料、光取向膜用材料、光波導(dǎo)材料、耐宇宙線材料(可用于人造衛(wèi)星等)、分離膜用材料(氣體分離用途等)、光刻膠材料、打印機(jī)用材料(彩色打印機(jī)用調(diào)色劑轉(zhuǎn)印帶等)等。此外，本發(fā)明的聚合物由于具有優(yōu)異的溶劑溶解性，因此可以用作保護(hù)部件表面的涂層劑。實(shí)施例接下來通過本發(fā)明的實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。然而，本發(fā)明不僅僅限于以下實(shí)施例。另外，實(shí)施例中所用的各種分析方法如下所述。(化學(xué)結(jié)構(gòu)的測定)使用核磁共振波譜儀(Bruker公司制造，產(chǎn)品名AVANCEII300)(測定溶劑氖代氯仿或者氘代DMSO,頻率300MHz,觀測核]H、13C，測定溫度25°C)測定。(紅外吸收光譜的測定)使用紅外分光光度計(jì)(日本分光(抹)制造，產(chǎn)品名FT/IR畫470plus)測定。(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的測定)通過使用差示掃描量熱計(jì)(七4-—(林)制造，產(chǎn)品名DSC-6200)，基于JISK7121(1987)(塑料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度測定方法)的方法求得。具體地說，將3mg的粉末樣品在氮?dú)鈿夥障?氣體流量50mL/min)升溫(加熱速度10°C/min),測定2次，采用第二次的數(shù)據(jù)。量熱計(jì)使用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)(銦)進(jìn)行溫度校準(zhǔn)。(分子量測定)將各試樣調(diào)節(jié)為0.1。/。DMF溶液，用0.45jum膜過濾器過濾，然后使用TOSOHCorporation制造的HLC-8120GPC作為GPC本體，使用RI(內(nèi)裝于GPC本體)作為檢測器，測定重均分子量。具體地說，柱溫度為4(TC，泵流量為0.40mL/min,預(yù)先用分子量已知的標(biāo)準(zhǔn)聚環(huán)氧乙烷的校準(zhǔn)曲線進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，由聚環(huán)氧乙烷換算分子量獲得分子量。另外，所使用的柱為串聯(lián)連接superAWM國H(直徑6.0mmx15cm)、superAW4000(直徑6.0mmxl5cm)和superAW2500(直徑6.0mmx15cm)的柱。所用流動(dòng)相是將1Ommol的LiBr和1Ommol的磷酸投入到容量瓶內(nèi)，然后添加DMF使總量為1L而獲得。(Anxz、Re(X)、Rth(X)的測定)使用王子計(jì)測機(jī)器(株)制造的商品名"KOBRA-WPR"在23°C和波長入下測定。將波長X的光從距樣品法線40度的角度斜射入，將所測定的值(R40入)換算為Rth(入)來求得Rth(X)。(折射率的測定)使用阿貝折射率計(jì)(ATAGOCo.，Ltd.制造，產(chǎn)品名"DR-M4")在23。C下測定。(實(shí)施例1)(二乙炔基藥的合成)在氮?dú)鈿夥障?，?.43g的雙(芐腈)二氯鈀(II)和0.14g的石典化亞銅(I):容解在19mL二噁烷中，然后在其中添加4.70g的三(叔丁基膦)、4.54g的二異丙基胺、4.41g的三甲基甲硅烷基乙炔和10.0g的2,7-二溴-9,9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)芴，在室溫下攪拌24小時(shí)。此后，在減壓下除去溶劑，通過使用己烷和醋酸乙酯的混合溶劑作為展開溶劑的硅膠填充柱提純殘留物(殘?jiān)?。此外，在己烷/氯仿=2/1的混合溶劑中反復(fù)重結(jié)晶，獲得5.30g的白色化合物。所得化合物用NMR測定，是下述式(l)所示的9，9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2，7-雙(三甲基甲硅烷基乙炔基)藥。(聚合物的合成)在氮?dú)鈿夥障?，?.26g的9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(三曱基甲硅烷基乙炔基)芴、0.43g的2,2，-雙(三氟曱基)-4，4，-二氨基聯(lián)苯和0.65g的1,1，-二氯聯(lián)苯-3,3，,4,4，-四羧酸二肝溶解在3.11g的DMAC中，在室溫下攪拌7小時(shí)。然后，添力口9.0g的DMAC,進(jìn)一步添力口0.34g的p比口定和0.44g的醋酸酐，攪拌16小時(shí)。將所得反應(yīng)溶液滴加到異丙醇(IPA)中，再沉淀。過濾所得的聚合物，用IPA洗滌兩次，獲得1.16g的白色聚合物。所得聚合物的組成通過NMR確認(rèn)是下述式(2)(其中，m:n=26:74,R是C三C-Si(CH3)3)表示的聚酰亞胺。另外，該聚合物的重均分子量為28100,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為174°C。(相位差板的制備)將所得聚合物溶解在環(huán)己酮中，通過旋轉(zhuǎn)涂布法涂布在玻璃上，在8(TC下干燥5分鐘，然后進(jìn)一步在150。C下干燥30分鐘，制備聚酰亞胺薄膜。該薄膜的干燥厚度為5.7pm(厚度測定儀器SLOAN公司制造，Dektak)。所得薄膜的550nm下的雙折射率(Anxz)為0.040(參照表1)。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果如圖l所示。實(shí)施例l的Rth(450)/Rth(550)4.05。另夕卜，在表l中，[nd]表示用鈉D線(589nm)測定的折射率(以下各實(shí)施例和比較例中的[rid]同樣)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>(實(shí)施例2)除了將實(shí)施例1中的9,9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2，7-雙(三曱基曱硅烷基乙炔基)芴改變?yōu)?.51g、將2,2，-雙(三氟曱基)_4，4，-二氨基聯(lián)苯改變?yōu)?.29g以外，與實(shí)施例1同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為26300,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為190。C。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(2)(其中，m:n=50:50，R是C三C-Si(CH3)3)表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度5.5)Lim)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.023。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果如圖l所示。實(shí)施例2的Rth(450)/Rth(550)=l.03。(實(shí)施例3)(二乙炔基藥的合成)除了用2-曱基-3-丁炔-2-醇代替三曱基曱硅烷基乙炔以外，用與實(shí)施例l所示的9，9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2，7-雙(三甲基甲硅烷基乙炔基)芴的合成法同樣的方法合成。所得化合物用NMR測定，是下述式(3)所示的9，9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2，7-雙(2-羥基-2-甲基-3-丁炔基)芴。(3)(聚合物的合成)在氮?dú)鈿夥障?，?.34g的9，9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2，7-雙(2-羥基-2-甲基-3-丁炔基)芴、0.60g的2，2，-雙(三氟曱基)-4，4，-二氨基聯(lián)苯和0.90g的1，1，畫二氯聯(lián)苯-3，3，，4，4，-四羧酸二酐溶解在3.11g的DMAC中，在室溫下攪拌7小時(shí)。此后，與實(shí)施例l同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為23100,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為185。C。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(2)(其中，m:n=25:75,R是C三C-C(CH3)2(OH))表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度5.6pm)。所得薄膜的55Onm下的Anxz為0.043。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果如圖2所示。實(shí)施例3的Rth(450)/Rth(550)=l.06。(實(shí)施例4)除了將實(shí)施例3中的9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(2-鞋基-2-曱基-3-丁炔基)芴改變?yōu)?.67g、將2,2，-雙(三氟曱基)—4，4，-二氨基聯(lián)苯改變?yōu)?.40g以外，與實(shí)施例3同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為34000,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為192。C。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(2)(其中，m:n=50:50,R是C三C-C(CH3)2(OH))表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度4.5|iim)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.028。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果如圖2所示。實(shí)施例4的Rth(450)/Rth(550)=l.03。(實(shí)施例5)與上述實(shí)施例l的二乙炔基藥的合成同樣地合成式(1)所示的9，9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2,7-雙(三甲基甲硅烷基乙炔基)勿。在氮?dú)鈿夥障?，?.32g的前述9，9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2，7-雙(三甲基甲硅烷基乙炔基)芴、0.54g的2，2，-雙(三氟曱基)_4，4，-二氨基聯(lián)苯和1.00g的2,2，-雙(3,4，-二羧基苯基)六氟丙烷溶解在4.34g的DMAC中，在室溫下攪拌7小時(shí)。然后，添加12.41g的DMAC,進(jìn)一步添加0.43g的吡咬和0.55g的醋酸酐,攪拌16小時(shí)。將所得反應(yīng)溶液滴加到異丙醇(IPA)中，再沉淀。過濾所得的聚合物，用IPA洗滌兩次，獲得1.16g的白色聚合物。所得聚合物的組成通過NMR確認(rèn)是下述式(5)(其中，m:n=24:76)表示的l《醜亞胺。另外，該聚合物的重均分子量為201000,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為174.7°C。將上述聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度4.0pm)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.028。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果如圖3所示。實(shí)施例5的Rth(450)/Rth(550h1.05。另夕卜，nd是1.63。(實(shí)施例6)除了將實(shí)施例5中的9,9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2，7-雙(三曱基甲硅烷基乙炔基)芴改變?yōu)?.64g、將2，2，-雙(三氟甲基)_4，4，-二氨基聯(lián)苯改變?yōu)?.36g以外，與實(shí)施例5同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為179000,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為188.rc。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(5)(其中，m:n=48:52)表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度6.2pm)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.018。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果如圖3所示。實(shí)施例6的Rth(450)/Rth(550)二1.03。另外，nd為1.64。(實(shí)施例7)除了將實(shí)施例5中的9，9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2,7-雙(三曱基甲硅烷基乙炔基)芴改變?yōu)?.48g、將2,2，-雙(三氟甲基)_4，4，-二氨基聯(lián)苯改變?yōu)?.09g、將2，2，-雙(3,4，-二羧基苯基)六氟丙烷改變?yōu)?.50g以外，與實(shí)施例5同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為120000,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為168.5°C。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(5)(其中，m:n=77:23)表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度6.6|iim)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.0082。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果如圖3所示。實(shí)施例7的Rth(450)/Rth(550"0.98。另夕卜，nd是1.66。(實(shí)施例8)除了將實(shí)施例5中的9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2，7-雙(三甲基曱硅烷基乙炔基)芴改變?yōu)?.64g、不添加2，2，-雙(三氟甲基)_4,4，-二氨基聯(lián)苯、將2,2，-雙(3,4，-二羧基苯基)六氟丙烷改變?yōu)?.50g以外，與實(shí)施例5同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為44900,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為174.rC。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(5)(其中，m:n=100:0)表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度5.6pm)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.0027。另夕卜，rid為1.71。(比較例1)除了將實(shí)施例l中的9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(三甲基甲硅烷基乙炔基)芴改變?yōu)?,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)芴以外，與實(shí)施例l同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為22100,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為19TC。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(2)(其中，m:n=26:74,R是H(氫原子))表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度5.7pm)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.041。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果在圖4中示出。比專交例1的Rth(450)/Rth(550)=1.07。(比較例2)除了將實(shí)施例2中的9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(三曱基甲硅烷基乙炔基)芴改變?yōu)?,9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)芴以外，與實(shí)施例2同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為18300,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為185°C。所得聚合物的組成被確認(rèn)是用前述式(2)(其中，m:n=50:50,R是H(氫原子))表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度4.4pm)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.032。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果在圖4中示出。比較例2的Rth(450)/Rth(550)=1.07。(比較例3)在氮?dú)鈿夥障拢瑢?.00g的2,2，-雙(三氟曱基)-4^，-二氨基聯(lián)苯和1.13g的1，1，-二氯聯(lián)苯-3,3，，4,4，-四羧酸二酐溶解在3.11g的DMAC中，在室溫下攪拌7小時(shí)。此后，與實(shí)施例l同樣地合成聚合物。另外，該聚合物的重均分子量為100000，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為178°C。所得聚合物的組成被確認(rèn)是下述式(4)表示的聚酰亞胺。將所得聚合物與實(shí)施例l同樣地制膜(干燥厚度4.6jum)。所得薄膜的550nm下的Anxz為0.075。測定該薄膜的厚度方向相位差的波長色散。結(jié)果在圖4中示出(然而，為了比較，比較例3的結(jié)果一并在圖l中示出)。比較例3的Rth(450)/Rth(550)^1.07。(4)比較實(shí)施例1和2的相位差的波長色散與比較例3的相位差的波長色散，可以看出實(shí)施例l和2的波長變成了平坦色散。另外，可以看出，與實(shí)施例l相比，9，9-雙(3-曱基-4-氨基苯基)-2，7-雙(三甲基曱硅烷基乙炔基)芴導(dǎo)入量多的實(shí)施例2的薄膜的光學(xué)特性更接近平坦色散。對比實(shí)施例3與實(shí)施例4以及對比實(shí)施例5與實(shí)施例6也具有同樣的結(jié)果。權(quán)利要求1.一種光學(xué)薄膜，其包含具有用下述通式(I)表示的重復(fù)單元的聚合物，其中，在式(I)中，A、A’、B和B’各自表示取代基，a和a’表示對應(yīng)的A和A’的取代數(shù)(0～4的整數(shù))，b和b’表示對應(yīng)的B和B’的取代數(shù)(0～3的整數(shù))，A、A’、B和B’各自獨(dú)立地表示鹵素或者碳數(shù)1～4的烷基，R1和R2各自獨(dú)立地表示氫、鹵素、碳數(shù)1～10的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的乙炔基、SiR3R4R5(R3～R5各自是碳數(shù)1～6的烷基或芳基)或CR6R7(OH)(R6和R7各自是碳數(shù)1～4的烷基)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光學(xué)薄膜，其中前述聚合物是聚酰亞胺系聚合物。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)薄膜，其中前述聚酰亞胺系聚合物具有用下述通式(II)表示的重復(fù)單元，其中，在式(II)中，Y表示共價(jià)鍵或者選自CH2基、C(CH3)2基、C(CZ3)2基(其中，Z是鹵素)、CO基、O原子、S原子、S02基、Si(CH2CH3)2基和N(CH3)基所組成的組中的原子或基團(tuán)，E是取代基，e表示E的取代數(shù)(0~3的整數(shù))，E是卣素、碳數(shù)1~3的烷基、碳數(shù)13的卣代烷基、苯基或者取代苯基，在具有多個(gè)E時(shí)，它們各自是相同或不同的。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)薄膜，其中前述聚酰亞胺系聚合物具有用下述通式(II)表示的重復(fù)單元和下述通式(III)表示的重復(fù)單元，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中，在式(II)中，Y表示共價(jià)鍵或者選自CHb基、C(CH3)2基、C(CZ3)2基(其中，Z是卣素)、CO基、O原子、S原子、so2基、Si(CH2CH3)2基和N(CH3)基所組成的組中的原子或基團(tuán)，E是取代基，e表示E的取代數(shù)(0~3的整數(shù))，E是卣素、碳數(shù)1~3的烷基、碳數(shù)13的卣代烷基、苯基或者取代苯基，在具有多個(gè)E時(shí)，它們各自是相同或不同的；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中，在通式(III)中，X表示共價(jià)鍵或者選自CH2基、C(CH3)2基、C(CZ3)2基(其中，Z是鹵素)、CO基、O原子、S原子、S02基、Si(CH2CH3)2基和N(CH3)基所組成的組中的原子或基團(tuán)，G和H是取代基，g表示G的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，h表示H的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，G和H各自是相同或不同的，表示選自卣素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷酯基和取代烷酯基所組成的組中的原子或基團(tuán)，在具有多個(gè)時(shí)，它們各自是相同或不同的，ql表示03的整數(shù)，q2表示l3的整數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求l~4的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，其中前述通式(I)用下述通式(IV)表示，(IV)其中，在式(IV)中，RSR"各自獨(dú)立地表示氫或者曱基，1^和112與式(I)含義相同。6.根據(jù)權(quán)利要求l~5的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，其中前述1^和112各自獨(dú)立地是氫、碳數(shù)16的烷基、三曱基曱硅烷基或者C(CH3)2(OH)基。7.根據(jù)權(quán)利要求l~6的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，其含有5mol。/。以上的用前述通式(I)表示的重復(fù)單元。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光學(xué)薄膜，其中前述聚合物是用下述通式(V)表示的聚酰亞胺系聚合物其中，在式(V)中，Aa、A，a，、Bb和B，b,以及R^和R2與前述式(I)含義相同，X和Y表示共價(jià)鍵或者選自CH2基、C(CH3);基、C(CZ3)2基(其中，Z是囟素)、CO基、O原子、S原子、SO:基、Si(CH2CH3)2基和N(CH3)基所組成的組中的原子或基團(tuán)，E是取代基，e是E的取代數(shù)(0~3的整數(shù))，E是卣素、碳數(shù)1~3的烷基、碳數(shù)13的卣代烷基、苯基或者取代苯基，在具有多個(gè)E時(shí)，它們各自是相同或不同的，G和H是取代基，g表示G的取代數(shù)(04的整數(shù))，h表示H的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，G和H各自是相同或不同的，表示選自鹵素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷酯基和取代烷酯基所組成的組中的原子或基團(tuán)，在具有多個(gè)時(shí)，它們各自是相同或不同的，ql表示03的整數(shù)，q2表示l3的整數(shù)，m表示卜90mo10/0,n表示10~70mol%。9.根據(jù)權(quán)利要求l~8的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，其由將前述聚合物涂布到基材上所獲得的涂膜構(gòu)成。10.根據(jù)權(quán)利要求l~9的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，其厚度為20pm以下。11.根據(jù)權(quán)利要求l~IO的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，所述光學(xué)薄膜顯示Rth(450)/Rth(550)《1.06，其中，Rth(450)和Rth(550)分別表示在波長450nm和波長550nm下的厚度方向相4立差4直。12.根據(jù)權(quán)利要求l~ll的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，所述光學(xué)薄膜顯示Rth(650)/Rth(550)20.95,其中，Rth(550)和Rth(650)分別表示在波長550nm和波長650nm下的厚度方向相位差值。13.根據(jù)權(quán)利要求l~12的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，所述光學(xué)薄膜顯示nx-ny〉nz，其中，nx表示薄膜面內(nèi)的折射率最大的方向(X軸方向)的折射率，ny表示在該面內(nèi)與X軸方向正交的方向(Y軸方向)的折射率，nz表示與X軸和Y軸正交的方向的折射率。14.根據(jù)權(quán)利要求l~12的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜，所述光學(xué)薄月莫顯示nx>ny>nz，其中，nx表示薄膜面內(nèi)的折射率最大的方向(X軸方向)的折射率，ny表示在該面內(nèi)與X軸方向正交的方向(Y軸方向)的折射率，nz表示與X軸和Y軸正交的方向的折射率。15.—種圖像顯示裝置，其具有權(quán)利要求l~14的任一項(xiàng)所述的光學(xué)薄膜。16.—種下述通式(X)所表示的二乙炔基芴，(X)其中，在式(X)中，A、A，、B和B，各自表示取代基，a和a，表示對應(yīng)的A和A，的取代數(shù)(0~4的整數(shù))，b和b，表示對應(yīng)的B和B，的取代數(shù)(0~3的整數(shù))，A、A，、B和B，各自獨(dú)立地表示面素或者碳數(shù)l~4的烷基，R1和R2各自獨(dú)立地表示氫、卣素、碳數(shù)l~1O的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的乙炔基、SiR3R4R5(R3~R5各自是碳數(shù)l~6的烷基或芳基)、CR6R7(OH)(R6和R7各自是碳數(shù)l~4的烷基)，D和D'各自獨(dú)立地表示OH基、NHR基(其中，所述R表示氫或碳數(shù)14的烷基)、COOH基或者NCO基。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的二乙炔基藥，其中前述通式(X)用下述通式(XI)表示，(XI)其中，在式(XI)中，RSR"各自獨(dú)立地表示氬或甲基，R1、R2、D和D，與式(X)含義相同。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的二乙炔基芴，其中RS和R"均為甲基、W和R"均為氫。19.根據(jù)權(quán)利要求1618的任一項(xiàng)所述的二乙炔基芴，其中前述R^和R^各自獨(dú)立地是氫、碳數(shù)16的烷基、三甲基甲硅烷基或C(CH3)2(OH)基。20.根據(jù)權(quán)利要求16~18的任一項(xiàng)所述的二乙炔基芴，其中前述W和I^的至少任意一個(gè)是三曱基甲硅烷基。21.根據(jù)權(quán)利要求16~20的任一項(xiàng)所述的二乙炔基芴，其中前述D和D，是NH2基。22.—種聚合物，其具有權(quán)利要求16~21的任一項(xiàng)所述的二乙炔基芴作為重復(fù)單元。全文摘要本發(fā)明的光學(xué)薄膜包含用下述通式(V)表示的聚酰亞胺系聚合物。本發(fā)明的光學(xué)薄膜顯示了相位差的波長色散從短波長側(cè)到長波長側(cè)幾乎不變的光學(xué)特性。本發(fā)明的光學(xué)薄膜可以典型地用作液晶顯示裝置的相位差板。文檔編號(hào)G02B5/30GK101523250SQ20078003696公開日2009年9月2日申請日期2007年9月21日優(yōu)先權(quán)日2006年10月2日發(fā)明者大森裕,飯?zhí)锩粜?黑木美由紀(jì)申請人:日東電工株式會(huì)社