專利名稱：清潔方法、設(shè)備和清潔系統(tǒng)的制作方法
清潔方法、設(shè)備和清潔系統(tǒng)
本發(fā)明涉及一種清潔方法、 一種設(shè)備和一種清潔系統(tǒng)。光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上
的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情
況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述ic
的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、 一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)
絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。
在設(shè)備運(yùn)行過程中光學(xué)元件表面(例如在極紫外(EUV)光刻設(shè)備中)會經(jīng)歷污染物生長(例如碳化物)。這樣的污染物可能會由光學(xué)表面的環(huán)境引入(例如，真空環(huán)境、抗蝕劑、輻射源等)。在EUV光刻設(shè)備中，通常多層反射鏡提供這些光學(xué)表面。為了去除這些污染物，需要清潔這些光學(xué)部件。清潔方法的示例是基于在光學(xué)路徑上用由例如熱絲產(chǎn)生的原子氫清潔反射鏡。
根據(jù)實(shí)施例，提供一種用以清潔設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件的方法，所述設(shè)備構(gòu)建成將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，并包括按序列排列在輻射束路徑上的多個光學(xué)元件，其中所述方法包括使用比所述序列中第一光學(xué)元件的累積清潔時間段更短的累積清潔時間段清潔所述序列中 的第二光學(xué)元件，所述第二光學(xué)元件在所述設(shè)備運(yùn)行過程中接收第二輻射 劑量，所述第一光學(xué)元件在所述設(shè)備運(yùn)行過程中接收第一輻射劑量，所述 第二輻射劑量低于所述第一輻射劑量。
例如，所述清潔方法包括使用比所述序列中的一個或更多個第一光 學(xué)元件的累積清潔時間段更短的累積清潔時間段清潔所述序列中的一個 或更多個第二光學(xué)元件，所述一個或更多個第一光學(xué)元件在所述設(shè)備運(yùn)行 過程中接收一個或更多個第一輻射劑量，所述一個或更多個第二光學(xué)元件 在所述設(shè)備運(yùn)行過程中接收一個或更多個相對低的第二輻射劑量，第二輻 射劑量比每個相對高的第一輻射劑量低。
根據(jù)另一實(shí)施例，沿所述輻射束的路徑看，所述第二光學(xué)元件位于所 述第一光學(xué)元件的下游。
此外，在實(shí)施例中，所述方法還包括提供輻射劑量信息，所述信息 包括或涉及在所述設(shè)備運(yùn)行過程中所述第二光學(xué)元件接收的輻射量；和提 供用于清潔所述第二光學(xué)元件的清潔周期，使得有關(guān)所述第二光學(xué)元件的 清潔周期的長度與所述第二光學(xué)元件的所述輻射劑量信息相互關(guān)聯(lián)。
優(yōu)選地，所述方法包括在所述設(shè)備的運(yùn)行周期之間應(yīng)用不同的清潔周 期，其中在一個或更多個所述清潔周期過程中僅所述第一光學(xué)元件被清
潔，而所述第二光學(xué)元件不被清潔。
此外，根據(jù)實(shí)施例，所述設(shè)備包括支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造成將圖案形成裝 置保持在輻射束路徑中圖案形成裝置位置上，其中沿所述輻射束的傳播方 向看，所述第一光學(xué)元件優(yōu)選位于所述圖案形成裝置位置的上游，并且所 述第二光學(xué)元件優(yōu)選位于所述圖案形成裝置位置的下游。
在有利的實(shí)施例中，所述第一光學(xué)元件接收第一輻射劑量的EUV輻
射，并且所述第二光學(xué)元件接收第二輻射劑量的EUV輻射。
根據(jù)實(shí)施例，提供一種器件制造方法，包括
使用光學(xué)元件序列將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中所述光學(xué) 元件接收不同的輻射劑量，并且所述光學(xué)元件的污染速率與所述輻射劑量 相互關(guān)聯(lián)；
執(zhí)行多個清潔周期以清潔至少一個所述光學(xué)元件，每個清潔周期包括基于所述光學(xué)元件接收的輻射劑量清潔所述序列的光學(xué)元件，使得已經(jīng)接 收了低輻射劑量的光學(xué)元件相對于已經(jīng)接收了高于所述低輻射劑量的輻 射劑量的光學(xué)元件，在更短的時間周期內(nèi)或以更少頻次進(jìn)行清潔。
根據(jù)實(shí)施例，提供一種設(shè)備，包括
照射系統(tǒng)，其構(gòu)建成調(diào)節(jié)輻射束；
支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D 案在所述輻射束橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化的輻射束； 襯底臺，其構(gòu)造成保持襯底；
投影系統(tǒng)，其構(gòu)建成將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分
上；禾口
清潔系統(tǒng)，其構(gòu)建成清潔所述設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件，所述清 潔系統(tǒng)構(gòu)建成在比所述照射系統(tǒng)的光學(xué)元件的累積清潔時間段更短的累 積清潔時間段內(nèi)清潔所述投影系統(tǒng)的光學(xué)元件。
根據(jù)實(shí)施例，提供一種適于清潔設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件的清潔 系統(tǒng)，所述光學(xué)元件排列在由所述設(shè)備執(zhí)行的處理過程中用到的輻射束的 路徑中，其中所述清潔系統(tǒng)構(gòu)建成依賴于所述處理過程中這些元件中的每 一個接收到的輻射量，僅清潔排列在所述輻射束路徑中的一個或幾個所述 光學(xué)元件。
根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施例，所述清潔系統(tǒng)還包括存儲器，所述存儲器存儲(i) 輻射信息，其包括或涉及在所述設(shè)備運(yùn)行過程中所述光學(xué)元件中的一個或 更多個接收的輻射量，或(ii)用于清潔一個或更多個所述光學(xué)元件的清 潔周期，與光學(xué)元件相關(guān)的所述清潔周期的長度與光學(xué)元件的各個輻射劑 量信息相互關(guān)聯(lián)，或(iii)用于清潔一個或更多個光學(xué)元件的清潔處理的 清潔速率，或(iv) (i) - (iii)的任何組合，其中所述清潔系統(tǒng)構(gòu)建成使 用所述輻射信息、或所述清潔周期、或所述清潔速率、或它們的任何組合， 以清潔所述一個或幾個光學(xué)元件，例如在各個清潔周期內(nèi)。
例如，所述清潔系統(tǒng)包括或耦合到輻射損失探測器，所述輻射損失探 測器構(gòu)建成探測通過一個或更多個所述光學(xué)元件的輻射的輻射損失，并且 其中所述清潔系統(tǒng)適于在所探測的輻射損失達(dá)到特定量的輻射損失的情 況下，自動地啟動清潔周期以清潔至少一個所述光學(xué)元件。所述清潔系統(tǒng)可以例如包括或耦合到污染物探測器，所述污染物探測 器構(gòu)建成探測至少一個所述光學(xué)元件的污染物，并且所述清潔系統(tǒng)適于當(dāng) 所述污染物達(dá)到特定量的污染物時自動地啟動清潔周期以清潔至少一個 所述光學(xué)元件。
在非限定的優(yōu)選的實(shí)施例中，所述清潔系統(tǒng)構(gòu)建成在比一個或更多個 其他所述光學(xué)元件的累積清潔時間段短100倍的累積清潔時間段內(nèi)清潔一 個或更多個所述光學(xué)元件。
此外，例如，所述清潔系統(tǒng)可以構(gòu)建成依賴于所述處理過程中這些元
件中的每一個接收到的EUV輻射量，僅清潔排列在所述輻射束路徑中的
一個或幾個所述光學(xué)元件。
下面僅通過例子，結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中相應(yīng)的
附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中

圖1示出光刻設(shè)備的實(shí)施例；
圖2示意地示出光學(xué)元件序列和清潔系統(tǒng)的一部分的實(shí)施例； 圖3示意地示出清潔方法的實(shí)施例的流程圖；和 圖4示意地示出清潔方法的另一實(shí)施例的流程圖。
圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻設(shè)備。圖2顯示了
其中另一實(shí)施例。所述光刻設(shè)備包括
照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束PB(例如，紫外(UV)，
特別地，實(shí)質(zhì)上包括極紫外(EUV)輻射)；
支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其配置用于支撐圖案形成裝置(例如 掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第
一定位裝置PM相連；
襯底臺(例如晶片臺)WT，其配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕 劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位
裝置PW相連；和
投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其構(gòu)建用于將由圖案形成 裝置MA賦予輻射束PB的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上。圖1中示意地示出了多個光學(xué)元件PSl、PS2、PS3…PSw
(投影系統(tǒng)包括N個光學(xué)元件)。例如，在EUV型投影束光刻設(shè)備中的投 影系統(tǒng)光學(xué)元件包括多個反射鏡PS1、 PS2、 PS3...PSN。
照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)元件，例如折射型、反射型、磁性 型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成 形、或控制輻射。圖2示出了具有多個光學(xué)元件IL1、 IL2、 IL3、 IL4的照 射器的一部分。例如，在EUV型投影束光刻設(shè)備中的照射系統(tǒng)可以包括 多個反射鏡IL1、 IL2、 IL3、 IL4。
因而，所述設(shè)備包括光學(xué)元件序列，這些元件被配置在輻射R的路徑 上，該光學(xué)元件序列包括(例如)照射系統(tǒng)IL的元件IL1、 IL2、 IL3、 IL4
(相對于輻射束傳播的方向，從圖案形成裝置MA看位于上游，)和投影 系統(tǒng)的元件PS1、 PS2、 PS3...PSN (相對于輻射束傳播的方向，從圖案形 成裝置MA看位于下游)。
支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖 案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。 所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)保持圖案 形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固 定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上
(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模" 都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。
這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用 于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成 圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部 分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特 征)。通常，賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的 功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括 掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型 相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿 不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射 鏡矩陣反射的輻射束。 '
這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影 系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué) 系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使 用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語"投 影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
如這里所示的，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。 替代地，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更 多的支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種"多臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加的 臺，或可以在將一個或更多個其它臺用于曝光的同時，在一個或更多個臺 上執(zhí)行預(yù)備步驟。
所述光刻設(shè)備還可以是這種類型其中襯底的至少一部分可以由具有 相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填滿投影系統(tǒng)和襯底之間的 空隙。浸沒液體還可以施加到光刻設(shè)備中的其他位置，例如掩模和投影系 統(tǒng)之間的位置。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔 徑。這里使用的術(shù)語"浸沒"并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到 液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。
參照圖l，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射。該源和所述光 刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況 下，不會將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的定 向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射從所述源SO傳
到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分 (例如當(dāng)所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果 需要時的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。在實(shí)施例中，輻射源是 等離子體EUV源，例如錫(Sn)等離子體EUV源。例如，在這種輻射源中， 錫原子可以利用低功率激光進(jìn)行(例如電)加熱。EUV輻射源還可以是不 同的輻射源，例如Li (鋰)或Xe (氙)"加料(foeled)"等離子體輻射源。此外，在使用過程中，少量的等離子體會從源SO逃逸，朝向收集裝置K和
照射器IL。收集裝置K收集來自輻射源SO的輻射R。收集裝置K可以配置成 將收集的輻射R傳遞到照射系統(tǒng)IL。具體地，收集裝置K配置成將從輻射源 接收的入射輻射聚焦到小的聚焦區(qū)域或點(diǎn)上。此外，可以設(shè)置一個或更多 個碎片減少系統(tǒng)，例如所謂的箔片陷阱(同樣未示出)，其位于源SO和收 集裝置K之間用以捕獲/減少從源SO發(fā)射的碎片。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。 通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)
部徑向范圍(一般分別稱為CT-外部和CT-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照
射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器和聚光器。所述照射器可以用 來調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。
所述輻射束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述 圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來圖案 化。已經(jīng)由圖案形成裝置MA反射后，輻射束PB通過投影系統(tǒng)PS，所述PS 將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置 傳感器IF2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可 以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻 射束PB的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期 間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IF1 (在圖l中未明確 示出)用于將圖案形成裝置MA相對于所述輻射束PB的路徑精確地定位。 通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定 位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地， 可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊 來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述 支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚?模對準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、 P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯 底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是他們可以位于 目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)記)上。類似地，在將多于 一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準(zhǔn) 標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少一種
1. 在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部
分C上的同時，將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一 的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對 不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的 靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上 的同時，對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動態(tài) 曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影 系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光 場的最大尺寸限制了在單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃 描方向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃 描方向)。
3. 在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT 保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時， 將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用 脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的 連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模 式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反 射鏡陣列)的無掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 通常，光刻設(shè)備的所有光學(xué)元件隨著時間流逝會被污染。結(jié)果發(fā)生的 光學(xué)損失是不希望的，并且會導(dǎo)致更低的產(chǎn)量和由所述設(shè)備制造的器件的 故障。因此，所述設(shè)備可以設(shè)置有清潔系統(tǒng)10、 20、 50，其構(gòu)建用于清潔 所述設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件。清潔系統(tǒng)可以以任何不同種方式構(gòu) 建?，F(xiàn)有技術(shù)中己知多種合適的這類清潔裝置，并且可以應(yīng)用到本發(fā)明的 一個或更多個實(shí)施例中。
作為示例，清潔系統(tǒng)可以包括一個或更多個清潔單元10、 20，它們位 于或可安置在所述設(shè)備中用以清潔所述設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件。例 如，在圖1和2中，設(shè)置多個第一清潔單元10來清潔照射器系統(tǒng)IL的光學(xué)元件IL1-IL4。此外，可以在投影系統(tǒng)PS中應(yīng)用一個或更多個清潔單元 20來清潔投影系統(tǒng)PS的光學(xué)元件PS1、 PS2、 PS3...PSN。在實(shí)施例中， 將要通過清潔系統(tǒng)IO、 20、 50清潔的光學(xué)元件選自配置在輻射束R的路 徑中的光學(xué)元件序列。例如，清潔單元10、 20可以構(gòu)建用于提供或產(chǎn)生 某種清潔媒介或裝置(在圖2中示意地用箭頭11示出)，例如清潔物質(zhì)、 氣體、離子、原子團(tuán)、輻射、粒子和/或不同的清潔裝置，并且在清潔媒介 /裝置和將要清潔的元件之間實(shí)現(xiàn)接觸。
例如，在實(shí)施例中，清潔單元10、 20可以構(gòu)建成產(chǎn)生氫原子團(tuán)(例 如利用熱絲或射頻(RF)場)。根據(jù)實(shí)施例，清潔單元可以構(gòu)建成實(shí)施一 種方法，其包括在所述設(shè)備的至少一部分內(nèi)提供含H2 (氫氣)氣體，由含 &氣體中的H2產(chǎn)生氫原子團(tuán)11，以及使光學(xué)元件IL1-IL4、 PS1、 ...PSN (將要被清潔的)與氫原子團(tuán)11的至少一部分接觸并且從所述表面上去 除至少一部分污染沉積物。作為示例，所提到的沉積物可以包括選自B、 C、 Si、 Ge和Sn中的一個或更多個元素。此外，至少一部分氫原子團(tuán)11
可以由含H2氣體中的H2、通過構(gòu)建用于將H2轉(zhuǎn)變成氫原子團(tuán)的絲極、等
離子體、輻射或催化劑產(chǎn)生。而且，含H2氣體還可以包括鹵素氣體。然 而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，清潔單元可以構(gòu)建成以不同的方式運(yùn)行。
在實(shí)施例中，可以設(shè)置控制器50，其構(gòu)建成控制該清潔系統(tǒng)，(例如) 用以啟動和停止一個或更多個清潔單元10、 20。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識 到的，控制器50 (在圖2中示意地示出)可以以多種方式中的任一種進(jìn)行 構(gòu)建，(例如)包括合適的硬件、軟件、計算機(jī)、處理器、微電子部件、 有線和/無線通信裝置，用以與清潔單元IO、 20進(jìn)行通信，和/或包括存儲 器裝置51，用以存儲與清潔過程相關(guān)的數(shù)據(jù)。
例如，存儲器51包括將要應(yīng)用到一個或更多個光學(xué)元件的清潔過程 的清潔速率。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到的，在實(shí)施例中，依賴于清潔處 理、將要被去除的污染物和將要由各自的清潔處理清潔的光學(xué)元件，這些 清潔速率可以不同。清潔速率可以憑經(jīng)驗或以不同的方式進(jìn)行確定。
在圖1和圖2的設(shè)備中，照射器的第一光學(xué)元件IL1接收來自源/收集 裝置組件的初始的EUV輻射劑量相對高的輻射R (通常，輻射劑量等于 在特定時間段中各個光學(xué)元件的每單位表面面積上所接收的輻射功率，可以用mJ/mi^表示)。這種高的初始EUV輻射劑量在圖2中用"100%"表 示。在實(shí)施例中，后面的光學(xué)元件IL2-IL4、 PS1-PSn的光學(xué)表面基本上可 以由該輻射束完全照射。此外，例如，在光學(xué)元件IL1-IL4、 PS1-PSn是反 射鏡的情況中，反射鏡反射損失主要沿著光學(xué)元件序列引起光學(xué)損失，同 樣光學(xué)損失會導(dǎo)致沿著元件序列下游的EUV輻射劑量的減少。此外，在 示例中，該結(jié)構(gòu)可以使得在運(yùn)行過程中在輻射束的輻射中存在光譜改變。 例如，該序列的第一光學(xué)元件PS1比該序列中后面的光學(xué)元件接收具有全 光譜的更高的EUV光譜比值的輻射。
在實(shí)施例中，該光學(xué)元件序列中的大部分光學(xué)元件接收到該元件序列 中前面的光學(xué)元件已接收的EUV輻射劑量的至多75% (相對于該序列中 的各個元件，前面的光學(xué)元件配置在上游)。例如，在實(shí)施例中，在照射 器IL的光學(xué)元件IL1-IL4的情況中，照射系統(tǒng)IL的每個后面的光學(xué)元件 接收到照射系統(tǒng)IL中前面的光學(xué)元件已經(jīng)接收的EUV輻射劑量的至多 50%。在實(shí)施例中，在照射器IL的光學(xué)元件IL1-IL4的情形中，照射器IL 的第二光學(xué)元件IL2接收到照射系統(tǒng)IL中第一光學(xué)元件IL1接收到的初始 EUV輻射劑量的至多50%，照射器IL的第三光學(xué)元件IL3接收到由第二 光學(xué)元件IL2接收到的EUV輻射劑量的至多33%。此外，例如，照射器 IL的第四光學(xué)元件IL4接收到由第一光學(xué)元件IL1接收到的初始EUV輻 射劑量的不到10%，具體地，小于由第一光學(xué)元件IL1接收的初始輻射劑 量的1%，并且更具體地小于0.5%。
因而，如圖2所示，照射系統(tǒng)IL的第二光學(xué)元件IL2 (位于該系統(tǒng)IL 的第一光學(xué)元件IL1的下游)接收的EUV輻射劑量比由該系統(tǒng)的第一光 學(xué)元件IL1接收的100%初始劑量小。作為示例，在圖2中示出，所述第 二光學(xué)元件IL2接收初始劑量的50%，第三光學(xué)元件IL3接收初始劑量的 10%而第四光學(xué)元件IL4接收初始劑量的0.75%。
在還一實(shí)施例中，投影系統(tǒng)PS的每個光學(xué)元件PSl-PSw接收上面提 到的由第一光學(xué)元件IL1接收到的初始EUV輻射劑量的不到10%，具體 地不到初始輻射劑量的1%，更具體地不到初始輻射劑量的0.5%。
根據(jù)實(shí)施例，提供一種用以清潔該光刻設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件 的方法，其中所述清潔方法包括利用比光學(xué)元件序列的一個或更多個第二光學(xué)元件IL4, PS1-PSN的累積清潔時間段長的累積清潔時間段，清潔該光
學(xué)元件序列的一個或更多個第一光學(xué)元件IL1、 IL2、 IL3，所述一個或更 多個第一光學(xué)元件在所述設(shè)備運(yùn)行過程中接收相對高的(第一)輻射劑量， 而所述一個或更多個第二光學(xué)元件在該設(shè)備運(yùn)行過程中接收更低的(第 二)輻射劑量。在這里，所述清潔周期可以較長，如在該設(shè)備的運(yùn)行壽命 期間累積測量的，例如在至少1年或多年期間累積測量的。
換句話說，該清潔方法包括使用比施加到該序列中在光刻設(shè)備運(yùn)行
過程中接收較高(第一)輻射劑量的一個或更多個第一光學(xué)元件IL1,IL2， IL3的累積清潔時間更短的累積清潔時間，清潔該序列中在該設(shè)備運(yùn)行過 程中接收相對低(第二)的輻射劑量的一個或更多個第二光學(xué)元件IL4、 PS1-PSN。
例如，接收第二、更低輻射劑量的光學(xué)元件IL4、 PS1-PSN的清潔頻 率可以比接收第一、高輻射劑量的第一光學(xué)元件IL1， IL2, IL3的清潔頻率 低，使得提供更短的累積清潔時間。因而，同樣地，第一光學(xué)元件可以使 用相對長的清潔時間進(jìn)行清潔(因而，同樣第二光學(xué)元件可以使用相對短 的清潔時間進(jìn)行清潔，短的清潔時間可以遠(yuǎn)短于施加到第一光學(xué)元件的長 的清潔時間)。 一個優(yōu)點(diǎn)在于，以這種方式能夠更快地實(shí)施清潔。附加地 或可選地，由于第二光學(xué)元件IL4， PS1_PSN清潔更少的頻次和/或在相對短 的時間期間進(jìn)行清潔，或根本不清潔(也就是，對于每個第二光學(xué)元件IL4， PS1-PSN，各個累積清潔時間等于0秒)，因此任何與清潔有關(guān)的使這些第 二光學(xué)元件IL4,PS1-PSn退化的可能性可以被減小或最小化(或，可以容 許，因為涉及到更少的光學(xué)元件)，因而延長了該設(shè)備的這些元件IL4， PS1-PSN的運(yùn)行壽命。本實(shí)施例提供了全部設(shè)備清潔工序之間的相對長的 時間間隔。
例如，在實(shí)施例中，沿輻射束的光學(xué)路徑看，每個第二光學(xué)元件位于 第一光學(xué)元件的下游。如圖1所示，該設(shè)備包括支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造成將圖 案形成裝置MA保持在輻射束的路徑中的特定圖案形成裝置位置上，其 中，從輻射束的傳播方向上看，所有第一光學(xué)元件IL1，IL2，IL3位于該圖 案形成裝置位置的上游，其中至少多個第二光學(xué)元件PSl-PSw位于圖案形 成裝置位置的下游。本發(fā)明的實(shí)施例是基于這樣的想法，那就是不同的光學(xué)元件接收不同 量的輻射(例如，EUV輻射)和光學(xué)元件的污染速率依賴于光學(xué)元件接收 到的輻射劑量。具體地，污染速率基本上與輻射劑量成線性比例，很可能 因為輻射促進(jìn)或誘發(fā)污染物(存在于該設(shè)備的內(nèi)部空間中)而分解和/或結(jié) 合到光學(xué)元件和/或與光學(xué)元件反應(yīng)。此外，在實(shí)施例中，污染行為依賴于 輻射的光譜。例如，接上面，污染物的生長與輻射束中的EUV輻射的比
例成比例或依賴于輻射束中的EUV輻射的比例(例如，EUV輻射相對于 更高波長的深紫外(DUV)輻射的比率)。因而，例如，在實(shí)施例中，所 述方法包括使用比該序列中在該設(shè)備運(yùn)行過程中接收第一輻射劑量的光 譜預(yù)定部分的一個或更多個第一光學(xué)元件的累積清潔時間更短的累積清 潔時間，清潔該序列中的一個或更多個第二光學(xué)元件，這些第二光學(xué)元件 在光刻設(shè)備運(yùn)行過程中接收第二輻射劑量的光譜中預(yù)定部分，第二輻射劑 量低于第一輻射劑量。作為示例，上面提到的光譜的預(yù)定部分包括光譜的 EUV部分。
可以認(rèn)為，沒有人認(rèn)識到該設(shè)備的光學(xué)元件的清潔方案可以以簡單的 方式適于應(yīng)用這些想法。因而，在過去，該設(shè)備的所有光學(xué)元件使用對每 個元件基本上相同的清潔時間進(jìn)行清潔。具體地，在過去，假定(例如) 在EUV反射鏡上的污染物生長不依賴于在光學(xué)路徑中的反射鏡位置并且 不依賴于輻射強(qiáng)度，使得預(yù)期在每個反射鏡上具有相類似的污染物生長。 結(jié)果，這將導(dǎo)致以相等的清潔次數(shù)清潔每個反射鏡。此外，壽命預(yù)算 (lifetime budget),也就是不可逆轉(zhuǎn)的反射損失，不得不在光路(optical column)的每個反射鏡之間進(jìn)行均勻分布。因而，過去的清潔方法與這里 所述的清潔方法的一個或更多個實(shí)施例相比，是相對復(fù)雜并且花費(fèi)時間 的。此外，由于過去的方法中清潔該序列所有的光學(xué)元件，因而光學(xué)元件 的壽命被相當(dāng)大地縮短，導(dǎo)致高的維護(hù)和更換成本。這可以通過本發(fā)明的 一個或更多個實(shí)施例來避免。
在實(shí)施例中，清潔系統(tǒng)10、 20、 50可以具體地適于實(shí)施上述清潔方 法的一個或更多個。例如，可以對控制器50進(jìn)行編程，以控制清潔單元 10、 20，使得執(zhí)行所需的清潔方案，例如使得依賴于光刻處理過程中那些 光學(xué)元件中每一個所接收的輻射量，對僅一個或幾個排列在輻射束路徑中的光學(xué)元件進(jìn)行清潔。
在實(shí)施例中，清潔系統(tǒng)包括或耦合到輻射損失探測器，該探測器構(gòu)建 成探測通過該設(shè)備的照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS的輻射的輻射損失。然后，
清潔系統(tǒng)10、 20、 50適于在所探測的輻射損失達(dá)到特定的輻射損失量時 自動地開始清潔周期，以清潔例如照射系統(tǒng)IL的至少一個元件。例如， 可以僅清潔該照射光學(xué)元件IL1， IL2， IL3。
在實(shí)施例中，清潔系統(tǒng)10、 20、 50可以包括或耦合到污染物探測器 53，該污染物探測器構(gòu)建成探測照射系統(tǒng)IL的至少一個光學(xué)元件IL2的 污染物(和/或投影系統(tǒng)PS的至少一個光學(xué)元件)，其中清潔系統(tǒng)IO、 20、 50適于在探測器53探測到光學(xué)元件的污染物己達(dá)到特定量的污染物時， 自動地開始清潔周期以清潔配置在輻射束路徑上的多個光學(xué)元件。污染物 探測器53可以以任何不同的方式進(jìn)行構(gòu)建，并且可以配置成通過探測二 次電子發(fā)射或反射率損失和/或以任何依賴于光學(xué)元件類型的不同方式，光 學(xué)地、電學(xué)地、使用探測器信號或束地探測光學(xué)元件IL2的污染物，正如
本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到的。
例如，光刻器件制造方法包括使用光學(xué)元件序列將輻射束投影到襯底 的目標(biāo)部分上，其中光學(xué)元件接收不同的輻射劑量，并且光學(xué)元件的污染 速率與輻射劑量相關(guān)(例如基本上呈線性相關(guān))。該方法還包括多個清潔
周期以清潔該序列的光學(xué)元件，每個清潔周期包括依賴于所接收到的輻射 劑量清潔光學(xué)元件，使得已接收第二相對低的輻射劑量的光學(xué)元件IL4, PS1-PSN比己接收高于第二輻射劑量的第一輻射劑量的其他光學(xué)元件IL1， IL3, IL3在較短的時間周期內(nèi)或以較少頻次進(jìn)行清潔。在實(shí)施例中，例如 上面提到的第一輻射劑量可以在由照射系統(tǒng)IL的第一光學(xué)元件IL1所接 收的初始輻射劑量的10-100%的范圍內(nèi)，或該初始輻射劑量的1-100%的范 圍內(nèi)，或該初始輻射劑量的0.5-100%的范圍內(nèi)。例如，上面提到的第二輻 射劑量可以小于第一光學(xué)元件IL1所接收的初始輻射劑量的10%，或小于 該初始輻射劑量的1%，或小于該初始輻射劑量的0.5%。此外，在實(shí)施例 中，上面提到的輻射劑量可以涉及光譜(或光譜帶)的特定部分，例如 EUV波段。
在實(shí)施例中，該方法包括在該設(shè)備的光刻運(yùn)行周期之間應(yīng)用不同的清潔周期中的任何一個，其中在一個或更多個清潔周期的過程中僅該序列的
一個或更多個第一光學(xué)元件IL1， IL2， IL3被清潔，而該序列的一個或更多 個第二光學(xué)元件不被清潔。因而，有利的清潔方案包括在一長時間段內(nèi)完 全不用清潔第二光學(xué)元件，例如一個或幾個月的過程中不用清潔第二光學(xué) 元件，但是在這個長的時間周期過程中仍然清潔第一光學(xué)元件IL1, IL2, IL3多次。
例如，作為照射器的一部分的所述光學(xué)元件序列的第一光學(xué)元件IL1
的清潔頻率可以比該光學(xué)元件序列的第二光學(xué)元件PS1-PSN的清潔頻率多
至少10倍，第二元件是該設(shè)備的投影系統(tǒng)PS下游的一部分。在實(shí)施例中， 清潔系統(tǒng)10、 20、 50構(gòu)建成以比該設(shè)備的照射系統(tǒng)的一個或更多個光學(xué) 元件的累積清潔時間段短100倍的累積清潔時間段、或以比該設(shè)備的照射 系統(tǒng)的一個或更多個光學(xué)元件的清潔頻率少100倍的清潔頻率清潔該設(shè)備 的投影系統(tǒng)的一個或更多個光學(xué)元件，或者根本不清潔該設(shè)備的投影系統(tǒng) 的一個或更多個光學(xué)元件(具體地，在一個相對長的一年或幾年的時間周 期上測量)。
在實(shí)施例中，清潔方法包括
提供輻射劑量信息(例如探測或計算)，該信息包括或涉及一個或更 多個光學(xué)元件IL1-IL4, PS1-PSN中的每一個在該設(shè)備運(yùn)行過程中接收的輻 射的量；禾口
提供一種用于清潔一個或更多個光學(xué)元件IL1-IL4， PS1-PSN的清潔周 期，使得與光學(xué)元件相關(guān)的清潔周期的長度分別與該光學(xué)元件的輻射劑量 信息相互關(guān)聯(lián)。
例如，該相互關(guān)聯(lián)可以是基本上線性的相互關(guān)聯(lián)，其中在光刻過程中 施加到該序列的某個光學(xué)元件的清潔周期與該元件接收的輻射劑量基本 上成正的線性比例。替換地，或附加地，該相互關(guān)聯(lián)可以是二元相互關(guān)聯(lián)， 其中當(dāng)該元件在光刻處理過程中接收上面提到的高輻射劑量時，施加到該 序列的某個光學(xué)元件的清潔周期長度t:T秒，而如果該元件在光刻處理過 程中接收上面提到的低輻射劑量，則周期長度tK)秒。此外，正如本領(lǐng)域 技術(shù)人員認(rèn)識到的，可以應(yīng)用多個其他類型的相互關(guān)聯(lián)中的任何一個。
作為示例，清潔系統(tǒng)50的存儲器51可以存儲以下至少一個輻射信息，其包括或涉及該設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件在該設(shè)備運(yùn) 行過程中接收的輻射的量；和
用于清潔一個或更多個光學(xué)元件中每一個的清潔周期，清潔周期的長 度涉及光學(xué)元件與該光學(xué)元件各自的輻射劑量信息的相互關(guān)聯(lián)，和
用于清潔一個或更多個光學(xué)元件的清潔處理的清潔速率，
其中清潔系統(tǒng)構(gòu)建成使用輻射信息、或清潔周期、或清潔速率、或前 面的任何組合來在各個清潔周期中清潔一個或更多個光學(xué)元件。
例如，在實(shí)施例中，清潔方法包括探測一個或更多個光學(xué)元件IL1-IL4， PS1-PSN的污染物，或測量連續(xù)地通過一個或更多個光學(xué)元件的輻射束的 輻射強(qiáng)度損失，或包括兩者，其中第一光學(xué)元件IL1-IL3可以在這種情況 中進(jìn)行清潔，艮P:
一個或更多個光學(xué)元件IL1-IL4， PS1-PSN已達(dá)到特定的污染物閾值；
禾口/或
連續(xù)通過一個或更多個光學(xué)元件的輻射束的輻射強(qiáng)度損失己達(dá)到特 定的閾值。
圖3示出了實(shí)施例的流程圖，其中光刻處理100由例如圖1中示出的 設(shè)備實(shí)施。該處理100的一部分包括測量通過光刻系統(tǒng)的光學(xué)元件IL1-IL4， PSl-PSw序列的輻射損失(步驟IOO，例如通過這些光學(xué)元件中僅一個的 損失或關(guān)于所有這些光學(xué)元件的損失。
然后，確定輻射損失是否達(dá)到特定的閾值"閾值1"(步驟102)。在 確實(shí)己經(jīng)達(dá)到該污染物閾值的情況中，可以中斷光刻處理，并且開始一個 或多個清潔周期103。這里，僅清潔所述序列中在光刻處理過程中已接收 大輻射劑量的光學(xué)元件，例如，照射系統(tǒng)IL的一個或更多個光學(xué)元件IL1， IL2， IL3 。
在第一清潔周期103之后，期望地，再次測量輻射損失(步驟104) 并且與第二閾值"閾值2"相比較(步驟105)。在通過前面的清潔周期還 沒有獲得所希望的低輻射損失的情況中，重復(fù)清潔周期103。在達(dá)到了所 希望的低輻射損失(也就是，損失<閾值2)的情況中，可以開始光刻處理 (通過步驟106)。
圖3還示出了可選的清潔周期103'，其中第一光學(xué)元件IL1-IL3比第二光學(xué)元件IL4，PS1-PSN清潔長得多的時間(也就是，第二光學(xué)元件IL4， PS1-PSn在比第一光學(xué)元件IL1-IL3短得多的時間周期內(nèi)進(jìn)行清潔)。作為 示例， 一部分照射器光學(xué)元件IL1-IL3在至少一個小時內(nèi)進(jìn)行清潔，而其 他元件IL4， PS1-PSN僅在一分鐘或幾分鐘的短得多的時間周期內(nèi)進(jìn)行清 潔。例如，第一照射器光學(xué)元件IL1比第二照射器光學(xué)元件IL2 (例如5 小時)清潔長得多的時間(至少2倍長的時間，例如10小時)，而第二照 射器光學(xué)元件IL2比第三照射器光學(xué)元件IL3 (例如1小時)清潔更長時 間(至少2倍長)。自然地，關(guān)于每個元件的清潔周期的長度依賴于污染 物的類型和施加到該元件的各自的清潔方法的清潔速率。例如，可選的步 驟103'可以使用上面提到的包括或有關(guān)該設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件 IL1-IL4， PSl-PSw在該設(shè)備運(yùn)行過程中接收的輻射量的信息，使得關(guān)于光 學(xué)元件的清潔周期的長度與該光學(xué)元件的各自的輻射劑量信息相互關(guān)聯(lián) (見上面)。
圖4示出另一流程圖，其與圖3在步驟201處不同，在步驟201中探
測該序列中一個或更多個光學(xué)元件的污染物或其附近的污染物。在所探測 的污染物已經(jīng)超過特定的閾值"閾值3"的情況中，開始清潔周期。例如， 清潔周期可以類似于上面關(guān)于圖3所示的那樣。在圖4中，示出可選的清 潔周期203，其中僅該序列中那些預(yù)期已經(jīng)經(jīng)受與污染相關(guān)的超過1%的光 學(xué)損失(特別地，在光學(xué)元件是反射鏡的情況中是與污染物相關(guān)的反射損 失)的光學(xué)元件被清潔。例如，設(shè)置可選的步驟210，包括使用存儲的數(shù) 據(jù)集確定光學(xué)元件的所預(yù)期的光學(xué)(反射)損失。具體地，這種數(shù)據(jù)集(可 以存儲在控制器存儲器51中)可以通過實(shí)驗已經(jīng)預(yù)先計算或確定，并且 包括一個或更多個光學(xué)元件IL1-IL4， PSl-PSN的污染物的特定量和/或通過 光學(xué)元件IL1-IL4， PS1-PSN序列的輻射損失。數(shù)據(jù)集還包括光學(xué)元件的各 個預(yù)定(計算或通過實(shí)驗)的光學(xué)損失?？蛇x地，在步驟210中，光學(xué)元 件的光學(xué)損失可以使用數(shù)據(jù)集的信息，以及光學(xué)元件的光學(xué)損失、元件的 污染物和該元件接收的輻射劑量之間的預(yù)定的(基本上線性的)相互關(guān)系 進(jìn)行計算或評價。
在清潔周期203之后，可以實(shí)施可選的驗證步驟204，以確定是否已 經(jīng)充分去除污染物?？蛇x地或附加地，可以實(shí)施步驟104-105以探測關(guān)于該序列的一個或更多個光學(xué)元件的輻射損失。
該方法的實(shí)施例提供短的停機(jī)時間，也就是不進(jìn)行照射的時間，因為 在該設(shè)備的光學(xué)系統(tǒng)的整個壽命中，每個清潔步驟所需的時間和所需清潔 周期的數(shù)量可以被相當(dāng)程度地減小。此外，清潔之間的時間間隔可以相對 地長。另一有益效果在于，被高強(qiáng)度照射的反射鏡在運(yùn)行過程中可以進(jìn)行 冷卻；這使得清潔更容易，因為可以在清潔過程中實(shí)施這種冷卻，使得清
潔后的恢復(fù)時間更短。此外，由于清潔也可能會對光學(xué)元件的反射率帶來 負(fù)面的影響(例如依賴于清潔處理，每次反射鏡清潔帶來少量金屬沉積 物)，所需的清潔周期數(shù)量的減少導(dǎo)致更長的光學(xué)系統(tǒng)的使用壽命。 在實(shí)施例中，接著上面，基于在特定的真空環(huán)境(由水和碳?xì)浠衔?br> 分壓控制)中在EUV光子照射下在EUV反射鏡上的污染物生長的強(qiáng)度依 賴性，可以提供清潔方案給EUV光學(xué)系統(tǒng)。例如，將要被去除的主要的 污染物是碳污染物。例如，在EUV光刻系統(tǒng)的光路內(nèi)，輻射強(qiáng)度(例如 EUV輻射)可以從照射系統(tǒng)的第一反射鏡IL1上的100%下降到投影系統(tǒng) 的最后反射鏡PSN上的接近0.01。/。。在特定真空環(huán)境(由水和碳?xì)浠衔?分壓控制)中用脈沖光子照射過程中，污染過程可以高度地由EUV引發(fā) 的碳生長控制，這附加地是高度依賴強(qiáng)度的(例如碳生長與強(qiáng)度成線性依 賴關(guān)系)。因而，根據(jù)這個觀點(diǎn)，可以預(yù)期，在EUV光刻系統(tǒng)內(nèi)的污染物 生長在反射鏡與反射鏡之間是不同的，這導(dǎo)致相對于最后的、投影系統(tǒng)PS 的低強(qiáng)度反射鏡，在第一、高強(qiáng)度反射鏡IL1-IL3上的碳層更厚。因而， 在實(shí)施例中，僅在先的三個反射鏡IL1-IL3累積如此多的碳，以致于必需 執(zhí)行清潔處理。在所有其他反射鏡上的碳污染物可以或多或少地忽略。附 加地，在這些在先的三個反射鏡IL1-IL3上所需的清潔周期的數(shù)量可以減 小，因為總的可用壽命預(yù)算，也就是不可逆轉(zhuǎn)的反射損失預(yù)算，僅需分?jǐn)?到三個反射鏡，而不用分?jǐn)偟剿械姆瓷溏RIL1-IL3 ， PS1-PSN。
本發(fā)明的一個或更多個實(shí)施例提供一個或更多個不同的優(yōu)點(diǎn)。例如， 可以極大程度地減少清潔周期的數(shù)量和/或減少清潔次數(shù)?？梢匝娱L光學(xué)元 件壽命和/或縮短該系統(tǒng)的停機(jī)時間。因為執(zhí)行更有效的清潔方案， 一個或 更多個實(shí)施例可以顯著降低成本。
上面提到的第一光學(xué)元件可以位于光學(xué)元件序列中的任何不同的位置上，例如在上游位置、下游位置或它們之間。對于上面提到的第二光學(xué) 元件也一樣。
此外，已經(jīng)描述了與光學(xué)元件有關(guān)的一個或更多個實(shí)施例。 一個或更 多個實(shí)施例可以附加地或可選地應(yīng)用到光刻設(shè)備的一個或更多個其他非 光學(xué)元件，例如一個或更多個暴露到污染物和任意地暴露到輻射中的結(jié) 構(gòu)。
雖然上面詳述了本發(fā)明的實(shí)施例在光刻設(shè)備的應(yīng)用，應(yīng)該注意到，本 發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光 學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖 案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層 中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。 在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗 蝕劑中留下圖案。
這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括
紫外(UV)輻射(例如具有約365、 355、 248、 193、 157或126nm的波 長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍的波長)，和粒子束， 例如離子束或電子束。
這里使用的術(shù)語"透鏡"可以認(rèn)為是一個或多種不同類型光學(xué)元件的 組合體，包括折射型、反射型、磁性、電磁的和靜電的光學(xué)部件。
盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明除 了所述的其它的應(yīng)用。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用包含用于描述一種 如上面公開的方法的至少一個可機(jī)讀的指令序列的計算機(jī)程序的形式，或 具有存儲其中的所述的計算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲媒介(例如半導(dǎo)體存儲器、 磁盤或光盤)的形式。
上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離給出本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍，可以對上述本發(fā) 明進(jìn)行更改。
權(quán)利要求
1.一種用以清潔設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件的方法，所述設(shè)備構(gòu)建成將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，并且包括按序列排列在所述輻射束路徑上的多個光學(xué)元件，其中所述方法包括步驟使用比所述序列中第一光學(xué)元件的累積清潔時間段更短的累積清潔時間段清潔所述序列中的第二光學(xué)元件，其中所述第二光學(xué)元件在所述設(shè)備運(yùn)行過程中接收第二輻射劑量，所述第一光學(xué)元件在所述設(shè)備運(yùn)行過程中接收第一輻射劑量，所述第二輻射劑量低于所述第一輻射劑量。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沿所述輻射束的路徑看，所述 第二光學(xué)元件位于所述第一光學(xué)元件的下游。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括提供輻射劑量信息，所述信息包括或涉及在所述設(shè)備運(yùn)行過程中所述 第二光學(xué)元件接收的輻射量；和提供用于清潔所述第二光學(xué)元件的清潔周期，使得有關(guān)所述第二光學(xué) 元件的清潔周期的長度與所述第二光學(xué)元件的所述輻射劑量信息相互關(guān) 聯(lián)。
4. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一個所述的方法，包括在所述設(shè)備的運(yùn)行周期之間應(yīng)用不同的清潔周期，其中在一個或更多個所述清潔周期內(nèi)僅清 潔所述第一光學(xué)元件，而不清潔所述第二光學(xué)元件。
5. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一個所述的方法，其中，所述設(shè)備包括構(gòu) 建成將圖案形成裝置保持在所述輻射束路徑中的圖案形成裝置位置處的 支撐結(jié)構(gòu)，其中在所述輻射束的傳播方向上看，所述第一光學(xué)元件位于所述圖案形成裝置位置的上游，并且所述第二光學(xué)元件位于所述圖案形成裝 置位置的下游。
6. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一個所述的方法，其中，所述第一光學(xué)元 件接收第一輻射劑量的EUV輻射，并且所述第二光學(xué)元件接收第二輻射 劑量的EUV輻射。
7. —種器件制造方法，包括使用光學(xué)元件序列將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中所述光學(xué) 元件接收不同的輻射劑量，并且所述光學(xué)元件的污染速率與所述輻射劑量 相互關(guān)聯(lián)；執(zhí)行多個清潔周期以清潔至少一個所述光學(xué)元件，每個清潔周期包括 基于所述光學(xué)元件接收的輻射劑量清潔所述序列的光學(xué)元件，使得已接收 低輻射劑量的光學(xué)元件相對于已接收比低輻射劑量高的輻射劑量的光學(xué) 元件，在更短的時間周期內(nèi)或以更低的頻率進(jìn)行清潔。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述光學(xué)元件序列的第二光學(xué) 元件的清潔頻率比所述光學(xué)元件序列的第一光學(xué)元件的清潔頻率低至少 10倍，所述第二光學(xué)元件是光刻設(shè)備的用于投影輻射束的投影系統(tǒng)的一部 分，所述第一光學(xué)元件是所述光刻設(shè)備的照射器的一部分。
9. 一種設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，其構(gòu)建成調(diào)節(jié)輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D 案在所述輻射束橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化的輻射束； 襯底臺，其構(gòu)造成保持襯底；投影系統(tǒng)，其構(gòu)建成將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分 上；和清潔系統(tǒng)，其構(gòu)建成清潔所述設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件，所述清 潔系統(tǒng)構(gòu)建成在比所述照射系統(tǒng)的光學(xué)元件的累積清潔時間段更短的累 積清潔時間段內(nèi)清潔所述投影系統(tǒng)的光學(xué)元件。
10. —種適于清潔設(shè)備的一個或更多個光學(xué)元件的清潔系統(tǒng)，所述光學(xué) 元件設(shè)置在由所述設(shè)備執(zhí)行的處理過程中用到的輻射束的路徑中，其中所 述清潔系統(tǒng)構(gòu)建成依賴于所述處理過程中這些元件中的每一個接收到的 輻射量，僅清潔設(shè)置在所述輻射束路徑中的一個或幾個所述光學(xué)元件。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的清潔系統(tǒng)，還包括存儲器，所述存儲器存 儲(i)輻射信息，所述輻射信息包括或涉及在所述設(shè)備運(yùn)行過程中一個或 更多個所述光學(xué)元件接收的輻射量，或(ii)用于清潔一個或更多個所述 光學(xué)元件的清潔周期，與光學(xué)元件相關(guān)的所述清潔周期的長度與所述光學(xué)元件的各個輻射劑量信息相互關(guān)聯(lián)，或(iii)用于清潔一個或更多個所述 光學(xué)元件的清潔處理的清潔速率，或(iv) (i) - (iii)的任何組合，其中 所述清潔系統(tǒng)構(gòu)建成使用所述輻射信息、或所述清潔周期、或所述清潔速 率、或它們的任何組合，以例如在各個清潔周期內(nèi)清潔所述一個或幾個光 學(xué)元件。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的清潔系統(tǒng)，包括或耦合到輻射損失 探測器，所述輻射損失探測器構(gòu)建成探測通過一個或更多個所述光學(xué)元件 的輻射的輻射損失，并且其中所述清潔系統(tǒng)適于在所探測的輻射損失達(dá)到 特定量的輻射損失的情況下，自動地啟動清潔周期以清潔至少一個所述光 學(xué)元件。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10-12中任一個所述的清潔系統(tǒng)，包括或耦合到污 染物探測器，所述污染物探測器構(gòu)建成探測至少一個所述光學(xué)元件的污染 物，并且所述清潔系統(tǒng)適于在所述污染物達(dá)到特定量的污染物時，自動地 啟動清潔周期以清潔至少一個所述光學(xué)元件。 '
14. 根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一個所述的清潔系統(tǒng)，構(gòu)建成在比一個 或更多個其他所述光學(xué)元件的累積清潔時間段短100倍的清潔周期內(nèi)清潔 一個或更多個所述光學(xué)元件。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10-14中任一個所述的清潔系統(tǒng)，構(gòu)建成依賴于所 述處理過程中這些元件中的每一個接收到的EUV輻射量，僅清潔設(shè)置在 所述輻射束路徑中的一個或幾個所述光學(xué)元件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用以清潔設(shè)備的光學(xué)元件的方法，該設(shè)備構(gòu)建成將輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，該設(shè)備包括按序列設(shè)置在輻射束路徑上的多個光學(xué)元件，其中清潔方法包括使用比該序列中一個或更多個第一光學(xué)元件的累積清潔時間段更短的累積清潔時間段清潔該序列中的一個或更多個第二光學(xué)元件，第二光學(xué)元件在該設(shè)備運(yùn)行過程中接收一個或更多個相對低的第二輻射劑量，第一光學(xué)元件在該設(shè)備運(yùn)行過程中接收一個或更多個第一輻射劑量，第二輻射劑量低于每一個相對高的第一輻射劑量。
文檔編號G03F7/20GK101529337SQ200780037980
公開日2009年9月9日 申請日期2007年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月10日
發(fā)明者B·T·沃爾斯克利基恩, D·H·厄姆, J·H·J·莫爾斯, M·G·H·梅杰里恩克, T·斯蒂恩 申請人:Asml荷蘭有限公司;卡爾蔡斯Smt股份公司