專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，尤其是涉及能夠抑制在顯示圖像中 產(chǎn)生橫紋的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
以往，在能進行彩色顯示的液晶顯示裝置中，l個像素由對應(yīng)
于紅、綠、藍3原色的3個子像素構(gòu)成。子像素分別具有TFT、像素 電極等像素構(gòu)成要素。另外，作為子像素的排列方式，已知的有同 一顏色的子像素沿垂直方向排列的條形排列、同一顏色的子像素沿 傾斜方向排列的三角形排列等。
這其中的條形排列可以清晰地顯示圖形、文字等的輪廓，適用 于OA用顯示裝置。與此相對，三角形排列比條形排列更能顯示接 近肉眼所見狀態(tài)的圖像。三角形排列適用于顯示錄像機、電視機所 播放的影像的顯示裝置。
在此，使用圖5 圖7說明現(xiàn)有的液晶顯示裝置(例如，參照專 利文獻1。)。在圖5 圖7所示的示例中，子像素的排列方式采用了三 角形排列。圖5是表示在現(xiàn)有的液晶顯示裝置中的像素電極和源極 總線的布局的平面圖。另外，在圖5中，僅示出了構(gòu)成液晶顯示裝 置的陣列基板的上表面。
在圖5所示的液晶顯示裝置中，采用了三角形排列。因此，分 別構(gòu)成多個子像素的像素電極32被配置為使相互相鄰的三個像素 電極32的中心連接后構(gòu)成正三角形。按照所對應(yīng)的濾色器的顏色存 在3種像素電極32。另外，因為采用了三角形排列，因此，關(guān)于像 素電極32，所對應(yīng)的濾色器的顏色相同的像素電極32沿傾斜方向排 列。
另外，采用三角形排列時，像素電極32并非像條形排列那樣沿垂直方向排成一列，因此源極總線38形成彎曲形狀。此外，源極總
線38根據(jù)像素電極32的種類而形成3種類型對紅色的像素電極32 寫入數(shù)據(jù)的R源極總線38R、對綠色的像素電極32寫入數(shù)據(jù)的G源極 總線38G以及對藍色的像素電極32寫入數(shù)據(jù)的B源極總線38B。在圖 5中，每種源極總線用不同的陰影線標示。
下面，用圖6和圖7說明圖5所示的陣列基板的具體結(jié)構(gòu)。圖6 是表示圖5所示的液晶顯示裝置的一部分的具體結(jié)構(gòu)的平面圖。圖7 是表示圖5所示的液晶顯示裝置的一部分的具體結(jié)構(gòu)的截面圖。在 圖6和圖7中，僅示出了構(gòu)成液晶顯示裝置的陣列基板。圖7所示的 截面是沿著圖6中的切斷線B-B'得到的截面。另外，關(guān)于絕緣性部 件，在圖6中省略了相關(guān)記述，在圖7中省略了陰影線。
如圖6和圖7所示，各像素電極32a 32e由對應(yīng)的TFT 33驅(qū)動。 在圖6和圖7的示例中，僅圖示了像素電極32a所對應(yīng)的TFT33。 TFT 33由形成在玻璃基板46上的硅膜34以及隔著絕緣膜35形成在硅膜 34上的柵極電極36構(gòu)成。
在硅膜34中，除去位于柵極電極36正下方的部分外，形成有成 為源極區(qū)域或漏極區(qū)域的擴散層。柵極電極36是從柵極總線37分支 出來的配線。采用GE金屬將柵極電極36和柵極總線37形成在絕緣 膜35上。此外，這里所說的GE金屬是指具有高熔點的導(dǎo)電性材料 如鉤、鉬、鉭等單層結(jié)構(gòu)體，或者，指由這些物質(zhì)的層疊結(jié)構(gòu)體形 成的金屬材料。而且，在柵極總線37的同一層中，還采用同樣的GE 金屬形成有用于形成存儲電容的CS總線40。柵極電極36、柵極總線 37、 CS總線40由層間絕緣膜41覆蓋。
另外，源極總線38由SE金屬形成在層間絕緣膜41上。源極總 線38與TFT 33通過貫穿層間絕緣膜41以及絕緣膜35的接點44連接。 而且，在與源極總線38相同的層上，同樣也由SE金屬形成了連接配 線39，該連接配線39用于連接TFT 33和像素電極32a。連接配線39 和TFT 33也是通過貫穿層間絕緣膜41和絕緣膜35的接點43連接。
另外，在層間絕緣膜41上，形成了覆蓋源極總線38、連接配線39的樹脂層42。像素電極32a 32e通過ITO膜形成在該樹脂層42上。 在圖7中，像素電極32a通過通孔45連接到連接配線39。通過在設(shè)置 于樹脂層42中的貫通孔的壁面上形成導(dǎo)電膜而得到通孔45。
這樣，在圖6和圖7所示的示例中，像素電極32a和與其對應(yīng)的 TFT33，通過通孔45、連接配線39以及接點43相連接。其中，驅(qū)動 像素電極32a的TFT 33被配置在像素電極32a以外的其它像素電極 32b的正下方。另外，驅(qū)動該TFT 33的柵極總線37也被配置在像素 電極32a以外的其它像素電極32b的正下方。
采用這種布局是為了抑制TFT 33的驅(qū)動對象的像素電極32a和 柵極總線37之間的寄生電容(Cgd)的增加，避免因柵極信號波形 的鈍化而使柵極總線的電容增加。
專利文獻l:日本特開平8-240812號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題 但是，如圖5 圖7所示，當對像素電極32a進行驅(qū)動的TFT被配 置在其它像素電極32b的正下方時，會在用于連接像素電極32a與 TFT 33的連接配線39和其它像素電極32b之間形成寄生電容Cppud (參照圖7)。
另外，圖5 圖7所示的液晶顯示裝置通過1H線反轉(zhuǎn)驅(qū)動被驅(qū) 動，按照從上到下的方向進行水平線的掃描。因此，寫入像素電極 32a的子像素中的數(shù)據(jù)的極性與處于同一水平線下的、寫入像素電 極32b的子像素中的數(shù)據(jù)的極性互為相反極性。其結(jié)果是，像素電 極32a所構(gòu)成的子像素通過寄生電容Cppud，受到位于同一水平線下 的像素電極32b中的電位變動的影響。
例如，觀察圖5所示的綠色的子像素，會發(fā)現(xiàn)圖5中的中央水平 線的綠色子像素與紅色子像素形成寄生電容Cppud。另一方面，圖5
中的上側(cè)水平線或者下側(cè)水平線的綠色子像素與藍色子像素形成 電容Cppud。
因此，當紅色子像素的寫入電位與藍色子像素的寫入電位不一樣時，綠色子像素所受電位變動的影響根據(jù)每個水平線而不同，其 結(jié)果是，會觀察到橫紋。特別是在用中間灰度級進行顯示時比較明 顯。
本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，提供一種液晶顯示裝置， 其可以抑制由于相鄰的像素中的一方受另一方的電位變動的影響 而導(dǎo)致的顯示圖像的畫面質(zhì)量降低。
用于解決問題的方案 為了達到上述目的，本發(fā)明的液晶顯示裝置具有陣列基板，所 述陣列基板設(shè)有多個像素電極和驅(qū)動上述多個像素電極的多個有 源元件，該液晶顯示裝置的特征在于，上述多個有源元件分別配置 在與各有源元件的驅(qū)動對象的像素電極相鄰的其它像素電極的正 下方區(qū)域中，并且，具備設(shè)有擴散層的硅膜以及隔著絕緣膜設(shè)置在 上述硅膜的上層的柵極電極，上述硅膜跨越形成在從其所構(gòu)成的上 述有源元件的驅(qū)動對象的像素電極的正下方區(qū)域到上述其它像素 電極的正下方區(qū)域中，并且，上述硅膜通過位于上述有源元件的驅(qū) 動對象的像素電極的正下方區(qū)域中的部分與上述有源元件的驅(qū)動 對象的像素電極電連接。
發(fā)明的效果
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，有源元件也與現(xiàn)有技術(shù)一樣位于 非驅(qū)動對象的像素電極的正下方。但是，有源元件通過構(gòu)成該有源 元件的硅膜中位于驅(qū)動對象的像素電極的正下方的部分與成為驅(qū)
動對象的像素電極連接。因此，在本發(fā)明中，寄生電容Cppud形成
在構(gòu)成有源元件的下層的硅膜與非驅(qū)動對象的像素電極之間，因此
寄生電容Cppud的大小與現(xiàn)有技術(shù)相比非常小。因此，通過本發(fā)明，
能夠抑制相鄰的像素中的一方受到另一方的電位變動的影響，其結(jié) 果，也可抑制顯示圖像的畫面質(zhì)量的降低。


圖l是表示本發(fā)明的實施方式l的液晶顯示裝置的一部分的具 體結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置的一部分的具 體結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3是表示本發(fā)明的實施方式2的液晶顯示裝置的一部分的具
體結(jié)構(gòu)的平面圖
圖4是表示本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置的一部分的具
體結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置中像素電極和源極總線的布局 的平面圖。
圖6是表示圖5所示的液晶顯示裝置的一部分的具體結(jié)構(gòu)的平 面圖。
圖7是表示圖5所示的液晶顯示裝置的一部分的具體結(jié)構(gòu)的截 面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的液晶顯示裝置具備設(shè)有多個像素電極和驅(qū)動上述多 個像素電極的多個有源元件的陣列基板，上述多個有源元件分別配 置在與各個有源元件的驅(qū)動對象的像素電極相鄰的其它像素電極 的正下方區(qū)域中，并且具備設(shè)有擴散層的硅膜以及隔著絕緣膜配置 在上述硅膜的上層的柵極電極，上述硅膜跨越形成在從其所構(gòu)成的 上述有源元件的驅(qū)動對象的像素電極的正下方區(qū)域到上述其它的 像素電極的正下方區(qū)域中，并且，上述硅膜通過位于上述有源元件 的驅(qū)動對象的像素電極的正下方區(qū)域的部分與上述有源元件的驅(qū) 動對象的像素電極電連接。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述陣列基板在上述硅膜的 上層具備覆蓋上述絕緣膜和上述柵極電極的第2絕緣膜以及覆蓋上 述第2絕緣膜的樹脂層，上述多個像素電極形成在上述樹脂層的上 方，上述硅膜與上述像素電極通過第l導(dǎo)通路、第2導(dǎo)通路以及設(shè)置 在上述第2絕緣膜上方的配線電連接，所述第l導(dǎo)通路貫穿上述絕緣 膜和上述第2絕緣膜，所述第2導(dǎo)通路貫穿上述樹脂層。
另外，在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置中，包含上述像素電極的子像素也可以配置成三角形排列，包含上述像素電極的子像素也可 以配置成條形排列。
實施方式l
下面，參照圖1和圖2說明本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置。
圖l是表示本發(fā)明的實施方式l的液晶顯示裝置的一部分的具體結(jié) 構(gòu)的平面圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置的一部 分的具體結(jié)構(gòu)的截面圖。
本實施方式l的液晶顯示裝置是在陣列基板和對置基板之間夾
著液晶層而構(gòu)成的。在圖1和圖2中，僅圖示了構(gòu)成液晶顯示裝置的 陣列基板l。另外，圖l省略了絕緣性部件的圖示。圖2示出沿著圖1 中的切斷線A-O-P-A'切斷所得到的截面。
在構(gòu)成本實施方式l的液晶顯示裝置的陣列基板l中，設(shè)有與多 個子像素分別對應(yīng)的多個像素電極以及驅(qū)動各個像素電極的多個 有源元件。有源元件是TFT(薄膜晶體管Thin Film Transistor"。 并且，在圖1中，僅圖示了多個像素電極中的一部分像素電極2a 2e， 而且，在多個TFT3中，僅圖示了驅(qū)動像素電極2a的TFT 3。
在本實施方式l中，與背景技術(shù)中圖5 圖7所示的示例(現(xiàn)有 技術(shù)) 一樣，由像素電極、濾色器(未圖示)等構(gòu)成的子像素按照 三角形排列(參照圖5)配置。另外，各個TFT分別配置在與該TFT 的驅(qū)動對象的像素電極相鄰的其它像素電極的正下方區(qū)域。具體而 言，如圖1和圖2所示，TFT 3被配置在像素電極2a (驅(qū)動對象)所 排列的水平方向的列的下一列中所排列的像素電極2b的正下方區(qū) 域。
另外，如圖1和圖2所示，TFT3具備設(shè)有擴散層的硅膜4和柵極 電極6。如上所述，將TFT3配置在非驅(qū)動對象的像素電極2b的正下 方區(qū)域，因此硅膜4跨越形成在從像素電極2a的正下方區(qū)域到像素 電極2b的正下方區(qū)域。在本實施方式l中，在硅膜4中，除去柵極電極6的正下方部分
以外，通過注入離子來導(dǎo)入雜質(zhì)形成擴散層。另外，硅膜4形成在 作為陣列基板1的基底基板的玻璃基板16的主面上。而且，在硅膜4 上以覆蓋硅膜4的方式形成第1絕緣膜5。在第1絕緣膜5上形成了柵 極電極6、柵極總線7和Cs總線10。第1絕緣膜5的與柵極電極6接觸 的部分具有柵極絕緣膜的功能。
另外，柵極電極6是從柵極總線7分支出來的配線，與柵極總線 7通過同一工序而同時形成。Cs總線10也是與柵極總線7通過同一工 序而同時形成。具體而言，首先，在第1絕緣膜5上形成GE金屬層， 在GE金屬層上形成覆蓋柵極電極6、柵極總線7和Cs總線10的形成 區(qū)域的抗蝕劑圖案。然后，將上述抗蝕劑圖案作為掩模進行蝕刻、 形成柵極電極6、柵極總線7和Cs總線10。
另外，在柵極電極6、柵極總線7和Cs總線10的上層，形成覆 蓋第1絕緣膜5和柵極電極6、柵極總線7以及Cs總線10的第2絕緣膜 11。而且，在第2絕緣膜11的上層，形成源極總線8和用于連接TFT 與作為驅(qū)動對象的像素電極的連接配線9。在圖1和圖2中，僅圖示 了連接TFT3與像素電極2a的連接配線9。另外，因為采用了三角形 排列，所以源極總線8形成為彎曲狀。
源極總線8和連接配線9通過使用SE金屬的同一個工序而同時 形成。此外，這里所說的SE金屬是指低電阻的導(dǎo)電性材料的鋁、銅、 金、銀等或在這些材料中混雜了微量硅的物質(zhì)。另外，SE金屬也包 含將由上述鋁等低電阻的導(dǎo)電性材料和鈦、氮化鈦等形成的勢壘金 屬層疊而成的結(jié)構(gòu)。源極總線8和連接配線9的形成與柵極總線7等 一樣，通過SE金屬的形成、抗蝕劑圖案的形成、蝕刻而形成。另外， 形成了貫穿第1絕緣膜5和第2絕緣膜11的接點13和接點14作為陣列 基板的厚度方向上的導(dǎo)通路。連接配線9通過接點13連接到構(gòu)成 TFT 3的硅膜4。源極總線8通過接點14連接到硅膜4。
另外，在第2絕緣膜11的上層形成樹脂層12，使其覆蓋第2絕緣 膜ll、源極總線8和連接配線9。像素電極2a 2e形成在該樹脂層12 上。像素電極2a 2e分別通過貫穿樹脂層12的通孔(導(dǎo)通路)15連接到所對應(yīng)的連接配線9。通過這種結(jié)構(gòu)，確保了TFT與作為驅(qū)動
對象的像素電極之間的電連接。
這樣，在本實施方式l中，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，TFT3位于非驅(qū)動 對象的像素電極2b的正下方，并且，TFT 3與作為驅(qū)動對象的像素 電極2a之間通過接點13、連接配線9和通孔9連接。但是，本發(fā)明的 實施方式l在以下幾方面與現(xiàn)有技術(shù)不同。
如圖1和圖2所示，在本實施方式l中，與現(xiàn)有技術(shù)不同，將使 連接配線9和TFT 3相連接的接點13形成在作為驅(qū)動對象的像素電 極2a的正下方區(qū)域。構(gòu)成TFT3的硅膜4位于像素電極2a的正下方區(qū) 域的部分與像素電極2a電連接。由此，用于連接像素電極2a與TFT3 的連接配線9，不會像現(xiàn)有技術(shù)那樣跨越形成到作為非驅(qū)動對象的 像素電極2b的正下方區(qū)域，而僅形成在作為驅(qū)動對象的像素電極2a 的正下方區(qū)域即可。
因此，在本實施方式l中，與現(xiàn)有技術(shù)不同，寄生電容Cppud 形成在構(gòu)成TFT3的硅膜4和像素電極2b之間。硅膜4位于連接配線9 的下層，因此寄生電容Cppud的大小和現(xiàn)有技術(shù)相比極小。其結(jié)果 是，根據(jù)本實施方式l，在相鄰的像素之間，可以有效地抑制由于 一方像素受另一方像素的電位變動的影響而產(chǎn)生的顯示圖像的畫 面質(zhì)量降低。
實施方式2
下面，參照圖3說明本發(fā)明的實施方式2的液晶顯示裝置。圖3 是表示本發(fā)明的實施方式2的液晶顯示裝置的一部分的具體結(jié)構(gòu)的 平面圖。在圖3中也和圖1一樣，僅圖示了構(gòu)成液晶顯示裝置的陣列 基板21，省略了絕緣性部件的圖示。另外，圖3中那些在圖1也用過 的符號所表示的部件，與在圖l中該符號所表示的部件是同一部件。 本實施方式2的液晶顯示裝置，也和實施方式1的液晶顯示裝置 一樣，是通過在陣列基板21和對置基板(未圖示)之間夾著液晶層 (未圖示)而構(gòu)成的。但是，本實施方式2和實施方式1不同的是， 在對置基板的像素電極間的邊界所對應(yīng)的部分設(shè)有格子形狀的遮 光膜(黑矩陣)23。另外，在本實施方式2中，Cs總線24與實施方式l中的圖l以及 圖2所示的Cs總線10不同，不是在像素間的邊界形成，而是在所對 應(yīng)的像素電極的正下方區(qū)域中形成。而且，配合Cs總線24的形狀， 構(gòu)成TFT3的硅膜22的圖案形狀也與實施方式1中的不同。此外，除 了上述幾方面之外，本實施方式2的液晶顯示裝置具備與實施方式1 的液晶顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)。
通過采用這種結(jié)構(gòu)，本實施方式2與實施方式1相比，Cs總線 24和源極總線8重疊的部分變小，在Cs總線24和源極總線8之間產(chǎn)生 的寄生電容(Cscsx)也變小。其結(jié)果是，與實施方式l相比，由于 源極總線電容、Cs總線電容變小，所消耗的電能也降低。并且，也 可抑制因源極總線電容、Cs總線電容的增加而導(dǎo)致顯示質(zhì)量降低的 情況。
此外，在本實施方式2中也和實施方式1一樣，將使連接配線9 和TFT 3相連接的接點13形成在作為驅(qū)動對象的像素電極2a的正下 方區(qū)域中。并且，構(gòu)成TFT 3的硅膜22通過位于像素電極2a的正下 方區(qū)域的部分與像素電極2a電連接。因此，在本實施方式2中也與 實施方式l一樣，在相鄰的像素之間，可有效地抑制一方像素因受 另一方像素的電位變動的影響而發(fā)生顯示圖像的畫面質(zhì)量的降低。
實施方式3
下面，參照圖4說明本發(fā)明的實施方式3的液晶顯示裝置。圖4 是表示本發(fā)明的實施方式l的液晶顯示裝置的一部分的具體結(jié)構(gòu)的 平面圖。圖4也與圖1一樣，僅圖示了構(gòu)成液晶顯示裝置的陣列基板 25，省略了絕緣性部件的圖示。另外，在圖4中的那些在圖1中也用 過的符號所表示的部件，與在圖l中該符號所表示的部件是同一部 件。
本實施方式3的液晶顯示裝置，也與實施方式1的液晶顯示裝置 一樣，是通過在陣列基板25和對置基板(未圖示)之間夾著液晶層 (未圖示)而構(gòu)成的。但是，本實施方式3和實施方式1不同的是， 子像素按照條形排列配置，源極總線27形成為直線形狀。另外，多 個像素電極配置為正方矩陣的形狀。在圖4中，僅顯示了多個像素電極中的 一 部分像素電極26a 26f。
這樣，在本實施方式3的液晶顯示裝置中采用了條形排列方式， 因此與實施方式1和實施方式2相比，可以清晰地顯示圖形、文字等 的輪廓。本實施方式3的液晶顯示裝置比實施方式1和實施方式2的 液晶顯示裝置更適合于OA用途。
此外，本實施方式3也與實施方式1一樣，將使連接配線9與TFT 3相連接的接點13形成在作為驅(qū)動對象的像素電極26a的正下方區(qū) 域中。而且，構(gòu)成TFT 3的硅膜4通過位于像素電極26a的正下方區(qū) 域的部分與像素電極26a電連接。因此，在本實施方式3中，也可獲 得在實施方式l中所述的效果。
工業(yè)上的可利用性
如上所述，通過本發(fā)明，可以抑制液晶顯示裝置的顯示圖像的 畫面質(zhì)量降低。本發(fā)明的液晶顯示裝置具有在產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用的可能 性。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具備設(shè)有多個像素電極和驅(qū)動上述多個像素電極的多個有源元件的陣列基板，其特征在于上述多個有源元件分別配置在與各個有源元件的驅(qū)動對象的像素電極相鄰的其它像素電極的正下方區(qū)域中，并且具備設(shè)有擴散層的硅膜和隔著絕緣膜設(shè)置在上述硅膜的上層的柵極電極，上述硅膜跨越形成在從其所構(gòu)成的上述有源元件的驅(qū)動對象的像素電極的正下方區(qū)域到上述其它像素電極的正下方區(qū)域中，并且，通過位于上述有源元件的驅(qū)動對象的像素電極的正下方區(qū)域的部分與上述有源元件的驅(qū)動對象的像素電極電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述陣列基板在上述硅膜的上層具備覆蓋上述絕緣膜和上述柵極電極的第2絕緣膜以及覆蓋上述第2絕緣膜的樹脂層，上述多個像素電極形成在上述樹脂層的上方，上述硅膜和上述像素電極通過第l導(dǎo)通路、第2導(dǎo)通路以及設(shè)置 在上述第2絕緣膜的上方的配線進行電連接，其中所述第l導(dǎo)通路貫 穿上述絕緣膜和上述第2絕緣膜，所述第2導(dǎo)通路貫穿上述樹脂層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于包含上述像素電極的子像素按照三角形排列進行配置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于包含上述像素電極的子像素按照條形排列進行配置。
全文摘要
提供一種液晶顯示裝置，其能夠抑制由于相鄰的像素中的一方受另一方的像素電位變動的影響而導(dǎo)致顯示圖像的畫面質(zhì)量降低的情況。使用具備設(shè)有像素電極和用于驅(qū)動像素電極的多個TFT的陣列基板的液晶顯示裝置。TFT被配置在與其驅(qū)動對象的像素電極相鄰的其它像素電極的正下方區(qū)域中。另外，TFT具有設(shè)有擴散層的硅膜以及隔著絕緣膜設(shè)置在硅膜上層的柵極電極。硅膜跨越形成在從TFT的驅(qū)動對象的像素電極的正下方區(qū)域到像素電極的正下方區(qū)域中。而且，硅膜通過位于TFT的驅(qū)動對象的像素電極的正下方區(qū)域的部分與TFT的驅(qū)動對象的像素電極電連接。
文檔編號G02F1/1343GK101553755SQ200780045547
公開日2009年10月7日 申請日期2007年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月12日
發(fā)明者中島睦, 吉田圭介, 田中耕平 申請人:夏普株式會社