專利名稱：陣列基板和具有其的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陣列基板和具有該陣列基板的顯示設(shè)備，更具體而言涉及能 夠提高開口率的陣列基板。
背景技術(shù)：
顯示設(shè)備包括多個像素，以顯示圖像。液晶顯示設(shè)備包括其上形成有對 應(yīng)于像素的像素區(qū)域的陣列基板以及與陣列基板耦合的對立基板。像素區(qū)域可以由設(shè)置于陣列基板上的信號線界定。對立基板裝備有設(shè)置 于其上的光阻擋構(gòu)件，以阻擋從像素之間通過的光。為了增大光通過每一像 素的面積，可以減小光阻擋構(gòu)件的尺寸。不過，由于在將陣列基板與對立基 板耦合時陣列基板和對立基板之間發(fā)生失準(zhǔn)，光阻擋構(gòu)件可能會具有足以防 止漏光的尺寸。于是，需要技術(shù)來提高像素開口率并防止陣列基板和對立基板之間的失準(zhǔn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供了一種能夠提高開口率并防止其失準(zhǔn)的陣列基板 以及具有該陣列基板的顯示設(shè)備。在本發(fā)明的示范性實施例中，陣列基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體 管、像素電極、存儲線和浮置電極。所述柵極線設(shè)置于基板上。所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線絕緣并與之交叉。 多個像素區(qū)域相對于柵極線包括第 一子區(qū)域和第二子區(qū)域。所述薄膜晶體管 形成于每個所述像素區(qū)域中。所述像素電極形成于所述薄膜晶體管上并電連 接到所述薄膜晶體管。所述存儲線形成于所述基板上并位于每一所述像素區(qū) 域的第一邊界，同時與所述柵極線隔開。所述浮置電極形成于所述基板上并 位于每一所述像素區(qū)域的第二邊界，同時與所述柵極線和所述存儲線隔開。在本發(fā)明的示范性實施例中，顯示設(shè)備包括第一基板、多個像素區(qū)域、薄膜晶體管、像素電極、存儲線、浮置電極和第二基板。所述第 一基板包括柵極線和多個與所述柵極線絕緣并與之相交的數(shù)據(jù) 線。所述像素區(qū)域相對于柵極線包括第一子區(qū)域和第二子區(qū)域。所述薄膜晶 體管形成于每個所述像素區(qū)域中。所述像素電極形成于所述薄膜晶體管上并 電連接到所述薄膜晶體管。所述存儲線形成于所述第一基板上并位于每一所 述像素區(qū)域的第一邊界，同時與所述柵極線隔開。所述浮置電極形成于所述 第一基板上并位于每一所述像素區(qū)域的第二邊界，同時與所述柵極線和所述 存儲線隔開。所述第一基板與所述第二基板耦合。根據(jù)上述內(nèi)容，該陣列基板和顯示設(shè)備可以防止光阻擋構(gòu)件和像素區(qū)域 之間失準(zhǔn)并提高像素區(qū)域的開口率，由此實現(xiàn)高質(zhì)量圖像。


可以結(jié)合附圖通過以下說明更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示范性實施例，附圖中圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖； 圖2為示出了圖1的像素的等效電路圖； 圖3為示出了圖1的光阻擋構(gòu)件的平面圖； 圖4A為沿圖1的線I-I'截取的截面圖； 圖4B為沿圖1的線II-n'截取的截面圖；圖5為示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖； 圖6為示出了圖5的像素的等效電路圖； 圖7為示出了圖5的光阻擋構(gòu)件的平面圖； 圖8為沿圖5的線III-in'截if又的截面圖；圖9為示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖； 圖10為圖9的"A，，部分的放大圖；以及 圖11為沿圖9的線IV-IV'截取的截面圖。
具體實施方式
在下文中將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實 施例。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件在另一元件"上"時， 它可以直接位于另一元件上，或者也可以存在中間元件。圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖。 參考圖1，液晶顯示設(shè)備包括其上形成有多個像素區(qū)域PA的第一基板100、與第一基板100相對的第二基板200以及設(shè)置在第一和第二基板100 和200之間的液晶層(如圖4A所示)。第一和第二基板100和200可以彼此 面對。第一基板100包括彼此隔開預(yù)定距離的多個像素電極170，第二基板 200包括形成于其上的公共電極240。根據(jù)施加到第一和第二像素電極171 和172上的電壓極性，將每個像素電極170分成第一像素電極171和第二像 素電極172。將每個像素區(qū)域PA分成其中形成第一像素電極171的第一像 素區(qū)域PA1和其中形成第二像素電極172的第二像素區(qū)域PA2。第一基板100包括各種導(dǎo)電圖案，例如柵極線130、存儲線131和132、 浮置電極136和137以及數(shù)據(jù)線150。柵極線130沿行方向延伸，將像素區(qū)域PA分成兩部分。存儲線131和 132包括第一存儲線131和第二存儲線132,其間為柵極線130。第一存儲線 131包括干線(mainline)131a和副線(subline)131b。第二存儲線132包括干線 132a和副線132b。干線131a和132a基本平行于柵極線130延伸,副線131b 和132b分別從干線131a和132a分支出來并垂直于干線131a和132a延伸。相對于柵極線130,第一浮置電極136形成于其中形成有第一存儲線131 的區(qū)域中，第二浮置電極137形成于其中形成有第二存儲線132的區(qū)域中。 第一和第二浮置電極136和137基本平行于副線131b和132b。沿著柵極線130交替地形成第一存儲線131的副線131b和第一浮置電 極136。沿著柵極線130交替地形成第二存儲線132的副線132b和第二浮置 電極137。第一存儲線131的副線131b和第二浮置電極137相對于柵極線 130對稱地設(shè)置。第二存儲線132的副線132b和第一浮置電極136相對于柵 極線130對稱地設(shè)置。數(shù)據(jù)線150沿基本垂直于柵極線130的方向延伸。數(shù)據(jù)線150與副線 131b和132b、第一浮置電極136和第二浮置電極137部分重疊。圖2為示出了圖1的像素的等效電路圖。參考圖2，多條柵極線130沿行方向延伸，第一和第二存儲線131和132, 多條數(shù)據(jù)線150沿列方向延伸。像素被分成形成于第一像素區(qū)域PA1中的第一組PG1和形成于第二像 素區(qū)域PA2中的第二組PG2。沿著行和列方向交替設(shè)置第一組PG1的像素和第二組PG2的像素。換言之，第i行中所包括的奇數(shù)編號的像素屬于第一 組PG1，第i行中所包括的偶數(shù)編號的像素屬于第二組PG2。反之，第i+l 行中所包括的偶數(shù)編號的像素屬于第一組PG1，第i+l行中所包括的奇數(shù)編 號的像素屬于第二組PG2。第 一組PG1中的每個像素包括第 一薄膜晶體管Tl 、第一液晶電容器Clcl 和第一存儲電容器Cstl。第一薄膜晶體管Tl包括連接至柵極線130中的對 應(yīng)柵極線的對冊電極130g、連接至數(shù)據(jù)線150中的對應(yīng)數(shù)據(jù)線的源電極150s 和連接至第一液晶電容器Clcl的漏電極150d。第一液晶電容器Clcl包括連接至漏電極150d的第一像素電極171、公 共電極240和設(shè)置在第一像素電極171和公共電極240之間的液晶層。第一存儲電容器Cstl連接到第一液晶電容器Clcl。第一存儲電容器Cstl 由形成于第一基板100上的有源層110 (在圖4B中示出)、第一存儲線131 和設(shè)置于有源層110和第一存儲線131之間的絕緣層120 (圖4B中示出) 形成。第二組PG2中的每個像素包括第二薄膜晶體管T2、第二液晶電容器Clc2 和第二存儲電容器Cst2。第二薄膜晶體管T2包括連接至柵極線130的柵電 極130g、連接至數(shù)據(jù)線150的源電極150s和連接至第二液晶電容器Clc2的 漏電才及150d。第二液晶電容器Clc2包括連接至漏電極150d的第二像素電極172、公 共電極240和設(shè)置在第二像素電極172和公共電極240之間的液晶層。第二存儲電容器Cst2連接到第二液晶電容器Clc2。第二存儲電容器Cst2 由形成于第一基板IOO上的有源層、第二存儲線132和設(shè)置于有源層和第二 存儲線132之間的絕緣層形成。當(dāng)?shù)谝缓偷诙w管Tl和T2響應(yīng)于從柵極線130施加的柵極電壓而被 導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)電壓被施加到像素電極170,公共電壓被施加到公共電極240, 從而因為數(shù)據(jù)電壓和公共電壓之間的電位差在像素電極170和公共電極240 之間形成電場。液晶層的液晶分子根據(jù)電場沿各種方向排列。液晶分子具有 各向異性折射率并依據(jù)其配向方向而具有各種光透射率。于是，液晶顯示設(shè) 備利用電場控制液晶分子的配向方向，以對應(yīng)于光透射率顯示圖像。在液晶顯示器工作期間，施加到像素電極170的數(shù)據(jù)電壓的極性在每一 幀相對于公共電壓反轉(zhuǎn)。當(dāng)液晶分子沿一個特定方向排列時，液晶分子可能被劣化。每幀數(shù)據(jù)電壓極性反轉(zhuǎn)稱為反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法。作為反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法，可以采用幀反轉(zhuǎn)方法、線反轉(zhuǎn)方法和點反轉(zhuǎn)方法。 幀反轉(zhuǎn)方法在每一 幀相對于直流型公共電壓反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)電壓的極性，線反轉(zhuǎn)方 法在每條線或至少兩條線相對于交流型公共電壓反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)電壓的極性，而點 反轉(zhuǎn)方法在每個像素反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)電壓的極性。在示范性實施例中，當(dāng)液晶顯示設(shè)備采用點反轉(zhuǎn)方法時，第一組PG1中的像素所接收的數(shù)據(jù)電壓的極性不同于施加到第二組PG2中的像素的數(shù) 據(jù)電壓的極性。更具體而言，當(dāng)在預(yù)定幀期間將正極性(+)的數(shù)據(jù)電壓施加到 第一組PG1中的像素時，在該預(yù)定幀期間將負(fù)極性(-)的數(shù)據(jù)電壓施加到 第二組PG2中的像素。反之，當(dāng)在下一幀期間將負(fù)極性(-)的數(shù)據(jù)電壓施 加到第一組PG1中的像素時，將正極性(+)的數(shù)據(jù)電壓施加到第二組PG2中 的像素。點反轉(zhuǎn)方法可以適于防止抖動現(xiàn)象，即只要幀變化的時候屏幕就會 抖動的現(xiàn)象。在液晶顯示器工作期間，將對應(yīng)于第一和第二存儲電容器Cstl和Cst2 的每個的交流電壓施加到第一和第二存儲線131和132。當(dāng)交流電壓從低電 平變到高電平時，由第一存儲電容器Cstl升高第一液晶電容器Clcl中的充 電電壓。于是，第一存儲電容器Cstl可以提高第一液晶電容器Clcl的電荷 保持時間。當(dāng)交流電壓從低電平變到高電平時，由第二存儲電容器Cst2升 高第二液晶電容器Clc2中的充電電壓。因此，第二存儲電容器Cst2可以提 高第二液晶電容器Clc2的電荷保持時間。在操作液晶顯示器時，液晶分子可能會在像素之間不正常地配向。于是， 在像素之間形成光阻擋構(gòu)件,使得光不會通過不正常配向的液晶分子。每一 像素的開口率取決于形成于像素間的光阻擋構(gòu)件尺寸。圖3為示出了圖1的光阻擋構(gòu)件的平面圖。參考圖3,第一和第二存儲線131和132、及第一和第二浮置電極136 和137充當(dāng)光阻擋構(gòu)件。在矩形第一像素區(qū)域PA1中，相對于柵極線130 將第一存儲線131的干線131a設(shè)置在第一像素區(qū)域PAl的上邊緣，其對應(yīng) 于柵極線130的行方向。第一存儲線131的副線131b和第一浮置電極136 位于第一像素區(qū)域PA1的兩上-側(cè)邊緣，其對應(yīng)于垂直于柵極線130的行方 向的列方向。相對于柵極線130將第二存儲線132的干線132a設(shè)置在第一 像素區(qū)域PA1的下邊緣，其對應(yīng)于^fr極線130的行方向。第二存儲線132的副線132b和第二浮置電極137位于第一像素區(qū)域PA1的兩下-側(cè)邊緣，其 對應(yīng)于垂直于柵極線130的行方向的列方向。在第二像素區(qū)域PA2中，分別相對于柵極線130將第一和第二存儲線 131和132的干線131a和132a設(shè)置在第二像素區(qū)域PA2的上和下邊緣，其 對應(yīng)于柵極線130的行方向。副線131b和第一浮置電極136位于第二像素 區(qū)域PA2的上-側(cè)邊緣，副線132b和第二浮置電極137位于第二像素區(qū)域PA2 的下-側(cè)邊緣。在示范性實施例中，第二像素區(qū)域PA2中的第一存儲線131 的副線131b、第二存儲線132的副線132b、第一浮置電極136和第二浮置 電極137設(shè)置得與第一像素區(qū)域PA1中相反。第一和第二存儲線131和132、第一和第二浮置電極136和137包括具 有不透明屬性的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以包括金屬，例如鉻、銅、鋁、鉬或 其合金。由于第一和第二存儲線131和132以及第一和第二浮置電極136和 137具有不透明屬性，因此可以將第一和第二存儲線131和D2及第一和第 二浮置電極136和137用作光阻擋構(gòu)件。第一和第二存儲線131和132、以及第一和第二浮置電極136和137形 成于其上形成有像素區(qū)域PA的第一基板100上。當(dāng)光阻擋構(gòu)件位于像素區(qū) 域PA之間時，與在第二基板200上形成光阻擋構(gòu)件相比可以防止不對準(zhǔn)。 由于可以防止失準(zhǔn)，因此可以減小光阻擋構(gòu)件的尺寸，由此提高液晶顯示器 的開口率。圖4A為沿圖1的線I-r截取的截面圖，以及圖4B為沿圖1的線n-n'截取的截面圖。參考圖4A，液晶顯示設(shè)備包括第一基板100、第二基板200和設(shè)置于第 一和第二基板100和200之間的液晶層300。在示范性實施例中，有源層IIO形成于第一基板IOO上。通過對多晶硅 層構(gòu)圖形成有源層IIO。可以直接向第一基板IOO上淀積多晶硅層，或者可 以在向第一基板IOO上淀積非晶硅之后通過晶化非晶硅形成多晶硅層。有源 層110包括其中注入了雜質(zhì)的源極區(qū)110s和漏極區(qū)110d。有源層110由柵極絕緣層120覆蓋?？梢岳玫入x子體增強化學(xué)氣相淀積方法在第一基板100上形成柵極絕緣層120。柵電極130g形成于柵極絕緣層120上并對應(yīng)于源極區(qū)和漏極區(qū)110s和110d之間。柵電極130g被形成于第一基板100上的第一絕緣間層140覆蓋。連接至源極區(qū)110s的源電極150s和連接至漏極區(qū)110d的漏電極150d形成于第一絕緣間層140上。第一 薄膜晶體管Tl (或第二薄膜晶體管T2)包括源電極150s、漏電極150d和 柵電極130g。如上所述，第一薄膜晶體管Tl具有頂柵極結(jié)構(gòu)，其中柵電極130g位于 有源層110上方。不過，第一薄膜晶體管Tl不限于頂柵極結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用 到柵電極130g位于有源層110下方的底^f冊極結(jié)構(gòu)。第一薄膜晶體管Tl被第二絕緣間層160覆蓋。第一像素電極171 (或 第二像素電極)形成于第二絕緣間層160上。通過對諸如氧化銦錫或氧化銦 鋅的透明導(dǎo)電層構(gòu)圖形成第一像素電極171。第一像素電極171通過接觸孔 161電連接到第一薄膜晶體管Tl的漏電極150d。參考圖4B,在第一基板100上對應(yīng)于像素區(qū)域PA之間形成第一存儲電 容器Cstl (或第二存儲電容器Cst2)。第一存儲電容器Cstl由有源層110、 第一存儲線131和柵極絕緣層120形成。第一浮置電極136 (或第二浮置電 極137)形成于柵極絕緣層120上，與第一存儲線131的副線131b隔開。柵 極絕緣層120設(shè)置在第一浮置電極136和第一基板100之間。在形成了第一 存儲電容器Cstl和第一浮置電極136的第一基板100上依次形成第一絕緣 間層140、數(shù)據(jù)線150和第二絕緣間層160。在第二絕緣間層160上根據(jù)像 素區(qū)域PA交替地形成第 一和第二像素電極171和172 。由于根據(jù)點反轉(zhuǎn)方法，第一和第二像素電極171和172接收具有彼此不 同極性的數(shù)據(jù)電壓，因此在第一和第二像素電極171和172之間形成電場。 電場扭曲液晶層300的液晶分子的排列，由此劣化了第一和第二像素電極 171和172之間區(qū)域中的顯示質(zhì)量。因此，為了阻擋光通過采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動 方法的液晶顯示器的第一和第二像素電極171和172之間的區(qū)域，被用作光 阻擋構(gòu)件的第一和第二存儲線131和132以及第一和第二浮置電極136和 137需要具有足以阻擋光的尺寸。在示范性實施例中，采用線反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法 的液晶顯示器的光阻擋構(gòu)件可以具有大約7微米到大約8微米范圍內(nèi)的寬 度，優(yōu)選大約為7.5微米。在示范性實施例中，采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法的液晶 顯示器中的光阻擋構(gòu)件具有大約9微米到大約IO微米范圍內(nèi)的寬度，優(yōu)選 大約為9.5微米。于是，被用作采用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法的液晶顯示器的光阻擋構(gòu)件的副線 131b和132b以及第一和第二浮置電極136和137具有大約9.5微米的寬度。點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法下光阻擋構(gòu)件的寬度比線反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法下光阻擋構(gòu)件的寬度大2微米左右，從而像素區(qū)域PA的開口率可以減少大約2微米。根據(jù)副線131b和132b寬度的增加，可增大第一和第二存儲電容器Cstl 和Cst2的電容。于是，可以延長第一和第二液晶電容器Clcl和Clc2的充電 時間。圖5為示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖。在 圖5中，相同的附圖標(biāo)記表示與圖1中相同的元件，因此將省略對相同元件 的具體描述。參考圖5,液晶顯示設(shè)備包括第一基板100和面對第一基板100的第二 基板200。第一基板100包括多個像素區(qū)域PA。像素電極170形成于像素區(qū) 域PA中。根據(jù)施加到其上的電壓極性，將每個像素電極170分成第一像素 電極171和第二像素電極172。將每個像素區(qū)域PA分成其中形成第一像素 電極171的第一像素區(qū)域PA1和其中形成第二像素電極172的第二像素區(qū)域 PA2。交替設(shè)置三個第一像素區(qū)域PA1和三個第二像素區(qū)域PA2。第一基板100包括柵極線130、存儲線131和132以及浮置電極136和 137。柵極線130橫跨像素區(qū)域PA。存儲線131和132包括第一存儲線131 和第二存儲線132。第一存儲線131包括干線131a和副線131b,第二存儲 線132包括干線132a和副線132b。浮置電極136和137基本平行于副線131b 和132b。類似于第一和第二像素區(qū)域PA1和PA2，交替設(shè)置第一存儲線131 的三個副線131b和三個第一浮置電極136,也交替地設(shè)置第二存儲線132 的三個副線132b和三個第二浮置電極137。第一存儲線131的副線131b和 第二浮置電極137相對于柵極線130對稱地設(shè)置，并且第二存儲線132的副 線132b和第一浮置電極136相對于柵極線130對稱地設(shè)置。數(shù)據(jù)線150沿相對于柵極線130垂直的方向延伸。數(shù)據(jù)線150與副線 131b和132b、第一和第二浮置電極136和137部分地重疊。圖6為圖5的像素的等效電路圖。參考圖6,將像素分成形成于第一像素區(qū)域PA1中的第一組PG1和形成 于第二像素區(qū)域PA2的第二組PG2。交替地設(shè)置第一組PG1中的三個像素 和第二組PG2中的三個像素。第一組PGl中的每個像素包括第一薄膜晶體管Tl、第一液晶電容器Clcl 和第一存儲電容器Cstl。第二組PG2中的每個像素包括第二薄膜晶體管T2、第二液晶電容器Clc2和第二存儲電容器Cst2。液晶顯示器操作時，第一組PG1中的像素接收的數(shù)據(jù)電壓的極性不同于 施加到第二組PG2中的像素的數(shù)據(jù)電壓極性。換言之，對液晶顯示器施加點 反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法，其中，沿著行方向每三個像素反轉(zhuǎn)施加到像素電極170的數(shù) 據(jù)電壓極性，從而可以防止抖動現(xiàn)象。液晶顯示器可以包括光阻擋構(gòu)件，以 阻擋通過像素區(qū)域PA之間的不正常配向的液晶分子的光。圖7為示出了圖5的光阻擋構(gòu)件的平面圖。參考圖7，第一存儲線131、第二存儲線132、第一浮置電極136和第二 浮置電極137充當(dāng)光阻擋構(gòu)件。干線131a和132a分別設(shè)置在第一像素區(qū)域 PA1的上下邊緣。在三個相繼的第一像素區(qū)域PA1中，第一像素區(qū)域PA1 的兩個像素區(qū)域具有左右對稱性，第一像素區(qū)域PA1的一個像素區(qū)域具有左 右不對稱性。第一存儲線131的副線131b相對于柵極線130位于所述兩個 像素區(qū)域PA1的所述兩上-側(cè)邊緣，第二浮置電極137相對于柵極線130位 于第一像素區(qū)域PA1的所述兩個像素區(qū)域的兩下-側(cè)邊緣。第一存儲線131 的副線131b位于左右不對稱的第一像素區(qū)域PAl的所述一個像素區(qū)域的左 上-側(cè)邊緣，第二浮置電極137位于左右不對稱的第一像素區(qū)域PA1的所述 一個像素區(qū)域的左下-側(cè)邊緣。第一浮置電極136位于左右不對稱的第一像 素區(qū)域PA1的所述一個像素區(qū)域的右上-側(cè)邊緣，第二存儲線132的副線132b 位于左右不對稱的第一像素區(qū)域PA1的所述一個像素區(qū)域的右下-側(cè)邊緣。在三個相繼的第二像素區(qū)域PA2中，干線131a和132a分別位于第二像 素區(qū)域PA2的上下邊緣。在三個相繼的第二像素區(qū)域PA2中，第二像素區(qū) 域PA2的兩個像素區(qū)域具有左右對稱性，第二像素區(qū)域PA2的一個像素區(qū) 域具有左右不對稱性。換言之，浮置電極136相對于柵極線130位于左右對 稱的第二像素區(qū)域PA2的兩個像素區(qū)域的兩上-側(cè)邊緣，第二存儲線132的 副線132b位于第二像素區(qū)域PA2的兩個像素區(qū)域的兩下-側(cè)邊緣。第一浮置 電極136位于左右不對稱的第二像素區(qū)域PA2的一個像素區(qū)域的左上-側(cè)邊 緣，第二存儲線132的副線132b位于左右不對稱的第二像素區(qū)域PA2的一 個像素區(qū)域的左下-側(cè)邊緣。第一存儲線131的副線131b位于左右不對稱的 第二像素區(qū)域PA2的一個像素區(qū)域的右上-側(cè)邊緣，第二浮置電極137位于 左右不對稱的第二像素區(qū)域PA2的 一個像素區(qū)域的右下-側(cè)邊緣。圖8為沿圖5的線m-m'截取的截面圖。參考圖8,有源層110、柵極絕緣層120、第一存儲線131的副線131b、 第一浮置電極136、第一絕緣間層140、數(shù)據(jù)線150、第二絕緣間層160、第 一像素電極171和第二像素電極172形成于第一基板100上。黑矩陣210、濾色器220、平坦化層230和公共電極240形成于第二基 板200上。對應(yīng)于像素區(qū)域PA之間形成黑矩陣210。黑矩陣210可以包括 例如金屬或有機材料，以支援形成于第一基板IOO上的光阻擋構(gòu)件。當(dāng)光阻 擋構(gòu)件足以阻擋光時，可以從第二基板200去除黑矩陣210。濾色器220可以包括例如沿像素區(qū)域PA交替設(shè)置的紅色、綠色和藍(lán)色 濾色器，以顯示彩色圖像。形成于像素區(qū)域PA之間的黑矩陣210防止紅色、 綠色和藍(lán)色濾色器導(dǎo)致紅、綠和藍(lán)色混合。平坦化層230使第二基板200的表面平坦化，以防止黑矩陣210和濾色 器220之間的臺階差，而公共電極240形成于平坦化層230上。在圖1到圖8中，已經(jīng)描述了采用lxl點反轉(zhuǎn)或3xl點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法的 液晶顯示器的光阻擋構(gòu)件作為本發(fā)明的示范性實施例。不過，可以將光阻擋 構(gòu)件應(yīng)用于采用超過3xl點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法的液晶顯示器。圖9為示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的液晶顯示設(shè)備的平面圖。在 圖9中，相同的附圖標(biāo)記表示與圖l和5中相同的元件，因此將省略對相同 元件的具體描述。參考圖9，液晶顯示設(shè)備包括第一基板IOO和與第一基板IOO相對設(shè)置 的第二基板200。第一基板IOO包括多個區(qū)域PA。像素電極170形成于像素 區(qū)域PA中。根據(jù)施加到其上的電壓極性，將每個像素電極170分成第一像 素電極171和第二像素電極172。將每個像素區(qū)域PA分成其中形成第一像 素電極171的第一像素區(qū)域PA1和其中形成第二像素電極172的第二像素區(qū) 域PA2。交替地設(shè)置三個第一像素區(qū)域PA1和三個第二像素區(qū)域PA2,并且 液晶顯示器采用3xl點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法。第一基板100包括柵極線130、第一和第二存儲線131和132、第一和 第二浮置電極136和137以及數(shù)據(jù)線150。圖10為圖9的"A"部分的放大圖。參考圖10，數(shù)據(jù)線150可以具有不均勻的寬度。數(shù)據(jù)線150具有第一寬 度Wl且沿著垂直于柵極線130的方向延伸。在^J極線130和第一浮置電極 136彼此相鄰的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線150的第一寬度Wl擴展到第二寬度W2。第一寬度W1比第一浮置電極136的寬度窄，而第二寬度W2基本對應(yīng)于第 一浮置電極136的寬度。在數(shù)據(jù)線150具有第二寬度W2的區(qū)域中柵極線130和第一浮置電極 136彼此間隔開，使得柵極線130和第一浮置電極136不會彼此電短接。由 于在柵極線130和第一浮置電極136彼此隔開的區(qū)域中數(shù)據(jù)線150具有比第 一寬度Wl寬的第二寬度W2，因此數(shù)據(jù)線150可以防止通過柵極線130和 第一浮置電極136之間的區(qū)域漏光?？梢詳U展數(shù)據(jù)線150的寬度以阻擋光通過柵極線130和第二浮置電極 137之間的區(qū)域、柵極線130和副線131b和132b之間的區(qū)域、第一存儲線 的干線131a和第一浮置電極136之間的區(qū)域以及第二存儲線的干線132a和 第二浮置電極137之間的區(qū)域。雖然數(shù)據(jù)線150的寬度未擴展，但對應(yīng)于像素區(qū)域PA之間形成于第二 基板200上的黑矩陣210 (圖11中示出)可以防止漏光。圖11為沿圖9的線IV-IV'截取的截面圖。參考圖11,柵極絕緣層120形成于第一基板IOO上，第一浮置電極136 形成于柵極絕緣層120上。第一浮置電極136與相鄰的第一浮置電極隔開， 其間為像素區(qū)域PA。在形成了第一浮置電極136的第一基板100上依次形 成第一絕緣間層140、數(shù)據(jù)線150、第二絕緣間層160、第一像素電極171 和第二像素電極172。第二基板200包括黑矩陣210、濾色器220、平坦化層230和公共電極 240。液晶層300設(shè)置在第一和第二基板100和200之間。第一浮置電極136具有隨其在柵極絕緣層120上的位置而不均勻的寬 度。如圖ll所示，當(dāng)把第一浮置電極136分成左第一浮置電極1361和右第 一浮置電極136r時，左第一浮置電極1361具有第三寬度W3,右第一浮置 電極136r具有比第三寬度W3窄的第四寬度W4。參考圖9,左第一浮置電極1361位于第一像素區(qū)域PA1和第二像素區(qū)域 PA2之間，右第一浮置電極136r位于第二像素區(qū)域PA2之間。利用點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法，與第一像素區(qū)域PA1之間或第二像素區(qū)域PA2 之間形成的電場相比，在第一和第二像素區(qū)域PA1和PA2之間形成了強電 場，因為第一和第二像素電極171和172分別接收不同極性的數(shù)據(jù)電壓。由 于電場的作用，會在第一和第二像素區(qū)域PA1和PA2之間不正常配向大部分液晶分子，從而左第一浮置電極136具有足以阻擋光通過不正常配向液晶分子的寬度。不過，在第二像素區(qū)域PA2之間(或第一像素區(qū)域PA1之間) 形成了比強電場弱的電場，因為第二像素電極172接收具有相同極性的數(shù)據(jù) 電壓。因此，在第二像素區(qū)域PA2之間(或第一像素區(qū)域PA2之間)沒有 這么多的不正常配向的液晶分子，從而右第一浮置電極136r具有比第三寬 度W3窄的第四寬度W4是足夠的。在示范性實施例中，第三寬度W3在大 約9微米到大約10微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選約為9.5微米。第四寬度在大約7 微米到大約8微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選大約為7.5微米。雖然在圖11中未示出，當(dāng)?shù)诙≈秒姌O137、第一存儲線的副線131b 和第二存儲線的副線132b位于第一和第二像素區(qū)域PAl和PA2之間時，它 們中的每個都具有第三寬度W3。當(dāng)?shù)诙≈秒姌O137、第一存儲線的副線 131 b和第二存儲線的副線132b位于第 一像素區(qū)域PA1之間或第二像素區(qū)域 PA2之間時，它們中的每個都具有第四寬度W4。如上所述，由于位于第一像素區(qū)域PA1之間或第二像素區(qū)域PA2之間 的光阻擋構(gòu)件的寬度減小了 ，因此可以將液晶顯示器的開口率增大光阻擋構(gòu) 件減小的寬度。根據(jù)上述內(nèi)容，該陣列基板和顯示設(shè)備可以防止光阻擋構(gòu)件和像素區(qū)域 之間失準(zhǔn)并提高像素區(qū)域的開口率，由此實現(xiàn)高質(zhì)量圖像。雖然已經(jīng)參考附圖在此描述了本發(fā)明的示范性實施例，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā) 明不限于這些示范性實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以在其中作出各種其 他的變化和修改而不脫離本發(fā)明的范圍或精神。所有這些變化和修改都將包 括在如所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本申請要求享有2007年1月30日提交的韓國專利申請No.2007-09496 的優(yōu)選權(quán)，在此全文引入其內(nèi)容以做參考。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括形成于基板上的柵極線；與所述柵極線絕緣的多條數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，形成于包括第一子區(qū)域和第二子區(qū)域的像素區(qū)域中；形成于所述薄膜晶體管上的像素電極，所述像素電極電連接到所述薄膜晶體管；形成于所述基板上的存儲線，所述存儲線與所述柵極線隔開并位于所述像素區(qū)域的第一邊界；以及形成于所述基板上的浮置電極，其中所述浮置電極與所述柵極線和所述存儲線隔開，并位于所述像素區(qū)域的第二邊界。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所迷存儲線包括第一和第二 存儲線，每一所述存儲線均具有基本平行于所述柵極線的干線以及從所述干 線分支出來并位于所述第一和第二子區(qū)域的邊界處的副線，所述浮置電極包 括基本平行于所述副線且位于所述第一和第二子區(qū)域的邊界處的第一和第 二浮置電極，所述第 一存儲線的副線和所述第二浮置電極關(guān)于所述柵極線對 稱設(shè)置，且所述第二存儲線的副線和所述第一浮置電極關(guān)于所述柵極線對稱 設(shè)置。
3. —種顯示設(shè)備，包括第一基板，包括柵極線和多條與所述柵極線絕緣的數(shù)據(jù)線； 薄膜晶體管，形成于具有第 一子區(qū)域和第二子區(qū)域的像素區(qū)域中； 形成于所述薄膜晶體管上的像素電極，所述像素電極連接到所述薄膜晶 體管；與所述柵極線隔開的存儲線，其中所述存儲線位于所述像素區(qū)域的第一 邊界；與所述柵極線和所述存儲線隔開的浮置電極，所述浮置電極位于所述像 素區(qū)域的第二邊界；以及與所述第 一基板耦合的第二基板。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中所迷存儲線包括第一和第二出來并位于所述第 一和第二子區(qū)域的邊界處的副線，所述浮置電極包括基本 平行于所述副線且位于所述第一和第二子區(qū)域的邊界處的第一和第二浮置 電極，所述第 一存儲線的副線位于關(guān)于所述柵極線對應(yīng)于所述第二浮置電極 的區(qū)域中，且所述第二存儲線的副線位于關(guān)于所述柵極線對應(yīng)于所述第 一浮 置電極的區(qū)域中。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中所述第一和第二浮置電極垂 直于所述柵極線，所述第一存儲線的副線和所述第二浮置電極關(guān)于所述柵極 線對稱設(shè)置，且所述第二存儲線的副線和所述第一浮置電極關(guān)于所述柵極線 對稱設(shè)置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備，其中所述像素區(qū)域包括第一組和 第二組，所述第一和第二組沿所述柵極線交替設(shè)置，并且所述像素電極包括形成于所述第一組的像素區(qū)域中的第一像素電極；以及 形成于所述第二組的像素區(qū)域中的第二像素電極，向所述第二像素電極 施加的數(shù)據(jù)電壓的極性與施加到所述第一像素電極的數(shù)據(jù)電壓極性相反。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)線沿所述像素區(qū)域 的第一邊界或第二邊界在垂直于所述柵極線的方向延伸，并包括對應(yīng)于所述 第 一組的像素區(qū)域的第 一數(shù)據(jù)線和對應(yīng)于所述第二組的像素區(qū)域的第二數(shù) 據(jù)線。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中所述薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管，其包括從所述柵極線分支出來并位于所述第一子區(qū)域 中的第一柵電極、從所述第一數(shù)據(jù)線分支出來并與所述第一柵電極部分重疊 的第一源電極以及與所述第一源電極隔開并電連接到所述第一像素電極的 第一漏電極；以及第二薄膜晶體管，其包括從所述柵極線分支出來并位于所述第二子區(qū)域 中的第二柵電極、從所述第二數(shù)據(jù)線分支出來并與所述第二柵電極部分重疊 的第二源電極以及與所述第二源電極隔開并電連接到所述第二像素電極的 第二漏電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，還包括設(shè)置在所述第 一基板和所述第 一柵電極之間以及所述第 一基板和所述 第一存儲線之間的第一有源層；以及設(shè)置在所述第 一基板和所述第二柵電極之間以及所述第 一基板和所述 第二存儲線之間的第二有源層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中所述第一有源層包括摻有雜 質(zhì)且分別對應(yīng)于所述第一源電極和所述第一漏電極的第一源極區(qū)和第一漏 極區(qū)，所述第二有源層包括摻有所述雜質(zhì)且分別對應(yīng)于所述第二源電極和所 述第二漏電極的第二源極區(qū)和第二漏極區(qū)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，還包括由所述第一有源層和與所述第一有源層交疊的所述第一存儲線形成的 第一存儲電極；以及由所述第二有源層和與所述第二有源層交疊的所述第二存儲線形成的第二存儲電極。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中所述第一組的像素區(qū)域和所 述第二組的像素區(qū)域通過一個像素交替地形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中所述副線包括與所述第一 和第二浮置電極的寬度相同的寬度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設(shè)備，其中所述寬度在大約9微米到 大約IO微米的范圍內(nèi)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中所述第一組的像素區(qū)域和所 述第二組的像素區(qū)域通過至少兩個像素交替地形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示設(shè)備，其中形成于所述第一組的像素 區(qū)域和所述第二組的像素區(qū)域之間的所述副線、所述第一浮置電極和所述第 二浮置電極具有第一寬度，形成于所述第一組的像素區(qū)域之間和所述第二組 的像素區(qū)域之間的所述副線、所述第一浮置電極和所述第二浮置電極具有小 于所述第一寬度的第二寬度。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中所述第一寬度在大約9微 米到大約IO微米的范圍內(nèi)，所述第二寬度在大約7微米到大約8微米的范 圍內(nèi)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中所述第一和第二存儲線、所 述第 一和第二浮置電極和所述數(shù)據(jù)線包括阻擋光的導(dǎo)電材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示設(shè)備，其中所述數(shù)據(jù)線包括第一寬度 從而與所述副線、所述第一浮置電極和所述第二浮置電極交疊，并在如下區(qū)域中的至少一個區(qū)域中具有大于所述第一寬度的第二寬度所述柵極線和所 述副線之間的分隔區(qū)域、所述柵極線和所述第一或第二浮置電極之間的分隔 區(qū)域以及所述干線和所述第 一或第二浮置電極之間的分隔區(qū)域。 20.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，還包括形成于所述第二基板上的濾色器，所述濾色器對應(yīng)于所述像素區(qū)域；以及形成于所述濾色器上的公共電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板，包括形成于基板上的柵極線；與所述柵極線絕緣的多條數(shù)據(jù)線；包括第一子區(qū)域和第二子區(qū)域的像素區(qū)域；形成于所述像素區(qū)域中的薄膜晶體管；形成于所述薄膜晶體管上的像素電極，所述像素電極電連接到所述薄膜晶體管；形成于所述基板上的存儲線，所述存儲線與所述柵極線隔開并位于每一所述像素區(qū)域的第一邊界；以及形成于所述基板上的浮置電極，所述浮置電極與所述柵極線和所述存儲線隔開，并位于所述像素區(qū)域的第二邊界。
文檔編號G02F1/136GK101236974SQ20081000887
公開日2008年8月6日 申請日期2008年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月30日
發(fā)明者張暎珠, 李素賢, 金一坤 申請人:三星電子株式會社