專利名稱：液晶裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
以往，作為便攜式電子設(shè)備的顯示部，采用了半透過反射型的液晶裝 置。近年來，為了提高運動圖像顯示的質(zhì)量，提出了一種以響應(yīng)速度出色的OCB (Optically Compensated Bend)模式構(gòu)成半透過反射型液晶裝置的 方案(參照專利文獻1 3)。專利文獻l公開了一種在反射電極的下層設(shè)置多間隙(multigap)構(gòu) 造，并將液晶的預(yù)傾斜角設(shè)為10。以上的方案。專利文獻2公開了一種在 多間隙構(gòu)造的透過部設(shè)置凹凸的初始轉(zhuǎn)移構(gòu)造的方案。專利文獻3通過在 反射部的電極上設(shè)置絕緣膜，使透過顯示與反射顯示的T-V (透過率一電 壓)特性一致，并進行了反射部的平坦化。專利文獻1特開2005 — 352134號公報專利文獻2特開2006 — 113259號公報專利文獻3特開2006—285128號公報專利文獻1 3所公開的全都是半透過反射型OCB模式的液晶裝置， 但對于OCB模式的液晶裝置中所必須的從噴射(spmy)取向向彎曲(bend) 取向的初始取向轉(zhuǎn)移的擴大而言，雖然在液晶裝置的使用上或顯示品質(zhì)上 極其重要，然而上述三個專利文獻都幾乎沒有考慮。因此，在上述現(xiàn)有的 構(gòu)成中，雖然轉(zhuǎn)移時間增加，但初始轉(zhuǎn)移操作不充分，有可能在使用時或 顯示中發(fā)生不良情況。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)問題而提出，其目的在于提供一種半透過反 射型的液晶裝置，該液晶裝置能夠以低電壓迅速地進行使取向從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移的初始取向轉(zhuǎn)移。為了解決上述課題，本發(fā)明的液晶裝置具備夾持液晶層的一對基板， 使所述液晶層的取向狀態(tài)從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移來進行顯示，其特征 在于，在一個子像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有反射顯示區(qū)域和透過顯示區(qū)域，并且在 所述透過顯示區(qū)域與所述反射顯示區(qū)域之間使所述液晶層的層厚不同，所 述子像素區(qū)域的所述透過顯示區(qū)域被所述反射顯示區(qū)域夾持。本發(fā)明的液晶裝置是在子像素區(qū)域內(nèi)根據(jù)部位使液晶層的層厚不同 的多間隙構(gòu)造的半透過反射型液晶裝置。在該液晶裝置中，由于反射顯示 區(qū)域的液晶層厚比透過顯示區(qū)域的液晶層厚薄，所以，作用于反射顯示區(qū) 域的液晶層的電場強于透過顯示區(qū)域中的電場。因此，如果在初始轉(zhuǎn)移操 作時對液晶層施加電壓，則反射顯示區(qū)域中比透過顯示區(qū)域容易產(chǎn)生初始 轉(zhuǎn)移核(彎曲核)，而且初始轉(zhuǎn)移核的傳播也變得順暢。因此，在本發(fā)明中，鑒于這種反射顯示區(qū)域的特性，將透過顯示區(qū)域 配置到被反射顯示區(qū)域夾持的位置，并在初始轉(zhuǎn)移操作時成為初始轉(zhuǎn)移核 的產(chǎn)生區(qū)域的信號布線(掃描線、數(shù)據(jù)線等)附近配置反射顯示區(qū)域。由 此，可以將子像素區(qū)域的周緣部產(chǎn)生的初始轉(zhuǎn)移核順暢地導(dǎo)入到反射顯示 區(qū)域，進而在反射顯示區(qū)域中可使初始轉(zhuǎn)移核順暢地傳播。從而，根據(jù)本發(fā)明的液晶裝置，可以在子像素區(qū)域的整體均勻且迅速 地擴大初始轉(zhuǎn)移，能夠抑制因初始轉(zhuǎn)移不充分而引起的顯示上的不良情 況。而且，優(yōu)選在所述一對基板的至少一方基板的所述液晶層側(cè)，形成有 遍及鄰接的兩個所述子像素區(qū)域的所述反射顯示區(qū)域的液晶層厚調(diào)整層。根據(jù)這樣的構(gòu)成，由于子像素區(qū)域之間的區(qū)域中的液晶層厚成為與反 射顯示區(qū)域同等的厚度，所以，和反射顯示區(qū)域同樣容易產(chǎn)生初始轉(zhuǎn)移核， 而且其傳播也變得順暢。因此，由于可促進子像素區(qū)域的周緣部的初始轉(zhuǎn) 移核的產(chǎn)生，因此，能夠可靠且迅速地進行初始轉(zhuǎn)移操作。優(yōu)選所述一對基板中的一方基板具有和與所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)配置 的開關(guān)元件電連接的信號布線，在所述一對基板中另一方基板的所述液晶 層側(cè)形成有液晶層厚調(diào)整層。即，優(yōu)選成為液晶層厚調(diào)整層不設(shè)置在形成 有信號布線的基板中的構(gòu)成。通過采用這樣的構(gòu)成，可減小在元件基板中作為轉(zhuǎn)移核形成單元而發(fā) 揮功能的信號布線或開關(guān)元件與液晶層的距離，能夠高效地形成初始轉(zhuǎn)移 核。優(yōu)選所述反射顯示區(qū)域配置在所述子像素區(qū)域的長度方向的兩端部。 通過采用這樣的構(gòu)成，由于可以從子像素區(qū)域的長度方向的兩端部使 初始轉(zhuǎn)移擴大，所以，子像素區(qū)域的整體能夠均勻地進行初始轉(zhuǎn)移。 還可以在所述反射顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置轉(zhuǎn)移核形成單元。通過這樣在反射顯示區(qū)域配置轉(zhuǎn)移核形成單元，與將轉(zhuǎn)移核形成單元 配置到透過顯示區(qū)域的情況相比，可順暢地進行初始轉(zhuǎn)移核的產(chǎn)生、傳播。可以在所述反射顯示區(qū)域與所述透過顯示區(qū)域之間設(shè)置轉(zhuǎn)移核形成 單元。在多間隙構(gòu)造的液晶裝置中，由于對反射顯示區(qū)域與透過顯示區(qū)域之 間的區(qū)域而言，液晶層的厚度連續(xù)變化，所以，液晶的取向容易紊亂。如 果在這樣的區(qū)域配置轉(zhuǎn)移核形成單元，能夠更可靠地產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核?？梢栽卩徑拥淖酉袼貐^(qū)域之間設(shè)置轉(zhuǎn)移核形成單元。如果這樣在反射顯示區(qū)域附近的子像素之間的區(qū)域配置轉(zhuǎn)移核形成 單元，則能夠容易地在反射顯示區(qū)域中擴大由轉(zhuǎn)移核形成單元產(chǎn)生的初始 轉(zhuǎn)移。優(yōu)選所述轉(zhuǎn)移核形成單元是和與所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)形成的開關(guān)元 件電連接的信號布線、或與所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)形成的電極。即，可使用 能夠?qū)σ壕邮┘铀谕碾妷旱膯卧鳛檗D(zhuǎn)移核形成單元。所述轉(zhuǎn)移核形成單元是所述液晶層中的、與所述子像素內(nèi)的取向狀態(tài) 不同的取向狀態(tài)的區(qū)域。通過如此設(shè)置取向狀態(tài)不同的區(qū)域，由于在該區(qū)域的液晶與子像素內(nèi)的液晶之間容易發(fā)生旋錯(disclination)，且其成為初始轉(zhuǎn)移核，所以， 能夠在短時間內(nèi)可靠地執(zhí)行初始轉(zhuǎn)移操作。在所述不同取向狀態(tài)的區(qū)域中，所述液晶層的液晶分子可以呈垂直取 向，所述液晶分子也可以呈扭曲取向。任意一種取向狀態(tài)，都會成為可在 子像素區(qū)域中容易地擴大初始轉(zhuǎn)移的液晶裝置。所述轉(zhuǎn)移核形成單元可以是保持所述一對基板的間隔的隔離物。由于在隔離物的附近液晶分子的取向容易隨機，易于產(chǎn)生初始轉(zhuǎn)移核，所以， 可利用隔離物作為轉(zhuǎn)移核形成單元。本發(fā)明的電子設(shè)備具備先前所述的本發(fā)明的液晶裝置。根據(jù)該構(gòu)成， 可有效防止因初始轉(zhuǎn)移操作引起的顯示不良，能夠提供一種具備可實現(xiàn)高 畫質(zhì)、高速響應(yīng)顯示的顯示部的電子設(shè)備。


圖1是表示第一實施方式的液晶裝置的整體構(gòu)成的圖。 圖2是第一實施方式的液晶裝置的等效電路圖。圖3是表示第一實施方式的液晶裝置中的一個子像素區(qū)域的俯視圖。圖4是沿著圖3的IV—IV線的液晶裝置的剖面圖。圖5是表示液晶的取向狀態(tài)的說明圖。圖6是第二實施方式的液晶裝置中的子像素區(qū)域的俯視圖。圖7是沿著圖6的VII—VII線的液晶裝置的剖面圖。圖8是第三實施方式的液晶顯示裝置中的子像素區(qū)域的局部俯視圖。圖9是表示電子設(shè)備的一個例子的立體圖。圖中100、 200 —液晶裝置，IO —元件基板，20—對置基板，9 —像 素電極，19a、 19b —反射電極，19c一透明電極，26 —液晶層厚調(diào)整層， 30、 30A — TFT (開關(guān)元件)，50—液晶層，51-液晶分子，R—反射顯示 區(qū)域，T一透過顯示區(qū)域。
具體實施方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。 其中，以下的說明中所使用的各附圖中，為了能夠識別各部件的大小， 對各部件進行了適當(dāng)?shù)谋壤兏?(第一實施方式)圖1 (a)是表示本實施方式的液晶裝置的俯視圖，圖1 (b)是沿著 圖l (a)的H—H'線的剖面圖。圖2是表示液晶裝置的等效電路圖，圖3 是子像素區(qū)域的平面構(gòu)成圖，圖4是沿著圖3的A—A'線的液晶裝置的剖 面圖。圖5是表示液晶分子的取向狀態(tài)的概略圖。本實施方式的液晶裝置ioo是有源矩陣方式的透過型液晶裝置，由輸 出R (紅)、G (綠)、B (藍(lán))各色光的三個子像素構(gòu)成一個像素。這里， 將構(gòu)成顯示的最小單位的顯示區(qū)域稱為"子像素區(qū)域"，將由三個子像素 形成的顯示區(qū)域稱為"像素區(qū)域"。如圖1所示，液晶裝置100具備元件基板(第一基板)10、與元件 基板IO對置配置的對置基板(第二基板)20、和夾持在元件基板10及對 置基板20之間的液晶層50。而且，液晶裝置100通過密封件52將元件基 板10及對置基板20粘接在一起，并將液晶層50密封到由密封件52劃分 的區(qū)域內(nèi)。沿著密封件52的內(nèi)周形成有周邊劃分部53，將被周邊劃分部 53包圍的俯視(從對置基板20側(cè)觀察元件基板10的狀態(tài))為矩形形狀的 區(qū)域設(shè)為圖像顯示區(qū)域10a。另外，液晶裝置100還具備在密封件52的 外側(cè)區(qū)域設(shè)置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及掃描線驅(qū)動電路104、與數(shù)據(jù)線驅(qū) 動電路101及掃描線驅(qū)動電路104導(dǎo)通的連接端子102、和對掃描線驅(qū)動 電路104之間進行連接的布線105。如圖2所示，在液晶裝置100的圖像顯示區(qū)域10a中，以俯視為矩陣 狀排列有多個子像素區(qū)域。對應(yīng)各子像素區(qū)域，設(shè)置有像素電極9、和對 像素電極9進行開關(guān)控制的TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)30。 在圖像顯示區(qū)域10a中還以柵格狀延伸形成有多條數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a。數(shù)據(jù)線6a與TFT30的源極電連接，掃描線3a與TFT30的柵極電連 接。TFT30的漏極與像素電極9電連接。數(shù)據(jù)線6a與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101 連接，將由數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101供給的圖像信號S1、 S2、…Sn提供給各 子像素區(qū)域。掃描線3a與掃描線驅(qū)動電路104連接，將由掃描線驅(qū)動電 路104供給的掃描信號G1、 G2、…Gm提供給各子像素區(qū)域。從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101向數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號Sl Sn可以按該 順序線性順次供給，也能夠按組對相互鄰接的多條數(shù)據(jù)線6a彼此進行供 給。掃描線驅(qū)動電路104以規(guī)定的定時按脈沖方式向掃描線3a線性順次 供給掃描信號Gl Gm。液晶裝置100構(gòu)成為作為開關(guān)元件的TFT30基于掃描信號Gl Gm 的輸入而導(dǎo)通一定期間，由此，由數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號Sl Sn以規(guī) 定的定時被寫入到像素電極9中。并且，經(jīng)由像素電極9寫入到液晶中的規(guī)定電平的圖像信號Sl Sn，在像素電極9與隔著液晶層50對置配置的 后述公共電極之間保持一定期間。這里，為了防止所保持的圖像信號Sl Sn發(fā)生泄漏，使蓄積電容17 與在像素電極9和公共電極之間形成的液晶電容并聯(lián)連接。蓄積電容17 設(shè)置在TFT30的漏極與電容線3b之間。接著，參照圖3及圖4，對液晶裝置100的詳細(xì)構(gòu)成進行說明。圖3 中，將俯視下大致為矩形狀的子像素區(qū)域的長軸方向、像素電極9的長軸 方向及數(shù)據(jù)線6a的延伸方向規(guī)定為X軸方向；將子像素區(qū)域的短軸方向、 像素電極9的短軸方向、掃描線3a及電容線3b的延伸方向規(guī)定為Y軸方 向。如圖4所示，液晶裝置100具備夾持液晶層50而對置的元件基板 10及對置基板20、配置在元件基板IO的外側(cè)(與液晶層50相反一側(cè)) 的相位差板33及偏光板36、配置在對置基板20的外側(cè)(與液晶層50相 反一側(cè))的相位差板34及偏光板37、和設(shè)置在偏光板36的外側(cè)并從元件 基板10的外面?zhèn)日丈湔彰鞴獾恼彰餮b置60。液晶層50以O(shè)CB模式動作， 在液晶裝置100動作時，如圖4所示，液晶分子51呈以近似弓形取向的 彎曲取向。如圖3所示，在各子像素區(qū)域中，沿著在一個方向(X軸方向)上較 長的俯視形狀為矩形的像素電極9。在像素電極9的邊中，數(shù)據(jù)線6a沿著 長邊的緣延伸，掃描線3a沿著短邊的緣延伸。在掃描線3a的像素電極9 側(cè)，形成有與掃描線3a平行延伸的電容線3b。像素電極9由配置成沿長軸方向劃分子像素區(qū)域的2個反射電極19a、 19b和透明電極19c構(gòu)成。反射電極19a、 19b及透明電極19c相互電連接。 反射電極19a和反射電極19b分別配置在子像素區(qū)域的長軸方向的兩端 部，透明電極19c配置在被這些反射電極19a、 19b夾持的位置。在本實 施方式中，反射電極19a、 19b的形成區(qū)域是使外光反射來進行顯示的反 射顯示區(qū)域R，透明電極19c的形成區(qū)域是利用由照明裝置60供給的照 明光來進行顯示的透過顯示區(qū)域T。反射電極19a、 1%由鋁或銀等光反射性的金屬膜等構(gòu)成，透明電極 19c由ITO (銦錫氧化物)等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。俯視下，反射電極19b與電容線3b局部重合配置，反射電極19a與 鄰接的子像素區(qū)域的掃描線3a局部重合配置。在反射電極19b與電容線 3b俯視下重合的區(qū)域形成有像素電極9與TFT30的連接部。而且，在反 射電極19a的平面區(qū)域中，在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的交叉部附近形成有 將元件基板10和對置基板20的間隔(液晶層50的層厚)保持恒定的隔 離物(spacer) 40。在掃描線3a上形成有作為開關(guān)元件的TFT30。 TFT30具有島狀的 由非晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層35、和被配置成與半導(dǎo)體層35局部平面重合 的源電極6b及漏電極32。掃描線3a在與半導(dǎo)體層35平面重合的位置作 為TFT30的柵電極發(fā)揮功能。源電極6b在與半導(dǎo)體層35相反一側(cè)的端部和數(shù)據(jù)線6a連接。漏電 極32在與半導(dǎo)體層35相反一側(cè)的端部構(gòu)成電容電極31。電容電極31被 配置在電容線3b的平面區(qū)域內(nèi)，在該位置形成有將電容電極31和電容線 3b作為電極的蓄積電容17。通過經(jīng)由在電容電極31的平面區(qū)域內(nèi)形成的 像素接觸孔14將像素電極9與電容電極31電連接，使得TFT30的漏極和 像素電極9導(dǎo)通。如圖4所示，元件基板10具有例如由玻璃或石英、塑料等透光性材 料構(gòu)成的基板主體11作為基體。在基板主體11的內(nèi)側(cè)(液晶層50偵!)) 形成有掃描線3a及電容線3b、覆蓋掃描線3a及電容線3b的柵極絕緣膜 12、隔著柵極絕緣膜12與掃描線3a對置的半導(dǎo)體層35、與半導(dǎo)體層35 連接的源電極6b (數(shù)據(jù)線6a)及漏電極32、與漏電極32連接并隔著柵極 絕緣膜12與電容線3b對置的電容電極31。即，在基板主體ll上形成有 TFT30和與之連接的蓄積電容17。形成有覆蓋TFT30、使因TFT30等引起的基板11上的凹凸平坦化的 平坦化膜13。還形成有貫通平坦化膜13、到達(dá)電容電極31的像素接觸孔 14，在平坦化膜13上形成的像素電極9和電容電極31通過像素接觸孔14 而電連接。在構(gòu)成像素電極9的反射電極19a與平坦化膜13之間、及反射電極 1%與平坦化膜13之間，分別形成有在表面具有凹凸形狀的樹脂膜19s。 并且，在該樹脂膜19s上形成的反射電極19a、 19b的表面也具有與樹脂膜19s相似的凹凸形狀。由此，反射電極19a、 19b可作為使入射光漫射并反射的漫射反射層而發(fā)揮功能。形成有覆蓋像素電極9的取向膜18。取向膜18例如由聚酰亞胺構(gòu)成， 在子像素區(qū)域的長軸方向(X軸方向)被拋光處理。通過該取向膜18，液 晶分子51沿著圖3的虛線箭頭所示的取向方向18a進行取向。對置基板20具有例如由玻璃或石英、塑料等透光性材料構(gòu)成的基板 主體21作為基體。在基板主體21的內(nèi)側(cè)(液晶層50側(cè))形成有按照 對各子像素區(qū)域進行鑲邊的方式而形成的遮光膜(黑矩陣)23、和由與各 個子像素區(qū)域?qū)?yīng)的顏色種類的顏色材料層構(gòu)成的濾色器22。濾色器22 上，在俯視下元件基板IO與反射電極19a、 19b重合的區(qū)域(反射顯示區(qū) 域R)，分別形成有在子像素區(qū)域內(nèi)使液晶層厚局部不同的液晶層厚調(diào)整 層26。形成有液晶層厚調(diào)整層26的濾色器22的表面，可通過能夠由樹脂材料等形成的平坦化膜進行平坦化。形成有覆蓋液晶層厚調(diào)整層26和濾色器22、由ITO等透明導(dǎo)電材料 構(gòu)成的公共電極25。公共電極25為覆蓋多個子像素區(qū)域的平面形狀。形 成有覆蓋公共電極25并由聚酰亞胺等構(gòu)成的取向膜29。如圖3中實線箭 頭29a所示，對取向膜29的表面實施了子像素區(qū)域的長軸方向(X軸方 向)的拋光處理。通過該取向膜29，液晶分子51沿著圖3中由實線箭頭 所示的取向方向29a進行取向。本實施方式的液晶裝置100是在一個子像素區(qū)域內(nèi)具備反射顯示區(qū)域 R和透過顯示區(qū)域T的半透過反射型，且對應(yīng)反射顯示區(qū)域R形成有液晶 層厚調(diào)整層26的多間隙方式的液晶裝置。通過液晶層厚調(diào)整層26對液晶 層50的層厚進行調(diào)整的結(jié)果是，反射顯示區(qū)域R的液晶層厚dr比透過顯 示區(qū)域T的液晶層厚dt薄，反射顯示區(qū)域R的液晶層厚dr為透過顯示區(qū) 域T的液晶層厚dt的1/2左右。通過采用上述多間隙構(gòu)造，可以將反射顯 示區(qū)域R中的液晶層50的延遲(retardation)與透過顯示區(qū)域T中的液晶 層50的延遲設(shè)定為近似相同。由此，能夠在反射顯示區(qū)域R與透過顯示 區(qū)域T中得到均勻的圖像顯示。偏光板36、 37被配置成二者的透過軸相互大致垂直。在偏光板36的 內(nèi)面?zhèn)仍O(shè)置的相位差板33、及在偏光板37的內(nèi)面?zhèn)仍O(shè)置的相位差板34是對透過光賦予大致1/4波長的相位差的入/4相位差板，也可以是入/4相 位差板與A /2相位差板的層疊體。并且，還可以在偏光板36、 37 —方或雙方的內(nèi)側(cè)進一步追加配置光 學(xué)補償膜。通過配置光學(xué)補償膜，可以進一步提高對比度。作為光學(xué)補償 膜可舉出使折射率各向異性為負(fù)的盤狀液晶(discotic liquid crystal)等 混合取向的負(fù)的一軸性介質(zhì)、或使折射率各向異性為正的線狀(nematic) 液晶等混合取向的正的一軸性介質(zhì)。并且，還可以采用使負(fù)的一軸性介質(zhì) 與正的一軸性介質(zhì)組合的介質(zhì)、或各方向的折射率為nX>ny>nz的二軸性 介質(zhì)。接著，根據(jù)附圖對OCB模式的液晶裝置100的初始轉(zhuǎn)移操作進行說 明。這里，圖5是表示OCB模式的液晶分子的取向狀態(tài)的說明圖。OCB模式的液晶裝置中，在其初始狀態(tài)(非動作時)下如圖5 (b) 所示，液晶分子51成為以噴射狀開啟的取向狀態(tài)(噴射取向)，在顯示 動作時，如圖5 (a)所示，液晶分子51處于彎曲成弓形的取向狀態(tài)(彎 曲取向)。并且，通過在顯示動作時以彎曲取向的彎曲程度調(diào)制透過率， 液晶裝置100成為可實現(xiàn)顯示動作的高速響應(yīng)性的構(gòu)成。在OCB模式的液晶裝置100的情況下，由于切斷電源時液晶分子的 取向狀態(tài)為圖5 (b)所示的噴射取向，所以，需要在接通電源時通過對液 晶層50施加某一閾值以上的電壓，使液晶分子的取向狀態(tài)從圖5 (b)所 示的初始的噴射取向轉(zhuǎn)移為圖5 (a)所示的顯示動作時的彎曲取向，即所 謂的初始轉(zhuǎn)移操作。在沒有充分進行初始轉(zhuǎn)移的情況下，會產(chǎn)生顯示不良、 無法得到所期望的高速響應(yīng)性。作為液晶層50的初始轉(zhuǎn)移操作，可以采 用線性順次接通掃描線3a，同時在像素電極9與公共電極25之間施加脈 沖電壓的方法。這里，在本實施方式的液晶裝置100中，將液晶層50的層厚減小的 反射顯示區(qū)域R配置在子像素區(qū)域的長軸的兩端側(cè)。即，將反射電極19a 及反射電極19b配置在夾持像素電極9形成于其兩側(cè)的掃描線3a的附近， 并將液晶層厚大的透過顯示區(qū)域T配置在子像素區(qū)域的中央部。通過這樣 將液晶層厚小的區(qū)域配置到掃描線3a的附近，在本實施方式的液晶裝置 IOO中能夠以低電壓、短時間執(zhí)行初始轉(zhuǎn)移操作。首先，當(dāng)為了初始轉(zhuǎn)移操作而在像素電極9與公共電極25之間施加 了電壓V時，由于在液晶層厚dr為透過顯示區(qū)域T的液晶層厚dt的一半 左右的反射顯示區(qū)域R中，作用于液晶層50的電場Er (=V/dr)比透過 顯示區(qū)域T中作用于液晶層50的電場Et (=V/dt)大，所以，容易產(chǎn)生 初始轉(zhuǎn)移核(彎曲核)，而且，所產(chǎn)生的初始轉(zhuǎn)移核的傳播也可順暢進行。并且，在本實施方式中，將反射顯示區(qū)域R配置在子像素區(qū)域中靠近 成為初始轉(zhuǎn)移核的產(chǎn)生區(qū)域的掃描線3a與像素電極9的交界區(qū)域、及數(shù) 據(jù)線6a與像素電極9的交界區(qū)域雙方的位置。因此，能夠?qū)⒃谶@些交界 區(qū)域中產(chǎn)生的初始轉(zhuǎn)移核順暢地導(dǎo)入到反射顯示區(qū)域R內(nèi)，并且，初始轉(zhuǎn) 移核還能夠在反射顯示區(qū)域R內(nèi)高效地傳播到像素電極9上。結(jié)果，能夠 在子像素區(qū)域的整體均勻地進行初始轉(zhuǎn)移。而且，在本實施方式的液晶裝置IOO中，由于如上所述利用反射顯示 區(qū)域R的特性有效地進行初始轉(zhuǎn)移操作，所以，不需要設(shè)置以往公知的作 為轉(zhuǎn)移核形成單元的突起、凹陷或電極狹縫。因此，可防止因設(shè)置這些轉(zhuǎn) 移核形成單元而導(dǎo)致數(shù)值孔徑降低，從而可得到明亮的顯示。另外，在本實施方式的液晶裝置100中，將液晶層厚調(diào)整層26形成 在基板主體21 (對置基板20)的液晶層50側(cè)，但液晶層厚調(diào)整層26也 可以形成在基板主體ll (元件基板IO)的液晶層50偵l」，還可以成為元件 基板10和對置基板20雙方具有液晶層厚調(diào)整層的結(jié)構(gòu)。如本實施方式所述，通過在對置基板20上而不是元件基板10上形成 液晶層厚調(diào)整層26，在元件基板10中，掃描線3a或數(shù)據(jù)線6a與液晶層 50的距離變窄，當(dāng)初始轉(zhuǎn)移操作時，容易在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的附近 產(chǎn)生初始轉(zhuǎn)移核。因此，該構(gòu)成可降低用于初始轉(zhuǎn)移操作的施加電壓，而 且能夠在短時間內(nèi)均勻地進行初始轉(zhuǎn)移操作。并且，本實施方式中如圖3所示，在各子像素區(qū)域的反射顯示區(qū)域R 中配置有隔離物40。在隔離物40的周邊，由于液晶分子51的取向容易變 得隨機，所以，易于產(chǎn)生初始轉(zhuǎn)移核，因此，隔離物40還作為液晶裝置 100的轉(zhuǎn)移核形成單元而發(fā)揮功能。進而，如果在反射顯示區(qū)域R中配置 隔離物40，則由于可通過隔離物40順暢地傳播所產(chǎn)生的初始轉(zhuǎn)移核，因 此，能夠提高初始轉(zhuǎn)移操作的迅速性、可靠性。(第二實施方式)接著，參照圖6及圖7對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。圖6是表示本實施方式的液晶裝置200的一個子像素區(qū)域的概略構(gòu)成 的俯視圖。圖7是沿著圖6的B—B'線的液晶裝置200的剖面圖。其中，本實施方式的液晶裝置除了像素電極9的形狀及液晶層厚調(diào)整 層的形成區(qū)域不同之外，是與先前的第一實施方式同樣的構(gòu)成。因此，在 圖6及圖7中對與先前的第一實施方式同樣的構(gòu)成要素賦予相同的符號， 并省略其詳細(xì)的說明。如圖6所示，在本實施方式的液晶裝置200的子像素區(qū)域形成有具 有反射電極19a、 19b和透明電極19c的像素電極9; TFT30;信號布線(掃 描線3a、電容線3b、數(shù)據(jù)線6a)。在本實施方式的情況下，像素電極9 的短邊(近似沿著Y軸方向延伸的邊)形成為彎曲形狀，按照鄰接的像素 電極9的短邊彼此嚙合的方式，反射電極19a的邊端形狀和反射電極19b 的邊端形狀成為倒凹凸。另外，對于掃描線3a及電容線3b而言，也成為 與位于它們附近的像素電極9的短邊的形狀相似的彎曲形狀。圖7所示的截面構(gòu)造中，在對置基板20的液晶層50側(cè)形成有使反射 顯示區(qū)域R的液晶層厚dr成為透過顯示區(qū)域T的液晶層厚dt的一半左右 的液晶層厚調(diào)整層26。在本實施方式的情況下，液晶層厚調(diào)整層26遍及 在數(shù)據(jù)線6a的延伸方向(X軸方向)鄰接的2個像素區(qū)域的反射顯示區(qū) 域而連續(xù)形成。即，在數(shù)據(jù)線6a的延伸方向鄰接的子像素區(qū)域之間的區(qū) 域(掃描線3a的形成區(qū)域)中的液晶層50的層厚，與反射顯示區(qū)域R中 的液晶層厚dr成為同等的厚度。在具備上述構(gòu)成的本實施方式的液晶裝置200中，由于像素電極9的 短邊具有彎曲形狀，所以，初始轉(zhuǎn)移操作時在掃描線3a與像素電極9之 間形成的橫向電場(基板面方向的電場)的方向，在像素電極9的短邊上 成為多個方向。而且，這樣的電場作用于液晶層50的結(jié)果是在像素電 極9的短邊的各彎曲部19d、 19e中產(chǎn)生了旋錯，它們成為初始轉(zhuǎn)移核。 因此，像素電極9的短邊作為本實施方式的液晶裝置200的轉(zhuǎn)移核形成單 元而發(fā)揮作用。而且，由于上述橫向電場的方向是與像素電極9的短邊正交的方向、與取向方向18a、 29a交叉的方向，所以，位于像素電極9的短邊附近的 液晶分子51成為扭曲(twist)狀態(tài)，易于向彎曲取向轉(zhuǎn)移。因此，根據(jù) 本實施方式，可以在掃描線3a與像素電極9的交界區(qū)域形成多個初始轉(zhuǎn) 移核，從而能夠順暢且迅速地擴大初始轉(zhuǎn)移。并且，在本實施方式中，由于鄰接的子像素區(qū)域之間的區(qū)域中的液晶 層厚與反射顯示區(qū)域R的液晶層厚dr相等，成為透過顯示區(qū)域T的液晶 層厚dt的一半左右，所以，在子像素間的液晶層50中也容易產(chǎn)生初始轉(zhuǎn) 移核，而且初始轉(zhuǎn)移核易于傳播。因此，能夠在初始轉(zhuǎn)移操作時極其容易 地產(chǎn)生初始轉(zhuǎn)移核，從而使初始轉(zhuǎn)移操作迅速化。(第三實施方式) 接著，參照圖8對本發(fā)明的第三實施方式進行說明。 圖8是表示本實施方式的液晶裝置的一個子像素區(qū)域的概略構(gòu)成的局 部俯視圖。對于本實施方式的液晶裝置而言，具備雙源極(double source)構(gòu)造 的TFT30A作為像素開關(guān)元件。該構(gòu)成能夠與上述第一及第二實施方式的 任意一個組合。如圖8所示，在本實施方式的液晶裝置的子像素區(qū)域形成有與像素電 極9電連接的TFT30A。 TFT30A具有形成在掃描線3a上的島狀半導(dǎo)體 層35;和與半導(dǎo)體層35電連接的源電極6b及漏電極32。源電極6b由從 數(shù)據(jù)線6a分支并與掃描線3a平行延伸的布線部16a、和從布線部16a分 支并延伸到半導(dǎo)體層35上的第一電極部16b及第二電極部16c構(gòu)成。并 且，TFT30A具有第一電極部16b和第二電極部16c分別作為TFT30A的源電極發(fā)揮功能的雙源極構(gòu)造。上述構(gòu)成的TFT30A中，由于在隔著漏電極32的Y軸方向(掃描線 3a的延伸方向)的兩側(cè)分別形成有第一電極部16b和第二電極部16c，所 以，如果在初始轉(zhuǎn)移操作時使TFT30A動作，則在TFT30A上可形成從漏 電極32朝向第一電極部16b的電場、和從漏電極32朝向第二電極部16c 的電場，并分別作用于液晶層50。由于這些電場在基板面方向相互逆向，所以如圖所示，在漏電極32的寬度方向(Y軸方向)中央部形成旋錯線 DL，其成為初始轉(zhuǎn)移核，使初始轉(zhuǎn)移擴大。因此，在本實施方式的液晶裝 置中，TFT30A作為初始轉(zhuǎn)移操作中的轉(zhuǎn)移核形成單元發(fā)揮功能。而且，由于形成在TFT30A上的電場是與液晶分子的初始取向方向(取 向方向18a、 29a)交叉的方向，所以，在TFT30A上液晶分子易于扭曲而 進行取向轉(zhuǎn)移。因此，根據(jù)本實施方式的液晶裝置，由于可以在TFT30A 上可靠地產(chǎn)生初始轉(zhuǎn)移核，并使該初始轉(zhuǎn)移核順暢地傳播，所以，能夠?qū)?現(xiàn)初始轉(zhuǎn)移操作的低電壓化、迅速化。另外，以上的第一 第三實施方式中所說明的促進初始轉(zhuǎn)移核的產(chǎn)生 的構(gòu)成只是一個例子，還可以組合使用其他的轉(zhuǎn)移核形成單元。例如在第 一實施方式的液晶裝置IOO中，可采用在子像素區(qū)域內(nèi)、或鄰接的子像素 區(qū)域之間的區(qū)域形成了作為轉(zhuǎn)移核形成單元的突起或凹陷、電極狹縫的構(gòu) 成。該情況下，還優(yōu)選在位于反射顯示區(qū)域R的附近的掃描線3a上與數(shù) 據(jù)線6a上的區(qū)域形成上述突起或凹陷。在像素電極9上形成電極狹縫的 情況下，也優(yōu)選在構(gòu)成反射顯示區(qū)域R的反射電極19a、 19b上形成電極 狹縫。而且，在本實施方式的情況下，由于在反射顯示區(qū)域R與透過顯示區(qū) 域T之間具有因液晶層厚調(diào)整層26的階梯差而引起液晶層厚連續(xù)變化的 區(qū)域(傾斜部70)，所以，可以在該傾斜部70上形成上述突起、凹陷或 電極狹縫。并且，可以采用通過其他途徑形成了用于形成初始轉(zhuǎn)移核的電極的構(gòu) 成作為轉(zhuǎn)移核形成單元。該情況下，還優(yōu)選在位于鄰接的像素電極9之間 的區(qū)域的掃描線3a上或數(shù)據(jù)線6a上形成能夠控制電位的電極，更優(yōu)選在 靠近反射顯示區(qū)域R的位置形成。或者，可以與像素電極9獨立地將能夠 控制電位的電極形成在傾斜部70的平面區(qū)域內(nèi)?；蛘?，可以在子像素區(qū)域及其周圍的區(qū)域中形成取向狀態(tài)不同的多個 液晶區(qū)域。該情況下，可以通過對取向膜18、取向膜29的至少一方實施 多拋光處理、或由被平面劃分的多個取向膜構(gòu)成的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)。例如，通 過沿著與取向方向18a、 29a交叉的方向?qū)ξ挥谙袼仉姌O9外側(cè)區(qū)域(子 像素間的區(qū)域)的取向膜18實施拋光處理，可以在像素電極9上和像素電極9的外側(cè)區(qū)域使液晶的取向狀態(tài)不同。另外，也可以在所述子像素間 的區(qū)域選擇性地形成使液晶分子沿著基板法線方向取向的取向膜。在這些情況下，與像素電極9上的液晶區(qū)域不同取向狀態(tài)的液晶區(qū)域作為轉(zhuǎn)移核形成單元發(fā)揮功能。并且，在上述各實施方式中，對分別在子像素區(qū)域的兩端配置了反射顯示區(qū)域R的情況進行了說明，但在本發(fā)明中，由于只要是透過顯示區(qū)域 T在子像素區(qū)域中被夾持于反射顯示區(qū)域R的構(gòu)成即可，所以，不限定于 先前實施方式的構(gòu)成。例如，可以是沿著子像素區(qū)域的周緣以框狀形成反 射顯示區(qū)域R，在該框狀反射顯示區(qū)域R的內(nèi)側(cè)形成透過顯示區(qū)域的構(gòu)成。 具體而言，在圖3所示的子像素區(qū)域中，還可以在透過顯示區(qū)域T的數(shù)據(jù) 線6a側(cè)(Y軸方向的兩端側(cè))形成有反射顯示區(qū)域R。該情況下，由于構(gòu) 成在產(chǎn)生初始轉(zhuǎn)移核的掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的附近，只配置液晶層厚小 的反射顯示區(qū)域R的結(jié)構(gòu)，所以，不僅可進一步促進初始轉(zhuǎn)移核的產(chǎn)生， 而且能夠使初始轉(zhuǎn)移核的傳播更加順暢。(電子設(shè)備)具有上述構(gòu)成的本發(fā)明的液晶裝置，例如可以用作圖9所示的移動電 話機1300的顯示部1301。移動電話機1300是在框體上具備多個操作按鈕 1302、受話口 1303、送話口 1304及上述顯示部1301的構(gòu)成。根據(jù)移動電話機1300，由于能夠在短時間內(nèi)可靠地迸行初始轉(zhuǎn)移操 作，所以，可得到無顯示不良的高速響應(yīng)的顯示。并且，作為具備本發(fā)明的液晶裝置的電子設(shè)備不限定于移動電話機， 還可以是PDA (Personal Digital Assistant:便攜信息終端)、個人計算機、 筆記本型計算機、工作站、數(shù)字靜態(tài)照相機、車載用監(jiān)視器、車輛導(dǎo)航裝 置、前導(dǎo)顯示器、數(shù)字?jǐn)z像機、電視接收機、取景型或監(jiān)控直視型的錄像 機、尋呼機、電子記事本、電腦、電子書與投影儀、文字處理器、可視電 話機、POS終端、具備觸摸屏的設(shè)備、照明裝置等其他的電子設(shè)備。
權(quán)利要求
1、一種液晶裝置，具備夾持液晶層的一對基板，使所述液晶層的取向狀態(tài)從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移來進行顯示，在一個子像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有反射顯示區(qū)域和透過顯示區(qū)域，并且在所述透過顯示區(qū)域與所述反射顯示區(qū)域之間使所述液晶層的層厚不同，所述子像素區(qū)域的所述透過顯示區(qū)域被所述反射顯示區(qū)域夾持。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于，在所述一對基板的至少一方基板的所述液晶層側(cè)形成有液晶層厚調(diào) 整層，其遍及鄰接的兩個所述子像素區(qū)域的所述反射顯示區(qū)域。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶裝置，其特征在于， 所述一對基板中的一方基板具有和與所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)配置的開關(guān)元件電連接的信號布線，在所述一對基板中另一方基板的所述液晶層側(cè)形成有液晶層厚調(diào)整層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項所述的液晶裝置，其特征在于， 所述反射顯示區(qū)域配置在所述子像素區(qū)域的長度方向的兩端部。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項所述的液晶裝置，其特征在于， 在所述反射顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置有轉(zhuǎn)移核形成單元。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項所述的液晶裝置，其特征在于， 在所述反射顯示區(qū)域與所述透過顯示區(qū)域之間設(shè)置有轉(zhuǎn)移核形成單元。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項所述的液晶裝置，其特征在于，在鄰接的子像素區(qū)域彼此之間設(shè)置有轉(zhuǎn)移核形成單元。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5 7中任意一項所述的液晶裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移核形成單元是和與所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)形成的開關(guān)元件電 連接的信號布線、或與所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)形成的電極。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5 7中任意一項所述的液晶裝置，其特征在于， 所述轉(zhuǎn)移核形成單元是所述液晶層中的、與所述子像素內(nèi)的取向狀態(tài)不同的取向狀態(tài)的區(qū)域。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶裝置，其特征在于，在所述不同取向狀態(tài)的區(qū)域中，所述液晶層的液晶分子呈垂直取向。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶裝置，其特征在于，在所述不同取向狀態(tài)的區(qū)域中，所述液晶層的液晶分子呈扭曲取向。
12、 根據(jù)權(quán)利要求5 7中任意一項所述的液晶裝置，其特征在于， 所述轉(zhuǎn)移核形成單元是保持所述一對基板的間隔的隔離物。
13、 一種電子設(shè)備，具備權(quán)利要求1 12中任意一項所述的液晶裝置。
全文摘要
本發(fā)明的液晶裝置具備夾持液晶層的一對基板，使所述液晶層的取向狀態(tài)從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移來進行顯示，其中，在一個子像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有反射顯示區(qū)域(R)和透過顯示區(qū)域(T)，并且在所述透過顯示區(qū)域(T)與所述反射顯示區(qū)域(R)之間使所述液晶層的層厚不同，所述透過顯示區(qū)域(T)被所述反射顯示區(qū)域(R)夾持。由此，可提供一種半透過反射型的液晶裝置，該液晶裝置能夠以低電壓迅速地進行使取向從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移的初始取向轉(zhuǎn)移。
文檔編號G02F1/1333GK101231428SQ20081000891
公開日2008年7月30日 申請日期2008年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日
發(fā)明者春山明秀 申請人:精工愛普生株式會社