專利名稱：液晶光學元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于液晶光學元件的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明涉及在基板之間夾 有液晶和多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體而構(gòu)成的液晶光學元件及其制造方法，該液晶光學元件例如為內(nèi)置于移動電話、移動信息終端機(PDA)、數(shù)字設 備等的超小型攝像機中并具有自動聚焦功能和長焦微距 (macro-micro)切換功能的液晶光學元件，或者在光盤裝置中用于修 正在光拾取器的記錄和再現(xiàn)時產(chǎn)生的像差的液晶像差修正元件等。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，在形成有電極的基板之間夾有液晶而構(gòu)成的各種各 樣的液晶光學元件已為人所知。例如，作為信息記錄媒體有CD、DVD 等各種光盤裝置，但是這些光盤裝置由于由旋轉(zhuǎn)帶來的厚度差異以及 翹曲等，會產(chǎn)生像差(集光點的偏移)，所以需要修正該像差以確保 記錄和再現(xiàn)的精度。因此，使用了一種在電極形成為同心圓環(huán)狀的基 板中夾入液晶而成的液晶像差修正元件，由此，在光束的中央部和外 緣部進行不同的相位控制(例如，參照專利文獻l)。在現(xiàn)有的液晶光學元件中，通過電氣地控制液晶的分子排列狀 態(tài)，而使對光的折射率等性質(zhì)變化。由于通過二維或三維地變化控制 折射率的分布，可以控制在各光路中的相位滯后量和光路的折射狀 態(tài)，所以現(xiàn)有的液晶光學元件作為可電子變焦的透鏡或液晶像差修正 元件等光學元件是有益的功能元件。但是，為了在實際應用中最大限 度地發(fā)揮有用光的折射效果，需要在液晶光學單元的對應的兩個取向 膜之間沿光路保持足夠量的液晶，因此，液晶層的厚度(兩個取向膜 之間)d需要做得極厚，相對于通常的液晶顯示單元幾Pm左右的情4況，其為30 100u m左右。眾所周知，液晶的響應速度與液晶層厚度(兩個取向膜之間)d 的平方成反比例，在為如此厚的液晶光學單元的情況下，響應時間成 為幾百ms 幾分鐘。g卩，大多現(xiàn)有的液晶光學元件都存在著響應速 度慢的問題。如圖1所示，在液晶層的厚度(兩個取向膜之間)為d 時，液晶層中，在靠近基板的取向膜表面的位置存在著界面層K0、 Kl，在中央部分存在著主體層P。施加電場時界面層KO、 Kl的由電 場所致的液晶分子的排列狀態(tài)的變化量，比主體層P的所述變化量 小，而且，其由施加電場所致的液晶分子的排列狀態(tài)的變化速度也較 慢。通過去除施加電場，液晶分子排列狀態(tài)回到施加電場前的狀態(tài)， 此時的取向變化是向由界面處的取向?qū)記Q定的取向狀態(tài)自然緩和。因 此，相對于靠近取向膜表面的界面層KO、 Kl恢復到初期的液晶分子 排列狀態(tài)的速度較快的情況，主體層P距離取向膜表面較遠，從而復 原響應時間變得非常長。由此，對于利用液晶光學元件的可變焦透鏡功能和像差修正功能 來說，控制設備時響應速度較慢這一事實是一個很大的制約，是實現(xiàn) 實用化過程中的一個課題。為了解決上述問題，提出了一種具有2層液晶層的光學元件(例 如，參照專利文獻2)。而且，作為彌補上述缺點的液晶結(jié)構(gòu)體，還提出了以下方案在 微囊體中包含液晶而做成其集合體的結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻3)， 或者是，在液晶層內(nèi)設置聚合物網(wǎng)而做成具有取向控制功能的立體結(jié) 構(gòu)體(例如，參照非專利文獻l)等。專利文獻i(日本)特開2002 — 237077號公報 專利文獻2(日本)特開2006—91826號公報 專利文獻3(日本)特開2001 — 75082號公報 非專利文獻1 "利用延伸的微細聚合物結(jié)構(gòu)的液晶取向控制"(「延伸Lt:微細求U 7 —構(gòu)造R1上3液晶配 向制御」)，液晶，2006年，第10巻，第1號，P60 P66然而，盡管上述的液晶光學單元(液晶光學元件)，確實是上述 問題的解決方案，并且呈現(xiàn)出響應速度提高的效果，但是由于液晶的 充填和保持量較少、以及發(fā)現(xiàn)有光散射、或者難以形成均勻的結(jié)構(gòu)配 置(結(jié)構(gòu)再現(xiàn)性較困難)，所以特性的穩(wěn)定性等存在問題，是實現(xiàn)實 用化過程中的課題。并且，專利文獻2存在著難以制造2層液晶層的 缺點。另外，為了得到應用所需的折射率變化，就需要透過厚的液晶層 并確保足夠的光學距離L。可是，眾所周知的，如果液晶層變厚，那么響應時間、、Td將由于與液晶層的厚度(兩個取向膜之間)d的 平方成比例而變慢。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種液晶光學元件及其制造方法，通過在 構(gòu)成液晶光學單元的基板之間設置具有多個貫通孔或非貫通孔的多 孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，并在基板上的電極之間施加電壓來控制液晶分子的排列狀態(tài)，由此能夠確保足夠的光學距離L，并且能夠大幅提高響應速度。為解決上述課題，本發(fā)明提出了一種液晶光學元件，其具有形成 有電極的多個基板、和被所述多個基板夾持的液晶，其中，在所述基 板之間配置有具有多個貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，液晶充填 并保持在所述貫通孔或非貫通孔中。例如，所述多個貫通孔或非貫通孔形成為圓形形狀或六角形狀。 并且，所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的孔開口率s為50 80X。而且，所述多孔 質(zhì)結(jié)構(gòu)體的多孔質(zhì)間的間距為50 5000nm。而且，例如，對所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁面實施取向處理，并且 對所述基板的配置所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的面實施取向處理，呈液晶的面 內(nèi)取向中沒有各向異性的各向同性，不依賴于偏光方向。而且，例如，在所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的上表面或下表面實施黑色處 理，進行減少漏光的處置。這樣的處置遮蔽了光的除光路以外的部分，可知在液晶顯示單元等中，對顯示像點以外的部分實施黑色處理，有 提高顯示對比度的效果。在本發(fā)明的液晶光學元件中，通過在基板之間配置多孔質(zhì)結(jié)構(gòu) 體，液晶的大部分接近于取向?qū)佣蔀榻缑鎸?，且相反地主體層變少。 而且，對于液晶的面內(nèi)取向，由于沒有宏觀上的各向異性，所以呈各 向同性，并且各光學性質(zhì)不依賴于偏光方向。為解決上述課題，本發(fā)明提出了一種液晶光學元件的制造方法， 所述液晶光學元件具有形成有電極的多個基板、和被所述多個基板夾 持的液晶，其中，所述制造方法包括電極形成工序，在由母材構(gòu)成 的基板上形成電極；多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序，形成具有多個貫通孔或 非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體；取向處理工序，對所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi) 壁面進行取向處理；多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體配置工序，在形成有電極的一個基 板上配置所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，，組裝工序，將形成有電極的其他基板與 配置有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的基板組合；以及液晶注入工序，向組合后的基 板之間注入液 晶。例如，在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序中，通過對高純度鋁材料進行陽 極氧化處理來形成氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。而且，在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成 工序中，通過對玻璃、樹脂、硅、碳或陶瓷材料進行蝕刻處理來形成 多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。而且，例如，在上述液晶光學元件的制造方法中，還包括對所 述基板的配置所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的面進行取向處理的工序。而且，為了解決上述課題，本發(fā)明提出了一種液晶光學元件的制 造方法，所述液晶光學元件具有形成有電極的多個基板、和被所述多 個基板夾持的液晶，其中，所述制造方法包括電極形成工序，在由 母材構(gòu)成的基板上形成電極；配置工序，在形成有電極的一個基板或 多個基板上配置高純度鋁材料，或形成高純度鋁膜；多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序，通過對高純度鋁材料或高純度鋁膜進行陽極氧化處理，而形成具有多個貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體；取向處理工序，對形 成后的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁面進行取向處理；組裝工序，將形成有電極的其他基板與配置有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的基板組合；以及液晶注入工 序，向組合后的基板之間注入液晶。例如，在上述液晶光學元件的制造方法中，還包括對所述基板 的配置所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的面進行取向處理的工序。發(fā)明效果關(guān)于響應、響應依賴性，現(xiàn)有的液晶光學元件的情況如下 TN模式中的響應時間上升時間Tr=4Ji r]d2/ ( e 。△ e V2—4 Ji3K) 下降時間Td= nd2/ (Kn2) 式中液晶的粘度d:液晶層的厚度(兩個取向處理膜之間) e。真空的介電常數(shù)△ e :液晶的介電常數(shù)各向異性K:液晶的彈性常數(shù)V:施加電壓T:溫度特性(n、 △ e 、 K的物理參數(shù)根據(jù)溫度變化)當對液晶光學元件施加電壓，再相反地去除電壓時，液晶將再取向。再取向所需要的時間為響應時間T 。施加時的響應特性Tf (上 升時間)以及去除電壓時的Td (下降時間)，都與液晶的粘性I1的大 小成比例關(guān)系。在去除電壓后，在向原來的取向狀態(tài)的緩和中，由于 受取向膜的取向制約力的影響，所以與取向膜相離開的主體部分，需 要長時間才能復原。眾所周知， 一般地，響應時間、、Td與液晶層的厚度(兩個取 向膜之間)d的平方成比例地延遲。因此，使液晶層的厚度d變薄是 改善響應特性的有效手段。在上述非專利文獻1的在液晶層內(nèi)設置聚 合物網(wǎng)的情況(聚合物分散型液晶模式)下，可知液晶的與單位體積 聚合物之間的界面的面積較大，因而去除電壓時的緩和響應為高速。 但是，聚合物網(wǎng)有制造工序上欠缺均勻性的問題。對于夾持有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的液晶光學元件，有考慮通過在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12中設置多個納米級的貫通孔或非貫通孔，來使表面積較大。該情況下，納米級孔內(nèi)的液晶非常接近孔內(nèi)壁面12a的取向膜 表面，S卩，在為夾持有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的液晶光學元件的情況下， 現(xiàn)有的液晶光學元件的液晶層的厚度d相當于多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的開 孔的孔徑。根據(jù)與上述液晶光學元件的響應速度有關(guān)的"上升時間 t/'、"下降時間td"的計算式，可得知在使用多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的 情況下具有高速性。而且，在使用多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的情況下，證實 了響應速度會大幅提高。圖2為表示本發(fā)明的液晶光學元件的高速響 應性的一例。圖2 (a)示出了上升時間與靜電容量的關(guān)系。圖2 (b) 示出了下降時間與靜電容量的關(guān)系。根據(jù)本發(fā)明的液晶光學元件，通過在構(gòu)成液晶光學單元的基板之 間配置具有多個貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，在該結(jié)構(gòu)體中充 填并保持液晶，并在基板上設置的電極之間施加電壓，從而能夠控制 液晶的分子排列狀態(tài)，能夠使光學特性變化。因此，能夠提高作為液晶光學元件的響應速度，而且，能夠提高 電極之間配置的結(jié)構(gòu)物的均勻性以及結(jié)構(gòu)物形成的再現(xiàn)性，能夠作為 可電氣地控制光折射等光學特性的可變焦透鏡、或者作為用于修正在 光拾取器的記錄和再現(xiàn)時產(chǎn)生的像差的液晶像差修正元件等而實現(xiàn) 實用化。而且，根據(jù)本發(fā)明的液晶光學元件的制造方法，形成了具有多個 貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，并將該多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體配置在形成 有電極的一個基板上，由此，能夠容易地控制液晶的分子取向，并能 夠形成使光學特性變化的液晶光學元件。而且，通過在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序中對高純度鋁材料進行陽極 氧化處理，能夠形成圓形形狀或六角形狀的氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。而且，通過在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序中對玻璃、樹脂、硅、碳或 陶瓷材料進行蝕刻處理來形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，能夠提高多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體 的加工效率，且能夠利用高純度鋁以外的材料。而且，通過對形成的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁面12a進行取向處理，在多個貫通孔或非貫通孔的內(nèi)部使液晶成為規(guī)定取向，由此能夠容易 地使光學特性變化。而且，根據(jù)本發(fā)明的液晶光學元件的制造方法，在形成有電極的 一個基板或多個基板上配置高純度鋁材料，或者形成高純度鋁膜，并 對高純度鋁材料或高純度鋁膜進行陽極氧化處理，形成具有多個貫通 孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，由此，能夠使用于形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體 的陽極氧化處理的制造工序等簡單化，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本降低。


圖1為表示現(xiàn)有液晶光學元件結(jié)構(gòu)的圖。圖2為本發(fā)明的液晶光學元件的高速響應性的一例。圖3為示出了第1實施方式的液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)(垂直取向處理的例子)的視圖。圖4為表示液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)的A—A截面圖。圖5為表示液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)的B—B、 C —C截面圖。圖6為表示基板的電極以及連接端子的配置狀態(tài)的圖。圖7為表示液晶光學元件100的電路系統(tǒng)的示意圖。圖8為表示液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)的局部放大示意圖。圖9為表示多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的結(jié)構(gòu)的視圖。圖10為具有圓形形狀孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的取向模型。圖11為具有六角形狀孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的取向模型。圖12為用陽極氧化法形成的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的照片。圖13示出了液晶光學元件100在施加電壓時的液晶取向狀態(tài)。圖14為示出了第2實施方式的液晶光學元件200的結(jié)構(gòu)(水平取向處理的例子)的圖。圖15為示出了第3實施方式的液晶光學元件300的結(jié)構(gòu)(非貫通孔的例子)的圖。圖16為表示多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造方法(陽極氧化法)的工序圖。圖17為表示多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造方法(蝕刻法)的工序圖。 圖18為表示液晶光學元件的第1制造方法的工序圖(之一)。 圖19為表示液晶光學元件的第1制造方法的工序圖(之二)。 圖20為表示液晶光學元件的第2制造方法的工序圖。 附圖標記的說明 K0、 Kl 界面層 P 主體層10、 11 下玻璃基板、上玻璃基板12 多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體(貫通孔) 12A 多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體(非貫通孔) 12a 多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁面13 貫通孔20 下基板、公共電極 20h 下基板、加熱電極21 上基板、第一驅(qū)動電極22 上基板、第二驅(qū)動電極 Vo 接地端子V, 第一驅(qū)動端子 V2 第二驅(qū)動端子 VH 加熱端子 32 注入口 40 液晶材料 50 密封材 80 導通材100 液晶光學元件(垂直取向處理的例子)200 液晶光學元件(水平取向處理的例子)300 液晶光學元件(非貫通孔的例子)具體實施方式
參照附圖，對實施本發(fā)明的液晶光學元件及其制造方法的優(yōu)選實 施方式進行說明。在此，以如下液晶光學元件為例進行說明，該液晶 光學元件是對預先按特定方向排列的液晶分子局部施加電場，來改變 該分子的排列，并利用液晶光學單元內(nèi)產(chǎn)生的折射率分布的變化，而 獲得透鏡效果的元件。圖3示出了第1實施方式的液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)(垂直取向 處理的例子)的圖。圖4為表示液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)的A—A截 面圖。圖5為表示液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖5中，圖 5 (a)為B—B截面圖，圖5 (b)為C一C截面圖。圖6為表示基板 的電極以及連接端子的配置狀態(tài)的圖。在圖6中，圖6 (a)示出了 基板11的電極以及連接端子的配置狀態(tài)，圖6 (b)示出了基板10 的電極以及連接端子的配置狀態(tài)。如圖3 圖6所示，液晶光學元件100由形成有公共電極20的 基板10、形成有第一驅(qū)動電極21以及第二驅(qū)動電極22的基板11、 多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12、和液晶40構(gòu)成。在該例子的情況下，液晶40為在施加電壓時分子的長軸朝向電 場方向的介電常數(shù)各向異性為正的向列型液晶(Np液晶)，其在多孔 質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的內(nèi)壁面12a的壁面上形成垂直取向膜。而且，在圖4中，省略了在公共電極20、第一驅(qū)動電極21以及 第二驅(qū)動電極22與液晶40之間通常設置的取向膜、透明絕緣層、在 基板IO、 ll上設置的反射防止膜等的圖示。并且，液晶40被密封材 50封入在內(nèi)側(cè)。并且，為施加電壓而在各端子上連接有導線等。在上玻璃基板11的厚度方向穿設孔，在這些孔上分別設置用于 與公共電極20、加熱電極20h連接的接地端子Vo、加熱端子Vh。而 且，在上玻璃基板11上設置第一驅(qū)動端子V'、第二驅(qū)動端子V2。關(guān) 于在下玻璃基板10側(cè)形成的公共電極20，其通過隔有導通材80，而 與上玻璃基板ll側(cè)的接地端子Vo連接。而且，加熱電極20h也通過 隔有導通材80，與上玻璃基板11側(cè)的加熱端子Vh連接。并且，各 端子是通過沿著孔的內(nèi)周面進行通孔加工，并進行Cr一Au等的金屬電鍍和導通材的充填而形成的。而且，由于如圖3所示各端子配置在上玻璃基板11的表面上， 所以與在玻璃基板的側(cè)方集約配置端子而成的現(xiàn)有的液晶光學單元 相比，不會對單元施加不平衡的力，不易產(chǎn)生裂紋和破碎等的不良狀況。從而，可以使基板IO、 11更薄(例如為0.2mm 0.5mm)，能夠使液晶光學元件小型并輕量化。而且，在上玻璃基板11的表面上形成有用于將液晶40注入到玻 璃基板IO、 11間的注入口32。注入口 32的形狀為圓形或楕圓形等， 在注入液晶40后用封裝材適當封裝。而且，如圖6 (a)所示，在上玻璃基板11的中心部配置圓形的 第二驅(qū)動電極22，在其周邊配置第一驅(qū)動電極21。第二驅(qū)動電極22 與第二驅(qū)動端子V2連接。并且，第一驅(qū)動電極21與第一驅(qū)動端子 丫1連接。而且，如圖6 (b)所示，在基板10的中心部配置圓形的公 共電極20，在其周邊配置加熱電極20h。公共電極20與接地端子Vo 連接。并且，加熱電極20h與加熱端子VH連接。圖7為表示液晶光學元件100的電路系統(tǒng)的示意圖。如圖7所示， 電源V通過可變電阻R,，在第一驅(qū)動端子V,和接地端子Vo之間施加規(guī)定的電壓V1，并且通過可變電阻R2，在第二驅(qū)動端子V2和接地端子Vo之間施加規(guī)定的電壓V2。而且，電源VH通過電阻Rw在接 地端子Vo與加熱端子VH之間施加規(guī)定的電壓VH。該部分作為液晶 光學元件100的加熱部而起作用。圖8為表示液晶光學元件100的結(jié)構(gòu)的局部放大示意圖。該圖8 所示的部分為液晶光學元件100的基本結(jié)構(gòu)。多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12配置 于下玻璃基板10上。而且，上玻璃基板11配置在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12 的上方。在上玻璃基板11與多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12之間具有規(guī)定的空間。 在下玻璃基板10和上玻璃基板11之間充填并保持著液晶40。在玻璃基板10或11的內(nèi)表面形成取向膜。因此，如圖8所示，玻璃基板的內(nèi)表面的液晶被沿規(guī)定的方向(垂直方向)取向。而且， 多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的內(nèi)壁面12a被進行取向處理。因此，液晶沿垂直于內(nèi)壁面12a的方向取向。此時，作為液晶，使用介電常數(shù)各向異性 為正的向列型液晶(Np型液晶)。由于多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造偏差、上下玻璃基板間的間隙的制 造偏差、和液晶的注入路徑的作用，玻璃基板內(nèi)表面與多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體 12的間隔為數(shù)um的間隔，并且在該部分也存在液晶。該液晶為與 光的進入方向平行的液晶分子，對在垂直于上下玻璃基板的方向上作 用的電場變化不響應。圖9為表示多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的結(jié)構(gòu)的視圖。圖9所示的多孔質(zhì) 結(jié)構(gòu)體12的貫通孔為圓形形狀。圖IO為具有圓形形狀孔的多孔質(zhì)結(jié) 構(gòu)體12的取向模型。如圖IO所示，液晶呈放射狀地沿垂直于內(nèi)壁面 12a的方向取向。并且，圖11為具有六角形狀孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12 的取向模型。如圖11所示，液晶大致呈放射狀地沿垂直于內(nèi)壁面12a 的方向取向。多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的由內(nèi)壁面12a的垂直取向處理所形成的取向 狀態(tài)成為圖10或圖11所示模樣的配置，宏觀上來看，面內(nèi)取向中沒 有各向異性，不依賴于偏光方向。而且，由于多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的貫 通孔形成為圓形形狀或六角形狀，所以結(jié)構(gòu)上牢固并能夠增大孔開口 率s，還可以較多地充填并保持液晶。多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12是通過對例如高純度鋁材料進行陽極氧化處理 而形成的。圖12為用陽極氧化法形成的氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的照 片。圖12 (a)為氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的俯視照片。圖12 (b)為 氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的截面照片。多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的貫通孔的間距 約為500nm，孔徑約為400nm，厚度約為50um。多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的部分的面積(從基板法線光路方向觀察的部 分的面積)越小，則越有助于光學特性的控制，且液晶材料部分的面 積則取得卻大，所以是優(yōu)選的。即，優(yōu)選充填并保持有液晶的貫通孔 或非貫通孔部分有更大的面積。而且，優(yōu)選多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12相對于光波長具有高的可靠性、穩(wěn)定性。14圖13是示出了液晶光學元件100在施加電壓時的液晶取向狀態(tài) 的圖。如圖13所示，在對液晶光學元件100施加規(guī)定的電壓時，沿 垂直于內(nèi)壁面12a的方向取向的液晶受到電場方向上的力而傾斜，如 果電場變強，則相對電極表面呈垂直狀態(tài)。由此，能夠電氣地控制對 光的折射率，成為作為可變焦透鏡或像差修正元件的有益的功能元 件。而且，如圖13所示，在施加電壓時，A和C區(qū)域的液晶分子的 排列狀態(tài)不變，仍然是相對電極表面垂直的取向。因此，所述A和C 區(qū)域的液晶為不影響液晶光學元件特性的區(qū)域。另一方面，B區(qū)域的 液晶分子的排列狀態(tài)由于施加電壓而變化。由此，可以得到作為光學 元件的光學特性。如圖8所示的液晶光學元件100的局部放大示意圖所示，多孔質(zhì) 結(jié)構(gòu)體12的貫通孔與基板法線方向以及光的前進方向相平行地排 列，而液晶分子相對于被垂直取向處理后的內(nèi)壁面12a以垂直排列狀 態(tài)排列。而且，如果多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的隔壁越窄，即，如果孔開口率s 越大，那么液晶的充填和保持比例將會越大，有利于光控制地發(fā)揮作 用，因此孔開口率s如下式定義?？组_口率5=(孔部分的面積)/ {(孔部分的面積)+ (隔壁部 分的面積))考慮到多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造偏差以及制造可能性，優(yōu)選孔開 口率s為50 80%左右。根據(jù)隔壁部的光透過效率等、特別是根據(jù)相對于紫外線的耐光性 和溫度依賴性來進行材料的選定也是重要的課題。作為電氣絕緣材 料，有玻璃、樹脂、硅、碳或陶瓷材料等，需要根據(jù)各自的用途進行 選擇。液晶材料顯現(xiàn)出雙折射性，其大小由液晶分子長軸方向的折射率 ne (稱為異常光折射率)和短軸方向的折射率n。(稱為正常光折射率) 的差An (=ne—n。)定義。對于大多的液晶顯示單元所使用的向列型液晶，該An(二ne—n。)的符號為正，而被分類為正號結(jié)晶。以下，為得知在向夾持有所述的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12而形成的液晶 光學元件垂直地射入光時的光學作用情況，以向列型液晶ZLI—1132 (Merck公司制)為例，嘗試進行數(shù)值上的估算。ZLI—1132液晶材 料的異常光折射率ne約為1.632，正常光折射率n。約為1.493。在使 未施加電壓時的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的貫通孔中的液晶分子的取向成為 圖8所示的放射狀取向的情況下，可以期待的折射率的最大值nMAX 比ne略小，nMAX=1.561左右。而且，在該狀態(tài)下施加電壓而得的折 射率的最小值riMw與n。相等，nMIN=1.493。從而，可估算出根據(jù)電 壓而能夠變化的折射率的可控制范圍Sn為Sn=nMAX—nM1N = 0.068 左右。折射率的值和幾何距離的積被稱為光學距離。該情況下，使液 晶層的厚度(多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的厚度)為d，則最大和最小的光學距離 L分別為LMAX = d nMAX以及LMIN = d . nMIN。從而，通過電壓可以 控制的光學距離為SL二d' 5n。以上的估算是在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的孔開口率s為100%的情況下， 而當孔開口率s降低時，根據(jù)電壓，能夠?qū)嶋H有效變化的折射率的可 控制范圍Sn將縮小。例如，多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的部分是通過對高純度鋁 材料進行陽極氧化處理而形成的氧化鋁材，其平均折射率約為1.764， 在假定孔開口率s為50%的情況下，關(guān)閉電壓時的實際有效的折射率 nMAX= (1.561 + 1.764) X0.5 = 1.6625，開啟電壓時的實際有效的折 射率nMIN= (1.493 + 1.764) X0.5 = 1.6285。利用施加電壓而可控制 的折射率范圍Sn為3=100%時的二分之一，所以光學距離范圍SL 也為在s二100。/。時的二分之一。經(jīng)由光學距離L的光路后的光的相位滯后的大小(相位滯后量) O可以通過使光的波長為入而由下式算出。相位滯后量①二LX2:i /入式中L:光學距離、A :光波長從而，在所述的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體為氧化鋁、孔開口率s為50%的情 況下，若使液晶層的厚度(多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的厚度)為d，通過電壓能夠控制的相位滯后(相位滯后量)的范圍為so，則S 0= (nMAX—nMIN) XdX2兀/ X=0.035XdX2n / X。 這樣，在本實施方式中，液晶光學元件100由形成有公共電極 20的基板10、形成有第一驅(qū)動電極21以及第二驅(qū)動電極22的基板 11、多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12、和液晶40構(gòu)成。作為多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的形成方 法，對高純度鋁材料進行陽極氧化處理來形成氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。 而且，多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的多個貫通孔13形成為圓形形狀，在多孔質(zhì) 結(jié)構(gòu)體12的內(nèi)壁面12a實施垂直取向處理，并且在上下玻璃基板的 配置多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的表面(在基板10中，即電極20的配置多孔 質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的表面)實施垂直取向處理。由此，通過在玻璃基板上設置的電極之間施加電壓，能夠控制液 晶的分子取向，能夠使光學特性變化。從而，能夠縮短作為液晶光學 元件的響應時間，從而可作為用于修正在光拾取器的記錄和再現(xiàn)時產(chǎn) 生的像差的液晶像差修正元件來實現(xiàn)實用化。以下，對液晶光學元件的其他結(jié)構(gòu)例進行說明。圖14為示出了 第2實施方式的液晶光學元件200的結(jié)構(gòu)的局部放大示意圖。圖14 中，(a)為表示未施加電壓時的液晶取向狀態(tài)的圖，(b)為表示施加 電壓時的液晶取向狀態(tài)的圖。如圖14所示，液晶光學元件200由形成有公共電極20的下玻璃 基板IO、形成有第一驅(qū)動電極21以及第二驅(qū)動電極22的基板ll、 多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12、和液晶40構(gòu)成。在該實施方式的情況下，液晶40 為在實施電壓時分子的長軸朝向垂直于電場方向的介電常數(shù)各向異 性為負的向列型液晶(Nn液晶)，在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的貫通孔的內(nèi) 壁面12a上形成使液晶分子長軸朝向貫通孔的深度方向的水平取向 膜。由此，如圖14 (a)所示，在施加電壓前，多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的 貫通孔的液晶相對于內(nèi)壁面12a呈水平狀態(tài)排列。該情況下，上下玻 璃基板表面附近的液晶呈隨機取向狀態(tài)。而且，在該狀態(tài)下在各電極之間施加電壓時，多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的貫通孔內(nèi)的液晶受到垂直于電場的力。因此，如圖14 (b)所示， 變化成垂直于內(nèi)壁面12a的狀態(tài)的排列。而且在此，上下玻璃基板表 面附近的液晶仍為隨機取向狀態(tài)。具有這樣結(jié)構(gòu)的液晶光學元件200能得到與上述第1實施方式同 樣的效果。圖15為示出了第3實施方式的液晶光學元件300的結(jié)構(gòu)的局部 放大示意圖。如圖15所示，液晶光學元件300由形成有公共電極20 的玻璃基板10、形成有第一驅(qū)動電極21及第二驅(qū)動電極22的玻璃 基板ll、多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12A、和液晶40構(gòu)成。在該例的情況下，多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12A為具有多個非貫通孔的多 孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。而且，液晶40為在施加電壓時分子的長軸朝向電場方 向的介電常數(shù)各向異性為正的向列型液晶(Np液晶)，在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu) 體12的非貫通孔的內(nèi)壁面12a上形成垂直取向膜。而且，在施加電壓前，多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12A的非貫通孔的液晶相 對于內(nèi)壁面12a呈垂直放射狀排列，玻璃基板取向處理面的液晶相對 于表面呈垂直狀態(tài)排列。在施加電壓時，通過電壓的施加，多孔質(zhì)結(jié) 構(gòu)體12A的非貫通孔的液晶相對于內(nèi)壁面12a從垂直排列狀態(tài)變化到水平排列狀態(tài)。而且，玻璃基板取向處理面的液晶仍為垂直排列狀態(tài)。 具有這樣結(jié)構(gòu)的液晶光學元件300可得到與上述第1實施方式同樣的效果。而且，在對高純度鋁材料進行陽極氧化處理情況下，在陽 極氧化處理中殘留的鋁材料部分的處理、或者將孔未貫通的部分去除 的補償蝕刻處理(參照后述的圖14參照)將被簡單化。以下，參照圖16 圖19對本發(fā)明的液晶光學元件100的第1制 造方法進行說明。圖16為表示多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造方法(陽極氧 化法)的工序圖。圖17為表示多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造方法(蝕刻法) 的工序圖。圖18為表示液晶光學元件的第1制造方法的工序圖(之 一)。圖19為表示液晶光學元件的第1制造方法的工序圖(之二)。圖16所示的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造方法是通過對高純度鋁材料 進行陽極氧化處理來形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的方法。在該方法，如圖16所示，首先，將高純度鋁材料形成規(guī)定厚度的板狀(Sll)。然后，對高純度鋁材料進行陽極氧化處理(S12)。在 此，將高純度鋁材料與硝酸、磷酸等酸性電解液中的陽極氧化處理用 電極中的1個連接，再將另一個陽極氧化處理用電極配置于電解液 中，在陽極氧化處理用電極之間施加電壓，進行陽極氧化處理。由此， 可以得到具有多個貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。然后，為了使孔徑擴大而對得到的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12進行蝕刻處 理(sn)，使多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的孔徑為規(guī)定的尺寸。然后，對孔徑擴大蝕刻處理后的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12進行補償蝕刻 處理(S14)，以對在陽極氧化處理中殘留的鋁材料部分進行處理，或者除去孔的未貫通的部分。然后，在貫通孔的內(nèi)壁面12a的壁面，通過液晶顯示單元所使用 的取向材料和處理方法，例如，利用CTAB等的表面活性劑、憎水處 理劑、和聚酰亞胺、PVA等涂覆取向膜(S15)。而且，圖17所示的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的制造方法為對玻璃、樹脂、 硅、碳或陶瓷材料進行蝕刻處理從而形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的方法。在該方法中，如圖17所示，首先，將玻璃、樹脂、硅、碳或陶 瓷材料等形成為規(guī)定厚度的板狀(S21)。然后，在形成板狀的玻璃、 樹脂、硅、碳或陶瓷材料上涂覆Cr膜或抗蝕劑膜(S22)。然后，在 曝光處理后進行蝕刻處理。在此，將多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的貫通孔做成 規(guī)定的尺寸(S23)。例如，使貫通孔的直徑為5000nm左右。然后， 在貫通孔的內(nèi)壁面12a上涂覆取向膜(S24)。這樣，可以得到如圖 10所示的具有圓形形狀孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12。作為液晶光學元件100的第1制造方法，首先，如圖18所示， 在下玻璃基板側(cè)(基板10側(cè))，在規(guī)定的位置通過蒸鍍等方法形成電 極材(SIOI)。然后，進行利用蝕刻等的圖案形成處理來制作電極20、21(S102)。 并且，上述設置端子的工序和形成電極的工序置前置后均可。然后，在根據(jù)需要層積透明絕緣層后，形成PVA等液晶取向膜(S103)。進而，通過印制等在電極20的外側(cè)設置用于封入液晶的密 封材50 (S104)。另外，關(guān)于對置的上玻璃基板(基板ll側(cè))，與上述相同地對由 母材構(gòu)成的基板形成電極(S201),并進行圖案形成，形成第一驅(qū)動 電極21和第二驅(qū)動電極22 (S202)。并且，形成液晶取向膜(S203)。然后，如圖19所示，配置多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體(S300)。在此，對通過 上述圖16、 17所示的2個方法中的任意一個形成的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12 進行配置。然后，使上玻璃基板和下玻璃基板對置地組合(S301)。 該工序是通過隔有間隔件并利用密封劑貼合等進行的。接下來，從注入口 32向密封材50的內(nèi)側(cè)注入液晶(S302)，封 裝。然后，使用在由母材構(gòu)成的上玻璃基板11上排列的各端子，進 行元件的動作檢査(S303)。對檢查不合格的地方，進行NG標示 (S304)。之后，在由母材構(gòu)成的基板的全表面上形成反射防止膜(AR 膜)(S305)。 AR膜可以在玻璃基板IO側(cè)或基板11側(cè)的任意一方形 成，也可以在兩側(cè)都形成。最后，用切片機等將由母材構(gòu)成的基板切分成各個液晶像差修正 元件1 (S306)，經(jīng)過單件產(chǎn)品的檢查工序(S307)后結(jié)束。并且， 在單件產(chǎn)品的檢查中，不合格的元件被廢棄或進行修理等，或被送到 再生工序中(S308)。根據(jù)以上的制造方法，預先形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12，并在組裝液 晶光學元件時將其配置于上下玻璃基板之間。作為液晶光學元件100的第2制造方法，如圖20所示，是在組 裝液晶光學元件100期間，通過進行高純度鋁材料的陽極氧化處理， 從而形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的方法。圖20為表示液晶光學元件的第2 制造方法的工序圖。在該第2制造方法中，首先，如圖20所示，在下玻璃基板上覆 膜、進行圖案形成處理后，在步驟S400中，在下玻璃基板側(cè)(基板 10頂!j)通過蒸鍍等在規(guī)定的位置上形成電極材。然后，通過進行利 用蝕刻等的圖案形成處理來制作電極20、 21 (S401)。然后，在步驟S402中，配置高純度鋁材料(或形成高純度鋁膜)。 然后，對高純度鋁材料進行陽極氧化處理(S403)。在此，陽極氧化 處理的方法與上述的方法相同。由此，可以得到具有多個貫通孔的多 孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。然后，對得到的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12進行孔擴大蝕刻處理(S404)。 在此，將多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的貫通孔擴大到規(guī)定的大小。例如，貫通 孔的直徑為80nm左右。然后，在貫通孔的內(nèi)壁面12a涂覆取向膜(S405)。這樣，可以得到如圖9所示的具有圓形形狀孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12。另一方面，對于對置的上玻璃基板(基板ll側(cè))，與上述相同地 對由母材構(gòu)成的基板形成電極(S500)，并進行圖案形成，形成第一 驅(qū)動電極21和第二驅(qū)動電極22 (S501)。而且，形成液晶取向膜 (S502)。進而，通過印制等方法在電極的外側(cè)設置用于封入液晶的 密封材50 (S503)。然后，使形成有上述電極、端子等的基板與上玻璃基板相對置地 組合(S406)。該工序是通過隔有間隔件并利用粘結(jié)劑貼合等進行的。 然后，從注入口 32向密封材50的內(nèi)側(cè)注入液晶(S407)，并封 裝。然后，使用在由母材構(gòu)成的基板IO上排列的各端子，進行元件 的動作檢査(S408)。對檢査不合格的地方進行NG標示(S409)。之 后，在由母材構(gòu)成的基板的全表面上形成反射防止膜(AR膜)(S410)。 AR膜可以在基板10側(cè)或基板11側(cè)的任意一側(cè)形成，也可以在兩側(cè) 都形成。最后，用切片機等將由母材構(gòu)成的基板切分成各個液晶像差修正 元件1 (S411)，經(jīng)過單件產(chǎn)品的檢查工序(S412)后結(jié)束。另外， 在單件產(chǎn)品的檢查中，不合格的元件被廢棄或進行修理等，或被送到 再生工序中(S413)。通過上述的液晶光學元件的制造方法，能夠容易地控制液晶的分 子取向，能夠容易地形成使光學特性變化的液晶光學元件。而且，通過對高純度鋁材料進行陽極氧化處理，來形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。而且，通過對玻璃、樹脂、硅、碳或陶瓷材料進行蝕刻處理來形 成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，由此可以提高多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的加工效率，能夠利用 氧化鋁以外的材料。并且，雖然在上述實施方式中對多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12是通過對高純 度鋁材料進行陽極氧化處理而形成的情況進行了說明，但并不僅限于 此。例如，也可以通過對Si (硅)材料進行蝕刻處理來形成。而且，在上述實施方式中，對多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的多個貫通孔或 非貫通孔形成為圓形形狀或六角形狀的情況進行了說明，但也可以不 限于此。而且，在上述實施方式中，為了減少漏光，可以在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體12的上表面或下表面實施黑色處理。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明有望被廣泛利用，例如，用于內(nèi)置于移動電話、移動信息終端機(PDA)、數(shù)字機器等的超小型攝像機中并具有自動聚焦功能、 長焦微距切換功能的液晶光學元件，或者在光盤裝置中用于修正在光 拾取器的記錄和再現(xiàn)時產(chǎn)生的像差的液晶光學元件。
權(quán)利要求
1、一種液晶光學元件，具有形成有電極的多個基板、和被所述多個基板夾持的液晶，其特征在于，在所述基板之間配置有具有多個貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體，液晶充填并保持在所述貫通孔或非貫通孔中。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶光學元件，其特征在于，所述多個貫通孔或非貫通孔形成為圓形形狀或六角形狀。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶光學元件，其特征在于，所 述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的孔開口率s為50 80% 。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶光學元件，其特征在于，所 述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的貫通孔或非貫通孔的間距為50 5000nm。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶光學元件，其特征在于，對 所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁面實施取向處理，并且對所述基板的配置所 述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的面實施取向處理，呈液晶的面內(nèi)取向中沒有各向異 性的各向同性，并且不依賴于偏光方向。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶光學元件，其特征在于，在所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的上表面或下表面實施黑色處理，進行減少漏光的 處置。
7、 一種液晶光學元件的制造方法，所述液晶光學元件具有形成 有電極的多個基板、和被所述多個基板夾持的液晶，其特征在于，包 括電極形成工序，在由母材構(gòu)成的基板上形成電極；多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體 形成工序，形成具有多個貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體；取向處 理工序，對所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁面進行取向處理；多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體 配置工序，在形成有電極的一個基板上配置所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體；組裝 工序，將形成有電極的其他基板與配置有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的基板組合； 以及液晶注入工序，向組合后的基板之間注入液晶。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶光學元件的制造方法，其特征在于，在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序中，通過對高純度鋁材料進行陽極氧化 處理來形成氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶光學元件的制造方法，其特征在 于，在多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序中，通過對玻璃、樹脂、硅、碳或陶瓷 材料進行蝕刻處理來形成多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7至9中的任意一項所述的液晶光學元件的制 造方法，其特征在于，還包括對所述基板的配置所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體 的面進行取向處理的工序。
11、 一種液晶光學元件的制造方法，所述液晶光學元件具有形成 有電極的多個基板、和被所述多個基板夾持的液晶，其特征在于，包 括電極形成工序，在由母材構(gòu)成的基板上形成電極；配置工序，在 形成有電極的一個基板或多個基板上配置高純度鋁材料，或形成高純 度鋁膜；多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體形成工序，通過對高純度鋁材料或高純度鋁膜 進行陽極氧化處理，而形成具有多個貫通孔或非貫通孔的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu) 體；取向處理工序，對形成后的多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁面進行取向處理； 組裝工序，將形成有電極的其他基板與配置有多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的基板組 合；以及液晶注入工序，向組合后的基板之間注入液晶。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶光學元件的制造方法，其特征 在于，還包括對所述基板的配置所述多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的面進行取向處 理的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶光學元件及其制造方法，能確保適用上有用的光學距離的可控制范圍，并能提高響應速度。液晶光學元件(100)由形成有公共電極(20)的基板(10)、形成有第一驅(qū)動電極(21)及第二驅(qū)動電極(22)的基板(11)、多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體(12)、和液晶(40)構(gòu)成。作為多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體的形成方法，為通過對高純度鋁材料進行陽極氧化處理來形成氧化鋁多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體。而且，多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體(12)的多個貫通孔形成為圓形形狀，對多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體(12)的內(nèi)壁面實施垂直取向處理，并且對上下玻璃基板的配置多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)體(12)的面實施垂直取向處理。
文檔編號G02F1/1333GK101251657SQ20081000923
公開日2008年8月27日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月20日
發(fā)明者中川信義, 廣島綱紀 申請人:碧理科技有限公司;國立大學法人山梨大學