專利名稱：標記體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于諸如無源對準(passive alignment)的定位工作， 以及用于表示信息的標記體，及其制造方法。
背景技術(shù)：
微型光學組件和平面光波電路(下文中稱為"PLC")組件作為 光學收發(fā)器使用于光接入市場中。微型光學組件與諸如激光二極管(下
文中稱為"LD")、光電二極管(下文中稱為"PD")、薄膜濾波器 和透鏡的部件配置在一起。PLC組件具有形成在硅襯底上的石英波導， 且LD、 PD等安裝到其表面上。這兩種組件都具有優(yōu)點和缺點。但是， 在監(jiān)控光輸出時無需調(diào)整光軸的PLC組件在成本和傳輸方面具有優(yōu) 勢。這種PLC組件的安裝方法通常稱作無源對準安裝。關(guān)于無源對準 安裝已存在各種技術(shù)(例如，參見日本未審專利公開2002-62447 (文 獻l)和日本未審專利公開2003-512645 (文獻2))。


圖10-圖12示出了采用無源對準安裝的光波導器件的示例。圖10 是沿圖12的線I-I的縱向截面圖，圖11是沿圖12的線II-II的縱向截 面圖，圖12是平面圖。圖13A和13B示出了作為圖10-圖12所示光 波導器件的一部分的PD芯片，其中圖13A是平面圖且圖13B是底視 圖。下文將參考圖10-圖13A和13B進行闡釋。光波導器件50是與PLC 60和PD芯片80配置在一起的PLC組件。 PD芯片80通過無源對準安裝在PLC 60上。PLC 60包括硅襯底61上 的下覆蓋層62、核63、埋層64、上覆蓋層65、鏡面平化層66、電極 67a、 67b、 67c、鏡面68、凹槽69、傾斜面70、標記體71a-71d等。 PD芯片80包括由化合物半導體等構(gòu)成的芯片主體81、形成在芯片主 體81底面上的光接收面82、電極83a、 83b、標記體84a-84d和形成在 芯片主體81頂面上的電極85。 PD芯片80的電極83a通過凸塊51a、 51b連接在PLC 60的電極67b上，PD芯片80的電極83b通過凸塊51c、 51d連接在PLC 60的電極67c上。PD芯片80的電極85通過引線52 連接在PLC 60的電極67a上。但是，為了避免復雜化，在圖12中省 略了 PD芯片80的電極85。在圖13A和13B中，通過陰影表示用于形 成電極83a、 83b和標記體84a-84d的金屬膜。圖14是用于描述安裝圖IO所示的光波導器件的無源對準安裝的 圖示。圖15A-15C示出了標記體的平面圖和圖14所示的無源對準安裝 中使用的圖形，其中圖15A示出了 PD芯片的標記體，圖15B示出了 PLC的標記體，圖15C示出了通過將兩個標記體相互重疊而獲得的圖 形。下文將參考圖10-圖15A-15C描述無源對準安裝。如圖10-12所示，光波導器件50用于通過鏡面68反射來自核63 的出射光L作為向上的光波導，以便將其引導到安裝在PLC 60表面上 的PD芯片80的光接受面82.如果PD芯片80不是相對于PLC 60的核 63和鏡面68以高精度安裝到PLC 60上的，則在光接受面82上會發(fā)生 光蝕，由此會降低光接收效率。這種趨勢隨著PD芯片80的光接受面 82的直徑變小而變得顯著。因此，將要用在安裝中的標記體71a-71d 和84a-84d分別提供給PLC60和PD芯片80。然后，如圖14所示，紅 外光Rl從PLC 60的底面輻射，并通過照相機55識別通過PLC 60和 PD芯片80傳輸?shù)募t外光R2。此時，PD芯片80通過對準標記體71a， …和標記體84a，以將它們的中心相互匹配的方式安裝到PLC 60上。 借此，可以以高精度保持PLC60和PD芯片80之間的位置關(guān)系，以便可以獲得穩(wěn)定的光接收效率。如上所述，PLC 60和PD芯片80是一個設(shè)置在另一'個之上，通過 PLC 60和PD芯片80傳輸?shù)募t外光R2識別出標記體71a，…和標記 體84a的圖形。此時，需要使用能夠屏蔽用于識別標記體71a，…和標 記體84a的紅外光R2的材料來形成標記體71a，--和標記體84a。例 如，當標記體84a-84d以圖15A所示的形狀形成在PD芯片80側(cè)面上， 且標記體71a-71d以圖15B所示的形狀形成在PLC60側(cè)面上時，在識 別屏上觀察到圖15C所示形狀的圖形。通過使其中心相互匹配的方式 來對準標記體71a…和標記體84a，就可以實現(xiàn)非常精確的安裝。圖16A和16B示出了 PLC側(cè)面上的標記體，其中圖16A是平面 圖，圖16B是沿圖16A的線I-I的縱向截面圖。下文將參考這些圖進行 闡釋。相同的數(shù)字標記表示與圖IO相同的部件，并省略其解釋。圖16A和16B是示出圖IO所示的PLC 60—部分的片斷圖。下覆 蓋層62、標記體71a、埋層64和上覆蓋層65層疊在硅襯底61上。對 于標記體71a的材料，使用鉻作為金屬膜。圖17A-17G示出了包括圖14所示的標記體的PLC的制造方法， 從圖17A到圖17G依次進行其步驟。下文將參考這些圖進行闡釋。首先，通過等離子體CVD在硅襯底61上形成由二氧化硅膜構(gòu)成 的下覆蓋層62。此后，通過指定條件進行熱處理(圖17A)。隨后， 在下覆蓋層62上形成將作為標記體71a、 71b的鉻膜71 (圖17B)。 然后，通過在光刻在鉻膜71上形成指定形狀的抗蝕劑圖形，并蝕刻鉻 膜71形成標記體71a和71b (圖17C)。通過等離子體CVD在其上形成以后作為核63的核層63'。此后， 在指定條件下再次進行熱處理(圖17D)。在該熱處理中，需要將溫度設(shè)置為用于形成標記體71a和71b的鉻可以承受的溫度值或更低的 值。下文所施加的熱處理存在相同的限制設(shè)置。
隨后，通過以標記體71a、 71b為參考點，通過光刻在核層63'上 形成指定形狀的抗蝕劑圖形，并且蝕刻核層63'以形成核63 (圖17E)。 用于形成核63的掩模和標記體71a、 71b之間在此時產(chǎn)生的偏移變成 PD芯片80和核63之間的位置偏移，PD芯片80和核63隨后要通過 無源對準進行安裝。
隨后，在其上形成埋層64，并對其施加熱處理以熔化埋層64，從 而將核63埋置其中，并整平表面(圖17F)。最后，在其上形成上覆 蓋層65，并對其施加熱處理以完成PLC60的基本結(jié)構(gòu)(圖17G)。此 外，在需要時可以添加或插入用于形成電極和鏡面的步驟。
但是，通過金屬膜形成的常規(guī)標記體存在以下問題。
(a) 通常，在PLC制造步驟中，極高溫(例如，IOO(TC)的熱 處理需要分離OH基團和NH基團，其會影響到光損失，并且該熱處理 還需要掩藏波導。但是，作為典型光屏蔽材料的金屬(例如，鉻)在 某溫度或更高溫度下會被氧化并變形，或者其位置會由于構(gòu)成波導的 二氧化硅膜的回流而偏移。因此，熱處理的溫度不能增加到足以使其 完全透明以作為波導的范圍，以致于不可避免地犧牲了波導的基本性 能，例如，傳播損失。這個問題可以通過以下方法避免在形成上覆 蓋層后，并且完成施加的熱處理之后，通過以核作為參考來形成標記 體的圖形。但是，在這種情況下，核的高度位置和標記體的高度位置 會變得很不同。因此，當相對于核來對準標記體圖形掩模時，核會變 得散焦。結(jié)果導致不能相對于核的位置以高精度形成標記體。
(b) 由于使用標記體作為參考來形成核，因此在標記體和核之間 產(chǎn)生定位誤差。由于由熱處理引起的晶片彎曲，或者由于掩模對準精度等，所產(chǎn)生的這種偏移的范圍必定不小。因此，即使通過無源對準 使標記體彼此間以高精度對準了，也會在光軸之間產(chǎn)生偏移。
(C)由于需要有金屬膜形成步驟、光刻步驟、蝕刻步驟等，使得 制造步驟變得復雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的典型目的在于提供一種可以承受熱處理溫度的標記體。
為了實現(xiàn)前述典型目的，根據(jù)本發(fā)明一方面的標記體包括一通過 光輻射識別其存在的標記，其中該標記形成在透明層內(nèi)部，且該標記 通過衍射所輻射的光在周圍和其自身之間產(chǎn)生對比差。
而且，根據(jù)本發(fā)明另一方面的標記體制造方法是一種用于制造標 記體的方法，該標記體的存在通過光輻射來識別，其中在透明層內(nèi)部 形成有標記，該標記用于通過衍射所輻射的光在周圍和其自身之間產(chǎn) 生對比差。
作為本發(fā)明的典型優(yōu)點，通過在透明層內(nèi)形成標記，并且該標記 通過衍射所輻射的光在周圍和其自身之間產(chǎn)生對比差(例如，通過形 成空穴并使用其作為掩模)，使得與使用金屬構(gòu)成的標記體相比可以 顯著提高熱抵抗力，并且可達到與由金屬構(gòu)成的標記體相同程度的對 比度。
附圖簡要描述
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例的標記體基本結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖2是示出圖1所示標記體的變形例的平面圖； 圖3是沿圖5的線I-I的縱向截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一典 型實施例的光波導器件；
圖4是沿圖5的線II-II的縱向截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的光波導器件；圖5是根據(jù)本發(fā)明第一典型實施例的光波導器件的平面圖；圖6A-6C示出了圖1所示的標記體及其圖形的平面圖，其中圖6A示出了PD芯片的標記體，圖6B示出了PLC的標記體，圖6C示出了通過將兩個標記體相互重疊獲得的圖形；圖7A和7B示出了圖3所示的標記體，其中圖7A是平面圖，圖7B是沿圖7A的線I-I的縱向截面圖；圖8A-8E示出了圖1所示PLC的制造方法的截面圖，其中圖8A-8E示出了工序執(zhí)行的步驟順序；圖9是示出圖8A-8E的步驟中所用的掩模示例的平面圖；圖IO是沿圖12的線I-I的縱向截面圖，示出了相關(guān)光波導器件的示例；圖ll是沿圖12的線n-II的縱向截面圖，示出了相關(guān)光波導器件 的示例；圖12是示出相關(guān)光波導器件示例的平面圖；圖13A和13B示出了作為圖IO所示光波導器件的一部分的PD芯 片，其中圖13A是平面圖，圖13B是底視圖；圖14是用于描述在圖IO所示光波導器件中無源對準安裝的示意圖；圖15A-15C示出了圖14的無源對準安裝中所用的標記體及其圖 形，其中圖15A示出了 PD芯片的標記體，圖15B示出了PLC的標記 體，圖15C示出了通過將兩個標記體相互重疊獲得的圖形；圖16A和16B示出了 PLC側(cè)面上的相關(guān)標記體，其中圖16A是 平面圖，圖16B是沿圖16A中的線I-I的縱向截面圖；圖17A-17G是示出包括圖16A和16B所示標記體的PLC的制造 方法的截面圖，其中圖17A-17G示出了工序執(zhí)行的步驟順序。
具體實施方式
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明典型實施例的標記體是通過光輻射識別 其存在的標記體，作為基本結(jié)構(gòu)，其包括形成在透明層1內(nèi)的標記2。標記2通過衍射輻射光3在其周圍和其自身之間產(chǎn)生對比差。
如圖1所示，當光3輻射到層1內(nèi)的標記2時，標記2如箭頭所 示方向衍射光3，從而在周圍4和其自身之間產(chǎn)生對比差。由此，通過 光學監(jiān)控標記2衍射光3的狀態(tài)就可以從相對于周圍的對比差中將標 記2識別出來。
圖1中示出了一個標記2的情況，但其數(shù)量不限于此。如圖1所 示，標記2可以單獨形成單一結(jié)構(gòu)，以使標記2自身相對于周圍4產(chǎn) 生對比差。由此，其可被配置成用于表示特定位置的標記體。而且， 如圖2所示，多個標記2可以組合起來以形成能根據(jù)各個標記之間的 位置關(guān)系來確定特定位置的結(jié)構(gòu)。在圖2的情況下，配置有多個標記2 的標記體在一環(huán)形部分的內(nèi)部和外部區(qū)域相對于周圍4產(chǎn)生對比差， 并且其被用作標記體，以便利用對比差來識別環(huán)的中心位置。雖然標 記體的多個標記2在圖2中是以環(huán)形排列，但不僅僅限于此。多個標 記2的排列方式可以根據(jù)使用標記體的目的而任意改變。
對于制造根據(jù)本發(fā)明典型實施例的標記體來說，通過衍射所輻射 的光來相對于周圍產(chǎn)生對比差的標記2形成在透明層1內(nèi)部。更具體 地，在形成平面光波電路(PLC)的光波導的工藝中，例如，在將要形 成光波導的層上有源地(actively)形成空穴，以便使用空穴作為標記2。
本發(fā)明的典型實施例，通過在透明層內(nèi)部形成標記，該標記通過 衍射所輻射的光而在周圍和其自身之間產(chǎn)生對比差(例如，通過形成 空穴并用其作為掩模)，從而使得與使用金屬構(gòu)成的標記體相比，可 以顯著提高熱抵抗力，并且達到與金屬構(gòu)成的標記體相同程度的對比 度。
接下來，將詳細描述根據(jù)本發(fā)明典型實施例的標記體。
10(第一典型實施例) 作為第一典型實施例，通過選擇用于形成平面光波電路(PLC)的光波導的層，如圖3中所示的層1，并通過在該層上形成標記2來獲得標記體。如圖3-圖5所示，通過無源對準將PD芯片80混合安裝在平面光 波電路(下文稱作PLC)上來構(gòu)造光波導器件IO.如圖3所示，PLC20包括在硅襯底61上的下覆蓋層62、核63、 埋層64、上覆蓋層65、鏡面平化層66、電極67a、 67b、 67c、鏡面68、 凹槽69、傾斜面70、標記體lla-lld、圓柱部分12a、 12b,等等。也 就是說，下覆蓋層62層疊在硅襯底61上，核63和圓柱部分12a等設(shè) 置在下覆蓋層62的一部分上，埋層64層疊其上。由此，在圓柱部分 12a等內(nèi)部形成帶有空穴的標記體lla-lld，并且上覆蓋層65層疊在埋 層64上。電極67a、 67b、 67c和鏡面68由金制成。如圖l所示的具有透明度的層l,其形成在圖3中形成有PLC 20 的光波導的層的內(nèi)部(具體地，與核63的層相同，核63具有如圖1 所示形成在覆蓋層62上的作為標記2的空穴lla、 lib)。與核63相 同的層由與核63相同的材料形成。與核63相同的層包括在埋層64之 內(nèi)，以致于在圖2中僅示出了埋層64。在制造方法的闡釋中將會更具 體地描述與核63相同的層。雖然用作標記2的空穴lla和lib形成在 與核63相同的層上，但不僅限于此種情況。例如，空穴可以形成在下 覆蓋層62、上覆蓋層65或埋層64等的一部分上。而且，硅襯底61用 作襯底，且PD芯片80用作光學元件。PD芯片80包括由化合物半導體等構(gòu)成的芯片主體81、由芯片主 體81的底面形成的光接受面82、電極83a、 83b、標記體84a-84d和形 成在芯片主體81頂面上的電極85。 PD芯片80的電極83a通過凸塊 51a、 51b連接在PLC20的電極67b上，PD芯片80的電極83b通過凸塊51c、 51d連接在PLC20的電極67c上。PD芯片80的電極85通過 引線52連接在PLC20的電極67a上。引線52由金制成。凸塊51a等 由焊料或金制成。但是，為了避免復雜化在圖5中省略了 PD芯片80 的電極85。電極83a、 83b和標記體84a-84d與圖13A和13B中所示的 相同。
圖6A-6C示出了圖l所示的標記體及其圖形的平面圖，其中圖6A 示出了PD芯片的標記體，圖6B示出了 PLC的標記體，圖6C示出了 將兩個標記體相互重疊所獲得的圖形。下文參考圖l-4進行闡釋。
如圖3-5所示，光波導器件10用于通過鏡面68反射來自核63的 出射光L，作為向上的光波導，以便將其引導到安裝在PLC20表面上 的PD芯片80的光接收面82。如果PD芯片80不是相對于PLC 20的 核63和鏡面68以高精度安裝的，則會在光接收面S2上發(fā)生光蝕，由 此降低光接收效率。這種趨勢隨著PD芯片80的光接收面82的直徑變 小而變得顯著。因此將使用于安裝中的標記體lla-lld和84a-84d分別 提供到PLC芯片20和PD芯片80。然后，如圖14所示的方法，通過 使其中心相互匹配的方式來對準標記體lla等和84a等，從而將PD芯 片80安裝到PLC20上。由此，可以高精度地保持PLC20和PD芯片 80之間的位置關(guān)系，以便可以獲得穩(wěn)定的光接收效率。
標記體84a等通過金屬膜形成，由此屏蔽紅外光。標記體lla等 通過空穴形成，由此衍射紅外光(包括衍射、反射等)。由此，可以 識別出標記體lla等和84a等。例如，當標記體84a-84d以圖6A所示 的形狀形成在PD芯片80側(cè)面上，標記體lla-lld以圖6B所示的形狀 形成在PLC 20側(cè)面上時，在識別屏上會觀察到如圖6C所示形狀的圖 形。通過用使其中心相互匹配的方式來對準標記體11a等和標記體84a 等，可以實現(xiàn)高度精確的安裝。在圖6B中，圓柱部分12a-12d分別在 標記體lla-lld的周圍。圖7A和7B示出了第一典型實施例的標記體，其中圖7A是平面 圖，圖7B是沿圖7A的線I-I的縱向截面圖。下文將參考這些圖進行闡 釋。相同數(shù)字標記表示與圖1相同的部件，且省略其解釋。圖7A和7B是示出圖3所示的PLC 20—部分的片段圖。下覆蓋 層62、標記體lla、圓柱部分12a、埋層64和上覆蓋層65層疊在硅襯 底61上。標記體lla由空穴形成，該空穴形成在由二氧化硅膜構(gòu)成的 埋層64中?？昭▋H僅是凹陷或縫隙，以便可以施加與空穴外圍材料的 極限一樣高的熱量。因此，與由金屬等構(gòu)成的標記體相比可以顯著提 高熱抵抗力。此外，空穴內(nèi)的折射系數(shù)約為l，以便于在空穴外圍材料 的衍射系數(shù)和空穴內(nèi)的衍射系數(shù)之間可以具有足夠大的差別。這使得 可以實現(xiàn)高對比度的標記體。此外，當在與用于形成核的掩模相同的 掩模內(nèi)以一圖形形成標記體lla時，可以以非常高的精度保持其相對于核的相對位置。而且，由于不需形成金屬膜以及進行蝕刻，因此與由 金屬構(gòu)成的標記相比可以簡化制造步驟。由于PLC20包括標記體lla，因此可以將熱處理的溫度提高至需 要的溫度，而無需考慮標記體lla的熱抵抗力。因此，可以實現(xiàn)傳播損 失較少的波導。圖8A-8E示出了包括圖7A和7B所示標記體的PLC的制造方法， 且步驟從圖8A到8E順序執(zhí)行。下文將參考這些圖進行闡釋。首先，通過等離子體CVD在硅襯底61上形成由二氧化硅膜構(gòu)成 的下覆蓋層62。此后，在指定條件下進行熱處理(圖8A)。隨后，通 過等離子體CVD在下覆蓋層62上形成核層63a。此后，在指定條件下 再次進行熱處理(圖8B)。在該熱處理中，與常規(guī)情況不同，不需考 慮標記體的熱抵抗力。下文中進行的熱處理也是一樣。隨后，通過光刻在核層63a上形成指定形狀的抗蝕劑圖形，并蝕刻核層63a以形成核63和圓柱部分12a、 12b (圖8C)。此時，通過 相同的光刻掩模內(nèi)的圖形同時形成核63和圓柱部分12a、 12b。因此， 通過進行一次光刻可以同時形成核63和由空穴形成的標記體lla、llb， 以使空穴，即標記體lla、 11b可以相對于核63非常精確地定位。上述 與核63相同的層相當于核層63a，其中形成了作為標記體lla、 llb的 空穴。圖9示出了其中使用的掩模示例。圖9是從實際使用的掩模中得 到的單個PLC的片段圖。在圖9中，在相同的掩模30上提供用于形成 核的圖形63b和用于形成圓柱部分的圖形12e-12h。對應于掩模30的 光致抗蝕劑膜是正型的，以使得可以通過顯影劑去除穿過掩模30的紫 外光所輻射出來的部分。隨后，在其上形成埋層64，并施加熱處理以熔化埋層64。由此， 將核63埋置其中并提高表面的平整度，同時在圓柱部分12a、 12b內(nèi)形 成由空穴形成的標記體lla、 lib (圖8D)。埋層64是具有低熔點的 氧化硅膜(例如，BPSG膜)。當圓柱部分12a和12b被埋層64覆蓋 時，氣體被俘獲到其界面上以形成空穴。也就是說，圓柱部分12a和 12b的形狀圍繞著下覆蓋層上的空間，以便使氣體被俘獲到這些空間之 中。氣體可以是形成埋層64時的環(huán)境氣體。而且，在圖8C所示的步驟中，通過適當設(shè)置圓柱部分12a、 12b 的寬度(內(nèi)直徑)W和深度D、埋層64的軟化溫度、熱處理溫度(回 流溫度)等，可以確保在圓柱部分12a和12b內(nèi)形成空穴。通過摻雜劑 濃度(在BPSG膜的情況下是B或P的濃度)可以調(diào)整埋層64的軟化 溫度?？昭ǜ锌赡茉谝韵旅恳环N條件下產(chǎn)生，即，寬度W變窄，熱 處理溫度變低，埋層64的軟化溫度變高，或?qū)β駥?4的熱處理溫度 變低。對埋層64的軟化溫度和熱處理溫度提出的限制取決于其他性能， 例如，需要根據(jù)設(shè)計設(shè)置衍射系數(shù)。因此，由于寬度W和深度D的值 根據(jù)這些工藝條件而會改變很大，因此在實際中是根據(jù)經(jīng)驗確定寬度W和深度D的適當值?？昭ǖ慕孛嫘螤钣捎诼駥?4的熱處理而在橢圓 至圓形之間改變。隨后，在其上形成上覆蓋層65,并施加熱處理以完成PLC 20的 基本結(jié)構(gòu)(圖8E)。下文將參考圖3-圖5描述步驟。首先，如圖4和5所示，通過切 割圖8E所示的PLC20的基本結(jié)構(gòu)來形成凹槽69。然后，通過進行斜 切割來形成傾斜面70。此后，在其上形成鏡面平化層66，并施加熱處 理以便整平將要作為鏡面的部分。鏡面平化膜66是回流膜(refolw film)，即，容易熔化的氧化硅膜，且其基本上是與埋層64相同的材 料。最后，成形電極67a、 67b、 67c和鏡面68以完成步驟。通過將以 上述方法進行位置調(diào)整的PD芯片80安裝在PLC 20上，可以獲得光波 導器件IO。兩者可以通過焊料凸塊焊接起來，或通過金凸塊熱壓結(jié)合。 而且，光波導器件IO包括PLC 20和安裝其上的PD芯片80，以便使 標記體lla不會被氧化或發(fā)生位置偏移，這與由金屬構(gòu)成的標記體不 同。由此，可以以高精度將PD芯片80安裝在PLC20上。因此，可以 獲得高性能、高質(zhì)量且高精度的光波導器件10。接下來，將參考圖3-5描述第一典型實施例的特征。在第一典型 實施例中，核63和圓柱部分12a等由一單個掩模形成，該掩模包括核 63的圖形以及圓柱部分12a等的圖形。在此步驟中，通過用與核63相 同的材料形成圓柱部分12a等，以便在熱處理溫度方面完全沒有限制。 而且，用于形成圓柱部分12a等的圖形具有足夠小的封閉區(qū)域，以致于 該部分不會被施加到埋層64的熱處理而填充，并能保持凹陷。換言之， 在圓柱部分12a等內(nèi)，確?？p隙足夠小并不會被埋層64填充是很重要 的。通常，此縫隙稱為空穴，并且通過分割埋層64或改變熱處理溫度 以便在一般情況下盡可能多地避免空穴的產(chǎn)生。但是，使空穴用作標 記體11a等是第一典型實施例的特點。由空穴形成的標記體lla等不會 屏蔽光。但是，這些標記體lla會衍射光，以便可以使其他部分和標記體之間的對比度明顯。結(jié)果，可以通過照相機識別其輪廓。這里要注意，本發(fā)明的典型實施例不限于以上描述。光學元件不 限于PD，例如還可以是表面發(fā)射激光器等。在這種情況下，光的方向 變得完全相反。用于產(chǎn)生空穴的縫隙固定在以上圓柱部分之內(nèi)。但是， 不限于此。除圓柱部分之外，它還可以是典型標記體的幾何形狀。而 且，雖然用于產(chǎn)生空穴的縫隙被描述成是由圓柱部分形成的圓柱形狀， 但其形狀不限于此。該縫隙可以是例如平行形狀、圓形或橢圓形的幾 何形狀。除填充氣體之外，空穴內(nèi)部可以是真空。為了使空穴內(nèi)部成為真 空，例如，需要通過真空退火進行埋層的回流。在這種情況下，所使 用的技術(shù)是在進行退火之前不形成空穴，并且沉積埋層以便使其形狀成為罩形(hood shape)。通過使用該技術(shù)軟化埋層來形成空穴，可以 得到內(nèi)部為真空的空穴。以上各典型實施例己經(jīng)描述了用于對準的標記體的情況。但是根 據(jù)本發(fā)明典型實施例的標記體可以用作為根據(jù)本發(fā)明典型實施例的信 息記錄的標記體。用于信息記錄的標記體的結(jié)構(gòu)、制造方法、功能、 效果等與上述用于對準的標記體相同。例如，通過使用與上述制造對準標記體相同的方法，可以同時形成核、對準標記體和表示產(chǎn)品序號 的信息記錄標記體。在這種情況下，類似于光盤的凹陷，可以形成單 個空穴以表示1比特信息。例如，圖7A和7B的標記體示出了 1比特 信息?？蛇x地，空穴可以以各種形式形成，例如數(shù)字、字符和表示各 類信息的符號。通過根據(jù)本發(fā)明典型實施例的信息記錄標記體，所獲 得的信息記錄媒質(zhì)具有非常好的，廣泛應用的光盤等所不能達到的熱 抵抗力。這里要注意，根據(jù)本發(fā)明典型實施例的標記體不但可以用于 對準和信息記錄，而且可以用于多種應用。雖然己經(jīng)參考典型實施例揭示并描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的本 發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細節(jié)上進行各種改變。工業(yè)應用本發(fā)明的標記體可以用于利用PLC技術(shù)的各種器件，例如散射補償器件、可變波長光源、用于DPSK的1字節(jié)延遲器件，等等。
權(quán)利要求
1.一種標記體，包括標記，通過光輻射識別該標記的存在，其中該標記形成在透明層內(nèi)部，且該標記通過衍射所輻射的光而在周圍和其自身之間產(chǎn)生對比差。
2. 如權(quán)利要求1的標記體，其中該標記是形成在該層內(nèi)部的空穴。
3. 如權(quán)利要求l的標記體，其中該層是形成有平面光波電路的光 波導的層。
4. 如權(quán)利要求3的標記體，其中 該光波導與下覆蓋層、核和上覆蓋層一起形成；且 在形成光波導的核的步驟中，將光波導的核與該標記體共同對準之后形成該標記體。
5. 如權(quán)利要求4的標記體，其中 該標記是形成在該透明層內(nèi)的空穴；且在與核共同對準之后，該空穴存在于透明層下面的層中的凹部內(nèi)。
6. 如權(quán)利要求l的標記體，其中根據(jù)由該標記產(chǎn)生的在周圍和該 標記自身之間的對比差來識別要指定的位置。
7. 如權(quán)利要求l的標記體，其中組合多個該標記，并通過各個標 記之間的位置關(guān)系確定要指定的位置。
8. —種用于制造標記體的標記體制造方法，通過光輻射來識別該 標記體的存在，其中在透明層內(nèi)部形成標記，該標記通過衍射所輻射 的光在周圍和其自身之間產(chǎn)生對比差。
9. 如權(quán)利要求8的標記體制造方法，包括在該層內(nèi)部形成空穴作為該標記。
10. 如權(quán)利要求8的標記體制造方法，包括通過依次層疊下覆蓋層、核和上覆蓋層以形成光波導；以及 在將該標記與核共同對準之后形成核。
11. 如權(quán)利要求10的標記體制造方法，包括在與該核共同對準之后，在透明層下面的層中形成凹部，然后形成透明層，在該透明層內(nèi)部將形成該標記；以及當形成透明層時，在位于該凹部內(nèi)部的位置處形成空穴作為該標記。
全文摘要
一種可以承受PLC所需的熱處理溫度的標記體。在硅襯底上層疊下覆蓋層、標記體、圓柱部分、埋層和上覆蓋層。標記體通過形成在氧化硅膜構(gòu)成的埋層中的空穴來形成。因此，與由金屬等構(gòu)成的標記體相比，可以顯著提高熱抵抗力。此外，空穴內(nèi)的折射系數(shù)約為1，因此可以在空穴周圍材料的衍射系數(shù)和空穴內(nèi)的衍射系數(shù)之間具有足夠的差別。這可以實現(xiàn)高對比度的標記體。
文檔編號G02B6/122GK101329425SQ200810083080
公開日2008年12月24日 申請日期2008年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月23日
發(fā)明者渡邊真也 申請人:日本電氣株式會社