專利名稱：陣列基板及其形成方法和具有陣列基板的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板。更具體地，本 發(fā)明涉及能夠減少形成在周邊部分的光阻擋區(qū)域的陣列基板，以及具有該陣 列基板的顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)裝置具有各種有利的特性，比如薄的厚度、輕的重 量、低的功耗等。因此，LCD裝置已經(jīng)被廣泛用于監(jiān)視器、筆記本電腦、蜂 窩式電話等。LCD裝置包括通過使用液晶的光學(xué)透射性顯示圖像的LCD面 板，和設(shè)置在LCD面板下以提供光到LCD面板的背光組件。LCD面板包括具有多個(gè)像素部分的陣列基板，面對(duì)該陣列基板并具有公 共電極的面對(duì)基板，夾置在陣列基板和面對(duì)基板之間的液晶層，以及夾置在 陣列基板和面對(duì)基板之間以密封陣列基板和面對(duì)基板之間的液晶層的密封 線。陣列基板具有其中形成有像素電極的顯示區(qū)，圍繞顯示區(qū)的邊界區(qū)和圍 繞邊界區(qū)的光阻擋區(qū)。邊界電極形成在邊界區(qū)中以顯示黑和/或白圖像，并且 柵極驅(qū)動(dòng)部形成在光阻擋區(qū)以控制像素電極和像素部分。封線以對(duì)應(yīng)于陣列基板的光阻擋區(qū)。因?yàn)闁艠O驅(qū)動(dòng)部和密封線形成在陣列基板的光阻擋區(qū)中，增加了光阻擋 區(qū)的寬度和外部光阻擋層的寬度，從而也增加了 LCD面板的整體尺寸。發(fā)明內(nèi)容示例性實(shí)施例提供了 一種陣列基板，能夠通過調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)部的位置來 減小光阻擋區(qū)。示例性實(shí)施例提供了具有上述陣列基板的顯示面板。 在示例性實(shí)施例中，陣列基板包括底基板、多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素部分和柵極驅(qū)動(dòng)部。底基板包括顯示區(qū)、圍繞該顯示區(qū)的邊界區(qū)、和圍繞該邊界區(qū)的光阻擋 區(qū)。柵極線以第一方向延伸并設(shè)置在底基板上。數(shù)據(jù)線以與第一方向交叉的 第二方向延伸并設(shè)置在底基板上。像素部分設(shè)置在顯示區(qū)中并電連接至柵極線和數(shù)據(jù)線。柵極驅(qū)動(dòng)部電連接至柵極線。部分的柵極驅(qū)動(dòng)部與邊界區(qū)重疊。 在示例性實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)部可以設(shè)置在邊界區(qū)和光阻擋區(qū)中。陣列 基板還可以包括邊界電極，設(shè)置在柵極驅(qū)動(dòng)部上方并與之重疊，對(duì)應(yīng)于邊界 區(qū)。在示例性實(shí)施例中，像素部分可以包括多個(gè)薄膜晶體管(TFT)和多個(gè) 像素電極，該多個(gè)薄膜晶體管電連接至柵極線和數(shù)據(jù)線，該多個(gè)像素電極設(shè) 置在顯示區(qū)中定義的像素單元區(qū)中并電連接至所述薄膜晶體管。在示例性實(shí)施例中，陣列基板還可以包括覆蓋柵極線、數(shù)據(jù)線、TFT和 柵極驅(qū)動(dòng)部的保護(hù)層。像素電極和邊界電極可以設(shè)置在保護(hù)層上。在示例性實(shí)施例中，陣列基板還可以包括覆蓋有保護(hù)層的公共電壓線， 通過延伸穿過保護(hù)層的邊界接觸孔電連接至邊界電極。在示例性實(shí)施例中，邊界區(qū)可以包括設(shè)置在顯示區(qū)左側(cè)的左邊界區(qū)、設(shè) 置在顯示區(qū)右側(cè)的右邊界區(qū)、設(shè)置在顯示區(qū)上側(cè)的上邊界區(qū)和設(shè)置在顯示區(qū) 下側(cè)的下邊界區(qū)。在示例性實(shí)施例中，邊界接觸孔可以設(shè)置在上邊界區(qū)和下邊界區(qū)中的一 個(gè)中。作為替換，邊界接觸孔可以設(shè)置在左邊界區(qū)和右邊界區(qū)中的一個(gè)中， 并與柵極驅(qū)動(dòng)部分開。在示例性實(shí)施例中，邊界電極可以具有在整個(gè)邊界區(qū)域上的整體形式。在示例性實(shí)施例中，顯示面板包括陣列基板、面對(duì)該陣列基板的面對(duì)基 板、和夾置在陣列基板和面對(duì)基板之間的液晶層。陣列基板包括底基板、多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素部分和柵極 驅(qū)動(dòng)部。底基板包括顯示區(qū)、圍繞顯示區(qū)的邊界區(qū)、和圍繞邊界區(qū)的光阻擋 區(qū)。柵極線以第一方向延伸并設(shè)置在底基板上。數(shù)據(jù)線以與第一方向交叉的 第二方向延伸并設(shè)置在底基板上。像素部分設(shè)置在顯示區(qū)中并電連接至柵極 線和數(shù)據(jù)線。柵極驅(qū)動(dòng)部電連接至柵極線。部分的柵極驅(qū)動(dòng)部與邊界區(qū)重疊。在示例性實(shí)施例中，陣列基板的像素部分可以包括電連接至柵極線和數(shù) 據(jù)線的多個(gè)薄膜晶體管。陣列基板還可以包括覆蓋柵極線、數(shù)據(jù)線、TFT和柵極驅(qū)動(dòng)部的保護(hù)層、和設(shè)置在保護(hù)層上的邊界電極，該邊界電極與柵極驅(qū) 動(dòng)部重疊且對(duì)應(yīng)于邊界區(qū)。在示例性實(shí)施例中，面對(duì)基板可以包括對(duì)應(yīng)于陣列基板的光阻擋區(qū)設(shè)置 的外部光阻擋層，且可選地包括配置為覆蓋邊界區(qū)的部分的邊界光阻擋層。在示例性實(shí)施例中，邊界電極可以具有在整個(gè)邊界區(qū)上的整體的形式。 邊界電極可以包括透射電極和/或反射電極。在示例性實(shí)施例中，陣列基板的柵極驅(qū)動(dòng)部設(shè)置在邊界電極和底基板之 間以與邊界區(qū)重疊，從而減少光阻擋區(qū)的寬度。


本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過參照附圖對(duì)其示例性實(shí)施例詳細(xì)的描述變得更加清晰，在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的示例性實(shí)施例的透視圖；圖2是示出圖1所示的顯示面板的陣列基板的示例性實(shí)施例的平面圖；圖3是圖2中的部分"A"的放大的平面圖；圖4是沿圖3中的線I-I，剖取的截面圖；圖5是圖2中的部分"B"的放大的平面圖；圖6是沿圖5中的線n-ir剖取的截面圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的另一個(gè)示例性實(shí)施例的 平面圖；圖8是沿圖7中的線m-nr剖取的截面圖;圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另 一個(gè)示例性實(shí)施例的部分的平面圖；圖IO是沿圖9中的線IV-IV，剖取的截面圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的另一個(gè)示例性實(shí)施例 的部分的截面圖；以及圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的另一個(gè)示例性實(shí)施例 的部分的截面圖。
具體實(shí)施方式
下文將參照附圖更加充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)視為限制于這里闡述 的實(shí)施例。更確切地，提供這些實(shí)施例使得本公開徹底和完整，并將充分地 將本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為清晰起見可以夸大 層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一個(gè)元件或一層在另一元件或?qū)?上"、"連接到"或"耦 接到"另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在、連接到或耦接到另一元件或?qū)由希?或者還可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)稱一個(gè)元件"直接在"、"直接連 接到"或"直接耦接到"另一元件或?qū)由蠒r(shí)，不存在居間元件或?qū)?。整個(gè)說 明書中相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如此處所用的，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括 一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任何及所有組合。應(yīng)當(dāng)理解，雖然這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、組 件、區(qū)域、層和/或部分，^L這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限 于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū) 域、層或部分區(qū)別開。因此，在不背離本發(fā)明教示的前提下，以下討論的第 一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為便于描述，此處可以使用諸如"在…下方"、"下部"、"在…上方"、 "上部"等等空間上相對(duì)性的術(shù)語(yǔ)以描述如圖所示的一個(gè)元件或特征相對(duì)于另一個(gè)(些)元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間上相對(duì)性的術(shù)語(yǔ)意圖是涵 蓋附圖所示取向之外的使用或操作中的器件的不同取向。例如，如果將附圖 中的器件翻轉(zhuǎn)過來，被描述為"在"其他元件或特征"下"或"下部"的元 件將會(huì)在其他元件或特鉦"上"。這樣，示例性術(shù)語(yǔ)"在...下"就能夠涵蓋之 上和之下兩種取向。器件可以采取其他取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他取向)，此 處所用的空間上相對(duì)性的描述用語(yǔ)做相應(yīng)的解釋。這里所用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述特定實(shí)施例，并非要限制本發(fā)明。如此 處所用的，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式"一"、和"該"均同 時(shí)旨在包括復(fù)數(shù)形式。需要進(jìn)一步理解的是，術(shù)語(yǔ)"包括"和/或"包含"在 本說明書中使用時(shí)，指定了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的 存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和 /或其組合的存在或增加。這里參照截面圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，這些圖為本發(fā)明理想化實(shí)施例 (和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，舉例來說，由制造技術(shù)和/或容許偏差引起與附圖形狀的不同是可能發(fā)生的。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于 此處示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造引起的形狀偏差在內(nèi)。例 如，圖示為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⒌湫偷鼐哂袌A的或彎的特征，和/或在其邊緣的 注入濃度梯度而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地，由注入 形成的掩埋區(qū)域可以導(dǎo)致在掩埋區(qū)域和注入所穿過的表面之間的區(qū)域中的 一些注入。因此，附圖所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并非要展 示器件區(qū)域的精確形狀，也并非要限制本發(fā)明的范圍。除非另行定義，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))都具 有本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的同樣的含義。進(jìn)一步應(yīng)當(dāng) 理解的是，諸如通用詞典中所定義的術(shù)語(yǔ)，除非此處加以明確定義，否則應(yīng) 當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的語(yǔ)境中的含義相一致的含義，而不應(yīng)以 理想化或過度形式化的意義來解釋。這里描述的所有方法可以以合適的順序進(jìn)行，除非這里另外地指示或由 上下文另外地清楚地否定。任何和所有實(shí)例或示例性語(yǔ)言(例如"比如") 的使用，僅意在更好地說明本發(fā)明且并不對(duì)本發(fā)明的范圍加以限制，除非另 行要求。在說明書中的語(yǔ)言不應(yīng)該解釋為將任何沒有包括在權(quán)利要求中的元 件指示為如在這里使用的那樣對(duì)于本發(fā)明的實(shí)行是必要的。此后，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。視圖。參照?qǐng)D1，顯示面板包括陣列基板100、面對(duì)基板.200和液晶層300。 陣列基板100包括可以以基本矩陣形狀布置的像素部分以顯示單位圖像。面對(duì)基板200面對(duì)陣列基板100，且包括形成在基本上面對(duì)基板200的 整個(gè)表面上的公共電極。液晶層300夾置在陣列基板100和面對(duì)基板200之間。陣列基板100和 面對(duì)基板200之間產(chǎn)生的電場(chǎng)重新排列液晶層300的液晶分子以改變光透射率。圖2是示出圖1所示的顯示面板的陣列基板的示例性實(shí)施例的平面圖。 參照?qǐng)D2，陣列基板100包括像素部分(未示出)、柵極線(未示出)、 數(shù)據(jù)線(未示出)和柵極驅(qū)動(dòng)部。9柵極線以第一方向延伸。數(shù)據(jù)線以與第一方向交叉的第二方向延伸。第 二方向可以基本上垂直于第一方向。像素部分電連接至柵極線和數(shù)據(jù)線。柵極驅(qū)動(dòng)部電連接至柵極線。陣列基板100具有顯示區(qū)域ARl,邊界區(qū)域AR2和光阻擋區(qū)域AR3。 顯示區(qū)域AR1從平面圖看例如具有基本上矩形的形狀，但不限于此。邊界 區(qū)域AR2從平面圖看具有圍繞顯示區(qū)域AR1的形狀，比如設(shè)置在顯示區(qū)域 AR1的所有側(cè)上。光阻擋區(qū)域AR3從平面圖看具有基本圍繞邊界區(qū)域AR2 的形狀，比如設(shè)置在邊界區(qū)域AR2的所有側(cè)上。邊界區(qū)域AR2包括形成在顯示區(qū)域AR1左側(cè)的左邊界區(qū)域，形成在顯 示區(qū)域AR1右側(cè)的右邊界區(qū)域，形成在顯示區(qū)域AR1的上側(cè)的上邊界區(qū)域， 以及形成在顯示區(qū)域AR1下側(cè)的下邊界區(qū)域。這里參照平面圖使用左、右、 上和下，比如圖2所示。像素部分可以形成在顯示區(qū)域AR1中以具有基本上矩陣的形狀。柵極 驅(qū)動(dòng)部與邊界區(qū)域AR2重疊。例如，柵極驅(qū)動(dòng)部(例如，GD1、 GD2)可以 形成在圖2所示的邊界區(qū)域AR2和光阻擋區(qū)域AR3中。作為替換，柵極驅(qū) 動(dòng)部可以僅形成在邊界區(qū)域AR2中。在示例性實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)部包括第一柵極驅(qū)動(dòng)電路GDI和第二柵 極驅(qū)動(dòng)電路GD2，第 一柵極驅(qū)動(dòng)電路GDI形成在柵極線的第 一側(cè)(例如， 圖2的平面圖的左側(cè))并電連接至柵極線的第一端部，第二柵極驅(qū)動(dòng)電路 GD2形成在柵極線的第二側(cè)(例如，圖2的平面圖的右側(cè))并電連接至柵極 線的第二端部。例如，第一柵極驅(qū)動(dòng)電路GD1與邊界區(qū)域AR2的左邊界區(qū)域重疊，而 第二柵極驅(qū)動(dòng)電路GD2與邊界區(qū)域AR2的右邊界區(qū)域重疊。第二柵極驅(qū)動(dòng)電路GD2基本上與第一柵極驅(qū)動(dòng)電路GD1相同。因此， 僅詳細(xì)描述第一柵極驅(qū)動(dòng)電路GD1，而將省略對(duì)于第二4冊(cè)極驅(qū)動(dòng)電路GD2 的任何進(jìn)一步描述。圖3是圖2中的部分"A"的放大平面圖。圖4是沿圖3中的線I-I，剖取 的截面圖。參照?qǐng)D2、 3和4，陣列基板100包括第一底基板110、柵極線(未示出)、 柵極絕緣層(未示出)、數(shù)據(jù)線(未示出)、第一柵極驅(qū)動(dòng)電路GD1、保護(hù)層 120、像素部分、和邊界電極140。在示例性實(shí)施例中，第一底基板110可以具有基本上板的形狀，且例如 可以包括透明玻璃、石英或合成樹脂。柵極線形成在第一底基板110上。柵極絕緣層形成在第一底基板110上以覆蓋柵極線。數(shù)據(jù)線形成在柵極絕緣層上。第一柵極驅(qū)動(dòng)電路GDI形成在第一底基板110上或柵極絕緣層上以與 邊界區(qū)域AR2重疊。保護(hù)層120形成在柵極絕緣層上以覆蓋柵極線、數(shù)據(jù)線、和第一柵極驅(qū) 動(dòng)電路GD1。在示例性實(shí)施例中，保護(hù)層120可以對(duì)應(yīng)于且也^C稱為有^L絕 緣層。像素部分包括薄膜晶體管(TFT)(未示出)和像素電極130。 TFT電連 接至柵極線和數(shù)據(jù)線，并覆蓋有保護(hù)層120。像素電極130形成在保護(hù)層120 上。在示例性實(shí)施例中，像素電極130可以彼此分開，每個(gè)都位于像素單元 區(qū)域PU中。例如，在一個(gè)示例性實(shí)施例中，像素單元區(qū)域PU可以由柵極 線和數(shù)據(jù)線定義，但本發(fā)明不限于此。邊界電極140形成在對(duì)應(yīng)于邊界區(qū)域AR2的保護(hù)層120上。邊界電極 140可以包括透明和導(dǎo)電材料，在一示例性實(shí)施例中透明和導(dǎo)電材料可以與 像素電極130相同。如這里使用的，可以使用"對(duì)應(yīng)"以指示相對(duì)于另一個(gè) 特征的基本上在形狀、尺寸和/或位置上的對(duì)應(yīng)。邊界區(qū)域AR2可以具有多個(gè)邊界單元區(qū)域BU。每個(gè)邊界單元區(qū)域BU 可以具有與每個(gè)像素單元區(qū)域PU基本相同的尺寸。像素單元區(qū)域PU和邊 界單元區(qū)域BU例如可以具有基本上矩形的形狀，該矩形的形狀沿第 一方向 的邊比沿第二方向的邊更長(zhǎng)。邊界電極140可以具有在整個(gè)邊界區(qū)域AR2上的整體的形式。如在這 里使用的，可以使用"整體的，，來指示設(shè)置為單個(gè)單元或特征而不是一組分 開的元件或特征。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，邊界電極140可以具有整體的形 式且設(shè)置在所有邊界單元區(qū)域BU上。結(jié)果，部分的第一柵極驅(qū)動(dòng)電路GDI設(shè)置在邊界電極140下，使得第 一柵極驅(qū)動(dòng)電路GDI與邊界電極140重疊。因?yàn)闁艠O驅(qū)動(dòng)電路GDI設(shè)置在 邊界電極140和第一底基板110之間(例如，在圖4中的垂直方向)，并與 邊界區(qū)域AR2重疊，所以可以減小覆蓋部分的4冊(cè)極驅(qū)動(dòng)部的外部光阻擋層 的寬度(例如在第一方向或圖4中的水平方向)。有利地，可以減小顯示面板的光阻擋區(qū)域AR3。圖5是圖2中的部分"B"的放大平面圖。圖6是沿圖5中的線n-ir吾'j 取的截面圖。參照?qǐng)D2、 5和6，陣列基板100還可以包括公共電壓線SL。 公共電壓線SL可以形成在邊界區(qū)域AR2的上部邊界區(qū)域和下部邊界區(qū)域中的至少一個(gè)中。雖然在圖2、 5和6中沒有示出，公共電壓線SL可以形成在顯示區(qū)域AR1中以與像素電極130重疊。在示例性實(shí)施例中，乂>共電壓線SL可以由與柵極線相同的層形成，并從外部接收公共電壓。共電壓線SL。邊界接觸孔122形成在邊界區(qū)域AR2的上部邊界區(qū)域和下部 邊界區(qū)域中的至少一個(gè)中，對(duì)應(yīng)于公共電壓線SL。可以沿第一方向延伸形 成多個(gè)邊界接觸孔122，且以;晴向排列，如圖2、 5和6所示。作為替換，單 個(gè)邊界接觸孔122,比如可以考慮為整體的形式。參照?qǐng)D1、4和6，面對(duì)基板200包括第二底基板210、外部光阻擋層220、 濾色器230、平坦化層240、和公共電極250。第二底基板210可以具有基本上板的形狀。第二底基板210例如可以包 括透明玻璃、石英或合成樹脂。第二底基板210面對(duì)陣列基板100的第一底 基板110。外部光阻擋層220形成在第二底基板210上并對(duì)應(yīng)于陣列基板100的光 阻擋區(qū)域AR3 。外部光阻擋區(qū)域220可以對(duì)應(yīng)于基本上整個(gè)光阻擋區(qū)域AR3 或部分的光阻擋區(qū)域AR3而形成。濾色器230形成在第二底基板210上，對(duì)應(yīng)于陣列基板100的顯示區(qū)域 AR1。濾色器230可以形成在對(duì)應(yīng)于像素電極130的位置，例如，具有如圖 4和6所示的一對(duì)一的對(duì)應(yīng)關(guān)系，但本發(fā)明不限于此。平坦化膜240形成在第二底基板210上以覆蓋外部光阻擋層220和濾色 器230。公共電極250可以包括透明和導(dǎo)電材料，和/或可以形成在平坦化層240 的整個(gè)區(qū)域上。公共電極250從外接收公共電壓，比如與公共電壓線SL接 收的電壓相同的電壓。因此，沒有電場(chǎng)產(chǎn)生在公共電極250和對(duì)應(yīng)于邊界區(qū)域AR2的邊界電極140之間。因此，當(dāng)顯示面板(例如，圖1 )在常黑才莫式運(yùn)行時(shí)，顯示面 板在邊界區(qū)域AR2中顯示黑圖像，而當(dāng)顯示面板在常白模式運(yùn)行時(shí)，顯示 面板在邊界區(qū)域AR2中顯示白圖像。密封構(gòu)件(例如，線)350形成在陣列基板100和面對(duì)基板200之間， 并密封陣列基板100和面對(duì)基板200之間的液晶層300。例如，密封線350 設(shè)置在光阻擋區(qū)域AR3中，并將陣列基板100接合到面對(duì)基板200。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的P車列基板的另 一個(gè)示例性實(shí)施例的部分的平面圖。圖8是沿圖7的線m-m，剖取的截面圖。除了公共電壓線SL和邊界接觸孔122之外，圖7和8所示的陣列基板 基本上與圖3和4所示的陣列基板相同。因此，將只參照?qǐng)D7和8詳細(xì)地描 述^^共電壓線SL和邊界接觸孔122。參照?qǐng)D7和8,公共電壓線SL形成在邊界區(qū)域AR2的上部邊界區(qū)域和 下部邊界區(qū)域中的至少一個(gè)中，且與柵極驅(qū)動(dòng)部分開。例如，公共電壓線 SL可以形成在第 一底基板110上，并設(shè)置為與第 一柵極驅(qū)動(dòng)電路GD1分開， 如圖8所示。雖然沒有在圖7和8中示出，公共電壓線SL可以形成在顯示區(qū)域AR1 中以與像素電極130重疊。在示例性實(shí)施例中，公共電壓線SL可以由與柵 極線相同的層形成，并從外接收公共電壓。邊界接觸孔122穿過保護(hù)層120形成以將邊界電極140電連接至7>共電 壓線SL。邊界接觸孔122可以形成在邊界區(qū)域AR2的上部邊界區(qū)域和下部邊界 區(qū)域中的至少一個(gè)中，對(duì)應(yīng)于公共電壓線SL?？梢孕纬啥鄠€(gè)邊界接觸孔122 并沿第二方向排列，如圖7和8所示。作為替換，可以以整體的形式形成一 個(gè)邊界接觸孔122而不是多個(gè)接觸孔122。因?yàn)闁艠O驅(qū)動(dòng)電路GDI設(shè)置在邊界電極140和第 一底基板110之間(例 如，在圖6中的垂直方向)，并與邊界區(qū)域AR2重疊，所以可以減小覆蓋部 分的柵極驅(qū)動(dòng)部的外部光阻擋層的寬度(例如，在第一方向，或圖6中的水 平方向)。有利地，可以減小顯示面板的光阻擋區(qū)域AR3。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的另 一個(gè)實(shí)施例的部分的 平面圖。圖IO是沿圖9的線IV-IV，剖取的截面圖。除了像素電極130和邊界電極140之外，圖9和10中示出的陣列基板基本上與圖3和4中所示的陣列基板相同。因此，將僅參照?qǐng)D9和10詳細(xì) 描述像素電極130和邊界電極140。參照?qǐng)D9和10,像素電極130形成在保護(hù)層120上。像素電極130可以 彼此分開，且每個(gè)都設(shè)置在像素單元區(qū)域PU中。例如，在一個(gè)示例性實(shí)施 例中，像素單元區(qū)域PU可以由柵極線和數(shù)據(jù)線定義，但本發(fā)明不限于此。每個(gè)像素電極130包括像素透射電極132和像素反射電極134。像素透 射電極132形成在保護(hù)層120上且對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素單元區(qū)域PU。像素反射 電極134形成在像素透射電極132上對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素單元區(qū)域PU的 一部分。 像素反射電極134可以形成在部分的像素透射電極132上，且位于透射電極 132上的多個(gè)位置中的任何位置，比如向左調(diào)整的(圖10)、基本上中心的 或向右調(diào)整的。結(jié)果，顯示面板可以使用外部光和/或內(nèi)部光通過顯示區(qū)域AR1顯示圖像。邊界電極140形成在保護(hù)層120上且對(duì)應(yīng)于邊界區(qū)域AR2。邊界區(qū)域 AR2可以具有多個(gè)邊界單元區(qū)域BU。在示例性實(shí)施例中，每個(gè)邊界單元區(qū) 域BU可以具有與每個(gè)像素單元區(qū)域PU基本上相同的尺寸，然而，本發(fā)明 不限于此。邊界電極140包括邊界透射電極142和邊界反射電極144。邊界透射電 極142可以形成在保護(hù)層120上且具有在整個(gè)邊界區(qū)域AR2上的整體的形 式，比如設(shè)置在基本整個(gè)邊界區(qū)域AR2上。因此，邊界透射電極142可以 具有在所有邊界單元區(qū)域BU上的整體的形式，或邊界透射電極142可以單 獨(dú)地設(shè)置在每個(gè)邊界單元區(qū)域BU上。多個(gè)邊界反射電極144可以形成在邊界透射電極142上且對(duì)應(yīng)于每個(gè)邊 界單元區(qū)域BU的一部分。作為替換，邊界反射電極144可以具有設(shè)置在邊 界透射電極142上的整體的形式并覆蓋每個(gè)邊界單元區(qū)域BU的一部分。結(jié)果，顯示面板可以使用外部光和/或內(nèi)部光通過邊界區(qū)域AR2顯示白 圖像或黑圖像。因?yàn)闁艠O驅(qū)動(dòng)電路GDI設(shè)置在邊界電極140和第一底基板110之間(例 如，在圖IO的垂直方向)，且與邊界區(qū)域AR2重疊，所以可以減小覆蓋部 分的柵極驅(qū)動(dòng)部的外部光阻擋層的寬度(例如，在第一方向，或圖10的水 平方向)。有利地，可以減小顯示面板的光阻擋區(qū)域AR3。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的一部分的另一個(gè)示例 性實(shí)施例的截面圖。除了面對(duì)基板包括邊界光阻擋層260之外，圖11所示的陣列基板基本 上與圖4所示的陣列基板相同。因此，將僅參照?qǐng)D1、 3和11詳細(xì)描述邊界 光阻擋層260。參照?qǐng)D1、 3和11，邊界光阻擋層260形成在第二底基板210上并覆蓋 有平坦化層240。在示例性實(shí)施例中，邊界光阻擋層260可以形成在第二底基板210上以 覆蓋每個(gè)邊界單元區(qū)域BU的一部分。多個(gè)邊界光阻擋層260可以對(duì)應(yīng)于每 個(gè)邊界單元區(qū)域BU的一部分形成。作為替換，邊界光阻擋層260可以具有 整體的形式(例如，形成為單個(gè)輪廓)且覆蓋每個(gè)邊界單元區(qū)域BU的一部 分。當(dāng)顯示面板使用邊界區(qū)域AR2顯示白圖像時(shí)，邊界光阻擋層260可以 調(diào)節(jié)白圖像的亮度。例如，當(dāng)邊界光阻擋層260覆蓋的每個(gè)邊界單元區(qū)域 BU的部分區(qū)域增加時(shí)，白圖像的亮度降低。相反，當(dāng)邊界光阻擋層260覆 蓋的每個(gè)邊界單元區(qū)域BU的區(qū)域減少時(shí)，白圖像的亮度增加。因?yàn)闁艠O驅(qū)動(dòng)電路GD1設(shè)置在邊界電極140和第一底基板IIO之間(例 如，在圖11的垂直方向)，且與邊界區(qū)域AR2重疊，所以可以減小覆蓋部 分的柵極驅(qū)動(dòng)部的外部光阻擋層的寬度(例如，在第一方向，或圖11的水 平方向)。有利地，可以減小顯示面板的光阻擋區(qū)域AR3。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的陣列基板的一部分的另一個(gè)示例 性實(shí)施例的截面圖。除了像素電極130和邊界電極140之外，圖12所示的陣列基板基本上 與圖11所示的陣列基板相同。因此，將僅參照?qǐng)D3和12詳細(xì)描述像素電極 130和邊界電極140。參照?qǐng)D3和12,像素電極130形成在保護(hù)層120上。像素電極130可以 彼此分開，比如每個(gè)像素電極設(shè)置在像素單元區(qū)域PU中。在一個(gè)示例性實(shí) 施例中，例如，像素單元區(qū)域PU可以由柵極線和翁:據(jù)線定義，但本發(fā)明不 限于此。每個(gè)像素電極130包括像素透射電極132和像素反射電極134。像素透 射電極132形成在保護(hù)層120上對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素單元區(qū)域PU。像素反射電極134形成在像素透射電極132上對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素單元區(qū)域PU的一部分和 透射電極132的一部分。結(jié)果，顯示面板可以使用外部光和/或內(nèi)部光通過顯示區(qū)域AR1顯示圖像。邊界電極140形成在保護(hù)層120上且對(duì)應(yīng)于邊界區(qū)域AR2。邊界區(qū)域 AR2可以具有多個(gè)邊界單元區(qū)域BU。每個(gè)邊界單元區(qū)域BU可以具有與每 個(gè)像素單元區(qū)域PU基本上相同的尺寸。邊界電極140包括邊界透射電極142和邊界反射電極144。邊界透射電 極142可以形成在保護(hù)層120上以具有在整個(gè)邊界區(qū)域AR2上的整體的形 式。邊界反射電極144也可以形成在邊界透射電極142上以具有在整個(gè)邊界 區(qū)域AR2上的整體的形式。因此，邊界透射電極142和邊界反射電極144中的每個(gè)可以具有在所有 邊界單元區(qū)域BU上的整體的形式。結(jié)果，顯示面板可以使用外部光通過邊 界區(qū)域AR2顯示白圖像或黑圖像。當(dāng)顯示面板使用邊界區(qū)域AR2顯示白圖 像時(shí)，邊界光阻擋層260可以調(diào)節(jié)白圖像的亮度。在圖12中，邊界電極140包括邊界透射電極142和邊界反射電極144。 作為替換，邊界電極140可以僅包括邊界反射電極144。因此，可以省略邊 界透射電極142，且邊界反射電極144可以直接形成在保護(hù)層120上。如上面對(duì)圖示的實(shí)施例的描述，柵極驅(qū)動(dòng)部形成在邊界電極140和第一 底基板110之間以與邊界區(qū)域AR2重疊。有利地，可以減少或有效地防止 覆蓋柵極驅(qū)動(dòng)部的外部光阻擋層220的寬度的增加，由此減小光阻擋區(qū)域 AR3的寬度。如在實(shí)施例中所示的，柵極驅(qū)動(dòng)部形成在邊界電極和第一底基板之間以 與邊界區(qū)域重疊，從而減小或有效防止覆蓋柵極驅(qū)動(dòng)部的外部光阻擋層的寬 度的增加。有利地，可以減小顯示面板的光阻擋區(qū)域。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，應(yīng)該理解的是本發(fā)明不應(yīng)限制明的精神和范圍內(nèi)做出各種改變和修改。1權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括底基板，包括顯示區(qū)、圍繞所述顯示區(qū)的邊界區(qū)、和圍繞所述邊界區(qū)的光阻擋區(qū)；多條柵極線，沿第一方向延伸并設(shè)置在所述底基板上；多條數(shù)據(jù)線，沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸并設(shè)置在所述底基板上；多個(gè)像素部分，設(shè)置在所述顯示區(qū)中且電連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；以及柵極驅(qū)動(dòng)部，電連接至所述柵極線，部分的所述柵極驅(qū)動(dòng)部與所述邊界區(qū)重疊。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中部分的所述柵極驅(qū)動(dòng)部設(shè)置在所 述光阻擋區(qū)中。
3. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括邊界電極，所述邊界電極設(shè)置 在所述柵極驅(qū)動(dòng)部上方并與所述柵極驅(qū)動(dòng)部重疊，對(duì)應(yīng)于所述邊界區(qū)。
4. 如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述像素部分包括 多個(gè)薄膜晶體管，電連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；以及多個(gè)像素電極，設(shè)置在所述顯示區(qū)中定義的像素單元區(qū)中并電連接至所 述薄膜晶體管。
5. 如權(quán)利要求4所述的陣列基板，還包括覆蓋所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、 所述薄膜晶體管、和所述柵極驅(qū)動(dòng)部的保護(hù)層，其中所述像素電極和所述邊 界電極設(shè)置在所述保護(hù)層上。
6. 如權(quán)利要求5所述的陣列基板，還包括公共電壓線，所述公共電壓線 覆蓋有所述保護(hù)層，并通過延伸穿過所述保護(hù)層的邊界4妄觸孔電連接至所述 邊界電極。
7. 如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中所述邊界區(qū)包括 設(shè)置在所述顯示區(qū)左側(cè)的左邊界區(qū)； 設(shè)置在所述顯示區(qū)右側(cè)的右邊界區(qū)； 設(shè)置在所述顯示區(qū)上側(cè)的上邊界區(qū)；以及 設(shè)置在所述顯示區(qū)下側(cè)的下邊界區(qū)。
8. 如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中所述邊界接觸孔設(shè)置在所述上邊 界區(qū)和所述下邊界區(qū)中的一個(gè)中。
9. 如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中所述邊界接觸孔設(shè)置在所述左邊 界區(qū)和所述右邊界區(qū)中的一個(gè)中，且與所述柵極驅(qū)動(dòng)部分開。
10. 如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述邊界電極具有在整個(gè)所述 邊界區(qū)上的整體的形式。
11. 如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述邊界電極包括反射電極以 在所述邊界區(qū)中顯示白圖像。
12. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極驅(qū)動(dòng)部包括 第一柵極驅(qū)動(dòng)電路，電連接至所述柵極線的第一端部；以及 第二柵極驅(qū)動(dòng)電路，電連接至所述4冊(cè)極線的第二端部。
13. —種顯示面板，包括 陣列基板，包括底基板，包括顯示區(qū)、圍繞所述顯示區(qū)的邊界區(qū)、和圍繞所述邊界區(qū)的光阻擋區(qū)；多條柵極線，沿第一方向延伸并設(shè)置在所述底基板上； 多條數(shù)據(jù)線，以與所述第一方向交叉的第二方向延伸并設(shè)置在所述底基板上；多個(gè)像素部分，設(shè)置在所述顯示區(qū)中且電連接至所述柵極線和所述 數(shù)據(jù)線；以及柵極驅(qū)動(dòng)部，電連接至所述柵極線，部分的所述柵極驅(qū)動(dòng)部與所述 邊界區(qū)重疊；面對(duì)基板，面對(duì)所述陣列基板；以及液晶層，夾置在所述陣列基板和所述面對(duì)基板之間。
14. 如權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述柵極驅(qū)動(dòng)部設(shè)置在所述邊 界區(qū)和所述光阻擋區(qū)中。
15. 如權(quán)利要求13所述的顯示面板，其中所述像素部分包括電連接至所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的多個(gè)薄膜 晶體管；以及其中所述陣列基板還包括保護(hù)層，覆蓋所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管、和所述柵極驅(qū)動(dòng)部；以及邊界電極，設(shè)置在所述保護(hù)層上、與所述柵極驅(qū)動(dòng)部重疊并且對(duì)應(yīng) 于所述邊界區(qū)。
16. 如權(quán)利要求15所述的顯示面板，其中所述面對(duì)基板包括外部光阻擋 層，對(duì)應(yīng)于所述陣列基板的光阻擋區(qū)設(shè)置。
17. 如權(quán)利要求16所述的顯示面板，其中所述邊界電極具有在整個(gè)所述 邊界區(qū)域上的整體的形式。
18. 如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中所述邊界電極包括透射電極。
19. 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述邊界區(qū)包括多個(gè)邊界單元 區(qū)，且所述邊界電極還包括反射電極，所述反射電極設(shè)置在所述透射電極上 并對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述邊界單元區(qū)的 一部分。
20. 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述邊界區(qū)包括多個(gè)邊界單元 區(qū)，且所述面對(duì)基板還包括邊界光阻擋層，其對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述邊界單元區(qū)的 一部分設(shè)置。
21. 如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中所述邊界電極包括反射電極。
22. 如權(quán)利要求21所述的顯示面板，其中所述邊界電極還包括設(shè)置在所 述保護(hù)層和所述反射電極之間的透射電極。
23. 如權(quán)利要求21所述的顯示面板，其中所述邊界區(qū)包括多個(gè)邊界單元 區(qū)，且所述面對(duì)基板還包括邊界光阻擋層，其對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述邊界單元區(qū)的 一部分設(shè)置。
24. —種形成顯示面板的陣列基板的方法，所述方法包括 形成底基板，所述底基板包括顯示區(qū)、圍繞所述顯示區(qū)的邊界區(qū)、和圍繞所述邊界區(qū)的光阻擋區(qū)；在底基板上形成以第 一方向延伸的多條柵極線、和以與所述第 一方向交 叉的第二方向延伸的多條數(shù)據(jù)線；在所述顯示區(qū)中設(shè)置多個(gè)像素部分，并將所述多個(gè)像素部分電連接到所 述才冊(cè)極線和所述數(shù)據(jù)線；以及形成電連接至所述4冊(cè)極線的柵極驅(qū)動(dòng)部，其中部分的所述柵極驅(qū)動(dòng)部與 所述邊界區(qū)重疊。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其形成方法和具有陣列基板的顯示面板。該陣列基板包括底基板、多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素部分、和柵極驅(qū)動(dòng)部。底基板包括顯示區(qū)、圍繞顯示區(qū)的邊界區(qū)、和圍繞邊界區(qū)的光阻擋區(qū)。柵極線在底基板上沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線在底基板上沿與第一方向交叉的第二方向延伸。像素部分設(shè)置在顯示區(qū)中并電連接至柵極線和數(shù)據(jù)線。柵極驅(qū)動(dòng)部電連接至柵極線。部分的柵極驅(qū)動(dòng)部與邊界區(qū)重疊。柵極驅(qū)動(dòng)部與邊界區(qū)重疊。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101261413SQ200810083130
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2008年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月8日
發(fā)明者鄭營(yíng)培, 金東煥, 金鎮(zhèn)卓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社