專利名稱:液晶顯示裝置的制作方法
技術領域:
本發(fā)明,涉及液晶顯示裝置,尤其涉及像素電極與共用電極設置于相 同的基板、該電極的至少一方構成縫隙地設置的液晶顯示裝置。
背景技術:
在FFS (Fringe Field Switching,邊緣場開關)方式的液晶顯示裝置 中,對液晶的取向進行控制的像素電極與共用電極的雙方設置于相同的基 板,該2個電極夾著絕緣層疊層。在該電極之中的處于上側的電極即液晶 層側的電極設置縫隙。與縫隙的長度方向(長邊方向)基本平行地進行摩 擦處理,在上述電極間的電壓是截止電壓的情況下,液晶分子與縫隙的長 度方向基本平行地進行取向。在將比截止電壓高的電壓施加于上述電極間 的情況下,在相對于縫隙的長邊垂直的方向產(chǎn)生電場,液晶分子沿電場方 向在基本平行于基板的平面內(nèi)進行旋轉。通過對液晶分子的旋轉角進行控 制,控制透射光量。并且,由于像素電極與共用電極夾著絕緣層進行疊層, 從而形成保持電容。
專利文獻1日本特開2003—140188號公報
若強的外光入射于FFS方式的液晶顯示裝置,則出現(xiàn)看到彩虹狀的條 紋圖形的情況??烧J為這起因于外光在液晶顯示裝置內(nèi)進行反射,該反 射光通過縫隙的周期性結構而相干涉。上述條紋圖形,不僅在未進行顯示 時產(chǎn)生,而且在進行顯示時也會產(chǎn)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制由縫隙引起的光的干涉的液晶顯示裝置。
本發(fā)明的液晶顯示裝置,特征為具備一對基板,夾持于前述一對基 板之間的液晶層,形成于前述一對基板之一方基板的絕緣層,形成于前述 一方141的像素電極,和形成于前述一方基板的共用電極;前述像素電極 和前述共用電極之中至少一方電極形成于前述絕緣層的液晶層側;前述一 方電極包括夾持縫隙排列的多個分支部,前述絕緣層具有凹凸。若依照于 上述構成,則能夠抑制由縫隙引起的光的干涉。
優(yōu)選不^J'j地^:置前述凹凸的頂部。若依照于上述構成,則能夠更 加對上迷光千涉進行抑制。
優(yōu)選在設前述分支部的寬度為L ( jum)、前述縫隙的寬度為S ( y m)、前述凹凸的相鄰的頂部間的距離為D( jam)的情況下,滿足(L + S) x(U《D《L + S的關系。若依照于上述構成,則能夠更加對上述光干涉進 行抑制。
優(yōu)選前述凹凸的頂部和底部之中的至少一方相對于前述各分支部設 置1個以上。若依照于上述構成,則能夠更加對上述光干涉進行抑制。
優(yōu)選前述^^素電極及前述共用電極由透光性導電材料形成,前述凹 凸配置于透射顯示區(qū)域。若依照于上述構成,則可以實現(xiàn)能夠抑制上述光 干涉并能夠提高開口率的透射顯示。
優(yōu)選在前述絕緣層的前述液晶層側配置前迷像素電極和前述共用電 極之中的一方電極,在前述絕緣層的與前述液晶層相反側配置前述像素電 極和前述共用電極之中的另一方電極,在前述另一方電極的與液晶層相反 側形成其他絕緣層,前述其他絕緣層具有凹凸。若依照于上述構成,則能 夠容易地進一步對上述光干涉進行抑制。例如,前述其他絕緣層可以由丙 烯酸等的樹脂等構成,能夠容易地形成凸凹。并且,能夠將前述像素電極、 前述共用電極及前述絕緣層形成為相同的凸凹形狀,能夠容易地進行前述 像素電極與前述共用電極的電場的控制及由前述像素電極、前述共用電極 與前述絕緣層形成的電容的控制。
特征為具備形成于前述一對基板之另一方基板的濾色器、和形成于前述濾色器上的頂涂層,前述頂涂層具有凸凹。若依照于上述構成,則能 夠更加對上述光干涉進行抑制。
圖l是關于實施方式對液晶顯示裝置進行說明的俯視圖。
圖2是沿圖1中的2—2線的剖面圖。
圖3是圖2中的被單點劃線包圍的部分3的放大圖。
圖4是關于實施方式對液晶顯示裝置進行說明的俯視圖。
圖5是關于實施方式對液晶顯示裝置進行說明的俯視圖。
圖6是沿圖5中的6—6線的剖面圖。
圖7是關于實施方式對液晶顯示裝置進行說明的俯視圖。
圖8是關于實施方式對液晶顯示裝置進行說明的俯視圖。
符號說明
50、 50B、 50C 液晶顯示裝置,100 元件基板,110 基板,130、 150 絕緣層,132、 152 凹凸,134、 154 頂部,136、 156 底部,140、 140B 4象素電極,160 共用電極,172 縫隙,174 分支部,200 對向 基板,210基板,300液晶層,L分支部的寬度,S縫隙的寬度,D相 鄰頂部間的距離
具體實施例方式
以下,利用附圖對本發(fā)明中的實施方式進行說明。
圖1示出了對實施方式的液晶顯示裝置50進行說明的俯視圖(布局 圖),圖2示出了圖1中的沿2—2線的剖面圖。并且,圖3示出了圖2中 的被單點劃線包圍的部分3的放大圖。還有,在圖1中省略了示于圖2中 的要件的一部分。
圖l例示出了在顯示區(qū)域中排列于行方向(對應于圖示的橫向方向) 的3個像素52。雖然在此例示出了矩陣排列,但是也可以使像素52成為 三角排列等。
示于圖l的3個像素52,例如由對紅色(R)進行顯示的像素52、對綠色(G )進行顯示的像素52、和對藍色(B )進行顯示的像素52所構成, 通過該3個像素52構成用于彩色顯示的1個單位。在此,存在將用于彩色 顯示的l個單位稱為"像素,,的情況,在該情況下,相當于像素52的構成 被稱為"子像素"等。構成用于彩色顯示的l個單位的子像素的顏色及數(shù) 量并不限于上述例示。
如圖2所示,液晶顯示裝置50,包括對向配置的一對基板IIO、 210, 和夾持于該一對基板IIO、 210之間的液晶層300。 J41110、 210,在液晶 顯示裝置50為透射型或半透射型的情況下,可以例如由玻璃制的透光性基 板等構成。在液晶顯示裝置50為反射型的情況下,基板IIO、 210的一方 也可以沒有透光性。
基板110及基板210設置有下面例示的各種要件而分別構成元件基板 100及對向基板200。因此,液晶層300也可認為夾持于元件基板100與對 向基板200之間。
元件基板IOO,除了上述基板110之外,在基板110的液晶層300側, 包括像素電極140、絕緣層150、共用電極160。在元件基板100的外側, 配置未圖示的作為光源的背光源。
像素電極140與共用電極160,夾著絕緣層150而疊層。為了背光源 的光能夠透射,像素電極140與共用電極160,例如能夠由IT(X Indium Tin Oxide,銦錫氧化物)等的透光性導電材料構成,絕緣層150例如能夠由 氮化硅等構成。像素電極140的厚度例如為100nm,共用電極160的厚度 例如為50nm,形成于液晶層300側的電極形成得薄。絕緣層150的厚度 例如為200nm。
像素電極140設置于每個像素52。在圖1中例示出了像素電極140在 列方向(對應于圖示的縱向方向)為長的長方形的情況。
共用電極160,在此遍及所有像素52地設置。也可以將共用電極160 例如按像素52進行分割,并用布線將這些多個共用電極160連接。并且, 例如也可以將所有^f象素52分成多個組,按該組對共用電極160進行分割。
若依照于上述構成,則像素電極140與共用電極160雙方設置于基板 110,兩電極140、 160夾著絕緣層150疊層。即,液晶顯示裝置50是FFS方式的液晶顯示裝置。
在此,F(xiàn)FS方式中的像素52例如可以在相鄰的像素電極140之間的 區(qū)域設定邊界線。并且,例如,也可以使像素電極140所配置的區(qū)域(或 所配置的范圍),對應于像素52的區(qū)域。并且,例如,也可以使設置于對 向基板200的后述的遮光膜的各開口部對應于像素52的區(qū)域。
在液晶顯示裝置50中,共用電極160配置于液晶層300側,在各^^素 52的共用電極160設置有多個縫隙(或槽)172、即縫隙172的組。通過 這些縫隙172在共用電極160形成線和間隔的圖形。在此,縫隙172對應 于間隔部,與此相對,將對應于線部的電極部稱為分支部174。該情況下, 在各像素52中多個分支部174夾持縫隙172地排列。
在液晶顯示裝置50中,多個縫隙172,分別在行方向上延伸,在列方 向上排列。在此,多個縫隙172周期性地配置于列方向,由此,在共用電 極160形成縫隙172或分支部174的周期性結構。關于縫隙172與分支部 174的寬度,在此,例示出了全部的縫隙172相同的情況??p隙172的寬 度例如為4.0-8.0 jum,分支部174的寬度例如為2.0~5.0|am,還有,縫隙 172的條數(shù)并不限定于圖示的例。還有,為了使附圖容易理解,在圖1中 對縫隙172以粗線進行圖示,并在各圖中使圖示的條數(shù)不同。
關于電極140、 160與絕緣層150在后進一步進行說明。
在FFS方式中,控制通過各縫隙172而形成于電極140、 160間的電 場,由此控制液晶層300中的液晶分子在基本平行于基板IIO的面內(nèi)的旋 轉。通過對液晶分子的旋轉角進行控制,控制透射光量。并且,在FFS方 式中,像素電極140與共用電極160,不僅在縫隙172的部分對向,而且 也在分支部174對向。由此,兩電極140、 160夾著絕緣層150而構成保持 電容。
元件基板IOO,在基板110的液晶層300側,包括像素選擇線116, 顯示信號線120,和像素晶體管54。如后述地,像素選擇線也被稱為柵線、 掃描線等,顯示信號線也被稱為漏線、數(shù)據(jù)線等。
像素選擇線116,在整個液晶顯示裝置50設置多條,在圖l僅圖示其 中的1條。在此,例示出了各像素選擇線116均在行方向上延伸、且這些像素選擇線116在列方向上排列的情況。顯示信號線120,在整個液晶顯 示裝置50設置多條,在圖l僅圖示其中的3條。在此,例示出了各顯示信 號線120均在列方向上延伸、且這些顯示信號線120在行方向上排列的情 況。該情況下,顯示信號線120與像素選擇線116在互相正交的方向延伸。 各顯示信號線120,俯視觀察,通過相鄰的像素電極140間的區(qū)域而延伸。
兩布線116、 120例如能夠由Mo、 Al、 Ti等金屬構成。雖然在附圖中 將布線116、 120例示成直線狀,但是布線116、 120的一方或雙方也可以 例如局部具有伸出部、蛇行部而整體在上述各方向延伸。
像素晶體管54,如圖1所示,配置于像素選擇線116與顯示信號線120 的各交叉部分附近。像素晶體管54設置于各像素52。
像素晶體管54的半導體層112,可以通過例如多晶硅構成,在圖2的 例示中配置于基板110上。半導體層112構成像素晶體管54的有源區(qū)域(或 溝道形成區(qū)域)、源區(qū)域及漏區(qū)域。在半導體層112上,配置像素晶體管 54的柵絕緣膜114。柵絕緣膜114,例如能夠由氧化硅、氮化硅等構成。
通過柵絕緣膜114上地配置像素選擇線116。各像素選擇線116,通過 排列于行方向的多個像素52地,在柵絕緣膜114上延伸。該情況下,排列 于行方向的多個像素晶體管54共用l條像素選擇線116。
像素選擇線116,在夾著柵絕緣膜114與半導體層112對向的部分, 構成像素晶體管54的柵電極。因此,也可以將像素選擇線116稱為柵線 116。在圖1的例中,半導體層112基本為U字型(在圖1中該基本U字 型上下翻轉而示),像素選擇線116橫穿該基本U字型的2條臂部而延伸。 在該構成中,半導體層112的源區(qū)域及漏區(qū)域相對于像素選擇線116位于 同一側。因此,像素晶體管54,具有像素選擇線116在源區(qū)域與漏區(qū)域之 間兩次交叉于半導體層112的構成、換而言之具有在源區(qū)域與漏區(qū)域之間 設置2個柵電極的構成。
半導體層112的漏區(qū)域連接于顯示信號線120。各顯示信號線120,與 排列于列方向的多個像素晶體管54連接。該情況下,排列于列方向的多個 像素晶體管54共用l條顯示信號線120。半導體層112的源區(qū)域,通過像 素晶體管54的中繼電極122連接于各像素52的像素電極140。也可以不用中繼電極122,將像素電極140連接于源區(qū)域。中繼電極122,因為連接 于源區(qū)域,所以也可以稱為源電極122。并且,顯示信號線120,因為如上 述連接于漏區(qū)域,所以也可以稱為漏線120。也可以與上述相反地稱謂漏 與源。
通過上述構成,在像素電極140,從顯示信號線120通過像素晶體管 54,施加相應于該像素52的顯示數(shù)據(jù)的電位。因此,也可以將顯示信號線 120稱為數(shù)據(jù)線120。施加電位的像素52這樣被選擇,即,向連接了該像 素52的像素選擇線116施加像素晶體管54的導通電位。多條像素選擇線 116例如依次被選擇,該情況下,像素選擇線116也被稱為掃描線116。也 可以采用像素晶體管54以外的其他的開關元件。向共用電極160的電位施 加可以例如在顯示區(qū)域的外側的周邊區(qū)域進行。
元件基板100,在基板110的液晶層300側,還包括層間絕緣膜118, 絕緣層130,和未圖示的取向膜。
層間絕緣膜118,覆蓋像素選擇線116而配置于柵絕緣膜114上,例 如能夠由氧化硅、氮化硅等構成。分別設置貫通層間絕緣膜118及柵絕緣 膜114到達半導體層112的漏區(qū)域及源區(qū)域的接觸孔。在層間絕緣膜118 上配置顯示信號線120,顯示信號線120通過上述接觸孔連接于漏區(qū)域。 并且,在層間絕緣膜118上配置中繼電極122,中繼電極122通過上述接 觸孔連接于源區(qū)域。
絕緣層130,覆蓋顯示信號線120及中繼電極122而配置于層間絕緣 膜118上。絕緣層130,例如能夠由丙烯酸等的樹脂等構成,其厚度例如 為2|im。設置有貫通絕緣層130到達中繼電極122的接觸孔。在絕緣層 130上配置像素電極140,在各像素中中繼電極122與像素電極140通過上 述接觸孔相連接。關于絕緣層130在后進一步進行說明。
取向膜,配置于共用電極160上。取向膜在與縫隙172的延伸方向(換 而言之長度方向)基本平行的方向、例如相對于該延伸方向大約傾斜了 5 ° ~10°的方向祐摩擦。
液晶顯示裝置50,在基板110的與液晶層300相反的一側,包括未圖 示的偏癡昧。該偏振板還能夠包含在元件基板IOO中。對向14^200,除上述基板210之外,在141210的液晶層300側, 包括未圖示的遮光膜,濾色器212,和未圖示的取向膜。
遮光膜,例如能夠由樹脂構成,在各像素52具有開口部。在該各開口 部,配置與該像素52的顯示色相應的色調(diào)的濾色器212。遮光膜的各開口 部對向于像素電極140所設置,因此濾色器212對向于像素電極140。遮 光膜及濾色器212,例如配置于基板210上。取向膜,在此,配置于濾色 器212上,在與元件M 100的上述取向膜的摩擦方向例如基本正交的方 向禍岸擦。也可以在濾色器212與取向膜之間設置被稱為頂涂層(top coat) 的、例如樹脂制的層。并且,在液晶顯示裝置50例如為黑白顯示用的情況 下,濾色器212可以省略。
液晶顯示裝置50,在基板210的與液晶層300相反的一側,包括未圖 示的偏振板。也可以將該偏#41包括在對向基板200中。
以下參照圖2及圖3進一步對液晶顯示裝置50進行說明。
絕緣層130在液晶層300側具有凹凸132。具有凹凸132的絕緣層130 例如可以如下形成。首先,在層間絕緣膜118上以旋涂法等涂敷液狀或糊 狀的感光性樹脂。該感光性樹脂層之后構成絕緣層130。接下來,使涂敷 的感光性樹脂層的上表面通過曝光掩模進行曝光,并進行顯影。由此,該 樹脂層的上表面凈皮加工成凹凸,得到凹凸132。此時,例如在感光性樹脂 為底片型的情況下,能夠利用這樣的曝光掩模,即該曝光掩模在對應于凹 凸132的凹部的位置設置有對曝光光進行遮光的遮光部。該情況下,被曝 光的部分在顯影后殘留、構成凹凸132的凸部。凹凸132的凹凸形狀可以 通過形成條件的設定而形成為各種各樣。例如,可以通過曝光掩模的掩模 圖形對上述凹凸形狀進行控制。具有凹凸132的絕緣層130也可以通過其 他的形成方法而形成。
在凹凸132上,^象素電極140、絕緣層150與共用電極160以該順序 疊層。像素電極140、絕緣層150與共用電極160,在此,呈仿照于凹凸 132的凹凸形狀。如此的凹凸形狀,可以通過在凹凸132不被平坦化的條 件下選定上述W件140、 150、 160的厚度、材料、形成方法等而形成。
絕緣層150在液晶層300側具有凹凸152。在圖示的例中,凹凸152,在上述凹凸132的頂部134的上方具有頂部154,并在上述凹凸132的底 部136的上方具有底部156。在凹凸152上配置共用電極160。
若依照于上述構成,則即使外光由共用電極160反射的情況,也能夠 使反射光散射。因此,相比于共用電極160形成于平坦面上而作為平坦膜 構成的情況,能夠對由縫隙172引起的反射光的干涉進行抑制。該效果, 也可以通過在絕緣膜150設置凹凸152而將絕緣膜130的凹凸132改變成 平坦面的構成而得到。但是,若依照于上述構成,則能夠使像素電極140、 共用電極160及絕緣層150成為相同的凹凸形狀,能夠使像素電極140與 共用電極160的距離一定。其結果,像素電極140與共用電極160之間的 電場的控制變得容易,由像素電極140、共用電極160及絕緣層150所形 成的保持電容的控制也變得容易。并且,通過形成絕緣層130的凹凸132, 能夠容易地形成像素電極140、共用電極160及絕緣層150的凹凸形狀。
優(yōu)選凹凸152以這樣的密度構成,即,相對于各分支部174設置一個 以上頂部154與底部156的至少一方。若依照于此,則可在各分支部174 中得到光散射作用,能夠對上述光干涉進一步進行抑制。
優(yōu)選頂部154與底部156的高低差,例如以400 500nm作為上限。 這是因為若凹凸152的高低差變大,則存在形成于電極140、 160間的電 場的分布、強度等變得不均勻、顯示質量下降的情況。根據(jù)同樣的理由, 優(yōu)選全部的頂部154位于基本相同的高度位置(換而言之基本位于同一 平面)。這一點對于底部156也一^=羊。
優(yōu)選在設分支部174的寬度為L ( jJ m )、設縫隙172的寬度為S ( n m)、設相鄰的頂部154間的距離為D ( pm)的情況下,滿足以下關系
(L + S) x().l《D《L + S ... (1)
若依照于該構成,則可防止分支部174的表面形狀全都相同。即,可防止 在各分支部174的反射光向相同的方向行進。因此,反射光的散射作用提 高,能夠對上述光干涉進一步進行抑制。并且,為了有效地發(fā)揮光散射及 光干涉抑制,更優(yōu)選滿足以下關系
(L + S) xO,3《D《(L + S) xo.6 ... (2)
在圖2及圖3中,為了使說明容易理解,例示出了凹凸152的凸部為相同大小的情況。相對于此,如圖4的俯視圖所示,也可以在凹凸152設 置大小不同的多種類型的凸部。
在圖4中示意地示出了凸部與凹部的邊界為圓形的情況,該圓形的中 心部對應于頂部154。即,例示出了凸部為基本圓錐形的情況。凹凸152 中的凸部與凹部的邊界,例如可以選定為將相鄰的頂部154與底部156的 高度位置二等分的等高線。這一點對于凹凸132也一樣。在圖4中,為了 使附圖容易理解,對縫隙172的輪廓以粗線進行圖示。
雖然在圖4中例示出了 3種大小的凸部,但是也可以使凸部的大小為 2種或4種以上。凸部的大小可以通過上述曝光掩模的圖形調(diào)整進行控制。 通過在凹凸152中使多種大小的凸部混合存在,并且,通過使凸部的種類 增多,能夠提高光散射作用。因此,能夠對上述光干涉進一步進行抑制。
在圖2及圖3中,為了使說明容易理解,例示了規(guī)則地設置頂部154 與底部156的情況。相對于此,如圖4所示,也可以不規(guī)則地設置頂部154 與底部156。若依照于此,則光散射作用提高,能夠對上述光干涉進一步 進行抑制。在圖4中如上所述例示了大小不同的凸部,但是即使是凸部的 大小相同的情況,也可以不規(guī)則地i殳置頂部154與底部156。
雖然在上述中對共用電極160配置于比像素電極140更靠液晶層300 側的情況進行了例示,但是也可以將像素電極140配置于液晶層300側。 在以下,對該構成的液晶顯示裝置50B進行例示。
圖5表示對液晶顯示裝置50B進行說明的俯禾見圖(布局圖),并將沿 圖5中的6—6線的剖面圖示于圖6。在圖5中,對像素電極140的外形線 和縫隙172以粗線進行圖示,并省略圖6所示的要件的一部分。
在液晶顯示裝置50B中,在絕緣層130上配置共用電極160,在共用 電極160上夾著絕緣層150,疊層像素電極140。覆蓋像素電極140而配置 未圖示的取向膜。在配置于液晶層300側的各像素電極140,設置縫隙172 及分支部174。液晶顯示裝置50B的其他構成,與上述液晶顯示裝置50(參 照圖1 圖4)相同。由此,液晶顯示裝置50B也起到與液晶顯示裝置50 同樣的效果。
在上述液晶顯示裝置50B中例示了各縫隙172并未達到像素電極140的外緣的情況(參照圖5 )。相對于此,也可以使縫隙172達到像素電極140 的外緣。即,也可以使作為具有縫隙172的電極的像素電極140為梳齒形狀。
圖7表示對梳齒形狀的像素電極140B進行說明的俯視閨。在像素電 極140B中同樣,多個分支部174夾持縫隙172地排列,由此構成線和間 隔的圖形。像素電極140B還具有主干部176,多個分支部174通過該主干 部176被在一端側連接。雖然在圖7中例示了梳齒形狀的開放端位于圖中 右側的情況,但是該開放端的朝向也可以與圖7相反。
并且,如上述地在液晶顯示裝置50 (參照圖2)中共用電極160配置 于液晶層300側。因此,在對共用電極160例如按像素52分割地設置的情 況下,也可以使共用電極160為梳齒形狀。
通過使像素電極140與共用電極160之中的一方成為梳齒形狀的上述 構成,也能得到與液晶顯示裝置50、 50B同樣的效果。并且,在接下來進 行說明的IPS (In-Plane Switching,平面開關)方式中兩電極140、 160 為梳齒形狀,通過該構成也能得到與上述液晶顯示裝置50、 50B同樣的效 果。
在IPS方式中,像素電極140與共用電極160,都為梳齒形狀,以使 該梳齒形狀俯視觀察互相嚙合的狀態(tài)配置。在嚙合部分中兩電極140、 160 的各齒部分別對應于上述分支部174。電極140、 160的各齒部隔著間隔排 列,該各電極間間隔對應于上述縫隙172。在IPS方式中像素電極140與 共用電極160例如配置于絕緣層130的凹凸132(參照圖3)上。該情況下, 通過與絕緣層150的凹凸152同樣地構成凹凸132,得到與上述液晶顯示 裝置50、 50B同樣的效果。
還有,在IPS方式中,在梳齒形狀的嚙合部分中在電極140、 160間 形成電場,液晶層300中的液晶分子沿該電場方向在基本平行于基板110 的平面內(nèi)進行旋轉。通過對液晶分子的旋轉角進行控制,控制透射光量。
雖然在上述中對縫隙172延伸于行方向的情況進行了例示,但是也可 以使縫隙172延伸于列方向。并且,也可以使縫隙172相對于行方向及列 方向具有傾斜角地延伸。并且,雖然在上述中對凹凸132、 152的凸部為基本圓錐形的情況進行 了例示,但是凸部的形狀并不限定于此。即,凸部的頂部134、 135可以不 為點狀,也可以為例如曲線狀。
對向基板200也可以為圖8的剖面圖所例示的構成。即,也可以在濾 色器212與未圖示的取向膜之間設置頂涂層214,使該頂涂層214的液晶 層300側的表面形成為凹凸216。優(yōu)選凹凸的形狀、排列等條件,是在設 置于上述元件J41的凹凸中進行了說明的條件。而且,雖然元件基板中的 凹凸與對向基板中的凹凸可以相同,但是不必一定相同。具有凹凸216的 頂涂層214例如可以通過與絕緣層130同樣的形成方法而形成。還有,關 于圖8所示的液晶顯示裝置50C例示了其他構成利用了液晶顯示裝置50 (參照圖2)的情況。
若依照于該構成,則向液晶顯示裝置50C進行入射的外光與設置有縫 隙172的共用電極160處的反射光,通過頂涂層214的凹凸216進行散射。 因此,能夠對上述光干涉進行抑制。通過在頂涂層214設置凹凸216而將 絕緣層130、 150的凹凸132、 152的一方或雙方改變成平坦面的構成,也 可以得到上述效果。
也可以組合2種以上上述各種構成,由此可更可靠地得到光干涉抑制 效果。
權利要求
1. 一種液晶顯示裝置,其特征在于,具備一對基板,夾持于前述一對基板之間的液晶層,形成于前述一對基板中的一方基板的絕緣層,形成于前述一方基板的像素電極,和形成于前述一方基板的共用電極;前述像素電極和前述共用電極之中的至少一方電極形成于前述絕緣層的液晶層側;前述一方電極包括夾持縫隙而排列的多個分支部,前述絕緣層具有凹凸。
2. 按照權利要求1所述的液晶顯示裝置,其特征在于 不規(guī)則地設置前述凹凸的頂部。
3. 按照權利要求l所述的液晶顯示裝置,其特征在于 在設前述分支部的寬度為L、前述縫隙的寬度為S、前述凹凸的相鄰的頂部間的距離為D的情況下,滿足(L + S) xo.l<D《L + S的關系,其中,L、 S、 D的單位為nim。
4. 按照權利要求l述的液晶顯示裝置,其特征在于 前述凹凸的頂部和底部之中的至少一方相對于前述各分支部設置1個以上。
5. 按照權利要求l所述的液晶顯示裝置,其特征在于 前述像素電極及前迷共用電極由透射來自光源的光的透光性導電材料形成,進行透射顯示。
6. 按照權利要求l所述的液晶顯示裝置,其特征在于 在前述絕緣層的前述液晶層側配置前述像素電極和前述共用電極之中的一方電極;在前述絕緣層的與前述液晶層相反側配置前述像素電極和前述共用電極之中的另一方電極;在前述另一方電極的與液晶層相反側形成其他絕緣層; 前述其他絕緣層具有凹凸。
7.按照權利要求l所述的液晶顯示裝置,其特征在于,具備 形成于前述一對a中的另一方基板的濾色器,和 形成于前述濾色器上的頂涂層; 前述頂涂層具有凸凹。
全文摘要
本發(fā)明涉及像素電極和共用電極設置于相同的基板、該電極的至少一方構成縫隙的液晶顯示裝置,該裝置能夠抑制由縫隙引起的光的干涉。液晶顯示裝置(50),具備一對基板(110、210),夾持于一對基板(110、210)之間的液晶層(300),形成于一對基板(110、210)中的一方基板的絕緣層(150),和夾持絕緣層(150)而設置的像素電極(140)與共用電極(160)。像素電極(140)與共用電極(160)之中的至少一方電極包括夾持縫隙排列的多個分支部,絕緣層(150)具有凹凸,并在凹凸上至少配置一方電極。
文檔編號G02F1/13GK101290437SQ20081009150
公開日2008年10月22日 申請日期2008年4月15日 優(yōu)先權日2007年4月17日
發(fā)明者小野木智英, 瀨川泰生, 青田雅明 申請人:愛普生映像元器件有限公司