彩色濾光基板、電子裝置及其制作方法

文檔序號：2808672閱讀：244來源：國知局

專利名稱：彩色濾光基板、電子裝置及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種彩色濾光基板及其制作方法，且特別是有關于一種可應用于半穿透半反身寸式液晶顯示面板(transflective liquid crystal display panel) 的彩色濾光基板及其制作方法。
背景技術：
由于液晶顯示器為非自發(fā)光的顯示器，因此液晶顯示面板必須搭配光源包含背光源、前光源或環(huán)境光源，方可進行影像的顯示。依照光源的利用方式不同，可將液晶顯示器分為穿透式液晶顯示器、半穿透半反射式液晶顯示器與反射式液晶顯示器三種。目前，由于半穿透半反射式液晶顯示器能夠同時運用環(huán)境光源與背光源所提供的光線，有利于應用在可攜式產品上，因此已逐漸受到囑目。圖1A繪示公知的一種半穿透半反射式液晶顯示器的局部剖面圖。半穿透半反射式液晶顯示器150包括一顯示面板140以及一背光模組(未繪示)，其中顯示面板140主要由一彩色濾光基板100、一位于彩色濾光基板100對面的畫素陣列基板(pkel matrix substrate)112以及一位于彩色濾光基板100與畫素陣列基板112之間的液晶層114所構成。彩色濾光基板100包括一基板110、一遮光層120、多個由第一圖案130a與第二圖案130b所組成的彩色濾光圖案130 (圖中僅繪示一個彩色濾光圖案130為例)、一平坦層102 (overcoat)以及一透明電極104，其中平坦層102與透明電極104覆蓋遮光層120以及彩色濾光圖案130。畫素陣列基板112具有一畫素陣列(圖1B中僅繪示一個畫素112P為例)以及一與畫素陣列(未繪示)連接的周邊線路(未繪示)，其中畫素陣列(未繪示) 具有分別與第一圖案130a與第二圖案130b對應的穿透顯示區(qū)域Tl以及反射顯示區(qū)域R1。周邊線路用以驅動畫素陣列中的畫素112P，使穿透顯示區(qū)域T1可藉由背光模組所提供的背光BL'來顯示畫面，而反射顯示區(qū)域R1可藉由反射顯示區(qū) 域R1內所設置的反射電極112R將所反射的環(huán)境光EL'來顯示畫面。然而，反射顯示區(qū)域R1中的光線會經(jīng)過彩色濾光基板100兩次，相對地，穿透顯示區(qū) 域T1中的光線由背光源直接射出而只經(jīng)過彩色濾光基板100—次。此時，半穿透半反射式液晶顯示器150的同一個畫素112P中，反射顯示區(qū)域R1與穿透顯示區(qū)域T1所顯示的影像將會有色彩不協(xié)調的情形發(fā)生。為了改善上述色彩不協(xié)調的情形，可以對彩色濾光基板100中的彩色濾光圖案130的厚度進行調整，以形成不同厚度的第一圖案130a及第二圖案130b。而調整方式是使對應于穿透顯示區(qū)域Tl的第一圖案130a的厚度ta增加，或是使對應于反射顯示區(qū)域R1的第二圖案130b的厚度tb減少。一般來說，第一圖案130a的厚度ta大致為第二圖案130b的厚度tb的兩倍。如此，則穿透顯示區(qū) 域T1與反射顯示區(qū)域R1中的光線受到彩色濾光圖案130作用的程度可以大致相同，而達到色彩協(xié)調的效果。通常需藉由遮光層120作為間隔物以獲得不同厚度的彩色濾光圖案130，然而，遮光層120的配置會導致半穿透半反射式液晶顯示器150的開口率 (Aperture Ratio, AR)下降，進而影響半穿透半反射式液晶顯示器150的整體亮度表現(xiàn)。此外，以微影(photolithography)、蝕刻(etching)等制程步驟來形成不同厚度的彩色濾光圖案130，則會增加制程的復雜度，造成成本上的增加。圖IB繪示公知的另一種半穿透半反射式液晶顯示器的局部剖面圖。請參照圖1B，半穿透半反射式液晶顯示器150'的構件與圖1A中的半穿透半反射式液晶顯示器150類似，二者主要差異在于半穿透半反射式液晶顯示器150'無設置平坦層，且彩色濾光圖案130'包括對應于穿透顯示區(qū)域T2的第一圖案 130a'以及對應于反射顯示區(qū)域R2的第二圖案130b'，且第一圖案130a'及第二圖案130b'的厚度相等。半穿透半反射式液晶顯示器150'采用兩種不同的材料以分別形成第一圖案130a'與第二圖案130b'，此設計雖可使色彩不協(xié) 調的情形獲得改善，但以不同材料來制作彩色濾光圖案BO'會增加制程的困難度。發(fā)明內容本發(fā)明提供一種彩色濾光基板，其可具有兩種厚度的彩色濾光圖案。本發(fā)明另提供一種彩色濾光基板的制作方法，此方法可減低制作出上述彩色濾光基板的制程復雜度。本發(fā)明又提供一種電子裝置，其具有上述的彩色濾光基板。本發(fā)明再提供一種電子裝置的制作方法，以制作出具有上述的彩色濾光基板的電子裝置。為達上述目的，本發(fā)明提出一種彩色濾光基板，此彩色濾光基板包括一基板、一遮光層以及多個彩色濾光圖案。基板具有多個環(huán)狀凹槽、多個中心區(qū)域以及一位于環(huán)狀凹槽之間的遮光區(qū)域，其中各環(huán)狀凹槽分別具有一與各中心區(qū) 域連接的內緣以及一與遮光區(qū)域連接的外緣。遮光層配置于遮光區(qū)域上，且從各外緣延伸至環(huán)狀凹槽上方。彩色濾光圖案配置于環(huán)狀凹槽與中心區(qū)域上，且會與遮光層的側表面以及部分的底表面接觸。本發(fā)明另提出一種彩色濾光基板的制作方法，此彩色濾光基板的制作方法包括提供一已形成有一遮光層的基板，其中基板具有多個環(huán)狀凹槽、多個中心區(qū)域以及一位于環(huán)狀凹槽之間的遮光區(qū)域，而各環(huán)狀凹槽分別具有一與各中心區(qū)域連接的內緣以及一與遮光區(qū)域連接的外緣。此外，遮光層配置于遮光區(qū) 域上，且遮光層從各外緣延伸至環(huán)狀凹槽上方。于環(huán)狀凹槽與中心區(qū)域上形成多個彩色濾光圖案，以使彩色濾光圖案與遮光層的側表面以及部分的底表面接觸。本發(fā)明又提出一種電子裝置，此電子裝置包含如上述的彩色濾光基板。本發(fā)明再提出一種電子裝置的制作方法，其包含如上述的彩色濾光基板的制作方法。綜上所述，本發(fā)明的彩色濾光基板可具有兩種厚度的彩色濾光圖案，因此，本發(fā)明的彩色濾光圖案可應用于半穿透半反射式液晶顯示器。此外，利用本發(fā) 明的彩色濾光基板的制作方法，可使彩色濾光圖案的上表面更為平坦。將本發(fā) 明的彩色濾光圖案應用于顯示器中，則可提升顯示器的光學表現(xiàn)。為了讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明的實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

圖1A繪示公知的一種半穿透半反射式液晶顯示器的局部剖面圖；圖1B繪示公知的另一種半穿透半反射式液晶顯示器的局部剖面圖；圖2A繪示本發(fā)明的一實施例的彩色濾光基板的局部俯視圖；圖'2B為沿圖2A中L廣IV剖面線的剖面圖；圖3A及圖3B繪示本發(fā)明的一實施例的利用噴墨印刷制程以形成彩色濾光圖案的剖面流程示意圖；圖4繪示本發(fā)明的一實施例的彩色濾光基板的制作方法流程圖；圖5A 圖5E繪示本發(fā)明的第一實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖；圖5F繪示本發(fā)明的一實施例的形成彩色濾光圖案的剖面圖；圖6A 圖6G繪示本發(fā)明的第二實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖；圖7A繪示本發(fā)明的一實施例的具有彩色濾光基板的顯示器的立體圖；圖7B為沿圖7A中L2-L2'剖面線的剖面圖；圖S為沿圖2A中L3-L3'剖面線的剖面圖；圖8A及圖8B繪示本發(fā)明的另一實施例的利用噴墨印刷制程以形成彩色濾光圖案的剖面流程示意圖；圖9A 圖9F繪示本發(fā)明的第三實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖；圖10A 圖IOH繪示本發(fā)明的第四實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖；圖11繪示本發(fā)明的一實施例的電子裝置的示意圖。主要元件標號說明100:彩色濾光基板104:透明電極112:畫素陣列基板112R:反射電極120:遮光層130a、 130a':第一圖案140:顯示面板BL':背光Rl、 R2:反射顯示區(qū)域 ta、 tb:厚度 210:基板520a、 920a:第一罩幕圖案 230:彩色濾光圖案 230b、 830b:第二圖案 510、 610、 910、 1010':基材 520' 、 620、 920' 、 1020:罩幕材料層 520b、 630、 920b、 1030:第二罩幕圖案 620、 1020:第一罩幕材料層 630' 、 1030' 702:平坦層 712:畫素陣列基板 712R:反射電極 720:背光模組 750:顯示器840R:反射層102:平坦層 110:基板 112P:畫素 114:液晶層130、 130':彩色濾光圖案 130b、 130b':第二圖案 150、 150':半穿透半反射式液晶顯示器 EL':環(huán)境光 Tl、 T2:穿透顯示區(qū)域 200、 700:彩色濾光基板 220:遮光層(第一罩幕圖案) 220a、 820a:疏口JC層 230a、 830a:第一圖案 230c、 830c:彩色顏料 520、 640、 920、 1040:罩幕層:第二罩幕材料層704:透明電極 712P:畫素陣列 714:顯示介質740、 1110:顯示面板 840L:襯層 940:反射材料層1100:電子裝置 A:環(huán)狀凹槽 Ax:內緣B:中心區(qū)域C:遮光區(qū)域C1:側表面d、 d':最大深度IJP、 IJP':噴墨印刷制程LS、 LS' 、 LSl、 LSI' 、 LS2、M、 M':半調式光罩Ma:透光區(qū)Mc:半曝光區(qū)P2、 P2':第二次微影制程si、 sr :平面S401、 S403:步驟ti、 ti 、 t2、 t2 、 t3、 t3 、 t4、X:靠近內緣處1120:電子元件A3:平坦底部 AY:外緣BL:背光C':對向遮光區(qū)域 C2:底表面 EL:環(huán)境光L廣W 、 L2-L2，、 LrL3，:剖面線 LS2':光源Ml、 Ml' 、 M2、 M2':光罩 Mb:遮光區(qū)Pl、 PI':第一次微影制程 R:反射顯示區(qū)域 S2、 S2':上表面 T:穿透顯示區(qū)域 t5、 t5' 、 t6、 t6，、 t7、 t7':厚度Y:靠近外緣處具體實施方式
第一實施例圖2A繪示本發(fā)明的一實施例的彩色濾光基板的局部俯視圖。請參照圖2A，本實施例的彩色濾光基板200包括一基板210、一遮光層220以及多個彩色濾光圖案230?；?10中或內具有多個環(huán)狀凹槽A、多個中心區(qū)域B以及一位于環(huán)狀凹槽A之間的遮光區(qū)域C。圖2B為沿圖2A中L,-IV剖面線的剖面圖，其中圖2B僅繪示一個彩色濾光圖案230及一個環(huán)狀凹槽A為例。請參照圖2B，基板210上的中心區(qū)域B 與遮光區(qū)域C，較佳地，例如是位于同一平面S1上為例。環(huán)狀凹槽A具有一內緣Ax以及一外緣AY，其中內緣Ax與中心區(qū)域B連接，而外緣Ay與遮光區(qū)域 C連接。此外，遮光層220配置于遮光區(qū)域C上，且遮光層220從環(huán)狀凹槽A 的外緣Ay延伸至壞狀凹槽A的上方。而彩色濾光圖案230配置于環(huán)狀凹槽A 與中心區(qū)域B上，且彩色濾光圖案230會與遮光層220的側表面d以及部分的底表面C2接觸。詳言之，遮光層220僅覆蓋住部分的彩色濾光圖案230。承上述，本實施例的環(huán)狀凹槽A具有一底部A3，例如平坦底部或不平坦底部，本發(fā)明較佳地以平坦底部為例，但不限于此。在平坦底部A3處所測量出的環(huán)狀凹槽A的深度定義為最大深度d，此最大深度d例如約為1微米(micron), 且深度值可為多點平均數(shù)值或單點數(shù)值。此外，靠近內緣處X與靠近外緣處Y 的環(huán)狀凹槽A的深度實質上會小于最大深度d，且越遠離平坦底部A3，環(huán)狀凹槽A的深度會越小。換句話說，環(huán)狀凹槽A的深度在靠近內緣處X與靠近外緣處Y會逐漸減少。請繼續(xù)參照圖2B，在本實施例中，彩色濾光圖案230，較佳地，具有實質上平坦的上表面S2為例，但不限于此，亦可為不平坦的上表面。另外，彩色濾光圖案230包括一第一圖案230a以及一第二圖案230b，其中第一圖案230a位于環(huán)狀凹槽A上，而第二圖案230b位于中心區(qū)域B上。舉例而言，當?shù)谝粓D 案230a的厚度t,較佳地實質上為第二圖案230b的厚度t2的2倍，則彩色濾光圖案230的上表面S2呈現(xiàn)平坦的狀態(tài)，因此，本實施例的彩色濾光圖案230的第二圖案230b的厚度t2大小實質上等于環(huán)狀凹槽A的最大深度d的大小，但不限于此。在其它實施例中，第一圖案230a的厚度^實質上為第二圖案230b的厚度t2的其它倍數(shù)，如大于0的自然數(shù)，亦即厚度ti實質上大于厚度t2即可。較佳地，本實施例采用噴墨印刷(ink-jetprinting, IJP)技術將彩色顏料230c 噴印至基板210上以形成上述彩色濾光圖案230，但不限于此，亦可使用傳統(tǒng) 的涂布、微影及蝕刻制程、或網(wǎng)版制程。圖3A及圖3B繪示本發(fā)明的一實施例1的利用噴墨印刷的制程以形成彩色濾光圖案的剖面流程示意圖，其中圖3A及圖3B為沿圖2A中LHLV剖面線的部分。請先參照圖3A，利用噴墨印刷制程 UP將彩色顏料230c噴印至基板210上的環(huán)狀凹槽A及中心區(qū)域B時，會發(fā)生些許的彩色顏料230c被噴印或殘留于遮光層220上的情形。為了改善彩色顏料 230c殘留于遮光層220上的情形，遮光層220，較佳地，需具備疏水性質，因此，本實施例的遮光層220可為一疏水層(hydrophobic layer) 220a，以使彩色顏料230c不易集中在遮光層220上。然而，在其它實施例中，疏水層220a，較佳地，也可以是一外表面經(jīng)過疏水處理的黑矩陣層。此外，于其它實施例中亦可不用疏水層或疏水處理，因遮光層220上的彩色顏料通常不會顯色，而可不必顧慮要不要去除遮光層220上的彩色顏料。當彩色顏料230c噴印至基板210上時，疏水層220a的疏水特性有助于防止彩色顏料230c溢出環(huán)狀凹槽A，或減少不同顏色的彩色顏料230c發(fā)生相互混染的現(xiàn)象，以確保彩色濾光圖案230的品質。請參照圖3B，由于基板210在靠近外緣處Y呈現(xiàn)底切(undercut)的現(xiàn)象，因此，當彩色顏料230c被噴印至環(huán)狀凹槽A時，便不容易在靠近外緣處Y而發(fā)生彩色顏料230c未填滿的問題。換句話說，靠近外緣處Y的底切現(xiàn)象有助于提升彩色濾光圖案230的平坦上表面S2的均勻度。圖4繪示本發(fā)明的一實施例的彩色濾光基板的制作方法流程圖。請同時參照圖2A、圖2B及圖4，首先，在步驟S401中，提供一己形成有一遮光層220 的基板210，其中基板210具有多個環(huán)狀凹槽A、多個中心區(qū)域B以及一位于環(huán)狀凹槽A之間的遮光區(qū)域C，而各環(huán)狀凹槽A分別具有一與各中心區(qū)域B連接的內緣Ax以及一與遮光區(qū)域C連接的外緣AY。此外，遮光層220配置于遮光區(qū)域C上，且遮光層220從各外緣Ay延伸至環(huán)狀凹槽A上方。舉例來說，上述的環(huán)狀凹槽A的形成方法如下。圖5A 圖5E繪示本發(fā)明的第一實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖，其中圖5A 圖5E為沿圖2A中 L廣Lr剖面線的部分。請參照圖5A，首先提供一基材510，其中基材510的材質例如是無機透明材質(如玻璃、石英、或其它合適材質、或上述的組合)、有機透明材質(如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙酰酸甲酯類、塑料、聚碳酸酯類、或其它合適材質、或上述的衍生物、或上述的組合)、或上述的組合等硬質或軟質透光材料。本發(fā)明以玻璃為例，但不限于此。接著，請參照圖5B，于基材510上形成一罩幕材料層520'，并較佳地以半調式光罩(Half Tone Mask, HTM)對罩幕材料層520'進行制程為例，其中罩幕材料層520'例如是一正型光阻。此外，半調式光罩M可具有透光區(qū)Ma、遮光區(qū)Mb以及半曝光(Half Tone Exposure)區(qū)Me，而光源LS的光線透過半調式光罩M對罩幕材料層520'進行微影制程。當然，在其它實施例中，罩幕材料層520'也可以是一負型光阻，則半調式光罩M上的透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb的位置就必需作相對應的調整。承上述，對罩幕材料層520'進行半調式光罩制程之后，罩幕材料層520' 便得以圖案化，使基材510上形成一罩幕層520,如圖5C所示，其中罩幕層520 包括一第一罩幕圖案520a以及多個第二罩幕圖案520b (圖5C僅繪示一個第二罩幕圖案520b為例)。值得一提的是，由于第一罩幕圖案520a及第二罩幕圖案 520b分別對應至半調式光罩M (繪示于圖5B)的遮光區(qū)Mb及半曝光區(qū)Mc，因此，第二罩幕圖案520b的厚度t3'實質上小于第一罩幕圖案520a的厚度t3。之后，請繼續(xù)參照圖5C，對基材510進行蝕刻制程，以移除部分未被罩幕層520覆蓋的基材510，并形成具有環(huán)狀凹槽A、對應于第一罩幕圖案520a的遮光區(qū)域C以及對應于第二罩幕圖案520b的中心區(qū)域B的基板210，如圖5D 所示。從另一個角度來看，請同時參照圖2A及圖5D，遮光區(qū)域C位于環(huán)狀凹槽A之間，且環(huán)狀凹槽A具有一與中心區(qū)域B連接的內緣Ax以及一與遮光區(qū) 域C連接的外緣AY。值得一提的是，上述的蝕刻制程較佳地是一等向性(Isotropic)蝕刻制程為例，使第一罩幕圖案520a以及第二罩幕圖案520b下方的基板210呈現(xiàn)底切的現(xiàn)象。換句話說，第一罩幕圖案520a會從外緣AY延伸至環(huán)狀凹槽A上方，而第二罩幕圖案520b會從內緣Ax延伸至環(huán)狀凹槽A上方。而后，移除第二罩幕圖案520b，如圖5E所示。詳言之，在本實施例中，移除第二罩幕圖案520b的方式，較佳地以一灰化(Ashing)制程為例?；一?程是利用氣體電漿對第一罩幕圖案520a以及第二罩幕圖案520b進行一非等向性(Anisotropic)蝕刻制程為例，而進一步移除第二罩幕圖案520b并形成一從外緣Ay延伸至環(huán)狀凹槽A上方遮光層220。其中，氣體電槳包含其中至少一者，例如含氧氣體(如氧氣、臭氧、或其它合適的氣體、或上述的組合)、含氮氣體(如氮氣、氧化氮、氧化亞氮、或其它合適的氣體、或上述的組合)、含氫氣體(如氫氣、水蒸氣、或其它合適的氣體、或上述的組合。)、或其它合適的氣體、或上述的組合。本發(fā)明以氧氣電漿為例，但不限于此。因此，圖5E 中的遮光層220的厚度U實質上小于圖5D中的第一罩幕圖案520a的厚度t3。上述至此，本實施例的具有遮光層220的基板210已大致制作完成。接下來，繼續(xù)說明彩色濾光基板200的后續(xù)制作步驟。圖5F繪示本發(fā)明的一實施例的形成彩色濾光圖案的剖面圖。請同時參照圖4及圖5F，在步驟S403 中，于環(huán)狀凹槽A與中心區(qū)域B上形成多個彩色濾光圖案230 (圖5F僅繪示一個彩色濾光圖案230為例)。此外，由于遮光層220從外緣AY延伸至環(huán)狀凹槽 A上方，因此，彩色濾光圖案230會與遮光層220的側表面d以及部分的底表面C2接觸。換句話說，遮光層220下方的基板210的底切現(xiàn)象可使彩色濾光圖案230填滿環(huán)狀凹槽A中的靠近外緣處Y。再者，本實施例所述的第一罩幕圖案520a以及第二罩幕圖案520b的材質皆以光阻為例，但不限于此，亦可采用其它感光性材料，例如苯并環(huán)丁烯 (enzocyclobutane， BCB)、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它材料、或上述的組合。此外，于其它實施例中，若遮光層220的材質為反射材質、非透光材質或吸光材質等，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硅化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金屬合金碳化物、金屬合金硅化物、或其它合適的導電或非導電材料、或上述的組合。因此，于其它實施例的制造方法，舉例而言將反射材質層(未繪示)及以光阻為例的第一罩幕材料層520'依序形成于基材510上。然后，利用光源LS的光線透過半調式光罩M對第一罩幕材料層520'進行第一次微影制程，罩幕材料層 520'便得以圖案化，使基材510上形成一罩幕層520，其中罩幕層520包括一第一罩幕圖案520a以及多個第二罩幕圖案520b，且因第一罩幕圖案520a對應至遮光區(qū)Mb，而第二罩幕圖案520b對應至半透光區(qū)Mc，因此，第二罩幕圖案 520b的厚度t3'實質上小于第一罩幕圖案520a的厚度t3。利用蝕刻去除暴露出的反射材料層(未繪示)。此外，暴露出的反射材料層(未繪示)所被蝕刻的量大于第二罩幕圖案520b下的友射材料層(未繪示)所被蝕刻的量。所以，對應于透光區(qū)Ma的暴露出的反射材料層會被移除而暴露出基材510、對應于遮光區(qū)Mb的反射材料層因被第一罩幕圖案520a所保護而使得位于其下的反射材料的厚度最厚以及對應于半透光區(qū)Me的反射材料層因被第二罩幕圖案520b暫時的保護而使得位于其下的反射材料的厚度次之。然后，蝕刻基材510以獲得本實施例所述的設計，再移除剩余的對應于半透光區(qū)Me的反射材料層及第二罩幕圖案 520b。第二實施例本實施例與第一實施例類似，相同之處于此不多加贅述，其中本實施例的彩色濾光圖案的架構與制作過程可參考第一實施例中的圖2A、圖2B、圖3A、圖3B、圖4及其圖示說明。然而，本實施例與第一實施例主要不同之處在于在本實施例中，彩色濾光基板的環(huán)狀凹槽的形成方法是以兩道光罩制程來取代第一實施例中的半調式光罩制程，以下說明本實施例的環(huán)狀凹槽的制作過程。圖6A 圖6G繪示本發(fā)明的第二實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖，其中圖6A 圖6G為沿圖2A中L1-L1'剖面線的部分。請參照圖6A，首先提供一基材610，其中基材610的材質例如是無機透明材質(如玻璃、石英、或其它合適材質、或上述的組合)、有機透明材質(如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙酰酸甲酯類、塑料、聚碳酸酯類、或其它合適材質、或上述的衍生物、或上述的組合)、或上述的組合等硬質或軟質透光材料。本發(fā)明以玻璃為例，但不限于此。接著，請參照圖6B，于基材610上形成一厚度為t5的第一罩幕材料層620，并對第一罩幕材料層620進行第一次微影制程Pl 。詳言之，第一罩幕材料層620 較佳地以一正型光阻為例，而本實施例是利用光源LS1的光線透過光罩M1對第一罩幕材料層620進行第一次微影制程Pl，其中光罩Ml可具有透光區(qū)Ma 以及遮光區(qū)Mb。當然，在其它實施例中，第一罩幕材料層620也可以是一負型光阻，則光罩Ml上的透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb的位置就必需作相對應的調整。承上述，對第一罩幕材料層620進行第一次微影制程Pl之后，第一罩幕材料層620便得以圖案化，使基材610上形成一第一罩幕圖案220，如圖6C所示。其中，第一罩幕圖案220又可稱作遮光層220。接下來，請參照圖6D，于基材610上形成一第二罩幕材料層630'，其中第二罩幕材料層630'的厚度15'實質上小于第一罩幕圖案220的厚度t5。此外，第一罩幕材料層620與第二罩幕材料層630'的材質可以不同或實質上相同。然后，對第二罩幕材料層630'進行第二次微影制程P2。詳言之，第二罩幕材料層630'較佳地以一正型光阻為例，而本實施例是利用光源LS2的光線透過光罩M2對第二罩幕材料層630'進行第二次微影制程P2，其中光罩M2可具有透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb。當然，在其它實施例中，第二罩幕材料層630' 也可以是一負型光阻，則光罩M2上的透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb的位置就必需作相對應的調整。承上述，對第二罩幕材料層630'進行第二次微影制程P2之后，第二罩幕材料層630'便得以圖案化，使基材610上形成多個第二罩幕圖案630，如圖 6E所示，其中圖6E僅繪示一個第二罩幕圖案630為例。此時，基材610上的第一罩幕圖案220及第二罩幕圖案630可構成一罩幕層640，且第二罩幕圖案 630的厚度t5'實質上小于第一罩幕圖案220的厚度t5。之后，對基材610進行蝕刻制程，以移除部分未被罩幕層640覆蓋的基材 610,并形成具有環(huán)狀凹槽A、對應于第一罩幕圖案220的遮光區(qū)域C以及對應于第二罩幕圖案630的中心區(qū)域B的基板210，如圖6F所示。從另一個角度來看，請同時參照圖2A及圖6F，遮光區(qū)域C位于環(huán)狀凹槽A之間，且環(huán)狀凹槽 A具有一與中心區(qū)域B連接的內緣Ax以及一與遮光區(qū)域C連接的外緣AY。較特別的是，上述的蝕刻制程例如是一等向性蝕刻制程，使環(huán)狀凹槽A上方的第一罩幕圖案220 (遮光層220)以及第二罩幕圖案630呈現(xiàn)底切的現(xiàn)象。換句話說，第一罩幕圖案220 (遮光層220)會從外緣Ay延伸至環(huán)狀凹槽A上方，而第二罩幕圖案630會從內緣Ax延伸至環(huán)狀凹槽A上方。而后，于基板210上進行去光阻制程以移除第二罩幕圖案630，如圖6G所示。上述至此，本實施例的具有遮光層220的基板210已大致制作完成。接下來，可進行彩色濾光基板200的后續(xù)制作步驟，由于這部分的制作步驟與第一實施例相類似，因此，請參照圖5F及其說明，在此不加以累述。如圖 5F所示，彩色濾光圖案230會與遮光層220的側表面d以及部分的底表面C2 接觸，以使彩色濾光圖案230可填滿環(huán)狀凹槽A中的靠近外緣處Y。在本實施例中的遮光層220及第二罩幕圖案630皆以感光性材料，例如光阻、苯并環(huán)丁烯(enzocydobutane， BCB)、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙垸類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、—聚酮類、或其它材料、或上述的組合，且以光阻為例，但不限于此。在其它實施例，遮光層220 及第二罩幕圖案630其中至少一者亦可使用反射材質、非透光材質、吸光材質等，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硅化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金屬合金碳化物、金屬合金硅化物、或其它合適的導電或非導電材料、或上述的組合。因此，于其它實施例的制造方法舉例而言將反射材質層(未繪示)及第一罩幕材料層620依序形成于基材610上。然后，利用光源LS1的光線透過光罩M1對第一罩幕材料層620進行第一次微影制程Pl，使第一罩幕材料層620暴露出部分的反射材質層(未繪示)，且進行蝕刻步驟移除被暴露出的反射材質層(未繪示)，并移除第一罩幕材料層620，則可以獲得反射材質圖案層，以當作遮光層220，其會暴露出部分的基材610,如圖6C所示。第二罩幕圖案630制造方法可釆用第二實施例的實施方式或是其它實施方式。于其它實施方式，舉例說明將另一反射材質層(未繪示)及第二罩幕材料層630'依序形成于基材610上并覆蓋遮光層 220與基材610。然后，利用光源LS2的光線透過光罩M2對第二罩幕材料層 630'進行第二次微影制程P2，使第二罩幕材料層620暴露出部分的另一反射材質層(未繪示)，且進行蝕刻步驟移除被暴露出的另一反射材質層(未繪示)，并移除第二罩幕材料層630'，則可以獲得反射材質圖案層(第二罩幕圖案630:)，其會暴露出基材610與遮光層220，如圖6F所示。其中，反射材質層(未繪示) 的厚度實質上大于另一反射材質層的厚度，且二者材質層的材質可實質上相同或不同。其后續(xù)的制程如圖6G所示，亦不再說明。圖7A繪示本發(fā)明的一實施例的具有彩色濾光基板的顯示器的立體圖。請參照圖7A，本實施例的顯示器750包括一顯示面板740以及一背光模組720，其中顯示面板740主要由一彩色濾光基板700、一位于彩色濾光基板700對面的畫素陣列基板712以及一位于彩色濾光基板700與畫素陣列基板712之間的顯示介質714所構成。圖7B為沿圖7A中L2-L2'剖面線的剖面圖。請參照圖7B,在本實施例中，彩色濾光基板700除了包括前述的彩色濾光基板200的構件(在此不重復這些構件的相關敘述)，還包括一平坦層702以及一透明電極704其中至少一者，本發(fā)明以包含平坦層702及透明電極704為例，但不限于此，其中平坦層702與透明電極704覆蓋環(huán)狀凹槽A、中心區(qū)域B以及遮光區(qū)域C。另外，畫素陣列基板712可具有一畫素陣列712P以及一與畫素陣列712P連接的周邊線路(未繪示)，其中畫素陣列712P可具有分別與環(huán)狀凹槽A、中心區(qū)域B以及遮光區(qū)域C對應的穿透顯示區(qū)域T、反射顯示區(qū)域R以及對向遮光區(qū)域C'。承上述，周邊線路(未繪示)用以驅動畫素陣列712P，使穿透顯示區(qū)域T 可藉由背光模組720所提供的背光BL來顯示畫面，而反射顯示區(qū)域R則可藉由顯示器750外的環(huán)境光EL反射至每個反射顯示區(qū)域R內所設置的反射電極 712R來顯示畫面。為使穿透顯示區(qū)域T貼與反射顯示區(qū)域R的顯示畫面更加協(xié) 調，在本實施例中，彩色濾光圖案230的第一圖案230a的厚度^實質上為第二圖案230b的厚度t2的2倍為例，但不限于此，亦可如第一實施例所述。必需說明的是，本實施例的顯示介質714以光線調控材料(light modulated material)為例，其材質例如液晶，但不限于此。于其它實施例中，顯示介質714可釆用自發(fā)光材料，例如有機材料、無機材料、或上述的組合。此時，于另一其它實施例中，顯示介質714可同時采用光線調控材料及自發(fā)光材料。此外，圖7B揭露出薄膜晶體管(未標示)結構以底閘型為例，但不限于此，亦可采用頂閘型或其它合適的晶體管型態(tài)。其中，簡單地舉例說明底閘型晶體管包含閘極、覆蓋閘極的絕緣層、形成于絕緣層上的半導體層、源極及汲極分別形成于部分半導體層上，且源極與汲極二者分離。頂閘型晶體管包含半導體層、覆蓋半導體層的絕緣層、形成于絕緣層上的閘極、覆蓋閘極及絕緣層的內層絕緣層、源極及汲極分別形成于部分內層絕緣層上與半導體連接，且源極與汲極二者分離。在其它實施例中，亦可不包含反射電極712R，而是使用晶體管所使用的導體層，女口源極/汲極、數(shù)據(jù)線、或儲存電容的上/下電極，因導體層的材質具有反射光線的性質，而可以反射光線，來形成微反射區(qū)域，亦等同于本實施例所述的反射電極712R。從圖7B可知，由于遮光層220下方的基板210呈現(xiàn)底切現(xiàn)象，則彩色濾光圖案230便可填滿環(huán)狀凹槽A的靠近內緣處X，以使彩色濾光圖案230的上表面S2更為平坦，進一步使顯示器750所顯示的畫面具有良好的光學特性。此外，遮光區(qū)域C通常所對應至對向遮光區(qū)域C'是以界定畫素區(qū)域(未標示)的線路為例，線路包含閘極線及資料線。但有時為了配合設計上的需要，遮光區(qū)域C亦會對應位于畫素區(qū)域中的配向元件，如突出物、狹縫及上述的組合。第三實施例本實施例與第一實施例類似，相同之處于此不多加贅述，其中本實施例的彩色濾光圖案的架構與制作過程可參考第一實施例中的圖2A、圖4及其圖示說明。然而，本實施例與第一實施例主要不同之處在于本實施例的彩色濾光基板更包括多個反射層以及多個襯層(LinerLayer),以下說明本實施例的彩色濾光基板的架構與制作過程。圖8為沿圖2A中L3-L3'剖面線的剖面圖，其中圖8僅繪示一個彩色濾光圖案230及一個環(huán)狀凹槽A。請參照圖8，基板210上的中心區(qū)域B與遮光區(qū) 域C較佳地是位于同一平面Sl'上為例。此外，環(huán)狀凹槽A具有一與中心區(qū)域 B連接的內緣Ax以及一與遮光區(qū)域C連接的外緣AY。遮光層220配置于遮光區(qū)域C上，且遮光層220從環(huán)狀凹槽A的外緣AY延伸至環(huán)狀凹槽A的上方。而彩色濾光圖案230配置于環(huán)狀凹槽A與中心區(qū)域B上，且彩色濾光圖案230 會與遮光層220的側表面d以及部分的底表面Q接觸。也就是說，遮光層220 不會完全覆蓋彩色濾光圖案230。承上述，本實施例的彩色濾光基板200更包括多個反射層840R以及多個襯層S40L (圖8僅繪示一個反射層840R為例)，其中反射層840R配置于中心區(qū) 域B上，而襯層840L配置于遮光層220與基板210之間。此外，反射層840R 會從內緣Ax延伸至環(huán)狀凹槽A上方，換句話說，遮光層220與反射層840R下方的基板210呈現(xiàn)底切的現(xiàn)象。由圖S可知，在本實施例中，環(huán)狀凹槽A具有一底部A3，例如平坦底部或不平坦底部，本發(fā)明較佳地以平坦底部為例，但不限于此。在以平坦底部A3為基準所測量出的環(huán)狀凹槽A的深度為最大深度d'，其中最大深度d'例如約為1微米，且深度值可為多點平均數(shù)值或單點數(shù)值。此外，環(huán)狀凹槽A的深度在靠近內緣處X與靠近外緣處Y會逐漸減少。請繼續(xù)參照圖8，在本實施例中，彩色濾光圖案230，較佳地，具有實質上平坦的上表面S2'為例，但不限于此，亦可為不平坦的上表面。另外，彩色濾光圖案230包括一第一圖案830a以及一第二圖案830b，其中第一圖案830a 配置于環(huán)狀凹槽A上，第二圖案830b配置于中心區(qū)域B上，且第一圖案830a 的厚度tr 較佳地實質上為第二圖案830b的厚度t2'的2倍，但不限于此。在其它實施例中，第一圖案830a的厚度t,實質上為第二圖案830b的厚度t2的其它倍數(shù)，如大于0的自然數(shù)，亦即厚度ti實質上大于厚度t2。本實施例的遮光層220包括一具有疏水特性的疏水層820a。在其它實施例中，疏水層820a，較佳地，也可以是一外表面經(jīng)過疏水處理的黑矩陣層。抑或，利用其它制程技術來使遮光層220具有疏水特性。本發(fā)明并不限定上述的制程方法以使遮光層220具有疏水特性。較特別的是，本實施例采用噴墨印刷技術將彩色顏料噴印至基板210上以形成上述彩色濾光圖案230。圖8A及圖8B繪示本發(fā)明的另一實施例的利用噴墨印刷制程以形成彩色濾光圖案的剖面流程示意圖。由于本實施例的形成彩色濾光圖案230的制作過程與第一實施例相類似，相同之處便不多加贅述，而兩者不同之處在于本實施例的彩色濾光基板200更包括反射層840R及襯層 840L，其中反射層840R配置于中心區(qū)域B上，而襯層840L配置于基板210與遮光層220之間。然而，欲了解圖8A及圖8B中的噴墨印刷制程IJP'，可參考圖2A、圖2B及其圖示說明，其中相同或相似的標號代表相同或相似的構件。簡言之，請同時參照圖2A、圖8A及圖8B，當彩色顏料830c噴印至基板 210上時，疏水層820a的疏水特性可避免彩色顏料830c溢出環(huán)狀凹槽A，或使不同顏色的彩色顏料S30c發(fā)生相互混染的現(xiàn)象獲得改善，進一步提升彩色濾光圖案230的品質。此外，基板210在靠近外緣處Y呈現(xiàn)底切的現(xiàn)象，可有效解決靠近外緣處Y發(fā)生彩色顏料830c未填滿的問題。此外，于其它實施例中亦可不用疏水層或疏水處理，因遮光層上的彩色顏料通常不會顯色，而可不必顧慮要不要去除。以下說明本實施例的彩色濾光基板200的制作方法流程，請同時參照圖2A、圖8及圖4，首先，在步驟S401中，提供一已形成有一遮光層220的基板210，其中基板210具有多個環(huán)狀凹槽A、多個中心區(qū)域B以及一位于環(huán)狀凹槽A之間的遮光區(qū)域C，而各環(huán)狀凹槽A分別具有一與各中心區(qū)域B連接的內緣Ax 以及一與遮光區(qū)域C連接的外緣Ay。此外，遮光層220配置于遮光區(qū)域C上，且遮光層220從各外緣Ay延伸至環(huán)狀凹槽A上方。舉例來說，上述的環(huán)狀凹槽A的形成方法如下。圖9A 圖9F繪示本發(fā)明的第三實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖。請參照圖9A，首先提供一基材 910，其中基材910的材質例如是無機透明材質(如玻璃、石英、或其它合適材質、或上述的組合)、有機透明材質(如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙酰酸甲酯類、塑料、聚碳酸酯類、或其它合適材質、或上述的衍生物、或上述的組合)、或上述的組合等硬質或軟質透光材料。本發(fā)明以玻璃為例，但不限于此。再者，請參照圖9B，于基材910上形成一反射材料層940，其中反射材料層940的材質例如是金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硅化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金屬合金碳化物、金屬合金硅化物、或其它合適的導電或非導電材料、或上述的組合。接著，請參照圖9C，于反射材料層940上形成一罩幕材料層920'，并較佳地以半調式光罩(HalfToneMask，HTM)對罩幕材料層920'進行制程為例，其中罩幕材料層920'為感光性材料例如是一正型光阻。此外，半調式光罩M' 可具有透光區(qū)Ma、遮光區(qū)Mb以及半曝光區(qū)Me，而光源LS'的光線可透過半調式光罩M'對罩幕材料層920'進行微影制程。當然，在其它實施例中，罩幕材料層920'也可以是一負型光阻，則半調式光罩M'上的透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb的位置就必需作相對應的調整。承上述，對罩幕材料層920'進行半調式光罩制程之后，罩幕材料層920' 便得以圖案化，使基材910上形成一罩幕層920，如圖9D所示，其中罩幕層920包括一第一罩幕圖案920a以及多個第二罩幕圖案920b (圖9D僅繪示一個第二罩幕圖案920b為例)。值得一提的是，由于第一罩幕圖案920a及第二罩幕圖案920b分別對應至半調式光罩M'(繪示于圖9C)的遮光區(qū)Mb及半曝光區(qū) Mc，因此，第二罩幕圖案920b的厚度t6'實質上小于第一罩幕圖案920a的厚度ts。之后，請繼續(xù)參照圖9D，對反射材料層940與基材910進行蝕刻制程，以移除部分未被罩幕層920覆蓋的反射材料層940與基材910，并形成具有環(huán)狀凹槽A、對應于第一罩幕圖案920a的遮光區(qū)域C、對應于第二罩幕圖案920b 的中心區(qū)域B、反射層840R以及襯層840L的基板210，如圖犯所示。反射層 840R配置于中心區(qū)域B上，襯層840L配置于遮光層與基板210之間。請同時參照圖2A及圖9E，此時，遮光區(qū)域C位于環(huán)狀凹槽A之間，且環(huán)狀凹槽A具有一與中心區(qū)域b連接的內緣ax以及一與遮光區(qū)域c連接的外緣ay。值得一提的是，上述的蝕刻制程較佳地是一等向性蝕刻制程為例，使第一罩幕圖案920a與襯層840L下方的基板210呈現(xiàn)底切的現(xiàn)象，同理，第二罩幕圖案920b與反射層840R下方的基板210亦有底切的現(xiàn)象。換句話說，第一罩幕圖案920a與襯層840L會從外緣Ay延伸至壞狀凹槽A上方，而第二罩幕圖案920b與反射層840R會從內緣Ax延伸至環(huán)狀凹槽A上方。而后，移除第二罩幕圖案920b。詳言之，在本實施例中，移除第二罩幕圖案920b的方式，較佳地以一灰化制程為例，其可利用氣體電漿對第一罩幕圖案 920a以及第二罩幕圖案920b進行一非等向性蝕刻制程為例。進一步移除第二罩幕圖案920b并形成一從外緣Ay延伸至環(huán)狀凹槽A上方遮光層220，如圖9F所示。其中，氣體電漿包含其中至少一者，例如含氧氣體(如氧氣、臭氧、或其它合適的氣體、或上述的組合)、含氮氣體(如氮氣、氧化氮、氧化亞氮、或其它合適的氣體、或上述的組合)、含氫氣體(如氫氣、水蒸氣、或其它合適的氣體、或上述的組合。)、或其它合適的氣體、或上述的組合。本發(fā)明以氧氣電漿為例，但不限于此。因此，圖9F中的遮光層220的厚度&實質上小于圖9E中的第一罩幕圖案920a的厚度t6。上述至此，本實施例的具有遮光層220 的基板已大致制作完成。接下來，本實施例的彩色濾光基板200的后續(xù)制作步驟與第一實施例相類似，請參考圖4中的步驟S403并搭配圖5F以了解制作過程，在此不加以累述。如圖5F所示，由于彩色濾光圖案230會與遮光層220的側表面d以及部分的底表面C2接觸。換句話說，遮光層220下方的基板210的底切現(xiàn)象可使彩色濾光圖案230無法填滿靠近外緣處Y的情形獲得改善。再者，本實施例的罩幕層920以感光性材料為例，若使用反射材質、非透光材質、吸光材質等，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硅化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金屬合金碳化物、金屬合金硅化物、或其它合適的導電或非導電材料、或上述的組合，則其實施方式，如第一實施例所述的其它實施例的實施方式。另外，本實施例的制造方法及所制造出來的結構，亦可運用于上述實施例的圖7A與7B中或其它的合適的結構中。第四實施例本實施例與第三實施例類似，相同之處于此不多加贅述，其中本實施例的彩色濾光圖案的架構與制作過程可參考第三實施例中的圖2A、圖8、圖8A、圖 8B、圖4及其圖示說明。然而，本實施例與第三實施例主要不同之處在于在本實施例中，彩色濾光基板的環(huán)狀凹槽的形成方法是以兩道光罩制程來取代第三實施例中的半調式光罩制程，以下說明本實施例的環(huán)狀凹槽的制作過程。圖10A 圖IOH繪示本發(fā)明的第四實施例的環(huán)狀凹槽的制作流程剖面圖，其中圖10A 圖IOH為沿圖2A中L3-L3'剖面線的部分。請參照圖IOA，首先提供一基材1010'，其中基材1010'的材質例如是無機透明材質(如玻璃、石英、或其它合適材質、或上述的組合)、有機透明材質(如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙酰酸甲酯類、塑料、聚碳酸酯類、或其它合適材質、或上述的衍生物、或上述的組合)、或上述的組合等硬質或軟質透光材料。本發(fā)明以玻璃為例，但不限于此。'再者，請參照圖IOB，于基材1010'上形成一反射材料層940，其中反射材料層940的材質例如是金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硅化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金屬合金碳化物、金屬合金硅化物、或其它合適的導電或非導電材料、或上述的組合接著，請參照圖IOC，于反射材料層940上形成一厚度為t7的第一罩幕材料層1020，并對第一罩幕材料層1020進行第一次微影制程P1'。詳言之，第一罩幕材料層1020為感光性材料例如是一正型光阻，而本實施例是利用光源 LSI'的光線透過光罩M1'對第一罩幕材料層1020進行第一次微影制程P1'，其中光罩M1'可具有透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb。當然，在其它實施例中，第一罩幕材料層1020也可以是一負型光阻，則光罩M1'上的透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb的位置就必需作相對應的調整。承上述，對第一罩幕材料層1020進行第一次微影制程Pl'之后，第一罩幕材料層1020便得以圖案化，使反射材料層940上形成一第一罩幕圖案220，如圖10D所示。其中，第一罩幕圖案220又可稱作遮光層220。接下來，請參照圖10E，于反射材料層940上形成一第二罩幕材料層1030'，其中第二罩幕材料層1030'的厚度t/實質上小于第一罩幕圖案220的厚度t7。此外，第一罩幕材料層1020與第二罩幕材料層1030'的材質可以實質上相同或不同。然后，對第二罩幕材料層進行第二次微影制程P2'。詳言之，第二罩幕材料層1030'為感光性材料例如是一正型光阻，而本實施例是利用光源 LS2'的光線透過光罩M2'對第二罩幕材料層1030'進行第二次微影制程 P2'，其中光罩M2'可具有透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb。當然，在其它實施例中，第二罩幕材料層1030'也可以是一負型光阻，則光罩M2'上的透光區(qū)Ma以及遮光區(qū)Mb的位置就必需作相對應的調整。承上述，對第二罩幕材料層1030'進行第二次微影制程P2'之后，第二罩幕材料層1030'便得以圖案化，使反射材料層940上形成多個第二罩幕圖案 1030,如圖10F所示，其中圖10F僅繪示一個第二罩幕圖案1030為例。此時，反射材料層940上的第一罩幕圖案220及第二罩幕圖案1030可構成一罩幕層 1040，且第二罩幕圖案1030的厚度t7'實質上小于第一罩幕圖案220的厚度t7。之后，對反射材料層940與基材1010'進行蝕刻制程，以移除部分未被罩幕層1040覆蓋的反射材料層940與基材1010'，并形成具有環(huán)狀凹槽A、對應于第一罩幕圖案220的遮光區(qū)域C以及對應于第二罩幕圖案1030的中心區(qū)域 B、反射層840R以及襯層840L的基板1010，如圖10G所示。反射層840R配置于中心區(qū)域B上，襯層840L配置于遮光層220與基板1010之間。請同時參照圖2A及圖10G，此時，遮光區(qū)域C位于環(huán)狀凹槽A之間，且環(huán)狀凹槽A具有一與中心區(qū)域B連接的內緣Ax以及一與遮光區(qū)域C連接的外緣AY。較特別的是，上述的蝕刻制程較佳地以一等向性蝕刻制程為例，使第一罩幕圖案220與襯層840L下方的基板1010呈現(xiàn)底切的現(xiàn)象，同理，第二罩幕圖案1030與反射層840R下方的基板1010亦有底切的現(xiàn)象。換句話說，第一罩幕圖案220與襯層840L會從外緣AY延伸至環(huán)狀凹槽A上方，而第二罩幕圖案1030 與反射層840R會從內緣Ax延伸至環(huán)狀凹槽A上方。而后，于基板IOIO上進行去光阻制程以移除第二罩幕圖案1030，如圖10H 所示。上述至此，本實施例的具有遮光層220的基板1010已大致制作完成。接下來，可進行彩色濾光基板200的后續(xù)制作步驟，由于這部分的制作步驟與第三實施例相類似，因此，請參照圖5F及其說明，在此不加以累述。如圖 5F所示，彩色濾光圖案230會與遮光層220的側表面d以及部分的底表面C2 接觸，則此有助于使環(huán)狀凹槽A的靠近外緣處Y填滿彩色濾光圖案230。再者，本實施例的第一罩幕材料層1020與第二罩幕材料層1030'以感光性材料為例，若使用反射材質、非透光材質、吸光材質等，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硅化物、金屬合金、金屬合金氮化物、金屬合金氮氧化物、金屬合金碳化物、金屬合金硅化物、或其它合適的導電或非導電材料、或上述的組合，則其實施方式，如第二實施例所述的其它實施例的實施方式。另外，本實施例的制造方法及所制造出來的結構，亦可運用于上述實施例的圖7A與7B或其它的合適的結構中。必需說明的是上述實施例皆以圖2A所述的彩色濾光基板的局部俯視圖為例，其中彩色濾光基板可包括紅色區(qū)域、綠色區(qū)域與藍色區(qū)域為例，但不限于上述的色彩。而其每個區(qū)域，例如以紅色區(qū)域包含一個環(huán)狀凹槽A及一個中心區(qū)域B為例，但不限于此個數(shù)。以俯視圖說明，舉例而言每個區(qū)域包含多個環(huán)狀區(qū)域及一個中心區(qū)域，每個環(huán)狀區(qū)域的接點皆低于中心區(qū)域、每個區(qū)域包含多個中心區(qū)域與一個環(huán)狀區(qū)域的設計方式如上述實施例所述、或是每個區(qū)域包含多個中心區(qū)域與多個環(huán)狀區(qū)域的設計方式如上述實施例所述。本發(fā)明上述實施例的彩色濾光基板可運用于電子裝置，且其制造方法亦包含上述實施例的彩色濾光基板制造方法。請參照圖11，是包含上述實施例所述的彩色濾光基板的顯示面板1110可以跟電子元件1120電性連接而組合成一電子裝置1100。這里要說明的是，電子元件1120包括如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、存儲元件、驅動元件、發(fā)光元件、保護元件、感測元件、偵測元件、或其它功能元件、或前述的組合。而電子裝置1100的類型包括可攜式產品(如手機、攝影機、照相機、筆記本電腦、游戲機、手表、音樂播放器、電子信件收發(fā)器、地圖導航器、數(shù)字相片、或類似的產品)、影音產品(如影音放映器或類似的產品)、屏幕、電視、戶外/戶內廣告牌、投影機內的面板等。綜上所述，本發(fā)明的彩色濾光基板的制作方法，是利用基板上的環(huán)狀凹槽及中心區(qū)域來形成不同厚度的彩色濾光圖案，所以形成彩色濾光圖案的制程步驟便可加以簡化，以降低制程的成本及工時。此外，環(huán)狀凹槽的靠近外緣處的基板呈現(xiàn)底切的現(xiàn)象，促使彩色濾光圖案具有平坦的上表面。因此，將本發(fā)明的彩色濾光基板應用于顯示器中，則可有效提升顯示器的光學品質。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的構思和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權利要求書所界定的為準。
權利要求
1.一種彩色濾光基板，其特征在于，所述彩色濾光基板包括一基板，具有多個環(huán)狀凹槽、多個中心區(qū)域以及一位于該些環(huán)狀凹槽之間的遮光區(qū)域，其中各該環(huán)狀凹槽分別具有一與各該中心區(qū)域連接的內緣以及一與該遮光區(qū)域連接的外緣；一遮光層，配置于該遮光區(qū)域上，其中該遮光層從各該外緣延伸至該些環(huán)狀凹槽上方；以及多個彩色濾光圖案，配置于該些環(huán)狀凹槽與該些中心區(qū)域上，其中該些彩色濾光圖案會與該遮光層的側表面以及部分的底表面接觸。
2. 如權利要求1所述的彩色濾光基板，其特征在于，各該環(huán)狀凹槽的深度在靠近該內緣與該外緣處會逐漸減少。
3. 如權利要求1所述的彩色濾光基板，其特征在于，該些彩色濾光圖案具有平坦的上表面。
4. 如權利要求3所述的彩色濾光基板，其特征在于，各該彩色濾光圖案包括一第一圖案，配置于該環(huán)狀凹槽上；以及一第二圖案，配置于該中心區(qū)域上，且該第一圖案的厚度實質上為該第二圖案的厚度的2倍。
5. 如權利要求1所述的彩色濾光基板，其特征在于，該遮光層包括一疏水層。
6.如權利要求5所述的彩色濾光基板，其特征在于，該疏水層包括一外表面經(jīng)過疏水處理的黑矩陣層。
7. 如權利要求1所述的彩色濾光基板，其特征在于，所述彩色濾光基板還包括多個反射層，其中各該反射層分別配置于其中一個中心區(qū)域上。
8. 如權利要求7所述的彩色濾光基板，其特征在于，各該反射層從各該內緣延伸至對應的環(huán)狀凹槽上方。
9. 如權利要求7所述的彩色濾光基板，其特征在于，所述彩色濾光基板還包括多個襯層，且各該襯層分別配置于該遮光層與該基板之間。
10. 如權利要求1所述的彩色濾光基板，其特征在于，該基板上的該些中心區(qū)域與該遮光區(qū)域位于同一平面。
11. 一種彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，所述彩色濾光基板的制作方法包括提供一已形成有一遮光層的基板，其中該基板具有多個環(huán)狀凹槽、多個中心區(qū)域以及一位于該些環(huán)狀凹槽之間的遮光區(qū)域，各該環(huán)狀凹槽分別具有一與各該中心區(qū)域連接的內緣以及一與該遮光區(qū)域連接的外緣，該遮光層配置于該遮光區(qū)域上，且該遮光層從各該外緣延伸至該些環(huán)狀凹槽上方；以及于該些環(huán)狀凹槽與該些中心區(qū)域上形成多個彩色濾光圖案，以使該些彩色濾光圖案與該遮光層的側表面以及部分的底表面接觸。
12. 如權利要求11所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些環(huán)狀凹槽的形成方法包括提供一基材；于該基材上形成一罩幕層，其中該罩幕層包括一第一罩幕圖案以及多個第二罩幕圖案，且各該第二罩幕圖案的厚度實質上小于該第一罩幕圖案的厚度；移除部分未被該罩幕層覆蓋的該基材，以形成該些環(huán)狀凹槽以及對應于該些第二罩幕圖案的該些中心區(qū)域；以及移除該些第二罩幕圖案。
13. 如權利要求12所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案是藉由半調式光罩制程形成。
14. 如權利要求12所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案是藉由二微影制程分別形成。
15. 如權利要求14所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案的材質不同。
16. 如權利要求11所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些環(huán)狀凹槽的形成方法包括提供一基材；于該基材上形成一反射材料層；于該反射材料層上形成一罩幕層，其中該罩幕層包括一第一罩幕圖案以及多個第二罩幕圖案，且各該第二罩幕圖案的厚度實質上小于該第一罩幕圖案的厚度；移除部分未被該罩幕層覆蓋的該反射材料層與該基材，以形成該些環(huán)狀凹槽、對應于該些第二罩幕圖案的該些中心區(qū)域、多個反射層以及多個襯層，其中各該反射層分別配置于其中一個中心區(qū)域上，而各該反射層從各該內緣延伸至對應的部分環(huán)狀凹槽上方，且各該襯層分別配置于該遮光層與該基板之間；以及移除該些第二罩幕圖案。
17. 如權利要求16所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案是藉由半調式光罩制程形成?！?br> 18.如權利要求16所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案是藉由二微影制程分別形成。
19. 如權利要求18所述的彩色濾光基板的制作方法，其特征在于，該些第一罩幕圖案與該第二罩幕圖案的材質不同。
20. —種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包含如權利要求1所述的彩色濾光基板。
21. —種電子裝置的制作方法，其特征在于，所述電子裝置的制作方法包含如權利要求11所述的彩色濾光基板的制作方法。
全文摘要
一種彩色濾光基板、電子裝置及其制作方法。所述彩色濾光基板包括一基板、一遮光層以及多個彩色濾光圖案?；寰哂卸鄠€環(huán)狀凹槽、多個中心區(qū)域以及一位于環(huán)狀凹槽之間的遮光區(qū)域，其中各環(huán)狀凹槽分別具有一與各該中心區(qū)域連接的內緣以及一與遮光區(qū)域連接的外緣。遮光層配置于遮光區(qū)域上，且從各外緣延伸至環(huán)狀凹槽上方。彩色濾光圖案配置于環(huán)狀凹槽與中心區(qū)域上，且與遮光層的側表面以及部分的底表面接觸。所述彩色濾光圖案應用于顯示器時能提升顯示器的光學表現(xiàn)。所述彩色濾光基板的制作方法可降低上述彩色濾光基板的制程的復雜度。所述電子裝置具有上述的彩色濾光基板。所述電子裝置的制作方法用以制作出具有上述的彩色濾光基板的電子裝置。
文檔編號G02F1/1335GK101329468SQ20081012809
公開日2008年12月24日申請日期2008年7月29日優(yōu)先權日2008年7月29日
發(fā)明者曹俊杰, 林漢涂申請人:友達光電股份有限公司

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