專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示面板，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示面板中 的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前市場對于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)皆朝向高對比度(contmst ratio)、無灰階反轉(zhuǎn)(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、高色f包禾口度(color saturation)、快速反應(yīng)(response)以及廣視角(viewing angle)等方向發(fā)展。目前常 見的廣視角技術(shù)包括扭轉(zhuǎn)向列型液晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、 共平面切換式(In-Plane Switching, IPS)液晶顯示器、邊際場切換式(Fringe Field Switching ， FFS)液晶顯示器與多象限垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶顯示器。以多象限垂直配向液晶顯示面板為例，其可通 過一些配向圖案(alignment patterning),如配向凸起物(alignment protrusion)或狹 縫(slit)，以使得每一像素中的液晶分子呈多方向排列，進(jìn)而得到多個不同的配 向象限(domain)。對于公知的多象限垂直配向液晶顯示面板而言，由于形成于 彩色濾光基板或薄膜晶體管陣列基板上的配向凸起物(alignment protrusions)或 狹縫(slits)可以使得液晶分子呈多方向排列，而得到多個不同的配向象限 (domains),因此多象限垂直配向液晶顯示面板能夠達(dá)成廣視角的要求。
圖1A為公知液晶顯示面板的上視示意圖，而圖IB是沿著圖1A中的 11-11，剖面線所示的剖面示意圖。在公知的半穿透半反射式多象限垂直配向液 晶顯示面板100中，其彩色濾光基板上會設(shè)置有多個配向凸起物P，且這些配 向凸起物P會分布于反射電極103以及穿透電極104上方。且反射電極103 與穿透電極104中間會有主狹縫(main slit)SS，其目的是使穿透電極104與反 射電極103邊緣的液晶LC往配向凸起物P傾倒。由于配向凸起物P是設(shè)置于 反射電極103與穿透電極104的中間，其能夠改變電力線的分布，而使液晶 LC往配向凸起物P方向傾倒，以達(dá)到廣視角的目的。此外，反射電極103與
穿透電極104間也會有連接部105，以使反射電極103與穿透電極104彼此電 性連接，此連接部105可與反射電極103或穿透電極104使用相同的電極材料。 然而，連接部105會改變液晶層中電力線的分布。在一般的操作下，液晶 分子可以穩(wěn)定的排列，但是當(dāng)有外力壓迫液晶面板時，連接部105就會成為液 晶分子排列不好的主要原因。也就是說，當(dāng)液晶面板在遭受外力壓迫之后，液 晶分子受到上述扭曲的電場影響，無法快速回復(fù)到原本的排列狀態(tài)，造成指壓 色不均(fmger press mura)的現(xiàn)象，嚴(yán)重影響液晶顯示面板的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其應(yīng)用于液晶顯示面板時可有效地改善指壓色 不均(finger press mura)的現(xiàn)象。
本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其遭受外力壓迫之后，液晶分子能夠快速 地回復(fù)到原本的排列狀態(tài)。
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其適于配置于一基板上，并包括一第一像素電 極、 一第二像素電極以及一頂柵極薄膜晶體管。第一像素電極與第二像素電極 配置于基板上方，其中第一像素電極與第二像素電極彼此分離。頂柵極薄膜晶 體管配置于基板與第一像素電極之間，并包括一圖案化半導(dǎo)體層以及一柵極。 圖案化半導(dǎo)體層配置于基板上，且具有多個導(dǎo)電摻雜區(qū)以及至少一連接于導(dǎo)電 摻雜區(qū)之間的通道區(qū)，而其中一個導(dǎo)電摻雜區(qū)由第一像素電極下方延伸至第二 像素電極下方，且同時與第一像素電極以及第二像素電極電性連接。柵極則配 置于通道區(qū)上方。
本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其包括一薄膜晶體管陣列基板、 一對向基 板以及一液晶層。薄膜晶體管陣列基板具有多個上述的像素結(jié)構(gòu)。對向基板配 置于薄膜晶體管陣列基板上方。液晶層配置于薄膜晶體管陣列基板與對向基板 之間。
在本發(fā)明的一實施例中，上述第一像素電極為一反射像素電極，而第二像 素電極為一穿透像素電極。
在本發(fā)明的一實施例中，上述第一像素電極為一第一穿透像素電極，而第 二像素電極為 一第二穿透像素電極。
在本發(fā)明的一實施例中，上述第一像素電極為一第一反射像素電極，而第二像素電極為 一第二反射像素電極。
在本發(fā)明的一實施例中，上述圖案化半導(dǎo)體層實質(zhì)上呈L形。
在本發(fā)明的一實施例中，上述圖案化半導(dǎo)體層具有三個導(dǎo)電摻雜區(qū)以及二
個通道區(qū)，且各通道區(qū)分別連接于二導(dǎo)電摻雜區(qū)之間。
在本發(fā)明的一實施例中，上述柵極為一具有分支的導(dǎo)線，而導(dǎo)線同時覆蓋
于通道區(qū)上方。
在本發(fā)明的一實施例中，上述同時與第一像素電極以及第二像素電極電性 連接的導(dǎo)電摻雜區(qū)包括一第一型摻雜區(qū)以及一第二型摻雜區(qū)。第二型摻雜區(qū)與 第一型摻雜區(qū)連接，其中第一像素電極同時與第一型摻雜區(qū)以及第二型摻雜區(qū) 電性連接，而第二像素電極僅與第二型摻雜區(qū)電性連接。
在本發(fā)明的一實施例中，上述像素結(jié)構(gòu)更包括一緩沖層，其配置于基板與 圖案化半導(dǎo)體層之間。
在本發(fā)明的一實施例中，上述像素結(jié)構(gòu)更包括一柵絕緣層、 一第一介電層、 一第一接觸導(dǎo)體、 一第二接觸導(dǎo)體以及一第二介電層。柵絕緣層配置于基板上 以覆蓋圖案化半導(dǎo)體層，其中柵極配置于柵絕緣層上，且柵絕緣層與第一介電 層具有一第一接觸窗以及一第二接觸窗。第一接觸導(dǎo)體配置于第一介電層上，
并通過第一接觸窗與圖案化半導(dǎo)體層電性連接。第二接觸導(dǎo)體配置于第一介電 層上，并通過第二接觸窗與圖案化半導(dǎo)體層電性連接。第二介電層配置于第一 介電層上，其中第二介電層具有一第三接觸窗以及一第四接觸窗以分別暴露第 一接觸導(dǎo)體以及第二接觸導(dǎo)體，而第一像素電極通過第三接觸窗與第一接觸導(dǎo) 體電性連接，且第二像素電極通過第四接觸窗與第二接觸導(dǎo)體電性連接。
在本發(fā)明的一實施例中，上述像素結(jié)構(gòu)更包括一共用電極，其配置于柵絕 緣層上，其中共用電極與部分的導(dǎo)電摻雜區(qū)重疊。
在本發(fā)明的一實施例中，上述共用電極具有一開口(aperture),而開口的位 置對應(yīng)于第一接觸窗的位置。
在本發(fā)明的一實施例中，上述共用電極呈十字形。
在本發(fā)明的一實施例中，上述像素結(jié)構(gòu)更包括一柵絕緣層、 一第一介電層、 一第一接觸導(dǎo)體、 一第二接觸導(dǎo)體、 一第二介電層以及一墊高層。柵絕緣層配 置于基板上以覆蓋圖案化半導(dǎo)體層，其中柵極配置于柵絕緣層上，且柵絕緣層 與第一介電層具有一第一接觸窗以及一第二接觸窗。第一接觸導(dǎo)體配置于第一
介電層上，并通過第一接觸窗與圖案化半導(dǎo)體層電性連接。第二接觸導(dǎo)體配置 于第一介電層上，并通過第二接觸窗與圖案化半導(dǎo)體層電性連接。第二介電層 配置于第一介電層上。墊高層配置于至少部分的第二介電層上，其中墊高層與 第二介電層具有一第三接觸窗以暴露第一接觸導(dǎo)體，而第二介電層具有一第四 接觸窗以暴露第二接觸導(dǎo)體。第一像素電極通過第三接觸窗與第一接觸導(dǎo)體電 性連接，且第二像素電極通過第四接觸窗與第二接觸導(dǎo)體電性連接。
在本發(fā)明的一實施例中，上述圖案化半導(dǎo)體層的材質(zhì)為多晶硅、單晶硅、 微晶硅或非晶硅。
由于本發(fā)明采用圖案化半導(dǎo)體層直接將影像數(shù)據(jù)導(dǎo)至第一像素電極以及 第二像素電極，使得第一像素電極與第二像素電極之間不需通過連接部直接連
接，有助于液晶顯示面板在遭受外力按壓之后，較不容易有色不均(Mura)的問 題。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉具體實施例，并配 合所附附圖，作詳細(xì)說明如下，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1A為公知液晶顯示面板的上視示意圖； 圖1B是沿著圖1A中的I1-I1'剖面線所示的剖面示意圖； 圖2A是本發(fā)明第一實施例的液晶顯示面板的上視示意圖； 圖2B是沿著圖2A中的12-12'剖面線所示的剖面示意圖； 圖2C為圖2B中部份第一接觸導(dǎo)體與圖案化半導(dǎo)體層在第一接觸窗附近 的放大示意圖3A是本發(fā)明第二實施例的液晶顯示面板的上視示意圖； 圖3B是沿著圖3A中的13-13'剖面線所示的剖面示意圖； 圖4A是本發(fā)明第三實施例的液晶顯示面板的上視示意圖； 圖4B是沿著圖4A中的14-14'剖面線所示的剖面示意圖； 圖5A是本發(fā)明第四實施例的液晶顯示面板的上視示意圖； 圖5B是沿著圖5A中的15-15'剖面線所示的剖面示意圖； 圖6A是本發(fā)明第五實施例的液晶顯示面板的上視示意圖； 圖6B是沿著圖6A中的16-16'剖面線所示的剖面示意圖。
其中，附圖標(biāo)記 101:半導(dǎo)體層 102:像素結(jié)構(gòu) 103:反射電極 104:穿透電極 105:連接部
106、 203:液晶層
200、 200b、 200c、 200d、 200e:液晶顯示面板
201:薄膜晶體管陣列基板
202:對向基板
204:像素結(jié)構(gòu)
205:第一像素電極
206:第二像素電極
207:頂柵極薄膜晶體管
208:圖案化半導(dǎo)體層
208a、 208b、 208c:導(dǎo)電摻雜區(qū)
208' 、 208": 通道區(qū)
209:柵絕緣層
210:緩沖層 211:第一介電層 212:第二介電層 213:墊高層 214:開口 BM:黑矩陣 COM:共用電極 Cst:儲存電容 Dl:第一型摻雜區(qū) D2:第二型摻雜區(qū) DL:數(shù)據(jù)線 G:柵極
11-11， 、 12-12， 、 13-13， 、 14-14， 、 15-15， 、 16-16:剖面線
J: 二極管接面 M:接觸導(dǎo)體
Mh第一接觸導(dǎo)體 M2:第二接觸導(dǎo)體 P:配向突起物 R:反射區(qū) SCF:配向圖案 SS:主狹縫 T:穿透區(qū) W:接觸窗 L:空乏區(qū) Wl:第一接觸窗 W2:第二接觸窗 W3:第三接觸窗 W4:第四接觸窗
具體實施例方式
第一實施例
圖2A是本發(fā)明第一實施例的液晶顯示面板的上視示意圖，而圖2B是沿 著圖2A中的12-12'剖面線所示的剖面示意圖。請同時參照圖2A及圖2B，本 實施例的液晶顯示面板200包括一薄膜晶體管陣列基板201、 一對向基板202 以及一液晶層203。薄膜晶體管陣列基板201具有多個像素結(jié)構(gòu)204，而圖2A 僅示出薄膜晶體管陣列基板201的一個像素結(jié)構(gòu)204及其對向基板202。
對向基板202配置于薄膜晶體管陣列基板201上方。液晶層203配置于薄 膜晶體管陣列基板201與對向基板202之間。對向基板202具有多個配向凸起 物P，其目的是使液晶層203中的液晶分子往配向凸起物P傾倒，以使得每一 像素中的液晶分子呈多方向排列，進(jìn)而得到多個不同的配向象限。另外，配向 凸起物P上方更有一黑矩陣(Blackmatrix) BM，其配置于對向基板202上， 其中黑矩陣BM的材質(zhì)例如是由金屬、有機材料、彩色光阻或其上述的組合的單層或多層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，舉例而言，黑矩陣BM可由多個彩色光阻疊加而成。 由圖2B可知，薄膜晶體管陣列基板201包括像素結(jié)構(gòu)204，其包括一第 一像素電極205、一第二像素電極206以及一頂柵極(TopGate)薄膜晶體管207。 在本實施例中，像素結(jié)構(gòu)204具有一反射區(qū)R與一穿透區(qū)T。第一像素電極 205為一位于反射區(qū)R內(nèi)的反射像素電極，而第二像素電極206為一位于穿透 區(qū)T內(nèi)的穿透像素電極。此外，對向基板202的配向凸起物P則分別位于第 一像素電極205以及第二像素電極206上方。
本實施例的半穿透半反射式像素結(jié)構(gòu)在顯示影像時，穿透區(qū)T內(nèi)的像素電 極206為透明電極，以利于讓背光源所發(fā)出的光線穿透而達(dá)到顯示的效果，而 反射區(qū)R內(nèi)的像素電極205為金屬或其他具有良好反射特性材質(zhì)的反射電極， 以利于反射前光源(front-light)或是外界光源搭配而達(dá)到顯示的效果。在本實 施例中，第一像素電極205為表面具有凸塊(bump)的鋁電極，而穿透像素 電極第二像素電極206為可透光的銦錫氧化物(Indium-tin oxide， ITO)。
值得注意的是，在第一像素電極205與第二像素電極206之間存在一連續(xù) 的主狹縫(continuous main slit) SS使得兩像素電極205、 206彼此分離。此夕卜， 本實施例所描述的像素電極的材料與數(shù)目并非用以限定本發(fā)明。舉例而言，當(dāng) 穿透區(qū)T的面積較大時，可將穿透區(qū)T的數(shù)量增加為2個或是2個以上。另 外，像素結(jié)構(gòu)204可進(jìn)一步包括一柵絕緣層209、 一緩沖層210、 一第一介電 層211、 一第一接觸導(dǎo)體M1、 一第二接觸導(dǎo)體M2、 一第二介電層212以及一 共用電極COM。
頂柵極薄膜晶體管207配置于薄膜晶體管陣列基板201與第一像素電極 205之間，且頂柵極薄膜晶體管207包括一圖案化半導(dǎo)體層208以及一柵極G。 其中，圖案化半導(dǎo)體層208由第一像素電極205下方延伸至第二像素電極206 下方，且同時與第一像素電極205以及第二像素電極206電性連接。在本實施 例中，圖案化半導(dǎo)體層208的材質(zhì)為多晶硅、單晶硅、微晶硅或非晶硅。由圖 2B可知，緩沖層210是配置于基板201與圖案化半導(dǎo)體層208之間。
柵絕緣層209配置于基板201上以覆蓋圖案化半導(dǎo)體層208，其中柵極G 配置于柵絕緣層209上。柵絕緣層209與第一介電層211具有一第一接觸窗 Wl以及一第二接觸窗W2。第一接觸導(dǎo)體M1配置于第一介電層211上，且 第一接觸導(dǎo)體M1通過第一接觸窗Wl與圖案化半導(dǎo)體層208電性連接。第二接觸導(dǎo)體M2配置于第一介電層211上，且第二接觸導(dǎo)體M2通過第二接觸窗 W2與圖案化半導(dǎo)體層208電性連接。第二介電層212配置于第一介電層211 上，其中第二介電層211具有一第三接觸窗W3以及一第四接觸窗W4以分別 暴露第一接觸導(dǎo)體M1以及第二接觸導(dǎo)體M2，而第一像素電極205通過第三 接觸窗W3與第一接觸導(dǎo)體Ml電性連接，且第二像素電極206通過第四接觸 窗W4與第二接觸導(dǎo)體M2電性連接。
從圖2B可知，第二接觸窗W2、第四接觸窗W4以及第二接觸導(dǎo)體M2 的位置與對向基板202的配向凸起物P的位置相對應(yīng)，如此，配向凸起物P 上方的黑矩陣BM可有效地遮蔽第四接觸窗W4的漏光，而第二接觸導(dǎo)體M2 可有效地遮蔽配向凸起物P的漏光。在一些實施例中，依據(jù)不同的面板工藝， 第二接觸窗W2可與第四接觸窗W4對準(zhǔn)或是稍有錯位，同樣地，第一接觸窗 Wl亦可與第三接觸窗W3對準(zhǔn)或稍有錯位。在本實施例中，共用電極COM 配置于柵絕緣層209上且與圖案化半導(dǎo)體層208重疊。詳言之，共用電極COM 與圖案化半導(dǎo)體層208的一部份重疊，且兩者之間存在有柵絕緣層209，以形 成一儲存電容Cst。
請同時參照圖2A及圖2B，依據(jù)上述像素結(jié)構(gòu)204各層之間的配置關(guān)系， 底下將針對影像信號的傳遞路徑做詳細(xì)的描述。首先，當(dāng)經(jīng)掃描線GL傳遞一 導(dǎo)通信號給柵極G使得頂柵極薄膜晶體管207處于導(dǎo)通狀態(tài)(ON)時，影像 信號由數(shù)據(jù)線DL傳遞至第一介電層211上接觸窗W的位置，再通過一位于 接觸窗W位置的接觸導(dǎo)體(未示出)與圖案化半導(dǎo)體層208電性連接并將信 號由數(shù)據(jù)線DL導(dǎo)入圖案化半導(dǎo)體層208。接著，影像信號通過頂柵極薄膜晶 體管207后，由圖案化半導(dǎo)體層208分別將信號傳遞至第一介電層211上的第 二接觸窗W2及第一接觸窗Wl的位置，再將信號分別導(dǎo)入第二接觸導(dǎo)體M2 與第一接觸導(dǎo)體M1。最后，由于第一像素電極205通過第三接觸窗W3與第 一接觸導(dǎo)體M1電性連接，且第二像素電極206通過第四接觸窗W4與第二接 觸導(dǎo)體M2電性連接，因此通過圖案化半導(dǎo)體層208可以將信號成功由數(shù)據(jù)線 DL傳遞至第一像素電極205與第二像素電極206。在本實施例中，圖案化半 導(dǎo)體層208將數(shù)據(jù)線DL的信號，通過多個接觸窗W1 W4與接觸導(dǎo)體Ml、 M2直接同時導(dǎo)通到穿透區(qū)T與反射區(qū)R的電極206、 205中，而不是利用公 知的連接部105將第一像素電極205的電位導(dǎo)至第二像素電極206。 由圖2A可知，圖案化半導(dǎo)體層208實質(zhì)上呈L形，且其具有多個導(dǎo)電摻 雜區(qū)208a、208b、208c以及兩個連接于導(dǎo)電摻雜區(qū)之間的通道區(qū)208' 、208"， 而其中一個導(dǎo)電摻雜區(qū)208c由第一像素電極205下方延伸至第二像素電極206 下方，且同時與第一像素電極205以及第二像素電極206電性連接。此外，柵 極G例如為一具有分支的導(dǎo)線，而此分支導(dǎo)線同時覆蓋于上述通道區(qū)208'、 208"上方，以形成多個頂柵極薄膜晶體管207。
圖2C為部份第一接觸導(dǎo)體與圖案化半導(dǎo)體層在第一接觸窗附近的放大示 意圖。請參照圖2C，第一接觸導(dǎo)體M1配置于第一介電層211上，并通過第 一接觸窗Wl與圖案化半導(dǎo)體層208電性連接。同時與第一像素電極205以及 第二像素電極206電性連接的導(dǎo)電慘雜區(qū)208c包括一第一型摻雜區(qū)Dl以及 一第二型摻雜區(qū)D2。第二型摻雜區(qū)D2與第一型摻雜區(qū)D1連接，其中第一像 素電極205同時與第一型摻雜區(qū)Dl以及第二型摻雜區(qū)D2電性連接，而第二 像素電極206僅與第二型摻雜區(qū)D2電性連接。
舉例而言，儲存電容Cst的導(dǎo)電慘雜區(qū)208c同時具有N型與P型摻雜， 此兩種摻雜的分界位在第一接觸窗Wl正下方。由于第二型摻雜區(qū)D2與第一 型摻雜區(qū)Dl連接的接面為一二極管接面J (p-n junction)，在接面處會形成 一空乏區(qū)L (depletion region)，不利于電流導(dǎo)通。因此本實施例利用第一接 觸導(dǎo)體Ml通過第一接觸窗Wl與導(dǎo)電摻雜區(qū)208c電性連接，提供電流另一 導(dǎo)通路徑，使得圖案化半導(dǎo)體層208將第一像素電極205的電位導(dǎo)至第二像素 電極206時，可以不受二極管接面J的空乏區(qū)L影響。
由于本實施例采用圖案化半導(dǎo)體層208直接將影像數(shù)據(jù)導(dǎo)至第一像素電 極205以及第二像素電極206，使得第一像素電極105與第二像素電極106之 間不需通過連接部105直接連接，可有效地避免電場在連接部105附近發(fā)生嚴(yán) 重的扭曲，有助于改善指壓色不均(finger press mum)的現(xiàn)象。
第二實施例
在以下的實施例與附圖中，相同或相似的標(biāo)號代表相同或相似的元件，以 簡化說明。
圖3A是本發(fā)明第二實施例的液晶顯示面板的上視示意圖，而圖3B是沿 著圖3A中的13-13，剖面線所示的剖面示意圖。請同時參照圖3A及圖3B，本 實施例的液晶顯示面板200b與第一實施例的液晶顯示面板200相似，二者主
要差異之處在于在液晶顯示面板200b中，第一像素電極205上方具有一配
向圖案(alignmentpatteming)SCF。配向圖案SCF配置于對向基板202上，且其 下方具有一配向凸起物P。 一般而言，多象限垂直配向液晶顯示面板通過配向 圖案SCF搭配多個配向凸起物P，以使得每一像素中的液晶分子呈多方向排 列，進(jìn)而得到多個不同的配向象限，達(dá)成廣視角的要求。
因此，通過在第一實施例的第一像素電極205上方配置一配位圖案SCF， 可改變反射區(qū)R中液晶層203的間斷cell-gap)，使本實施例的半穿透半反射式 像素結(jié)構(gòu)204為雙間隙(Dual cell-gap)結(jié)構(gòu)。也就是說，穿透區(qū)T與反射區(qū)R 分別具有不同厚度的液晶層203。舉例而言，穿透區(qū)T的液晶層間隙為D1， 而在第一實施例的穿透區(qū)R的液晶層間隙亦為Dl ，但在配置配位圖案SCF后， 本實施例的反射區(qū)R的液晶層間隙則變?yōu)镈2，且D2相當(dāng)于Dl的二分之一。
本實施例的雙間隙結(jié)構(gòu)可使穿透區(qū)T與反射區(qū)R具有相同的相位延遲 (phase retardation),以進(jìn)一步提升半穿透半反射式液晶顯示面板200b的顯示品 質(zhì)。
第三實施例
圖4A是本發(fā)明第三實施例的液晶顯示面板的上視示意圖，而圖4B是沿 著圖4A中的14-14'剖面線所示的剖面示意圖。請同時參照圖4A及圖4B，本 實施例的液晶顯示面板200c與第二實施例的液晶顯示面板200b相似，二者主 要差異之處在于在液晶顯示面板200c的反射區(qū)R中，墊高層213是配置于 部份第二介電層212上。
更詳細(xì)的來說，本實施例的像素結(jié)構(gòu)204進(jìn)一步包括一柵絕緣層209、 一 第一介電層211、 一第一接觸導(dǎo)體Ml、 一第二接觸導(dǎo)體M2、 一第二介電層 212以及一墊高層213。柵絕緣層209覆蓋圖案化半導(dǎo)體層208，其中柵極G 配置于柵絕緣層209上，且柵絕緣層209與第一介電層211具有一第一接觸窗 Wl以及一第二接觸窗W2。第一接觸導(dǎo)體M1配置于第一介電層211上，并 通過第一接觸窗Wl與圖案化半導(dǎo)體層208電性連接。第二接觸導(dǎo)體M2配置 于第一介電層211上，并通過第二接觸窗W2與圖案化半導(dǎo)體層208電性連接。 第二介電層212配置于第一介電層211上。墊高層213配置于部分的第二介電 層212上，其中墊高層213與第二介電層212具有一第三接觸窗W3以暴露第 一接觸導(dǎo)體Ml，而第二介電層212c具有一第四接觸窗W4以暴露第二接觸導(dǎo)
體M2，第一像素電極205通過第三接觸窗W3與第一接觸導(dǎo)體Ml電性連接， 且第二像素電極206通過第四接觸窗W4與第二接觸導(dǎo)體M2電性連接。
墊高層213功用類似于第二實施例的配向圖案SCF，可將本實施例的半穿 透半反射式像素結(jié)構(gòu)204c變?yōu)殡p間隙結(jié)構(gòu)。也就是說，本實施例的穿透區(qū)T 的液晶層間隙為D1，反射區(qū)R的液晶層間隙則變?yōu)镈2'，且D2'相當(dāng)于D1 的二分之一，以提升半穿透半反射式液晶顯示面板200c的顯示品質(zhì)。
第四實施例
圖5A是本發(fā)明第四實施例的液晶顯示面板的上視示意圖，而圖5B是沿 著圖5A中的15-15'剖面線所示的剖面示意圖。請同時參照圖5A及圖5B，本 實施例的液晶顯示面板200d與第一實施例的液晶顯示面板200相似，二者其 中的一差異之處在于液晶顯示面板200d的第一像素電極205與第二像素電 極206皆為穿透像素電極。也就是說，液晶顯示面板200d的像素結(jié)構(gòu)204具 有兩個穿透區(qū)T1、 T2。值得注意的是，在其他實施例中，液晶顯示面板的第 一像素電極205與第二像素電極206亦可皆為反射像素電極。
由圖5B可知，液晶顯示面板200d與第一實施例的液晶顯示面板200另 一不同點在于本實施例的共用電極COM配置于柵絕緣層209上且于第一接 觸窗Wl的位置具有一開口 214，其中共用電極COM與部分的導(dǎo)電慘雜區(qū)208 重疊，以形成儲存電容Cst。
第五實施例
圖6A是本發(fā)明第五實施例的液晶顯示面板中的一像素結(jié)構(gòu)及其對向基板 的上視示意圖，圖6B是沿著圖6A中的16-16，剖面線所示的剖面示意圖。請 同時參照圖6A及圖6B，本實施例的液晶顯示面板200e與第四實施例的液晶 顯示面板200d相似，但二者主要差異之處在于本實施例的像素結(jié)構(gòu)204的 共用電極COM呈十字形。也就是說，共用電極COM除了分布在第一穿透區(qū) Tl與第二穿透區(qū)T2之間的主狹縫SS下方之外，亦分布在第三接觸窗W3與 第四接觸窗W4的連線上，此十字形的共用電極COM可增加儲存電容Cst的 大小。
綜上所述，本發(fā)明的液晶顯示面板至少具有下列優(yōu)點
1.由于本發(fā)明采用圖案化半導(dǎo)體層直接將影像數(shù)據(jù)導(dǎo)至第一像素電極以 及第二像素電極，使得第一像素電極與第二像素電極之間不需通過連接部直接
連接，因此液晶分子不會受到公知連接部扭曲電場的影響，有助于液晶顯示面
板在遭受外力按壓之后，較不容易有色不均(Mura)的問題。
2. 在本發(fā)明的部分實施例中，設(shè)計者可視需求而將像素結(jié)構(gòu)設(shè)計為雙間 隙結(jié)構(gòu)，以提升半穿透半反射式液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。
3. 在本發(fā)明的部分實施例中，利用十字形共用電極增加儲存電容Cst的大 小，以提升薄膜晶體管保持電位的能力，并可減少因電容耦合效應(yīng)而產(chǎn)生的電 壓變化量，進(jìn)一步改善面板的顯示品質(zhì)。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，適于配置于一基板上，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括一第一像素電極，配置于該基板上方；一第二像素電極，配置于該基板上方，其中該第一像素電極與該第二像素電極彼此分離；以及一頂柵極薄膜晶體管，配置于該基板與該第一像素電極之間，而該頂柵極薄膜晶體管包括一圖案化半導(dǎo)體層，配置于該基板上，其中該圖案化半導(dǎo)體層具有多個導(dǎo)電摻雜區(qū)以及至少一連接于所述導(dǎo)電摻雜區(qū)之間的通道區(qū)，而其中一個導(dǎo)電摻雜區(qū)由該第一像素電極下方延伸至該第二像素電極下方，且同時與該第一像素電極以及該第二像素電極電性連接；以及一柵極，配置于該通道區(qū)上方。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一像素電極以及該 第二像素電極分別為反射像素電極或穿透像素電極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層具有 三個導(dǎo)電摻雜區(qū)以及二個通道區(qū)，且各該通道區(qū)分別連接于二導(dǎo)電摻雜區(qū)之 間，其中該柵極為一具有分支的導(dǎo)線，而該導(dǎo)線同時覆蓋于所述通道區(qū)上方。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 一柵絕緣層，配置于該基板上以覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層，其中該柵極配置于該柵絕緣層上；一第一介電層，其中該柵絕緣層與該第一介電層具有一第一接觸窗以及一 第二接觸窗；一第一接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第一接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；一第二接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第二接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；以及一第二介電層，配置于該第一介電層上，其中該第二介電層具有一第三接 觸窗以及一第四接觸窗以分別暴露該第一接觸導(dǎo)體以及該第二接觸導(dǎo)體，而該 第一像素電極通過該第三接觸窗與該第一接觸導(dǎo)體電性連接，且該第二像素電極通過該第四接觸窗與該第二接觸導(dǎo)體電性連接，其中同時與該第一像素電極 以及該第二像素電極電性連接的導(dǎo)電摻雜區(qū)包括 一第一型摻雜區(qū)；以及一第二型摻雜區(qū)，與該第一型慘雜區(qū)連接，其中該第一接觸導(dǎo)體同時 與該第一型摻雜區(qū)以及該第二型摻雜區(qū)接觸，而該第二接觸導(dǎo)體僅與該第二型 摻雜區(qū)電性接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 一柵絕緣層，配置于該基板上以覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層，其中該柵極配置于該柵絕緣層上；一第一介電層，其中該柵絕緣層與該第一介電層具有一第一接觸窗以及一 第二接觸窗；一第一接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第一接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；一第二接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第二接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；以及一第二介電層，配置于該第一介電層上，其中該第二介電層具有一第三接 觸窗以及一第四接觸窗以分別暴露該第一接觸導(dǎo)體以及該第二接觸導(dǎo)體，而該 第一像素電極通過該第三接觸窗與該第一接觸導(dǎo)體電性連接，且該第二像素電 極通過該第四接觸窗與該第二接觸導(dǎo)體電性連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一共用電極， 配置于該柵絕緣層上，其中該共用電極與部分的導(dǎo)電摻雜區(qū)重疊，其中該共用 電極具有一開口，而該開口的位置對應(yīng)于該第一接觸窗的位置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括 一柵絕緣層，配置于該基板上以覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層，其中該柵極配置于該柵絕緣層上；一第一介電層，其中該柵絕緣層與該第一介電層具有一第一接觸窗以及一 第二接觸窗；一第一接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第一接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；一第二接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第二接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；以及一第二介電層，配置于該第一介電層上；以及一墊高層，配置于至少部分的該第二介電層上，其中該墊高層與該第二介 電層具有一第三接觸窗以暴露該第一接觸導(dǎo)體，而該第二介電層具有一第四接 觸窗以暴露該第二接觸導(dǎo)體，該第一像素電極通過該第三接觸窗與該第一接觸 導(dǎo)體電性連接，且該第二像素電極通過該第四接觸窗與該第二接觸導(dǎo)體電性連 接。
8. —種液晶顯示面板，其特征在于，包括一薄膜晶體管陣列基板，具有多個權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)； 一對向基板，配置于該薄膜晶體管陣列基板上方；以及 一液晶層，配置于該薄膜晶體管陣列基板與該對向基板之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層 具有三個導(dǎo)電摻雜區(qū)以及二個通道區(qū)，且各該通道區(qū)分別連接于二導(dǎo)電摻雜區(qū) 之間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，該柵極為一具有 分支的導(dǎo)線，而該導(dǎo)線同時覆蓋于所述通道區(qū)上方。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)還包括一柵絕緣層，配置于該基板上以覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層，其中該柵極配置 于該柵絕緣層上；一第一介電層，其中該柵絕緣層與該第一介電層具有一第一接觸窗以及一 第二接觸窗；一第一接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第一接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；一第二接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第二接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；以及一第二介電層，配置于該第一介電層上，其中該第二介電層具有一第三接 觸窗以及一第四接觸窗以分別暴露該第一接觸導(dǎo)體以及該第二接觸導(dǎo)體，而該 第一像素電極通過該第三接觸窗與該第一接觸導(dǎo)體電性連接，且該第二像素電 極通過該第四接觸窗與該第二接觸導(dǎo)體電性連接，其中同時與該第一像素電極 以及該第二像素電極電性連接的導(dǎo)電摻雜區(qū)包括一第一型摻雜區(qū)；以及一第二型摻雜區(qū)，與該第一型摻雜區(qū)連接，其中該第一接觸導(dǎo)體同時與該第一型摻雜區(qū)以及該第二型摻雜區(qū)接觸，而該第二接觸導(dǎo)體僅與該第二型摻雜區(qū)電性接觸。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)還包括一柵絕緣層，配置于該基板上以覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層，其中該柵極配置于該柵絕緣層上；一第一介電層，其中該柵絕緣層與該第一介電層具有一第一接觸窗以及一第二接觸窗；一第一接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第一接觸窗與該圖案化半導(dǎo)體層電性連接；一第二接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第二接觸窗與該圖案化半導(dǎo)體層電性連接；以及一第二介電層，配置于該第一介電層上，其中該第二介電層具有一第三接觸窗以及一第四接觸窗以分別暴露該第一接觸導(dǎo)體以及該第二接觸導(dǎo)體，而該第一像素電極通過該第三接觸窗與該第一接觸導(dǎo)體電性連接，且該第二像素電極通過該第四接觸窗與該第二接觸導(dǎo)體電性連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)還包括一共用電極，配置于該柵絕緣層上，其中該共用電極與部分的導(dǎo)電摻雜區(qū)重疊，其中該共用電極具有一開口，而該開口的位置對應(yīng)于該第一接觸窗的位置。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)還包括一柵絕緣層，配置于該基板上以覆蓋該圖案化半導(dǎo)體層，其中該柵極配置于該柵絕緣層上；一第一介電層，其中該柵絕緣層與該第一介電層具有一第一接觸窗以及一第二接觸窗；一第一接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第一接觸窗與該圖案化半導(dǎo)體層電性連接；一第二接觸導(dǎo)體，配置于該第一介電層上，并通過該第二接觸窗與該圖案 化半導(dǎo)體層電性連接；以及一第二介電層，配置于該第一介電層上；以及一墊高層，配置于至少部分的該第二介電層上，其中該墊高層與該第二介 電層具有一第三接觸窗以暴露該第一接觸導(dǎo)體，而該第二介電層具有一第四接 觸窗以暴露該第二接觸導(dǎo)體，該第一像素電極通過該第三接觸窗與該第一接觸 導(dǎo)體電性連接，且該第二像素電極通過該第四接觸窗與該第二接觸導(dǎo)體電性連 接。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)，其適于配置于一基板上，并包括一第一像素電極、一第二像素電極以及一頂柵極薄膜晶體管。第一像素電極與第二像素電極配置于基板上方，其中第一像素電極與第二像素電極彼此分離。頂柵極薄膜晶體管配置于基板與第一像素電極之間，并包括一圖案化半導(dǎo)體層以及一柵極。
文檔編號G02F1/1362GK101344697SQ20081014678
公開日2009年1月14日 申請日期2008年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月29日
發(fā)明者張志明, 林敬桓, 誠 羅, 胡至仁, 范姜士權(quán), 鄭景升 申請人:友達(dá)光電股份有限公司