專(zhuān)利名稱(chēng)：像素結(jié)構(gòu)、顯示面板以及光電裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)、顯示面板以及光電裝置的制造方法，且特別 涉及一種可減少光掩模數(shù)的像素結(jié)構(gòu)的制造方法及具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯 示面板與光電裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器具有高畫(huà)質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動(dòng)、低消耗功率及
應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，因此已取代陰極射線(xiàn)管(Cathode Ray Tube, CRT)成為新 一代顯示器的主流。目前市場(chǎng)對(duì)于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)皆朝向 高對(duì)比(contrast ratio)、無(wú)灰卩介反轉(zhuǎn)(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、 高色飽禾口度(color saturation)、快速反應(yīng)(response)以及廣視角(viewing angle) 等方向發(fā)展。目前常見(jiàn)的廣視角技術(shù)包括扭轉(zhuǎn)向列型液晶(TN)加上廣視角 膜(wide viewing film)、共平面切換式(In-Plane Switching, IPS)液晶顯示器、 邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示器與多域垂直配向 (Multi-domain Vertical Alignment， MVA)、液晶顯示器。
傳統(tǒng)的液晶顯示面板是由一具有彩色濾光層的彩色濾光基板、 一薄膜晶 體管陣列基板(TFT Array Substrate)以及一配置于此兩基板間的液晶層所構(gòu) 成。為了提升面板的解析度與像素的開(kāi)口率，并且避免彩色濾光基板與薄膜 晶體管陣列基板接合時(shí)的對(duì)位誤差，現(xiàn)今更提出了將彩色濾光層直接整合于 薄膜晶體管陣列基板(Color Filter on Array, COA)上的技術(shù)。
在公知技術(shù)中，將彩色濾光層制作于薄膜晶體管陣列上的制作方法至少 需通過(guò)七道光掩模工藝來(lái)進(jìn)行制作，其中彩色濾光圖案需經(jīng)由三道光掩模工 藝來(lái)進(jìn)行制作，因此步驟繁復(fù)而需花費(fèi)較高的生產(chǎn)成本。此外，上述需要至 少七道光掩模工藝來(lái)進(jìn)行制作的像素結(jié)構(gòu)需采用多個(gè)具有不同圖案的光掩 模(mask)，由于光掩模的造價(jià)十分昂貴，因此像素結(jié)構(gòu)的制造成本將無(wú)法降 低，且由于光掩模數(shù)較多，使得產(chǎn)能無(wú)法地有效提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其可減少光掩模數(shù)以有效地提升 產(chǎn)能。
本發(fā)明提供一種顯示面板的制造方法，以制作出具有上述的像素結(jié)構(gòu)的 顯示面板。
本發(fā)明提供一種光電裝置的制造方法，以制作出具有上述的像素結(jié)構(gòu)的 光電裝置。
本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括下列步驟。(a)提供一 基板，基板上具有至少一晶體管區(qū)、至少一電容區(qū)與至少一像素區(qū)。(b) 分別形成至少一晶體管于晶體管區(qū)上與至少一電容電極于電容區(qū)上，其中電 容電極被一介電層所覆蓋。(c)形成一彩色濾光層于晶體管區(qū)上、像素區(qū) 上及電容區(qū)上，并覆蓋晶體管及部分電容電極。彩色濾光層具有至少一第一 開(kāi)口及至少一第二開(kāi)口，第一開(kāi)口對(duì)應(yīng)于晶體管的一源/漏極，而第二開(kāi)口對(duì) 應(yīng)于電容電極。(d)共形地形成一保護(hù)層于彩色濾光層的表面上。(e)形 成一圖案化光致抗蝕劑層于保護(hù)層上，且圖案化光致抗蝕劑層具有一第一部 分、 一第二部分以及一第三部分。第一部分的厚度小于第二部分的厚度，且 第二部分的厚度小于第三部分的厚度，其中第一部分覆蓋第一開(kāi)口底部的保 護(hù)層上，第三部分覆蓋部分晶體管上方的保護(hù)層上，第二部分覆蓋于像素區(qū) 上方的保護(hù)層上、于另一部分晶體管上方的保護(hù)層上及于部分電容區(qū)上方的 保護(hù)層上。(f)移除第一開(kāi)口底部的第一部分及第一開(kāi)口底部下方的保護(hù)層， 以暴露出有源元件的部分源/漏極。(g)移除圖案化光致抗蝕劑層的第二部 分及部分第三部分，以使得位于部分晶體管上方的第三部分成為較第三部分 厚度較薄的一第四部分，并暴露出像素區(qū)上的保護(hù)層、部分晶體管區(qū)上方的 保護(hù)層、第二開(kāi)口處的保護(hù)層及電容區(qū)上方的保護(hù)層。(h)共形地覆蓋一 導(dǎo)電層于該第四部分上、該第一開(kāi)口、該第二開(kāi)口、該像素區(qū)上方的該保護(hù) 層上及部分該電容區(qū)上方的該保護(hù)層上。(0移除圖案化光致抗蝕劑層的第 四部分及位于第四部分上方的該導(dǎo)電層以定義出一像素電極，其中像素電極 于第二開(kāi)口處與電容電極構(gòu)成一存儲(chǔ)電容，且導(dǎo)電層與暴露出的源/漏極連 接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的方法于步驟(a)時(shí)，基板還包含至少一接 觸墊區(qū)。于步驟(b)時(shí)，還包含形成至少一接觸墊于接觸墊區(qū)上，其中接觸墊 被介電層所覆蓋。于步驟(d)時(shí)，保護(hù)層還覆蓋于接觸墊上。于步驟(e)時(shí)，圖 案化光致抗蝕劑層還具有至少一暴露出接觸墊上方的部分保護(hù)層的第一開(kāi) 口，且圖案化光致抗蝕劑層的第三部分覆蓋接觸墊周?chē)戏降谋Ｗo(hù)層。于該 步驟(f)時(shí)，還移除被暴露出接觸墊上方的保護(hù)層與介電層，以暴露接觸墊。 于步驟(g)時(shí)，位于部分接觸墊周?chē)戏降牡谌糠诌€成為較第三部分厚度較 薄的第四部分。于步驟(h)時(shí)，導(dǎo)電層還形成于部分接觸墊周?chē)戏降牡谒牟?分上。于步驟(i)，還移除位于接觸墊周?chē)戏降牡谒牟糠旨拔挥诘谒牟糠稚?方的導(dǎo)電層，以定義出一接觸電極。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二部分還覆蓋于第一開(kāi)口的側(cè)邊上、 該第二開(kāi)口的側(cè)邊上與第二開(kāi)口的底部上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一部分還覆蓋于第二開(kāi)口的底部上， 且第二部分還覆蓋于第二開(kāi)口的側(cè)邊上及第一開(kāi)口的側(cè)邊上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的制造方法于步驟(f)時(shí)，還移除第二開(kāi)口 底部的第一部分及第二開(kāi)口底部下方的該保護(hù)層，以暴露出第二開(kāi)口下方的 介電層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化光致抗蝕劑層還包含多個(gè)突出部 位于像素區(qū)上方的第二部分上，且通過(guò)第二部分連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的制造方法于步驟(g)時(shí)，突出部形成底部 不相連的島狀部。于步驟(h)時(shí)，導(dǎo)電層還共形地覆蓋于像素區(qū)上方的島狀部 上。于步驟(i)時(shí)，還移除島狀部及島狀部上方的導(dǎo)電層，以便于像素電極中 定義出多個(gè)狹縫。
本發(fā)明提出一種光電裝置的制造方法，包含如上述所述的顯示面板的制 造方法。
本發(fā)明提出一種光電裝置，包含如上述所述的顯示面板。 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)因采用上述的制造方法，其形成不同厚度的圖案化光 致抗蝕劑層于保護(hù)層上，并整合剝離(lift-off)的技術(shù)。因此當(dāng)上述的像素 結(jié)構(gòu)制造方法整合于像素陣列基板的制造時(shí)，相較于公知的像素結(jié)構(gòu)制作方 法可減少光掩模的數(shù)目以降低制作成本，并可以縮短工藝時(shí)間且增加產(chǎn)能。另外，像素結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)電容的電容值也可獲得有效地提升。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合 附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1A至圖1J為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示 意圖。
圖2A至圖2J為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面 示意圖。
圖3A至圖3J為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面 示意圖。
圖3F'與圖3F"為覆蓋有圖案化光致抗蝕劑層的接觸開(kāi)口的放大示意圖。
圖4A至圖4H為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種接墊結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面 示意圖。
圖5為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種顯示面板的示意圖。 圖6為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種光電裝置的示意圖。 上述附圖中的附圖標(biāo)記說(shuō)明如下-100、 100b、 100c:像素結(jié)構(gòu)
100d:接墊結(jié)構(gòu)
120、 320、 330:基板
200:柵極 220:電容電極 240:接觸墊 300:介電層 310:顯示面板
330a:透明電極
340:顯示介質(zhì) 400:有源層 410:光電裝置420:歐姆接觸層
430:電子元件
500:源極
520:漏極
600、800:保護(hù)層
700:彩色濾光層
900、900b:圖案化光致抗蝕劑層
920:第一部分
940、940b:第二部分
960:第三部分
960a:第四部分
980:導(dǎo)電層
980a、980b、 980c:像素電極
980d:接觸電極
T:晶體管
Hl、 H2、 H3:接觸開(kāi)口
At:晶體管區(qū)
Ap:像素區(qū)
Ac:電容區(qū)
Ad:接墊區(qū)
tl、 t2、 t3:厚度
P:突出部
P，島狀部
S:狹縫
Cst、 Cst':存儲(chǔ)電容
具體實(shí)施例方式
圖1A至圖IJ為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示 意圖，其中圖1A 圖1J是以一個(gè)像素結(jié)構(gòu)為代表作說(shuō)明。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D 1A，提供基板120，基板120具有晶體管區(qū)At、電容區(qū)Ac與像素區(qū)Ap。本發(fā)明晶體管區(qū)At、電容區(qū)Ac與像素區(qū)Ap分別以一個(gè)為范例說(shuō)明，但不限
于此。于其它實(shí)施例，可依設(shè)計(jì)的需要，例如不同可視區(qū)、電容量增加、
不同的控制能力等等，可將晶體管區(qū)At、電容區(qū)Ac與像素區(qū)Ap上述其中 至少一個(gè)，可為至少一個(gè)以上。接著，于基板120的晶體管區(qū)At中形成柵 極200并且在基板的電容區(qū)Ac中形成電容電極220。
基板120的材料可以是包含無(wú)機(jī)透明材料(如玻璃、石英、或其它合
適材料、或上述的組合)、有機(jī)透明材料(如聚烯類(lèi)、聚酼類(lèi)、聚醇類(lèi)、
聚酯類(lèi)、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類(lèi)、聚甲基丙酰酸 甲酯類(lèi)、聚碳酸酯類(lèi)、或其它合適材料、或上述的衍生物、或上述的組合)、
無(wú)機(jī)不透明材料(如硅片、陶瓷、或其它合適材料、或上述的組合)、或上 述的組合。
此外，形成于基板120上的柵極200以及電容電極220，可分別為單層 或多層結(jié)構(gòu)，且其材料較佳的是采用可進(jìn)行濕式蝕刻的金屬材料或干式蝕刻 的金屬材料，其例如是鉬或是鉬-鋁疊層或是鉬-鋁-鉬疊層。然而，本發(fā)明不 限于此。在其他的實(shí)施例中，柵極200以及電容電極220的材料可以是由金、 銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等金屬、上述合金、上 述金屬氧化物、上述金屬氮化物、或上述的組合。本發(fā)明柵極200以及電容 電極220分別以一個(gè)為范例說(shuō)明，但不限于此。于其它實(shí)施例，可依設(shè)計(jì)的 需要，例如電容量增加、電傳輸穩(wěn)定性增加等等，可將柵極200以及電容 電極220上述其中至少一個(gè)，可為至少一個(gè)以上。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，在基板120上形成介電層300以覆蓋柵極200以 及電容電極220，并于柵極200上方的介電層300上形成有源層400。在本 實(shí)施例中，介電層300可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料例如是無(wú)機(jī)材料(如 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它材料、或上 述的組合)、有機(jī)材料(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯(enzocyclobutane， BCB)、 環(huán)烯類(lèi)、聚酰亞胺類(lèi)、聚酰胺類(lèi)、聚酯類(lèi)、聚醇類(lèi)、聚環(huán)氧乙垸類(lèi)、聚苯類(lèi)、 樹(shù)脂類(lèi)、聚醚類(lèi)、聚酮類(lèi)、或其它合適材料、或上述的組合)、或上述的組合。
詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，有源層400的材料可以是非晶硅、單晶硅、 微晶硅、多晶硅、或上述晶格的N型摻雜硅化物、或上述晶格的P型摻雜硅 化物、或上述晶格的硅化鍺、或其它材料、或上述的組合，而有源層400的結(jié)構(gòu)可以是單層結(jié)構(gòu)或者是多層結(jié)構(gòu)。舉例而言，有源層400可以是由非晶 硅(a-Si)和/或N型重?fù)诫s非晶硅所組成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是由非晶硅 (a-Si)以及N型重?fù)诫s非晶硅所組成的雙層結(jié)構(gòu)，其上述的結(jié)構(gòu)排列，可 為水平排列和/或垂直排列。在本實(shí)施例中，有源層400是以非晶硅(a-Si) 的通道層440以及N型重?fù)诫s非晶硅的歐姆接觸層420所組成的雙層結(jié)構(gòu)為 實(shí)施范例，但不以此為限。通道層440的材料為非晶硅(amorphous silicon), 而歐姆接觸層420的材料多為N型重?fù)诫s的非晶硅(N type heavily-doped a-Si)，用以減少通道層440與源極之間以及通道層440與漏極之間的接觸阻 抗，其形成方法通常是利用離子摻雜(ion doping)的方式于非晶硅的表面進(jìn)行 N型摻雜。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1C，于通道層440的部分區(qū)域以及介電層300的部分 區(qū)域上方形成源極500以及漏極520。 一般而言，源極500以及漏極520可 分別為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料較佳的是采用可進(jìn)行濕式蝕刻的金屬材 料，其例如是鉬或是鉬-鋁疊層或是鉬-鋁-鉬疊層。然而，本發(fā)明不限于此， 也可采用干式蝕刻的金屬材料。在其他的實(shí)施例中，源極500以及漏極520 的材料可以是由金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅等 金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物、或上述的組合。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1C，源極500與漏極520分別由通道層440的兩側(cè)延伸 至介電層300上為范例，并使通道層440的部分區(qū)域暴露，其中柵極200、 有源層400、源極500與漏極520構(gòu)成薄膜晶體管T。于其它實(shí)施例中，源 極500與漏極520也不會(huì)由通道層440的兩側(cè)延伸至介電層300上，而僅覆 蓋于該通道層440的兩側(cè)，可以增加開(kāi)口率。另外，本發(fā)明是以一個(gè)薄膜晶 體管T形成于一個(gè)晶體管區(qū)At為范例說(shuō)明，但不限于此。于其它實(shí)施例中， 可依設(shè)計(jì)需求，例如增加控制能力或不同的控制能力等等，而可將至少一 個(gè)薄膜晶體管T形成一個(gè)晶體管區(qū)At上；或者是，若晶體管區(qū)At有多個(gè)時(shí)， 可將一個(gè)薄膜晶體管T形成于每個(gè)晶體管區(qū)At上；或者是若晶體管區(qū)At有 多個(gè)時(shí)，每個(gè)晶體管區(qū)At上形成的薄膜晶體管T的數(shù)目為至少一個(gè)。上述 的狀態(tài)會(huì)使得柵極200、有源層400、源極500與漏極520的數(shù)目就會(huì)加以 變動(dòng)且易于知曉，在此不再贅言。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，于基板120上覆蓋保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600，其中，保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600覆蓋基板120上的元件或膜層，例如是覆蓋 薄膜晶體管T上及介電層300上，并于保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600上方形成 彩色濾光層700，且彩色光致抗蝕劑層700具有接觸開(kāi)口 Hl與接觸開(kāi)口 H2。 接觸開(kāi)口 Hl實(shí)質(zhì)上位于彩色濾光層700所對(duì)應(yīng)薄膜晶體管T的部分漏極520 的上方，而接觸開(kāi)口 H2實(shí)質(zhì)上位于彩色濾光層700所對(duì)應(yīng)部分電容電極220 的上方。本發(fā)明接觸開(kāi)口 Hl與接觸開(kāi)口 H2分別以一個(gè)范例說(shuō)明，但不限 于此。于其它實(shí)施例，為了讓電性穩(wěn)定和/或電傳輸量較佳，接觸開(kāi)口H1與 接觸開(kāi)口H2上述至少一個(gè)，可為至少一個(gè)以上。
彩色濾光層700例如是紅色濾光層、綠色濾光層、藍(lán)色濾光層或是其它 合適的色彩。彩色濾光層700的形成方法例如可通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布工藝(spin coating)、烘烤工藝以及曝光顯影工藝等步驟來(lái)形成。另外，在形成彩色濾光 層700之前或之后，還可包括形成遮光圖案層。詳細(xì)而言，以形成紅色光致 抗蝕劑層(未示出)、綠色光致抗蝕劑層(未示出)以及藍(lán)色光致抗蝕劑層 (未示出)為范例，可先在不同的子像素區(qū)內(nèi)形成圖案化的紅色光致抗蝕劑 層(未示出)、綠色光致抗蝕劑層(未示出)以及藍(lán)色光致抗蝕劑層(未示 出)之后，再形成遮光圖案，或者是先形成遮光圖案之后再分別形成紅、綠、 藍(lán)色光致抗蝕劑層。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，可通過(guò)噴墨法、網(wǎng)版印刷法、 或其他適用的工藝來(lái)制作彩色濾光層700。此外，彩色濾光層700的色彩除 了上述三原色(RGB)之外，尚可依設(shè)計(jì)的要求而采用色坐標(biāo)上的色彩，例如 白、黃、橘、青、洋紅、橘紅、紫、棕、靛、橙等等。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1E,在彩色濾光層700的表面上共形地形成一保護(hù)層 800，其中保護(hù)層800覆蓋薄膜晶體管T、電容電極220以及保護(hù)層600，并 且覆蓋接觸開(kāi)口 Hl、 H2的側(cè)壁表面以及底部表面而未將接觸開(kāi)口 Hl、 H2 給填滿(mǎn)。在本實(shí)施例中，保護(hù)層800可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料為有機(jī) 材料(例如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類(lèi)、聚酰亞胺類(lèi)、聚酰胺類(lèi)、 聚酯類(lèi)、聚醇類(lèi)、聚環(huán)氧乙垸類(lèi)、聚苯類(lèi)、樹(shù)脂類(lèi)、聚醚類(lèi)、聚酮類(lèi)、或其 它材料、或上述的組合)、無(wú)機(jī)材料(例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、 其他適合的材料或上述的組合)、或上述的組合。較佳地，保護(hù)層800的材 料可選用無(wú)機(jī)材料，以防止彩色濾光層700產(chǎn)生濕潤(rùn)現(xiàn)象，而導(dǎo)致彩色濾光 層700變形或者是被腐蝕。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1F，形成一圖案化光致抗蝕劑層900于保護(hù)層800上， 且圖案化光致抗蝕劑層900具有多個(gè)厚度不相同的部分。詳細(xì)而言，圖案化 光致抗蝕劑層900是以一灰階光掩模(multi-tone mask， MTM，未示出)對(duì) 一光致抗蝕劑層(未示出)進(jìn)行一曝光程序所形成，其中灰階光掩模是使用 不同明暗度的光掩模，使有光致抗蝕劑層受到不同照度的曝光，經(jīng)顯影工藝 之后可得到不同深淺度的形狀，即形成圖案化光致抗蝕劑層900的第一部分 920、第二部分940與第三部分960。這種灰階光掩?；蚍Q(chēng)為多階光掩模，與 一般的半調(diào)光掩模(half-tone mask)是不同且無(wú)法等同視之的。因?yàn)?，半調(diào)光 掩模，僅可具有全透光區(qū)域(即100%透光度的區(qū)域)、不透光區(qū)域(即0%透光 度的區(qū)域)及僅有一個(gè)半透光區(qū)域(即50%透光度的區(qū)域)。但是，多階光掩模 可具有全透光區(qū)域(即100%透光度的區(qū)域)、不透光區(qū)域(即0%透光度的區(qū)域) 及至少二種透光區(qū)域，其中至少二種的透光區(qū)域的透光度約為0% 100%之 間，可依靠設(shè)計(jì)、流程或精準(zhǔn)度的需求，而做出不同的要求。所以，多階光 掩模較半調(diào)光掩模精準(zhǔn)度高，可以設(shè)計(jì)出變化多樣性等等的優(yōu)點(diǎn)存在。
圖1F'與圖1F"分別為圖1F中對(duì)應(yīng)接觸開(kāi)口 Hl、 H2處的放大示意圖。 請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1F、 1F'與1F"，圖案化光致抗蝕劑層900的第一部分920 覆蓋接觸開(kāi)口 Hl底部的保護(hù)層800上，而第三部分960覆蓋部分晶體管T 上方的保護(hù)層800上。第二部分940覆蓋于像素區(qū)Ap上方的800保護(hù)層上、 于另一部分晶體管T上方的保護(hù)層800上及于部分電容區(qū)Ac上方的保護(hù)層 800上。特別是，第一部分920的厚度tl小于第二部分940的厚度t2，且第 二部分940的厚度t2小于第三部分960的厚度t3，也即是厚度由大至小排列 依序?yàn)閠3〉t2〉tl，第三部分960的厚度t3最厚，而第一部分920的厚度tl 最薄。另外，在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二部分940還覆蓋于接觸開(kāi)口H1、 H2的側(cè)邊上與接觸開(kāi)口H2的底部上，但不限于此。于其它實(shí)施例中，覆蓋 于接觸開(kāi)口 Hl、 H2的側(cè)邊上與接觸開(kāi)口 H2的底部上的光致抗蝕劑，可為 除了第二部分940的厚度外，尚可使用實(shí)質(zhì)上大于第一部分920的厚度并實(shí) 質(zhì)上小于第三部分960的厚度。
繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D1G，移除覆蓋接觸開(kāi)口 Hl底部的圖案化光致抗蝕劑層 的第一部分920，并且移除接觸開(kāi)口 Hl底部下方的保護(hù)層800及保護(hù)層(或 稱(chēng)為介電層)600，以暴露出晶體管T的部分漏極520。較佳地，移除覆蓋接觸開(kāi)口 HI底部的圖案化光致抗蝕劑層的第一部分920的工藝可使用灰化程
序來(lái)進(jìn)行。
詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，在移除位于圖案化光致抗蝕劑層卯o的第一
部分920之后，底下被暴露出的保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600， 優(yōu)選地可采用原位程序(in-situ process)來(lái)移除。也就是說(shuō)，移除被暴露出的 保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600時(shí)，優(yōu)選地可以在相同的反應(yīng)室中 以不同的蝕刻物來(lái)依序蝕刻保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600，但不限 于此。其中，蝕刻物可為干式蝕刻物、濕刻物或上述二者物質(zhì)之組合使用。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1H，對(duì)圖案化光致抗蝕劑層900進(jìn)行一灰化程序，并 控制灰化工藝中圖案化光致抗蝕劑層900被移除的厚度，以移除圖案化光致 抗蝕劑層的第二部分940及部分第三部分960，使得位于部分晶體管T上方 的第三部分960成為較原始第三部分960厚度較薄的一第四部分960a，并暴 露出像素區(qū)Ap上的保護(hù)層800、部分晶體管區(qū)At上方的保護(hù)層800、接觸 開(kāi)口 H2處的保護(hù)層800及電容區(qū)Ac上方的保護(hù)層800。
在本發(fā)明中，由于移除接觸開(kāi)口 Hl底部的圖案化光致抗蝕劑層的第一 部分920及接觸開(kāi)口 Hl底部下方的保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600 是利用同一光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，并較佳地可采用原位程序的方式依 序，因此相較于公知液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法而言，本實(shí)施例可減 少至少一次黃光工藝，以減少光掩模使用數(shù)，并可縮短像素結(jié)構(gòu)的工藝時(shí)間 以降低生產(chǎn)成本。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)Dll,共形地覆蓋一導(dǎo)電層980于圖案化光致抗蝕劑層的 第四部分960a上、接觸開(kāi)口 Hl與H2、像素區(qū)Ap上方的保護(hù)層800上及部 分電容區(qū)Ac上方的保護(hù)層800上，且導(dǎo)電層980通過(guò)接觸開(kāi)口 HI與暴露出 的漏極520電性連接。詳言之，形成導(dǎo)電層980的方法例如是以物理氣相沉 積(Physical Vapor Deposition, PVD)法的濺鍍(sputtering)工藝所形成，或是 通過(guò)濺鍍、蒸鍍(evaporation)、噴墨法、網(wǎng)版印刷法、旋轉(zhuǎn)涂布法以及其他 薄膜沉積技術(shù)所形成。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1J，移除圖案化光致抗蝕劑層的第四部分960a及同時(shí) 剝除位于第四部分960a上方的導(dǎo)電層980以定義出一像素電極980a，此步 驟又可稱(chēng)為利用剝離方式(lift-off)。在本實(shí)施例中，像素電極980a可以是反射式電極、穿透式電極或是上述的組合。反射式電極的材料可以是鋁、鋁合 金、銀或是其他具有高反射率的金屬，其可為單層或多層結(jié)構(gòu)。穿透式電極 可以為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可以是由透明導(dǎo)電材料制成例如是銦錫氧 化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、 鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物或上述的組合。
此外，像素電極980a于接觸開(kāi)口 H2處會(huì)與電容電極220構(gòu)成金屬層/ 絕緣層/銦錫氧化物層(Metal-Insulator-ITO， Mil)形態(tài)的存儲(chǔ)電容Cst，用以 穩(wěn)定像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)電壓。在其他的實(shí)施例中，其也可以是金屬層/絕緣層 /金屬層(Metal-Insulator-Metal， MIM)形態(tài)的存儲(chǔ)電容Cst。
至此，將彩色濾光層直接整合于薄膜晶體管陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)己大 致完成。上述的薄膜晶體管T與存儲(chǔ)電容Cst的形態(tài)以及各層的材料可以有 多種變化，而本實(shí)施例所示出的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造方法僅是用以舉例說(shuō)明，以 讓此領(lǐng)域具有通常知識(shí)者能夠據(jù)以實(shí)施本發(fā)明，然其并非用以限定本發(fā)明所 欲涵蓋的范疇。
圖2A至圖2J為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面 示意圖。本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100b的制造方法與上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100 的制造方法相似。
圖2A至圖2E工藝步驟與圖1A至圖1E的步驟相似，其包括提供了具 有至少一晶體管區(qū)At、至少一電容區(qū)Ac與至少一像素區(qū)Ap的基板120，且 分別形成至少一薄膜晶體管T于晶體管區(qū)At上并且形成至少一 電容電極220 于電容區(qū)Ac上，其中電容電極220被介電層300所覆蓋。之后，形成彩色 濾光層700于晶體管區(qū)At上、像素區(qū)Ap上及電容區(qū)Ac上，并覆蓋晶體管 T及部分電容電極220，其中，彩色濾光層700具有至少兩接觸開(kāi)口 H1、H2， 且接觸開(kāi)口 Hl實(shí)質(zhì)上對(duì)應(yīng)于晶體管T的部分漏極520，而接觸開(kāi)口 H2實(shí)質(zhì) 上對(duì)應(yīng)于部分電容電極220。接著，再共形地形成保護(hù)層800于彩色濾光層 700的表面上。
繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，形成一圖案化光致抗蝕劑層900b于保護(hù)層800上， 且圖案化光致抗蝕劑層900b具有多個(gè)厚度不相同的部分。特別是，本實(shí)施 例的圖案化光致抗蝕劑層900b除了具有第一部分920、第二部分940與第三 部分960之外，還包含多個(gè)突出部P位于像素區(qū)Ap上方的第二部分940b上，且通過(guò)第二部分940b連接，以便于在后續(xù)工藝中可在像素電極定義出多個(gè)狹縫。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，移除接觸開(kāi)口H1底部的圖案化光致抗蝕劑層的第 一部分920及接觸開(kāi)口 Hl底部下方的保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層) 600，以暴露出晶體管T的部分漏極520。優(yōu)選地，移除覆蓋接觸開(kāi)口H1底 部的圖案化光致抗蝕劑層的第一部分920的工藝可使用灰化程序來(lái)進(jìn)行。
類(lèi)似地，請(qǐng)參照?qǐng)D2H，對(duì)圖案化光致抗蝕劑層卯Ob進(jìn)行一灰化程序， 并控制灰化工藝中圖案化光致抗蝕劑層卯Ob被移除的厚度，以移除圖案化 光致抗蝕劑層的第二部分940b及部分第三部分960。本實(shí)施例與上述實(shí)施例 的最大不同點(diǎn)在于，由于圖案化光致抗蝕劑層卯0b還包含多個(gè)突出部P于 像素區(qū)Ap上方的第二部分940b上，因此在灰化程序結(jié)束后，多個(gè)突出部P 形成底部不相連的島狀部P'。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D21，類(lèi)似于上述實(shí)施例圖ll的步驟，形成導(dǎo)電層980， 導(dǎo)電層980除了共形地覆蓋于圖案化光致抗蝕劑層的第四部分960a上、接 觸開(kāi)口 Hl與H2、像素區(qū)Ap上方的保護(hù)層800上及部分電容區(qū)Ac上方的 保護(hù)層800上之外，導(dǎo)電層980還共形地覆蓋于像素區(qū)Ap上方的島狀部分 P，上。
繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D2J，移除圖案化光致抗蝕劑層的第四部分960a并且移 除位于第四部分960a上方的導(dǎo)電層980以定義出像素電極980b之外，更同 時(shí)移除島狀部分P'及島狀部分P'上方的導(dǎo)電層980，以在像素電極980b 中定義出多個(gè)狹縫S。
至此，將彩色濾光層直接整合于薄膜晶體管陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)已大 致完成。類(lèi)似地，本實(shí)施例同樣可減少至少一次黃光工藝，以減少光掩模使 用數(shù)，并可縮短像素結(jié)構(gòu)的工藝時(shí)間以降低生產(chǎn)成本，且本實(shí)施例之像素結(jié) 構(gòu)制造方法更可于像素電極980b中同時(shí)定義出多個(gè)狹縫S。
圖3A至圖3J為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面 示意圖。圖3F'與圖3F"為圖3F的局部放大圖，其分別對(duì)應(yīng)覆蓋有圖案化 光致抗蝕劑層900c的接觸開(kāi)口 Hl、 H2之處的放大示意圖。本實(shí)施例的像素 結(jié)構(gòu)100c的制造方法與上述實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100的制造方法類(lèi)似，換言 之圖3A至圖3E的步驟與上述圖1A至圖1E的步驟相同或相似，在此便不再贅述。因此，接下來(lái)請(qǐng)直接參照?qǐng)D3F、 3F'及3F"。
由圖3F、 3F，及3F"可知，形成圖案化光致抗蝕劑層900c于保護(hù)層800 上時(shí)，圖案化光致抗蝕劑層900c具有多個(gè)厚度不相同的部分。特別是，本 實(shí)施例的圖案化光致抗蝕劑層900c的第一部分920還覆蓋于接觸開(kāi)口 H2的 底部上，且第二部分940優(yōu)選地也覆蓋于接觸開(kāi)口H1、 H2的側(cè)邊上，如圖 3F，及3F"所示。于其它實(shí)施例中，覆蓋于接觸開(kāi)口H1、 H2的側(cè)邊上的光 致抗蝕劑，可為除了第二部分940的厚度外，尚可使用實(shí)質(zhì)上大于第一部分 920的厚度并實(shí)質(zhì)上小于第三部分960的厚度。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3G，于移除接觸開(kāi)口H1底部的圖案化光致抗蝕劑層的 第一部分920及接觸開(kāi)口 Hl底部下方的保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層) 600時(shí)，更同時(shí)移除接觸開(kāi)口 H2底部的第一部分920及接觸開(kāi)口 H2底部下 方的保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600，以使晶體管T的部分漏極520 以及接觸開(kāi)口H2下方的介電層300皆暴露出來(lái)。優(yōu)選地，移除覆蓋接觸開(kāi) 口 Hl、 H2底部的圖案化光致抗蝕劑層的第一部分920的工藝可使用灰化程 序來(lái)進(jìn)行。
請(qǐng)參照?qǐng)D3H，接著，對(duì)圖案化光致抗蝕劑層900c進(jìn)行一灰化程序，并 控制灰化工藝中圖案化光致抗蝕劑層900c被蝕刻的厚度。繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D 31，共形地覆蓋導(dǎo)電層980于圖案化光致抗蝕劑層的第四部分960a上、接觸 開(kāi)口 Hl與H2、像素區(qū)Ap上方的保護(hù)層800上及部分電容區(qū)Ac上方的保 護(hù)層800上，且導(dǎo)電層980分別通過(guò)接觸開(kāi)口H1、 H2與暴露出的漏極520 連接以及介電層300接觸。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3J，移除圖案化光致抗蝕劑層的 第四部分960a并且移除位于第四部分960a上方的導(dǎo)電層980以定義出像素 電極980c。
因此，像素電極980c于接觸開(kāi)口 H2處會(huì)與電容電極220構(gòu)成金屬層/ 絕緣層/導(dǎo)電層形態(tài)的存儲(chǔ)電容Cst'。本實(shí)施例的存儲(chǔ)電容Cst'與上述實(shí) 施例的存儲(chǔ)電容Cst皆可用以穩(wěn)定像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)電壓，而兩者最大的不 同點(diǎn)在于，圖3J的存儲(chǔ)電容Cst'的絕緣層僅包含介電層300的厚度，而圖 1J以及圖2J的存儲(chǔ)電容Cst的絕緣層包含了介電層300、保護(hù)層(或稱(chēng)為介 電層)600及保護(hù)層800。
至此，將彩色濾光層直接整合于薄膜晶體管陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)已大致完成。類(lèi)似地，本實(shí)施例同樣可減少至少一次黃光工藝，以減少光掩模使 用數(shù)，并可縮短像素結(jié)構(gòu)的工藝時(shí)間以降低生產(chǎn)成本，且本實(shí)施例的像素結(jié) 構(gòu)制造方法還可提供一個(gè)具有較大存儲(chǔ)電容值的像素結(jié)構(gòu)。
另外，值得一提的是，在圖3A至圖3J所描述的實(shí)施例中，其也可以加 入圖2A至圖2J的實(shí)施例中于像素電極中形成配向狹縫的特征。換言之，如 果在圖3G的圖案化光致抗蝕劑層900c的第二部分940上另外形成突起部， 那么后續(xù)于圖3J的步驟時(shí)，于移除圖案化光致抗蝕劑層900c的過(guò)程中，將 可同時(shí)在像素電極980c中定義出配向狹縫。
上述各實(shí)施例描述像素結(jié)構(gòu)的制造流程，而上述各實(shí)施例在接墊區(qū)的制 造流程將以圖4A至圖4H來(lái)說(shuō)明。也就說(shuō)，優(yōu)選地，可同時(shí)考慮像素結(jié)構(gòu) 與接墊區(qū)的制造流程，但也可僅考慮像素結(jié)構(gòu)的制造流程。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D 4A，基板120具有至少一接觸墊區(qū)Ad，并且于基板120的至少一接觸墊區(qū) Ad上形成至少一接觸墊240。之后，在接觸墊240上形成介電層300，如圖 4B所示。本發(fā)明，以接觸墊區(qū)Ad及接觸墊240分別以一個(gè)為范例說(shuō)明，但 不限于此。于其它實(shí)施例中，，可依設(shè)計(jì)需求，例如增加電傳穩(wěn)定性、增 加接觸面積或運(yùn)用于不同的功能區(qū)等等，而可將至少一個(gè)接觸墊240形成一 個(gè)接觸墊區(qū)Ad上；或者是，若接觸墊區(qū)Ad有多個(gè)時(shí)，可將一個(gè)接觸墊240 形成于每個(gè)接觸墊區(qū)Ad上；或者是，若接觸墊區(qū)Ad有多個(gè)時(shí)，每個(gè)接觸 墊區(qū)Ad上形成的接觸墊240的數(shù)目為至少一個(gè)。
繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，于上述各實(shí)施例中于薄膜晶體管T上方形成保護(hù) 層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層)600時(shí)，保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng)為介電層) 600也同時(shí)覆蓋于接觸墊240上。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D4D，于上述各實(shí)施例中于形成圖案化光致抗蝕劑層 900(或900b或900c)之時(shí)，圖案化光致抗蝕劑層的第三部分960還覆蓋于接 觸墊區(qū)Ad的保護(hù)層800上，也即是于接觸墊區(qū)Ad的圖案化光致抗蝕劑層 900之厚度為t3。特別是，圖案化光致抗蝕劑層的第三部分960覆蓋接觸墊 240周?chē)戏降谋Ｗo(hù)層800，且其具有一接觸開(kāi)口 H3，用以暴露出接觸墊240 上方的部分保護(hù)層800。本發(fā)明接觸開(kāi)口H3以一個(gè)范例說(shuō)明，但不限于此。 于其它實(shí)施例，為了讓電性穩(wěn)定和/或電傳輸量較佳，接觸開(kāi)口H3可為至少 一個(gè)以上。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4E，于上述各實(shí)施例中于移除圖案化光致抗蝕劑層的第
一部分920之后，移除接觸墊區(qū)Ad中被暴露出的保護(hù)層800及保護(hù)層(或稱(chēng) 為介電層)600與介電層300，以暴露接觸墊240。也就是說(shuō)，移除該第一開(kāi) 口底部的該第一部分920及其下方的該保護(hù)層等膜層時(shí)，也移除接觸墊區(qū) Ad上方的各膜層。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D4F，對(duì)圖案化光致抗蝕劑層900進(jìn)行一灰化程序，并控 制灰化工藝中圖案化光致抗蝕劑層900被移除的厚度，以移除圖案化光致抗 蝕劑層的第三部分960，使得位于接墊區(qū)Ad的第三部分960成為較第三部 分960厚度較薄的第四部分960a。
繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D4G，共形地覆蓋導(dǎo)電層980于圖案化光致抗蝕劑層的 第四部分960a上、接觸開(kāi)口H3及接觸墊區(qū)Ad上方的保護(hù)層800上，且導(dǎo) 電層980通過(guò)接觸開(kāi)口 H3與暴露出的接觸墊240接觸。
最后，請(qǐng)參照?qǐng)D4H，利用移除圖案化光致抗蝕劑層的第四部分960a并 且移除位于圖案化光致抗蝕劑層的第四部分960a上的導(dǎo)電層980，以定義出 一接觸電極980d。
至此，將彩色濾光層直接整合于薄膜晶體管陣列基板上的接墊結(jié)構(gòu)已大 致完成，且本實(shí)施例的接墊結(jié)構(gòu)的制造方法可與上述任一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu) 的制造方法結(jié)合，于制作薄膜晶體管陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)的同時(shí)， 一并將 其對(duì)應(yīng)的接墊結(jié)構(gòu)制作完成。
圖5為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種顯示面板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，本實(shí) 施例的顯示面板310的成品包括至少一像素陣列基板320、相對(duì)于此像素陣 列基板320的另一基板330及一設(shè)置于像素陣列基板320與另一基板330之 間的顯示介質(zhì)340，其中像素陣列基板320具有上述如圖1J、圖2J或圖3J 所示的像素結(jié)構(gòu)100、 100b或100c以及如圖4H所示的接墊結(jié)構(gòu)100d，且 另一基板330選擇性地具有一透明電極330a或其它功能的層，如配向?qū)拥龋?其中顯示介質(zhì)340的材料包含液晶材料。顯示面板310的制造方法包含如上 所述的像素結(jié)構(gòu)100、 100b或100c的制造方法，再依照各種顯示面板310 的制造程序并組裝，以獲得顯示面板310。
此外，顯示面板310可為半穿透半反射式顯示面板、反射型顯示面板、 彩色濾光片于有源層上(color filter on array)的顯示面板、垂直配向型(VA)顯示面板、水平切換型(IPS)顯示面板、多域垂直配向型(MVA)顯示面
板、扭曲向列型(TN)顯示面板、超扭曲向列型(STN)顯示面板、圖案 垂直配向型(PVA)顯示面板、超級(jí)圖案垂直配向型(S-PVA)顯示面板、 先進(jìn)大視角型(ASV)顯示面板、邊緣電場(chǎng)切換型(FFS)顯示面板、連續(xù) 焰火狀排列型(CPA)顯示面板、軸對(duì)稱(chēng)排列微胞型(ASM)顯示面板、 光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列型(OCB)顯示面板、超級(jí)水平切換型(S-IPS)顯示面 板、先進(jìn)超級(jí)水平切換型(AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場(chǎng)切換型(UFFS) 顯示面板、高分子穩(wěn)定配向型顯示面板、雙視角型(dual-view)顯示面板、 三視角型(triple-view) 顯示面板、三維顯示面板(three-dimensional)或其 它型面板。
圖6為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種光電裝置的示意圖。請(qǐng)參考圖6，由上 述實(shí)施例所述的顯示面板310可以跟電子元件430電連接而組合成一光電裝 置410，而光電裝置410的制造方法，包含如上所述的顯示面板310的制造 方法，再依照各種光電裝置410的制造程序并組裝所得顯示器，以獲得光電 裝置410。由于，在本實(shí)施例中，顯示面板310的像素陣列基板320是采用 上述的像素結(jié)構(gòu)IOO、 100b或100c,因此采用上述的顯示面板310的光電裝 置410除了可降低工藝時(shí)間增加產(chǎn)率外，同時(shí)還可降低生產(chǎn)成本。
另外，電子元件430包括如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元 件、記憶元件、驅(qū)動(dòng)元件、發(fā)光元件、保護(hù)元件、感測(cè)元件、偵測(cè)元件、或 其它功能元件、或前述的組合。而光電裝置410的類(lèi)型包括便攜式產(chǎn)品(如 手機(jī)、攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)、手表、音樂(lè)播放器、電子信 件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器、數(shù)字相片、或類(lèi)似的產(chǎn)品)、音像產(chǎn)品(如音像放 映器或類(lèi)似的產(chǎn)品)、熒幕、電視、看板、投影機(jī)內(nèi)的面板等。
綜上所述，本發(fā)明提供多種像素結(jié)構(gòu)與接墊結(jié)構(gòu)的制造方法，可簡(jiǎn)化工 藝步驟并減少光掩模的制作成本。在部分實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)的制造方法可 于像素電極中定義出多個(gè)狹縫，以使液晶分子可達(dá)到多域配向的效果。在其 他實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)的制造方法可提供具有較大存儲(chǔ)電容值的像素結(jié)構(gòu)， 用以穩(wěn)定像素結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)電壓。
另外，接墊結(jié)構(gòu)的制造方法可與多個(gè)實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法結(jié) 合，于制作像素結(jié)構(gòu)的同時(shí)， 一并將其對(duì)應(yīng)的接墊結(jié)構(gòu)制作完成。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為 準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包含(a)提供一基板，且其上具有至少一晶體管區(qū)、至少一電容區(qū)與至少一像素區(qū)；(b)分別形成至少一晶體管于該晶體管區(qū)上與至少一電容電極于該電容區(qū)上，其中該電容電極被一介電層所覆蓋；(c)形成一彩色濾光層于該晶體管區(qū)上、該像素區(qū)上及該電容區(qū)上，并覆蓋該晶體管及部分該電容電極，其中，該彩色濾光層具有至少一第一開(kāi)口及至少一第二開(kāi)口，該第一開(kāi)口對(duì)應(yīng)于該晶體管的一源/漏極，該第二開(kāi)口對(duì)應(yīng)于該電容電極；(d)共形地形成一保護(hù)層于該彩色濾光層的表面上；(e)形成一圖案化光致抗蝕劑層于該保護(hù)層上，且該圖案化光致抗蝕劑層具有一第一部分、一第二部分以及一第三部分，該第一部分的厚度小于第二部分的厚度，且該第二部分的厚度小于第三部分的厚度，其中該第一部分覆蓋該第一開(kāi)口底部的該保護(hù)層上，該第三部分覆蓋部分該晶體管上方的該保護(hù)層上，該第二部分覆蓋于該像素區(qū)上方的該保護(hù)層上、于另一部分該晶體管上方的該保護(hù)層上及于部分該電容區(qū)上方的該保護(hù)層上；(f)移除該第一開(kāi)口底部的該第一部分及該第一開(kāi)口底部下方的該保護(hù)層，以暴露出該有源元件的部分該源/漏極；(g)移除該圖案化光致抗蝕劑層的該第二部分及部分該第三部分，以使得位于部分該晶體管上方的該第三部分成為較第三部分厚度較薄的一第四部分，并暴露出像素區(qū)上的該保護(hù)層、部分晶體管區(qū)上方的該保護(hù)層、該第二開(kāi)口處的該保護(hù)層及該電容區(qū)上方的該保護(hù)層；(h)共形地覆蓋一導(dǎo)電層于該第四部分上、該第一開(kāi)口、該第二開(kāi)口、該像素區(qū)上方的該保護(hù)層上及部分該電容區(qū)上方的該保護(hù)層上；(i)移除該圖案化光致抗蝕劑層的該第四部分及位于該第四部分上方的該導(dǎo)電層以定義出一像素電極，其中該像素電極于該第二開(kāi)口處與該電容電極構(gòu)成一存儲(chǔ)電容，且該導(dǎo)電層與暴露出的該源/漏極連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中， 于該步驟(a)時(shí)，該基板還包含至少一接觸墊區(qū)；于該步驟(b)時(shí)，還包含形成至少一接觸墊于該接觸墊區(qū)上，其中該接觸 墊被該介電層所覆蓋；于該步驟(d)時(shí)，該保護(hù)層還覆蓋于該接觸墊上；于該步驟(e)時(shí)，該圖案化光致抗蝕劑層還具有至少一暴露出該接觸墊上 方的部分該保護(hù)層的第一開(kāi)口，且該圖案化光致抗蝕劑層的該第三部分覆蓋 該接觸墊周?chē)戏降脑摫Ｗo(hù)層，于該步驟(f)時(shí)，還移除該被暴露出該接觸墊上方的該保護(hù)層與該介電 層，以暴露該接觸墊；于該步驟(g)時(shí)，位于部分該接觸墊周?chē)戏降脑摰谌糠指蔀檩^第 三部分厚度較薄的該第四部分；于該步驟(h)時(shí)，該導(dǎo)電層更形成于部分該接觸墊周?chē)戏降脑摰谒牟糠稚?；于該步驟(i)，還移除位于該接觸墊周?chē)戏降脑摰谒牟糠旨拔挥谠摰谒?部分上方的該導(dǎo)電層，以定義出一接觸電極。
3. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，該第二部分還覆蓋于該第一開(kāi) 口的側(cè)邊上、該第二開(kāi)口的側(cè)邊上與該第二開(kāi)口的底部上。
4. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，第一部分還覆蓋于該第二開(kāi)口 的底部上，且該第二部分還覆蓋于該第二開(kāi)口的側(cè)邊上及該第一開(kāi)口的側(cè)邊 上。
5. 如權(quán)利要求4所述的制造方法，其中，于該步驟(f)時(shí)，還移除該第二開(kāi)口底部的該第一部分及該第二開(kāi)口底部 下方的該保護(hù)層，以暴露出該第二開(kāi)口下方的該介電層。
6. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，該圖案化光致抗蝕劑層還包含 多個(gè)突出部位于該像素區(qū)上方的該第二部分上，且通過(guò)該第二部分連接。
7. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中， 于該步驟(g)時(shí)，所述突出部形成底部不相連的島狀部； 于該步驟(h)時(shí)，該導(dǎo)電層還共形地覆蓋于該像素區(qū)上方的該島狀部上；以及于該步驟(i)時(shí)，還移除該島狀部及該島狀部上方的該導(dǎo)電層，以便于該 像素電極中定義出多個(gè)狹縫。
8. —種顯示面板的制造方法，包含如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造 方法。
9. 一種光電裝置的制造方法，包含如權(quán)利要求8所述的顯示面板的制造方法。
全文摘要
本發(fā)明提供像素結(jié)構(gòu)、顯示面板以及光電裝置的制造方法。該像素結(jié)構(gòu)的制造方法包括首先，提供一基板，且其上具有晶體管區(qū)、電容區(qū)與像素區(qū)。接著形成薄膜晶體管與電容電極于基板上，其中電容電極被介電層所覆蓋。繼之，于薄膜晶體管以及電容電極上形成彩色濾光層，并于彩色濾光層上形成保護(hù)層。之后，形成不同厚度的圖案化光致抗蝕劑層于保護(hù)層上，再依序移除部分保護(hù)層與部分圖案化光致抗蝕劑層，以暴露出薄膜晶體管的部分源/漏極與部分保護(hù)層。接著，于保護(hù)層上共形地覆蓋導(dǎo)電層，再移除部分圖案化光致抗蝕劑層，以定義出像素電極。本發(fā)明可以降低制作成本，縮短工藝時(shí)間且增加產(chǎn)能，像素結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)電容的電容值也可獲得有效地提升。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101409263SQ20081017869
公開(kāi)日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2008年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者廖金閱, 曾賢楷, 陳建宏 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司