專利名稱：光傳感器和顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用以薄膜形式的半導(dǎo)體(下文稱為"半導(dǎo)體薄膜")的光 傳感器，并且還涉及裝配有多個這樣的光傳感器的顯示器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，每個都裝配有光傳感器的顯示器是已知的。例如，在液晶顯示器
中，薄膜晶體管(TFT)用作控制像素驅(qū)動的開關(guān)器件。已知這樣的顯示器， 其裝配有這樣的薄膜晶體管和光傳感器，該光傳感器通過與薄膜晶體管類似 的制造工藝形成在與薄膜晶體管相同的基板上(例如，見日本特開平No. 2007-18458 )。
圖24是圖解現(xiàn)有光傳感器80構(gòu)造的平面圖，圖25是圖解光傳感器80 構(gòu)造的截面圖。所示的光傳感器80的結(jié)構(gòu)與n溝道MOS (金屬氧化物半導(dǎo) 體)晶體管類似。在該光傳感器80中，控制電極82在基板81的上表面上 形成條狀。第一絕緣膜83覆蓋控制電極82而形成疊層。第一絕緣膜83由 透光、絕緣材料制造。在第一絕緣膜83的上表面上形成半導(dǎo)體膜84。半導(dǎo) 體膜84概略地分成光敏層85和成對的電極區(qū)域86、 87。光敏層85用于在 光進(jìn)入光敏層85時產(chǎn)生作為光電流源的電子-空穴對。在平面圖來看，光敏 層85設(shè)置在與控制電極82重疊的區(qū)域內(nèi)。
成對的電極區(qū)域86、 87通過在光敏層85的相對側(cè)向半導(dǎo)體層84中引 入雜質(zhì)而形成。關(guān)于成對的電極區(qū)域86、 87,它們之一，也就是電極區(qū)域 86設(shè)置為源極區(qū)域，而另一個電極區(qū)域87設(shè)置為漏極區(qū)域。源極區(qū)域86 和漏極區(qū)域87都形成為面積相同的矩形。源極區(qū)域86分成低濃度區(qū)域86L 和高濃度區(qū)域86H,其中，低濃度區(qū)域86L引入的雜質(zhì)濃度相對低，而高濃 度區(qū)域86H引入的雜質(zhì)濃度相對高。低濃度區(qū)域86L鄰近光敏層85設(shè)置。 同樣，漏極區(qū)域87分成低濃度區(qū)域87L和高濃度區(qū)域87H,其中低濃度區(qū) 域87L引入的雜質(zhì)濃度相對低，而高濃度區(qū)域87H引入的雜質(zhì)濃度相對高。 低濃度區(qū)域87L鄰近光敏層85設(shè)置。在第一絕緣膜83的上表面上，第二絕緣膜88形成疊層，從而第二絕緣 膜88覆蓋半導(dǎo)體膜84。第二絕緣膜88由透光、絕緣材料制造。通過第二絕 緣膜88,形成多個接觸孔89以暴露部分的源極區(qū)域86的高濃度區(qū)域86H, 此外，形成多個接觸孔90以暴露部分的源極區(qū)域87的高濃度區(qū)域87H。源 極側(cè)接觸孔89填充有第一導(dǎo)體91的導(dǎo)電材料，而漏極側(cè)接觸孔90填充有 第二導(dǎo)體92的導(dǎo)電材料。在第二絕緣膜88的上表面上，平坦膜93形成為 疊層，覆蓋各導(dǎo)體91、 92。平坦膜93由透光、絕緣材料制造。
在上述構(gòu)造的光傳感器80中，通過平坦膜93、第二絕緣膜88等進(jìn)入半 導(dǎo)體膜84中的光敏層85的光導(dǎo)致在光敏層85中產(chǎn)生電子-空穴對，從而產(chǎn) 生光電流。該光電流讀取為從光傳感器到傳感器外部的接收信號。
發(fā)明內(nèi)容
由于光傳感器80利用半導(dǎo)體膜84產(chǎn)生的光電流總體上是弱的，提供高 靈敏度的光傳感器80需要高效率地讀取光電流。為了高效讀取光電流，減 少傳感器內(nèi)的寄生電容是有效的。決定傳感器內(nèi)的寄生電容的主要因素是通 過第一絕緣膜83彼此面對的控制電極82與源極區(qū)域86 (低濃度區(qū)域86L ) 相互面對的面積，以及通過第一絕緣膜83彼此面對的控制電極82與漏極區(qū) 域87 (低濃度區(qū)域87L)相互面對的面積。因此，為了減少傳感器內(nèi)的寄生 電容，必須減少半導(dǎo)體膜84的面積。然而，半導(dǎo)體膜84面積的減少使得光 敏層85的區(qū)域變窄，導(dǎo)致傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流的減少。
為了解決上述問題，希望提供的光傳感器減少內(nèi)部寄生電容而不減少傳 感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流，并且希望提供配有很多這樣光傳感器的顯示器。
因此，在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，所提供的光傳感器提供有控制電極， 形成在基板上，并且具有兩個邊緣；以及半導(dǎo)體膜，形成為與控制電極相對， 其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光敏層和成對地位于光敏層的相對側(cè)的電極區(qū) 域；其中光敏層布置在與控制電極重疊的區(qū)域中，并且成對的電極區(qū)域的至 少一個與控制電極的邊緣中鄰近的一個重疊，而在鄰近的邊緣上以及沿著該
鄰近的邊緣，該至少一個電極區(qū)域的長度短于光敏層在沿著控制電極的鄰近 的邊緣方向上的長度。
關(guān)于分別位于光敏層的相對側(cè)的成對的電極區(qū)域的至少一個，在根據(jù)本 發(fā)明實(shí)施例的光傳感器中，電極部分與控制電極的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度設(shè)計(jì)為短于光敏層在沿著控制電極的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度。這樣的設(shè) 計(jì)使其能夠減少該至少 一 個電極部分與控制電極相互面對的面積，而不減少 光敏層的面積。
根據(jù)本實(shí)施例的光傳感器，該傳感器可以提供有減少的內(nèi)部寄生電容而 不減少傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。因此，可以高效地從光傳感器讀取光電流。
根據(jù)本發(fā)明的另 一個實(shí)施例，所提供的顯示器也提供在如上限定的具有 像素元件和光傳感器的基板上。由于光傳感器的上述優(yōu)點(diǎn)，例如，該顯示器 使其能夠通過手指或記錄筆等輸入坐標(biāo)，以捕獲位于靠近顯示屏的顯示表面 (屏幕)的目標(biāo)，或者檢測顯示面板安裝的環(huán)境的亮度。
圖1的框解了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器的總體結(jié)構(gòu)；
圖2的示意解了顯示面板的顯示區(qū)域中的電路結(jié)構(gòu)； 圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明第 一實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明第 一 實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖6是圖解根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖8是圖解根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖9是圖解根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖IO是圖解根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖11是圖解本發(fā)明比較實(shí)例的平面圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖13是圖解根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖14是圖解根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖15是圖解根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖16是圖解根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖17是圖解根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖18是圖解根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖19是圖解作為第一應(yīng)用實(shí)例的電視機(jī)的透視圖； 圖20A是圖解作為第二應(yīng)用實(shí)例的數(shù)字相機(jī)從前側(cè)看的透視圖，而圖20B是數(shù)字相機(jī)從背面看的透視圖21是展示作為第三應(yīng)用實(shí)例的筆記本個人計(jì)算機(jī)的透視圖22是展示作為第四應(yīng)用實(shí)例的攝像機(jī)的透視圖23A是作為第五應(yīng)用實(shí)例的移動電話打開狀態(tài)的正視圖，圖23B是 移動電話打開狀態(tài)的側(cè)視圖，圖23C移動電話關(guān)閉狀態(tài)的正視圖，圖23D 是移動電話關(guān)閉狀態(tài)的左視圖，圖23E是移動電話關(guān)閉狀態(tài)的右視圖，圖 2 3 F是移動電話關(guān)閉狀態(tài)的俯視圖，而圖23 G是移動電話關(guān)閉狀態(tài)的仰視圖24是圖解現(xiàn)有光傳感器的結(jié)構(gòu)的平面圖；和
圖25是圖解現(xiàn)有光傳感器的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)注意 的是，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于下文要描述的實(shí)施例，而是還可以在適合給 本發(fā)明的各成分帶來特優(yōu)效果或者多重效果或者它們的結(jié)合的范圍內(nèi)圍繞 實(shí)施例進(jìn)行各種修改和改進(jìn)。
<顯示器的總體結(jié)構(gòu)>
參考圖1，顯示器l提供有顯示面板2、背光3、顯示驅(qū)動電路4、光接 收驅(qū)動電路5、圖像處理單元6和應(yīng)用程序執(zhí)行單元7。
顯示器1由LCD (液晶顯示器)構(gòu)造，LCD采用液晶面板作為顯示面 板2。顯示面板2具有顯示圖像的顯示區(qū)域8。在顯示面板2的顯示區(qū)域8 中，多個像素在整個區(qū)域上設(shè)置成矩陣。顯示面板2在執(zhí)行逐行操作 (line-sequential operation )時顯示諸如圖片或者符號的預(yù)定圖像。顯示區(qū)域 8還提供有光傳感器，用于檢測接觸或者靠近顯示表面(屏幕)的目標(biāo)。這 些光傳感器例如能夠通過手指或者記錄筆等輸入在顯示區(qū)域中的坐標(biāo)、捕獲 位于靠近顯示面板的顯示表面(屏幕)的目標(biāo)、或者檢測顯示面板安裝環(huán)境 的亮度。
背光3用作在顯示面板2上顯示圖像的光源。背光3構(gòu)造為例如使得多 個發(fā)光二極管排列在平面中。背光3在與顯示面板2的操作時間同步的預(yù)定 時間執(zhí)行發(fā)光二極管的高速導(dǎo)通/截止控制。
顯示驅(qū)動電路4執(zhí)行顯示面板2的每個驅(qū)動(每個逐行操作的驅(qū)動)， 以根據(jù)相應(yīng)的顯示數(shù)據(jù)在顯示面板2上顯示圖像。以在顯示面板2獲得接收數(shù)據(jù)(以檢測目標(biāo)的接觸或者鄰近)。光接收驅(qū)動 電路5具有幀存儲器9。各像素接收的數(shù)據(jù)立即存儲在存儲器中，例如作為 存儲器中的一幀，再輸出到圖像處理單元6。
圖像處理單元6根據(jù)從光接收驅(qū)動電路5輸出的接收數(shù)據(jù)執(zhí)行預(yù)定的圖 像處理(運(yùn)算處理)，并且檢測和獲得關(guān)于已經(jīng)與顯示面板2接觸或者靠近
的目標(biāo)的信息(目標(biāo)的位置坐標(biāo)數(shù)據(jù)、形狀和尺寸的數(shù)據(jù)等)。
根據(jù)圖像處理單元6的檢測結(jié)果，應(yīng)用程序執(zhí)行單元7執(zhí)行相應(yīng)預(yù)定應(yīng) 用軟件的處理。由于這樣的處理，例如能夠涉及根據(jù)圖像處理單元6所檢測 的包括目標(biāo)的位置坐標(biāo)，并且在顯示面板2上顯示它們。在應(yīng)用程序執(zhí)行單 元7產(chǎn)生的顯示數(shù)據(jù)供給顯示驅(qū)動電路4 。
<顯示區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)>
參考圖2，接下來將描述顯示面板2的顯示區(qū)域8的電路結(jié)構(gòu)。如圖所 示，顯示區(qū)域8提供有多個像素元件11和多個傳感器元件12。多個像素元 件11在整個顯示區(qū)域8上設(shè)置成矩陣，并且多個傳感器元件12也在整個顯 示區(qū)域8上設(shè)置成矩陣。具體地講，作為實(shí)例，多個像素元件ll和傳感器 元件12設(shè)置為如圖2所示，它們在顯示面板2的垂直掃描方向上交替地排 列成陣列。關(guān)于傳感器元件12的布置，它們可以排列成與對應(yīng)于紅(R)、 綠(G)和藍(lán)(B)的各顏色成分的子像素成1: l的關(guān)系，或者與R、 G和 B三個子像素結(jié)合構(gòu)成的主像素成1: 1的關(guān)系；或者可以對于多個主像素 布置一個傳感器元件12。此外，傳感器元件12可以僅布置在顯示區(qū)域8的 有限部分(預(yù)定位置)，而不是全部顯示區(qū)域8。
像素元件11設(shè)置在顯示區(qū)域8中的布置在水平方向上的多個掃描線lla 和布置在垂直方向上的多個信號線lib之間的各交叉點(diǎn)。每個像素元件11 提供有例如用作像素驅(qū)動開關(guān)裝置的薄膜晶體管(TFT) Tr。
薄膜晶體管Tr的柵極連接到掃描線lla,其源極和漏極之一連接到信號 線llb,而源極和漏極的另一個連接到像素電極llc。每個像素元件ll還提 供有公共電極lld,從而7>共電位Vcom施加給所有的像素元件11。
根據(jù)通過掃描線lla供給的驅(qū)動信號，薄膜晶體管Tr導(dǎo)通或者截止。 當(dāng)薄膜晶體管Tr在導(dǎo)通狀態(tài)時，根據(jù)從信號線lib供給的顯示信號，像素 電壓施加給像素電極lie,并且像素電極llc和公共電極lid之間的電場驅(qū)動液晶層。
另一方面，每個傳感器元件12提供有光傳感器15。例如，采用與薄膜 晶體管Tr相同的層(相同的步驟)，在上述像素元件ll中形成光傳感器15。 具體地講，假設(shè)像素元件11例如設(shè)置在透明玻璃基板上，光傳感器15也與 像素元件11 一起設(shè)置在玻璃基板上。在此情況下，像素元件ll采用薄膜晶 體管形成，并且這些薄膜晶體管以陣列設(shè)置在基板上。因此，該基板稱為"TFT 陣列基板"或者"驅(qū)動基板"。通過在TFT陣列基板和對向基板(例如，其 上形成有濾色器層的濾色器基板)之間封入并保持液晶層來構(gòu)造顯示面板2 。
給每個光傳感器15設(shè)計(jì)供給電源電壓Vdd的電路。復(fù)位開關(guān)元件12a 和電容器(存儲電容器)12b連接到光傳感器15。光傳感器15在光入射(暴 露到光下)時產(chǎn)生電子-空穴對，并且與光量成比例地產(chǎn)生光電流。該光電 流讀取為到傳感器外部的接收信號。光傳感器15的接收信號(信號電荷) 聚集在電容器12b中。開關(guān)元件12a在預(yù)定的時間復(fù)位聚集在電容器12b中 的接收信號。在讀取開關(guān)元件12c導(dǎo)通時，聚集在電容器12b中的接收信號 通過緩沖放大器12d供給(讀取)到接收信號導(dǎo)體12e，再輸出到外面。復(fù) 位開關(guān)元件12a的導(dǎo)通/截止操作通過復(fù)位控制線12f供給的復(fù)位信號控制。 另一方面，讀取開關(guān)元件12c的導(dǎo)通/截止操作通過讀取控制線12g供給的讀 取信號控制。
<第一實(shí)施例>
參考圖3和4,將描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光傳感器15的結(jié)構(gòu)。所 示的光傳感器15具有與n溝道MOS晶體管類似的結(jié)構(gòu)。在該光傳感器15 中，控制電極22以條狀形成在基板21的上表面上。第一絕緣膜23覆蓋控 制電極22而形成為疊層?；?1由具有透光特性的基板制造，具體地講， 例如為透明玻璃基板?？刂齐姌O22對應(yīng)于MOS晶體管的柵極電極。通過未 示出的控制導(dǎo)體給控制電極22施加預(yù)定的電壓，以控制光傳感器15的驅(qū)動。 控制電極22由反光、導(dǎo)電材料制造，例如鉬或者高熔點(diǎn)金屬。第一絕緣膜 23對應(yīng)于MOS晶體管的柵極絕緣膜。
第一絕緣膜23由透光、絕緣材料(例如，氧化硅或者氮化硅等)制造。 為了形成第一絕緣膜23,可以采用CVD (化學(xué)氣相沉積)工藝。在第一絕 緣膜23的上表面上形成半導(dǎo)體膜24。半導(dǎo)體膜24為例如由多晶硅制造的薄 膜制成，并且形成在第一絕緣膜23上，從而在MOS晶體管的溝道長度方向(圖中的水平方向)上延伸在控lj電極22上。半導(dǎo)體膜24例如可以通過在 第一絕緣膜23上形成非晶硅再輻射受激準(zhǔn)分子激光(eximer laser)以多晶 化該硅層來形成。半導(dǎo)體膜24概略地分成光敏層25和成對的電極區(qū)域26、
27。.
光敏層25對應(yīng)于MOS晶體管的溝道，并且具有光電轉(zhuǎn)換功能。當(dāng)光進(jìn) 入光敏層25時，光敏層25產(chǎn)生作為光電流源的電子-空穴對。從平面圖中 看，光敏層25為矩形形狀，其延伸在控制電極22的長度方向上。光敏層25 布置在與控制電極22重疊的區(qū)域內(nèi)。在MOS晶體管的溝道長度方向(源極 到漏極的方向)上，光敏層25的尺寸設(shè)定為小于控制電極22的尺寸，并且 在MOS晶體管的溝道寬度方向(垂直于溝道寬度方向的方向)上，光敏層 25的尺寸也設(shè)定為小于控制電極22。因此，光敏層25布置為完全圍在控制 電極22的形成區(qū)域內(nèi)。
成對的電極區(qū)域26、 27通過例如使用離子注入系統(tǒng)在光敏層25的相對 側(cè)將雜質(zhì)引入(注入)注入到半導(dǎo)體層24中來形成。電極區(qū)域26、 27都是 N+區(qū)域。關(guān)于成對電極區(qū)域26、 27,它們之一，也就是電極區(qū)域26布置為 形成MOS晶體管的源極區(qū)域，而另一個電極區(qū)域27布置為形成MOS晶體 管的漏極區(qū)域。在由多晶硅膜制造的半導(dǎo)體膜24中，例如，可以如接下來 描述的形成源極區(qū)域26和漏極區(qū)域27。在氧化硅膜形成為覆蓋多晶硅膜后， 通過光刻技術(shù)在氧化硅膜上圖案化抗蝕劑。然后采用離子注入系統(tǒng)，通過抗 蝕劑中的開口將雜質(zhì)引入多晶硅膜中來形成源極區(qū)域26和漏極區(qū)域27。隨 后，基板21放在退火爐中來激活雜質(zhì)。在剝離抗蝕劑后，再一次形成抗蝕 劑圖案。然后，用干蝕刻器(etcher)圖案化多晶硅膜和氧化硅膜。
源極區(qū)域26分成低濃度區(qū)域26L和高濃度區(qū)域26H,其中，低濃度區(qū) 域26L引入雜質(zhì)的濃度相對低，而高濃度區(qū)域26H 1入雜質(zhì)的濃度相對高。 低濃度區(qū)域26L設(shè)置為在溝道長度方向上鄰近光敏層25。源極區(qū)域26的低 濃度區(qū)域26L設(shè)置為在溝道長度方向上延伸在控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣 之上。同樣，漏極區(qū)域27分成低濃度區(qū)域27L和高濃度區(qū)域27H，其中， 低濃度區(qū)域27L引入雜質(zhì)的濃度相對低，而高濃度區(qū)域27H引入雜質(zhì)的濃 度相對高。低濃度區(qū)域27L設(shè)置為在溝道長度方向上鄰近光敏層25。漏極 區(qū)域27的低濃度區(qū)域27L設(shè)置為在溝道長度方向上延伸在控制電極22的鄰 近的側(cè)邊緣之上。這樣的晶體管結(jié)構(gòu)也稱為LDD (輕摻雜漏極)結(jié)構(gòu)。采用LDD結(jié)構(gòu)的目的是減小漏極電場。另一方面，高濃度區(qū)域26H、 27H設(shè) 置為將半導(dǎo)體膜24的相反的端部轉(zhuǎn)換成電極(源極電極、漏極電極)。在此 情況下，控制電極22的該側(cè)邊緣用作在成對的電極之間的方向(源極到漏 極方向)上界定控制電極22的端部的邊緣，該成對的電極一個是源極區(qū)域 26而另一個是漏極區(qū)域27。
在第一絕緣膜23的上表面上，第二絕緣膜28形成為疊層，從而第二絕 緣膜28覆蓋半導(dǎo)體膜24。第二絕緣膜28由透光、絕緣材料(例如，氧化硅 或者氮化硅等)制造。為了形成第二絕緣膜28,可以采用CVD (化學(xué)氣相 沉積)工藝。通過第二絕緣膜28，單個接觸孔29形成為暴露部分的源極區(qū) 域26的高濃度區(qū)域26H,此外，多個(所示實(shí)施例為五個)接觸孔30形成 為暴露部分的漏極區(qū)域27的高濃度區(qū)域27H。各接觸孔29、 30例如可以通 過第二絕緣膜28以這樣的方法形成通過光刻技術(shù)在第二絕緣膜28上形成 抗蝕劑圖案，再通過該抗蝕劑圖案蝕刻第二絕緣膜28。源極側(cè)接觸孔29填 充有第一導(dǎo)體31的導(dǎo)電材料，而漏極側(cè)接觸孔30填充有第二導(dǎo)體32的導(dǎo) 電材料。作為第一導(dǎo)體31和第二導(dǎo)體32的導(dǎo)電材料，例如可以采用鋁。在 第二絕緣膜28的上表面上，平坦膜33形成疊層，覆蓋各導(dǎo)體31、 32。平坦 膜33由透光、有機(jī)、絕緣材料制造。
現(xiàn)在來比較半導(dǎo)體膜24的源極區(qū)域26與半導(dǎo)體膜24的漏極區(qū)域27, 漏極區(qū)域27形成為矩形形狀，而源極區(qū)域26形成為小于漏極區(qū)域27的梯 形形狀。更詳細(xì)地描述為，限定漏極區(qū)域27的矩形長邊的長度與光敏層25 的長度(長邊尺寸)相同。另一方面，限定源極區(qū)域26的梯形的下邊與光 敏層25的長邊尺寸相同，但限定源極區(qū)域26的梯形的上邊的尺寸短于光敏 層25的長邊尺寸。這里所用的術(shù)語"光敏層25的長度"是指在沿著上述控 制電極25的鄰近的側(cè)邊緣的方向上光敏層25的長度。由于光敏層25形成 為圖3中的垂直長條形狀，光敏層25的長度由光敏層25的長邊尺寸限定。 然而，如果光敏層25例如形成為水平長條形狀，則光敏層25的長度由光敏 層25的短邊尺寸限定。
關(guān)于漏極區(qū)域27,與控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣重疊的低濃度區(qū)域27L 的長度和光敏層25在沿著控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度(在該 實(shí)施例中低濃度區(qū)域27L與光敏層25之間的邊界部分的長度)都設(shè)定為相 同的長度L1。另一方面，至于源極區(qū)域26,與控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣重疊的低濃度區(qū)域26L的長度L2短于光壽丈層25在沿著控制電極22的鄰近
間的邊界部分的長度)(L3=L1)。如圖所示的實(shí)施例中，存在L3x0.65^L2 的尺寸關(guān)系。
在上述結(jié)構(gòu)的光傳感器15中，光通過平坦膜33、第二絕緣膜28等入射 到半導(dǎo)體膜24中的光敏層25中導(dǎo)致在光敏層25中產(chǎn)生電子-空穴對，從而 產(chǎn)生光電流。該光電流讀取為從光傳感器到傳感器外部的接收信號。
在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光傳感器15中，通過將半導(dǎo)體膜24的源極 區(qū)域26形成為梯形形狀，使得與控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣重疊的低濃度 區(qū)域26L的長度L2短于光敏層25在沿著控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣方向 上的長度L3。因此，控制電極22與源極區(qū)域26 (低濃度區(qū)域26L)相互面 對的區(qū)域小于控制電極22與漏極區(qū)域27 (低濃度區(qū)域27L)相互面對的區(qū) 域。與如漏極區(qū)域27—樣形成為的矩形形狀的源極區(qū)域26相比較，控制電 極22與源極區(qū)域26相互面對的區(qū)域因此變得更小，并且傳感器內(nèi)的寄生電 容相應(yīng)減小。由于光敏層25的長邊尺寸在源極側(cè)和漏極側(cè)保持相同的值(L1 =L3),光敏層25作為電子-空穴對的產(chǎn)生源的區(qū)域(面積)保持不變。因此， 傳感器內(nèi)產(chǎn)生的光電流沒有減少。結(jié)果，傳感器內(nèi)寄生電容可以減少而沒有 減少傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。因此，能有效地讀取作為光傳感器15的接 收信號的光電流。
在上述第一實(shí)施例中，通過將漏極區(qū)域27形成為矩形形狀而源極區(qū)域 26形成為梯形形狀，使源極側(cè)的相互面對區(qū)域小于漏極側(cè)。相反，通過將漏 極區(qū)域27形成為梯形形狀而源極區(qū)域26為矩形形狀，可以使漏極側(cè)的相互 面對區(qū)域小于源極側(cè)。
<第二實(shí)施例>
接下來參考圖5,將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光傳感器15的結(jié)構(gòu)。 在第二實(shí)施例中，漏極區(qū)域27的形狀與上述第一實(shí)施例的不同。具體地講， 在第一實(shí)施例中漏極區(qū)域27的形狀為矩形，而在第二實(shí)施例中，漏極區(qū)域 27形成為與源極區(qū)域26類似的梯形形狀。關(guān)于漏極區(qū)域27,低濃度區(qū)域27L 與控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L4短于低濃度區(qū)域27L與光敏層 25之間的邊界部分的長度L1。
在上述結(jié)構(gòu)的光傳感器15中，通過使半導(dǎo)體膜24的源極區(qū)域26和漏極區(qū)域27的每一個都形成梯形形狀，使得低濃度區(qū)域26L與控制電極22的 鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L2小于光壽文層25在沿著控制電極22的鄰近的側(cè) 邊緣方向上的長度L3 (低濃度區(qū)域26L與光敏層25之間的邊界部分的長 度)。因此，與第一實(shí)施例相比，控制電極22與漏極區(qū)域27 (低濃度區(qū)域 27L)相互面對的區(qū)域較小，并且傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減少。由于源極 側(cè)和漏極側(cè)光敏層25的長邊尺寸保持相同的值(L1=L3)，光敏層25作為 電子-空穴對的產(chǎn)生源的區(qū)域(面積)保持不變。因此，傳感器內(nèi)產(chǎn)生的光 電流沒有減少。結(jié)果，傳感器內(nèi)的寄生電容可以減小而不減少傳感器內(nèi)要產(chǎn) 生的光電流。因此，能夠更有效地讀取作為光傳感器15的接收信號的光電
、、六
<第三實(shí)施例〉
參考圖6，接下來將描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的光傳感器15的結(jié)構(gòu)。 在該第三實(shí)施例中，源極區(qū)域26的形狀與上述第一實(shí)施例的不同。具體地 講，在第一實(shí)施例中，漏極區(qū)域27為矩形形狀而源極區(qū)域26為梯形形狀， 而在該第三實(shí)施例中，漏極區(qū)域27形成為矩形形狀而源極區(qū)域26形成為梳 齒形狀。因此，關(guān)于漏極區(qū)域27,低濃度區(qū)域27L與控制電極22的鄰近的 側(cè)邊緣重疊的長度和低濃度區(qū)域27L和光敏層25之間的邊界部分的長度都 相應(yīng)地設(shè)定為相同的長度L1。另一方面，至于源極區(qū)域26,低濃度區(qū)域26L 與控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L5 (L5 = L5a + L5b + L5c)短于 光敏層25在沿著控制電極22的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度L3 (在本實(shí)施 例中為低濃度區(qū)域26L與光敏層25之間的邊界部分的長度)。
由于上述結(jié)構(gòu)，控制電極22和源極區(qū)域26 (低濃度區(qū)域26L)相互面 對的區(qū)域小于控制電極22和漏極區(qū)域27 (低濃度區(qū)域27L)相互面對的區(qū) 域。因此，與源極區(qū)域26和漏極區(qū)域27類似地形成為矩形形狀相比，控制 電極22與源極區(qū)域26相互面對的區(qū)域較小，并且傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng) 減少。光敏層25在源極側(cè)和漏極側(cè)的長邊尺寸保持為相同的值(Ll = L3 )， 光敏層25作為電子-空穴對的產(chǎn)生源的區(qū)域(面積)保持不變。因此，傳感 器內(nèi)產(chǎn)生的光電流不減少。結(jié)果，傳感器內(nèi)的寄生電容可以減少而不減少傳 感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。因此，能夠有效讀取作為光傳感器15的接收信號 的光電;克。梳齒狀，使得源極側(cè)相互面對的區(qū)域小于漏極側(cè)相互面對的區(qū)域。相反，通 過將漏極區(qū)域27形成為梳齒形狀而源極區(qū)域26為矩形形狀，可以使得漏極
側(cè)相互面對的區(qū)域小于源極側(cè)。此外，源極區(qū)域26和漏極區(qū)域27的每一個 都可以形成為梳齒形狀。 <第四實(shí)施例>
接下來參考圖7和8,將描述根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的光傳感器15的結(jié) 構(gòu)。所述第四實(shí)施例與上述第一至第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)元件功能相同的結(jié)構(gòu)元 件釆用相同的附圖標(biāo)記。在所示的光傳感器15中，控制電極22和半導(dǎo)體膜 24的源極區(qū)域26、光敏層25和漏極區(qū)域27都共中心地(concentrically )設(shè) 置?？刂齐姌O22形成環(huán)形形狀?？刂茖?dǎo)體20連接到控制電極22。半導(dǎo)體膜 24形成為圓形(實(shí)圓，tmeround)形狀。半導(dǎo)體膜24的結(jié)構(gòu)為在半徑方向 上從光傳感器15的中心依次設(shè)置源極區(qū)域26、光敏層25和漏極區(qū)域27。 因此，光敏層25以環(huán)形形狀形成在圓形源極區(qū)域26的外側(cè)，從而光敏層25 圍繞源極區(qū)域26,并且漏極區(qū)域27以環(huán)形形狀形成在光敏層25的外側(cè)，從 而漏極區(qū)域27圍繞光敏層25 。
光敏層25設(shè)置的區(qū)域與控制電極22重疊。光敏層25的內(nèi)徑設(shè)定為大 于控制電極22的內(nèi)徑，并且光敏層25的外徑設(shè)定為小于控制電極22的外 徑。因此，光敏層25設(shè)置為完全包圍在控制電極22的形成區(qū)域內(nèi)。
源極區(qū)域26分成在其內(nèi)側(cè)的高濃度區(qū)域26H和在其外側(cè)的低濃度區(qū)域 26L,并且低濃度區(qū)域26L的外圓周部分設(shè)置為鄰近光敏層25的內(nèi)圓周部分。 接觸孔29布置在源極區(qū)域26的高濃度區(qū)域26H的中心位置。接觸孔29形 成為延伸通過第二絕緣膜28,并且填充有第一導(dǎo)體31的導(dǎo)電材料。在第一
除，以防止對應(yīng)于MOS晶體管的溝道的光敏層25受到源極信號的耦合。
漏極區(qū)域27分成在其外側(cè)的高濃度區(qū)域27H和在其內(nèi)側(cè)的低濃度區(qū)域 27L,并且低濃度區(qū)域27L的內(nèi)圓周部分設(shè)置為鄰近光敏層25的外圓周部分。 漏極區(qū)域27的高濃度區(qū)域27H的一部分向外延伸，并且接觸孔30形成在該 延伸部分中。接觸孔30形成為延伸通過第二絕緣膜28,并且填充有第二導(dǎo) 體32的導(dǎo)電材料。
現(xiàn)在比較半導(dǎo)體膜24的源極區(qū)域26和半導(dǎo)體膜24的漏極區(qū)域27,源 極區(qū)域26以圓形形狀形成在光敏層25的內(nèi)側(cè)，與以環(huán)形形狀形成在光敏層25外側(cè)的漏極區(qū)域27相對。關(guān)于漏極區(qū)域27,低濃度區(qū)域27L與控制電極 22的鄰近的圓周邊緣(外圓周邊緣)重疊的長度(圓周長度)因此長于光敏 層25在沿著控制電極22的鄰近的圓周邊緣方向(圓周方向)上的長度(在 該實(shí)施例中，低濃度區(qū)域27L和光敏層25之間的邊界部分的長度(圓周長 度))。另一方面，至于源極區(qū)域26,低濃度區(qū)域26L與控制電極22的鄰近 的圓周邊緣(內(nèi)圓周邊緣)重疊的長度(圓周長度)短于光壽丈層25在沿著 控制電極22的鄰近的圓周邊緣方向(圓周方向)上的長度(在該實(shí)施例中， 低濃度區(qū)域26L和光敏層25之間的邊界部分的長度(圓周長度))。因此， 控制電極22和源極區(qū)域26 (低濃度區(qū)域26L)相互面對的區(qū)域小于控制電 極22和漏極區(qū)域27 (低濃度區(qū)域27L)相互面對的區(qū)域。假定控制電極22 和漏極區(qū)域27相互面對的區(qū)域與上述現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(漏極區(qū)域形成為矩形形狀 的情況)的相同，則控制電極22和源極區(qū)域26相互面對的區(qū)域小于上述現(xiàn) 有結(jié)構(gòu)，并且傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減小。
假定在MOS晶體管結(jié)構(gòu)的光傳感器中，光敏層在源極區(qū)域側(cè)的端部為 "源極端部"，并且光敏層在漏極區(qū)域側(cè)的端部為"漏極端部"，則漏極端部 產(chǎn)生電子-空穴對的貢獻(xiàn)程度通常高于源極端部，這是因?yàn)楣馊肷溥M(jìn)入光敏 層時，主要在漏極端部發(fā)生產(chǎn)生光電流的電子-空穴對。在根據(jù)第四實(shí)施例 的光傳感器15中，作為半導(dǎo)體膜24的布置形式，源極區(qū)域26和漏極區(qū)域 27分別布置在內(nèi)側(cè)和外側(cè)。這保證對產(chǎn)生電子-空穴對具有更高程度貢獻(xiàn)的 漏極端部的圓周長度較長。因此，與源極區(qū)域26在外側(cè)而漏極區(qū)域27在內(nèi) 側(cè)的布置相比，可以產(chǎn)生更高的光電流。結(jié)果，可以減少傳感器內(nèi)的寄生電 容而不減少傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。因此，能夠有效讀取作為光傳感器15 的接收信號的光電流。與具有相同傳感器效率的現(xiàn)有傳感器相比，根據(jù)該實(shí) 施例的傳感器可以制造為更小的尺寸。
在第四實(shí)施例中，控制電極22和半導(dǎo)體膜24的形狀(內(nèi)圓周形狀和外 圓周形狀等)為圓形。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，這些形狀不限于這樣的圓形， 而是可以是例如六邊形或者更多邊的多邊形。
第一至第四實(shí)施例以n溝道MOS晶體管結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了描述。然而， 應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明的實(shí)施例不限于這樣的光傳感器，而是也可以應(yīng)用于 p溝道MOS晶體管結(jié)構(gòu)。
此外，本發(fā)明的實(shí)施例不限于MOS晶體管結(jié)構(gòu)的光傳感器，而是也可以應(yīng)用于PIN(p-本征-n)二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器。PIN 二極管采用分成p型電 極區(qū)域、I型光敏層和n型電極區(qū)域的半導(dǎo)體膜構(gòu)造。在此情況下，設(shè)置在 光敏層的相對側(cè)的成對的電極區(qū)域由構(gòu)成PIN 二極管的陽極區(qū)域和陰極區(qū)
域形成。下文對本發(fā)明應(yīng)用于PIN二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器的情況來描述一定
的具體實(shí)施例。
<第五實(shí)施例>
.參考圖9和10,將描述根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的光傳感器45的結(jié)構(gòu)。 所示的光傳感器45具有與PIN二極管類似的結(jié)構(gòu)。在該光傳感器45中，控 制電極47以條狀形成在基板46的上表面上。第一絕緣膜48覆蓋控制電極 47而形成為疊層?；?6由具有透光特性的基板制造，具體地講，例如為 透明玻璃基板。控制電極47形成在公共基板46上，其形成步驟與用作像素 驅(qū)動、開關(guān)元件的薄膜晶體管Tr (見圖2)的柵極電極相同。對于控制電極 47,通過未示出的控制導(dǎo)體施加預(yù)定的電壓以控制光傳感器45的驅(qū)動?？?制電極47由反光、導(dǎo)電材料制造，例如鉬或者高熔點(diǎn)金屬。第一絕緣膜48 通過與上述薄膜晶體管Tr的柵極絕緣膜相同的步驟形成。
第一絕緣膜48由透光、絕緣材料(例如，氧化硅或者氮化硅等)制造。 對于形成第一絕緣膜48,可以采用CVD (化學(xué)氣相沉積)工藝。在第一絕 緣膜48的上表面上形成半導(dǎo)體膜49。半導(dǎo)體膜49是由例如多晶硅制造的薄 膜，并且形成在第一絕緣膜48上，從而在圖中的水平方向上延伸在控制電 極47上。半導(dǎo)體膜49可以通過例如在第一絕緣膜48上形成非晶硅再輻射 受激準(zhǔn)分子激光以多晶化該硅層來形成。半導(dǎo)體膜49構(gòu)造了 PIN二極管， 并且分成光敏層50和成對的電極區(qū)域51、 52。光敏層50為具有相對低雜質(zhì) 濃度的I型，而成對的電極區(qū)域51、 52分別為具有相對高雜質(zhì)濃度的P型 和N型。
光敏層50具有光電轉(zhuǎn)換功能。光敏層50在光進(jìn)入光敏層50時產(chǎn)生作 為光電流的電子-空穴對。從平面圖上看，光敏層50呈現(xiàn)為在控制電極47 的長度方向上延伸的矩形形狀。光敏層50布置在與控制電極47重疊的區(qū)域 內(nèi)。在圖中的水平方向上，光敏層50的尺寸設(shè)定為小于控制電極47,并且 在圖中的垂直方向的方向上，光敏層50的尺寸也設(shè)定為小于控制電極47。 因此，光敏層50布置為完全包圍在控制電極47的形成區(qū)域內(nèi)。
例如，成對的電極區(qū)域51、 52采用離子注入系統(tǒng)分別在光敏層50的相對側(cè)通過給半導(dǎo)體層49引入(注入)不同導(dǎo)電類型的雜質(zhì)來形成。 一側(cè)為
P+區(qū)域，而另一側(cè)為N+區(qū)域。關(guān)于成對的電極區(qū)域51、 52,它們之一，也 就是電極區(qū)域(P+區(qū)域)51設(shè)置為陽極區(qū)域，而另一電極區(qū)域(N+區(qū)域) 52設(shè)置為陰極區(qū)域。陽極區(qū)域51設(shè)置為在圖中的水平方向上延伸在控制電 極47的鄰近的側(cè)邊緣之上，并且陰極區(qū)域52設(shè)置為在圖中的水平方向上延 伸在控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣之上。
在第一絕緣膜48的上表面上，第二絕緣膜53形成為疊層，從而第二絕 緣膜53覆蓋半導(dǎo)體膜49。第二絕緣膜53由透光、絕緣材料(例如，氧化硅 或者氮化硅等)制造。對于形成第二絕緣膜53，可以采用CVD (化學(xué)氣相 沉積)工藝。通過第二絕緣膜53，單個接觸孔54形成為在暴露部分的陽極 區(qū)域51,此外，另一個單個接觸孔55形成為暴露部分的陰極區(qū)域52。各接 觸孔54、 55可以例如通過光刻技術(shù)在第二絕緣膜53上形成抗蝕劑圖案再通 過抗蝕劑圖案蝕刻第二絕緣膜53從而形成為穿過第二絕緣膜53。陽極側(cè)接 觸孔54填充有第一導(dǎo)體56的導(dǎo)電材料，而陰極側(cè)接觸孔55填充有第二導(dǎo) 體57的導(dǎo)電材料。作為第一導(dǎo)體56和第二導(dǎo)體57的導(dǎo)電材料，例如可以 采用鋁。在第二絕緣膜53的上表面上，平坦膜58形成為堆疊層，覆蓋各導(dǎo) 體56、 57。平坦膜58由透光、有機(jī)、絕緣材料制造。
應(yīng)當(dāng)注意的是，半導(dǎo)體膜49的陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52每個都形成 為平面圖上看的T形。關(guān)于陽極區(qū)域51,陽極區(qū)域51與控制電極47的鄰 近的側(cè)邊緣重疊的長度L5短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊 緣方向上的長度L6 (在該實(shí)施例中為陽極區(qū)域51與光敏層50之間的邊界 部分的長度)。同樣，關(guān)于陰極區(qū)域52,陰極52與控制電極47的鄰近的側(cè) 邊緣重疊的長度L7短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向 上的長度L8 ( L8 = L6 )(在該實(shí)施例中為陰極區(qū)域52與光敏層50之間的邊 界部分的長度)。
在上述結(jié)構(gòu)的光傳感器45中，光通過平坦膜58、第二絕緣膜53等入射 到半導(dǎo)體膜49中的光敏層50導(dǎo)致在光敏層50中產(chǎn)生電子-空穴對，從而產(chǎn) 生光電流。該光電流讀取為從光傳感器到傳感器外部的接收信號。
在根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的光傳感器45中，通過將半導(dǎo)體膜49的陽極 區(qū)域51和陰極區(qū)域52每個都形成T形，使得陽極區(qū)域51與控制電極47的 鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L5短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度L6 (在該實(shí)施例中，陽極區(qū)域51與光敏層50之間的邊 界部分的長度)，并且使得陰極區(qū)域52與控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊 的長度L7短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度 L8(在該實(shí)施例中，陰極區(qū)域52與光敏層50之間的邊界部分的長度)。另 一方面，當(dāng)半導(dǎo)體膜49的陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52例如如圖ll所示每個 都形成為矩形形狀時，陽極區(qū)域51與控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長 度L9變?yōu)榈扔诠饷魧?0在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度 L9(陽極區(qū)域51與光敏層50之間的邊界部分的長度)，并且陰極區(qū)域52與 控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L10變?yōu)榈扔诠饷魧?0在沿著控制 電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度L10 (陰極區(qū)域52與光敏層50之間 的邊界部分的長度)。
因此，控制電極47與陽極區(qū)域51相互面對的區(qū)域與陽極區(qū)域51形成 矩形形狀的情況相比較小，并且傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減小。同樣，控制 電極47與陰極區(qū)域52相互面對的區(qū)域與陰極區(qū)域52形成為矩形形狀的情 況相比較小，并且傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減小。由于陽極區(qū)域51和陰極 區(qū)域52兩側(cè)的光敏層50的長邊尺寸保持相同的值(L6 = L8 = L9 = L10 ), 作為電子-空穴對產(chǎn)生源的光敏層50的區(qū)域(面積)保持不變。因此，傳感 器內(nèi)產(chǎn)生的光電流沒有減少。結(jié)果，可以減少傳感器內(nèi)的寄生電容而不減少 傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。因此，能夠有效讀取作為光傳感器45的接收信 號的光電流。
<第六實(shí)施例〉
參考圖12，下面將描述根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的光傳感器45的結(jié)構(gòu)。 在該第六實(shí)施例中，陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52的形狀不同于上述的第五實(shí) 施例。具體地講，在第五實(shí)施例中，陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52每個都形成 為T形，而在第六實(shí)施例中，陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52每個都形成為終止 在矩形范圍內(nèi)的梯形形狀。因此，陽極區(qū)域51與控制電極47的鄰近的側(cè)邊 緣重疊的長度L11短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上 的長度L12 (在該實(shí)施例中，陽極區(qū)域51與光敏層50之間的邊界部分的長 度)，并且陰極區(qū)域52與控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L13 (L13 =L11 )短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度L14 (L14 = L12)(在該實(shí)施例中，陰極區(qū)域52與光敏層50之間的邊界部分的長度)。
在上述結(jié)構(gòu)的光傳感器45中，通過將半導(dǎo)體膜49的陽極區(qū)域51和陰
極區(qū)域52的每一個都形成為終止在矩形范圍內(nèi)的梯形形狀，使得陽極區(qū)域 51與控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度Lll短于光敏層50在沿著控 制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度U2 (在該實(shí)施例中，陽極區(qū)域51 與光敏層50之間的邊界部分的長度)，并且使得陰極區(qū)域52與控制電極47 的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L13短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的 側(cè)邊緣方向上的長度L14 (在該實(shí)施例中，陰極區(qū)域52與光敏層50之間的 邊界部分的長度)。因此，與陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52的每一個都為上述 如圖11所示的矩形形狀的情況相比，控制電極47和陽極區(qū)域51相互面對 的區(qū)域變小，從而傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減小，此外，控制電極47和陰 極區(qū)域52相互面對的區(qū)域也變小，從而傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減小。由 于陽極側(cè)和陰極側(cè)的光敏層50的長邊尺寸與圖11所示的傳感器結(jié)構(gòu)中的保 持為相同的值(L9-L10:L12:L14),作為電子-空穴的產(chǎn)生源的光敏層50 的區(qū)域(面積)保持不變。因此，傳感器內(nèi)產(chǎn)生的光電流沒有減少。結(jié)果， 傳感器內(nèi)寄生電容可以進(jìn)一步減小而不減小傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。因 此，能夠有效讀取作為光傳感器45的接收信號的光電流。 <第七實(shí)施例>
接下來參考圖13和14,將描述根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的光傳感器45 的結(jié)構(gòu)。第七實(shí)施例描述的結(jié)構(gòu)元件與上述第五和第六實(shí)施例中功能相同的 結(jié)構(gòu)元件釆用相同的附圖標(biāo)記。在所示的光傳感器45中，控制電極47和半 導(dǎo)體膜49的陽極區(qū)域51、光敏層50和陰極區(qū)域52都共中心地布置?？刂?電極47形成為環(huán)形形狀?？刂茖?dǎo)體59連接到控制電極47。半導(dǎo)體膜49形 成為圓形(實(shí)圓)形狀。半導(dǎo)體膜49構(gòu)造為從光傳感器45的中心在半徑方 向上依次布置陰極區(qū)域52、光敏層50和陽極區(qū)域51。因此，光敏層50以 環(huán)形形狀形成在圓形陰極區(qū)域52的外側(cè)，從而光^:層50圍繞陰極區(qū)域52, 并且陽極區(qū)域51以環(huán)形形狀形成在光敏層50的外側(cè)，從而陽極區(qū)域51圍 繞光敏層50。
光敏層50設(shè)置在與控制電極47重疊的區(qū)域。光敏層50的內(nèi)徑設(shè)定為 大于控制電極47的內(nèi)徑，并且光敏層50的外徑設(shè)定為小于控制電極47的 外徑。因此，光敏層50設(shè)置為完全圍繞在控制電極47的形成區(qū)域內(nèi)。陽極區(qū)域51的內(nèi)圓周部分設(shè)置為鄰近光敏層50的外圓周部分。陽極區(qū)
域51的一部分向外延伸，并且接觸孔54形成在該延伸部分中。接觸孔54 形成為延伸通過第二絕緣膜53,并且填充有第一導(dǎo)體(陽極導(dǎo)體)56的導(dǎo) 電材料。
陰極區(qū)域52的外圓周部分設(shè)置為鄰近光敏層50的內(nèi)圓周部分。接觸孔 55設(shè)置在陰極區(qū)域52的中心位置。接觸孔55形成為延伸通過第二絕緣膜 53,并且填充有第二導(dǎo)體(陰極導(dǎo)體)57的導(dǎo)電材料。
現(xiàn)在比較半導(dǎo)體膜49的陽極區(qū)域51和半導(dǎo)體膜49的陰極區(qū)域52,陰 極區(qū)域52以圓形形狀形成在光敏層50的內(nèi)側(cè)，與以環(huán)形形狀形成在光敏層 50外側(cè)的陽極區(qū)域51相對。因此，陽極區(qū)域51與控制電極47的鄰近的圓 周邊緣(外圓周邊緣)重疊的長度(圓周長度)長于光敏層50在沿著控制 電極47的鄰近的圓周邊緣方向(圓周方向)上的長度(在該實(shí)施例中，陽 極區(qū)域51和光敏層50之間的邊界部分的長度(圓周長度))。另一方面，陰 極區(qū)域52與控制電極47的鄰近的圓周邊緣(外圓周邊緣)重疊的長度(圓 周長度)短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的圓周邊緣方向(圓周方 向)上的長度(在該實(shí)施例中，陰極區(qū)域52和光敏層50之間的邊界部分的 長度(圓周長度))。因此，控制電極47和陰極區(qū)域52相互面對的區(qū)域小于 控制電極47和陽極區(qū)域51相互面對的區(qū)域。假定控制電極47和陽極區(qū)域 51相互面對的區(qū)域與例如如圖11所示的陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52都形成 為矩形形狀的情況相同，則控制電極47和陰極區(qū)域52相互面對的區(qū)域小于 上述圖ll所示的傳感器結(jié)構(gòu)，并且傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減小。
假設(shè)在PIN 二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器中，光敏層在陽極區(qū)域側(cè)的端部為 "陽極端部"，并且光敏層在陰極區(qū)域側(cè)的端部為"陰極端部"，則陽極端部
通常對于產(chǎn)生電子-空穴對比陰極端部具有更高程度的貢獻(xiàn)，這是因?yàn)楣馊?射在光敏層上時，產(chǎn)生光電流的電子-空穴對主要發(fā)生在陽極端部。在根據(jù) 第七實(shí)施例的光傳感器45中，作為半導(dǎo)體膜49的布置形式，陰極區(qū)域52 和陽極區(qū)域51分別布置在內(nèi)側(cè)和外側(cè)。這保證了使得對于產(chǎn)生電子-空穴對 具有更高程度貢獻(xiàn)的陽極端部的圓周長度較長。因此，與陰極區(qū)域52在外 側(cè)而陽極區(qū)域51在內(nèi)側(cè)的設(shè)置相比，可以產(chǎn)生更多的光電流。結(jié)果，可以 減少傳感器內(nèi)的寄生電容，而不減少傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。因此，能夠 有效讀取作為光傳感器45的接收信號的光電流。由于陰極區(qū)域52被光敏層能夠防止光敏層50的電場分布上的任何偏置。 與具有相同傳感器效率的現(xiàn)有傳感器相比，根據(jù)該實(shí)施例的傳感器可以制造 成更小的尺寸。
在上述第七實(shí)施例中，控制電極47和半導(dǎo)體膜49的形狀(內(nèi)圓周形狀 和外圓周形狀等)為圓形。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，這些形狀不限于這樣的圓 形，而例如可以為六邊形或者更多邊的多邊形。
<第八實(shí)施例>
參考圖15,接下來將描述根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的光傳感器45的結(jié)構(gòu)。 在該第八實(shí)施例中，光敏層50和陽極區(qū)域51的形狀不同于上述第五實(shí)施例。 具體地講，在第五實(shí)施例中，光敏層50形成為條形形狀，并且陽極區(qū)域51 形成為T形，而在該第八實(shí)施例中，光敏層50的一部分設(shè)計(jì)為以與陽極區(qū) 域51相同的寬度朝著陽極區(qū)域51延伸。以與延伸部分連續(xù)的形式，陽極區(qū) 域51形成為I形，而陰極區(qū)域52形成為T形。因此，陽極區(qū)域51與控制 電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L5短于光敏層50在沿著控制電極47的 鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度L6。陰極區(qū)域52與控制電極47的鄰近的側(cè)邊 緣重疊的長度L7短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上 的長度L8。因此，能夠獲得與第五實(shí)施例類似的有益效果。與第五實(shí)施例 相比，控制電極47和陽極區(qū)域51相互面對的區(qū)域較小，從而傳感器內(nèi)的寄 生電容相應(yīng)減小。采用該第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)同樣可以應(yīng)用于上述n溝道MOS 晶體管結(jié)構(gòu)的光傳感器。在此情況下，陽極區(qū)域51的部分變?yōu)樵礃O區(qū)域的 部分，并且陰極區(qū)域52的部分變?yōu)槁O區(qū)域的部分。作為第八實(shí)施例的修 改，陽極區(qū)域51可以形成為T形，而陰極區(qū)域52可以形成為I形。
<第九實(shí)施例〉
參考圖16,接下來將描述根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的光傳感器45的結(jié)構(gòu)。 在該第九實(shí)施例中，光敏層50和陰極區(qū)域52的形狀不同于上述第八實(shí)施例。 具體地講，在該第九實(shí)施例中，光敏層50的一部分設(shè)計(jì)為以與陰極區(qū)域52 相同的寬度朝著陰極區(qū)域52延伸。以與延伸部分連續(xù)的形式，陰極區(qū)域52 形成為I形。因此，陽極區(qū)域51與控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度 L5短于光敏層50在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度L6。陰 極區(qū)域52與控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣重疊的長度L7短于光敏層50在沿 著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度L8。因此，能夠獲得與第八實(shí)施例類似的有益效果。與第五和第八實(shí)施例相比，控制電極47和陰極區(qū)域
52相互面對的區(qū)域較小，從而傳感器內(nèi)的寄生電容相應(yīng)減小。采用該第九實(shí) 施例的結(jié)構(gòu)同樣可以應(yīng)用于上述n溝道MOS晶體管結(jié)構(gòu)的光傳感器。在此 情況下，陽極區(qū)域51的部分變?yōu)樵礃O區(qū)域的部分，而陰極區(qū)域52的一部分 變?yōu)槁O區(qū)域的一部分。 <第十實(shí)施例>
參考圖17,接下來將描述根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的光傳感器45的結(jié)構(gòu)。 在該第十實(shí)施例中，陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52的形狀不同于上述如圖11 所示的PIN二極管結(jié)構(gòu)。具體地講，在圖11所示的PIN二極管結(jié)構(gòu)的光傳 感器45中，半導(dǎo)體層49的陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52的每一個都形成為矩 形形狀。另一方面，在該第十實(shí)施例中，在陽極區(qū)域51中在陽極區(qū)域51與 控制電極47重疊的部分形成缺口 60,此外，在陰極區(qū)域52中在陰極區(qū)域 52與控制電極47重疊的部分形成缺口。前者的缺口 60形成為陽極區(qū)域51 在沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向上(在圖中的垂直方向上)的寬度 局部變窄。同樣，后者的缺口 60形成為陰極區(qū)域52在沿著控制電極47的 鄰近的側(cè)邊緣方向上(在圖中的垂直方向上)的寬度局部變窄。
在上述結(jié)構(gòu)的光傳感器45中，由于在陽極區(qū)域51中設(shè)置了缺口 60，陽 極區(qū)域51和控制電極47相互面對的區(qū)域減小，此外，由于在陰極區(qū)域52 中設(shè)置了缺口 60,陰極區(qū)域52和控制電極47相互面對的區(qū)域減小。與圖 11所示的PIN二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器45相比，傳感器內(nèi)的寄生電容減少。 由于陽極側(cè)和陰極側(cè)的光敏層50的長邊尺寸與圖11所示的傳感器結(jié)構(gòu)保持 在相同的值(L9 = L10 = L12 = L14)，作為電子-孔穴對產(chǎn)生源的光敏層50 的區(qū)域(面積)保持不變。因此，傳感器內(nèi)產(chǎn)生的光電流沒有減少。結(jié)果， 可以進(jìn)一步減少傳感器內(nèi)的寄生電容，而不減少傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。 因此，能夠有效讀取作為光傳感器45的接收信號的光電流。在該實(shí)施例中， 缺口 60、 60分別布置在陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52中。然而，這樣的缺口 可以僅設(shè)置在陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52之一中。盡管圖中沒有示出，但是 可以設(shè)置至少一個所期望的形狀(例如，圓形、橢圓形或者多邊形等)的通 孔以替代這樣的 一個或多個缺口 。該第十實(shí)施例中釆用的結(jié)構(gòu)同樣可以應(yīng)用 于上述n溝道MOS晶體管結(jié)構(gòu)的光傳感器。在此情況下，陽極區(qū)域51的部 分變?yōu)樵礃O區(qū)域的部分，而陰極區(qū)域52的部分變?yōu)槁O區(qū)域的部分。<第十一實(shí)施例>
參考圖18,接下來將描迷根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的光傳感器45的結(jié) 構(gòu)。在該第十一實(shí)施例中，控制電極47與半導(dǎo)體膜49之間的布置關(guān)系不同 于上述圖9所示的PIN二極管結(jié)構(gòu)。具體地講，在圖9所示的PIN二極管結(jié) 構(gòu)的光傳感器45中，光敏層50以及光敏層50相對側(cè)的部分的陽極區(qū)域51 和陰極區(qū)域52設(shè)置為與控制電極47重疊。然而，在該第十一實(shí)施例中，只 有光敏層50與控制電極47重疊，而陽極區(qū)域51和陰極區(qū)域52都不與控制 電極47重疊。具體地講，在垂直于沿著控制電極47的鄰近的側(cè)邊緣方向的 方向上(圖中的水平方向上)，控制電極47和光敏層50的尺寸(寬度)相 同。光敏層50與陽極區(qū)域51之間的邊界設(shè)置在與控制電極47的鄰近的側(cè) 邊緣相同的線上，而光敏層50與陰極區(qū)域52之間的邊界設(shè)置在與控制電極 47的鄰近的側(cè)邊緣相同的線上。
在上述結(jié)構(gòu)的光傳感器45中，陽極區(qū)域51和控制電極47相互面對的 區(qū)域基本上為零，此外，陰極區(qū)域52和控制電極47相互面對的區(qū)域也基本 上為零。與圖9所示的PIN二極管結(jié)構(gòu)的光傳感器45相比，減少了傳感器 內(nèi)的寄生電容。由于光敏層50的長邊尺寸與圖9的傳感器結(jié)構(gòu)保持等值， 作為電子-孔穴的產(chǎn)生源的光敏層50的區(qū)域(面積)保持不變。因此，傳感 器內(nèi)產(chǎn)生的光電流沒有減少。結(jié)果，可以進(jìn)一步減少傳感器內(nèi)的寄生電容， 而不減少傳感器內(nèi)要產(chǎn)生的光電流。采用該第十一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)同樣可以應(yīng) 用于上述n溝道MOS晶體管結(jié)構(gòu)的光傳感器。在此情況下，陽極區(qū)域51的 部分變?yōu)樵礃O區(qū)域的部分，并且陰極區(qū)域52的部分變?yōu)槁O區(qū)域的部分。
<應(yīng)用實(shí)例>
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的上述顯示器(液晶顯示器)l可以應(yīng)用于各領(lǐng)域的 電子設(shè)備中，用于顯示圖片圖像或者視頻圖像、輸入電子設(shè)備中的視頻信號 或者電子設(shè)備中產(chǎn)生的視頻信號，例如圖19至23G所示的各種電子設(shè)備， 例如，數(shù)字相機(jī)、筆記本大小的個人計(jì)算機(jī)、如移動電話的移動終端設(shè)備和 攝像機(jī)。
<第一應(yīng)用實(shí)例>
圖19是作為第一應(yīng)用實(shí)例的電視機(jī)的透視圖。根據(jù)該應(yīng)用實(shí)例的電視 機(jī)包括由前面板102、濾光片玻璃103等構(gòu)造的圖像顯示屏101,并且上述 顯示器1可以用作圖像顯示屏101。<第二應(yīng)用實(shí)例>
圖20A和20B是作為第二應(yīng)用實(shí)例的數(shù)字相機(jī)的透視圖。圖20A是從 前側(cè)看的透視圖，而圖20B是從后側(cè)看的透視圖。根據(jù)該應(yīng)用實(shí)例的數(shù)字相 機(jī)包括用于閃光的發(fā)光單元111、顯示器112、菜單選擇器113、快門按鈕 114等，并且上述顯示器1可以用作顯示器112。
<第三應(yīng)用實(shí)例>
圖21是展示作為第三應(yīng)用實(shí)例的筆記本大小個人計(jì)算機(jī)的透視圖。根 據(jù)該應(yīng)用實(shí)例的筆記本大小個人計(jì)算機(jī)包括主體121、輸入符號等要操作的 鍵盤122、用于顯示圖像的顯示器123，等等，并且上述的顯示器1可以用 作顯示器123。
<第四應(yīng)用實(shí)例>
圖22是展示作為第四應(yīng)用實(shí)例的攝像機(jī)的透視圖。根據(jù)該應(yīng)用實(shí)例的 攝像機(jī)包括主體131、前側(cè)的攝像鏡頭132、攝像時采用的開始/停止開關(guān)133、 顯示器134等，并且上述顯示器1可以用作顯示器134。
<第五應(yīng)用實(shí)例>
圖23A至23G圖解了作為第五應(yīng)用實(shí)例的移動終端設(shè)備，即移動電話， 其中，圖23A是其打開狀態(tài)的主視圖，圖23B是其側(cè)視圖，圖23C是其關(guān) 閉狀態(tài)的主視圖，圖23D是其左側(cè)視圖，圖23E是其右側(cè)視圖，圖23F是 其俯視圖，而圖23G是其仰視圖。根據(jù)該應(yīng)用實(shí)例的移動電話包括上殼體 141、下殼體142、連接部分(在該實(shí)例中為鉸鏈)143、顯示器144、子顯 示器145、圖像燈146、相機(jī)147等，并且上述顯示器1可以用作顯示器145。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍 內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
本發(fā)明包含分別于2007年12月11日和2008年3月4日提交日本專利 局的日本專利申請JP 2007-319141和JP 2008-052811的相關(guān)主題，將其全部 內(nèi)容引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種光傳感器，包括控制電極，形成在基板上，并且具有兩個邊緣；以及半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光敏層和成對地位于所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；其中所述光敏層布置在與所述控制電極重疊的區(qū)域中；并且所述成對的電極區(qū)域中的至少一個與所述控制電極的所述邊緣中鄰近的一個重疊，并且在所述鄰近的邊緣上并沿著所述鄰近的邊緣，所述至少一個電極區(qū)域的長度短于所述光敏層在沿著所述控制電極的所述鄰近的邊緣的方向上的長度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中所述成對的電極區(qū)域包括構(gòu) 造金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其中所述成對的電極區(qū)域包括構(gòu) 造p-本征-n 二極管的陽極區(qū)域和陰極區(qū)域。
4、 一種顯示器，在基板上設(shè)置有像素元件和光傳感器，其中 所述光傳感器的每一個都包括控制電極，形成在所述基板上，并且具有兩個邊緣；和半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光敏層和成對地位于所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；所述光敏層布置在與所述控制電極重疊的區(qū)域中；以及 所述成對的電極區(qū)域的至少一個與所述控制電極的所述邊緣中鄰近的一個重疊，并且在所述鄰近的邊緣上并沿著所述鄰近的邊緣，所述至少一個電極區(qū)域的長度短于所述光敏層在沿著所述控制電極的所述鄰近的邊緣的方向上的長度。
5、 一種光傳感器，包括 控制電極，形成在基板上；和半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光 敏層和成對地位于所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；其中 所述光敏層布置在與所述控制電極重疊的區(qū)域中；并且 所述成對的電極區(qū)域的至少一個具有與所述控制電極重疊的一部分，且所述部分提供有至少一個缺口 。
6、 一種光傳感器，包括 控制電極，形成在基板上；以及半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光 敏層和成對地位于所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；其中 所述光敏層布置在與所述控制電極重疊的區(qū)域中；并且 所述成對的電極區(qū)域的至少一個具有與所述控制電極重疊的一部分，且 所述部分提供有至少 一 個通孔。
7、 一種顯示器，在基板上設(shè)置有像素元件和光傳感器，其中 所述光傳感器的每一個都包括控制電極，形成在所述基板上；以及半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光敏層和成對地位于所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；所述光敏層布置在與所述控制電極重疊的區(qū)域中；并且 所述成對的電極區(qū)域的至少一個具有與所述控制電極重疊的一部分，并且所述部分提供有至少一個缺口 。
8、 一種顯示器，在基板上設(shè)置有像素元件和光傳感器，其中 所述光傳感器的每一個都包括控制電極，形成在所述基板上；以及半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光敏層和成對地位于所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；所述光敏層布置在與所述控制電極重疊的區(qū)域中；并且 所述成對的電極區(qū)域的至少一個具有與所述控制電極重疊的一部分，并且所述部分提供有至少一個通孔。
9、 一種光傳感器，包括控制電極，形成在基板上，并且具有兩個邊緣；以及 半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光 敏層和成對地位于所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；其中間的邊界分別設(shè)置在與所述控制電極的所述邊緣中鄰近的一個相同的線上。
10、 一種顯示器，在基板上設(shè)置有像素元件和光傳感器，其中所述光傳感器的每一個都包括控制電極，形成在基板上，并且具有兩個邊緣；以及 半導(dǎo)體膜，形成為與所述控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光 敏層和成對地位于在所述光敏層的相對側(cè)的電極區(qū)域；以及間的邊界分別設(shè)置在與所述控制電極的所述邊緣中鄰近的一個相同的線上。
全文摘要
本發(fā)明公開了光傳感器和顯示器，該光傳感器包括控制電極，形成在基板上，并且具有兩個邊緣；以及半導(dǎo)體膜，形成為與控制電極相對，其間設(shè)有絕緣膜，并且包括光敏層和在光敏層對面設(shè)置的一對電極區(qū)域。光敏層設(shè)置在與控制電極重疊的區(qū)域。成對電極區(qū)域的至少一個與控制電極的一個鄰近的側(cè)邊緣重疊，并且在該鄰近的側(cè)邊緣上以及沿著該鄰近的側(cè)邊緣，該至少一個電極區(qū)域的長度短于光敏層在沿著控制電極的鄰近的側(cè)邊緣方向上的長度。
文檔編號G02F1/1362GK101458430SQ20081018465
公開日2009年6月17日 申請日期2008年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月11日
發(fā)明者大谷夏樹, 田中勉 申請人:索尼株式會社