專利名稱：薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及其薄膜晶體管陣列基板，且特別涉及一種可防止閃爍的液晶顯示裝置與薄膜晶體管陣列基板。
背景技術(shù)：
圖1示出依照一般薄膜晶體管液晶顯示裝置的電路示意圖。請參照圖1，一般液晶顯示裝置位于同一列上的子像素SP1C)A、 SP1DB、 SPk)C...的薄膜晶體
管TFT脆、TFT鵬、TFT…皆由同一條掃描線(scanline)S10進行驅(qū)動，通常一個主像素由三個子像素所組成，例如一可顯示任意所需顏色的主像素通常由紅、綠及藍色三個子像素組成。當(dāng)掃描線S10提供足夠的開啟電壓時，連接至掃描線S10的薄膜晶體管TFT,oa、 TFT,, TFT,oc…就會被打開，以使各條數(shù)據(jù)線D10所搭載的數(shù)據(jù)(電壓電平)能夠?qū)懭胱酉袼豐PIQA、SP10B、SP,oc...。當(dāng)上述寫入動作完成后，薄膜晶體管TFTh)a、 TFT，。b、 TFT10C...就會被關(guān)閉，并通過液晶電容Qx與像素儲存電容Cst等保持各子像素SP10A、 SP10B、 SPK)c…內(nèi)的像素電極(pixelelectrode)的電壓電平。
然而，當(dāng)薄膜晶體管TFTIQA、 TFT1()B、 TFT,oc…被關(guān)閉時，各子像素SP1()A、 SPh)b、 SP,oc，..內(nèi)的像素電極的電壓電平(level)很容易受到其它周圍電壓改變的影響而變動，此電壓變動量稱為饋通電壓(Feed-through voltage),以下以Vfd來表示。饋通電壓可表示為
VFD=[CGD/(CLC+CST+CGD)]xAVG (1)
其中，方程式(1)內(nèi)的CLC為液晶電容，CsT為像素儲存電容，QjD為薄
膜晶體管的柵極與漏極間的電容，AVC則為掃描線在開啟與關(guān)閉薄膜晶體管時的電壓差。在液晶顯示裝置的作動原理中，主要就是通過施加于液晶分子的電場大小來改變液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度，進而表現(xiàn)出各種灰階變化。由于施加于液晶分子的電場大小是由各子像素的像素電極與共同電極(common electrode)的電壓差所決定，因此當(dāng)子像素的像素電極的電壓電平受饋通電壓VpD影響而改變時，就會使此子像素顯示灰階時與其預(yù)定顯示
值產(chǎn)生偏離，因此產(chǎn)生閃爍(flicker)并且影響液晶顯示裝置的顯示效果。所 幸，由于各子像素的Vn3彼此間相差極小，故此缺點通?？山?jīng)由輸入顯示 信號時對各子像素的驅(qū)動電壓水平進行整體性的補償來得到解決。
一般來說，組成液晶顯示面板的一對薄膜晶體管陣列基板及對向基板 之間會設(shè)置多個間隔物(spacer)以維持間距，而間隔物通常僅設(shè)置在每個像 素區(qū)中的一個子像素區(qū)的像素儲存電容上方、并且通常以光敏性樹脂 (photosensitive resin)經(jīng)光刻工藝(photo lithography)形成于對向基板的表面， 故其又稱為感光間隔物(photo spacer, PS)。
請參照圖2，其為示出傳統(tǒng)薄膜晶體管液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列
的俯視圖。由子像素SP嵐、SP加b、 sp20c等構(gòu)成的薄膜晶體管陣列中，設(shè) 計有穿過各子像素的共同配線(common line)C20，其作用為經(jīng)寫入共通電壓 (common voltage)或所需水平電壓且與各子像素的像素電極電連接的電容器 電極耦合為像素儲存電容CsT。近年來，由于移動通訊迅速發(fā)展，使得小尺 寸(small-size)LCD產(chǎn)品的需求受到重視，使用者的需求使小尺寸LCD產(chǎn)品 逐漸朝向高清晰度發(fā)展。因而各子像素需配合此趨勢縮小其像素尺寸，然 而感光間隔物仍須保持一定寬度或直徑以上的尺寸以確保其支撐及維持基 板間距的功能。然而，這將造成用以支撐感光間隔物以及遮蓋感光間隔物 周邊液晶紊亂排列所造成的暗紋(disclination)的電容器電極E2。e亦需保持一 定尺寸，此一定尺寸通常將大于此種高分辨率小尺寸LCD產(chǎn)品中共同配線 C20的寬度，因此子像素的SP2oc的共同配線C20與電容器電極的寬度必須 適當(dāng)?shù)財U大以供間隔物配置其上。然而，為了統(tǒng)一各子像素儲存電容值CsT 大小以保持饋通電壓VFD_A VFD_B"VFD_c的關(guān)系，可進一步通過驅(qū)動電壓 的補償來避免發(fā)生閃爍(flicker)，即使在沒有間隔物設(shè)置的其余兩子像素中 E贏與e20b的面積也需要被相應(yīng)地擴大。如此一來，在子像素SP嵐、SP20B
與sp2。c中雖可獲得CsT.fCsT-B-CsT.c的結(jié)果以保持饋通電壓V FD-A"VpD-B
^VFD-c的關(guān)系，卻會犧牲掉其余子像素的幵口率(aperture ratio),降低整體 顯示亮度，對顯示質(zhì)量以及產(chǎn)品性能的影響很大。

發(fā)明內(nèi)容
7本發(fā)明涉及一種防止液晶顯示裝置閃爍的薄膜晶體管陣列基板、液晶 顯示裝置以及方法，在最大化開口率的前提下，將各個子像素區(qū)的饋通電 壓調(diào)整為一致，避免閃爍的問題。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明目的提出一種薄膜晶體管陣列基板，其包括基板、 多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、圖案化導(dǎo)電層、多個電容器電極以及多個晶體 管。多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線相互垂直交錯地形成于基板上，以定義出 多個子像素區(qū)，多個子像素區(qū)包括第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)與第三子 像素區(qū)。圖案化導(dǎo)電層形成于基板上，圖案化導(dǎo)電層包括分別位于第一子 像素區(qū)、第二子像素區(qū)以及第三子像素區(qū)的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部以及 第三導(dǎo)電部。多個電容器電極包括分別設(shè)置于第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部及 第三導(dǎo)電部之上的第一電容器電極、第二電容器電極以及第三電容器電極， 電容器電極與導(dǎo)電部耦合為多個像素儲存電容，在第三電容器電極上方設(shè) 置有間隔物，其中第三電容器電極的形狀不同于第一電容器電極與第二電 容器電極的形狀，且第三電容器電極在圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬 度大于第一電容器電極與第二電容器電極在圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最 大寬度。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明目的再提出一種液晶顯示裝置，其包括薄膜晶體管 陣列基板、間隔物、對向基板以及液晶層。薄膜晶體管陣列基板包括基板、 多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個導(dǎo)電層、多個電容器電極以及多個晶體管。 多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線相互垂直交錯地形成于基板上，以定義出多個 子像素區(qū)，多個子像素區(qū)包括第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)與第三子像素 區(qū)。圖案化導(dǎo)電層形成于基板上，圖案化導(dǎo)電層包括分別位于第一子像素 區(qū)、第二子像素區(qū)以及第三子像素區(qū)的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部以及第三 導(dǎo)電部。多個電容器電極包括分別設(shè)置于第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部及第三 導(dǎo)電部之上的第一電容器電極、第二電容器電極以及第三電容器電極，電 容器電極與導(dǎo)電部耦合為多個像素儲存電容，其中第三電容器電極的形狀 不同于第一電容器電極與第二電容器電極的形狀，且第三電容器電極在圖 案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度大于第一電容器電極與第二電容器電極 在圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度。間隔物設(shè)置于第三子像素區(qū)的電 容器電極上，對向基板設(shè)置于多個間隔物上，液晶層填充于對向基板與薄
8膜晶體管陣列基板之間。


為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配 合附圖，進行如下的詳細說明
圖1示出依照一般薄膜晶體管液晶顯示裝置的電路示意圖2示出傳統(tǒng)薄膜晶體管液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列的俯視圖3示出依照本發(fā)明的第一實施例的液晶顯示裝置的剖面圖4示出依照本發(fā)明的第一實施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖5示出依照本發(fā)明的第一實施例的薄膜晶體管陣列基板的剖面圖6示出依照本發(fā)明的第二實施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖。
具體實施例方式
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板以及液晶顯示裝置，在最大化開 口率的前提下，將各個子像素區(qū)的饋通電壓調(diào)整為一致，避免閃爍的問題。 在下文中將配合圖示舉出幾組較佳實施例作為說明，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)當(dāng)可明了，這些實施例僅為本發(fā)明的發(fā)明精神下的幾種實施方式，并不 會對本發(fā)明所要保護的范圍進行限制。
第一實施例
請參照圖3，其示出依照本發(fā)明的第一實施例的一種液晶顯示裝置的側(cè) 視圖。本實施例的液晶顯示裝置100，包括薄膜晶體管陣列基板40、對向 基板20、間隔物10及液晶層30。間隔物10設(shè)置于對向基板20的面對薄 膜晶體管陣列基板40的表面上，并且接觸薄膜晶體管陣列基板40，使得薄 膜晶體管陣列基板40與對向基板20之間相隔固定的間距，液晶層30得以 填充而分布于對向基板20與薄膜晶體管陣列基板40之間，間隔物10優(yōu)選
為光敏性樹脂并經(jīng)光刻工藝所形成。
圖4示出依照本發(fā)明的第一實施例的薄膜晶體管陣列基板40的俯視 圖。請參照圖4，多條掃描線(scanlines)D40以及多條數(shù)據(jù)線(datalines)S40
相互垂直交錯地形成于玻璃基板41上，以定義出多個子像素區(qū)SP40A、SP40B、
9SP40C、…，多個子像素區(qū)至少包括第一子像素區(qū)SP4。A、第二子像素區(qū)SP40B 與第三子像素區(qū)SP4QC。 一般來說，三個子像素組成一個主像素。液晶顯示
裝置100的彩色畫面是以三原色紅、藍及綠來組成，因此每一個子像素
配合對向基板上的紅、藍或綠色的彩色濾光層用以表現(xiàn)其中一種原色，加 上各子像素的灰階皆可獨立地改變，使得一個主像素可以表現(xiàn)多種色彩，
在本實施例中SP40A、 SP4。B、 SP4QC分別地表現(xiàn)紅、綠或藍等原色。
多個晶體管(Thin film Transistor, TFT)T嫩、T鄉(xiāng)、T媒、…相應(yīng)地形成 于多個子像素區(qū)SP4。A、 SP4。B、 SP4。C、…中。多個晶體管包括第一晶體管
T40A、第二晶體管丁4。b以及第三晶體管T4QC，它們相應(yīng)地形成于第一子像素
區(qū)SP嫩、第二子像素區(qū)SP柳以及第三子像素區(qū)SP4()C。請參照圖3，每個 晶體管都具有類似的結(jié)構(gòu)以第一晶體管T柳a為例，溝道層54a與柵極絕 緣層52覆蓋于柵極50a上，漏極60a相互絕緣地形成于溝道層54a上，并 位于柵極50a之上。
請同時參照圖3和圖4，圖案化導(dǎo)電層42形成于玻璃基板41上，作為 共同配線用，圖案化導(dǎo)電層42至少包括分別位于第一子像素區(qū)SP4()A、第 二子像素區(qū)SP4GB以及第三子像素區(qū)SP4oc的第一導(dǎo)電部42a、第二導(dǎo)電部 42b以及第三導(dǎo)電部42c，較佳的是如圖4所示，第三導(dǎo)電部42c的形狀不 同于第一導(dǎo)電部42a以及第二導(dǎo)電部42b的形狀，且第三導(dǎo)電部42c在圖案 化導(dǎo)電層42的延伸方向上的最大寬度Y3大于位于第一導(dǎo)電部42a與第二 導(dǎo)電部42b在圖案化導(dǎo)電層42延伸方向上的最大寬度Yl 。
請同時參照圖3和圖4，多個電容器電極至少包括分別位于第一導(dǎo)電部 42a、第二導(dǎo)電部42b以及第三導(dǎo)電部42c上方的第一電容器電極44a、第 二電容器電極44b以及第三電容器電極44c，電容器電極44a、 44b、 44c與 導(dǎo)電部42a、 42b、 42c間隔著柵極絕緣層52而耦合為多個像素儲存電容 Cst-a、 Cst.b、 CST.C。較佳的是，如圖4所示，第三電容器電極44c在共同 配線42延伸方向上的最大寬度Y4大于第一電容器電極44a與第二電容器 電極44b在圖案化導(dǎo)電層42延伸方向上的最大寬度Y2。就電容器電極的 外型看來，各電容器電極在垂直于共同配線42的延伸方向上的最大長度則 都相同，但是第三電容器電極44c寬度與長度的比例比較大，如此一來， 在第三電容器電極44c的一部份上方提供了一個足夠空間的平坦表面，可以支撐間隔物IO。
值得注意的是，圖案化導(dǎo)電層42與間隔物10皆為不透光的金屬材料， 為了提高薄膜晶體管陣列基板40的開口率，因此在設(shè)計上只有用以置放間 隔物的第三子像素區(qū)(藍色)SP4。c內(nèi)的電容器電極與導(dǎo)電部的對應(yīng)于間隔物 10的部分面積增大至足以適當(dāng)?shù)刂伍g隔物10并且遮蔽暗紋，其余各子像 素區(qū)內(nèi)的電容器電極與導(dǎo)電部的面積則維持不變并且彼此相同，由于人眼 對藍色較不敏感，因此藍色子像素開口率較其它色為低對顯示效果的影響 可減至最低。請參照圖5，其示出依照本發(fā)明的一較佳實施例的薄膜晶體管 陣列基板40的側(cè)視圖。第三電容器電極44c與第三導(dǎo)電部42c的耦合面積 AsT.c大于第二電容器電極44b與第二導(dǎo)電部42b的耦合面積Ast-b，且第三 電容器電極44c與第三導(dǎo)電部42c的耦合面積AsT《也大于第一電容器電極 44a與第一導(dǎo)電部42a的耦合面積AST.A。由于電容值與耦合面積成正比，
在其它條件不變的情況下第三子像素區(qū)的儲存電容CsT.c大于第一子像素區(qū)
的儲存電容Cst-a，且第三子像素區(qū)的儲存電容大于第二子像素區(qū)的儲存電
容Cst.b。也就是說，在子像素區(qū)SP4。a、 SP4。B、 SP4。c內(nèi)的各個像素儲存電
容Cst具有CST_A<CST-C以及CST-B<CST-C的關(guān)系。
較佳的是，第二電容器電極44b與第二導(dǎo)電部42b的耦合面積Ast-b等 于第一電容器電極44a與第一導(dǎo)電部42a的耦合面積Ast-a。如此一來，第 一子像素區(qū)的儲存電容等于第二子像素區(qū)的儲存電容，且二者皆小于第三 子像素區(qū)的儲存電容，在子像素區(qū)SP4。A、 SP4()B、 SP4QC內(nèi)的各個像素儲存 電容CST具有CST-A=CST-B<CSTC的關(guān)系。
饋通電壓(Feed-through voltage, VpD)可表示為
VFD=[CGD/(CLC+CST+CGD)] xAVG (1)
其中，方程式(l)內(nèi)的Qx為液晶電容，CsT為像素儲存電容，C③為薄 膜晶體管的柵極與漏極之間的電容，AVG則為掃描線在開啟與關(guān)閉薄膜晶 體管時的電壓差。
就一般液晶顯示裝置而言，Cgd《Cu:+Cst，故在AVg與CLC均保持一
定的條件下且通常，從方程式(l)看來，當(dāng)子像素區(qū)SP40A及SP4qc內(nèi)的像素
儲存電容CsT己經(jīng)具有CST-A<CST-C的關(guān)系時，若通過調(diào)整漏極與柵極的耦合 面積A(jd-a及ACD.C，可調(diào)整晶體管的漏極與柵極的電容CGD以產(chǎn)生
iiCc5d-a〈Qjim:的關(guān)系，可以讓二個子像素區(qū)的饋通電壓相同具有VFD.A"VFD.C
的關(guān)系。同理，當(dāng)子像素區(qū)SP柳及SP40C內(nèi)的像素儲存電容CsT已經(jīng)具有 CsT.B《sT.c的關(guān)系時，可通過調(diào)整Acd.b及A^c來調(diào)整晶體管之漏極與柵 極的電容CGD以產(chǎn)生Ccjd-B〈Ccd-C的關(guān)系，可以讓二個子像素區(qū)的饋通電壓 相同而具有VFD.b"Vro.c:的關(guān)系。如此一來，本實施例是利用調(diào)整漏極的電 容CcD的方式來達到子像素的饋通電壓一致的目的，相較于傳統(tǒng)上為調(diào)整
各子像素cST為一致而須使另兩個未設(shè)置間隔物的子像素也要增加電容器
電極與共享配線的耦合面積直到與設(shè)置間隔物10的子像素CsT—致而會犧
牲掉整體開口率的方式，本實施例的液晶顯示裝置不僅可以維持低閃爍的 功能，還同時具有較大的開口率，可以提升顯示畫面的亮度與質(zhì)量。
進一步地說，要讓晶體管T4QA與T4QC的漏極與柵極的電容CGD具有
CGD,CcD.c的關(guān)系可以有兩種作法，其中一種作法是在第三子像素區(qū)SP40C 的儲存電容Cst-C需狡Cst-a大M倍時，將第三子像素區(qū)的漏極與柵極的電 容QjD.c;等比例地調(diào)整使其增大為Cgd.a的M倍、CcD—a則保持不調(diào)整，使 得第三子像素區(qū)的饋通電壓Vro-c維持不變，此時第一子像素區(qū)的漏極與柵 極之間的電容CcD.a小于第三子像素區(qū)的漏極與柵極之間的電容CGD-C。另 外一種作法是在第三子像素區(qū)SP4oC的儲存電容Cs;c需較Cst.a大M倍時， 將第一子像素區(qū)的漏極與柵極的電容CGD-a等比例地調(diào)整使其減少為CGD-C
的1/M倍、CcD.c則保持不調(diào)整，由此降低第一子像素區(qū)的饋通電壓VFD-A
使其與第三子像素區(qū)的饋通電壓VFD-c相同。無論如何，二種作法最終都可
以讓第一子像素區(qū)的漏極與柵極之間的電容CGD-A小于第三子像素區(qū)的漏 極與柵極之間的電容CGD。并使VFD-A"VFD.C。同樣地，也可以通過相同
的方式讓晶體管的漏極與柵極的電容Cod具有Q^b〈Q^c的關(guān)系，并使
Vfd-b"Vfd-c。
詳細地說，調(diào)整子像素區(qū)的晶體管中漏極與柵極的電容Cgd的方式與
調(diào)整像素儲存電容CsT的方式及趨勢是相同的。晶體管T4oa、 T4QB、 T4QC、...
中柵極50a、 50b、 50c、…與漏極60a、 60b、 60c、…重迭所產(chǎn)生的電容CGD， 其大小與漏極與柵極的耦合面積AGD_A、 AGD_B、 AGD_C、…成正比。為了讓
子像素區(qū)SP4oa、 SP4。B、 SP4。c漏極與柵極的電容CGD具有CGD-B〈CGD-c或者 是CeD-a《③—c的關(guān)系，第三晶體管的漏極與柵極的耦合面積A(^c調(diào)整為
12大于第二晶體管的漏極與柵極的耦合面積AcD-b，如圖3和圖5所示，且第 三晶體管的漏極與柵極的耦合面積AGD.C大于第一晶體管的漏極與柵極的 耦合面積AeD.a。
較佳的是，當(dāng)在子像素區(qū)SP4QA、 SP4qb、 SP4QC內(nèi)的各個像素儲存電容
Cst具有CsT-a-CsT-b〈CsT-c的關(guān)系時，本實施例子像素區(qū)SP4()A、 SP4GB、 SP40C 內(nèi)的各個漏極與柵極的電容q;d也對應(yīng)地具有CcD.,Cc3D.b〈CaD.c的關(guān)系， 此時，第二晶體管的漏極與柵極的耦合面積AcD-b大約等于第一晶體管的漏
極與柵極的耦合面積AGD_A，且二者皆小于第三晶體管的漏極與柵極之耦合 面積AcD.c，如圖5所示。
更進一步地說，本實施例的對向基板20更包括紅色濾光層(R)22a、綠 色濾光層(G)22b以及藍色濾光層(B)22c，當(dāng)對向基板20與薄膜晶體管陣列 基板40對組時，紅色濾光層22a、綠色濾光層22b以及藍色濾光層22c分 別對應(yīng)于第一子像素區(qū)SP4。a、第二子像素區(qū)SP4。B以及第三子像素區(qū)SP40C， 如圖3和圖5所示。間隔物10較佳的是設(shè)置于對應(yīng)于藍色層22c的第三子 像素區(qū)SP40C內(nèi)，由于人眼對于藍色較不敏感，盡管第三子像素區(qū)的開口率 小于其它子像素區(qū)的開口率，但對于整體顯示質(zhì)量的影響是最小的。
第二實施例
本實施例與上述實施例不同之處在于一致化饋通電壓所采用的技術(shù)手 段，特別是在不改變儲存電容耦合面積的情況下，僅僅通過改變電容器電 極的形狀來達到一致化饋通電壓并且同時提供間隔物設(shè)置空間的目的。圖6 示出依照本發(fā)明的第二實施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖。
請參照圖6，多個電容器電極至少包括分別位于第一導(dǎo)電部42a、第二 導(dǎo)電部42b以及第三導(dǎo)電部42c之上的第一電容器電極44a、第二電容器電 極44b以及第三電容器電極144c，電容器電極44a、 44b、 44c與導(dǎo)電部42a、 42b、 42c耦合為多個像素儲存電容CsT-a、 CST_B、 Cst.c。較佳的是，第三電 容器電極144c在圖案化導(dǎo)電層42延伸方向上的最大寬度大于第一電容器 電極44a與第二電容器電極44b在圖案化導(dǎo)電層42延伸方向上的最大寬度。 更佳的是，第三電容器電極114C形狀雖然不同，但是面積卻與第一電容器 電極44a及第二電容器電極44b相同。如此一來，第三電容器電極144c上方不僅可以提供一個適當(dāng)?shù)目臻g，讓間隔物在薄膜晶體管陣列基板上有空
間可以設(shè)置，且其與第三導(dǎo)電部42c的耦合面積仍保持不變，使得三個子 像素區(qū)內(nèi)的饋通電壓無須透過漏極與柵極的耦合面積與電容調(diào)整即可一致 化，達到防止閃爍的目的。另外，第二實施例的薄膜晶體管陣列基板也可 以如同第一實施例般地被組裝成為液晶顯示裝置，即根據(jù)第一實施例的液 晶顯示裝置100的構(gòu)造，本發(fā)明同樣可提供包含此實施例的薄膜晶體管陣 列基板的液晶顯示裝置。
在本發(fā)明上述實施例所公開的薄膜晶體管陣列基板、液晶顯示裝置中， 圖案化導(dǎo)電層42雖為共同配線，但這些實施例中圖案化導(dǎo)電層42本身也 可以是掃描線S4e，以應(yīng)用"儲存電容在掃描線"的方式(Cs on gate)的薄膜晶 體管陣列設(shè)計于上述實施例，即以每一正在掃描中(即提供開啟電壓)的
掃描線S40的鄰近一條掃描線S4C擔(dān)任原本共同配線的功能(即被寫入共通
電壓)，來與上層的電容器電極耦合為像素儲存電容Cst，更進一步省去共 同配線的空間而提供更大的像素開口率。由于此種設(shè)計應(yīng)用于前述各實施 例中的薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示裝置，除了電容器電極的位置以及 對應(yīng)電容器電極設(shè)置的間隔物位置隨著圖案化導(dǎo)電層42的位置而改變外， 其余構(gòu)造均可保持不變。故在此不再以圖文贅述此種薄膜晶體管陣列基板 及液晶顯示裝置的詳細構(gòu)造。
另外，本發(fā)明上述實施例所公開的薄膜晶體管陣列基板、液晶顯示裝 置以及防止液晶顯示裝置閃爍的方法，其只有增加用以設(shè)置間隔物的第三 子像素區(qū)內(nèi)的電容器電極與導(dǎo)電部的耦合面積，以達到最大化開口率的效 果。再者，當(dāng)?shù)谌酉袼貐^(qū)的像素儲存電容相應(yīng)地增加之后，利用調(diào)整柵 極與漏極的電容的方式，使得所有子像素區(qū)的饋通電壓都相同，由此避免 液晶顯示裝置發(fā)生閃爍的問題。進一步地說，間隔物較佳的是設(shè)置于藍色 子像素區(qū)內(nèi)，降低對整體顯示質(zhì)量的負(fù)面影響。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，但是其并非用以限 定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精 神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)視所 附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板；多條掃描線(scan lines)以及多條數(shù)據(jù)線(data lines)，相互交錯地形成于該基板上，以定義出多個子像素區(qū)，所述子像素區(qū)包括第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)與第三子像素區(qū)；圖案化導(dǎo)電層，形成于該基板上，該圖案化導(dǎo)電層包括分別位于該第一子像素區(qū)、該第二子像素區(qū)以及該第三子像素區(qū)的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部以及第三導(dǎo)電部；多個電容器電極，包括第一電容器電極、第二電容器電極以及第三電容器電極，分別設(shè)置于該第一導(dǎo)電部、該第二導(dǎo)電部及該第三導(dǎo)電部之上，所述電容器電極與該圖案化導(dǎo)電層耦合為多個像素儲存電容，該第三電容器電極上方設(shè)置有間隔物，其中該第三電容器電極在該圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度大于該第一電容器電極或該第二電容器電極在該圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度。
2、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第三導(dǎo)電部的形 狀不同于該第一導(dǎo)電部或該第二導(dǎo)電部的形狀，且該第三導(dǎo)電部在該圖案 化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度大于該第一導(dǎo)電部或該第二導(dǎo)電部在該圖 案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度。
3、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第三電容器電極 的形狀與該第三導(dǎo)電部的形狀不同。
4、 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述電容器電極與 該第一導(dǎo)電部、該第二導(dǎo)電部以及該第三導(dǎo)電部的耦合面積相同。
5、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第一子像素區(qū)為 紅色子像素區(qū)，該第二子像素區(qū)為綠色子像素區(qū)，該第三子像素區(qū)為藍色子像素區(qū)。
6、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述電容器電極與 該第一導(dǎo)電部或該第二導(dǎo)電部的耦合面積不同于與該第三導(dǎo)電部的耦合面 積。
7、 如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，該第三電容器電 極的形狀與該第三導(dǎo)電部的形狀相同。
8、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第三電容器電極 與該第三導(dǎo)電部的耦合面積大于該第二電容器電極與該第二導(dǎo)電部的耦合 面積，且該第三電容器電極與該第三導(dǎo)電部的耦合面積也大于該第一電容 器電極與該第一導(dǎo)電部的耦合面積。
9、 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，還包括 多個晶體管，相應(yīng)地形成于所述子像素區(qū)中，各所述晶體管至少包括柵極以及形成于其上的漏極，所述晶體管包括相應(yīng)地形成于該第一子像素 區(qū)、該第二子像素區(qū)以及該第三子像素區(qū)的第一晶體管、第二晶體管以及 第三晶體管，其中該第三晶體管的該漏極與該柵極的耦合面積大于該第二 晶體管的該漏極與該柵極的耦合面積，且該第三晶體管的該漏極與該柵極 的耦合面積大于該第一晶體管的該漏極與該柵極的耦合面積。
10、 一種薄膜晶體管陣列基板，包括 基板；多條掃描線(scan lines)以及多條數(shù)據(jù)線(data lines)，相互交錯地形成于 該基板上，以定義出多個子像素區(qū)，所述子像素區(qū)包括第一子像素區(qū)、第 二子像素區(qū)與第三子像素區(qū)；圖案化導(dǎo)電層，形成于該基板上，該圖案化導(dǎo)電層包括分別位于該第 一子像素區(qū)、該第二子像素區(qū)以及該第三子像素區(qū)的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo) 電部以及第三導(dǎo)電部；多個電容器電極，包括第一電容器電極、第二電容器電極以及第三電 容器電極，分別設(shè)置于該第一導(dǎo)電部、該第二導(dǎo)電部及該第三導(dǎo)電部之上， 所述電容器電極與該圖案化導(dǎo)電層耦合為多個像素儲存電容，其中該第三 電容器電極的形狀不同于該第一電容器電極或該第二電容器電極的形狀。
11、 如權(quán)利要求io所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第三電容器電極上方設(shè)置有間隔物。
12、 如權(quán)利要求ll所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第三導(dǎo)電部的 形狀不同于該第一導(dǎo)電部或該第二導(dǎo)電部的形狀，且該第三導(dǎo)電部在該圖 案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度大于位于該第一導(dǎo)電部或該第二導(dǎo)電部 在該圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度。
13、 如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第三電容器電 極的形狀與該第三導(dǎo)電部的形狀不同。
14、 如權(quán)利要求13所述薄膜晶體管陣列基板，其中所述電容器電極與 該第一導(dǎo)電部、該第二導(dǎo)電部以及該第三導(dǎo)電部的耦合面積相同。
15、 如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第一子像素區(qū) 為紅色子像素區(qū)，該第二子像素區(qū)為綠色子像素區(qū)，該第三子像素區(qū)為藍 色子像素區(qū)。
16、 如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述電容器電極 與該第一導(dǎo)電部或該第二導(dǎo)電部的耦合面積不同于與該第三導(dǎo)電部的耦合 面積。
17、 如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，該第三電容器 電極的形狀與該第三導(dǎo)電部的形狀相同。
18、 如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其中該第三電容器電 極與該第三導(dǎo)電部的耦合面積大于該第二電容器電極與該第二導(dǎo)電部的耦 合面積，且該第三電容器電極與該第三導(dǎo)電部的耦合面積也大于該第一電 容器電極與該第一導(dǎo)電部的耦合面積。
19、 如權(quán)利要求18所述的該薄膜晶體管陣列基板，還包括 多個晶體管，相應(yīng)地形成于所述子像素區(qū)中，各所述晶體管至少包括柵極以及形成于其上的漏極，所述晶體管包括相應(yīng)地形成于該第一子像素 區(qū)、該第二子像素區(qū)以及該第三子像素區(qū)的第一晶體管、第二晶體管以及 第三晶體管，其中該第三晶體管的該漏極與該柵極的耦合面積大于該第二 晶體管的該漏極與該柵極的耦合面積，且該第三晶體管的該漏極與該柵極 的耦合面積大于該第一晶體管的該漏極與該柵極的耦合面積。
全文摘要
一種薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示器。多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線相互垂直交錯地定義出第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)與第三子像素區(qū)。圖案化導(dǎo)電層形成于基板上，圖案化導(dǎo)電層包括分別位于第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)以及第三子像素區(qū)的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部以及第三導(dǎo)電部，多個電容器電極包括分別位于第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部及第三導(dǎo)電部之上的第一電容器電極、第二電容器電極以及第三電容器電極，電容器電極與圖案化導(dǎo)電層耦合為多個像素儲存電容器，在第三電容器電極上方設(shè)置有間隔物，其中第三電容器電極的形狀不同于第一電容器電極與第二電容器電極的形狀，且第三電容器電極在圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度大于第一電容器電極與第二電容器電極在圖案化導(dǎo)電層延伸方向上的最大寬度。
文檔編號G02F1/13GK101650503SQ20081021098
公開日2010年2月17日 申請日期2008年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月15日
發(fā)明者高毓謙 申請人:奇美電子股份有限公司