專利名稱：液晶顯示器的濾色片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種修復(fù)液晶面板的方法，尤其涉及一種修復(fù)液晶面板的缺陷 單元的方法。
背景技術(shù)：
近期，具有低功耗，便攜性，技術(shù)密集，和高增值特性的液晶顯示器件
LCD被視為下一代先進顯示器。
通常，為了應(yīng)用液晶顯示，應(yīng)形成液晶單元。液晶單元是通過在兩個玻璃 基板之間或在透明塑料基板之間填充液晶形成的。
為了向液晶提供電壓，在基板上形成透明電極(公共電極和通用電極)， 并且通過向液晶提供電壓，透明電極適用于控制ON/OFF運行。
也即是說，LCD的透光性是通過向透明電極提供電壓控制的，而且，字 符/圖像是依照光閥效應(yīng)顯示的。
在各種LCD器件中，用于通過像素控制電壓的ON/OFF運行的具有開關(guān) 元件的有源矩陣型LCD以其較高分辨率和較好的視頻執(zhí)行性能得到人們的 關(guān)注。
有源矩陣型LCD包括液晶面板，其中液晶單元以矩陣的形式排列，并驅(qū) 動電路以驅(qū)動液晶面板。
根據(jù)場的方向，將LCD劃分為應(yīng)用垂直場的TN (扭曲向列)模式LCD 和應(yīng)用共平面場的IPS (共平面開關(guān))模式LCD。
這里，液晶由以面對的模式設(shè)置在上部基板上的像素電極和公共電極之間 的垂直場驅(qū)動的TN模式LCD的優(yōu)勢在于其具有較大的孔徑比，但其劣勢在 于其視角狹窄。
液晶由以平行模式設(shè)置于下部基板上的像素電極和公共電極之間的共平 面場驅(qū)動的IPS模式LCD的優(yōu)勢在于其視角寬闊，但其劣勢在于其具有較小 的孔徑比。下面將參照圖l描述，在幾種LCD模式中，基于TN模式LCD結(jié)構(gòu)的用 于修復(fù)缺陷單元的現(xiàn)有技術(shù)方法。
圖1為用于解釋根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)修復(fù)LCD的缺陷單元方法的LCD截面圖。
現(xiàn)有技術(shù)LCD的液晶面板10包括由黑矩陣23，濾色片25a、 25b以及 25c，保護層27，公共電極29，以及上部定向?qū)?未示出)相繼在其上形成的 上部陣列基板21 (即，濾色片陣列基板)；由TFT15、像素電極(未示出)和 下部定向?qū)?未示出)形成于其上的下部陣列基板11;以及注入上部陣列基 板21和下部陣列基板11之間內(nèi)部空間中的液晶41。
這里，黑矩陣23形成于上部陣列基板21上，以使其對應(yīng)TFT區(qū)域和下 部陣列基板11的柵線和數(shù)據(jù)線的區(qū)域，以及濾色片25a、 25b和25c形成的制 備單元區(qū)域。
此外，黑矩陣23通過吸引外部光防止漏光并增強對比，并且，濾色片25a、 25b以及25c形成在由黑矩陣23分隔的單元區(qū)域并形成于黑矩陣23上。
濾色片25a、 25b和25c由R、 G和B形成，以實現(xiàn)R、 G和B顏色，并 將公共電壓提供給公共電極29以控制液晶的排列。襯墊料(未示出)用于維 持上部陣列基板21和下部陣列11之間的單元間隙。
盡管未示出，每個TFT15包括由柵線(未示出)形成在下部基板ll上的 柵極，半導(dǎo)體層(未示出)與形成于柵極(未示出)上的柵絕緣層(未示出) 重疊，并且源極和漏極(未示出)由數(shù)據(jù)線(未示出)形成于半導(dǎo)體(未示出) 上。
TFT15將像素信號從數(shù)據(jù)線提供至像素電極(未示出)響應(yīng)柵線的掃描信 號。由高透光率的透明導(dǎo)電材料制成的像素電極(未示出)接觸TFT的漏極 (未示出)，其中間設(shè)置鈍化層。通過涂覆定向材料并隨后將其擦掉形成用于 液晶定向的上部和下部定向?qū)?未示出)。
為了觀察具有這種結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)液晶面板，在液晶面板10的屏幕上運 行測試圖像(未示出)，其測試是否存在缺陷像素。 一旦發(fā)現(xiàn)缺陷像素，將運 行修復(fù)操作。
在這種情況下，液晶面板10的缺陷包括每個像素單元的顏色缺陷，諸如 亮點(即，總是啟動的單元)、暗點(靜點)(總是關(guān)閉的單元)的點缺陷，由 柵配線(未示出)和數(shù)據(jù)配線(未示出)之間的短路引起的線狀缺陷，等等。當測試圖像在液晶面板IO上顯示時，操作員(工作者)可以明顯的看到 缺陷，并且，操作員可識別缺陷像素的位置，并在其上進行修復(fù)。
盡管未示出，當黑圖案在屏幕上運行時，將執(zhí)行變暗(變黑，或制造暗點) 過程以修復(fù)由于短路缺陷，信號缺陷等等而表現(xiàn)為亮點的缺陷單元。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為了修復(fù)亮點，通常應(yīng)用這樣的方法，即缺陷單元的像素 電極通過激光焊接到柵配線，剪切部分像素電極以制造提供到仍然在缺陷單元 的柵配線的柵電壓。
期間，如果上部或下部陣列基板的薄膜缺損，修復(fù)通過應(yīng)用返修或激光執(zhí) 行，并且，在這種情況下，如果在上部和下部陣列基板的薄膜之間存在異物 (D)，則通過重修或激光的修復(fù)不易實現(xiàn)。
存在這樣的異物，則位于對應(yīng)異物的上部定向?qū)釉谀Σ吝^程中無法均勻擦 除，其結(jié)果造成液晶面板中的非均勻定向區(qū)域。
對后，在液晶面板中的非均勻定向區(qū)域發(fā)生漏光，其惡化液晶的透光性， 從而引起亮點出現(xiàn)在液晶面板上。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決上述問題，這里構(gòu)思了多種特征。示例性實施方式的一個 方面是提供了一種在激光工藝中通過暗化缺陷單元區(qū)域的像素，并通過破壞缺 陷單元區(qū)域的定向?qū)?，修?fù)液晶面板的缺陷單元的方法。
本發(fā)明的另一方面是提供一種用于修復(fù)液晶面板的缺陷單元的方法，其通 過激光工藝能夠有效修復(fù)具有亮點缺陷的像素，從而改善成品率并降低制造的 單位成本。
本說明書提供了一種修復(fù)液晶面板的缺陷單元的方法，包括提供液晶面 板，其包括具有黑矩陣和形成于其上的色素層的上部陣列基板，具有薄膜晶體 管并與上部陣列基板接觸的下部陣列基板，以及形成于上部基板和下部基板之 間并包括多個單元的液晶層；通過向液晶面板中的多個單元中的缺陷單元區(qū)域 照射激光在黑矩陣和上部陣列基板之間形成特定間隙；通過向缺陷單元區(qū)域照 射激光在色素層和上部陣列基板之間形成齒間具有特定間隙的梳狀結(jié)構(gòu)；通過 向缺陷單元區(qū)域照射激光處理黑矩陣以形成黑矩陣微粒；以及通過向缺陷單元 區(qū)域照射激光，在色素層和上部陣列基板之間分散黑矩陣，從而黑矩陣顆粒填充色素層和梳狀結(jié)構(gòu)之間的齒之間的間隙。
本說明書還提供了一種修復(fù)液晶面板的缺陷單元的方法，包括提供液晶 面板，其包括具有黑矩陣和形成于其上的色素層的上部陣列基板，具有薄膜晶 體管并與上部陣列基板接觸的下部陣列基板，以及形成于上部基板和下部基板 之間并包括多個單元的液晶層；通過向液晶面板中的多個單元中的缺陷單元區(qū) 域照射激光在黑矩陣和上部陣列基板之間形成特定間隙；向缺陷單元區(qū)域照射 激光在色素層和上部陣列基板之間形成齒間具有特定間隙的梳狀結(jié)構(gòu)；通過向 缺陷單元區(qū)域照射激光處理黑矩陣以形成黑矩陣微粒；以及通過向缺陷單元區(qū) 域照射激光以分散黑矩陣，從而黑矩陣顆粒填充色素層和和上部陣列基板之間 的梳狀結(jié)構(gòu)的齒之間的間隙。
用于修復(fù)液晶面板的缺陷單元的方法具有以下優(yōu)點。
首先，在第一歩的激光照射中，通過在黑矩陣形成間隙，減小了壓力，在 第二步激光照射中，通過提供顏料形成其齒間具有間隙的梳狀結(jié)構(gòu)，在第三歩 激光照射中，通過處理黑矩陣，形成黑矩陣顆粒，在第四步激光照射中，將黑 矩陣顆粒填充到顏料的樹狀結(jié)構(gòu)中，以及在第五步極光照明中，將黑矩陣顆粒 分散為均勻分布于顏料的梳狀結(jié)構(gòu)，從而修復(fù)暗化的缺陷單元。
即是，由于梳狀結(jié)構(gòu)是通過將顏料從基板中分離形成的，并且部分環(huán)境黑 矩陣為顆粒狀并填充到梳狀結(jié)構(gòu)中，可有效暗化具有亮點的像素。
另外，梳狀結(jié)構(gòu)是通過將顏料從基板中分離形成的，部分環(huán)境黑矩陣為顆 粒狀并填充到梳狀結(jié)構(gòu)中，并且通過應(yīng)用紫外射線源破壞缺陷像素區(qū)域的定向 層，以分散從導(dǎo)光板傳輸?shù)墓猓瑥亩煽康匕祷毕菹袼亍?br> 從而，根據(jù)本發(fā)明的用于修復(fù)液晶面板的缺陷單元的方法可通過修復(fù)具有 亮點的像素改善液晶顯示的成品率，降低制造單元成本，并改善液晶顯示的質(zhì) 量。
本發(fā)明的前述以及其他的目的、特征、方面和優(yōu)勢將在以下結(jié)合附圖的詳 細描述中變得顯而易見。


圖1為用于解釋根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)修復(fù)LCD的缺陷單元方法的LCD截面圖； 圖2為根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施方式的修復(fù)液晶面板缺陷單元方法的修復(fù)工藝的流程圖3a至圖3e為用于解釋根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施方式的修復(fù)液晶面 板的缺陷單元的方法的修復(fù)工藝的截面圖4a至4i為示出根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式的用于修復(fù)液晶面板 的缺陷單元的工藝的激光掃描工藝的示意性平面圖5為根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施方式的修復(fù)液晶面板的缺陷單元的 工藝條件表；
圖6為根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施方式，在執(zhí)行修復(fù)液晶面板的缺陷單 元工藝之后獲得的缺陷單元的圖像的照片；
圖7為示出根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施方式，修復(fù)液晶面板的缺陷單元 的每個工藝和實際A/P (自動檢測)現(xiàn)象的顯微鏡照片之間的對比的照片；
圖8a至圖8b為示出根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施例，在執(zhí)行了對液晶面
板的缺陷單元的修復(fù)工藝之后獲得的缺陷單元的狀態(tài)的截面結(jié)構(gòu)的照片；
圖9為根據(jù)本發(fā)明的另一種示例性實施例修復(fù)液晶面板的缺陷單元的方 法的修復(fù)工藝的流程圖。
圖10a至圖10f為用于解釋根據(jù)本發(fā)明的另一種示例性實施例修復(fù)液晶面 板的缺陷單元的方法的修復(fù)工藝的截面圖；以及
圖11為示出根據(jù)本發(fā)明的另一種示例性實施例修復(fù)液晶面板的缺陷單元 的方法中，定向?qū)拥墓馕蘸突宓耐腹饴蕦?yīng)紫外射線光源的波長范圍的曲 線圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細說明根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的修復(fù)液晶面板的 缺陷單元的方法。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施方式的用于修復(fù)液晶面板的缺
陷單元的方法，包括制備已經(jīng)完全制作并用于缺陷單元修復(fù)的液晶面板 (S110);向形成于液晶面板的缺陷單元中的黑矩陣照射激光，以使黑矩陣浮 動，從而黑矩陣與上部基板之間具有特定間隙(S120)(第一激光照射步驟)； 向色素層照射激光表現(xiàn)顏色以在色素層和上部基板之間形成其齒間具有間隙 的梳狀結(jié)構(gòu)(S130)(第二激光照射步驟)；向黑矩陣照射激光以處理黑矩陣，從而在黑矩陣中產(chǎn)生顆粒(S140)(第三激光照射歩驟)；以及照射激光，以將 黑矩陣顆粒填充到顏料區(qū)域的梳狀結(jié)構(gòu)中，并分散顆粒，從而使其均勻分布 (S150)(第四激光照射歩驟)。
缺陷單元修復(fù)工藝是在如圖5中所示的工藝條件下執(zhí)行的，其中激光功
率，狹縫尺寸，掃描速度，逐步適當?shù)恼{(diào)節(jié)處理方向等等以將黑矩陣顆粒填充 到缺陷單元中(p)。
圖5的工藝條件為用于測試綠色的修復(fù)條件，而用于紅色和藍色的修復(fù)情
況可能不同。另外，工藝條件可以改變以縮短工藝時間，并且可根據(jù)情況，省 略或添加部分工藝步驟。
在修復(fù)液晶面板的缺陷單元之前，執(zhí)行制造液晶面板的工藝。
如圖3a所示，液晶面板(未示出)包括，包括相繼形成與上部基板101 上的黑矩陣103基板、由彩色顏料制成的濾色片層105 (以下稱為'色素層')、 保護層107、構(gòu)圖的襯墊料(未示出)公共電極109、以及上部定向?qū)?未示 出)的上部陣列基板(濾色片基板)；下部陣列基板(未示出)；包括形成于下 部基板(未示出)上的TFT (未示出)、像素電極(未示出)以及下部定向?qū)?(未示出)的下部陣列基板(未示出)；以及注入上部陣列基板101和下部陣 列基板(未示出)之間內(nèi)部空間中的液晶層(未示出)。
盡管未示出，形成于下不陣列基板上的TFT包括與柵線一起形成于下 部基板上的柵極(未示出)，與柵極和形成于柵極上的柵絕緣層(未示出)重 疊的半導(dǎo)體層(未示出)；而且，源極和漏極(未示出)與數(shù)據(jù)線(未示出) 共同形成于半導(dǎo)體層上。
TFT響應(yīng)來自柵線的掃描信號將像素信號從數(shù)據(jù)線提供至像素電極(未示出)。
盡管未示出，由較高透光率的透明導(dǎo)電材料制成的像素電極與TFT的漏 極(未示出)電連接，他們中間設(shè)置鈍化層(未示出)。
用于液晶定向的上部定向?qū)雍拖虏慷ㄏ驅(qū)?未示出)通過涂覆諸如的定向 材料并隨后擦除形成，以完成液晶面板的制作工藝。
從而得到的已制作的液晶面板包括多個單元。在制造之后觀察液晶面板的 單元， 一個或更多單元是具有亮點缺陷的，其中如圖6所示由于異物等等，光 為黑或灰圖案。其后，通過在圖5所示的修復(fù)工藝條件下執(zhí)行的修復(fù)工藝暗化缺陷單元 (P)。
如圖3b、 5和6b所示，激光首先照射到缺陷單元(P)的黑矩陣103和色 素層105以使黑矩陣103從上部基板101浮起特定間隔，從而在其之間形成間 隙lll。此外，激光能夠照射到色素層105上。在這種情況下，第一激光照射 的激光功率的范圍為IOO J至470 J，狹縫尺寸為充分的15x15 m，并且 掃描速度范圍為大約30 m/sec至70 m/sec。另外，用于第一激光照射的激 光功率低于使色素層105浮動的第二激光照射的激光功率。這樣防止由用于使 顏料105浮動的第二激光照射的激光功率引起的黑矩陣103分解或損壞，以引 起漏光。
最優(yōu)選的情況下，第一激光照射的激光功率范圍為100 J至450 J，而 掃描速度范圍為45 m/sec至65 m/sec。這里，用于第一激光照射的激光功 率涉及輸出到激光檢査設(shè)備的功率，以及大約知道十分之一或更小上部功率的 功率實際提供到基板?？筛鶕?jù)試驗產(chǎn)物、處理設(shè)備等等，提供不同的其他剩余 條件，即狹縫尺寸、掃描速度和其他條件。
第一激光照射工藝為使色素層105浮動的預(yù)處理，其中，第一激光照射在 包括黑矩陣103的色素層105上執(zhí)行，以從而抑制壓力增加，并從而防止色素 層105在第二激光照射，重復(fù)工藝，過程中浮動時被破壞。即是，如果執(zhí)行激 光照射以第一浮動色素層105，色素層105，即濾色片，將由于增大的壓力被 破壞。
參照圖4a，第一激光掃描工藝的執(zhí)行始于黑矩陣103的上部部分的左(或 右)邊緣，并水平地繼續(xù)通過色素層105至黑矩陣103的下部部分的邊緣。在 這種情況下，激光掃描工藝的執(zhí)行可始于黑矩陣103下部部分的左邊(或右 邊)，以替代黑矩陣103的上部部分的左邊(或右邊)，并繼續(xù)到黑矩陣103 的上部部分。即是，激光掃描工藝的執(zhí)行可始于左邊或右邊的任何部分。
用于形成黑矩陣103的間隙的激光的波長在整個波長帶都執(zhí)行較好。這是 因為黑矩陣103是黑色的，所以其在可見光區(qū)域的波長帶較好的吸收。在這種 情況下，黑矩陣103可由聚酰亞胺制成，其中混合碳基顏料。
接下來，如圖3c、 5和6c中所示，為了使色素層105從上部基板101浮 動特定間隔，其次將激光照射到色素層105，以形成在其齒之間具有間隙(例如，空間、開口、或孔)的梳裝結(jié)構(gòu)113。在這種情況下，為了防止色素層105 在第二激光照射過程中被破壞，在上部基板101和色素層105之間形成的梳狀 結(jié)構(gòu)113的間隙的范圍為0.5 m至2 m，并且在執(zhí)行最后工藝之后，期望間 隙為大約2 m。在這種情況下，在梳狀結(jié)構(gòu)113的齒之間存在間隙。這里， 當執(zhí)行第二激光照射時，在上部基板101和色素層105之間形成氣體層，以使 色素層105與上部基板101分離，從而形成在其齒間具有間隙的梳裝結(jié)構(gòu)113。
用于第二激光照射的激光功率的范圍為大約200 J至620 J，狹縫尺寸 為大約20 m x 30 m，以及掃描速度范圍為大約20 m/sec至50 m/sec。 最優(yōu)選的情況下，激光功率的范圍為300 J至500 J，以及掃描速度為 25 m/sec至35 m/sec。這里，用于第二激光照射的激光功率涉及輸出至激 光照射設(shè)備的功率，并且大約至少十分之一或更少的上述功率實際提供至基 板?？筛鶕?jù)試驗產(chǎn)物、處理設(shè)備等等，提供不同的其他剩余條件，即iC縫尺寸、 掃描速度和其他條件。
用于第二激光照射的激光波長根據(jù)像素的顏色變化。紅色激光的波長為大 約500nm至550nm，而藍色和綠色激光的波長范圍為大約300nm至400nm。 這取決于顏料的具體特點，并且激光在這些波長帶具有較高的吸光率(即是， 具有較低的透光率)，所以顏料經(jīng)受由光子引起的物理和化學(xué)損害，并從而與 基板分離。另外，如上所述，由于在激光照射過程中形成于基板和色素層之間 的氣體產(chǎn)生的氣泡的原因，在基板和色素層之間形成間隙。
執(zhí)行第二激光照射工藝，以使色素層105浮動。如圖4b中所示，第二激 光掃描工藝的執(zhí)行可始于色素層105的上部部分的左側(cè)，并水平繼續(xù)至色素層 105的下部部分。作為另一種選擇，第二激光掃描工藝的執(zhí)行可始于下部部分 的左側(cè)，而不是始于色素層105的上部部分的左側(cè)，并繼續(xù)移動至上部部分。 即是，激光掃描工藝的執(zhí)行可始于左側(cè)或右側(cè)的任何部分。
通過這樣做，梳裝結(jié)構(gòu)113的邊緣部分，即是，與黑矩陣103重疊的部分， 形成大約4至IO的傾斜，并且色素層105的中心部分形成凸起。
由于色素層105部分由于梳狀結(jié)構(gòu)113的形成而具有凸起形狀，因此盒間 隙減少，以及在該情形下，由于變暗導(dǎo)致透射率也降低。這是因為凸起部分擠 壓液晶而扭曲液晶排列，從而使色素層105的上對準層(未示出)的功能有些 喪失。隨后，如圖3d、 5和6d所示，在黑矩陣處理步驟中，激光第三次照射到 黑矩陣103和色素層105以在黑矩陣103中產(chǎn)生多個黑矩陣顆粒l(Ba并開始 在形成在色素層105和上結(jié)構(gòu)101之間的梳狀結(jié)構(gòu)的齒間隙中填充黑矩陣顆粒 103a。
用于第三激光照射的激光功率范圍從2(k)^j到600W，狹縫尺寸是約llpm xllpm，以及掃描速度范圍從約25pm/秒到45pm/秒。更優(yōu)選地，激光功率范 圍從22(VJ到550mJ，以及掃描速度是27pm/秒到4(Vm/秒。在根據(jù)第三激光 照射的黑矩陣處理步驟中，激光的波長范圍從約300nm到400nm。
這里，用于第三激光照射的激光功率指輸出到激光照射設(shè)備的功率，以及 以上提到的功率的至少約十分之一或更小的功率實際上施加到基板?？梢詰?yīng)用 不同的其他剩余條件，g卩，狹縫尺寸、掃描速度和其他條件，取決于實驗產(chǎn)品、 處理設(shè)備等等。
根據(jù)第三激光照射的黑矩陣處理步驟通過激光掃描一次或多次實施。例 如，掃描過程包括第一掃描過程，其從缺陷單元的下部分的左側(cè)開始執(zhí)行并水 平進行到上部分的右邊緣(參見圖4c)。第二掃描過程，其從缺陷的單元(P) 的下部分的左側(cè)開始執(zhí)行，并垂直進行到右邊緣(參見圖4d)，以及第三掃描 過程，其從上部分的右邊緣開始執(zhí)行，并水平進行到左邊緣(參見圖4e)。在 該情形下，第三激光掃描過程可從黑矩陣103和色素層105的下部分的左側(cè)開 始執(zhí)行，而不是從上部分的右側(cè)開始執(zhí)行，并進行到下部分。即，激光掃描過 程可在左側(cè)或右側(cè)的任意位置處執(zhí)行。
其后，如圖3e、圖5和圖6e所示，在黑矩陣顆粒分散步驟期間，激光第 四次照射到黑矩陣103和色素層105的整個區(qū)域以允許在先前步驟中產(chǎn)生的黑 矩陣顆粒103填充在形成于色素層105的樹狀結(jié)構(gòu)113的齒之間的間隙中以便 均勻分散和分布。
用于第四激光照射的激光功率范圍從約180nJ到420nJ，比用于黑矩陣處 理步驟低。狹縫尺寸是約10pm xl0^m，以及掃描速度范圍從約2(HmV秒到 45—秒。
優(yōu)選地，激光功率范圍從20(HJ到380|iJ，以及掃描速度從約25pm/秒到 4(Vm/秒。黑矩陣顆粒103a的運動方向根據(jù)激光照射的方向來確定。
這里，用于第四激光照射的激光功率指輸出到激光檢測設(shè)備的功率，以及以上提到的功率的至少約十分之一或更少的功率實際上施加到基板。可以應(yīng)用 不同的其他剩余條件，即，狹縫尺寸，掃描速度和其他條件，取決于實驗產(chǎn)品、 處理設(shè)備等等。
第四激光照射過程通過激光在至少幾個方向，g卩，水平和垂直方向?qū)嵤?br> 例如，掃描過程115包括第一掃描過程，其從缺陷單元(P)的色素層105的
中心開始執(zhí)行，并垂直進行到色素層105的右邊緣(參見圖4f);第二掃描過
程，其從近鄰色素層105的黑矩陣103開始執(zhí)行，并垂直進行到黑矩陣103 的邊緣(參見圖4g)，第三掃描過程，其從缺陷單元(P)的色素層105的中 心開始執(zhí)行，并進行到左邊緣(參見圖4h)，以及第四掃描過程，其從近鄰色 素層105的黑矩陣103開始執(zhí)行，并垂直進行到黑矩陣103的左邊緣(參見圖 4i)。
在該情形下，第四掃描過程可在色素層105區(qū)域的左邊或右邊的任意位置 處執(zhí)行。
關(guān)于激光照射使用的激光，使用通過利用氖(neonium)固體振蕩并使用 YAG(釔鋁石榴石)晶體作為放大介質(zhì)的一種激光，使用受激準分子激光(即， 利用通過激發(fā)態(tài)的原子和基態(tài)的原子發(fā)光而使稱為受激準分子的激發(fā)態(tài)分子 回到離解態(tài)現(xiàn)象的激光)，以及二極管激光(即，通過使用根據(jù)載流子運動或 N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的鍵合部分中能級遷移產(chǎn)生的光而振蕩的激光)。
Nd YAG (釹釔鋁石榴石)激光具有330nm到350nm， 530nm到550nm以 及1060nm到1090nm的波長，受激準分子激光具有170nm到200nm的波長， 以及二極管激光具有100nm到1000nm波長。
另外，可使用通過使用CO、 C02、 He-Ne和HF產(chǎn)生的激光。CO激光的 波長為4900nm到5100nm， C02激光的波長為630nrn到640nm，以及He-Ne 激光的波長為2700nm到2900nm。
以該方式，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式的用于修復(fù)液晶面板的缺陷
單元的工藝包括形成距離上基板黑矩陣的間隙(S120);形成具有距離上基
板的色素層的齒之間的特定間隙的梳狀結(jié)構(gòu)(S130)，處理黑矩陣以產(chǎn)生黑矩
陣顆粒(S140);以及分散黑矩陣顆粒使得顆粒以均勻分布的方式填充在色素
層的樹狀結(jié)構(gòu)中(S150)。
通過根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的缺陷單元的修復(fù)工藝獲得的結(jié)果如圖7所示，表明觀察到的顯微鏡的透射圖像與實際A/P(自動探測器)的白色圖 案中顯示的圖像相同。
另外，注意在通過分散黑矩陣顆粒執(zhí)行修復(fù)工藝的同時進行變暗。
參照圖8a和圖8b，通過執(zhí)行修復(fù)工藝一直到黑矩陣顆粒分散歩驟，在缺 陷單元(P)的漏光部分處填充的黑矩陣的厚度比變暗部分薄。
另外，注意漏光部分的一部分通過顯微鏡或A/P經(jīng)由FIB (聚焦離子束) 分析而觀察，其比在缺陷單元的相對側(cè)處的一部分變暗像素薄。
在漏光部分處的黑矩陣的厚度是約0.38 ii m，以及一部分變暗像素的厚度 是約1.33um，差是約0.5um。
另外，缺陷單元(P)內(nèi)的黑矩陣的厚度不具有特定的固定尺寸，但隨著 處理步驟的順序執(zhí)行而增加。
在修復(fù)工藝后保留在缺陷單元的兩側(cè)處的黑矩陣的厚度是約0.5 Pm到 0.7 "m，以及黑矩陣在黑矩陣處理步驟大量處理(非常多)。
現(xiàn)在將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的一種用于修復(fù) 液晶面板的缺陷單元的方法
圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的用于修復(fù)液晶面板的缺陷單 元的方法的修復(fù)工藝的流程圖。
圖10a到圖10f是說明修復(fù)工藝的截面視圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的另一 示例性實施方式用于修復(fù)液晶面板的缺陷單元的方法。
圖11是說明在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的用于修復(fù)液晶面板的 缺陷單元的方法中根據(jù)紫外光源的波長范圍對準層的光吸收率和基板的透光 率。
如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的的另一示例性實施方式用于修復(fù)液晶面板的缺 陷單元的方法包括制備液晶面板，其已經(jīng)完成制造并經(jīng)歷缺陷修復(fù)(S210); 將激光照射到形成在液晶面板的缺陷單元中的黑矩陣以浮置具有在黑矩陣和 上基板之間的特定間隙的黑矩陣(S220)(第一激光照射步驟)；將激光照射到 表示顏色的色素層以形成在色素層和上基板之間的樹狀結(jié)構(gòu)(S230)(第二激 光照射步驟)；將激光照射到黑矩陣處理黑矩陣以在黑矩陣中產(chǎn)生顆粒(S240) (第三激光照射步驟)；照射激光以分散黑矩陣顆粒以便均勻分布在色素層的 樹狀結(jié)構(gòu)的齒之間的間隙中(S250)(第四激光照射步驟)；以及破壞設(shè)置在黑單元中的對準層(S260)。
在修復(fù)液晶面板的缺陷單元之前，執(zhí)行制造液晶面板的工藝。 如圖10a所示，液晶面板(未示出)包括上陣列基板(或濾色片陣列基板)， 其包括順序形成在上基板201上的黑矩陣203、由色素組成的色素層205 (下 文稱為"濾色片")、覆蓋層207、圖案間隔墊(未示出)、公共電極209、上 對準層(未示出)；下陣列基板(未示出)，其包括形成在下基板上的薄膜晶體 管(TFT)(未示出，指圖10f中的251)、像素電極(未示出)和下對準層 (未示出)；以及形成在上陣列基板201和下陣列基板(未示出)之間的液晶 層(未示出指圖10f中的261)。
形成在下陣列基板上的TFT包括形成在下基板(指圖10f中的251)上 的柵極和柵線，與柵極重疊的半導(dǎo)體層(未示出)和形成在柵極上的柵絕緣層 (未示出)；以及在半導(dǎo)體層上與數(shù)據(jù)線(未示出) 一起形成的源極和漏極(未 示出)。TFT響應(yīng)來自柵線的掃描信號將來自數(shù)據(jù)線的像素信號供應(yīng)給像素電 極(未示出)。
雖然圖中未示出，由具有高透光率的透明導(dǎo)電材料組成的像素電極電連接 具有鈍化層(圖中未示出，指圖10f的253)插入在其之間的TFT的漏極(未 示出)。
用于液晶對準的上對準層217和下對準層257通過涂覆對準材料諸如聚酰 亞胺形成，并然后摩擦以完成液晶顯示面板的制造工藝。
由此制造的液晶面板包括多個單元。在所述單元的制造后檢測液晶面板 中， 一個或多個單元有缺陷，具有由于外來物質(zhì)或類似導(dǎo)致在黑圖案或灰圖案 中發(fā)光的亮點，如圖6所示。
其后，通過修復(fù)工藝使缺陷單元(P)變暗。為了執(zhí)行修復(fù)工藝，如圖10b 和圖6b所示，激光第一次照射到缺陷單元(P)的黑矩陣203，以使黑矩陣203 距離上基板201以一定間隔浮置從而在二者之間形成間隙2U。在該情形下， 第一激光照射的激光功率范圍從100 u J到470 u J，狹縫尺寸基本為15x15 u m， 以及掃描速度范圍從約3(Him/秒到70Mm/秒。最優(yōu)選地，第一激光照射的激光 功率范圍從100^J到450mJ以及掃描速度范圍從45nm/秒到65pm/秒。這里用 于第一激光照射的激光功率指指輸出到激光照射設(shè)備的功率，以及以上提到的 功率的至少約十分之一或更小的功率實際上施加到基板?？梢詰?yīng)用不同的其他剩余條件，即，狹縫尺寸、掃描速度和其他條件，取決于實驗產(chǎn)品、處理設(shè)備等等。
在該情形下，用于第一激光照射的激光功率比使色素層205浮置執(zhí)行的第 二激光照射的激光功率低。這防止由于用于使色素層205浮置的第二激光照射 的激光功率而導(dǎo)致黑矩陣203分解和破壞造成漏光。
第一激光照射過程是用于使色素層205浮置的預(yù)工藝，其中第一激光照射 在黑矩陣203上執(zhí)行從而抑制不斷增加的壓力，由此防止色素層105在第二激 光照射、隨后工藝期間當色素層浮置時而斷裂。g卩，如果對第一浮置色素層 205執(zhí)行激光照射，則色素層205由于增加的壓力而可能斷裂。
雖然圖中未示出，第一激光掃描過程與本發(fā)明的前述示例性實施方式相同 的方式執(zhí)行。即，參照圖4a，第一激光掃描過程從黑矩陣203的上部分的左 (或右)邊緣開始執(zhí)行并水平進行到黑矩陣203的下部分的邊緣。在該情形下， 激光掃描過程可從黑矩陣203的下部分的左側(cè)(或右側(cè))開始執(zhí)行，而不是黑 矩陣203的上部分的左側(cè)(或右側(cè))，并進行到黑矩陣203的上部分?！熠?，激 光掃描過程可在左側(cè)或右側(cè)的任意位置開始執(zhí)行。
用于形成黑矩陣203的間隙的激光波長在整個波長范圍執(zhí)行。這時因為黑 矩陣203是黑色的，因此它可在可見光區(qū)域的波長范圍很好吸收。在該情形下， 黑矩陣203可由具有其中混合有碳基色素的聚酰亞胺形成。
然后，如圖4c所示，為了使色素層205在距離上基板201的一定間隔浮 置，激光第二次照射到色素層205以形成具有其齒間間隙的樹狀結(jié)構(gòu)213，尤 其，為了防止色素層205在第二激光照射期間斷裂，形成在上基板201和色素 層205之間的樹狀結(jié)構(gòu)213的齒間間隙的適宜范圍從0.5 ii m到2 u m，以及在 執(zhí)行最后處理后，預(yù)期間隙是約2um。在該情形下，該間隙存在于梳狀結(jié)構(gòu) 213的齒之間。
用于第二激光輻射的激光功率在大約200^J到620^的范圍內(nèi)，狹縫尺寸 為大約20^imx30iim，以及掃描速度范圍在大約20p/秒至50一秒的范圍內(nèi)。更 優(yōu)選地，激光功率在從300^J到500^J的范圍內(nèi)，并且掃描速度為25pm/秒到 35(im/秒之間。這里，用于第二激光輻射的激光功率指輸出到激光輻射設(shè)備的 功率，并且實際上將以上所述功率的大約至少1/10或更低的功率施加到基板。 可根據(jù)實驗產(chǎn)品、處理設(shè)備等而不同地施加其它條件，即，狹縫尺寸、掃描速度和其它條件。
用于第二激光輻射的激光的波長根據(jù)像素的顏色而變化。紅色激光的波長
在從大約500nm到550nm的范圍內(nèi)，并且藍色和綠色激光的波長在大約300nm 到400nm的范圍內(nèi)。這歸因于色素的特定屬性，并且激光在該波帶具有高吸 收性(即，具有低透射比)，所以色素由于光子而經(jīng)受物理和化學(xué)損傷，并因 而與襯底分離。此外，如上所述，因為由于在激光輻射期間形成于襯底與色素 層之間的氣體而產(chǎn)生氣泡，所以間隙形成于襯底和色素層205之間。
第二激光輻射工藝執(zhí)行以使色素層205浮動(float)。盡管沒有示出(參 見圖4b)，但是可從色素層205的上部分的左側(cè)開始執(zhí)行第二激光掃描工藝并 水平進行到色素層205的下部分。可選地，第二激光掃描工藝可從下部分的左 側(cè)開始執(zhí)行，而不是從色素層205的上部分的左側(cè)開始，并且繼續(xù)移動到上部 分。S卩，激光掃描工藝可在左側(cè)或右側(cè)的任意位置執(zhí)行。
通過這樣做，梳狀結(jié)構(gòu)213的邊緣部分，即，與黑矩陣203重疊的區(qū)域， 形成為傾斜大約4。到10°，并且像素區(qū)域的色素層205的中心部分可形成為凸 狀。
另外，在TN模式情形下，因為部分色素層205由于梳狀結(jié)構(gòu)213的形成 而具有凸形形狀，所以盒間隙減小，并且在該情形下，由于變暗所以透射比也 減小。這是因為，凸形部分壓緊液晶而破壞液晶排列，所以色素層205的上對 準層217的功能也有些損失。
隨后，如在圖10d中所示，在黑矩陣處理步驟中，激光第三次照射到黑矩 陣203和色素層205以在黑矩陣203中產(chǎn)生多個黑矩陣顆粒203a并開始以黑 矩陣顆粒203a填充形成于色素層205與上基板201之間的梳狀結(jié)構(gòu)的齒之間 的間隙。
用于第三次激光輻射的激光功率在大約20(HJ到620^J的范圍內(nèi)，狹縫尺 寸為大約11pmxll^im，以及掃描速度范圍在大約25m/秒至45m/秒的范國內(nèi)。 更優(yōu)選地，激光功率在從220nJ到550^J的范圍內(nèi)，并且掃描速度為27pm/秒 到40pm/秒之間。這里，用于第三激光輻射的激光功率指輸出到激光輻射設(shè)備 的功率，并且實際上將以上所述功率的大約至少1/10或更低的功率施加到基 板?？筛鶕?jù)實驗產(chǎn)品、處理設(shè)備等而不同地施加其它條件，即，狹縫尺寸、掃 描速度和其它條件。在根據(jù)第三激光輻射的黑矩陣處理步驟中，激光的波長在大約300nrn到 400nrn的范圍內(nèi)。
根據(jù)第三激光輻射的黑矩陣處理步驟通過至少三次激光掃描而執(zhí)行。該掃 描工藝包括第一掃描工藝，其從有缺陷單元的下部分左側(cè)開始執(zhí)行并且水平 進行到上部分的邊緣(參見圖4c);第二掃描工藝，其從有缺陷單元(P)的
下部分左側(cè)開始執(zhí)行并垂直進行到右邊緣(參見圖4d);以及第三掃描工藝，
其從上部分的右邊緣開始執(zhí)行，并水平進行到下部分的左邊緣(參見圖4e)。 在該情形下，第三激光掃描工藝可從黑矩陣203和色素層205的下部分左
側(cè)開始執(zhí)行，而不是從其上部分右側(cè)開始，并進行到下部分。即，激光掃描工
藝可在左側(cè)或右側(cè)的任意位置處執(zhí)行。
之后，如在圖10e中所示，在黑矩陣顆粒分散歩驟中，激光第四次輻射到
黑矩陣203和色素層205的整個區(qū)域以使在之前部分中產(chǎn)生的黑矩陣顆粒203a
填充到在色素層205的梳狀結(jié)構(gòu)213的齒之間形成的間隙中，從而均勻地分散
并分布顆粒。
用于第四次激光輻射的激光功率在大約180pJ到420W的范圍內(nèi)，其低于 用于黑矩陣處理步驟的激光功率。狹縫尺寸為大約1(Hmixl(^m，以及掃描速 度范圍在大約25^秒至45m/秒的范圍內(nèi)。
優(yōu)選地，激光功率在從20(HJ到380mJ的范國內(nèi)，并且掃描速度為25pm/ 秒到40nm/秒之間。根據(jù)激光輻射的方向而確定黑矩陣顆粒203a的移動方向。
這里，用于第四激光輻射的激光功率指輸出到激光檢測設(shè)備的功率，并且 實際上將以上所述功率的大約至少1/10或更低的功率施加到基板?？筛鶕?jù)實 驗產(chǎn)品、處理設(shè)備等而不同地施加其它條件，S卩，狹縫尺寸、掃描速度和其它 條件。
第四激光輻射工藝通過在至少數(shù)個方向上的激光掃描而執(zhí)行。掃描工藝 115包括第一掃描工藝，其從有缺陷單元(P)的色素層205的中心開始執(zhí) 行并垂直進行到色素層205的右邊緣(參見圖4f);第二掃描工藝，其從鄰近 色素層205的右部分的黑矩陣203的邊界開始執(zhí)行并垂直進行到黑矩陣203 的右邊緣(參見圖4g);第三掃描工藝，其從有缺陷單元(P)的色素層205 的中心開始執(zhí)行并進行到左邊緣(參見圖4h);以及第四掃描工藝，其從鄰近 有缺陷單元(P)的色素層205的左部分的黑矩陣203開始執(zhí)行并垂直進行到黑矩陣203的左邊緣(參見圖4i)。
在該情形下，第四激光掃描工藝可在色素層205區(qū)域的左側(cè)或右側(cè)或中心 的任何位置執(zhí)行。
關(guān)于激光照射使用的激光，使用通過利用氖(neoriium)固體振蕩并使用 YAG(釔鋁石榴石)晶體作為放大介質(zhì)的一種激光，使用受激準分子激光(即， 利用通過激發(fā)態(tài)的原子和基態(tài)的原子發(fā)光而使稱為受激準分子的激發(fā)態(tài)分子 回到離解態(tài)現(xiàn)象的激光)，以及二極管激光(即，通過使用根據(jù)載流子運動或 N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的鍵合部分中能級遷移產(chǎn)生的光而振蕩的激光)。
Nd YAG (釹釔鋁石榴石)激光具有330nm到350nm， 530nm到550nm以 及1060nm到1090nm的波長，受激準分子激光具有170nm到200nm的波長， 以及二極管激光具有100nm到1000nm波長。
另外，可使用通過使用CO、 C02、 He-Ne和HF產(chǎn)生的激光。CO激光的 波長為4900nrn到5100nm， C02激光的波長為630nm至lj 640nm，以及He-Ne 激光的波長為2700nm到2900nm。
然而，在情形下，當通過利用黑矩陣203使具有亮斑的像素變暗時，黑矩 陣顆粒203a應(yīng)該以高密度均勻分散在梳狀結(jié)構(gòu)213的齒之間。如果黑矩陣顆 粒203非均勻分散，則在檢測面板時發(fā)生光線在黑矩陣顆粒203a之間以黑色 或灰色圖案泄露的現(xiàn)象。
因而，最終，為了防止發(fā)生光線在黑矩陣顆粒203a之間泄露的該現(xiàn)象， 如在圖10f中所示，紫外線光源273照射到缺陷單元(P)以破壞缺陷單元(P) 的下對準層257和上對準層217，從而去除缺陷單元放置的液晶261的定向性。 在該情形下，除了紫外線光源273，根據(jù)需要還可使用不同的光源。
為了破壞對準層257和217，如在圖11中所示，具有大約300nm到400nm 波長范圍，且具有低對準層吸光性和高透光率的光源可用作紫外線光源273。
在TFT-LCD TN模式的情形下，由于TFT表面的對準層257和217和濾 色片205表面彼此交叉，所以在對準層257和217被破壞之前，在功率截止狀 態(tài)下，在TFT表面與濾色片205表面之間的液晶261傾斜90°對準。
盡管沒有示出，但是可通過照射紫外線光源273而破壞對準層257，并且 因此，液晶261丟失其定向性并且甚至當導(dǎo)通電壓時也不能垂直對準。因而， 來自下偏振片(未示出)的光線不能穿過己修復(fù)的像素而是擴散開。以這種方式，根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實施方式用于修復(fù)已經(jīng)明白的缺陷 單元的工藝包括形成黑矩陣與上基板之間的間隙(S220);形成與上基板隔
開的色素層的梳狀結(jié)構(gòu)的齒之間的間隙(S230)，處理黑矩陣顆粒(S240); 將黑矩陣顆粒分散到色素層的梳狀結(jié)構(gòu)中(S250);以及破壞對準層(S260)。
因此，通過執(zhí)行該修復(fù)工藝，g卩，形成黑矩陣的工藝，形成色素層的梳狀 結(jié)構(gòu)的工藝，處理黑矩陣顆粒的工藝，將黑矩陣顆粒分散到色素層的梳狀結(jié)構(gòu) 中的工藝，以及破壞上下對準層的工藝，當液晶損失定向性時，光線擴散，朝 向具有亮斑的缺陷像素定向的光線的強度變?nèi)?，并因此，?jīng)過偏振片(未示出) 輸出的光線不會經(jīng)過已修復(fù)的像素泄露，完全實現(xiàn)暗化(darkening)。
如上所述，由于在黑矩陣和色素層上執(zhí)行激光輻射工藝和利用紫外線光的 對準層破壞工藝，所以缺陷單元的暗化效應(yīng)最大化。
在附圖中沒有示出通過額外地執(zhí)行利用紫外線光的對準層破壞工藝獲得 的結(jié)果，但是注意到該結(jié)果將類似于在圖7和圖8中示出的結(jié)果。
同時，用于不透明地變暗在缺陷像素區(qū)域的亮斑的方法能容易地應(yīng)用到 ECB (電控雙折射)或VA (垂直對準)模式液晶面板，以及IPS模式液晶面 板和TN模式液晶面板。
同時在不同的示例性實施方式中，在偏振片附接到液晶面板的上和下部分 以使缺陷像素區(qū)域變暗的狀態(tài)下，可照射激光，從而修復(fù)缺陷單元。在該情形 下，由于附接到液晶面板的上和下部分的偏振片具有特定的定向性，所以激光 輻射可衍射該定向性進行以將激光照射到缺陷單元區(qū)域。因而，缺陷單元修復(fù) 工藝可能利用附接的偏振片執(zhí)行。
用于所有激光照射步驟的激光的波長根據(jù)像素的顏色而變化。紅色激光的 波長范圍為約500nm 550nm，藍色和綠色激光的波長范圍為約300nm 400nm。 這取決于顏料的具體特點，并且激光在這些波長帶具有較高的吸光率(即是， 具有較低的透光率)，所以顏料經(jīng)受由光子引起的物理和化學(xué)損害，并從而與 基板分離。當在不脫離本發(fā)明的特征下，以數(shù)種形式具體化本發(fā)明時，還應(yīng)該 理解以上所述的實施方式不限定前述說明的任何細節(jié)，除非特別指出，而應(yīng)該 廣泛地構(gòu)造為在附加的權(quán)利要求限定的范圍內(nèi)，并因此附屬的權(quán)利要求書意欲 包括落入權(quán)利要求的邊界和范圍或者該邊界和范圍的等效物內(nèi)的所有變型和 修改。
權(quán)利要求
1、一種用于修復(fù)液晶面板中的缺陷單元的方法，該方法包含提供液晶面板，該面板包括在其上形成黑矩陣和色素層的上陣列基板、具有薄膜晶體管并與所述上陣列基板附接的下陣列基板、以及在所述上基板和下基板之間形成并包括多個單元的液晶層；進行第一激光照射，用于將激光照射到所述液晶面板中多個單元中的缺陷單元區(qū)域，以在所述黑矩陣與所述上陣列基板之間形成特定間隙；進行第二激光照射，用于將激光照射到所述缺陷單元區(qū)域以在所述色素層和所述上陣列基板之間形成梳狀結(jié)構(gòu)，在該梳狀結(jié)構(gòu)的齒之間具有特定間隙；進行第三激光照射，用于將激光照射到所述缺陷單元區(qū)域以處理所述黑矩陣，從而產(chǎn)生黑矩陣顆粒；以及進行第四激光照射，用于將激光照射到所述缺陷單元區(qū)域以分散所述黑矩陣顆粒，從而將該黑矩陣顆粒填充在所述色素層與所述上陣列基板之間的所述梳狀結(jié)構(gòu)的所述齒之間的所述間隙中。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光使用NdYAG、準分子、CO、 C02、 He-Ne、 HF和二極管中的至少之一。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，如果照射到所述缺陷單元 區(qū)域的激光為紅色的，則該激光的波長在500nm到550nm的范圍內(nèi)，如果激 光為藍色和綠色的，則該激光的波長在300nm到400nm的范圍內(nèi)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述上陣列基板和所述 色素層之間的所述間隙為0.5pm到2(im。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，施加到所述缺陷單元區(qū)域 的激光頻率小于IOOmJ到700mJ范圍的1/10。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成距離所述上基板陣 列具有特定間隙的所述黑矩陣時，將小于IOOmJ到700pJ范圍1/10的激光功 率施加到所述缺陷單元區(qū)域中；在所述色素層與所述上陣列基板之間形成其齒 之間具有特定間隙的所述梳狀結(jié)構(gòu)時，將小于200pJ到620^J范圍1/10的激 光功率施加到所述缺陷單元區(qū)域；在處理以產(chǎn)生所述黑矩陣顆粒時，將小于 200^J到600mJ范圍1/10的激光功率施加到所述缺陷單元區(qū)域；以及將小于180(oJ到420ioJ范圍1/10的激光功率施加到缺陷單元區(qū)域，從而將所述黑矩陣 顆粒分散到所述色素層的所述梳狀結(jié)構(gòu)的齒之間的間隙中。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述激光輻射中的掃描 速度為10pm/s到70nm/s。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在與所述上陣列基板距離 特定間隙的所述黑矩陣的形成中，所施加的所述激光掃描速度在在30)im/s到 70pm/s之間的范圍內(nèi)；所施加以在所述色素層與所述上陣列基板之間形成其 齒之間具有特定間隙的所述梳狀結(jié)構(gòu)的所述激光掃描速度在20nm/s到5(^m/s 之間的范圍內(nèi)；施加以處理所述黑矩陣的所述激光掃描速度在從25pn/s到 45pm/s的范圍內(nèi)；以及施加以將所述黑矩陣顆粒分散到所述色素層的所述梳 狀結(jié)構(gòu)的齒之間的間隙中的所述激光掃描速度在從20pm/s到45pm/s的范圍 內(nèi)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進一步報案 在分散所述黑矩陣顆粒之后，破壞所述缺陷單元的對準層，以將所述黑矩陣顆粒分散到整個缺陷單元區(qū)域。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在破壞所述對準層時，照 射波長在300nm到400nm范圍內(nèi)的紫外線(UV)光源。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一激光輻射從所述 黑矩陣上部分的邊緣開始并經(jīng)過所述缺陷區(qū)域而水平進行到所述黑矩陣的下 邊緣，所述第二激光輻射從所述色素層的上部分邊緣開始并水平進行到所述色 素層的下邊緣。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第三激光輻射首先從所述 黑矩陣的下部分邊緣的一部分開始并經(jīng)過所述缺陷單元區(qū)域水平進行到所述 黑矩陣的上部分邊緣的一部分，所述第三激光輻射其次從所述黑矩陣的左部分 的下邊緣開始并經(jīng)過是整個缺陷單元區(qū)域垂直進行到所述黑矩陣的右邊緣，并 且所述第三激光輻射第三次是從所述黑矩陣的上部分的右邊緣開始并經(jīng)過所 述缺陷單元區(qū)域而水平進行到所述黑矩陣的左邊緣。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第四激光輻射首先從所述 缺陷單元區(qū)域的中心開始并垂直進行到與所述黑矩陣界面的右側(cè)，所述第四激 光輻射再次從鄰近所述缺陷單元區(qū)域右邊緣的所述黑矩陣開始并垂直進行到所述黑矩陣的右邊緣，所述第四激光輻射第三次是從所述缺陷單元區(qū)域的中心 開始并垂直進行到與所述黑矩陣的左側(cè)界面，以及所述第四激光輻射第四次是 從鄰近所述缺陷單元區(qū)域左邊緣的所述黑矩陣開始并垂直進行到所述黑矩陣 的左邊緣。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進一歩包含 將所述偏振片附接到所述液晶面板。
15、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，如果照射到所述缺陷單元區(qū)域的激光為紅色的，則該激光的波長在500nm到550nm的范圍內(nèi)，如果激 光為藍色和綠色的，則該激光的波長在300nm到400nm的范圍內(nèi)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在形成距離所述上基板陣 列具有特定間隙的所述黑矩陣時，將小于IO(VJ到470^J范圍1/10的激光功 率施加到所述缺陷單元區(qū)域中；在所述色素層與所述上陣列基板之間形成其齒 之間具有特定間隙的所述梳狀結(jié)構(gòu)時，將小于200^J到620^J范圍1/10的激 光功率施加到所述缺陷單元區(qū)域；在處理以產(chǎn)生所述黑矩陣顆粒時，將小于 200mJ到60c)^j范圍1/10的激光功率施加到所述缺陷單元區(qū)域；以及將小于 180pJ到42(VJ范圍1/10的激光功率施加到缺陷單元區(qū)域，從而將所述黑矩陣 顆粒分散到所述色素層的所述梳狀結(jié)構(gòu)的齒之間的間隙中。
17、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一激光輻射從所述 黑矩陣上部分的邊緣開始并經(jīng)過所述缺陷區(qū)域而水平進行到所述黑矩陣的下 邊緣，所述第二激光輻射從所述色素層的上部分邊緣開始并水平進行到所述色 素層的下邊緣。
18、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，第三激光輻射首先從所述 黑矩陣的下部分邊緣的一部分開始并經(jīng)過所述缺陷單元區(qū)域水平進行到所述 黑矩陣的上部分邊緣的一部分，所述第三激光輻射其次從所述黑矩陣的左部分 的下邊緣開始并經(jīng)過是整個缺陷單元區(qū)域垂直進行到所述黑矩陣的右邊緣，并 且所述第三激光輻射第三次是從所述黑矩陣的上部分的右邊緣開始并經(jīng)過所 述缺陷單元區(qū)域而水平進行到所述黑矩陣的左邊緣。
19、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，第四激光輻射首先從所述 缺陷單元區(qū)域的中心開始并垂直進行到與所述黑矩陣界面的右側(cè)，所述第四激 光輻射再次從鄰近所述缺陷單元區(qū)域右邊緣的所述黑矩陣開始并垂直進行到所述黑矩陣的右邊緣，所述第四激光輻射第三次是從所述缺陷單元區(qū)域的中心 開始并垂直進行到與所述黑矩陣的左側(cè)界面，以及所述第四激光輻射第四次是 從鄰近所述缺陷單元區(qū)域左邊緣的所述黑矩陣開始并垂直進行到所述黑矩陣 的左邊緣。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器的濾色片及其制造方法，該液晶顯示器包括濾色片基板；以及多個像素，其以矩陣形式形成在所述濾色片基板上，每個像素包括第一紅色子像素、第一綠色子像素、第一藍色子像素，成對的第二紅色子像素和第三綠色子像素、成對的第二綠色子像素和第三藍色子像素、和成對的第二藍色子像素和第三紅色子像素。
文檔編號G02F1/13GK101446700SQ20081021391
公開日2009年6月3日 申請日期2008年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月30日
發(fā)明者林圻燮, 琴昌錫 申請人:樂金顯示有限公司