專利名稱：一種掩膜版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于半導(dǎo)體光刻顯影技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版。
背景技術(shù)：
液晶顯示器、集成電路等半導(dǎo)體器件的制程需要用到掩膜版，以在玻璃基 板或半導(dǎo)體基片上蝕刻出用戶需要的圖形。圖1示出了掩膜版的制作流程，首 先用計算機設(shè)計軟件進行圖形制作，并將圖形轉(zhuǎn)換為曝光設(shè)備可識別的數(shù)據(jù)， 然后曝光設(shè)備在涂覆有感光膠的掩膜版上曝光成與設(shè)計要求一致的圖形，最后 對掩膜版進行顯影處理，使掩膜版上的感光膠呈現(xiàn)出用戶需要的圖形。
掩膜版在顯影過程中，由于工藝條件的差異性，或者顯影手法的熟練程度 都會影響顯影的精度。為保證此關(guān)鍵制程的穩(wěn)定性，必須尋找一種可靠、便捷 的顯影控制技術(shù)，確保掩膜版的質(zhì)量滿足各種要求。
現(xiàn)有的顯影工藝主要是依靠控制顯影液的濃度，顯影過程中的溫度，顯影 的手法以及顯影的時間來控制顯影的精度，該方法受工藝環(huán)境的影響較大，對 掩膜版的前端制程也有較高要求，要達到掩膜版高精度的穩(wěn)定控制，必須保證 掩膜版的材料穩(wěn)定，曝光工藝的穩(wěn)定，顯影工藝的穩(wěn)定，尤其是在顯影階段，
主*靠兩種方法來實現(xiàn)顯影精度的控制1、基于大量實驗找出同一容器中顯 影液的顯影次數(shù)與顯影時間的關(guān)系，將之應(yīng)用到實際生產(chǎn)，才艮據(jù)顯影液濃度的 變化對顯影時間進行控制；2、保持顯影液的濃度恒定。其中根據(jù)顯影液濃度的 變化對顯影時間進行控制的方式生產(chǎn)操作實現(xiàn)難度較高，而采用控制顯影液濃 度的方式成本壓力又4交大。

實用新型內(nèi)容
3本實用新型的目的在于提供一種掩膜版，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中對掩膜版顯 影精度的控制實現(xiàn)難度較高或成本壓力大的問題。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的， 一種掩膜版，所述掩膜版具有一顯影精度控制 圖標(biāo)，所述顯影精度控制圖標(biāo)包含有第 一組刻度標(biāo)記，所述第 一組刻度標(biāo)記由 一組刻度標(biāo)記圖案組成，所述第 一組刻度標(biāo)記中的各個刻度標(biāo)記圖案的線寬依 次呈遞增或遞減變化，所述第一組刻度標(biāo)記中的每個刻度標(biāo)記圖案的線寬均勻。
本實用新型中，通過在掩膜版上制作一顯影精度控制圖標(biāo)，該顯影精度控 制圖標(biāo)中包含有一組刻度標(biāo)記，每組刻度標(biāo)記由線寬呈遞增或遞減順序變化且 線寬均勻的刻度標(biāo)記圖案組成，通過監(jiān)控該刻度標(biāo)記中刻度標(biāo)記圖案的顯影程 度，將刻度標(biāo)記的顯影變化情況和掩膜版的顯影時間有機的結(jié)合起來，最終實 現(xiàn)控制顯影精度，同時減少了顯影液濃度的變化對產(chǎn)品精度的影響，而不再需 要根據(jù)顯影液濃度的變化對顯影時間進行控制，或維持顯影液的濃度恒定，實 現(xiàn)簡單且緩解了成本壓力，同時根據(jù)該圖標(biāo)可以很方便的判斷出掩膜版的顯影 程度，提高了制程的穩(wěn)定性和可追溯性。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)提供的掩膜版的制作流程示意圖； 圖2是本實用新型第一實施例提供的使用正性感光膠的掩膜版的顯影精度 控制圖標(biāo)示意圖3是本實用新型第一實施例提供的使用負(fù)性感光膠的掩膜版的顯影精度 控制圖標(biāo)示意圖4是本實用新型第二實施例提供的掩膜版顯影精度控制圖標(biāo)示意圖； 圖5是本實用新型第三實施例提供的掩膜版顯影精度控制圖標(biāo)示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體 實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
本實用新型實施例中，在掩膜版上制作一顯影精度控制圖標(biāo)，該顯影精度 控制圖標(biāo)中包含有一組或多組刻度標(biāo)記，每組刻度標(biāo)記由線寬呈遞增或遞減順 序變化且線寬均勻的刻度標(biāo)記圖案組成，通過監(jiān)控該刻度標(biāo)記中刻度標(biāo)記圖案 的顯影程度最終實現(xiàn)控制顯影精度。
圖2示出了本實用新型第一實施例提供的掩膜版的顯影精度控制圖標(biāo)，該 顯影精度控制圖標(biāo)包含有第一組刻度標(biāo)記1,第一組刻度標(biāo)記1由一組刻度標(biāo) 記圖案組成，第一組刻度標(biāo)記l中的各個刻度標(biāo)記圖案的線寬由上向下依次呈 遞增變化，當(dāng)然也可以設(shè)置為遞減變化，其中的每個刻度標(biāo)記圖案形狀可以為 矩形，也可以為其他線寬均勻的圖案，如線寬均勻的曲線等。當(dāng)對經(jīng)過曝光、 涂覆有感光膠的掩膜版進行顯影處理時，可以通過視覺監(jiān)控第一組刻度標(biāo)記1 中所期望線寬的顯影程度的變化，來判斷掩膜版當(dāng)前的顯影程度，例如假定圖 1中的矩形刻度標(biāo)記圖案11為期望顯影的刻度標(biāo)記圖案，矩形刻度標(biāo)記圖案12、 13的線寬分別小于和大于矩形刻度標(biāo)記圖案11的線寬，且感光膠為正性感光 膠，若當(dāng)前能夠顯影出影像的刻度標(biāo)記圖案的最大線寬小于矩形刻度標(biāo)記圖案 11的線寬，例如只有矩形刻度標(biāo)記圖案12以及線寬小于矩形刻度標(biāo)記圖案12 的刻度標(biāo)記圖案能夠顯影出影像，則表明掩膜版中設(shè)計圖案的線條沒有完全顯 影，即掩膜版顯影不足；若當(dāng)前能夠顯影出影4象的刻度標(biāo)記圖案的最大線寬大 于矩形刻度標(biāo)記圖案11的線寬，例如矩形刻度標(biāo)記圖案13以及線寬小于矩形 刻度標(biāo)記圖案13的刻度標(biāo)記圖案能夠顯影出影像，則表明掩膜版中設(shè)計圖案的 線條顯影程度已經(jīng)超出需要，即掩膜版顯影過度。
本實用新型實施例中，可以通過監(jiān)控刻度標(biāo)記中刻度標(biāo)記圖案的顯影程度 得知掩膜版的顯影程度，進而實現(xiàn)對掩膜版顯影精度的控制，而不再需要根據(jù) 顯影液濃度的變化對顯影時間進行控制，或維持顯影液的濃度恒定，實現(xiàn)簡單 且緩解了成本壓力。本實用新型實施例中，顯影精度控制圖標(biāo)進一步包含有第二組刻度標(biāo)記2， 與第一組刻度標(biāo)記1相同，第二組刻度標(biāo)記2同樣由一組刻度標(biāo)記圖案組成， 第二組刻度標(biāo)記2中的各個刻度標(biāo)記圖案的線寬依次呈遞增或遞減變化，每個 刻度標(biāo)記圖案的線寬均勻，且刻度標(biāo)記圖案的最大線寬小于所期望顯影的刻度 標(biāo)記的線寬(對應(yīng)于感光膠為正性感光膠)，如圖2所示，或刻度標(biāo)記圖案的 最小線寬大于所期望顯影的刻度標(biāo)記的線寬(對應(yīng)于感光膠為負(fù)性感光膠)， 如圖3所示，第二組刻度標(biāo)記2適用于極端顯影過度的情形，具體監(jiān)控判斷原 理如上文所述，此處不再贅述。
進一步地，為了在監(jiān)控過程中更能清楚的辨認(rèn)顯影精度控制圖標(biāo)中的刻度 標(biāo)記圖案，在制作時還可以將刻度標(biāo)記圖案的長度^L計為呈一定規(guī)律變化，具 體見圖4示出的本實用新型第二實施例提供的掩膜版的顯影精度控制圖標(biāo)，和 圖5示出的本實用新型第三實施例提供的掩膜版的顯影精度控制圖標(biāo)。
本實用新型實施例中，通過在掩膜版上制作一顯影精度控制圖標(biāo)，該顯影 精度控制圖標(biāo)中包含有一組或多組刻度標(biāo)記，每組刻度標(biāo)記由線寬呈遞增或遞 減順序變化且線寬均勻的刻度標(biāo)記圖案組成，如矩形圖案，通過監(jiān)控該刻度標(biāo) 記中刻度標(biāo)記圖案的顯影程度，將刻度標(biāo)記的顯影變化情況和掩膜版的顯影時 間有機的結(jié)合起來，最終實現(xiàn)控制顯影精度，同時減少了顯影液濃度的變化對 產(chǎn)品精度的影響，同時根據(jù)該圖標(biāo)可以很方便的判斷出掩膜版的顯影程度，提 高了制程的穩(wěn)定性和可追溯性。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型， 凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng) 包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版具有一顯影精度控制圖標(biāo)，所述顯影精度控制圖標(biāo)包含有第一組刻度標(biāo)記，所述第一組刻度標(biāo)記由一組刻度標(biāo)記圖案組成，所述第一組刻度標(biāo)記中的各個刻度標(biāo)記圖案的線寬依次呈遞增或遞減變化，所述第一組刻度標(biāo)記中的每個刻度標(biāo)記圖案的線寬均勻。
2、 如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述刻度標(biāo)記圖案為矩形圖案。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述顯影精度控制圖標(biāo) 包含有第二組刻度標(biāo)記，所述第二組刻度標(biāo)記由一組刻度標(biāo)記圖案組成，所述 第二組刻度標(biāo)記中的各個刻度標(biāo)記圖案的線寬依次呈遞增或遞減變化的，所述 第二組刻度標(biāo)記中的每個刻度標(biāo)記圖案的線寬均勻；所述第二組刻度標(biāo)記中的 刻度標(biāo)記圖案的最大線寬小于所期望顯影的刻度標(biāo)記的線寬。
4、 如權(quán)利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述顯影精度控制圖標(biāo) 包含有第二組刻度標(biāo)記，所述第二組刻度標(biāo)記由一組刻度標(biāo)記圖案組成，所述第二組刻度標(biāo)記中的各個刻度標(biāo)記圖案的線寬依次呈遞增或遞減變化的，所述 第二組刻度標(biāo)記中的每個刻度標(biāo)記圖案的線寬均勻；所述第二組刻度標(biāo)記中的 刻度標(biāo)記圖案的最小線寬大于所期望顯影的刻度標(biāo)記的線寬。
專利摘要本實用新型適用于半導(dǎo)體光刻顯影技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種掩膜版，所述掩膜版具有一顯影精度控制圖標(biāo)，所述顯影精度控制圖標(biāo)包含有第一組刻度標(biāo)記，第一組刻度標(biāo)記由一組刻度標(biāo)記圖案組成，第一組刻度標(biāo)記中的各個刻度標(biāo)記圖案的線寬依次呈遞增或遞減變化，第一組刻度標(biāo)記中的每個刻度標(biāo)記圖案的線寬均勻。本實用新型通過在掩膜版上制作一顯影精度控制圖標(biāo)，該顯影精度控制圖標(biāo)中包含有一組刻度標(biāo)記，每組刻度標(biāo)記由線寬呈遞增或遞減順序變化且線寬均勻的刻度標(biāo)記圖案組成，通過監(jiān)控該刻度標(biāo)記中刻度標(biāo)記圖案的顯影程度實現(xiàn)控制顯影精度，而不再需要根據(jù)顯影液濃度的變化對顯影時間進行控制或維持顯影液的濃度恒定，實現(xiàn)簡單且緩解了成本壓力。
文檔編號G03F1/42GK201237695SQ200820147200
公開日2009年5月13日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日
發(fā)明者李躍松, 蘇利剛 申請人:清溢精密光電(深圳)有限公司