專利名稱：便于光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)的菲林片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及芯片制造過程中所使用的光刻掩模版的圖形檢驗(yàn)領(lǐng)域。尤其是指便于 光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)的菲林片。
背景技術(shù)：
在芯片制造過程中最核心的環(huán)節(jié)就是光刻，光刻的原理就是利用光敏材料將掩模版 上的圖形轉(zhuǎn)移到制造芯片的材料上，利用光敏材料上形成的圖形作為保護(hù)層繼而進(jìn)行后續(xù) 的加工制造。
芯片的制造過程中要進(jìn)行多次光刻作業(yè)，各道光刻所使用的光刻掩模版的圖形是不 同的，在光刻過程中，各道掩模版都要依照上一道或幾道掩模版制作出的圖形進(jìn)行對(duì)位， 如果光刻掩模版圖形有偏差，將會(huì)影響芯片制造的精度及品質(zhì)，因此光刻掩模版的圖形檢 驗(yàn)在芯片的制造過程中至關(guān)重要。
目前光刻掩模版制造商可以利用專業(yè)的測(cè)量?jī)x器進(jìn)行圖形檢驗(yàn)，但是對(duì)于芯片制造 商來說，購(gòu)買這樣的一臺(tái)專業(yè)設(shè)備而僅僅是用來檢驗(yàn)光刻掩模版并沒有必要；或是利用標(biāo) 準(zhǔn)光刻掩模版在晶片上制造出標(biāo)準(zhǔn)圖形，再利用晶片上的圖形對(duì)光刻掩模版進(jìn)行對(duì)位檢 驗(yàn)，但這種方法無法避免光刻作業(yè)帶來的誤差，同時(shí)一張基底片僅僅針對(duì)一種產(chǎn)品的一個(gè) 工序，對(duì)于生產(chǎn)多種產(chǎn)品的制造商也將帶來諸多不便。
鑒于此，實(shí)有必要設(shè)計(jì)一種便于光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)的菲林片以提高光刻掩膜版檢 驗(yàn)的易操作、易實(shí)現(xiàn)性。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是克服目前現(xiàn)有檢驗(yàn)方法中的不足，提供一種方便簡(jiǎn)易 的便于光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)的菲林片。
為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是 一種便于光刻掩膜版圖形檢驗(yàn) 的菲林片，其包括菲林片層以及黏著在該菲林片層上的一層圖形層，其中，所述圖形層上
分別設(shè)有一個(gè)以上的對(duì)位標(biāo)記和與該對(duì)位標(biāo)記相鄰的芯片圖形。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案之一，所述菲林片上分別設(shè)有能夠?qū)崿F(xiàn)一種芯片產(chǎn)品的各 道光刻掩膜版的對(duì)位標(biāo)記組和芯片圖形組。
作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案之一，所述菲林片上包括若干品種芯片產(chǎn)品的各道光刻掩 膜版的對(duì)位標(biāo)記組和芯片圖形組的排布。
3作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案之一，所述菲林片厚度為0. 2mm-2mm。
本實(shí)用新型提供一種便于光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)的菲林片，利用現(xiàn)有的菲林印刷技術(shù)， 將一種芯片產(chǎn)品的幾道光刻掩模版圖形設(shè)計(jì)制作在一張與晶片大小尺寸相當(dāng)，厚度為 0.2咖-2mra的菲林片上，從而替代了利用標(biāo)準(zhǔn)光刻掩模版將圖形臨時(shí)轉(zhuǎn)移到一張基底片 上，這樣做不僅可以減少在圖形轉(zhuǎn)移過程中帶來的誤差，同時(shí)還可以避免占用基底片的麻 煩。


圖la、 lb、 lc為制造芯片所使用的第一、二、三道光刻掩膜版示意圖2為各道光刻掩膜版進(jìn)行對(duì)位的示意圖3為本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的菲林版圖示意圖4為本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的菲林版圖又一實(shí)施例示意11第一道對(duì)位標(biāo)記； 12第一道芯片圖形；
21..............................第二道對(duì)位標(biāo)記；
22..............................第二道芯片圖形；
31..............................第三道對(duì)位標(biāo)記；
32..............................第三道芯片圖形；
41..............................三道對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位疊加的示意圖;
42..............................三道芯片圖形進(jìn)行對(duì)位疊加的示意圖;
A A型號(hào)產(chǎn)品光刻掩膜版檢驗(yàn)圖形；
B B型號(hào)產(chǎn)品光刻掩膜版檢驗(yàn)圖形； C C型號(hào)產(chǎn)品光刻掩膜版檢驗(yàn)圖形；
具體實(shí)施方式
一種便于光刻掩膜版的圖形檢驗(yàn)的菲林片，其包括菲林片層以及黏著在該菲林片層上 的一層圖形層，其特征在于所述圖形層上分別設(shè)有一個(gè)以上的對(duì)位標(biāo)記和與該對(duì)位標(biāo)記
相鄰的芯片圖形。所述菲林片厚度為0. 2mm-2mm。
請(qǐng)參照?qǐng)Dla至圖lc所示，以三道光刻制造工藝為例，在圖la中，第一道光刻掩膜 版有對(duì)位標(biāo)記11與芯片圖形12進(jìn)行排列構(gòu)成；在圖lb中，第二道光刻掩膜版有對(duì)位標(biāo) 記21與芯片圖形22進(jìn)行排列構(gòu)成；在圖lc中，第三道光刻掩膜版有對(duì)位標(biāo)記31與芯片圖形32進(jìn)行排列構(gòu)成。在芯片的制造過程中，依次利用光刻掩膜版將圖形轉(zhuǎn)移到晶片上， 而原先我們就是利用相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的第一道光刻掩膜版將圖形轉(zhuǎn)移到晶片上，完成第一道工藝 制造；利用晶片上的對(duì)位標(biāo)記11及芯片圖形12與第二道光刻掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記21及 芯片圖形22進(jìn)行對(duì)位進(jìn)行圖形檢驗(yàn)的；再利用第二道的晶片圖形檢驗(yàn)第三道光刻掩膜版 圖形；以此類推，每道的光刻掩膜版圖形都是利用上一道的晶片圖形進(jìn)行檢驗(yàn)，以確保各 道光刻掩膜版的對(duì)位準(zhǔn)確。這樣我們至少需要三張標(biāo)準(zhǔn)晶片用于光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)。
現(xiàn)在，我們將三道的光刻掩膜版圖形進(jìn)行設(shè)計(jì)排版，如圖3所示，將設(shè)計(jì)好的圖形 制作在一張菲林片上，該菲林片包括各道的對(duì)位標(biāo)記ll、 21、 31以及芯片圖形12、 22、 32，而且滿足各道光刻掩膜版對(duì)位標(biāo)記及芯片圖形的排列規(guī)律。例如每道光刻掩膜版中兩 個(gè)對(duì)位標(biāo)記間間隔4個(gè)芯片圖形，那么設(shè)計(jì)的菲林片圖形也要滿足此排列規(guī)律。這樣我們 僅需要一張菲林片就可以完成三道光刻掩膜版的圖形檢驗(yàn)。
由于一張晶片可以分布很多的芯片圖形，因此如圖4所示的又一實(shí)施例中，我們可 以同時(shí)將幾種芯片型號(hào)的光刻掩膜版圖形制作在一張菲林片中，用于光刻掩膜版圖形的檢 驗(yàn)，只要在菲林片圖形設(shè)計(jì)的過程中，我們確保同型號(hào)的對(duì)位標(biāo)記及芯片圖形的相對(duì)位置 與所要檢驗(yàn)的光刻掩膜版圖形分布一致即可。
當(dāng)然，我們是利用菲林片進(jìn)行光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)的，因此我們要求在制作菲林片 圖形時(shí)，其精度必須要高于光刻掩膜版的精度要求；且由于溫度及濕度對(duì)菲林片有一定的 影響，因此我們要求菲林片圖形制作、測(cè)量及保存的環(huán)境溫濕度要一致，建議以芯片生產(chǎn) 環(huán)境相同。
上述對(duì)實(shí)施例的描述是為便于該技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能理解和應(yīng)用本實(shí)用新型。 熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的人員顯然可以容易地對(duì)這些實(shí)施例做出各種修改，并把在此說明的一般 原理應(yīng)用到其他實(shí)施例中而不必經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)。因此，本實(shí)用新型不限于這里的實(shí)施 例，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型的揭示，對(duì)于本實(shí)用新型做出的改進(jìn)和修改都應(yīng)該在 本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種便于光刻掩膜版的圖形檢驗(yàn)的菲林片，其包括菲林片層以及黏著在該菲林片層上的一層圖形層，其特征在于所述圖形層上分別設(shè)有一個(gè)以上的對(duì)位標(biāo)記和與該對(duì)位標(biāo)記相鄰的芯片圖形。
2、 如權(quán)利要求1所述的便于光刻掩膜版的圖形檢驗(yàn)的菲林片，其特征在于所述菲 林片上分別設(shè)有能夠?qū)崿F(xiàn)一種芯片產(chǎn)品的各道光刻掩膜版的對(duì)位標(biāo)記組和芯片圖 形組。
3、 如權(quán)利要求2所述的便于光刻掩膜版的圖形檢驗(yàn)的菲林片，其特征在于所述菲 林片上包括若干品種芯片產(chǎn)品的各道光刻掩膜版的對(duì)位標(biāo)記組和芯片圖形組的排 布。
4、 如權(quán)利要求1所述的便于光刻掩膜版的圖形檢驗(yàn)的菲林片，其特征在于所述菲林片厚度為0. 2mm-2mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種便于光刻掩膜版圖形檢驗(yàn)的菲林片，利用現(xiàn)有的菲林印刷技術(shù)，將一種芯片產(chǎn)品的幾道光刻掩模版圖形設(shè)計(jì)制作在一張與晶片大小尺寸相當(dāng)，厚度為0.2mm-2mm的菲林片上，從而替代了利用標(biāo)準(zhǔn)光刻掩模版將圖形臨時(shí)轉(zhuǎn)移到一張基底片上，這樣做不僅可以減少在圖形轉(zhuǎn)移過程中帶來的誤差，同時(shí)還可以避免占用基底片的麻煩。
文檔編號(hào)G03F1/42GK201345031SQ200820158098
公開日2009年11月11日 申請(qǐng)日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者青 葉, 姝 呂, 誠(chéng) 陳 申請(qǐng)人:上海藍(lán)光科技有限公司