專利名稱：：具有斥水性區(qū)域的圖案的處理基材及其制造方法、以及形成有功能性材料的膜構(gòu)成的圖...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及表面具有斥水性區(qū)域的圖案的處理基材、該基材的制造方法、使用該處理基材制造形成有功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的構(gòu)件的方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體器件、顯示器、發(fā)光元件等領(lǐng)域中，大量的功能性薄膜被實用化。功能性薄膜是將具有所要特性的功能性材料配置在所要的位置并將其圖案化的薄膜。該薄膜被作為配線、電極、絕緣層、發(fā)光層及光學(xué)薄膜等使用。例如，通過光刻法而獲得的光刻膠圖案是其一例。但是，光刻工序復(fù)雜，能量、材料等的利用率低。此外，由于在潔凈室內(nèi)實施操作，因此存在設(shè)備成本高的問題。作為解決光刻法的問題，提出了噴墨法。但是，噴墨法的位置精度低，難以形成精細度高的圖案。因此，提出了預(yù)先在基材表面上形成包括不接受墨水的斥水性區(qū)域和接受墨水的親水性區(qū)域的斥水，親水圖案的基底膜以提高位置精度的方法。例如，專利文獻1中記載了在基材的親水性表面通過化學(xué)氣相蒸鍍法形成由氟化烷基硅垸構(gòu)成的薄膜，然后照射紫外線將由氟化垸基硅烷構(gòu)成的薄膜分解并除去的方法。由該方法獲得的基材中非光照射部位成為斥水性區(qū)域，光照射部位成為親水性區(qū)域。專利文獻1:日本專利特開2000-282240號公報發(fā)明的揭示所述現(xiàn)有方法必須長時間照射波長低于200nm的高能光線。該方法必須采用大規(guī)模設(shè)備、真空裝置、高能光源等特別的裝置。此外，由于該方法采用4波長低于200nm的高能光線，因此，圖案的薄膜中的有機物也會發(fā)生分解，形成親水性區(qū)域和斥水性區(qū)域的對比度低的圖案。此外，通過現(xiàn)有的方法獲得的形成有斥水，親水圖案的基材上殘留有形成了斥水性區(qū)域的材料。在該基材上由親水性的功能性材料形成圖案后，如果還希望將其它材料層疊于整個基材表面，則該其它材料可能在斥水性區(qū)域被排斥而無法固定。此外，用該基材制造設(shè)備時，形成了斥水性區(qū)域的材料可能會對設(shè)備的運轉(zhuǎn)產(chǎn)生不良影響。本發(fā)明的目的是提供表面具有對比度高的斥水性區(qū)域的圖案的處理基材。此外，本發(fā)明的目的是提供不需要特別的裝置或高能光線、長時間的光照射，可通過低光量在短時間內(nèi)制造該處理基材的方法。此外，本發(fā)明的目的是提供使用該處理基材制造形成有功能性材料的圖案的構(gòu)件的方法。此外，本發(fā)明的目的是提供形成功能性材料的圖案后除去了形成斥水性區(qū)域的材料的構(gòu)件的制造方法。本發(fā)明包括下述處理基材及其制造方法，以及使用了該處理基材的形成有功能性膜的構(gòu)件的制造方法。〈1〉處理基材，它是在基材表面具有斥水性區(qū)域的圖案的處理基材，該基材的特征在于，該斥水性區(qū)域由使固化性組合物固化而獲得的斥水性固化膜形成，該固化性組合物包含下述化合物(A1)或者下述化合物(A2)和下述化合物(B)，還包含根據(jù)需要任意使用的光固化促進化合物(C)，化合物(A1):具有與硅原子結(jié)合的氫原子和光固化性基團的聚有機硅氧烷，化合物(A2):具有與硅原子結(jié)合的氫原子但不具有光固化性基團的聚有機硅氧烷，化合物(B):具有光固化性基團的化合物。<2>表面具備斥水性區(qū)域的圖案的處理基材的制造方法，該方法的特征在于，通過依次包括下述工序的方法來制造表面具備由斥水性固化膜形成的斥水性區(qū)域的圖案的處理基材，所述工序分別是在基材表面形成含有所述固化性組合物的涂膜的工序，對該涂膜的表面的一部分照射光，使得被光照射的部分的固化性組合物固化而形成斥水性固化膜的工序，以及將存在于基材表面的未固化的固化性組合物除去的工序?！?〉形成有功能性膜的構(gòu)件的制造方法，該方法的特征在于，通過包括下述工序的方法在基材的表面形成功能性膜的圖案，所述工序分別是-向所述處理基材的表面供給含有功能性材料和溶劑的溶液，使該溶液附著于處理基材表面的斥水性區(qū)域以外的區(qū)域的工序，以及從附著的該溶液除去溶劑，形成由功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的工序?！?〉形成有功能性膜的構(gòu)件的制造方法，該方法的特征在于，通過包括下述工序的方法在基材的表面形成功能性膜的圖案，所述工序分別是向所述處理基材的表面供給含有功能性材料和溶劑的溶液，使該溶液附著于處理基材表面的斥水性區(qū)域以外的區(qū)域的工序，從附著的該溶液除去溶劑，形成由功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的工序，以及除去斥水性固化膜的工序。較好的是所述〈1〉的本發(fā)明的處理基材中，可利用光反應(yīng)的官能團為丙烯?；蚣谆；?，促進所述光反應(yīng)的化合物(C)是利用光產(chǎn)生自由基的聚合引發(fā)劑。此外，較好的是所述可利用光反應(yīng)的官能團為1,2-環(huán)氧基，促進所述光反應(yīng)的化合物(C)是利用光產(chǎn)生陽離子的聚合引發(fā)劑。此外，較好的是所述可利用光反應(yīng)的官能團為乙烯基，所述促進光反應(yīng)的化合物(C)為鉑催化劑。較好的是所述〈1〉的本發(fā)明的處理基材中，斥水性區(qū)域以外的基材表面與水的接觸角為50度以下，斥水性區(qū)域與水的接觸角為70度以上。此外，較好的是斥水性膜的膜厚為0.1100nm。較好的是所述〈1〉的本發(fā)明的處理基材中，所述化合物(A1)或所述化合物(A2)中，與硅原子結(jié)合的氫原子的數(shù)目以每個硅原子的平均數(shù)計為0.11.0個。較好的是所述〈2〉的處理基材的制造方法中，照射具有200nm以上的波長的光。較好的是所述〈4〉的形成有功能性膜的構(gòu)件的制造方法中，通過用堿性溶液進行洗滌而除去斥水性固化膜。本發(fā)明的處理基材在表面具備對比度高的斥水性區(qū)域。利用本發(fā)明的處理基材的制造方法，無需采用大規(guī)模設(shè)備、真空裝置及高能光源，僅使用簡單的裝置和光源就能夠通過低光量在短時間內(nèi)制造處理基材。采用本發(fā)明的處理基材可以簡便地制得形成有由功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的構(gòu)件，可用于多種用途。此外，形成了功能性材料的圖案后可除去斥水性固化膜。附圖的簡單說明圖1為表示本發(fā)明的處理基材的制造方法的截面模式圖。圖2為表示本發(fā)明的構(gòu)件的制造方法的截面模式圖。圖3所示為實施例的形成有斥水親水圖案的處理基材及浸漬于氫氧化鈉水溶液后的處理基材的SEM照片(倍率300倍)。符號說明0**基材，l'*基體，2''親水性薄膜，3''固化性組合物的涂膜，4斥水性固化膜，5光掩模，6光，7非斥水性區(qū)域，8**斥水性區(qū)域，9**處理基材，10**溶液供給裝置，11，《含功能性材料的溶液，12功能性材料的膜，13形成有功能性膜的構(gòu)件。實施發(fā)明的最佳方式以下，作為表示選自丙烯?；蚣谆；木酆闲怨倌軋F的用語使用(甲基)丙烯?；?甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯?！椿衔?A1)、化合物(A2)〉本發(fā)明的固化性組合物是包含化合物(Al)或者同時包含化合物(A2)和化合物(B)的固化性組合物?；衔?Al)和化合物(A2)都是聚有機硅氧烷。聚有機硅氧烷是具備聚硅氧垸骨架和與形成該骨架的硅原子結(jié)合的有機基團的化合物。與硅原子結(jié)合的有機基團通過碳一硅鍵結(jié)合。即，該有機基團是與硅原子結(jié)合的末端原子為碳原子的有機基團。聚有機硅氧垸中的硅原子上結(jié)合l個以上的有機基團，大多數(shù)7情況下，除末端硅原子以外結(jié)合有1個或2個有機基團，末端硅原子上結(jié)合有至多3個有機基團。根據(jù)情況，有時少量存在未結(jié)合有有機基團的硅原子。聚硅氧烷骨架具有無分支的線狀、有分支的線狀、環(huán)狀或網(wǎng)眼狀的結(jié)構(gòu)。骨架內(nèi)的硅原子上結(jié)合有2個1價有機基團或1價原子等，分支部存在結(jié)合有1個1價有機基團或1價原子等的硅原子或未結(jié)合有1價有機基團或1價原子等的硅原子。較好的是聚有機硅氧烷中，除末端硅原子以外的硅原子上具有2個1價基團或原子，其中的至少l個為有機基團。作為有機基團以外的基團或原子，包括氫原子或羥基以及鹵素原子或烷氧基等水解性基團等。較好的是末端硅原子上結(jié)合有3個有機基團或結(jié)合有2個有機基團和1個1價基團或原子。作為所述l價有機基團，優(yōu)選烴基、含氟有機基團、具有取代基((甲基)丙烯酰基等)的烴基。作為烴基，優(yōu)選垸基、鏈烯基、炔基、芳基。具有取代基的烴基中，除去了取代基部分的烴基(表示假定結(jié)合了氫原子以替代取代基時的烴基)也優(yōu)選這些基團。作為與硅原子結(jié)合的烴基，除去下述的提高斥水性的有機基團和下述的光固化性基團，優(yōu)選碳數(shù)4以下的垸基、碳數(shù)4以下的鏈烯基或炔基、碳數(shù)8以下的芳基。其中，優(yōu)選甲基、乙基及苯基，特好的是甲基。聚有機硅氧垸中的多個有機基團可以互不相同。例如，l分子中作為有機基團可具有甲基和苯基這2種有機基團。為了提高斥水性固化膜的斥水性，可使提高斥水性的有機基團與化合物(A1)或化合物(A2)結(jié)合。作為提高斥水性的有機基團，包括含氟有機基團或長鏈烴基等，特好的是含氟有機基團。長鏈烴基包括碳數(shù)520的直鏈狀垸基或鏈烯基，特好的是碳數(shù)616的直鏈狀垸基。作為含氟有機基團，優(yōu)選可含醚性氧原子的多氟垸基。特好的是具有二氟亞甲基鏈的多氟垸基或具有全氟氧化烯基的多氟垸基?；衔?A1)的光固化性基團是包含在與硅原子結(jié)合的所述有機基團中的基團。作為光固化性基團，優(yōu)選(甲基)丙烯酰基、1,2-環(huán)氧基或不飽和烴基。作為具有(甲基)丙烯?；?，2-環(huán)氧基的有機基團，優(yōu)選具有直接或通過連接基團與烷基結(jié)合的結(jié)構(gòu)的有機基團。以下，也將這些具有光固化性基團的有機基團稱為光固化性有機基團。(甲基)丙烯?；詈猛ㄟ^氧原子與烷基結(jié)合。即，光固化性有機基團優(yōu)選為(甲基)丙烯酰氧基烷基。1，2-環(huán)氧基最好通過連接基團與烷基結(jié)合，作為與烷基結(jié)合的環(huán)氧基，包括環(huán)氧丙氧基或3，4-環(huán)氧環(huán)己基等。作為不飽和烴基，優(yōu)選乙烯基或烯丙基等在非結(jié)合末端(不與硅原子結(jié)合的一側(cè)的末端)具有不飽和雙鍵的鏈烯基。作為具有(甲基)丙烯?；挠袡C基團，較好是烷基部分的碳數(shù)為26的(甲基)丙烯酰氧基烷基，特好的是(甲基)丙烯酰氧基亞丙基。作為具有1,2-環(huán)氧基的有機基團，較好的是烷基部分的碳數(shù)為26的環(huán)氧丙氧基垸基，特好的是3-環(huán)氧丙氧基丙基。作為不飽和烴基，優(yōu)選乙烯基?；衔?A1)、化合物(A2)中，與硅原子結(jié)合的氫原子的存在對于發(fā)揮含有這些化合物的組合固化而得的斥水性固化膜的堿可溶性是必需的。具有該氫原子的斥水性固化膜可通過用堿性水溶液進行洗滌而除去。但是，光固化性有機基團為不飽和烴基時，其固化反應(yīng)需要與硅原子結(jié)合的氫原子，因此化合物(Al)、化合物(A2)的氫原子的數(shù)目必須保證即使在固化后也有該氫原子殘留?；衔?A1)是具有與硅原子結(jié)合的氫原子和光固化性基團的聚有機硅氧垸。該聚有機硅氧垸除氫原子和光固化性有機基團以外具有烴基或含氟有機基團，作為該烴基，較好是垸基或苯基，特好為甲基?；衔?A1)中，1個硅原子的與硅原子結(jié)合的氫原子數(shù)平均較好為0.11.0個，特好為0.50.9個?；衔?A1)中，對應(yīng)于1個硅原子的光固化性有機基團的數(shù)目平均較好為0.010.5個，特好為0.050.1個。與硅原子結(jié)合的氫原子的數(shù)目或光固化性有機基團的數(shù)目如果過少，則可能固化性下降，如果過多，則可能斥水性下降?；衔?A1)的重均分子量較好為500以上，優(yōu)選不足l,OOO，OOO，更好是不足10,000。重均分子量如果為500以上，則具備可防止從基材表面的蒸發(fā)的優(yōu)點，重均分子量如果不足1,000,000，則化合物(A1)在溶劑中的溶解性良好，因此具備作業(yè)性提高的優(yōu)點。重均分子量通過凝膠滲透色譜法以聚苯乙烯為標準物而測定?；衔?A2)是具有與硅原子結(jié)合的氫原子但不具有光固化性基團的聚有機硅氧烷。該聚有機硅氧烷具有光固化性有機基團以外的有機基團和氫原子，作為該有機基團，優(yōu)選為烴基或含氟有機基團。作為烴基，較好為垸基或苯基，特好為甲基。化合物(A2)中，1個硅原子的與硅原子結(jié)合的氫原子數(shù)平均較好9為0.11.0個，特好為0.50.9個。如果與硅原子結(jié)合的氫原子的數(shù)目不足0.1個，則可能剝離性下降?；衔?A2)的重均分子量較好為500以上，優(yōu)選不足1,000,000，更好是不足10,000。重均分子量如果為500以上，則具備可防止從基材表面的蒸發(fā)的優(yōu)點，重均分子量如果不足1,000,000，則化合物(A2)在溶劑中的溶解性良好，因此具備作業(yè)性提高的優(yōu)點。重均分子量的含義與所述化合物(A1)的描述相同。較好的是化合物(A1)、化合物(A2)都為線狀結(jié)構(gòu)的聚有機硅氧垸或水解性硅垸化合物的水解縮合物。作為線狀結(jié)構(gòu)的聚有機硅氧烷，優(yōu)選下式(al)表示的具有有機硅氧烷單元的化合物。下式(al)中的n為1以上的整數(shù)的化合物(W)為Q^寸n可以為0)相當于化合物(A1)，n為0的化合物(^^^不為Q"相當于化合物(A2)。下式(al)中的m、n、k表示各有機硅氧垸單元的數(shù)目，并不是表示各有機硅氧垸單元形成嵌段。聚有機硅氧垸通常是各有機硅氧垸單元的無規(guī)共聚物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(a1)式中，Qi為光固化性有機基團，Ri為光固化性有機基團以外的有機基團，Wl為氫原子、Qi或R1，m、n、k為O以上的整數(shù)，^W^不為氫原子時m為1以上的整數(shù)。上式(al)中，Wi為氫原子時m可以為0，但即使W'為氫原子時m也優(yōu)選為1以上的整數(shù)。Ri較好為烴基或含氟有機基團，更好為甲基或含氟有機基團。W存在多個時(k為2以上及/或Wi為RJ時)，多個W可以互不相同。式(al)表示的化合物中，具有Qi的化合物(n為1以上的化合物，n為0、至少1個W1為Q1的化合物)為化合物(A1)，不具有Q1的化合物為化合物(A2)。k為l以上的數(shù)時，W如果為烴基，則這些化合物易溶于烴類溶劑。W為含氟有機基團時，使含有這些化合物的組合物固化而形成的斥水性固化膜除了具備斥水性以外還會顯現(xiàn)出斥油性。Q1為具有(甲基)丙烯?；挠袡C基團時，優(yōu)選以Q、YL表示的基團。其中，Q"表示(甲基)丙烯酰氧基。Y'表示-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(!2)5-或-(CH2)6-，優(yōu)選-(CH2)3-。作為Q4勺具體例，可例舉CH2=CHCOO(CH2)3-、CH2=C(CH3)COO(CH2)3-。Q1為具有1,2-環(huán)氧基的有機基團時，優(yōu)選以(^-Y、表示的基團。其中，(512表示縮水甘油基，Yi表示所述多亞甲基。優(yōu)選3-環(huán)氧丙氧基丙基。Qi為不飽和烴基時，較好為乙烯基或烯丙基，特好為乙烯基。R'為烴基時，優(yōu)選碳數(shù)4以下的垸基，特好為甲基。W為含氟有機基團時，優(yōu)選以R"-Z、表示的基團。其中，R"為碳數(shù)1以上的可含醚性氧原子的氟烷基，Zi表示不含氟原子的2價連接基團。Rn基較好為碳數(shù)112的可含醚性氧原子的氟烷基，更好為碳數(shù)l12的可含醚性氧原子的全氟烷基，特好為碳數(shù)312的可含醚性氧原子的全氟烷基。!^基的結(jié)構(gòu)可例舉直鏈結(jié)構(gòu)、分支結(jié)構(gòu)、環(huán)結(jié)構(gòu)或部分具有環(huán)的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選直鏈結(jié)構(gòu)。作為R"基的具體例，可例舉以下的基團。F(CF2)4—、F(CF2)6—、F(CF2)8—、H(CF2)4—、H(CF2)6—、H(CF2)8—。CF3CF2OCF2CF2OCF2一、CF3CF20CF2CF20CF2CF2—、CF3CF20CF2CF2OCF2CF2OCF2CF2OCF「、CF3CF2OCF2CF2OCF2CF2OCF2CF2OCF2CF「。CF3CF2CF2OCF2—、CF3CF2CF2OCF2CF「、CF3CF2CF2OCF(CF3)—、CF3CF2CF2〇CF(CF3)CF2—、CF3CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF「、CF3CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF(CF3)—、CF3CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF(CF3)CF「。作為Z1，優(yōu)選以-(CH2)g-、-S02NR3-(CH2)g-、-(00)^113-((:112)『表示的基團。式中，g表示l5的數(shù)，W表示氫原子、甲基或乙基。Z^寺好為-(CH2)2-。在該基團Z'的右側(cè)結(jié)合Si，在其左側(cè)結(jié)合Rf1。11作為w1，優(yōu)選氫原子或甲基。具有光固化性基團Q1的有機硅氧烷單元可存在于分子中的任意位置，但最好存在于聚硅氧垸骨架(主鏈)的末端。這是因為存在于分子末端時反應(yīng)性高。作為本發(fā)明的化合物(A1)、化合物(A2)，可使用所述式(al)表示的直鏈結(jié)構(gòu)的市售的化合物。作為化合物(A1)的市售的化合物，如下例示。信越化學(xué)工業(yè)株式會社制KF-99(所述式(al)中，m=l以上的數(shù)、n二0、k二0、W」CH3的化合物)、美國蓋勒斯特公司(Gelest)制HMS-301(所述式(al)中，m=l以上的數(shù)、n=0、k=l以上的數(shù)、R1=CH3、W^CHb的化合物)、美國蓋勒斯特公司制DMS-H21(所述式(al)中，m=0、n=0、k=1以上、R^CH"W^H的化合物)?；衔?A1)、化合物(A2)是水解性硅垸化合物的水解縮合物時，可通過水解性硅烷化合物的水解縮合制得。作為水解性硅烷化合物，使用具有與硅原子結(jié)合的氫原子的水解性硅烷化合物、具有光固化性有機基團的水解性硅烷化合物、具有光固化性有機基團以外的有機基團的水解性硅烷化合物等，將這些水解性硅垸化合物進行適當組合使它們一起進行共水解縮合，藉此可制得化合物(A1)、化合物(A2)。作為水解性硅烷化合物，最好主要使用2官能(即，具有2個水解性基團)的水解性硅垸化合物或3官能(即，具有3個水解性基團)的水解性硅垸化合物。這種情況下，可再并用l官能的水解性硅垸化合物或4官能的水解性硅垸化合物。1官能的水解性硅垸化合物是形成末端有機硅氧烷單元的化合物，可作為分子量調(diào)節(jié)劑發(fā)揮作用。與硅原子結(jié)合的水解性基團是可與水反應(yīng)形成為羥基的基團，包括氯原子等鹵素原子、從具有羥基的化合物除去了羥基的氫原子而得的基團(垸氧基等)、酰基、異氰酸酯基、從胺類除去了氨基的氫原子而得的基團等。作為水解性基團，優(yōu)選碳數(shù)4以下的烷氧基，特好為甲氧基或乙氧基。水解性基團與水反應(yīng)形成為羥基后，羥基之間發(fā)生脫水縮合而生成硅氧垸鍵?；衔?A1)、化合物(A2)可由3官能的水解性硅垸化合物和1官能的水解性硅烷化合物制得。如果使用3官能的水解性硅垸化合物，則生成聚有機硅氧烷，溶劑溶解性可能會下降，但通過并用1官能的水解性硅烷化合物，可將生成的聚有機硅氧烷的分子量抑制得較低，獲得溶劑可溶性的生成物。該生成物被認為是具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)或分支結(jié)構(gòu)的聚有機硅氧垸，具有未反應(yīng)的硅烷醇基(與硅原子結(jié)合的羥基)。即使是該化合物(A1)、化合物(A2)，只要是具有與硅原子結(jié)合的氫原子的化合物，則即使在固化后也可溶于堿性水溶液?；衔?A1)、化合物(A2)也可由3官能的水解性硅垸化合物、2官能的水解性硅垸化合物及1官能的水解性硅垸化合物制得。作為具有與硅原子結(jié)合的氫原子的水解性硅垸化合物，優(yōu)選下式(a2-l)表示的化合物[以下稱為化合物(a2-l)，下同]。作為具有光固化性有機基團的水解性硅烷化合物，優(yōu)選下式(a2-2)表示的化合物。作為具有光固化性有機基團以外的有機基團的水解性硅垸化合物，優(yōu)選下式(a2-3)表示的化合物。作為1官能性的水解性硅烷化合物，優(yōu)選下式(a2-4)或下式(a2-5)表示的化合物。下述化合物(a2-5)水解形成為2個1價有機硅氧烷單元。H—SIX(3,)01廠SIX(4七《)R、一SiX(w)(a2陽1)(a2-2)(a2-3〉以上各式中，X為水解性基團，Qi為光固化性有機基團，W為光固化性有機基團以外的有機基團，W'為氫原子、Qi或R1。a為0或l，b為l或2，c為0或1(b+c為1或2)，d為0、l或2。以上化合物(a2-l)(a2-5)中的Q1、R1、W1的說明和具體例如前所述，優(yōu)選例子也如前所述。a較好為0，b較好為l，c較好為0，d較好為l或2。較好的是d為2時，W中的l個為含氟有機基團，其它RJ為烷基。通過所述水解性硅垸化合物的水解縮合，生成下式(a2)表示的聚有機硅氧垸。但是，下式(a2)表示的是假定水解性基團完全水解縮合而生成的聚有RiRiW1—Si—0—Si—W1F1R1(a2-5)(a2-4，351RIJ3IR機硅氧烷的化學(xué)式，實際上是殘存有水解性基團或硅院醇基的部分水解縮合生成物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>上式中，p為1以上的整數(shù)，q為0以上的整數(shù)，r為0以上的整數(shù)，s為0以上的整數(shù)。化合物(A1)是具有Q'的化合物，化合物(A2)是不具有Q1的化合物。作為化合物(a2-l)的具體例，優(yōu)選以下的例子。HSi(0CH3)3、HSi(0CH2CH3)3。作為化合物(a2-2)的具體例，優(yōu)選以下的例子。CH2=C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3、CH2=C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH2CH3)3、CH2=CHC00(CH2)3Si(OCH3)3、CH2=CHCO0(CH2)3Si(OCH2CH3)3、[CH2=C(CH3)COO(CH2)3]CH3Si(OCH3)2、[CH2=C(CH3)COO(CH2)3]CH3Si(OCH2CH3)作為化合物(a2-3)的具體例，優(yōu)選以下的例子。F(CF2)4CH2CH2Si(0CH3)3、F(CF2)6CH2CH2Si(0CH3)3、F(CF2)sCH2CH2Si(0CH3)3、H(CF2)4CH2CH2Si(0CH3)3、H(CF2)6CH2CH2Si(0CH3)3、H(CF2)sCH2CH2Si(0CH3)3、CF3CF2CF20CF(CF3)CF20CF(0CH3)3、Si(OCH3)4、Si(OCH2CH3)4、CH3Si(OCH3)3、CH3Si(OCH2CH3)3、CH3CH2Si(OCH3)3、CH3CH2Si(OCH2CH3)3、(CH3)2Si(0CH3)2、(CH3)2Si(0CH2CH3)2。作為化合物(a2-4)的具體例，優(yōu)選以下的例子。H(CH3)2Si(OCH3)、(CH3)3Si(OCH3)、CH2=C(CH3)COO(CH2)3(CH3)2Si(OCH3)、F(CF2)sCH2CH2(CH3)2Si(OCH3)。作為化合物(a2-5)的具體例，優(yōu)選以下的例子。H(CH3)2Si0Si(CH3)3H、(CH3)3Si〇Si(CH3)3。將化合物(a2-l)作為必須成分進行水解、縮合，式(a2)中的p變?yōu)閘以上的數(shù)。化合物(a2-2)、化合物(a2-3)、化合物(a2-4)或化合物(a2-5)同樣如此。通過將化合物(a2-4)或化合物(a2-5)作為成分進行水解、縮合，可調(diào)整化合物(a2)的分子量。也可使用相當于化合物(a2-l)的2種以上的化合物?；衔?a2-2)、化合物(a2-3)、化合物(a2-4)或化合物(a2-5)同樣如此。水解、縮合的反應(yīng)最好使用鹽酸、硫酸、硝酸等無機酸作為催化劑來實施。作為用于反應(yīng)的溶劑，優(yōu)選溶解催化劑的水溶性溶劑和溶解生成物的溶劑組合而得的溶劑，最好將水溶性溶劑和溶解生成物的溶劑互相混合。可例示異丙醇和己烷、異丙醇和二氯五氟丙烷(旭硝子株式會社制AK-225，CF3CF2CHC1^PCC1F2CF2CHC1F的混合物)。反應(yīng)最好在室溫至溶劑的沸點之間的溫度下實施。本發(fā)明的化合物(A1)、化合物(A2)可以分別由單一的化合物構(gòu)成，但通常作為聚合度等不同的多種化合物構(gòu)成的混合物使用。該混合物中可共存以上通式中的m、n、k、p、q、r、s中的至少任一個值不在所述范圍內(nèi)的化合物。但是，混合物整體的m、n、k、p、q、r、s的平均值最好分別在所述范圍內(nèi)。這些數(shù)值是構(gòu)成所述聚有機硅氧垸的重均分子量的優(yōu)選范圍的數(shù)值。<固化性組合物>本發(fā)明的固化性組合物是作為固化性成分必須為所述化合物(A1)的組合物或作為固化性成分必須為所述化合物(A2)和化合物(B)的組合物。化合物(B)也可以是化合物(A1)[即，固化性組合物可以是含有所述化合物(A1)和所述化合物(A2)的組合物]。但是，以下的說明中如無特別說明，化合物(B)是指所述化合物(A1)以外的化合物。此外，本發(fā)明的固化性組合物還可以是含有該化合物(B)和所述化合物(A1)的組合物?？赏ㄟ^光固化使該固化性組合物固化而形成為固化物?；衔?B)是具有光固化性基團的化合物。作為化合物(B)，可以是聚有機硅氧烷。S卩，可以是不含與硅原子結(jié)合的氫原子但含光固化性有機基團的聚有機硅氧垸。作為該聚有機硅氧垸，包括由所述式(al)表示且m為O(其中，W'不為氫原子)的有機聚硅氧垸、所述化合物(a2-2)或所述化合物(a2-2)和所述化合物(a2-3)與所述化合物(a2-4)或化合物(a2-5)(其中，這些化合物中的W'不為氫原子)一起共水解縮合而得的聚有機硅氧烷等?；衔?B)可以是聚有機硅氧烷以外的化合物。例如，可使用(甲基)丙烯酸酯、聚環(huán)氧化物、聚乙烯基化合物等聚有機硅氧垸以外的化合物。作為所述化合物(A1)以外的化合物(B)，優(yōu)選不具有硅原子的(甲基)丙烯酸酯、多縮水甘油基化合物或具有非結(jié)合末端帶不飽和基的鏈烯基的化合物(以下稱為鏈烯基化合物)。作為所述(甲基)丙烯酸酯，優(yōu)選具有2個以上、更好是3個以上的(甲基)丙烯酰氧基的(甲基)丙烯酸酯。對于1分子中的(甲基)丙烯酰氧基的數(shù)目無特別限定，優(yōu)選8個以下。作為具體的(甲基)丙烯酸酯，可例舉例如以下的化合物。季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二(三羥甲基)丙烷四(甲基)丙烯酸酯。16作為多縮水甘油基化合物，優(yōu)選具有2個以上的縮水甘油基的脂肪族或脂環(huán)族的化合物。1分子中的縮水甘油基的數(shù)目較好為28，特好為36。優(yōu)選例如脂肪族的聚縮水甘油醚或聚縮水甘油酯等，特好的是聚縮水甘油醚。具體可例舉三羥甲基丙烷的三縮水甘油醚、甘油的三縮水甘油醚、季戊四醇的三縮水甘油醚或四縮水甘油醚等。作為鏈烯基化合物，優(yōu)選碳數(shù)6以上的ci-烯烴、具有所述含氟有機基團和鏈烯基的化合物、具有與硅原子結(jié)合的鏈烯基(且不具有與硅原子結(jié)合的氫原子)的聚有機硅氧垸。鏈烯基可與分子末端的硅原子結(jié)合，也可與非末端位置的硅原子結(jié)合。作為與硅原子結(jié)合的鏈烯基，優(yōu)選乙烯基或烯丙基，特好為乙烯基。作為ci-烯烴，優(yōu)選碳數(shù)620的d-烯烴。作為具有所述含氟有機基團和鏈烯基的化合物，優(yōu)選下式(a3-l)表示的化合物。作為鏈烯基與非末端位置的硅原子結(jié)合的聚有機硅氧垸，優(yōu)選下式(a3-2)表示的化合物。作為鏈烯基與分子末端的硅原子結(jié)合的聚有機硅氧垸，優(yōu)選下式(a3-3)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>上式(a3-l)(a3-3)中，Rfl、Z1、W如前所述，t、u、v分別為1以上的整數(shù)。上式(a3-l)中，R"較好為碳數(shù)312的可含醚性氧原子的全氟垸基，Z'較好為-(CH2)g-。上式(a3-2)、(a3-3)中，W較好為甲基?；衔?B)的用量相對于100質(zhì)量份化合物(A2)較好為0.1100質(zhì)量份，特好為550質(zhì)量份。化合物(B)的量如果不足O.l質(zhì)量份，則光固化性可能會下降?；衔?B)的量如果超過100質(zhì)量份，則斥水性可能會下降。化合物(B)為化合物(A1)時，對于其相對于化合物(A2)的用量的上限無特別限定。本發(fā)明的固化性組合物中最好含有光固化促進化合物(C)。光固化促進化合物(C)可根據(jù)化合物(A1)或化合物(B)的光固化性基團的種類來選擇合適的化合物。光固化性基團為(甲基)丙烯酰基時，優(yōu)選利用光產(chǎn)生自由基的自由基產(chǎn)生劑(光自由基聚合引發(fā)劑)。光自由基聚合引發(fā)劑通過吸收光產(chǎn)生自由基而引發(fā)(甲基)丙烯酰基的光聚合反應(yīng)。光自由基聚合引發(fā)劑可以單獨使用，也可2種以上混合使用。光自由基聚合引發(fā)劑的量相對于化合物(A1)、化合物(A2)及化合物(B)的總量較好為0.150質(zhì)量％，更好為110質(zhì)量%。作為具體的光自由基聚合引發(fā)劑，可例舉例如以下的化合物。2_羥基_2-甲基-l-苯基丙-l-酮(默克(Merck)公司制，Darocur1173)、1-羥基環(huán)己基苯基酮(汽巴一嘉基公司(Ciba-Geigy)制，Irgacure184)、l-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙-1-酮(默克公司制，Darocur1116)、芐基二甲基縮酮(汽巴一嘉基公司制，Irgacure651)、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙-l-酮(汽巴一嘉基公司制，Irgacure907)、2-苯甲基-2-二甲基氨基-l-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-l(汽巴一嘉基公司制，Irgacure369)、2,4-二乙基噻噸酮(日本化藥株式會社制，CayacureDETX)。光固化性基團為1,2-環(huán)氧基時，作為光固化促進化合物(C)，優(yōu)選利用光產(chǎn)生陽離子的陽離子產(chǎn)生劑(光陽離子聚合引發(fā)劑)。光陽離子聚合引發(fā)劑通過吸收光產(chǎn)生陽離子而引發(fā)1,2-環(huán)氧基的光聚合反應(yīng)。另外，以促進光固化性為目的，最好并用光陽離子聚合引發(fā)劑和增敏劑。這些光陽離子聚合引發(fā)劑可以單獨使用，也可2種以上并用。這些光陽離子聚合引發(fā)劑和增敏劑的合計量相對于化合物(A1)、化合物(A2)及化合物(B)的總量較好為0.150質(zhì)量％，特好為110質(zhì)量％。作為光陽離子聚合引發(fā)劑，具有代表性的是鏃鹽型光陽離子聚合引發(fā)劑，包括六氟磷酸二苯基碘鏡鹽、六氟磷酸三苯基锍等。具體例如較好為[13卞11-1+卞11-01-((:113)2][6-](其中，ph為1,4-亞苯基)，可例示[CH3-ph-I+-18ph-CH-(CH3)2][PF6'](其中，ph為1,4-亞苯基)和碳酸異丙烯酯的3:1的混合物(汽巴一嘉基公司制，Irgacure250)。作為增敏劑，包括噻噸酮類增敏劑等。具體例如較好為2,4-二乙基噻噸酮(日本化藥株式會社制，CayacureDETX)。光固化性基團為鏈烯基時，作為光固化促進化合物(C)，優(yōu)選鉑類催化劑。鉑類催化劑是促進鏈烯基和與硅原子結(jié)合的氫原子的反應(yīng)(氫化硅垸化反應(yīng))的催化劑。作為鉑類催化劑，優(yōu)選含鉑的金屬絡(luò)合物，更好的是含鉑(n)的金屬絡(luò)合物。鉑類催化劑的量以相對于與硅原子結(jié)合的氫原子的摩爾比計較好為10"icr6，最好以使得制成含有固化性組合物和溶劑的溶液時的溶液中的濃度達到0.1ppm10000ppm的量來使用。作為具體的鉑類催化齊U，可例舉例如雙(乙酰丙酮)鉑(n)、二氯雙-(環(huán)己烯)-鉑(n)二聚物、二氯(1,5-環(huán)辛二烯)鉑(II)、二氯雙(卞腈)鉬(II)等。為了獲得用于形成斥水性固化膜的固化性組合物的膜，最好使用固化性組合物的溶液形成該溶液的涂膜(濕潤膜)，然后通過蒸發(fā)等除去溶劑而形成含固化性組合物的涂膜。作為溶劑，優(yōu)選甲醇、乙醇、異丙醇等醇類，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類，己烷等烴類，二氯五氟丙烷(旭硝子株式會社制AK-225,CF3CF2CHC12禾卩CC1F2CF2CHC1F的混合物)、CF3CH2OCF2CHF2(旭硝子株式會社制AE-3000)等氟類溶劑。溶液中的固形成分濃度較好為0.0150質(zhì)量％，更好為0.110質(zhì)量％?！椿谋砻娴某馑詤^(qū)域〉使所述固化性組合物固化而得的固化物的表面顯現(xiàn)出斥水性，因此，通過形成薄膜狀的固化物，可獲得表面具備斥水性的固化膜(即，斥水性固化膜)。如果由該斥水性固化膜形成圖案，則可在基材上形成斥水性區(qū)域(存在該斥水性固化膜的區(qū)域)的圖案。所述固化性組合物因為具有光固化性，因此可通過光刻法形成斥水性固化膜的圖案。也可在通過印刷法形成固化性組合物的薄膜后使該固化性組合物固化，形成斥水性固化膜的圖案。還可在形成斥水性固化膜后通過蝕刻等將膜部分除去，形成斥水性固化膜的圖案。對于形成斥水性固化膜的圖案的方法無限定，較好的是如后所述通過光刻法形成斥水性固化膜的圖案。在基材表面上，由所述固化物的表面形成的斥水性區(qū)域具有斥水性，19該斥水性區(qū)域以外的表面(以下稱為非斥水性區(qū)域)具有更低的斥水性，兩者的斥水性之差以大為宜。本發(fā)明中，斥水性是以與水的接觸角來表示的性質(zhì)。非斥水性區(qū)域只要具備比斥水性區(qū)域更低的斥水性即可，可以是斥水性的，也可以是疏水性的或親水性的。斥水性區(qū)域與水的接觸角較好為70度以上，特好為85度以上。斥水性區(qū)域與水的接觸角最好是IOO度以上。斥水性越高越好，但通常其上限為150度左右。較好的是非斥水性區(qū)域與水的接觸角比斥水性區(qū)域與水的接觸角低20度以上，特好的是非斥水性區(qū)域與水的接觸角為50度以下。斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域與水的接觸角的差值較好為40度以上，更好為70度以上。該差值越大可獲得對比度越高的圖案。非斥水性區(qū)域本身與水的接觸角較好為40度以下，特好為20度以下。本發(fā)明中，斥水性是指與水的接觸角超過60度的表面的性質(zhì)，疏水性是指與水的接觸角為40度60度的表面的性質(zhì)，親水性是指與水的接觸角低于40度的表面的性質(zhì)。此外，本說明書中的接觸角是通過實施例記載的靜滴法測定的值。化合物(A1)、化合物(A2)或化合物(B)具有含氟有機基團時，通過使斥水性區(qū)域與水的接觸角達到85度以上，藉此可使斥水性區(qū)域顯現(xiàn)出斥油性。具有斥油性的表面可排斥親油性溶劑(烴類溶劑等)，藉此，即使為了形成功能性膜而使用親油性溶劑作為功能性材料的溶劑，也可防止功能性材料附著于斥水性區(qū)域。另一方面，可使非斥水性區(qū)域?qū)τ谟H油性溶劑也具備親和性。如果以與十六烷的接觸角來表示斥油性，則化合物(A1)、化合物(A2)或化合物(B)具有含氟有機基團時的斥水性區(qū)域與十六烷的接觸角較好為40度以上，特好為60度以上。非斥水性區(qū)域與十六烷的接觸角較好為30度以下，特好為20度以下。供給后述的含功能性材料的溶液時，斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域的接觸角越大，橫跨斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域的功能性材料的溶液越容易流入非斥水性區(qū)域，使功能性材料的溶液干燥而獲得的功能性材料的膜構(gòu)成的圖案能夠更精確地再現(xiàn)斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域的圖案。此外，非斥水性區(qū)域的接觸角的絕對值越小功能性材料越能夠在非斥水性區(qū)域很好地潤濕擴散，可使通過功能性材料的溶液干燥而獲得的功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的膜厚更均一。斥水性區(qū)域的斥水性固化膜的膜厚可根據(jù)目的適當選擇，較好為O.l100nm。該膜厚如果不到O.lnm，則存在斥水性無法顯現(xiàn)的可能性。此外，形成了由功能性材料的膜構(gòu)成的圖案后除去斥水性固化膜時，從易除去的角度考慮，斥水性固化膜的膜厚以薄為宜。此時，膜厚更好為O.150nm，特好為0.110nm。非斥水性區(qū)域通常是供形成功能性薄膜的表面，通常是基材的表面?；挠山饘傺趸锏冉饘倩衔锘蚪饘俚葻o機物形成時，基材表面通常呈現(xiàn)出親水性?；挠伤芰系扔袡C物形成時，基材表面通常顯現(xiàn)出疏水性。因此，非斥水性區(qū)域可以是這些基材的表面。此外，用薄膜等覆蓋這些材料形成的基體而得的基材中，可將該薄膜等的表面的非斥水性調(diào)整得與基體材料有所不同?；w是指具有薄膜的基材的薄膜以外的部分。作為本發(fā)明中的基材的材料，優(yōu)選玻璃，硅酮(特別是構(gòu)成硅晶片的材料)，Pd、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、Ta、W或Pb等金屬或它們的合金，PdO、Sn02、ln203、PbO或Sb203等金屬氧化物，HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YBa或GdB4等硼化物，TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC或WC等碳化物，TiN、ZrN或HfN等氮化物，Si或Ge等構(gòu)成半導(dǎo)體的材料，碳材，聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯或聚四氟乙烯等樹脂等材料。更好的是玻璃、構(gòu)成硅晶片的材料、由金屬氧化物或聚酰亞胺形成的材料。較好的是至少用這些材料構(gòu)成基材的表面，也可由這些材料構(gòu)成整個基材。此外，還可以是基材表面經(jīng)過蝕刻、研磨、表面氧化、表面光照射等表面處理而形成的材料。這些表面處理大多有利于實現(xiàn)基材表面的親水化。另外，基材表面被污垢或雜質(zhì)污染時，最好洗滌后再使用。所述表面處理對于該洗滌有時也有效。另外，基材還可以是表面具有薄膜的基材。在所述材料形成的基體的表面形成有所述材料或除此以外的材料構(gòu)成的薄膜的基材可作為基材使用。作為該薄膜，優(yōu)選具有所述非斥水性區(qū)域的表面特性的薄膜。特好的是由親水性化合物(親水性聚合物等)形成的薄膜或經(jīng)過親水化處理化合物(親水化處理用水解性硅垸等)的處理而形成的薄膜。也可采用在基材的表面形成含親水性化合物的固化性組合物的涂膜、通過靜置使親水性化合物向基材側(cè)轉(zhuǎn)移的方法來替代使用預(yù)先進行了表面的親水化的基材。具有親水性化合物是高表面能的材料而取向于基材側(cè)、所述化合物(A1)或所述化合物(A2)等顯現(xiàn)出斥水性的化合物是低表面能的材料而取向于氣相界面的性質(zhì)。利用該性質(zhì)，可形成固化性組合物的涂膜中親水性化合物被配置在基材表面的雙層(bilayer)結(jié)構(gòu)。親水性化合物為水解性硅烷化合物等時，其與基材表面反應(yīng)，使得基材表面被親水化。對于基材的形狀無特別限定，優(yōu)選具備形成圖案的表面為平面、曲面或部分帶曲面的平面的基材，更好的是具備形成圖案的表面為平面的形狀的基材。特好的是片狀或膜狀的基材。片狀或膜狀的基材中，圖案的形成最好在基材的一面實施。此外，對于基材的面積也無特別限定，可采用具備現(xiàn)有的涂布方法適用的盡可能大的面的基材。基體的形狀最好與這些基材的形狀相同。對于本發(fā)明的基材表面具有斥水性區(qū)域的圖案的處理基材中的圖案形狀無特別限定。圖案如果由斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域形成且假定非斥水性區(qū)域為基底斥水性區(qū)域為表圖(在基底上描繪的圖)，則該表圖由點和線構(gòu)成。對于該點的面積及形狀、線的寬度和長度無限定。本發(fā)明可形成微細圖案，例如可形成由線構(gòu)成的圖案中其線寬在10ixm以下的圖案。〈基材的洗滌、親水化基材〉如前所述，在制造處理基材時，最好預(yù)先對基材的表面進行洗滌。此外，還最好對基材表面進行親水化處理，更好的是使用表面具有親水性薄膜的基材。這些表面處理可采用通用的方法來實施，有時也希望區(qū)別該處理是所述處理中的哪一種。以下全部看作基材的親水化處理來進行說明。作為基材的親水化處理方法，可釆用對塑料、金屬、玻璃、陶瓷等的表面進行親水化處理的常用方法。作為該方法，可例示對基材的表面進行濕式洗滌的方法，將基材的表面濕式氧化的方法、對基材的表面進行光洗滌或光氧化的方法，在基材的表面涂布親水性化合物的方法或?qū)⑺龇椒ńM合使用的方法?；牡牟馁|(zhì)為親水性時，可直接使用，但這種基材通常易被污染。因此，在基材的使用前最好通過濕式洗滌、光洗滌或它們的組合來實施親水化處理?；谋砻娴牟馁|(zhì)是疏水性的而必須將其親水性化時，最好通過將基材表面濕式氧化、光氧化或親水性化合物的涂布來完成親水化處理。基材的濕式洗滌可使用水、水類洗滌劑或非水類洗滌劑(有機溶劑、氟類溶劑等)。特別是用水或含表面活性劑的水類洗滌劑對基材進行了洗滌后，優(yōu)選用異丙醇或乙醇等低沸點的有機溶劑除去表面的雜質(zhì)和水分等并同時進行干燥的方法。此外，可根據(jù)基材的種類及污垢的種類，程度來追加工序或省略部分工序。附著了有機類的污垢的基材的濕式洗滌最好是首先為了除去該污垢而用二氯五氟丙烷(旭硝子株式會社制AK-225，CF3CF2CHCl2和CC1F2CF2CHC1F的混合物)等氟類溶劑進行預(yù)洗滌，再用水類洗滌劑或有機溶劑對基材進行浸漬洗滌。浸漬洗滌時可并用超聲波洗滌。對于玻璃，可采用利用含氧化鈰類微粒的研磨劑進行研磨洗滌后用純水漂洗再風(fēng)干的方法來替代浸漬洗滌或與浸漬洗滌并用?；牡臐袷窖趸怯眠^氧化物等氧化劑的水溶液對表面進行氧化。對于氧化劑無特別限定，可例舉硫酸、硝酸、過氧化氫、過硫酸鉀、過硫酸銨、高錳酸鉀等。對基材進行濕式氧化的方法只要是可將該水溶液涂布于基材表面的方法即可，無特別限定，可釆用旋涂法、浸涂法、噴涂法、輥涂法等。作為對基材進行光洗滌或光氧化的方法，包括UV照射處理、UV/03處理(利用紫外線、臭氧或兩者組合的處理)、等離子體處理、電暈放電處理、火焰處理等，優(yōu)選UV/03處理。此外，僅采用濕式洗漆時易殘留微細的有機物的污垢(例如，中性洗劑的表面活性劑的殘留、潔凈室的浮塵等)。如果采用所述光洗滌就不會出現(xiàn)這種情況。因此，還優(yōu)選最初通過濕式洗滌除去較大的污垢、然后通過光洗滌進行洗滌的方法。作為可用于基材的表面的親水化處理的親水性化合物，包括聚(乙烯基醇)、聚(乙烯基吡咯烷酮)、聚(乙二醇)等親水性聚合物，甘油、季戊四醇、山梨糖醇等多元醇等。另外，作為在基材表面反應(yīng)而在表面形成親水性殘基的親水化處理化合物，可例舉Si(OCH3)4、Si(OCH2CH3)4、HSi(OCH2CH3)3、NH2CH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3、Si(NCO)4等具有親水性基團的水解性硅垸化合物、或該化合物的一部分或全部被水解而得的化合物、或該化合物的水解縮合物。使用了H-Si(OCH2CH3)3時，在表面反應(yīng)后必須用0.1mol/L左右的氫氧化鈉水溶液進行洗滌。最好將親水性化合物或親水化處理化合物溶于溶劑形成溶液后再進行涂布。最好使親水性聚合物或多元醇溶于水，使硅烷化合物溶于異丙醇等醇類溶劑。溶液中的這些化合物的濃度較好為0.0110質(zhì)量％，更好為0.11質(zhì)量％。對于將這些溶液涂布于基材的方法無特別限定，可采用旋涂法、浸涂法、噴涂法、輥涂法、凹凸涂布法、絲網(wǎng)印刷法等。涂布后通過除去溶劑可獲得親水化的表面。作為基材的表面由不同的材料形成時的親水化處理，如果采用通過親水性化合物或親水化處理化合物進行親水化的方法，則對于不同材料的表面可賦予相同的親水性，因此較佳。<處理基材的制造方法>對于本發(fā)明的處理基材的制造方法無特別限定，但如前所述，最好用光刻法來制造。以下對通過光刻法來制造處理基材的方法進行說明。該方法中的粗加工工序(例如涂膜的形成工序等)也可采用光刻法以外的方法，以下的說明并不限定為光刻法。通過光刻法進行制造的方法依次包括在基材表面形成含固化性組合物的涂膜的工序(以下稱為涂膜形成工序)；對該涂膜的表面的一部分照射光，使被光照射的部分的固化性組合物固化而形成斥水性固化膜的工序(以下稱為固化工序)；以及除去存在于基材的表面的未固化的固化性組合物的工序(以下稱為顯影工序)。用圖l對包含這些工序的制造方法的一例進行具體說明。圖l(a)所示為基材的l例。該基材(0)由基體(1)和在其一面形成的親水性薄膜(2)構(gòu)成。圖l(b)所示為經(jīng)涂膜形成工序在該基材的表面形成了所述固化性組合物的涂膜(3)。圖l(c)所示為固化工序。介以掩模(5)對所述固化性組合物的涂膜照射光(6)，從掩模(5)的透光部分透過的光使固化性組合物的涂膜固化。被光照射的涂膜部分固化形成為斥水性固化膜(4)，未被光照射的部分實質(zhì)上不固化。圖l(d)所示的是經(jīng)顯影工序而得的處理基材(9)。處理基材(9)的表面具備由斥水性固化膜的表面形成的斥水性區(qū)域(8)和基材表面的非斥水性區(qū)域(7)構(gòu)成的圖案。涂膜形成工序如前所述，使用固化性組合物的溶液，在基材表面上涂布該溶液形成該溶液的涂膜(濕潤膜)，然后除去溶劑形成固化性組合物的涂膜。作為在基材表面上涂布固化性組合物的溶液的方法，可采用旋涂法、浸涂法、環(huán)棒式涂布法(wire-barcoat)、刮刀涂布法、輥涂法等方法。涂布最好在室溫下或加熱下進行。此外，溶劑的除去最好通過溶劑的蒸發(fā)而實現(xiàn)(以下也稱為干燥)，最好在大氣中或在氮氣流中等進行。干燥最好在室溫下進行。在加熱下進行干燥時，最好根據(jù)基材的材質(zhì)的耐熱性來適當?shù)馗淖儨囟群蜁r間。固化工序中，對涂膜的表面的一部分照射光。用于光照射的光較好是波長200nm以上的光，更好是波長300nm以上的光，且較好是波長380nm以下的光，更好是波長365nm以下的光。波長200nm以上的光具備分解基材的可能性小的優(yōu)點。通過波長380nm以下的光照射來引發(fā)固化反應(yīng)的光固化促進化合物(C)易獲得，光源也便宜。照射時間可根據(jù)光的波長、光的強度，光源的種類、組合物的種類等適當改變。使用超高壓水銀燈時，可以2100mw/cn^照射5120秒。使用高壓水銀燈時，一般以比超高壓水銀燈更短的時間進行照射。作為光源，可例舉低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、鈉燈、氮等氣體激光器、有機色素溶液的液體激光器、無機單晶中含有稀土類離子的固體激光器等。此外，作為可獲得單色光的激光器以外的光源，也可使用特定波長的光，該特定波長的光是釆用帶通濾波器、截止濾波器等光學(xué)濾波器取出了寬頻帶的線光譜、連續(xù)光譜而獲得的光。由于可一次實現(xiàn)大面積照射，因此作為光源優(yōu)選高壓水銀燈或超高壓水銀燈。光的照射最好介以光掩模來照射光。通過該方法能夠僅在膜表面的所希望的區(qū)域引發(fā)固化反應(yīng)，可獲得由斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域形成了所要的圖案的處理基材。光照射的氣氛可任意地選擇。使膜厚lOOnm以下的固化性組合物固化而形成斥水性固化膜時，有時氧氣會影響到固化，因此最好在氮氣氣氛等惰性氣體氣氛下進行光照射。作為惰性氣體，可例舉選自氮、氬、氦、二氧化碳等的氣體，氮氣價廉易獲得，因此最佳。只要光照射所用的光是能透過基材的波長的光，則可以從基材的任意的面?zhèn)冗M行光照射，通常最好從基材的含組合物的膜的面?zhèn)冗M行光照射。介以光掩模用光或激光進行了光照射的情況下，可獲得斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域形成所要的圖案而得的處理基材。此外，可形成斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域的線寬為lOpm以下的圖案。本發(fā)明中，作為基材使用了塑料基板等柔性基板時，通過為了能夠?qū)嵤┏蓭喎?RolltoRoll)而設(shè)置的多個輥和在多個輥之間設(shè)置曝光機對基板進行光照射，可以高生產(chǎn)率獲得處理基材。顯影工序中，除去存在于基材表面的未固化的固化性組合物。通過除去未固化的固化性組合物，使基材表面露出。作為除去未固化的固化性組合物的方法，在所述化合物(A1)、所述化合物(A2)、所述化合物(B)等為低分子量的化合物時，優(yōu)選吹入氮氣流來除去的方法。這些化合物為高分子量的化合物時，由于不易蒸發(fā)，因此優(yōu)選用有機溶劑洗滌殘存有未固化的固化性組合物的表面的方法。作為用于洗滌的有機溶劑，優(yōu)選溶解未固化的固化性組合物的各成分的溶劑。作為該有機溶劑，可例舉甲醇、乙醇、異丙醇等醇類溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類溶劑，己垸等烴類溶劑等。〈形成有功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的構(gòu)件〉此外，本發(fā)明涉及形成有功能性處理的膜構(gòu)成的圖案的構(gòu)件(以下也稱為形成有功能膜的構(gòu)件)的制造方法。該制造方法的特征在于，包括向所述本發(fā)明的處理基材的表面供給含功能性材料的溶液，使該溶液附著于斥水性區(qū)域以外的表面的工序(以下稱為功能性膜形成工序1);以及從附著的該溶液除去溶劑，形成由功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的工序(以下稱為功能性膜形成工序2)。此外，在功能性膜形成工序2之后再加上除去斥水性固化膜的工序(以下稱為固化膜除去工序)，還可制得除去了所述斥水性固化膜的構(gòu)件。用圖2對包括以上工序的形成有功能膜的構(gòu)件的制造方法的一例進行具體說明。圖2(d)所示的是與圖1(d)相同的處理基材。處理基材(9)的表面具備由斥水性固化膜的表面形成的斥水性區(qū)域(8)和基材表面的非斥水性區(qū)域(7)構(gòu)成的圖案。圖2(e)所示為功能性膜形成工序l。由溶液供給裝置(10)向處理基材的表面供給含功能性材料的溶液(ll)，使溶液(ll)附著于斥水性區(qū)域以外(非斥水性區(qū)域(7))的表面。作為溶液供給裝置(IO)，可使用例如噴墨裝置等。即使溶液(ll)與斥水性區(qū)域(8)的表面接觸，由于斥水性區(qū)域表面的高斥水性(以及高斥油性)，該溶液也會被排斥，因此溶液(11)不會附著在斥水性區(qū)域(8)的表面。圖2(f)所示為經(jīng)過功能性膜形成工序1的基材。溶液(11)鋪滿非斥水性區(qū)域(7)的表面，不存在于斥水性區(qū)域(8)的表面。如圖所示，即使溶液(ll)高出斥水性固化膜的高度，也不會覆蓋斥水性區(qū)域(8)的表面。圖2(g)所不的是經(jīng)功能性膜形成工序2而得的開鄉(xiāng)成有功能膜的構(gòu)件(13)。從含功能性材料的溶液(ll)除去溶劑，由功能性材料的膜(12)和除此以外的部分形成圖案。圖2(h)所示的是由圖2(g)所示的形成有功能膜的構(gòu)件(13)經(jīng)固化膜除去工序而得的除去了斥水性區(qū)域(8)的斥水性固化膜的形成有功能膜的構(gòu)件(13)。作為功能性材料，可例舉形成金屬配線的分散有金屬粒子的漿料、形成濾色片的色素材料、形成電子器件，有機顯示器的陶瓷材料、有機半導(dǎo)體材料等。含功能性材料的溶液是指功能性材料溶解或分散于水、有機溶劑、它們的混合物等溶劑而得的液體或液狀體。本發(fā)明的處理基材的斥水性區(qū)域如前所述還顯現(xiàn)出斥油性時，作為所述有機溶劑，也可使用極性低的有機溶劑。對于有機溶劑無特別限定，可例舉甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類，正戊垸、正己烷、正庚烷、正辛烷、癸垸、十二烷、十四烷、十六垸、十八垸、環(huán)己烷、甲苯、二甲苯、四氫呋喃、十氫化萘等烴類，乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、四氫呋喃、二嚼垸等醚類化合物，碳酸異丙烯酯、Y-丁內(nèi)酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亞砜、環(huán)己酮等極性化合物。較好的是基于溶解性、分散性、它們的穩(wěn)定性的角度考慮從其中選擇合適的溶劑。這些有機溶劑可單獨使用也可作為2種以上的混合物使用。作為功能性膜形成工序1中的溶液涂布方法，可例舉旋涂法、浸涂法、環(huán)棒式涂布法、刮刀涂布法、輥涂法等涂布方法，絲網(wǎng)印刷、噴墨法等對于特定區(qū)域的印刷方法。其中，從能夠在由斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域形成的圖案上的非斥水性區(qū)域進行選擇性的涂布的角度考慮，優(yōu)選絲網(wǎng)印刷、噴墨法。與所述同樣，優(yōu)選通過溶劑的蒸發(fā)除去(也稱為干燥)進行功能性膜形成工序2中的溶劑的除去。干燥最好在大氣中或在氮氣流中等進行。此外，干燥最好在室溫或加熱下進行。在加熱下進行干燥時，最好根據(jù)基材的材質(zhì)的耐熱性來適當改變溫度和時間。除去了斥水性固化膜的形成有功能膜的構(gòu)件在電子元件等中有用。除去斥水性固化膜是因為將該構(gòu)件作為電子元件使用時斥水性固化膜可能會對元件的工作造成不良影響。在固化膜除去工序中，最好用堿性溶液對構(gòu)件進行洗滌以除去斥水性固化膜。也可將構(gòu)件浸入堿性溶液中進行洗滌。作為堿性溶液，可例舉堿金屬氫氧化物(氫氧化鈉、氫氧化鉀等)的水溶液或甲醇溶液、四甲基銨的氫氧化物的水溶液或甲醇溶液。堿金屬氫氧化物或四甲基銨的氫氧化物溶液的濃度較好為0.051.0mol/L。洗滌或浸漬時的溫度為1050°C,時間優(yōu)選為0.5分鐘1.0小時。另外，通過對構(gòu)件進行UV/03處理可除去斥水性固化膜。例如，較好的是使用PL7-200(森工程(七>工>、y'二7U>夕')公司制)作為UV/03發(fā)生裝置，對構(gòu)件照射13分鐘。進行斥水性固化膜的除去時，從易除去的角度考慮，斥水性固化膜的膜厚以薄為宜。如前所述，其膜厚較好為0.150nm，特好為0.110nm。實施例以下，例舉例子(例14、6(實施例)、例5(比較例))對本發(fā)明進行具體說明，但本發(fā)明并不限定于此。(溶液(l)的調(diào)制)在試樣瓶中裝入異丙醇(2.5g)。加入分子的兩末端具有三甲基甲硅垸基的甲基含氫硅油(KF-99，信越化學(xué)工業(yè)株式會社制，所述式(al)中的m=l以上的數(shù)、n=0、k=0、Wi二CH3的化合物，分子量1400，相當于化合物(A2))的10質(zhì)量X異丙醇溶液(0.1g)。然后，加入二季戊四醇六丙烯酸酯(相當于化合物(B))的異丙醇1質(zhì)量X溶液(0.2g)和作為光自由基聚合引發(fā)劑的IRGACURE907(汽巴嘉基(Ciba-geigy)公司制)的1質(zhì)量％異丙醇溶液(0.06g)。將試樣瓶振蕩數(shù)次使溶液混合，獲得固化性組合物的溶液。以下，將該溶液稱為溶液(l)。(溶液(2)的調(diào)制)在試樣瓶中裝入異丙醇(2.5g)。加入分子的兩末端具有三甲基甲硅烷基的甲基含氫硅油(KF-99，信越化學(xué)工業(yè)株式會社制，相當于化合物(A2))的10質(zhì)量X異丙醇溶液(0.1g)。然后，加入(CH^CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]n'Si(CH3)2(CI^CH2)(DMS-V21，蓋勒斯特(Gelest)公司帝U，分子量6000，相當于化合物(B))的異丙醇1質(zhì)量X溶液(0.2g)、雙(乙酰丙酮)鉑(II)(西格瑪奧德里奇(Sigma-Aldrich)公司制)的1質(zhì)量％四氫呋喃溶液(0.07g)。將試樣瓶振蕩數(shù)次使溶液混合，獲得固化性組合物的溶液。以下，將該溶液稱為溶液(2)。(溶液(3)的調(diào)制)在試樣瓶中裝入異丙醇(2.5g)。加入分子的兩末端具有三甲基甲硅烷基的甲基含氫硅油(KF-99,信越化學(xué)工業(yè)株式會社制，相當于化合物(A2))的10質(zhì)量X異丙醇溶液(0.1g)。然后，加入季戊四醇多縮水甘油醚(EX-411，長瀨精細化工(NagaseChemtex)株式會社制，相當于化合物(B))的異丙醇1質(zhì)量X溶液(0.2g)、作為光陽離子聚合引發(fā)劑的IRGACURE250(汽巴嘉基公司制)的1質(zhì)量^異丙醇溶液(0.06g)和作為增敏劑的DETX(日本化藥株式會社制)的1質(zhì)量X異丙醇溶液(0.03g)。將試樣瓶振蕩數(shù)次使溶液混合，獲得固化性組合物的溶液。以下，將該溶液稱為溶液(3)。(溶液(4)的調(diào)制)在具備攪拌器的1OOml三口燒瓶中加入HSi(OC2H5)3(3.2g)、CH2=C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3(東京化成工業(yè)株式會社制，0.16g)、CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3(TSL8257，GE東芝有機硅株式會社制，lg)和H(CH3)2SiOSi(CH3)2H(LS-7040,信越化學(xué)工業(yè)株式會社制，4.3g)。然后，加入己垸(28g)和異丙醇(12g)。在攪拌的同時滴加1.8g的1.28%鹽酸水溶液。滴加結(jié)束后再攪拌1小時。然后，除去溶劑，獲得液狀生成物(相當于化合物(Al))。將所得的液狀生成物溶于異丙醇，制得液狀生成物的10質(zhì)量％異丙醇溶液。除了在溶液(l)的調(diào)制中使用所述液狀生成物的10質(zhì)量％異丙醇溶液替代甲基含氫硅油的10質(zhì)量％異丙醇溶液以外，其它操作相同，獲得固化性組合物的溶液。以下，將該溶液稱為溶液(4)。(溶液(5)的調(diào)制)除了在溶液(l)的調(diào)制中使用二甲基硅油(KF-96-50cs，信越化學(xué)工業(yè)株式會社制，所述式(al)中的m=0、n=0、k二l以上的數(shù)、R^二CH3、CH3的化合物)替代分子的兩末端具有三甲基甲硅烷基的甲基含氫硅油以外，其它操作相同，獲得固化性組合物的溶液。以下，將該溶液稱為溶液(5)。處理基材1的制作(基板的洗滌)用乙醇洗滌5cm見方的硅晶片后，進行UV/03洗滌。(溶液的涂布)將制得的溶液(l)旋涂(3000rpm，20秒)于硅晶片。(光照射)從涂膜側(cè)介以具有開孔圖案(2.5cmX5cm)的光掩模在所得的涂膜的表面，以100mw/cn^照射來自超高壓水銀燈的紫外線(波長300450nm)，歷時30秒。(基材的洗滌)用異丙醇對基材進行漂洗后用乙醇漂洗，再通過氮氣流干燥，獲得處理基材1。處理基材2的制作在例1的處理基材的制作中，除了將溶液(1)改為溶液(2)并將光照射的條件改為以100mw/cn^照射60秒以外，其它操作相同，獲得處理基材2。[例3]處理基材3的制作在例1的處理基材的制作中，除了將溶液(1)改為溶液(3)并將光照射的條件改為以100mw/cr^照射60秒以外，其它操作相同，獲得處理基材3。[例4]處理基材4的制作在例1的處理基材的制作中，除了將溶液(1)改為溶液(4)以外，其它操作相同，獲得處理基材4。[例5]處理基材5的制作在例1的處理基材的制作中，除了將溶液(1)改為溶液(5)以外，其它操作相同，獲得處理基材5。對于例15中制得的處理基材進行如下評價。(膜厚的測定)利用原子力顯微鏡(atomicforcemicroscope,AFM)測定斥水性薄膜的膜厚。例1的處理基材的膜厚為8nm。(接觸角的測定)測定處理基材表面與水的接觸角。與水的接觸角如下測定通過靜滴法，按照JISR3257"基板玻璃表面的潤濕性試驗方法"，在基材上的測定表面的3處滴下水滴，對各水滴進行測定。液滴是2nL/滴，測定在20°C進行。接觸角以3個測定值的平均值(11=3)表示。與十六垸的接觸角通過同樣的方法測定。結(jié)果示于表1。確認例15中形成了具有親水性區(qū)域和斥水性區(qū)域的處理基材。(斥水性膜的除去)將通過以上工序獲得的處理基材在0.1mol/L的氫氧化鈉水溶液中浸漬1分鐘后用蒸餾水漂洗，于室溫用氮氣流干燥。測定干燥后的基材的表面與水的接觸角。結(jié)果示于表l。例14中確認可除去斥水性膜，但例5中無法除去斥水性膜。<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>[例6]形成有斥水親水圖案的處理基材的制作除了光照射時使用10umL/S的光掩模以外，其它操作與例1相同，獲得具有親水性區(qū)域和斥水性區(qū)域的圖案的處理基材。用SEM觀察基材表面。照片示于圖3(左)。確認形成有寬度10um的明暗圖案。此外，將處理基材在O.lmol/L的氫氧化鈉水溶液(25。C)中浸漬1分鐘后用蒸餾水漂洗，再于室溫用氮氣流干燥。用SEM觀察基材表面。照片示于圖3(左)，確認斥水性膜被除去，明暗圖案消失。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性利用本發(fā)明，無需大規(guī)模的設(shè)備、真空裝置及光源就可形成由斥水性區(qū)域和非斥水性區(qū)域構(gòu)成的微細的斥水一非斥水圖案。通過噴墨法向該圖案的表面噴射了含功能性材料的油墨時，含功能性材料的油墨僅保持在非斥水性區(qū)域，不保持在斥水性區(qū)域，因此可通過含功能性材料的油墨將基材圖案化。此外，本發(fā)明還可應(yīng)用于電子器件的電路形成。因此，本發(fā)明的形成有功能性膜的構(gòu)件適用于噴墨方式的液晶用濾色片、有機EL顯示器、半導(dǎo)體器件或電路中的配線圖案的制造等。此外，也可使具有斥水一非斥水圖案的處理基材的非斥水性區(qū)域中包含含功能性材料的油墨，將功能性材料轉(zhuǎn)印至其它基材。本發(fā)明的基材的表面具有斥水一非斥水圖案的處理基材也可用于醫(yī)藥領(lǐng)域。例如，制作具有毛細血管的血管部形成為非斥水性區(qū)域(特別是親水性區(qū)域)這樣的圖案的掩模，將毛細血管的圖案轉(zhuǎn)印至基材。在其上散布血管表皮細胞，細胞僅在非斥水性區(qū)域增殖，可再現(xiàn)毛細血管的圖案。此外，本發(fā)明的基材的表面具有斥水一非斥水圖案的處理基材還可利用存在于非斥水性區(qū)域(特別是親水性區(qū)域)的表面的羥基等的反應(yīng)性，在該非斥水性區(qū)域的表面使具有其它性質(zhì)的化合物反應(yīng)，形成具備斥水性和其它性質(zhì)的基材。這里引用2007年3月11日提出申請的日本專利申請2007—051623號的說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要的所有內(nèi)容作為本發(fā)明說明書的揭示。權(quán)利要求1.處理基材，它是在基材表面具有斥水性區(qū)域的圖案的處理基材，其特征在于，該斥水性區(qū)域由使固化性組合物固化而獲得的斥水性固化膜形成，該固化性組合物包含下述化合物(A1)或者下述化合物(A2)和下述化合物(B)，還包含根據(jù)需要任意使用的光固化促進化合物(C)，化合物(A1)具有與硅原子結(jié)合的氫原子和光固化性基團的聚有機硅氧烷，化合物(A2)具有與硅原子結(jié)合的氫原子但不具有光固化性基團的聚有機硅氧烷，化合物(B)具有光固化性基團的化合物。2.如權(quán)利要求1所述的處理基材，其特征在于，光固化性基團是丙烯酰基或甲基丙烯?；夤袒龠M化合物(c)是利用光產(chǎn)生自由基的自由基產(chǎn)生劑。3.如權(quán)利要求1所述的處理基材，其特征在于，光固化性基團為1,2-環(huán)氧基，光固化促進化合物(C)是利用光產(chǎn)生陽離子的陽離子產(chǎn)生劑。4.如權(quán)利要求1所述的處理基材，其特征在于，光固化性基團為乙烯基，光固化促進化合物(C)為鉑類催化劑。5.如權(quán)利要求14中任一項所述的處理基材，其特征在于，斥水性區(qū)域以外的基材表面與水的接觸角為50度以下，斥水性區(qū)域與水的接觸角為70度以上。6.如權(quán)利要求15中任一項所述的處理基材，其特征在于，斥水性固化膜的膜厚為0.1100nm。7.如權(quán)利要求16中任一項所述的處理基材，其特征在于，所述化合物(A1)或所述化合物(A2)中，與硅原子結(jié)合的氫原子的數(shù)目以每個硅原子的平均數(shù)計為0.11.0個。8.表面具備斥水性區(qū)域的圖案的處理基材的制造方法，其特征在于，通過依次包括下述工序的方法來制造表面具備由斥水性固化膜形成的斥水性區(qū)域的圖案的處理基材，所述工序分別是在基材表面形成含有下述固化性組合物的涂膜的工序，對該涂膜的表面的一部分照射光，使得被光照射的部分的固化性組合物固化而形成斥水性固化膜的工序，以及將存在于基材表面的未固化的固化性組合物除去的工序；固化性組合物是包含下述化合物(A1)或者下述化合物(A2)和下述化合物(B)、還包含根據(jù)需要任意使用的光固化促進化合物(C)的固化性組合物，化合物(A1):具有與硅原子結(jié)合的氫原子和光固化性基團的聚有機硅氧院，化合物(A2):具有與硅原子結(jié)合的氫原子但不具有光固化性基團的聚有機硅氧烷，化合物(B):具有光固化性基團的化合物。9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，照射具有200nm以上的波長的光。10.形成有功能性膜的構(gòu)件的制造方法，其特征在于，通過包括下述工序的方法在基材的表面形成功能性膜的圖案，所述工序分別是向權(quán)利要求17中任一項所述的處理基材的表面供給含有功能性材料和溶劑的溶液，使該溶液附著于處理基材表面的斥水性區(qū)域以外的區(qū)域的工序，以及從附著的該溶液除去溶劑，形成由功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的工序。11.形成有功能性膜的構(gòu)件的制造方法，其特征在于，通過包括下述工序的方法在基材的表面形成功能性膜的圖案，所述工序分別是向權(quán)利要求17中任一項所述的處理基材的表面供給含有功能性材料和溶劑的溶液，使該溶液附著于處理基材表面的斥水性區(qū)域以外的區(qū)域的工序，從附著的該溶液除去溶劑，形成由功能性材料的膜構(gòu)成的圖案的工序，以及除去斥水性固化膜的工序。12.如權(quán)利要求ll所述的形成有功能性膜的構(gòu)件的制造方法，其特征在于，通過用堿性溶液進行洗滌而除去斥水性固化膜。全文摘要本發(fā)明提供表面具備對比度高的斥水性區(qū)域的處理基材及其制造方法。所述基材是在基材表面具有斥水性區(qū)域的圖案的處理基材，其特征在于，該斥水性區(qū)域由使固化性組合物固化而獲得的斥水性固化膜形成，該固化性組合物包含具有與硅原子結(jié)合的氫原子和光固化性基團的聚有機硅氧烷(A1)或者具有與硅原子結(jié)合的氫原子但不具有光固化性基團的聚有機硅氧烷(A2)和具有光固化性基團的化合物(B)，還包含根據(jù)需要任意使用的光固化促進化合物(C)。文檔編號G03F7/075GK101622579SQ20088000653公開日2010年1月6日申請日期2008年2月28日優(yōu)先權(quán)日2007年3月1日發(fā)明者古川豐申請人:旭硝子株式會社