專利名稱:背光裝置、液晶顯示裝置以及照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及特別使用LED ( Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)
作為發(fā)光源的液晶顯示裝置的背光裝置、照明裝置。
背景技術(shù):
以往,在電視、車載導(dǎo)航裝置、儀表面板等中使用的液晶顯示 裝置的光源使用CCFL等熒光管。最近,正在開發(fā)亮度非常高的白 色LED,研究從CCFL到LED的替換。為了謀求高亮度化,白色LED 具備對從LED芯片發(fā)出的光進(jìn)行反射的面,通常在該面上形成銀 層,該銀層是通過對可見光的光反射率高達(dá)90%以上的銀進(jìn)行電鍍
或蒸鍍而形成的。
關(guān)于這種LED,專利文獻(xiàn)1公開了謀求LED芯片的密封樹脂的 高折射率化、并且抑制由生成硫化物引起的反射電極的反射率降低 的技術(shù)。另外,專利文獻(xiàn)2公開了在液晶顯示裝置等所使用的光學(xué) 片(例如棱鏡片)中考慮了對環(huán)境的影響的無鹵素化和高折射率化 兩全的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)l:日本國公開專利公報「特開2007-109915號公報(公 開日2007年4月26日)
專利文獻(xiàn)2:日本國公開專利公報「特開平11-349615號公報(公 開日1999年12月21日」
發(fā)明內(nèi)容
但是,上述專利文獻(xiàn)1的結(jié)構(gòu)能夠抑制單體使用LED芯片的情 況下的反射率降低,但是沒有考慮到例如使用上述LED芯片作為液 晶顯示裝置的背光單元光源的情況下的耐久性。
本申請的發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)即使在單體的LED芯片表現(xiàn)出足夠的 耐久性的情況下,在例如作為液晶模塊被裝入的情況下、即在作為 產(chǎn)品的使用形態(tài)下也會出現(xiàn)顯著的質(zhì)量劣化的情況。具體地說,在光源中搭載具有銀反射層的白色LED來制作液晶
背光裝置并評價其亮度變化的情況下,雖然會得到非常高的初始亮 度,但是在進(jìn)行可靠性試驗(yàn)后,觀察到特別是處于高溫環(huán)境下亮度 會顯著降低。銀反射層的面積越大這種亮度劣化就越顯著,在搭載
LED芯片的凹部的內(nèi)壁也涂覆有銀的情況下,在85'C以上的高溫環(huán) 境下1000hr之后其亮度降低到初始亮度的約40。/。左右。
通過嘗試解析亮度降低后的白色LED (LED封裝),發(fā)現(xiàn)銀發(fā) 生了黑化。使用EDX ( Energy Dispersive X-ray Fluorecense Spectorometer:能量分散型x射線熒光分析儀)對黑化的銀層進(jìn)行 元素分析,檢測出溴的信號。另外使用TOF-SIMS ( time of flight-secondary ion mass spectrometry: 飛行時間型二次離子質(zhì)譜 儀)檢測出AgBr2-的信號,査明不含有單獨(dú)的元素銀、溴而是含有 化合物的形態(tài)、即溴化銀(AgBr)。查明該溴的產(chǎn)生源是使從LED 封裝發(fā)出的光向規(guī)定的方向聚光的光學(xué)片(特別是棱鏡片丙烯酸 樹脂)。如專利文獻(xiàn)2所示,為了提高光學(xué)片的折射率,提高聚光作 用,作為構(gòu)成材料的丙烯酸樹脂中含有溴(除氟之外的鹵素)。
另外,進(jìn)一步進(jìn)行分析,推測液晶背光單元的亮度降低的機(jī)理 是由如下過程產(chǎn)生的。
(1) 在高溫環(huán)境下(例如85。C以上)由光學(xué)片產(chǎn)生溴氣。
(2) 溴氣附著在發(fā)出可見光的LED封裝的銀層上。通常,銀 層大多與LED芯片一同用樹脂密封,但是經(jīng)過長期使用,存在溴氣 滲透密封樹脂內(nèi)部到達(dá)銀面的例子,有時密封樹脂與凹部內(nèi)壁的界 面漸漸剝離,氣體進(jìn)入并到達(dá)銀面形成溴化銀(AgBr)。該溴化銀
(AgBr)吸收從LED芯片和熒光體發(fā)出的光,因此銀反射面的反射 率下降,液晶背光單元的亮度下降。
(3) 由于LED芯片和熒光體發(fā)出的光,溴化銀變黑。由于溴 化銀的變黑,從LED封裝發(fā)出的光的吸收量增加,作為銀反射面的 反射率進(jìn)一步降低,液晶背光裝置的亮度進(jìn)一步降低。
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的,其目的在于實(shí)現(xiàn)如下背光裝 置和照明裝置,其包含光源(例如LED)、光學(xué)部件作為構(gòu)成要素,該光源具有原料中含銀的光反射面,所述背光裝置和照明裝置能提 高亮度并且能抑制高溫下、長時間驅(qū)動時的亮度降低。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所涉及的背光裝置具備LED封裝和 光學(xué)部件,所述LED封裝具有LED芯片和原料中含銀的光反射面, 所述光學(xué)部件調(diào)整從上述LED封裝發(fā)出的光,所述背光裝置的特征 在于上述光學(xué)部件排出的鹵素少到不會在上述光反射面上生成鹵 化銀的程度。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),通過抑制上述光學(xué)部件排出的鹵素,可以防止 上述光反射面的銀與鹵素結(jié)合生成鹵化銀。在生成這種鹵化銀的情 況下,由于LED光的照射,鹵化銀會進(jìn)一步變黑,引起反射效率的 顯著降低,但是在可以防止生成鹵化銀的上述結(jié)構(gòu)中,可以防止這 種反射效率的降低。
圖l是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的圖,是表示背光裝置的主要結(jié) 構(gòu)的截面圖。
圖2是表示背光裝置的發(fā)光時間與亮度變化率之間的關(guān)系的圖。
圖3是表示用于背光裝置的LED封裝的結(jié)構(gòu)例的截面圖。 圖4是表示用于背光裝置的LED封裝的結(jié)構(gòu)例的截面圖。 圖5是表示用CCFL作為光源的背光裝置的結(jié)構(gòu)例的圖,(a)是 (b)的A-A截面圖,(b)是平面圖。
圖6是表示用LED作為光源的面狀光源型的背光裝置的結(jié)構(gòu)例
的圖,(a)是平面圖,(b)是(a)的A-A截面圖。
圖7是表示用于背光裝置的棱鏡片的結(jié)構(gòu)例的截面圖。 圖8是表示用直下型背光裝置作為光源的液晶電視的結(jié)構(gòu)例的
截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面,根據(jù)圖1 圖7說明本發(fā)明的一個實(shí)施方式。在本實(shí)施的方式1中,說明將本申請的發(fā)明應(yīng)用于液晶顯示裝置的背光裝置中 的例子。首先,參照圖l說明背光裝置的概要結(jié)構(gòu)。
圖1示出的背光裝置10在背光盒11中沿其一邊具備搭載有LED 芯片12A的LED光源(LED封裝)12,是將反射片13、導(dǎo)光板14、 擴(kuò)散片14、光學(xué)片(例如棱鏡片)16按該順序?qū)盈B配置在盒內(nèi)的構(gòu) 造。另外,在液晶顯示裝置中,在背光裝置10的前面?zhèn)?觀察者側(cè)) 配置有液晶面板20。
LED封裝12,例如在由FPC (Flexible Printed Circuit:柔性印 刷線路板)構(gòu)成的印刷電路基板12C上以規(guī)定間隔安裝有多個作為 點(diǎn)光源。另外,LED光源12具有銀反射層12B作為用于提高光利用 效率的反射面。該銀反射層12B是通過對用于向LED芯片12A供電 的電極表面鍍銀或?qū)ε渲糜蠰ED芯片12A的金屬封裝的內(nèi)壁面鍍銀 等而形成的。LED芯片12A和銀反射層12B由密封樹脂12D密封。密 封樹脂12D通常使用環(huán)氧樹脂或硅酮樹脂,但是在本發(fā)明中密封樹 脂12D沒有特別限定。但是,在使用450nm的發(fā)光峰值波長的LED 芯片的LED封裝中優(yōu)選使用對短波長光的樹脂劣化特性良好的硅 酮樹脂。
導(dǎo)光板14是對從LED光源12照射的光進(jìn)行導(dǎo)光而使其照射到 液晶面板20的背面?zhèn)鹊膯卧?。反射?3是對從導(dǎo)光板14的背面?zhèn)?(液晶面板的相反側(cè))射出的光進(jìn)行反射而使其返回到液晶面板側(cè) 的單元。為了提高反射效率,也可以使反射片13的反射面為銀層。
擴(kuò)散片14是使從導(dǎo)光板14射出的光擴(kuò)散并提高照射到液晶面 板20的光的面內(nèi)均勻性的單元。光學(xué)片16是對照射到液晶面板20 的光進(jìn)行聚光來提高正面亮度的單元。另外,如圖7所示,光學(xué)片 16是在聚酯基材上層疊丙烯酸樹脂的棱鏡層的結(jié)構(gòu)的棱鏡片,能夠 通過提高棱鏡層的折射率得到良好的聚光功能。
本發(fā)明的背光裝置的目的在于抑制銀反射層12B的經(jīng)時劣化, 特別是抑制銀與溴等鹵素結(jié)合生成鹵化銀引起的反射率的降低。因 此,是抑制從背光裝置具備的光學(xué)部件排出鹵素的結(jié)構(gòu)。
以往,最有可能排出鹵素的光學(xué)部件是棱鏡片,在本實(shí)施方式的背光裝置10中,使光學(xué)片(在此是棱鏡片)16不含有鹵素。
在此,在使用不含有鹵素的光學(xué)片的背光裝置中,進(jìn)行由經(jīng)時 變化引起的亮度降低的測量(參照圖2)。在25'C時測量的初始正面 亮度是303 (cd/m2)。在進(jìn)行了該背光裝置的高溫通電試驗(yàn)(85°C /60mA)時,IOOO小時的正面亮度變化率(=規(guī)定時間試驗(yàn)后的25 。C時測量的正面亮度/投入試驗(yàn)前25T:時測量的初始正面亮度)是 97.4%。另一方面,作為比較,在使棱鏡層含有25000ppm左右的溴 的情況下(初始特性相同),正面亮度變化率是43.7%。在進(jìn)行LED 封裝的分析后,目視確認(rèn)到銀層發(fā)生了黑化,進(jìn)而通過TOF-SIMS 測量確認(rèn)了溴化銀的存在。
艮卩,在本實(shí)施方式的背光裝置10中,使光學(xué)片16不含有鹵素, 由此可以防止銀反射層的黑化,其結(jié)果可以大幅抑制背光裝置的亮 度降低。
此外,在上述例子里,通過使棱鏡片的鹵素含有量為O,可以 抑制背光裝置的亮度降低,但是從根本來說有必要抑制棱鏡片以外 的光學(xué)部件的鹵素的排出。特別是溴等鹵素被廣泛用于提高透光部 件的折射率,因此存在導(dǎo)光板、擴(kuò)散片等透光部件含有鹵素的可能 性。因此,本發(fā)明有必要抑制用于背光裝置的光學(xué)部件以及部件之 間的粘接材料、粘接片等全部部件的鹵素的排出。
此外,在上述的例子中使棱鏡片不含有鹵素,這只不過是為了 防止銀反射層的黑化、抑制背光裝置的亮度降低的最簡易且最可靠 的方法之一?;旧希灰獊碜怨鈱W(xué)部件的鹵素氣體的排出量極其 微小,不使形成在LED封裝上的銀面產(chǎn)生鹵化銀,就能防止亮度降 低。
例如,可以考慮使作為棱鏡片的材質(zhì)的丙烯酸樹脂的分子結(jié)構(gòu) 內(nèi)含有溴(基)、不含有未引入分子結(jié)構(gòu)中的游離溴的結(jié)構(gòu)。對于 分子結(jié)構(gòu)內(nèi)含有的溴,由于溴的結(jié)合比較強(qiáng),難以通過熱而切斷, 很難排出溴。在這種結(jié)構(gòu)中,通過使棱鏡片中含有溴能夠容易地實(shí) 現(xiàn)高折射率化,提高聚光作用,并且可以抑制鹵素的排出。
或者,也可以是如下結(jié)構(gòu)適當(dāng)調(diào)整溴的添加量,調(diào)整為即使含有游離溴,溴氣的排出也較小,不會在LED封裝上所形成的銀面
上形成溴化銀的程度。
或者,也可以考慮將棱鏡片中含有的鹵素置換為除氟以外的其
它的鹵素、I (碘)、Cl (氯)來代替溴的結(jié)構(gòu)。這樣,原子折射率 R與折射率n的關(guān)系如以下公式(1)所示,在用原始折射率較高的 鹵素(例如I)置換的情況下,相對于鹵素含有量的折射率提高的 效果較大,棱鏡片的聚光效果得以增加,可以提高背光裝置的亮度。
n2= ( l+2R/V) / ( l-R/V)…(1)
V:每l摩爾的體積
并且,在本發(fā)明中,關(guān)于棱鏡片等光學(xué)部件中含有的鹵素量, 優(yōu)選至少溴和氯都是800ppm以下,溴和氯兩者合計也為1000ppm以 下。更優(yōu)選溴和氯兩者合計也為300ppm以下。此外,上述鹵素量 例如可以使用離子色譜法來測量。
另外,在上述例子中,通過防止或抑制從光學(xué)部件排出鹵素, 防止在銀反射面上生成鹵化銀,來抑制背光裝置的亮度降低。但是, 在此所謂防止鹵化銀的生成,也可以不是在所有條件下都能保證永 久效果的方式。而是意味著至少在背光裝置的保證使用時間和保證 使用溫度的范圍內(nèi)可以防止鹵化銀的產(chǎn)生。
然后,參照圖l、圖3和圖4來說明可以合適地應(yīng)用本申請發(fā)明 的LED封裝的結(jié)構(gòu)例。
圖1所示的LED封裝(即LED光源12)是在絕緣基板上粘附金 屬部而成的,金屬部在與基板的連接面相反的一側(cè)開口,是可以容 納LED芯片的凹部形狀。凹部形狀的內(nèi)壁鍍有銀。在絕緣基板上, 金屬構(gòu)成的搭載面和引線鍵合部隔離配置,隔離部被樹脂填充。
LED芯片的搭載面、引線鍵合部也被鍍銀。在LED芯片的搭載 面上,LED芯片的上部電極與引線鍵合部通過引線相連接。引線鍵 合部、搭載面通過絕緣基板內(nèi)的配線層與基板背面的陽極、陰極外 部電極部連接。
在凹部形狀的部分密封有含有熒光體的樹脂,使其覆蓋LED 芯片。密封樹脂使用對從LED芯片發(fā)出的440 460nm的藍(lán)色光發(fā)生黃變較小的耐光性良好的硅酮樹脂。
此外,上述鍍銀的面反射從LED芯片發(fā)出的峰值波長為 440 460nm的藍(lán)色光和被該藍(lán)色光激發(fā)而從熒光體發(fā)出的熒光光。 并且,藍(lán)色光和熒光光作為從金屬部開口發(fā)出的白色光射入液晶背 光裝置的導(dǎo)光板。
然后,圖3所示的LED封裝是LED芯片被搭載在引線架上、LED
芯片的周圍被反射光的白色樹脂包圍的例子。
圖3所示的LED封裝與圖1所示的LED封裝相比銀面積較少。構(gòu) 成與含溴25000ppm的棱鏡片組裝而成的背光裝置,進(jìn)行上述高溫 通電試驗(yàn),其結(jié)果是與圖1所示的LED封裝相比,圖3所示的LED 封裝的銀面積較少,因此正面亮度變化的影響變小,但是不為O, 因此考慮到長時間的影響,本發(fā)明的對策是必不可少的。
然后,圖4所示的LED封裝是在反射器內(nèi)部、開口表面施加銀 涂層的、銀電極較多的例子。在本例子中,反射器的開口表面也因 為銀涂層而使得光的反射率變高,對從擴(kuò)散片反射回的光也能再次 反射從而提高光的利用效率,可以謀求進(jìn)一步提高亮度。
在圖4的結(jié)構(gòu)中,在樹脂基板(以下記為基板)上形成有隔離 的配線圖案,將由具有貫通孔的絕緣樹脂構(gòu)成的反射器粘貼在形成 有隔離的配線圖案的基板面上。在貫通孔的部分開口的一方配線圖 案上搭載LED芯片,通過LED芯片的下部電極與該一方配線圖案電 連接,LED芯片的上部電極用引線與另一方配線圖案電連接。用含 有熒光體的樹脂密封貫通孔的部分,使其覆蓋LED芯片和引線。
在圖4的結(jié)構(gòu)中,能夠通過施加在反射器開口表面的銀涂層來 提高光的利用效率,但是該銀涂層沒有被密封樹脂密封,因此處于 比反射器內(nèi)部的銀涂層更容易劣化的狀態(tài)。因此優(yōu)選應(yīng)用抑制從光 學(xué)部件排出鹵素的本申請發(fā)明。
另外,在上述說明中,例示了使用LED作為光源的背光裝置, 但是可以在具有LED以外的光源和涂覆有銀的部件的背光裝置中 應(yīng)用本發(fā)明。
例如在圖5所示的背光裝置中,在反射膜上有導(dǎo)光板,在導(dǎo)光板橫方向的邊緣配置有由CCFL ( Cold Cathode Fluorescent Lamp:
冷陰極熒光管)構(gòu)成的光源。在導(dǎo)光板上設(shè)置有使從光源導(dǎo)入的光 在導(dǎo)光板面內(nèi)均勻擴(kuò)散并向上部發(fā)出的擴(kuò)散板。在擴(kuò)散板上具備向 上部方向聚光的透鏡片。為了使光無殘留地射入導(dǎo)光板,在光源的 周圍設(shè)置有燈反射器。為了反射光而在燈反射器和反射膜的內(nèi)壁涂 覆光反射率較高的銀。
在這種結(jié)構(gòu)中,在透鏡片含有鹵素(特別是溴)的情況下,涂 覆在燈反射器和反射膜的內(nèi)壁的銀有可能發(fā)生黑化。因此,與使用 上述LED光源的背光裝置同樣,需要能夠防止或抑制透鏡片的鹵素 排出的結(jié)構(gòu)。
另外,在圖5的結(jié)構(gòu)中,也可以是使用有機(jī)EL、無機(jī)EL來替代 CCFL作為光源的例子。
另外,圖6示出面狀光源型的背光裝置的結(jié)構(gòu)例。在圖6的結(jié)構(gòu) 中,在高散熱絕緣基板上列狀交替排列形成陽極、陰極配線圖案, 陽極、陰極配線圖案分別具有一端連接到陽極、陰極外部電極部的 圖案,在陰極配線圖案上搭載有LED芯片,通過LED芯片的下部電 極電連接到該陰極配線圖案,LED芯片的上部電極與陰極配線圖案 通過引線接線。對每個LED芯片將LED芯片和引線用含有熒光體的 樹脂密封為長方體形狀,形成各個白色LED。
在上述例子中,為了提高白色光的反射率,配線圖案使用了銀。 另外,為了使來自各個白色LED的光向上部方向聚光而取出該光, 還設(shè)置有透鏡蓋單元,其猶如在每個白色LED正上方配置透鏡。
在這種結(jié)構(gòu)中,在透鏡蓋單元中含有鹵素(特別是溴)的情況 下,配線圖案的銀有可能發(fā)生黑化。因此,與使用上述LED光源的 背光裝置同樣,需要能夠防止或抑制透鏡蓋單元排出鹵素的結(jié)構(gòu)。
然后,圖8示出將直下型背光裝置作為光源的液晶電視的實(shí)施例。
在本實(shí)施例中,是在向上表面方向發(fā)出光的多個LED封裝被收 容在BL盒中的直下型的背光裝置上,按順序?qū)盈B擴(kuò)散片(擴(kuò)散板)、 透鏡片、面板的構(gòu)造。BL盒的內(nèi)壁成為反射從LED封裝發(fā)出的光、來自擴(kuò)散片的反射光的銀反射面。此外,關(guān)于LED封裝,可以按頂
視圖配置使用在圖1的背光裝置的光源中使用的LED封裝,也可以 使用圖4所示的LED封裝。擴(kuò)散片、透鏡片、面板的作用與圖5的實(shí) 施例相同。為了防止BL盒的內(nèi)壁的銀反射面的黑化,該結(jié)構(gòu)也需 要可以防止或抑制鹵素排出的結(jié)構(gòu)。
另外,本發(fā)明的應(yīng)用并不限定于上述背光裝置,也可以應(yīng)用于 具有光源、光學(xué)部件以及涂覆有銀的部件的其它照明裝置中。在此 所說的光學(xué)部件基本上指的是透射性部件,通過采用可以防止或抑 制該光學(xué)部件的鹵素排出的結(jié)構(gòu),可以防止銀涂層的黑化,防止或 抑制反射率降低。
如上所述,本發(fā)明背光裝置具備具有LED芯片和原料中含有銀 的光反射面的LED封裝、調(diào)整從上述LED封裝發(fā)出的光的光學(xué)部 件,上述光學(xué)部件排出的鹵素少到不會在上述光反射面上生成鹵化 銀的程度。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),抑制從上述光學(xué)部件排出鹵素,由此可以防止 上述光反射面中由銀與鹵素結(jié)合生成鹵化銀。在生成這種鹵化銀的 情況下,來自LED的光的照射導(dǎo)致鹵化銀進(jìn)一步黑化,引起顯著的 光反射效率的降低,但是,在可以防止鹵化銀生成的上述結(jié)構(gòu)中, 可以防止這種反射效率的降低。
另外,上述背光裝置中,上述光學(xué)部件由樹脂制成,能夠?qū)崿F(xiàn) 除了構(gòu)成該光學(xué)部件的樹脂的分子鏈中所引入的鹵素之外不含鹵 素的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),包含在光學(xué)部件中的鹵素是樹脂的分子鏈中所 引入的鹵素,因此在高溫環(huán)境化等惡劣條件下鹵素的排出減少,可 以防止光反射面上的銀與鹵素結(jié)合而生成鹵化銀。
另外,在上述背光裝置中,上述鹵素可以是溴(Br)。
另外,在上述背光裝置中,前述光學(xué)部件可以是使從LED封裝 發(fā)出的光從背面入射、向前面聚光并發(fā)射的部件(例如棱鏡片)。
另外,在上述背光裝置中,前述光學(xué)部件可以由在聚酯基材上 層疊有丙烯酸樹脂的棱鏡層而構(gòu)成。另外,在上述背光裝置中,上述光反射面可以形成在LED芯片 的搭載面上。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),可以通過例如使LED芯片用電極為銀電極來得 到光反射面。
另外,在上述背光裝置中,LED芯片被搭載在形成于LED封裝 中的凹部內(nèi),上述反光面可以形成在搭載LED芯片的LED封裝的所 有凹部壁面上?;蛘撸谏鲜霰彻庋b置中,上述光反射面可以形成 在LED封裝的開口部周圍。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),可以增加光反射面的形成面積,提高光的利用 效率。另外,在光反射面的面積較大的背光裝置中,在該光反射面 發(fā)生黑化的情況下亮度降低也比較大,因此優(yōu)選應(yīng)用本發(fā)明。
另外,在上述背光裝置中,上述光反射面可以由密封樹脂密封。 另外,在上述背光裝置中,上述密封樹脂可以是硅酮樹脂。
權(quán)利要求
1.一種背光裝置,具備LED封裝和光學(xué)部件,所述LED封裝具有LED芯片和原料中含銀的光反射面,所述光學(xué)部件調(diào)整從上述LED封裝發(fā)出的光,所述背光裝置的特征在于上述光學(xué)部件排出的鹵素少到不會在上述光反射面上生成鹵化銀的程度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背光裝置,其特征在于 上述光學(xué)部件是樹脂制成的,除了構(gòu)成該光學(xué)部件的樹脂的分子鏈中所引入的鹵素之外不含有鹵素。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的背光裝置,其特征在于 上述鹵素為溴(Br)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背光裝置,其特征在于 前述光學(xué)部件是使從LED發(fā)出的光從背面入射、向前面聚光并發(fā)射的部件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光裝置,其特征在于-前述光學(xué)部件由在聚酯基材上層疊有丙烯酸樹脂的棱鏡層的構(gòu)造構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背光裝置,其特征在于 上述光反射面形成在LED芯片的搭載面上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背光裝置,其特征在于 LED芯片被搭載在形成于LED封裝中的凹部內(nèi), 上述光反射面形成在搭載LED芯片的LED封裝的全部凹部壁面上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背光裝置,其特征在于 上述光反射面形成在LED封裝的開口部周圍。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的背光裝置,其特征在于 上述光反射面由密封樹脂密封。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的背光裝置,其特征在于 上述密封樹脂是硅酮樹脂。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的背光裝置,其特征在于前述光學(xué)部件所含的鹵素量是至少溴和氯均在800ppm以下,溴和氯合計在1000ppm以下。
12. —種液晶顯示裝置,其特征在于具備上述權(quán)利要求1 11中的任一項(xiàng)所述的背光裝置。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置,其特征在于上述液晶顯示裝置被搭載在車載導(dǎo)航裝置、儀表面板、電視裝置中。
14. 一種背光裝置,具備光源、具有原料中含銀的光反射面的部件以及調(diào)整從上述光源發(fā)出的光的光學(xué)部件,該背光裝置的特征在于上述光學(xué)部件排出的鹵素少到不會在上述光反射面上生成鹵化銀的程度。
15. —種照明裝置,具備光源、具有原料中含銀的光反射面的部件以及調(diào)整從上述光源發(fā)出的光的光學(xué)部件,該照明裝置的特征在于上述光學(xué)部件排出的鹵素少到不會在上述光反射面上生成鹵化銀的程度。
全文摘要
背光裝置(10)包含具有LED芯片(12A)和銀反射層(12B)的LED封裝(12)、調(diào)整從LED封裝(12)發(fā)出的光的光學(xué)部件(例如棱鏡片(16))。調(diào)整光學(xué)部件(16)的鹵素含有量等,使得其排出的鹵素少到不會在銀反射層(12B)上生成鹵化銀的程度。
文檔編號G02F1/13GK101688657SQ20088001217
公開日2010年3月31日 申請日期2008年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月28日
發(fā)明者太田清久, 竹本理史, 高橋伸行, 鵜飼建一 申請人:夏普株式會社