專利名稱：有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)、和有源矩陣基板的 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)、和有源矩陣基板的制造方法，該有源矩陣基板在基板上形成有晶體管元件、像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置是具有高精細(xì)、薄型、輕量和耗電量低等優(yōu)點(diǎn)的平面顯示裝置。近年來，隨著顯示性能的提高、生產(chǎn)能力的提高以及相對其他顯示裝置的價(jià)格競爭力的提高，液晶顯示裝置的市場規(guī)模急速地?cái)U(kuò)大。
作為該液晶顯示裝置的驅(qū)動方式， 一般公知有源矩陣驅(qū)動方式。
通過有源矩陣驅(qū)動方式驅(qū)動的液晶顯示裝置，包括如圖17所示的有源矩陣基板100。有源矩陣基板100包括交叉配置的多個掃描信號線116和多個數(shù)據(jù)信號線115、在各信號線(115 116)的交點(diǎn)附近形成的TFT112 (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)、和像素電極117。 TFT112的源極電極119與數(shù)據(jù)信號線115連接，其漏極電極108通過漏極引出電極107與像素電極117連接。另外，掃描信號線116，兼用作TFT112的柵極電極。
在漏極引出電極107與像素電極117之間配置的絕緣膜開設(shè)有孔，由此形成連接漏極引出電極107與像素電極117的接觸孔110。像素電極117是ITO等的透明電極，使來自有源矩陣基板下的光(背光源光)透過。
在該有源矩陣基板100，通過發(fā)送至掃描信號線116的掃描信號(柵極導(dǎo)通電壓)，TFT112變成導(dǎo)通(源極電極119與漏極電極108為導(dǎo)通狀態(tài))狀態(tài)，在該狀態(tài)下，發(fā)送至數(shù)據(jù)信號線115的數(shù)據(jù)信號(信號電壓)經(jīng)由源極電極119、漏極電極108、和漏極引出電極107寫入 像素電極117。另外，保持電容(Cs)配線118具有防止在TFT112的 截止期間中的液晶層自放電等的功能。
在這樣的有源矩陣基板100的制造工藝中，存在由于異物或膜殘 留等導(dǎo)致在TFT112的源極電極119與漏極電極108之間發(fā)生短路(泄 漏)的情況。當(dāng)發(fā)生這樣的TFT不良時，便不能對像素電極117施加 正常的電壓(漏極電壓)。
這里，在例如垂直取向方式(VA (Vertical Alignment:垂直取向) 方式)的液晶顯示裝置的情況下，基本上，進(jìn)行無施加電壓時為黑顯 示、施加電壓時為白顯示的常黑顯示。在該情況下，當(dāng)發(fā)生上述那樣 的源極，漏極間的短路時，會變成總是在該像素施加電壓，由于產(chǎn)生 作為亮點(diǎn)的像素缺陷，缺陷變得明顯。
作為修復(fù)這樣的像素缺陷的修正工序，存在以下方法。即，如在 圖17中由XI表示的那樣，當(dāng)在TFT112中源極電極119與漏極電極 108之間發(fā)生短路時，首先，在例如由X2表示的部位，切斷漏極引出 電極107。由此，將像素電極117與TFT112電切斷。此外，在由X3 表示的部位，使保持電容配線118與漏極引出電極107熔融從而短路。 由此，將像素電極117與保持電容配線118電連接。
進(jìn)行以上修正工序時，對產(chǎn)生缺陷的像素的像素電極117施加與 保持電容配線118相同電位的電壓。因此，在常黑模式的顯示方式時， 能夠使該像素成為黑點(diǎn)，與亮點(diǎn)的情況相比，能夠使缺陷變得不明顯。
專利文獻(xiàn)1:日本國公開專利公報(bào)[特開2000-347217號公報(bào)(2000 年12月15日公開)]
專利文獻(xiàn)2:日本國公幵專利公報(bào)[特開2004-347891號公報(bào)(2004 年12月9日公開)]
專利文獻(xiàn)3:日本國公開專利公報(bào)[特開2000-284320號公報(bào)(2000 年10月13日公開)]
專利文獻(xiàn)4:國際公開號WO2006/064832 Al (2006年6月22日 公開)
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)上述現(xiàn)有的修正工序，通過使缺陷像素黑點(diǎn)化，與亮點(diǎn)相比， 使缺陷變得不明顯，但是隨著近來顯示畫面的大型化，各像素的大小 正在大型化，因此，即使是黑點(diǎn)，缺陷像素也能夠被視認(rèn)。即，利用 上述修正作為缺陷修正，已變得不充分。
本發(fā)明是為解決上述問題完成的。本發(fā)明的目的在于提供一種能 夠?qū)崿F(xiàn)不降低像素的開口率而使缺陷變得不明顯的修正的有源矩陣基 板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)、和有源 矩陣基板的制造方法。
為解決上述課題，本發(fā)明的有源矩陣基板，其在基板上形成有晶 體管元件、像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線， 其包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜與上述保持電容配線相對 配置而形成保持電容；和連接配線，其將上述保持電容電極與上述像 素電極連接，上述保持電容配線，形成有在與上述基板的面垂直的方 向上貫通該保持電容配線的開口部，對于1個保持電容配線，配置有2 個以上的上述保持電容電極，并且，上述開口部形成為包括與配置至 少2個上述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域。
在上述結(jié)構(gòu)中，首先，在保持電容配線形成有開口部。該開口部 形成為包括與配置至少2個保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域。通過這 樣的結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)行以下修正工序。首先，在保持電容配線的區(qū)域中， 通過進(jìn)行配線切斷處理，將被開口部和保持電容配線的相對延伸方向 的側(cè)面所包圍的區(qū)域、或者在設(shè)置有多個開口部的情況下被該開口部 彼此包圍的區(qū)域，從保持電容配線電分離，形成分離區(qū)域。此外，使 該分離區(qū)域與在該分離區(qū)域上存在的至少2個保持電容電極短路。進(jìn) 行這樣的修正工序時，能夠經(jīng)由分離區(qū)域，將被短路的保持電容電極 彼此電連接。
艮P，通過利用開口部，能夠容易地作成將保持電容配線的一部分 從保持電容配線本身分離的分離區(qū)域，能夠使用該分離區(qū)域作為修正 時利用的配線。因此，對于與1個保持電容電極連接的像素電極，發(fā) 生不能正常進(jìn)行電壓施加的缺陷等情況下，能夠不采用將該像素電極 與保持電容配線電連接的修正方法，而實(shí)現(xiàn)將該像素電極和與該像素 電極相鄰的像素電極電連接的修正方法。由此，能夠使缺陷像素的電位成為與正常的相鄰像素大致相同的電位，因此能夠進(jìn)行能使缺陷變 得不明顯的修正。
此外，用于實(shí)現(xiàn)上述修正的配線，通過使保持電容配線的一部分 電分離，能夠容易地形成，因此，不需要預(yù)先在基板上設(shè)置冗長配線 等的處理。因此，能夠提供一種有源矩陣基板，不降低像素開口率而 能夠?qū)崿F(xiàn)具有上述效果的修正方法。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板也可以構(gòu)成為，在上述結(jié)構(gòu)中，從 與上述基板垂直的方向觀看時，上述開口部形成為直線狀的狹縫形狀， 其長度方向與保持電容配線的延伸方向平行。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，開口部為直線狀的狹縫形狀，其長度方向與保持 電容配線的延伸方向平行，因此能夠?qū)⒂捎谠O(shè)置開口部導(dǎo)致的保持電 容配線的電阻值增大抑制得較低。因此，即使為了與大畫面的液晶顯 示裝置對應(yīng)而將保持電容配線增長、像素?cái)?shù)增多，也能夠抑制由于設(shè) 置開口部導(dǎo)致的保持電容配線的電阻值增大、和由此引起的信號延遲 等問題的發(fā)生。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板也可以構(gòu)成為，在上述結(jié)構(gòu)中，在
與配置至少2個上述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域，設(shè)置有1個上
述開口部。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在與配置至少2個上述保持電容電極的區(qū)域相對 的區(qū)域形成1個開口部，因此，能夠使應(yīng)當(dāng)形成的開口部的數(shù)量為必 要的最小限度，從而能夠使由于設(shè)置開口部導(dǎo)致的保持電容配線的電 阻值增大、和由此引起的信號延遲等問題的發(fā)生抑制在最小限度。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板，在上述的結(jié)構(gòu)中，形成上述開口 部的位置，在作為上述保持電容配線的相對延伸方向的2個側(cè)面的第 一側(cè)面和第二側(cè)面中，靠近第一側(cè)面，并且在包括與形成上述開口部 的區(qū)域相對的區(qū)域的位置形成的上述保持電容電極中，在從與形成上 述開口部的區(qū)域相對的區(qū)域至上述第二側(cè)面?zhèn)却嬖诘膮^(qū)域的面積，比 在從與形成上述開口部的區(qū)域相對的區(qū)域至上述第一側(cè)面?zhèn)却嬖诘膮^(qū) 域的面積大。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于形成開口部的位置靠近第一側(cè)面，因此在上 述修正工序中，通過切斷保持電容配線，使得開口部與第一側(cè)面連接，
9能夠縮短形成上述切斷區(qū)域所必須的切斷長度。
此外，在保持電容電極，在從與形成上述開口部的區(qū)域相對的區(qū) 域至第二側(cè)面?zhèn)却嬖诘膮^(qū)域的面積，比在從與形成開口部的區(qū)域相對 的區(qū)域至第一側(cè)面?zhèn)却嬖诘膮^(qū)域的面積大，因此，迸行上述修正工序 后，能夠使與保持電容配線相對的保持電容電極的面積，比與上述切 斷區(qū)域相對的保持電容電極的面積大。因此，能夠更加減小進(jìn)行上述 修正工序的前后的保持電容的變化，從而能夠更加減小修正工序后的 來自其他信號配線的影響。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板也可以構(gòu)成為，在上述的結(jié)構(gòu)中，在
與配置至少2個上述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域，設(shè)置有2個上 述開口部。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在與配置至少2個保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū) 域形成2個開口部，因此，在進(jìn)行上述修正工序時，通過切斷保持電 #1&線，使得這2個開Ph部彼此連接，能夠]f^b^Wffi^。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板可以構(gòu)成為，在上述的結(jié)構(gòu)中，在 包括與形成上述開口部的區(qū)域相對的區(qū)域的位置，在與上述保持電容 配線電連接的狀態(tài)下，設(shè)置有隔著絕緣膜與上述保持電容配線相對配 置的輔助電極。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在包括與形成開口部的區(qū)域相對的區(qū)域的位置， 設(shè)置有隔著絕緣膜與保持電容配線相對配置的輔助電極。該輔助電極 與保持電容配線電連接，因此，在正常時這樣的結(jié)構(gòu)不具有任何效果。 然而，如果在通過上述修正工序形成的切斷區(qū)域以外的部分，輔助電 極與保持電容配線電連接，則在修正工序后，能夠在切斷區(qū)域和輔助 電極之間形成保持電容。因此，能夠使在進(jìn)行上述修正工序前后的保 持電容的變化更加減小，從而能夠更加降低修正工序后的來自其他信 號配線的影響。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板的可以構(gòu)成為，在上述的結(jié)構(gòu)中， 通過多個像素電極構(gòu)成1個像素。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，對于某個像素電極發(fā)生不能正常進(jìn)行電壓施加的 缺陷時，基于構(gòu)成該像素電極所構(gòu)成像素的其他像素電極能夠進(jìn)行正 常的顯示，因此能夠在發(fā)生上述結(jié)果時降低對顯示狀態(tài)的影響。此外，本發(fā)明的有源矩陣基板可以構(gòu)成為，在上述的結(jié)構(gòu)中，配 置在與相同的上述開口部相對的區(qū)域的多個上述保持電容電極所分別 連接的像素電極是構(gòu)成同一個像素的像素電極。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行了上述修正工序的情況下，通過切斷區(qū)域 電連接的保持電容電極，成為與構(gòu)成同一個像素的像素電極連接的保 持電容電極。因此，能夠使進(jìn)行了修正工序的情況下的對像素的顯示 狀態(tài)的影響變得非常小。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板可以構(gòu)成為，在上述結(jié)構(gòu)中，配置 在與相同的上述開口部相對的區(qū)域的多個上述保持電容電極所分別連 接的像素電極是構(gòu)成相互相鄰的像素的像素電極。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行了上述修正工序的情況下，通過切斷區(qū)域 電連接的保持電容電極，成為與構(gòu)成相互相鄰的像素的像素電極連接 的保持電容電極。大多數(shù)情況下，相鄰的像素彼此應(yīng)當(dāng)顯示的圖像數(shù)
MTOi^^^^j^，因此能夠修正為幾乎不能視認(rèn)為缺陷的程 度。
此外，本發(fā)明的液晶面板能夠構(gòu)成為包括上述有源矩陣基板。 此外，本發(fā)明的液晶顯示單元能夠構(gòu)成為包括上述液晶面板及其 驅(qū)動器。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置能夠構(gòu)成為包括上述液晶顯示單元、 和照明裝置。
此外，本發(fā)明的電視接收機(jī)能夠構(gòu)成為包括上述液晶顯示裝置、 和接收電視廣播的調(diào)諧部。
此外，為解決上述課題，本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，制 造以下有源矩陣基板，該有源矩陣基板在基板上形成有晶體管元件、 像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線，該有源矩陣
基板包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜與上述保持電容配線相 對配置而形成保持電容；和連接配線，其將上述保持電容電極與上述 像素電極連接，上述保持電容配線，形成有在與上述基板的面垂直的 方向上貫通該保持電容配線的開口部，對于1個保持電容配線，配置
有2個以上的上述保持電容電極，并且，上述開口部形成為包括與配 置至少2個上述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域，上述有源矩陣基板的制造方法是包括以下步驟的方法在上述保持電容配線的區(qū)域中， 通過進(jìn)行配線切斷處理，將被上述開口部和上述保持電容配線的相對 延伸方向的側(cè)面所包圍的區(qū)域、或者被多個上述開口部彼此包圍的區(qū) 域，從上述保持電容配線電分離，形成分離區(qū)域的步驟；和使上述分 離區(qū)域與在該分離區(qū)域上存在的至少2個保持電容電極短路的步驟。
根據(jù)上述方法，能夠通過分離區(qū)域使被短路的保持電容電極彼此 電連接。因此，對于與1個保持電容電極連接的像素電極發(fā)生不能正 常進(jìn)行電壓施加的缺陷等的情況下，能夠不采用將該像素電極與保持 電容配線電連接的修正方法、而實(shí)現(xiàn)將該像素電極和與該像素電極相 鄰的像素電極電連接的修正方法。由此，能夠使缺陷像素的電位為與 正常的相鄰像素大致相同的電位，因此能夠進(jìn)行能使缺陷變得不明顯 的修正。
此外，本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法還可以具有以下步驟， 即，在上述力法屮，^Sffi!W將上述像素電極與上述齒體管元件電連 接的連接配線進(jìn)行配線切斷處理的步驟，其中，該像素電極已產(chǎn)生不 能正常進(jìn)行電壓施加的缺陷。
根據(jù)上述方法，將產(chǎn)生缺陷的像素電極、和與該像素電極連接的 晶體管元件電切斷。由此，在由晶體管元件的缺陷導(dǎo)致對像素電極的 電壓施加不能正常進(jìn)行的情況下，能夠防止從該晶體管元件對該像素 電極施加不需要的電壓。


圖1是表示本發(fā)明一個實(shí)施方式的有源矩陣基板的第一結(jié)構(gòu)例的 一部分的(透視)平面圖。
圖2是沿圖1的B-B線的截面圖。
圖3是表示形成有保持電容上部電極的區(qū)域及其附近的保持電容 配線的狀態(tài)的平面圖。
圖4是表示本發(fā)明一個實(shí)施方式的有源矩陣基板的第二結(jié)構(gòu)例的 一部分的(透視)平面圖。
圖5是表示形成有保持電容上部電極的區(qū)域及其附近的保持電容 配線的狀態(tài)的平面圖。圖6是表示本發(fā)明一個實(shí)施方式的有源矩陣基板的第三結(jié)構(gòu)例的
一部分的(透視)平面圖。
圖7是表示形成有保持電容上部電極的區(qū)域及其附近的保持電容 配線的狀態(tài)的平面圖。
圖8 (a)是表示進(jìn)行修正工序之前的保持電容配線和漏極引出配 線的狀態(tài)的一個例子的平面圖；(b)是表示進(jìn)行修正工序之后的保持 電容配線和漏極引出配線的狀態(tài)的一個例子的平面圖。
圖9 (a)是表示進(jìn)行修正工序之前的保持電容配線和漏極引出配 線的狀態(tài)的另一個例子的平面圖；(b)是表示進(jìn)行修正工序之后的保 持電容配線和漏極引出配線的狀態(tài)的另一個例子的平面圖。
圖10 (a)是表示進(jìn)行修正工序之前的保持電容配線和漏極引出配 線的狀態(tài)的再一個例子的平面圖；(b)是表示進(jìn)行修正工序之后的保 持電容配線和漏極引出配線的狀態(tài)的再一個例子的平面圖。
mrTaT^^ mM^1IMWM￥WS; (b)是表示輔
助電極及其周邊結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖12 (a)是表示進(jìn)行修正工序之前的保持電容配線和漏極引出配 線的狀態(tài)的又一個例子的平面圖；(b)是表示進(jìn)行修正工序之后的保 持電容配線和漏極引出配線的狀態(tài)的又一個例子的平面圖。
圖13 (a)是表示進(jìn)行修正工序之前的保持電容配線和漏極引出配 線的狀態(tài)的又一個例子的平面圖；(b)是表示進(jìn)行修正工序之后的保 持電容配線和漏極引出配線的狀態(tài)的又一個例子的平面圖；(c)是表 示進(jìn)行其他修正工序之后的保持電容配線和漏極引出配線的狀態(tài)的又 一個例子的平面圖。
圖14是表示電視接收機(jī)用的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。 圖15是表示調(diào)諧部與顯示裝置的連接關(guān)系的框圖。 圖16是表示當(dāng)顯示裝置為電視接收機(jī)時的機(jī)械結(jié)構(gòu)的一個例子的 分解立體圖。
圖17是表示現(xiàn)有的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)例的一部分的(透視)平 面圖。
符號說明
1 有源矩陣基板11 數(shù)據(jù)信號線
12 12A 12B 掃描信號線
13 保持電容配線
14 14A 14B TFT 15A，15B 柵極電極
16 16A 16B 漏極電極
17 17A 17B 17C 漏極引出配線 18A 18B 18C 保持電容上部電極 19A 19B 19C 接觸孔 21 21A.21B 源極電極
22 半導(dǎo)體層
23 層間絕緣膜
24 柵極絕緣膜
25 翻
26 輔助電極
27 接觸孔 31 像素電極 31A.31B 子像素電極 35A 35B 接觸孔
80 Y/C分離電路
81 視頻色度電路
82 A/D轉(zhuǎn)換器
83 液晶控制器
84 液晶面板
85 背光源驅(qū)動電路
86 背光源 78 微機(jī)
88 灰度等級電路
90 調(diào)諧部
800 顯示裝置
801 第一框體
14801a 開口部805 操作用電路806 第二框體 808 支承用部件具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的一個實(shí)施方式進(jìn)行說明如下。 (有源矩陣基板的第一結(jié)構(gòu)例)圖1是表示本實(shí)施方式的有源矩陣基板的第一結(jié)構(gòu)例的一部分的 (透視)平面圖。該圖所示的有源矩陣基板l，采用在1個像素包括2 個子像素電極31A*31B的像素分割(多像素驅(qū)動)方式。在使用本 有源矩陣基板1構(gòu)成液晶面板的情況下，通過子像素電極31A、形成 于彩色濾光片基板的對置電極(共用電極)、和兩電極間的液晶層形成 第一子像素電容，通過子像素電極31B、上述對置電極、和兩電極間 的液晶層形成第二子像素電容。另外，在本實(shí)施方式中，假定液晶層是包括具有負(fù)的介電各向異 性的向列型液晶材料的垂直取向型液晶層。即，在有源矩陣基板1的 液晶層一側(cè)的面、和在彩色濾光片基板的液晶層一側(cè)的面上，設(shè)置有 使液晶相對于基板面垂直地取向的取向膜。通過以上的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施 方式的液晶顯示裝置，能夠用作VA方式的液晶顯示裝置。S卩，液晶層 中的液晶，在不施加電壓的狀態(tài)下，以相對于基板面幾乎垂直的方式 取向。在該狀態(tài)下，射入液晶面板部的光的偏光面，在液晶層中幾乎 不被旋轉(zhuǎn)。另一方面，施加電壓時，液晶根據(jù)電壓值以與相對于基板 面垂直的方向成角度的狀態(tài)取向。在該狀態(tài)下，射入液晶面板部的光 的偏光面在液晶層中被旋轉(zhuǎn)。因此，通過將在液晶顯示裝置的光入射 側(cè)和光出射側(cè)配置的2個偏光板配置為，其偏光軸形成為相互正交尼 科爾的關(guān)系，實(shí)現(xiàn)在無施加電壓時為黑顯示、施加電壓時為白顯示的 常黑顯示。此外，通過子像素電極31A與子像素電極31B，形成多個 在施加電壓時液晶取向方向分別不同的區(qū)域。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)VA方式 的液晶顯示裝置，其在各像素內(nèi)設(shè)定多個區(qū)域，并且使各區(qū)域的液晶 取向方向分別不同。說明書第ll/28頁另外，本發(fā)明不限定為如上述那樣的垂直取向型液晶顯示裝置， 也能夠應(yīng)用于包括液晶層具有正的介電各向異性的向列型液晶材料的 扭曲取向型液晶顯示裝置。有源矩陣基板1包括相互平行配置的多個數(shù)據(jù)信號線11……、在 與該數(shù)據(jù)信號線11……正交的方向上相互平行配置的多個掃描信號線12A.......12B……、和在同樣與數(shù)據(jù)信號線11……正交的方向上相互平行配置的多個保持電容配線(CS配線)13……。在該圖所示的例子 中，數(shù)據(jù)信號線11……以在列方向(上下方向)上延伸的方式形成，掃描信號線12A.......12B……和保持電容配線13……以在行方向(左右方向)上延伸的方式形成。此外，1個像素通過被相鄰的2個數(shù)據(jù)信號線11 11、掃描信號 線12A、和掃描信號線12B所包圍的區(qū)域(像素區(qū)域)構(gòu)成，在該像 素區(qū)域內(nèi)，以相互組合的形狀形成有子像素電極31A和子像素電極 31B。此外，以通過像素區(qū)域內(nèi)的中心附近的方式設(shè)置有保持電容配線 13。 g卩，掃描信號線12A、保持電容配線13、和掃描信號線12B依次 相互平行地配置，在列方向上依次重復(fù)該組合。在數(shù)據(jù)信號線11與掃描信號線12A的交叉部附近設(shè)置有TFT14A， 在數(shù)據(jù)信號線11與掃描信號線12B的交叉部附近設(shè)置有TFT14B。 TFT14A包括柵極電極15A、漏極電極16A、和源極電極，TFT14B包 括柵極電極15B、漏極電極16B、和源極電極。柵極電極15A *15B通過從掃描信號線12A *12B引出的部分構(gòu)成， 源極電極通過數(shù)據(jù)信號線11的一部分構(gòu)成。從漏極電極16A 16B通 過像素區(qū)域內(nèi)形成有延伸至形成有保持電容配線13的區(qū)域的漏極引出 配線17A 17B。而且，漏極引出配線17A 17B與設(shè)置在與保持電容 配線13重疊的部分的保持電容上部電極18A 18B連接。在該保持電 容上部電極18A 18B與保持電容配線13之間形成保持電容。保持電容 上部電極18A 18B設(shè)置有接觸孔19A 19B，經(jīng)由接觸 孔19A，保持電容上部電極18A與子像素電極31A電連接，經(jīng)由接觸 孔19B，保持電容上部電極18B與子像素電極31B電連接。圖2是表示沿圖1的B-B線的截面圖。如該圖所示，有源矩陣基 板1，在具有透光性的基板25上首先形成有柵極電極15A和保持電容16配線13，在其上層形成有柵極絕緣膜24。在形成有柵極電極15A的區(qū) 域，在柵極絕緣膜24的上層形成有半導(dǎo)體層22，進(jìn)而，在其上層形成 有源極電極21和漏極電極16A。由此，形成TFT14A。數(shù)據(jù)信號線11 以與源極電極21電連接的狀態(tài)疊層在源極電極21上，漏極引出配線 17A以與漏極電極16A電連接的狀態(tài)疊層在漏極電極16A上。在形成有保持電容配線13的區(qū)域，在柵極絕緣膜24的上層形成 有保持電容上部電極18A。在該保持電容上部電極18A與保持電容配 線13之間，如上述那樣形成保持電容。而且，在數(shù)據(jù)信號線ll、 TFT14A、漏極引出配線17A、和保持電 容上部電極18A的上層形成有層間絕緣膜23，在層間絕緣膜23上形 成有子像素電極31A。此外，在保持電容上部電極18A上，以貫通層 間絕緣膜23的方式形成有將子像素電極31A和保持電容上部電極18A 電連接的接觸孔19A 。另外，雖然未圖示，但子像素電極31A被取向 膜覆蓋。此外，雖然未圖示，以與此相同的疊層結(jié)構(gòu)形成有柵極電極15B、 漏極電極16B、 TFT14B、漏極引出配線17B、保持電容上部電極18B、 子像素電極31B、和接觸孔19B。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，從數(shù)據(jù)信號線11向子像素電極31A和子像素電 極31B供給相同的信號電位，但是，利用施加于掃描信號線12A的柵 極信號、和施加于掃描信號線12B的柵極信號，使其導(dǎo)通(ON)時間 不同，由此，能夠使基于子像素電極31A的顯示狀態(tài)和基于子像素電 極31B的顯示狀態(tài)不同。S卩，能夠在1個像素形成2個相互不同的電 壓施加狀態(tài)的區(qū)域，因此能夠使中間灰度顯示的視野角特性良好。接著，對形成于保持電容配線13的狹縫SL進(jìn)行說明。圖3是表 示形成有保持電容上部電極18A*18B的區(qū)域及其附近的保持電容配 線13的狀態(tài)的平面圖。如該圖所示，在保持電容配線13，形成有以與 該保持電容配線13的延伸方向平行的方向?yàn)殚L度方向的狹縫SL。狹縫SL在保持電容配線13的厚度方向(疊層方向、與基板垂直 的方向)上形成為貫通該保持電容配線13的開口形狀。此外，在從與 基板垂直的方向觀看時，狹縫SL的開口形狀為長方形，其長度方向與 保持電容配線13的延伸方向平行。另外，在從與基板垂直的方向觀看時，狹縫SL的開口形狀不限于長方形，長方形的角部也可以是斜向缺
損的形狀、或帶圓弧的形狀。
此外，狹縫SL被設(shè)置為，從與基板垂直的方向觀看時，包括以下 兩個區(qū)域，即，形成有保持電容上部電極18A和漏極引出配線17A中 的至少一個的區(qū)域、和形成有保持電容上部電極18B和漏極引出配線 17B中的至少一個的區(qū)域。
(第一結(jié)構(gòu)例的像素修正方法)
在以上結(jié)構(gòu)中，假定由于異物或膜殘留等而在TFT14A的源極電 極與漏極電極16A之間發(fā)生短路(泄漏)的情況。當(dāng)發(fā)生這樣的TFT 不良時，會變得無論柵極脈沖信號的施加狀態(tài)怎樣、總是將施加于數(shù) 據(jù)信號線11的電壓施加于子像素電極31A，在液晶顯示裝置中，表現(xiàn) 為像素缺陷。以下，對發(fā)生這種缺陷時的修正方法進(jìn)行說明。
作為修正工序，可以列舉以下3個工序。進(jìn)行這3個工序的順序 沒有特別限定，可以按照任意順序進(jìn)行。
第一工序是為了阻斷發(fā)生短路的漏極電極16A與子像素電極31A 的導(dǎo)通而切斷漏極引出配線17A的一部分的工序。在圖3所示的例子 中，切斷由漏極引出配線17A的CP2表示的位置。另外，當(dāng)漏極引出 配線17A的切斷位置是阻斷漏極電極16A與子像素電極31A的導(dǎo)通的 位置時，其可以是任意位置。即，可以切斷從漏極電極16A至形成有 接觸孔19A的位置之間的任意位置。
上述電極的切斷(破壞分離)通過從有源矩陣基板1的表面照射 激光而進(jìn)行。所使用的激光并無特別限定，例如能夠使用YAG (釔鋁 石榴石)激光，作為使用的波長，能夠列舉YAG激光的第四諧波(波 長266nm)等。
第二工序是在保持電容配線13的區(qū)域中，將被狹縫SL和保持電 容配線13的相對于延伸方向的側(cè)面所包圍的區(qū)域從保持電容配線13 電分離的工序。在圖3所示的例子中，切斷由作為狹縫SL的長度方向 的兩端部與保持電容配線13的側(cè)面之間的區(qū)域的CP1所表示的區(qū)域。 由此，能夠形成為將保持電容配線13的區(qū)域的一部分從保持電容配線 13電分離的分離區(qū)域。另外，對保持電容配線13進(jìn)行切斷，使得在通 過切斷保持電容配線13而生成的分離區(qū)域上，存在形成有保持電容上部電極18A和漏極引出配線17A中的至少任一個的區(qū)域、和形成有保 持電容上部電極18B和漏極引出配線17B中的至少任一個的區(qū)域即可。 在圖3所示的例子中，在分離區(qū)域上存在漏極引出配線17A的一部分 和漏極引出配線17B的一部分。該保持電容配線13的切斷，也能夠與 上述同樣，通過激光切斷實(shí)現(xiàn)。
第三工序是使在第二工序中形成或預(yù)定形成的分離區(qū)域、與在該 分離區(qū)域上存在的保持電容上部電極18A和漏極引出配線17A中的至 少任一個、以及保持電容上部電極18B和漏極引出配線17B中的至少 任一個發(fā)生短路的工序。在圖3所示的例子中，在漏極引出配線17A 與分離區(qū)域重疊的區(qū)域MP1、和在漏極引出配線17B與分離區(qū)域重疊 的區(qū)域MP1，進(jìn)行短路處理。
上述電極的短路處理通過從有源矩陣基板1的表面照射激光而進(jìn) 行。所使用的激光并無特別限定，但是能夠使用例如YAG激光，作為 使用的波長，能夠列舉YAG激光的第二諧波(波長532nm)等。
通過進(jìn)行以上修正工序，形成如以下的像素的導(dǎo)電狀態(tài)。首先， 通過第一工序，將發(fā)生短路缺陷的漏極電極16A與子像素電極31A電 切斷。由此，解除總是將施加于數(shù)據(jù)信號線ll的電壓施加給子像素電 極31A的狀態(tài)。
此外，通過第二工序形成分離區(qū)域，通過第三工序，將漏極引出 配線17A與漏極引出配線17B經(jīng)由分離區(qū)域電連接。由此，將與從正 常工作的TFT14B經(jīng)由漏極引出配線17B施加在子像素電極31B的電 壓大致相同的電壓，經(jīng)由分離區(qū)域和漏極引出配線17A施加給子像素 電極31A。
這里，如上述那樣，在正常狀態(tài)下，在子像素電極31A與子像素 電極31B，被供給相同的信號電位并且柵極信號的導(dǎo)通(ON)時間不 同，從而使基于子像素電極31A的顯示狀態(tài)與基于子像素電極3 IB的 顯示狀態(tài)不同。與此相對，在進(jìn)行上述的修正工序后，在子像素電極 31A與子像素電極31B，被供給相同的信號電位，并且柵極信號的導(dǎo) 通時間也相同，兩者成為完全相同的顯示狀態(tài)。即，修正工序后不能 在1個像素形成2個相互不同的電壓施加狀態(tài)的區(qū)域，但是在該像素 中與應(yīng)當(dāng)顯示的圖像數(shù)據(jù)對應(yīng)的顯示，也可以在修正后的子像素電極31A進(jìn)行。因此，能夠修正為幾乎不能視認(rèn)為缺陷的程度。 (有源矩陣基板的第二結(jié)構(gòu)例)
圖4是表示本實(shí)施方式的有源矩陣基板的第二結(jié)構(gòu)例的一部分的 (透視)平面圖。作為第二結(jié)構(gòu)例的有源矩陣基板l，與第一結(jié)構(gòu)例同 樣，是在1個像素包括2個子像素電極31A 31B的像素分割方式。 在使用本有源矩陣基板1構(gòu)成液晶面板的情況下，通過子像素電極 31A、形成于彩色濾光片基板的對置電極(共用電極)、和兩電極間的 液晶層形成第一子像素電容，通過子像素電極31B、上述對置電極、 和兩電極間的液晶層形成第二子像素電容。
有源矩陣基板1包括相互平行配置的多個數(shù)據(jù)信號線11……、 在與該數(shù)據(jù)信號線11……正交的方向上相互平行配置的多個掃描信號 線12……、和在同樣與數(shù)據(jù)信號線11……正交的方向上相互平行配置 的多個保持電容配線(CS配線)13……。在該圖所示的例子中，數(shù)據(jù) 信號線11……以在列方向(上下方向)上延伸的方式形成，掃描信號 線12……和保持電容配線13……以在行方向(左右方向)上延伸的方 式形成。
此外，1個像素通過被相鄰的2個數(shù)據(jù)信號線11 11、相鄰的2 個保持電容配線13 13所包圍的區(qū)域(像素區(qū)域)構(gòu)成，在該像素區(qū) 域內(nèi)，在上下方向上排列地形成有子像素電極31A和子像素電極31B。 此外，以通過像素區(qū)域內(nèi)的中心附近的方式設(shè)置有掃描信號線12。
在數(shù)據(jù)信號線11和掃描信號線12的交叉部附近設(shè)置有 TFT14A ，14B。TFT14A包括柵極電極、漏極電極16A和源極電極21A， TFT14B包括柵極電極、漏極電極16B和源極電極21B。
柵極電極通過掃描信號線12的一部分構(gòu)成，源極電極21A 21B 通過從數(shù)據(jù)信號線11引出的部分構(gòu)成。
從漏極電極16A形成有延伸至形成有子像素電極31A的區(qū)域的漏 極引出配線17A。而且，在漏極引出配線17A，設(shè)置有接觸孔19A， 經(jīng)由接觸孔19A，漏極引出配線17A與子像素電極31A電連接。同樣， 從漏極電極16B形成有延伸至形成有子像素電極31B的區(qū)域的漏極引 出配線17B。而且，在漏極引出配線17B，設(shè)置有接觸孔19B，經(jīng)由接 觸孔19B，漏極引出配線17B與子像素電極31B電連接。此外，在形成有保持電容配線13的區(qū)域的上層，形成有保持電容 上部電極18A ，18B。保持電容上部電極18A延伸至形成有子像素電極 31A的區(qū)域，在該區(qū)域設(shè)置有接觸孔35A。經(jīng)由該接觸孔35A，保持 電容上部電極18A與子像素電極31A電連接。同樣，保持電容上部電 極18B延伸至形成有子像素電極31B的區(qū)域，在該區(qū)域設(shè)置有接觸孔 35B，經(jīng)由該接觸孔35B，保持電容上部電極18B與子像素電極31B 電連接。
本結(jié)構(gòu)例2中的有源矩陣基板1，基本上與圖2所示的截面結(jié)構(gòu)相 同。不同的部分在于，在結(jié)構(gòu)例1中，漏極引出配線17A與保持電容 上部電極18A直接電連接，但是，在本結(jié)構(gòu)例2中，漏極引出配線17A 與保持電容上部電極18A經(jīng)由接觸孔19A、子像素電極31A和接觸孔 35A電連接。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，從數(shù)據(jù)信號線11向子像素電極31A和子像素電極 31B供給相同的信號電位，另一方面，通過使施加于保持電容配線13 的CS信號與柵極信號的導(dǎo)通定時同步變化，能夠使基于子像素電極 31A的顯示狀態(tài)和基于子像素電極31B的顯示狀態(tài)不同。S卩，在包括 本有源矩陣基板1的液晶顯示裝置中，能夠在1個像素形成2個相互 不同的電壓施加狀態(tài)的區(qū)域，因此能夠使中間灰度顯示的視野角特性 良好。
接著，對形成于保持電容配線13的狹縫SL進(jìn)行說明。圖5是表 示形成有保持電容上部電極18A*18B的區(qū)域及其附近的保持電容配 線13的狀態(tài)的平面圖。如該圖所示，在保持電容配線13，形成有以與 該保持電容配線13的延伸方向平行的方向?yàn)殚L度方向的狹縫SL。
狹縫SL在保持電容配線13的厚度方向(疊層方向、垂直于基板 的方向)上形成貫通該保持電容配線13的開口形狀。此外，在從與基 板垂直的方向觀看時，狹縫SL的開口形狀為長方形，其長度方向與保 持電容配線13的延伸方向平行。另外，在從與基板垂直的方向觀看時， 狹縫SL的開口形狀并不限定為長方形，長方形的角部也可以是斜向缺 損的形狀、或帶圓弧的形狀。
此外，從與基板垂直的方向觀看，狹縫SL設(shè)置為，跨越形成有保 持電容上部電極18A的區(qū)域和形成有保持電容上部電極18B的區(qū)域這
21兩方。
(第二結(jié)構(gòu)例的像素修正方法)
在以上結(jié)構(gòu)中，假定由于異物或膜殘留等導(dǎo)致在TFT14A的源極 電極21A與漏極電極16A之間發(fā)生短路(泄漏)的情況。當(dāng)發(fā)生這樣 的TFT不良時，會變成無論柵極脈沖信號的施加狀態(tài)怎樣、總是將施 加于數(shù)據(jù)信號線11的電壓施加給子像素電極31A，在液晶顯示裝置中， 表現(xiàn)為像素缺陷。以下，對發(fā)生這種缺陷時的修正方法進(jìn)行說明。
作為修正工序，可以列舉以下3個工序。進(jìn)行這3個工序的順序 沒有特別限定，可以按照任意順序進(jìn)行。
第一工序，是為了阻斷發(fā)生短路的漏極電極16A與子像素電極31A 的導(dǎo)通而切斷漏極引出配線17A的一部分的工序。在圖4所示的例子 中，切斷由漏極引出配線17A的CP2表示的位置。另夕卜，只要漏極引 出配線17A的切斷位置是阻斷漏極電極16A與子像素電極31A的導(dǎo)通 的位置，其可以是任意位置。即，可以切斷從漏極電極16A到與形成 有接觸孔19A的位置之間的任意位置。與上述同樣，上述電極的切斷 (破壞分離)通過照射激光而進(jìn)行。
第二工序是在保持電容配線13的區(qū)域中，將被狹縫SL和保持電 容配線13的相對于延伸方向的側(cè)面所包圍的區(qū)域從保持電容配線13 電分離的工序。在圖5所示的例子中，切斷由作為狹縫SL的長度方向 的兩端部與保持電容配線13的側(cè)面之間的區(qū)域的CP1所表示的區(qū)域。 由此，能夠形成為將保持電容配線13的區(qū)域的一部分從保持電容配線 13電分離的分離區(qū)域。另外，對保持電容配線13進(jìn)行切斷，使得在通 過切斷保持電容配線13而生成的分離區(qū)域上，存在形成有保持電容上 部電極18A的區(qū)域、和形成有保持電容上部電極18B的區(qū)域即可。該 保持電容配線13的切斷，與上述同樣，也通過激光切斷實(shí)現(xiàn)。
第三工序是使在第二工序中形成或預(yù)定形成的分離區(qū)域、與在該
路的工序。在圖5所示的例子^，在保持電容上部電極口18A與分離區(qū) 域重疊的區(qū)域MP1、和保持電容上部電極18B與分離區(qū)域重疊的區(qū)域 MP1，進(jìn)行短路處理。上述的電極的短路處理，與上述同樣，通過從 有源矩陣基板1的表面照射激光而進(jìn)行。通過進(jìn)行以上修正工序，形成如以下的像素的導(dǎo)電狀態(tài)。首先，
通過第一工序，將發(fā)生短路缺陷的漏極電極16A與子像素電極31A電切斷。由此，解除總是將施加于數(shù)據(jù)信號線11的電壓施加給子像素電極31A的狀態(tài)。
此外，通過第二工序形成分離區(qū)域，通過第三工序?qū)⒈３蛛娙萆喜侩姌O18A與保持電容上部電極18B經(jīng)由分離區(qū)域電連接。由此，與從正常工作的TFT14B經(jīng)由漏極引出配線17B施加給子像素電極31B的電壓大致相同的電壓，經(jīng)由分離區(qū)域和保持電容上部電極18A，被施加給子像素電極31A。
這里，應(yīng)當(dāng)注意的是，施加于修正工序后的子像素電極31A的電壓，在正常狀態(tài)下，為施加于與該子像素電極31A所屬的像素相鄰的像素的子像素電極31B的電壓。因此，作為修正工序后的顯示狀態(tài)，由于與修正對象像素相鄰的像素(相鄰像素)的一個子像素電極的面積成為大致2倍，該相鄰像素的面積成為大致1.5倍，而另一方面，由于消除修正對象像素的一個子像素電極，該修正對象像素的面積變成大致0.5倍。然而，通常相鄰的像素彼此的應(yīng)該顯示的圖像數(shù)據(jù)的值不會有較大差異，因此，能夠修正為幾乎不能視認(rèn)為缺陷的程度。(有源矩陣基板的第三結(jié)構(gòu)例)
圖6是表示本實(shí)施方式的有源矩陣基板的第三結(jié)構(gòu)例的一部分的(透視)平面圖。作為第三結(jié)構(gòu)例的有源矩陣基板1，不是在1個像素包括1個像素電極31的像素分割方式。在使用本有源矩陣基板1構(gòu)成液晶面板的情況下，通過像素電極31、形成于彩色濾光片基板的對置電極(共用電極)、和兩電極間的液晶層形成像素電容。
有源矩陣基板1包括相互平行配置的多個數(shù)據(jù)信號線11……、在與該數(shù)據(jù)信號線11……正交的方向上相互平行配置的多個掃描信號線12……、和在同樣與數(shù)據(jù)信號線11……正交的方向上相互平行配置的多個保持電容配線(CS配線)13……。在該圖所示的例子中，數(shù)據(jù)信號線11……以在列方向(上下方向)上延伸的方式形成，掃描信號線12……和保持電容配線13……以在行方向(左右方向)上延伸的方式形成。
此外，1個像素通過被相鄰的2個數(shù)據(jù)信號線11 11、和相鄰的2 23個掃描信號線12 12所包圍的區(qū)域(像素區(qū)域)構(gòu)成，在該像素區(qū)域內(nèi)，形成有像素電極31。此外，以通過像素區(qū)域內(nèi)的中心附近的方式設(shè)置有保持電容配線13。
在數(shù)據(jù)信號線11與掃描信號線12的交叉部附近設(shè)置有TFT14。TFT14包括柵極電極、漏極電極16、和源極電極。
柵極電極通過掃描信號線12的一部分構(gòu)成，源極電極通過數(shù)據(jù)信號線11的一部分構(gòu)成。
從漏極電極16形成有通過像素區(qū)域內(nèi)延伸至形成有保持電容配線13的區(qū)域的漏極引出配線17。該漏極引出配線17在中途分成2個，形成漏極引出配線17A. 17B。而且，漏極引出配線17A" 17B與在與保持電容配線13重疊的部分設(shè)置的保持電容上部電極18A *18B連接。在該保持電容上部電極18A 18B與保持電容配線13之間形成保持電容。
保持電容上部電極18A 18B設(shè)置有接觸孔19A 19B，經(jīng)由接觸孔19A，保持電容上部電極18A與像素電極31電連接，經(jīng)由接觸孔19B，保持電容上部電極18B與像素電極31電連接。本結(jié)構(gòu)例3中的有源矩陣基板l，基本上與圖2所示的截面結(jié)構(gòu)相同。
另外，構(gòu)成為與保持電容上部電極18A連接的像素電極31、和與保持電容上部電極18B連接的像素電極31電分離。其目的在于，基本上，在漏極引出配線17A和17B中的任一個發(fā)生缺陷的情況、或在保持電容上部電極18A和18B中的任一個發(fā)生缺陷等情況下，通過使僅與發(fā)生缺陷的部位連接的像素電極31的部分顯示不良，而防止像素區(qū)域整體顯示不良。
接著，對形成于保持電容配線13的狹縫SL進(jìn)行說明。圖7是表示形成有保持電容上部電極18A 18B的區(qū)域及其附近的保持電容配線13的狀態(tài)的平面圖。如該圖所示，在保持電容配線13，形成有以與該保持電容配線13的延伸方向平行的方向?yàn)殚L度方向的狹縫SL。
狹縫SL在保持電容配線13的厚度方向(疊層方向、垂直于基板的方向)上形成為貫通該保持電容配線13的開口形狀。此外，從與基板垂直的方向觀看時，狹縫SL的開口形狀為長方形，其長度方向與保持電容配線13的延伸方向平行。另外，從與基板垂直的方向觀看時，狹縫SL的開口形狀不限于長方形，長方形的角部也可以是斜向缺損的
形狀、或帶圓弧的形狀。
此外，從與基板垂直的方向觀看，狹縫SL設(shè)置為，跨越形成有漏極引出配線17A的區(qū)域與形成有漏極引出配線17B的區(qū)域這兩方。(第三結(jié)構(gòu)例的像素修正方法)
在以上結(jié)構(gòu)中，假定由于異物或膜形成不良等導(dǎo)致在漏極引出配線17A發(fā)生斷線的情況。當(dāng)發(fā)生這樣的斷線時，會導(dǎo)致不能對與該漏極引出配線17A導(dǎo)通的像素電極31的部分施加電壓，因此，在液晶顯示裝置中，表現(xiàn)為像素缺陷。以下，對發(fā)生這種缺陷時的修正方法進(jìn)行說明。
作為修正工序，可以列舉以下2個工序。進(jìn)行這2個工序的順序沒有特別限定，可以按照任何順序進(jìn)行。
第一工序，是在保持電容配線13的區(qū)域中將被狹縫SL和保持電容配線13的相對于延伸方向的側(cè)面所包圍的區(qū)域從保持電容配線13電分離的工序。在圖7所示的例子中，切斷由作為狹縫SL的長度方向的兩端部與保持電容配線13的側(cè)面之間的區(qū)域的CP1所表示的2個區(qū)域。由此，能夠形成將保持電容配線13的區(qū)域的一部分從保持電容配線13電分離的分離區(qū)域。另外，對保持電容配線13進(jìn)行切斷，使得在通過切斷保持電容配線13而生成的分離區(qū)域上存在形成有漏極引出配線17A的區(qū)域、和形成有漏極引出配線17B的區(qū)域即可。與上述同樣，該保持電容配線13的切斷，通過激光切斷而實(shí)現(xiàn)。
第二工序是使在第一工序中形成或預(yù)定形成的分離區(qū)域、與在該分離區(qū)域上存在的漏極引出配線17A和漏極引出配線17B短路的工序。在圖7所示的例子中，在漏極引出配線17A與分離區(qū)域重疊的區(qū)域MP1、和在漏極引出配線17B與分離區(qū)域重疊的區(qū)域MP1，進(jìn)行短路處理。上述的電極短路處理，與上述同樣，通過從有源矩陣基板1的表面照射激光而進(jìn)行。
進(jìn)行以上的修正工序，通過第一工序形成分離區(qū)域，通過第二工序使漏極引出配線17A與漏極引出配線17B經(jīng)由分離區(qū)域電連接。由此，將電壓從漏極引出配線17B經(jīng)由分離區(qū)域施加給保持電容上部電極18A。因此，能夠使顯示狀態(tài)與正常狀態(tài)大致相同。(基于修正工序的保持電容的變化)
接著，對進(jìn)行修正工序前后的保持電容的變化進(jìn)行說明。圖8 (a) 表示進(jìn)行修正工序前的保持電容配線13和漏極引出配線17A 17B的 狀態(tài)的一個例子。
另外，在上述結(jié)構(gòu)例中，將漏極引出配線17A.17B與保持電容 上部電極18A，18B作為不同的部件考慮，并對在保持電容上部電極 18A 18B與保持電容配線13之間形成保持電容的情況進(jìn)行說明。然 而，實(shí)際上，漏極引出配線17A'17B與保持電容上部電極18A。8B 連續(xù)地形成，而且，保持電容，在重疊于保持電容配線13的區(qū)域存在 的漏極引出配線17A 17B和保持電容上部電極18A 18B、與保持電 容配線13之間形成。因此，在以后的說明中，無需區(qū)分漏極引出配線 17A '17B與保持電容上部電極18A *18B,作為漏極引出配線17A '17B 進(jìn)行說明。
在圖8 (a)所示的狀態(tài)中，在施以陰影的區(qū)域即保持電容配線13 與漏極引出配線17A*17B重疊的區(qū)域形成保持電容。其后，通過進(jìn) 行修正工序，成為圖8 (b)所示的狀態(tài)。g卩，在漏極引出配線17B的 CP2的位置，進(jìn)行配線的切斷處理，在保持電容配線13的CP1的位置， 進(jìn)行配線的切斷處理，并在作為切斷區(qū)域與漏極引出配線17A 17B 重疊的區(qū)域的2個MP1的位置，進(jìn)行配線的短路處理。
在進(jìn)行該修正工序后的狀態(tài)下，作為形成有保持電容的區(qū)域，形 成漏極引出配線17A與除切斷區(qū)域外的保持電容配線13重疊的區(qū)域。 因此，在修正工序前后， 發(fā)生較大變化。
這里，將1個像素的所有電容的和設(shè)定為像素總電容Cpixd時， 能夠表示為Cpixel=Clc+Ccs+Cgd+Csd+ 。另外，Clc相當(dāng)于液晶電
容，Ccs相當(dāng)于上述保持電容，Cgd相當(dāng)于漏極連接配線-掃描信號線 間的寄生電容，Csd相當(dāng)于漏極連接配線-數(shù)據(jù)信號線間的寄生電容。
將上述的Clc、 Ccs、 Cgd、 Csd 中的任一個對于1個像素的負(fù)
載設(shè)定為負(fù)載X時，能夠?qū)⒛池?fù)載X的影響表示為X/Cpixd。這里， 基于保持寫入像素中的信號電壓的目的，將Ccs的相對像素總電容的 占有比率設(shè)定得較高。因此，當(dāng)Ccs在修正工序后減少時，基于負(fù)載X 的變動(例如Cgd、 Csd時，由ITO的對準(zhǔn)偏差導(dǎo)致的變動)導(dǎo)致的對顯示品質(zhì)的影響增大。此外，當(dāng)Ccs減少時，顯然寫入像素中的信號 電壓的保持能力下降，對顯示狀態(tài)產(chǎn)生影響。因此，優(yōu)選修正工序前 后的保持電容的變化小。
為了減小修正工序前后的保持電容的變化，可以使在與分離區(qū)域 重疊的位置存在的漏極引出配線17A*17B的面積較小，并且在與分 離區(qū)域外的保持電容配線13重疊的位置存在的漏極引出配線17A 17B 的面積較大。例如，使在與分離區(qū)域外的保持電容配線13重疊的位置 存在的漏極引出配線17A*17B的面積，比在與分離區(qū)域重疊的位置 存在的漏極引出配線17A*17B的面積大時，能夠使修正工序前后的 保持電容的變化不到50%。
在圖9 (a)所示的例子中，與圖8 (a)所示的例子相比，對于漏 極引出配線17B，增加在與分離區(qū)域外的保持電容配線13重疊的位置 存在的面積。在該情況下進(jìn)行修正工序，則形成圖9 (b)所示的狀態(tài)， 與圖8 (b)所示的狀態(tài)相比，能夠減小修正工序前后的保持電容的變
此外，作為減小修正工序前后的保持電容的變化量的結(jié)構(gòu)，可以 列舉圖10 (a)所示的結(jié)構(gòu)。在該圖所示的例子中，在與保持電容配線 13重疊的位置，形成有輔助電極26。圖11 (a)是表示形成有該輔助 電極26的區(qū)域附近的放大平面圖，圖11 (b)表示圖11 (a)的沿A-A 線的截面圖。如這些圖所示，作為疊層結(jié)構(gòu)，在保持電容配線13上形 成柵極絕緣膜24，在其上層疊層輔助電極26。而且，保持電容配線13 與輔助電極26，經(jīng)由由在接觸孔27形成的ITO等構(gòu)成的導(dǎo)電材料膜 電連接。
此外，輔助電極26跨越與分離區(qū)域重疊的區(qū)域和與分離區(qū)域外的 保持電容配線13重疊的區(qū)域而形成。而且，接觸孔27設(shè)置在分離區(qū) 域外的保持電容配線13上。
通過進(jìn)行修正工序，從圖10的(a)所示的狀態(tài)變成圖10 (b)所 示的狀態(tài)。即，在漏極引出配線17B的CP2的位置，進(jìn)行配線的切斷 處理，在保持電容配線13的CP1的位置，進(jìn)行配線的切斷處理，并且 在作為切斷區(qū)域與漏極引出配線17A* 17B重疊的區(qū)域的2個MP1的 位置，進(jìn)行配線的短路處理。在進(jìn)行該修正工序后的狀態(tài)下，作為形成有保持電容的區(qū)域，除
了漏極引出配線17A與切斷區(qū)域外的保持電容配線13重疊的區(qū)域之 外，還為切斷區(qū)域與輔助電極26重疊的區(qū)域。即，切斷區(qū)域變成從漏 極引出配線17A施加的電位，而另一方面，輔助電極26變成保持電容 配線13的電位，因此在兩者重疊的區(qū)域形成保持電容。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，通過修正工序，雖然由漏極引出配線17A，17B 形成的保持電容減小，但是又新形成由輔助電極26形成的保持電容， 因此能夠使修正工序前后的保持電容的變化量減小。 (狹縫的結(jié)構(gòu)例的變形)
接著，對形成于保持電容配線13的狹縫SL的變形進(jìn)行說明。在 上述的例子中，狹縫SL，在其長度方向與保持電容配線13的延伸方 向平行的狀態(tài)下，形成有1個。與此相對，如圖12 (a)所示，也可以 是在保持電容配線13形成2個狹縫SL的結(jié)構(gòu)。
在該情況下，2個狹縫SL，均在其長度方向與保持電容配線13的 延伸方向平行的狀態(tài)下形成，并且，從一個狹縫SL觀看時，以在與長 度方向垂直的方向上存在有另一個狹縫的位置關(guān)系形成。而且，設(shè)定 被這2個狹縫SL包圍的區(qū)域作為切斷區(qū)域。
在圖12(a)所示的例子中，在被2個狹縫SL包圍的切斷區(qū)域內(nèi)， 形成有漏極引出配線17A 17B的端部和輔助電極26的端部。在這種 狀態(tài)下，當(dāng)在TFT14B發(fā)生源極-漏極間的短路缺陷時，進(jìn)行以下的修 正工序，變成圖12 (b)所示的狀態(tài)。B卩，在漏極引出配線17B的CP2 的位置，進(jìn)行配線的切斷處理，在保持電容配線13的CP1的位置，進(jìn) 行配線的切斷處理，并且在作為切斷區(qū)域與漏極引出配線17A*17B 重疊的區(qū)域的2個MP1的位置，進(jìn)行配線的短路處理。
這樣，切斷區(qū)域，可以通過1個狹縫SL與保持電容配線13的側(cè) 面之間的區(qū)域形成，也可以通過被2個狹縫SL夾著的區(qū)域形成。不管 為哪一個結(jié)構(gòu)，作為修正工序后的顯示性能，是等同的。 (第一結(jié)構(gòu)例與第二結(jié)構(gòu)例的組合)
接著，對將上述的第一結(jié)構(gòu)例與第二結(jié)構(gòu)例組合而成的結(jié)構(gòu)例進(jìn) 行說明。在第一結(jié)構(gòu)例中，在1個像素內(nèi)設(shè)置2個子像素區(qū)域，在各 子像素區(qū)域?yàn)椴煌娘@示狀態(tài)，在第二結(jié)構(gòu)例中，在1個像素內(nèi)設(shè)定2個顯示狀態(tài)相同的像素區(qū)域。通過組合這些，在1個像素內(nèi)設(shè)定3個 像素區(qū)域，使2個像素區(qū)域?yàn)轱@示狀態(tài)相同的第一子像素區(qū)域，使該2 個像素區(qū)域與余下的1個像素區(qū)域(第二子像素區(qū)域)為不同顯示狀 態(tài)的結(jié)構(gòu)。在圖13 (a)中表示實(shí)現(xiàn)上述的結(jié)構(gòu)。
圖13 (a)是表示形成有保持電容上部電極18A 18B 18C的區(qū) 域及其附近的保持電容配線13的狀態(tài)的平面圖。如該圖所示，在保持 電容配線13，形成有以與該保持電容配線13的延伸方向平行的方向?yàn)?長度方向的狹縫SL。此外，從與基板垂直的方向觀看，狹縫SL被設(shè) 置為，跨越整個形成有保持電容上部電極18A 18B 18C的區(qū)域。
漏極引出配線17在中途分成2個，形成漏極引出配線17AM7B。 而且，漏極引出配線17A* 17B，與在重疊于保持電容配線13的部分 設(shè)置的保持電容上部電極ISA* 18B連接。在該保持電容上部電極 18A 18B與保持電容配線13之間，形成對于第一子像素區(qū)域的保持 電容。
在保持電容上部電極18A 18B，設(shè)置有接觸孔19A 19B。經(jīng)由 接觸孔19A，保持電容上部電極18A與形成第一子像素區(qū)域的一個像 素電極電連接，經(jīng)由接觸孔19B，保持電容上部電極18B與同樣形成 第一子像素區(qū)域的另一個像素電極電連接。
此外，漏極引出配線17C，與在重疊于保持電容配線13的部分設(shè) 置的保持電容上部電極18C連接。在該保持電容上部電極18C與保持 電容配線13之間，形成對于第二子像素區(qū)域的保持電容。
在保持電容上部電極18C，設(shè)置有接觸孔19C。經(jīng)由接觸孔19C， 保持電容上部電極18C與形成第二子像素區(qū)域的像素電極電連接。
另外，與保持電容上部電極18A連接的像素電極、和與保持電容 上部電極18B連接的像素電極，與第三結(jié)構(gòu)例所示的同樣，為電分離 的結(jié)構(gòu)。
在以上結(jié)構(gòu)中，假定由于異物 膜形成不良等導(dǎo)致在漏極引出配 線17A發(fā)生斷線的情況。當(dāng)這樣的斷線發(fā)生時，會導(dǎo)致不能對與該漏 極引出配線17A導(dǎo)通的像素電極部分施加電壓，因此，在液晶顯示裝 置中表現(xiàn)為像素缺陷。以下，對產(chǎn)生這種缺陷時的修正方法進(jìn)行說明。
作為修正工序，可以列舉以下2個工序。進(jìn)行這2個工序的順序
29沒有特別限定，可以按照任意順序進(jìn)行。
第一工序，是在保持電容配線13的區(qū)域中，將被狹縫SL和保持 電容配線13的相對于延伸方向的側(cè)面所包圍的區(qū)域從保持電容配線 13電分離的工序。在圖13 (b)所示的例子中，切斷由作為在狹縫SL 的長度方向的兩端部與保持電容配線13的側(cè)面之間的區(qū)域的CP1所表 示的2個區(qū)域。由此，能夠形成將保持電容配線13的區(qū)域的一部分從 保持電容配線13電分離的分離區(qū)域。另外，進(jìn)行保持電容配線13的 切斷，使得在切斷保持電容配線13而生成的分離區(qū)域上，形成有保持 電容上部電極18A. 18B 18C的區(qū)域全部存在。該保持電容配線13 的切斷，與上述同樣，通過激光切斷實(shí)現(xiàn)。
第二工序，是使在第一工序中形成或預(yù)定形成的分離區(qū)域、與在 分離區(qū)域上存在的保持電容上部電極18A和保持電容上部電極18B短 路的工序。在圖13 (b)所示的例子中，在保持電容上部電極18A與 分離區(qū)域重疊的區(qū)域MP1、和保持電容上部電極18B與分離區(qū)域重疊 的區(qū)域MP1，進(jìn)行短路處理。上述電極的短路處理，與上述同樣，通 過從有源矩陣基板1的表面照射激光而進(jìn)行。
進(jìn)行以上的修正工序，通過第一工序形成分離區(qū)域，通過第二工 序?qū)⒈３蛛娙萆喜侩姌O18A和保持電容上部電極18B經(jīng)由分離區(qū)域電 連接。由此，將電壓從漏極引出配線17B經(jīng)由分離區(qū)域施加給保持電 容上部電極18A。因此，能使顯示狀態(tài)與正常的狀態(tài)大致相同。
此外，可以列舉圖13 (c)所示的方法作為另一個修正方法。作為 該修正工序，可以列舉以下2個工序。進(jìn)行這2個工序的順序沒有特 別限定，可以按照任何順序進(jìn)行。
第一工序，與上述同樣，是形成分離區(qū)域的工序，進(jìn)行保持電容 配線13的切斷，使得在通過切斷保持電容配線13而生成的分離區(qū)域 上，只存在形成有保持電容上部電極18A和保持電容上部電極18C的 區(qū)域，不存在形成有保持電容上部電極18B的區(qū)域。該保持電容配線 13的切斷，與上述同樣，通過激光切斷實(shí)現(xiàn)。
第二工序，是使在第一工序中形成或預(yù)定形成的分離區(qū)域、與在 該分離區(qū)域上存在的保持電容上部電極18A和保持電容上部電極18C 短路的工序。在圖13 (c)所示的例子中，在保持電容上部電極18A與分離區(qū)域重疊的區(qū)域MP1、和保持電容上部電極18C與分離區(qū)域重 疊的區(qū)域MP1，進(jìn)行短路處理。上述電極的短路處理，與上述同樣， 通過從有源矩陣基板1的表面照射激光而進(jìn)行。
進(jìn)行以上的修正工序，通過第一工序形成分離區(qū)域，通過第二工 序?qū)⒈３蛛娙萆喜侩姌O18A和保持電容上部電極18C經(jīng)由分離區(qū)域電 連接。由此，將電壓從漏極引出配線17C經(jīng)由分離區(qū)域施加給保持電 容上部電極18A。
這里，如上述那樣，在正常的狀態(tài)下，在第一子像素區(qū)域與第二 子像素區(qū)域，被供給相同的信號電位，并且，柵極信號的導(dǎo)通時間不 同，從而使顯示狀態(tài)不同。與此相對，在進(jìn)行上述的修正工序后，在 第一子像素區(qū)域與第二子像素區(qū)域，被供給相同的信號電位，并且， 柵極信號的導(dǎo)通時間也變成相同，兩者成為完全相同的顯示狀態(tài)。艮P， 在修正工序后，雖然不能在1個像素形成2個相互不同的電壓施加狀 態(tài)的區(qū)域，但是與在該像素中應(yīng)該顯示的圖像數(shù)據(jù)對應(yīng)的顯示，在修 正后的第二子像素區(qū)域也進(jìn)行。因此，能夠修正為幾乎不能視認(rèn)為缺 陷的程度。
(電視接收機(jī)的結(jié)構(gòu))
接著，對電視接收機(jī)使用本發(fā)明的液晶顯示裝置的例子進(jìn)行說明。 圖14是表示該電視接收機(jī)用的顯示裝置800的結(jié)構(gòu)的框圖。該顯示裝 置800包括Y/C分離電路80、視頻色度電路81、 A/D轉(zhuǎn)換器82、液 晶控制器83、液晶面板84、背光源驅(qū)動電路85、背光源86、微機(jī)(微 型計(jì)算機(jī))78、和灰度等級電路88。另外，上述液晶面板84與本發(fā)明 的液晶顯示裝置對應(yīng)，包括由有源矩陣型的像素陣列構(gòu)成的顯示部、 用于驅(qū)動該顯示部的源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器。
在上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置800中，首先，作為電視信號的復(fù)合彩色 視頻信號Scv從外部輸入Y/C分離電路80，在此分離為亮度信號和色 信號。這些亮度信號和色信號通過視頻色度電路81變換成與光的三原 色對應(yīng)的模擬RGB信號，進(jìn)而該模擬RGB信號通過A/D轉(zhuǎn)換器82 變換為數(shù)字RGB信號。該數(shù)字RGB信號被輸入到液晶控制器83。此 外，在Y/C分離電路80，從由外部輸入的復(fù)合彩色視頻信號Scv中取 出水平和垂直同步信號，這些同步信號也經(jīng)由微機(jī)78輸入液晶控制器83。
液晶控制器83基于來自A/D轉(zhuǎn)換器82的數(shù)字RGB信號(相當(dāng)于 上述的數(shù)字視頻信號Dv)輸出驅(qū)動器用數(shù)字信號。此外，液晶控制器 83，基于上述同步信號生成用于使液晶面板84內(nèi)的源極驅(qū)動器和柵極 驅(qū)動器與上述實(shí)施方式同樣地動作的定時控制信號，并將這些定時控 制信號提供給源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器。此外，在灰度等級電路88， 生成彩色顯示的三原色R、 G、 B各自的灰度等級電壓，這些灰度等級 電壓也被提供給液晶面板84。
在液晶面板84，基于這些驅(qū)動器用數(shù)據(jù)信號、定時控制信號、和 灰度等級電壓，通過內(nèi)部的源極驅(qū)動器、柵極驅(qū)動器等，生成驅(qū)動用 信號(數(shù)據(jù)信號、掃描信號等)，并基于這些驅(qū)動用信號，在內(nèi)部的顯 示部顯示彩色圖像。另外，為了通過該液晶面板84顯示圖像，需要從 液晶面板84的后方照射光。在該顯示裝置800中，在微機(jī)78的控制 下，通過背光源驅(qū)動電路85驅(qū)動背光源86，將光照射在液晶面板84 的背面。
微機(jī)78進(jìn)行包括上述處理的系統(tǒng)整體的控制。另外，作為從外部 輸入的視頻信號(復(fù)合彩色視頻信號)，不僅使用基于電視廣播的視頻 信號、還能夠使用由攝像機(jī)攝像的視頻信號、通過英特網(wǎng)線路供給的 視頻信號等，在該顯示裝置800中，能夠顯示基于各種視頻信號的圖 像。
在上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置800顯示基于電視廣播的圖像時，如圖15 所示，調(diào)諧部90與該顯示裝置800連接。該調(diào)諧部卯，從利用天線(未 圖示)接收的接收波(高頻信號)中抽取應(yīng)當(dāng)接收的信道的信號，變 換成中頻信號，通過對該中波信號進(jìn)行檢波，取出作為電視信號的復(fù) 合彩色視頻信號Scv。該復(fù)合彩色視頻信號Scv，如已述那樣，被輸入 顯示裝置800，通過該顯示裝置800顯示基于該復(fù)合彩色視頻信號Scv 的圖像。
圖16是表示將上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置作為電視接收機(jī)時的機(jī)械結(jié)構(gòu) 的一個例子的分解立體圖。在圖16所示的例子中，電視接收機(jī)，除上 述顯示裝置800之外還具有第一框體801和第二框體806作為其結(jié)構(gòu) 要件，形成使顯示裝置800由第一框體801和第二框體806包入并夾持的結(jié)構(gòu)。在第一框體801，形成有使由顯示裝置800顯示的圖像透過 的開口部801a。此外，第二框體806覆蓋顯示裝置800的背面?zhèn)龋O(shè) 置有用于對該顯示裝置800進(jìn)行操作的操作用電路805，并且在下方安 裝有支承用部件808。
本發(fā)明并不限定為上述各實(shí)施方式，在權(quán)利要求所示的范圍中能 夠做出各種變更，對在不同實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)手段進(jìn)行適當(dāng) 組合而得到的實(shí)施方式均包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明的液晶顯示裝置能夠應(yīng)用于例如個人計(jì)算機(jī)的顯示器、電 視接收機(jī)等各種顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，其在基板上形成有晶體管元件、像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線，其特征在于，包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜與所述保持電容配線相對配置而形成保持電容；和連接配線，其將所述保持電容電極與所述像素電極連接，所述保持電容配線，形成有在與所述基板的面垂直的方向上貫通該保持電容配線的開口部，對于1個保持電容配線，配置有2個以上的所述保持電容電極，并且，所述開口部形成為包括與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 從與所述基板垂直的方向觀看時，所述開口部為直線狀的狹縫形狀，其長度方向與保持電容配線的延伸方向平行。
3. 如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 在與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域，設(shè)置有1個所述開口部。
4. 如權(quán)利要求3所述的有源矩陣基板，其特征在于形成所述開口部的位置，在作為所述保持電容配線的相對延伸方向的2個側(cè)面的第一側(cè)面和第二側(cè)面中，靠近第一側(cè)面，并且在包括與形成所述開口部的區(qū)域相對的區(qū)域的位置形成的所述保 持電容電極中，在從與形成所述開口部的區(qū)域相對的區(qū)域至所述第二 側(cè)面?zhèn)却嬖诘膮^(qū)域的面積，比在從與形成所述開口部的區(qū)域相對的區(qū) 域至所述第一側(cè)面?zhèn)却嬖诘膮^(qū)域的面積大。
5. 如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于在與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域，設(shè)置有2個所述開口部。權(quán)利要求書第2/4頁
6. 如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 在包括與形成所述開口部的區(qū)域相對的區(qū)域的位置，在與所述保持電容配線電連接的狀態(tài)下，設(shè)置有隔著絕緣膜與所述保持電容配線 相對配置的輔助電極。
7. 如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 通過多個像素電極構(gòu)成1個像素。
8. 如權(quán)利要求7所述的有源矩陣基板，其特征在于 配置在與相同的所述開口部相對的區(qū)域的多個所述保持電容電極所分別連接的像素電極是構(gòu)成同一個像素的像素電極。
9. 如權(quán)利要求7所述的有源矩陣基板，其特征在于 配置在與相同的所述開口部相對的區(qū)域的多個所述保持電容電極所分別連接的像素電極是構(gòu)成相互相鄰的像素的像素電極。
10. —種液晶面板，其特征在于其包括有源矩陣基板，所述有源矩陣基板在基板上形成有晶體管 元件、像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線，所述有源矩陣基板包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜與所 述保持電容配線相對配置而形成保持電容；和連接配線，其將所述保持電容電極與所述像素電極連接，所述保持電容配線，形成有在與所述基板的面垂直的方向上貫通 該保持電容配線的開口部，對于1個保持電容配線，配置有2個以上的所述保持電容電極， 并且，所述開口部形成為包括與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū)域。
11. 一種液晶顯示單元，其特征在于 其包括具備有源矩陣基板的液晶面板及其驅(qū)動器， 所述有源矩陣基板在基板上形成有晶體管元件、像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線，所述有源矩陣基板包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜與所 述保持電容配線相對配置而形成保持電容；和連接配線，其將所述保持電容電極與所述像素電極連接，所述保持電容配線，形成有在與所述基板的面垂直的方向上貫通 該保持電容配線的開口部，對于1個保持電容配線，配置有2個以上的所述保持電容電極， 并且，所述開口部形成為包括與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū) 域相對的區(qū)域。
12. —種液晶顯示裝置，其特征在于 其包括液晶顯示單元和照明裝置，所述液晶顯示單元包括具備有源矩陣基板的液晶面板及其驅(qū)動器，所述有源矩陣基板在基板上形成有晶體管元件、像素電極、掃描 信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線，所述有源矩陣基板包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜與所述保持電容配線相對配置而形成保持電容；和連接配線，其將所述保持電容電極與所述像素電極連接， 所述保持電容配線，形成有在與所述基板的面垂直的方向上貫通 該保持電容配線的開口部，對于1個保持電容配線，配置有2個以上的所述保持電容電極， 并且，所述開口部形成為包括與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū) 域相對的區(qū)域。
13. —種電視接收機(jī)，其特征在于其包括具備液晶顯示單元和照明裝置的液晶顯示裝置、和接收電 視廣播的調(diào)諧部，所述液晶顯示單元包括具備有源矩陣基板的液晶面板及其驅(qū)動器，所述有源矩陣基板在基板上形成有晶體管元件、像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線，所述有源矩陣基板包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜與所 述保持電容配線相對配置而形成保持電容；和連接配線，其將所述保持電容電極與所述像素電極連接， 所述保持電容配線，形成有在與所述基板的面垂直的方向上貫通 該保持電容配線的開口部，對于1個保持電容配線，配置有2個以上的所述保持電容電極， 并且，所述開口部形成為包括與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū) 域相對的區(qū)域。
14. 一種有源矩陣基板的制造方法，所述有源矩陣基板在基板上 形成有晶體管元件、像素電極、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、和保持電容配線，所述有源矩陣基板包括保持電容電極，其通過隔著絕緣膜 與所述保持電容配線相對配置而形成保持電容；和連接配線，其將所 述保持電容電極與所述像素電極連接，所述保持電容配線，形成有在 與所述基板的面垂直的方向上貫通該保持電容配線的開口部，對于1 個保持電容配線，配置有2個以上的所述保持電容電極，并且，所述 開口部形成為包括與配置至少2個所述保持電容電極的區(qū)域相對的區(qū) 域，所述有源矩陣基板的制造方法的特征在于，包括在所述保持電容配線的區(qū)域中，通過進(jìn)行配線切斷處理，將被所 述開口部和所述保持電容配線的相對延伸方向的側(cè)面所包圍的區(qū)域、 或者被多個所述開口部彼此包圍的區(qū)域，從所述保持電容配線電分離，形成分離區(qū)域的步驟；和使所述分離區(qū)域與在該分離區(qū)域上存在的至少2個保持電容電極 短路的步驟。
15.如權(quán)利要求14所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于: 還包括對將所述像素電極與所述晶體管元件電連接的連接配線進(jìn)行配線切斷處理的步驟，其中，所述像素電極己產(chǎn)生不能正常進(jìn)行電壓施加的缺陷。
全文摘要
本發(fā)明涉及有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)、和有源矩陣基板的制造方法。本發(fā)明提供一種有源矩陣基板，其包括通過隔著絕緣膜與保持電容配線相對配置而形成保持電容的保持電容上部電極和漏極引出配線。此外，保持電容配線，形成有在與基板的面垂直的方向上貫通該保持電容配線的狹縫。狹縫被設(shè)置為，包括與形成有漏極引出配線的區(qū)域和形成有漏極引出配線的區(qū)域兩者相對的區(qū)域。由此，能夠不降低像素的開口率而實(shí)現(xiàn)能夠使缺陷變得不明顯的修正。
文檔編號G02F1/1368GK101681070SQ20088001865
公開日2010年3月24日 申請日期2008年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月20日
發(fā)明者中川英俊 申請人:夏普株式會社