專利名稱：：成像光學(xué)系統(tǒng)和具有該類型的成像光學(xué)系統(tǒng)的微光刻投射曝光設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及如權(quán)利要求1、5、6、7和10的前序部分的成像光學(xué)系統(tǒng)。另外，本發(fā)明還涉及包括該類型的成像光學(xué)系統(tǒng)的投射曝光設(shè)備、利用該類型的投射曝光設(shè)備來生產(chǎn)微結(jié)構(gòu)部件的方法、和通過該方法生產(chǎn)的微結(jié)構(gòu)部件。
背景技術(shù)：
：從US6，750，948B2、US2006/0232867AUEP0267766A2、US7，209，286B2和WO2006/069725A1可知開始所提到的成像光學(xué)系統(tǒng)。尤其對(duì)于微光刻的投射曝光設(shè)備的使用，尤其對(duì)于微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體部件的生產(chǎn)，在開始提到的成像光學(xué)系統(tǒng)中有改善成像性能的需求，例如更大的數(shù)值孔徑或更好的成像誤差的校正。替代地或附加地，有更簡單地制造預(yù)定的尺寸的鏡的需求，有放松對(duì)于鏡支撐的生產(chǎn)的要求的鏡布置的需求，尤其至少對(duì)于單獨(dú)的鏡。尤其，成像和校正成像誤差所需的光學(xué)元件的數(shù)量應(yīng)當(dāng)被保持得盡量低。
發(fā)明內(nèi)容通過具有權(quán)利要求1、5、6和8的特征部分中所指出的特征的成像光學(xué)系統(tǒng)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了該目的。根據(jù)本發(fā)明，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，根據(jù)權(quán)利要求1的成像光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)與已知的成像光學(xué)系統(tǒng)相比，開啟了嶄新的構(gòu)造可能性，權(quán)利要求1以鏡的外邊緣而不以通孔決定遮攔光學(xué)系統(tǒng)的光瞳遮攔。這允許具有良好校正的成像誤差的高孔徑物鏡。圍繞第四最后鏡的光學(xué)有效反射表面的第四最后鏡的外邊緣或者是光學(xué)有效反射表面的外邊緣自身，或者其上提供反射表面的基板的外邊緣，或者支撐反射表面或基板的機(jī)械夾持結(jié)構(gòu)的外邊緣。根據(jù)權(quán)利要求2的凸第四最后鏡允許成像光學(xué)系統(tǒng)以相對(duì)低的光瞳遮攔構(gòu)建。根據(jù)權(quán)利要求3的第四最后鏡的設(shè)置就、具有等同的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)權(quán)利要求4的第四最后鏡的設(shè)置使得可以施加孔徑光闌到該鏡。開始討論的目的也通過根據(jù)權(quán)利要求5和6的成像光學(xué)系統(tǒng)來解決。在這些情況中，在第四最后鏡和最后鏡之間存在有利的大的空間。在具有遮攔的鏡和高數(shù)值孔徑的其他結(jié)構(gòu)中，第四最后鏡和最后鏡之間的區(qū)域是有問題的區(qū)域，因?yàn)樵诖丝赡苁褂蒙a(chǎn)上非常昂貴的非常薄的多個(gè)鏡或一個(gè)鏡，所述鏡在兩側(cè)均包括反射涂層。開始闡述的目的通過根據(jù)權(quán)利要求7的成像光學(xué)系統(tǒng)來解決。與已知的結(jié)構(gòu)相比，將中間像平面向像平面方向移動(dòng)導(dǎo)致減小了對(duì)于成像光學(xué)系統(tǒng)的最后兩個(gè)鏡的光學(xué)效應(yīng)的要求。在已知的遮攔系統(tǒng)中，中間像平面通?？臻g上大致設(shè)置于光路中的最后鏡的高度。根據(jù)本發(fā)明發(fā)現(xiàn)，這不是一個(gè)強(qiáng)制性的要求，因?yàn)楣饴分械淖詈箸R就光瞳遮攔而言大多數(shù)情況不是決定性的，使得在此可以容忍相對(duì)大的中心開口，以及中間像平面與倒數(shù)第二個(gè)鏡的反射表面分開。權(quán)利要求8的距離比例被證明尤其有利。光路中的最后鏡距像平面的距離被定義為距成像光學(xué)系統(tǒng)的光軸通過該鏡的反射表面的穿過點(diǎn)的像平面的距離。在該光軸不通過鏡的反射表面的情形，即離軸鏡的情形，選擇光軸通過根據(jù)光學(xué)設(shè)計(jì)輸入連續(xù)延伸的表面的穿過點(diǎn)，而不是光軸通過反射表面的穿過點(diǎn)。如果鏡關(guān)于光軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱，該穿過點(diǎn)與鏡的反射表面的中心一致。在該最后鏡被遮攔的情形，反射表面的中心也可以位于該遮攔通孔中，在該情形，設(shè)定反射表面根據(jù)光學(xué)設(shè)計(jì)輸入在該遮攔通孔內(nèi)連續(xù)延伸。該中間像平面距像平面的距離可以例如是光路中的最后鏡距像平面的距離的0.7,0.8或0.9倍。根據(jù)權(quán)利要求9的數(shù)值孔徑對(duì)于實(shí)現(xiàn)成像光學(xué)系統(tǒng)的高局部分辨率是優(yōu)選的。通過根據(jù)權(quán)利要求10和11的成像光學(xué)系統(tǒng)也解決了上述的目的。根據(jù)權(quán)利要求12的成像光學(xué)系統(tǒng)對(duì)于上述的多個(gè)解決方案的方法是有用的。因此成像光學(xué)系統(tǒng)導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)了優(yōu)點(diǎn)的組合。根據(jù)權(quán)利要求13和14的成像性質(zhì)對(duì)于在整個(gè)場上實(shí)現(xiàn)高局部分辨率是有利的。這些成像性質(zhì)與成像光的波長無關(guān)。成像光的波長范圍可以從EUV范圍到可見頻譜。波前誤差是優(yōu)選的，其導(dǎo)致了衍射極限的分辨率，且因此尤其小于成像光波長的十四分之一。對(duì)于EUV波長，均方根小于Inm的波前誤差導(dǎo)致了實(shí)際上衍射極限的分辨率。根據(jù)權(quán)利要求15，由于中心光瞳遮攔，低光瞳遮攔，即不能使用的光瞳表面的比例，導(dǎo)致了成像光學(xué)系統(tǒng)的有利的高光通過量。另外，具有低光瞳遮攔的成像光學(xué)系統(tǒng)可以被更廣泛地使用，因?yàn)楣馔跀r越低，可用的照明裝置的帶寬越大。具有低光瞳遮攔的成像光學(xué)系統(tǒng)因此提供了與成像的物結(jié)構(gòu)的類型基本無關(guān)的高對(duì)比度成像。根據(jù)權(quán)利要求16彼此平行設(shè)置的場平面有助于將光學(xué)成像系統(tǒng)集成到結(jié)構(gòu)環(huán)境中。當(dāng)成像光學(xué)系統(tǒng)被用在掃描投射曝光設(shè)備中時(shí)，該優(yōu)點(diǎn)尤其顯著，因?yàn)閽呙璺较騽t可以被彼此平行引導(dǎo)。根據(jù)權(quán)利要求17和18的像場尺寸導(dǎo)致了好的通過量，當(dāng)該光學(xué)成像系統(tǒng)用于投射曝光設(shè)備中時(shí)。像場的長和短邊的其他尺寸也是可以的。像場的短邊還可以小于Imm或大于1謹(jǐn)。像場的長邊例如也可以為5mm、IOmm或15mm。根據(jù)權(quán)利要求19的成像比例允許當(dāng)在投射曝光設(shè)備中使用光學(xué)成像系統(tǒng)時(shí)在反射掩模上的低入射角。在該類型的應(yīng)用中，該類型的成像比例的使用不導(dǎo)致不需要的大掩模的要求。根據(jù)權(quán)利要求20的具有奇數(shù)個(gè)遮攔鏡的結(jié)構(gòu)也被證明尤其適合。例如，可以遮攔三個(gè)鏡。根據(jù)權(quán)利要求21的設(shè)置導(dǎo)致了在空間受限的設(shè)置中對(duì)于成像光學(xué)系統(tǒng)的場平面和光瞳平面均施加影響的可能性。這尤其對(duì)于校正的目的是有利的。根據(jù)權(quán)利要求22的成像光學(xué)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例導(dǎo)致可以在成像光學(xué)系統(tǒng)上由在前的照明光學(xué)系統(tǒng)經(jīng)由光瞳部件直接提供而無需插入附加的成像元件，該光瞳部件是成像光學(xué)系統(tǒng)之前的最后元件，則該光瞳部件可以被設(shè)置于成像光學(xué)系統(tǒng)的光瞳平面中，該光瞳平面被設(shè)置于所述成像光學(xué)系統(tǒng)之前。如果有少量鏡，根據(jù)權(quán)利要求23的成像光學(xué)系統(tǒng)則具有兩個(gè)中間像平面，且這可以一方面用于緊湊的光束引導(dǎo)而另一方面用于校正的目的。權(quán)利要求24和25的優(yōu)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于在前關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的成像光學(xué)系統(tǒng)所討論。投射曝光設(shè)備的光源可以是寬帶光源的形式且具有例如大于lnm、大于IOnm或大于IOOnm的帶寬。另外，投射曝光設(shè)備可以被構(gòu)建，使得它可以用不同波長的光源操作。其他波長的光源尤其用于微光刻的波長可以結(jié)合根據(jù)本發(fā)明的成像光學(xué)系統(tǒng)使用，例如具有365nm、248nm、193nm、157nm、126nm和109nm的波長的光源，尤其也具有小于IOOnm的波長的光源。相應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)由此也適于根據(jù)權(quán)利要求26的生產(chǎn)方法和根據(jù)權(quán)利要求27生產(chǎn)的微結(jié)構(gòu)部件。下面，借助于附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中圖1是用于EUV光刻的投射曝光設(shè)備的示意圖；圖2至7是成像光學(xué)系統(tǒng)的實(shí)施例的子午截面圖。具體實(shí)施例方式用于微光刻的投射曝光設(shè)備1具有用于照明光3的光源2。光源2是EUV光源，其產(chǎn)生尤其是IOnm與30nm之間的波長范圍內(nèi)的光。其他的EUV波長也可行。通常，可見波長或其他波長的任何期望波長(例如365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)可以用于在投射曝光設(shè)備1中引導(dǎo)的照明光3，該波長例如可以在光刻中使用，且對(duì)于該波長，適當(dāng)?shù)募す夤庠春?或LED光源是可用的。在圖1中相當(dāng)示意地示出照明光3的光路。照明光學(xué)系統(tǒng)6將來自光源2的照明光3弓丨導(dǎo)到物平面5中的物場4(參看圖2)。物場4通過投射光學(xué)系統(tǒng)7以預(yù)定縮小比例成像到像平面9中的像場8(參看圖2)。圖2至7所示的實(shí)施例之一可以用于投射光學(xué)系統(tǒng)7。圖2的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有縮小因子8。其他縮小因子也是可能的，例如4x、5x、或者甚至大于8x的縮小比例。對(duì)于具有EUV波長的照明光3，8x的成像比例尤為適合，因?yàn)榉瓷溲谀?0上的物方入射角因而能夠保持較小。另外，8x的成像比例不需要使用不必要大的掩模。在根據(jù)圖2至7的實(shí)施例的投射光學(xué)系統(tǒng)7中，像平面9布置平行于物平面5。還稱為掩模母版的反射掩模10的與物場4相吻合的部分由此被成像。像場8被彎曲為弧形，限定像場8的兩個(gè)弧形之間的距離為1mm。Imm也是直邊的邊長，所述直邊彼此平行延伸且限定了兩個(gè)弧形之間的像場8。像場8的兩個(gè)直邊彼此的距離為13mm。該彎曲的像場的表面對(duì)應(yīng)于具有邊長lmmX13mm的矩形像場。該類型的正方形像場8也是可以的。成像發(fā)生在晶片形式的基底11的表面上，該晶片由基底支撐12支撐。在圖1中，示意性地示出在掩模母版10和所述投射光學(xué)系統(tǒng)之間進(jìn)入投射光學(xué)系統(tǒng)7的照明光3的光束13，以及在投射光學(xué)系統(tǒng)和基底11之間離開投射光學(xué)系統(tǒng)7的照明光的光束14。根據(jù)圖2，投射光學(xué)系統(tǒng)7的像場方的數(shù)值孔徑為0.9。為了視覺效果，這未按圖1中的比例示出。為了有助于描述投射曝光設(shè)備1和投射光學(xué)系統(tǒng)7的各種實(shí)施例，在圖中提供xyz系統(tǒng)，該xyz系統(tǒng)示出在圖中所表示的部件的各個(gè)位置。在圖1中，χ方向垂直于且進(jìn)入圖面延伸。y方向向右延伸，而ζ方向朝下延伸。投射曝光設(shè)備1是掃描曝光機(jī)類型設(shè)備。在投射曝光設(shè)備1的工作期間在y方向上掃描掩模母版10和基底11兩者。圖2示出投射光學(xué)系統(tǒng)7的第一實(shí)施例的光學(xué)構(gòu)造。這示出兩個(gè)單個(gè)光線15中的每一個(gè)的光路徑，在每種情況中該光路徑從圖2的兩個(gè)物場點(diǎn)出發(fā)，圖2中該兩個(gè)物場點(diǎn)在y方向上彼此遠(yuǎn)離。屬于這些兩個(gè)物場點(diǎn)中的一者的兩個(gè)單個(gè)光線15中的每個(gè)與關(guān)于兩個(gè)物場點(diǎn)的兩個(gè)不同照明方向相關(guān)聯(lián)。不同場點(diǎn)的與相同照明方向相關(guān)的單獨(dú)光線15從物平面5出發(fā)發(fā)散地延伸。這在以下也被稱為入口光瞳的負(fù)輸入后焦長或負(fù)后焦長。圖2的投射光學(xué)系統(tǒng)7的入口光瞳不位于投射光學(xué)系統(tǒng)7內(nèi)，而是在光路中的物平面5之前。這使得例如可以在光路中的投射光學(xué)系統(tǒng)7之前，設(shè)置投射光學(xué)系統(tǒng)7的入口光瞳中的照明光學(xué)系統(tǒng)6的光瞳部件，而不必須在這些光瞳部件和物平面5之間存在另外的成像光學(xué)部件。圖2的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有總共八個(gè)鏡，其從物場4開始在光路中順序編號(hào)Ml至M8。圖2僅僅示出鏡Ml至M8的計(jì)算反射表面。圖2的投射光學(xué)系統(tǒng)7的光學(xué)數(shù)據(jù)通過兩個(gè)表格在下面示出。在“半徑”列中，第一表格示出鏡Ml至M8的各個(gè)曲率半徑。第三列(厚度)描述了在每一情況中從物平面5開始到ζ方向上隨后表面的距離。第二表格描述了鏡Ml至M8的反射表面的精確表面形狀，其中常數(shù)K和A至J用在下面關(guān)于弧失高度ζ的方程中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>+Ah'+Bh6+Chs+Dhw+Ehn+Fhu+Gh'6+Hhlt+Jh20在該情形，h表示距光軸19的距離。因此，h2=x2+y2。對(duì)于C，使用半徑的倒數(shù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>第一鏡組18包括多個(gè)鏡Ml至M4.，第一鏡組18的鏡Ml、M2和鏡M2成形為環(huán)形段，且關(guān)于光軸19離軸使用，在鏡Ml和M2的情形完全離軸且在鏡M4的情形大部分離軸。鏡Ml和M2的所使用的光學(xué)反射表面以及大部分的M4因此位于距光軸19的一距離處。全部鏡Ml至M8的反射表面關(guān)于光軸19成旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。鏡M3所采用的反射表面大致以光軸19為中心(同軸)。鏡M1、M4、M6、M7和M8是凹鏡。鏡M2、M3和M5是凸鏡。投射光學(xué)系統(tǒng)7的中間像平面20位于鏡M4和M5之間。當(dāng)光線的路程繼續(xù)時(shí)，單個(gè)光線15經(jīng)過鏡M6的通孔21。圍繞通孔21使用鏡M6。由此鏡M6是被遮攔鏡。如鏡M6，鏡M7和M8也被遮攔且兩者相似地也包括通孔。鏡M5即像場8之前的光路中第四最后鏡沒有被遮攔且因此沒有對(duì)于成像光的通孔。鏡M5的光學(xué)有效反射表面的外邊緣22在光瞳平面17中提供了成像光學(xué)系統(tǒng)的投射光學(xué)系統(tǒng)7的中心遮蔽。因此鏡M5遮擋了鏡M6和M7之間的光路。鏡M5設(shè)置有光軸19上且中心大致位于所述光軸19上。在圖2的實(shí)施例中，其反射有效表面背對(duì)背設(shè)置的鏡M5和最后鏡M8之間的距離是物平面5和像平面9之間的距離的大致20.6%，尤其為物場4和像場8之間的稍大距離的大致20%。由此在鏡M5和M8之間的光學(xué)系統(tǒng)7中存在顯著較大的空間。另一中間平面23在光路中位于鏡M6和鏡M7之間。這是最接近像平面9的中間像平面。該中間像平面23空間上位于光路中的最后鏡M8和像平面9之間。中間像平面23距像平面9的距離是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.7倍。圖2的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有0.9nm的最大均方差(rms)波前誤差。投射光學(xué)系統(tǒng)7的變形至多是0.5nm。光瞳遮攔，即光瞳平面17的中心遮蔽部分對(duì)于光瞳平面17中的照明邊緣輪廓內(nèi)的整個(gè)表面的比例是11.6%。圖3顯示了投射光學(xué)系統(tǒng)7的另一實(shí)施例。相應(yīng)于已經(jīng)參照?qǐng)D1和圖2描述過的構(gòu)件和細(xì)節(jié)具有相同的附圖標(biāo)記并不再詳細(xì)的討論。圖3的投射光學(xué)系統(tǒng)7的光學(xué)數(shù)據(jù)在以下通過兩個(gè)表顯示，這兩個(gè)表布局上對(duì)應(yīng)于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>圖3的實(shí)施例與圖2的實(shí)施例顯著不同在于包括鏡Ml至M4的第一鏡組18的布置。圖3的投射光學(xué)系統(tǒng)7的第一鏡組18的所有四個(gè)鏡Ml至M4經(jīng)由光源離軸提供。鏡Ml是凸鏡且鏡M2至M4是凹鏡。圖3的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有入口光瞳的負(fù)后焦長。第一中間像平面20設(shè)置于圖3的實(shí)施例中的鏡M4的區(qū)域中。根據(jù)鏡結(jié)構(gòu)的精確配置，相關(guān)的中間像可以在鏡M4之前，在鏡M4上或甚至在鏡M4之后設(shè)置。在圖3的實(shí)施例中，鏡M3不像在圖2的實(shí)施例中位于鏡M6的左側(cè)，而是在光軸19的水平位于鏡M6的右側(cè)。光線15在從鏡M2至M3的路上經(jīng)過鏡M6，正如光線15在從鏡M3至M4的路上經(jīng)過鏡M6，和從鏡M4至M5的路上經(jīng)過鏡M6。由此，鏡M6的通孔21被單獨(dú)的光線15經(jīng)過了三次。在圖3的投射光學(xué)系統(tǒng)7中，鏡M5和M8之間的距離為物平面5和像平面9之間的距離的I2·8%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.8倍。圖3的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有2.2nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是5nm。光瞳遮攔是8.4%。圖4顯示了投射光學(xué)系統(tǒng)7的另一實(shí)施例。相應(yīng)于已經(jīng)參照?qǐng)D1和圖2描述過的構(gòu)件和細(xì)節(jié)具有相同的附圖標(biāo)記并不再詳細(xì)的討論。圖4的投射光學(xué)系統(tǒng)7的光學(xué)數(shù)據(jù)在以下通過兩個(gè)表顯示，這兩個(gè)表布局上對(duì)應(yīng)于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>圖4的實(shí)施例與圖2和圖3的實(shí)施例顯著不同在于包括鏡Ml至Μ4的第一鏡組18的排列。鏡M1、M2和M4離軸提供。鏡3是凸鏡。鏡M1、M2和M4是凸鏡。鏡Ml具有如此低的曲率使得所述鏡可以不僅是凹鏡，而且經(jīng)過構(gòu)造的稍微調(diào)整也可以是平面或凸鏡。在圖4的投射光學(xué)系統(tǒng)7中，第一中間像平面20位于鏡M4和M5之間的光路中，大致在鏡M3的水平。在圖4的實(shí)施例中，鏡M3再次安排在鏡M6的左側(cè)，使得光線15僅經(jīng)過M6的通孔21—次。經(jīng)過結(jié)構(gòu)的稍微調(diào)整，鏡M3也可以移到鏡M6的開口中。在圖4的投射光學(xué)系統(tǒng)7中，鏡M5和M8之間的距離為物平面5和像平面9之間的距離的19.6%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.76倍。圖4的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有1.4nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是1.5nm。光瞳遮攔是10.9%0圖5顯示了投射光學(xué)系統(tǒng)7的另一實(shí)施例。相應(yīng)于已經(jīng)參照?qǐng)D1和圖2描述過的構(gòu)件和細(xì)節(jié)具有相同的附圖標(biāo)記并不再詳細(xì)的討論。圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7的光學(xué)數(shù)據(jù)在以下通過兩個(gè)表顯示，這兩個(gè)表布局上對(duì)應(yīng)于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有總共六個(gè)鏡，其從物場5開始在光路中順序編號(hào)Ml至Μ6。在圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7中，第一鏡組18僅包括兩個(gè)鏡，即鏡Ml和Μ2。鏡Ml大致同軸提供且鏡Μ2離軸提供。隨后的鏡Μ3至Μ6在排列和功能上對(duì)應(yīng)于圖2至4的實(shí)施例的鏡Μ5至Μ8。圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有0.4的數(shù)值孔徑。根據(jù)圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有入口光瞳的正后焦長，即主光線16從物場4最初發(fā)散地延伸。鏡Ml位于投射光學(xué)系統(tǒng)7的入口光瞳平面25的區(qū)域中。第一中間像平面2也位于鏡Μ2和Μ3之間，相似地在大致鏡Ml的水平。鏡Ml設(shè)置于鏡M4的通孔21中。鏡M4的通孔21也被通過三次，相似于圖3的實(shí)施例的鏡M6。第四最后鏡M3位于圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7的另一光瞳平面26的區(qū)域中，該第四最后鏡M3也提供圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7的光瞳遮攔。在圖5的實(shí)施例中，第四最后鏡M3和最后鏡M6之間的距離大致等于物平面5和像平面9之間的距離的21.0%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.74倍。圖5的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有0.4nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是0.3nm。光瞳遮攔是17.6%。圖6顯示了投射光學(xué)系統(tǒng)7的另一實(shí)施例。相應(yīng)于已經(jīng)參照?qǐng)D1至5描述過的構(gòu)件和細(xì)節(jié)具有相同的附圖標(biāo)記并不再詳細(xì)的討論。圖6的投射光學(xué)系統(tǒng)7的光學(xué)數(shù)據(jù)在以下通過兩個(gè)表顯示，這兩個(gè)表布局上對(duì)應(yīng)于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>圖6的投射光學(xué)系統(tǒng)7為六鏡系統(tǒng)，與圖5相似。在該情形，第一鏡組24也僅包括兩個(gè)鏡Ml和Μ2。兩個(gè)鏡Ml和Μ2均離軸提供。鏡Ml設(shè)置相鄰于鏡Μ4的通孔21。該設(shè)置使得對(duì)于鏡Μ2和Μ3之間的光線，鏡M的通孔21僅被通過一次。圖6的投射光學(xué)系統(tǒng)7僅具有單中間像平面27，其相似于圖2到圖5的實(shí)施例中的中間像平面23，空間上設(shè)置于光路中的最后鏡即鏡Μ6好像平面9之間。在圖6的實(shí)施例中，盡管鏡Μ4的通孔21僅被光束通過一次，該光束在那里沒有焦點(diǎn)，且因此具有相對(duì)大的直徑，第四最后鏡Μ3仍利用其外邊緣22提供了投射光學(xué)系統(tǒng)7的光瞳遮攔。圖6的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有0.55的數(shù)值孔徑。在圖6的投射光學(xué)系統(tǒng)7的實(shí)施例中，第四最后鏡Μ3和最后鏡Μ6之間的距離大致等于物平面5和像平面9之間的距離的22%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡Μ6距像平面9的距離的0.8倍。圖6的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有1.4nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是1.4nm。光瞳遮攔是16.8%。圖7顯示了投射光學(xué)系統(tǒng)7的另一實(shí)施例。相應(yīng)于已經(jīng)參照?qǐng)D1至5描述過的構(gòu)件和細(xì)節(jié)具有相同的附圖標(biāo)記并不再詳細(xì)的討論。圖7的投射光學(xué)系統(tǒng)7的光學(xué)數(shù)據(jù)在以下通過兩個(gè)表顯示，這兩個(gè)表布局上對(duì)應(yīng)于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>圖7的投射光學(xué)系統(tǒng)7也為六鏡系統(tǒng)，與圖5和圖6的實(shí)施例相似。第一鏡組24包括兩個(gè)鏡Ml和Μ2的結(jié)構(gòu)相應(yīng)于圖6的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。圖7的實(shí)施例也僅具有一個(gè)中間像平面即中間像平面27，其相應(yīng)于圖6設(shè)置。圖7的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有0.6的數(shù)值孔徑。在圖7的投射光學(xué)系統(tǒng)7的實(shí)施例中，第四最后鏡Μ3和最后鏡Μ6之間的距離大致等于物平面5和像平面9之間的距離的25%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡Μ6距像平面9的距離的0.8倍。圖7的投射光學(xué)系統(tǒng)7具有0.7nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是0.3nm。光瞳遮攔是16.0%.為了生產(chǎn)微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)部件，投射曝光設(shè)備1按以下使用最初，制備反射掩模10、或掩模母版以及基板或晶片11。隨后，掩模母版11上的結(jié)構(gòu)通過投射曝光設(shè)備1被投射到晶片11的光敏層上。通過顯影光敏層，則產(chǎn)生了晶片11上的微結(jié)構(gòu)以及微結(jié)構(gòu)的部件。權(quán)利要求成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，包括多個(gè)鏡(M1至M8；M1至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少一個(gè)包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，其特征在于所述成像光學(xué)系統(tǒng)(7)包括至少六個(gè)鏡(M1至M8；M1至M6)，在像場(8)之前的在物場(4)和像場(8)之間的光路中第四最后鏡(M5；M3)不包括通孔，且利用圍繞所述第四最后鏡(M5；M3)的光學(xué)有效表面的外邊緣(22)提供成像光學(xué)系統(tǒng)(7)的光瞳平面(17；25，26)中的中心遮蔽。2.如權(quán)利要求1所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，所述第四最后鏡(M5；M3)為凸鏡。3.如權(quán)利要求1或2所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，所述第四最后鏡(M5；M3)位于所述光學(xué)成像系統(tǒng)(7)的光軸(19)上。4.如權(quán)利要求1-3的任一所述的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，所述第四最后鏡(M3)設(shè)置于所述光學(xué)成像系統(tǒng)(7)的光瞳平面(26)的區(qū)域中。5.成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，包括多個(gè)鏡(Ml至M8；Ml至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少一個(gè)包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，其特征在于所述成像光學(xué)系統(tǒng)(7)包括至少八個(gè)鏡(Ml至M8；Ml至M6)，在物場(4)和像場⑶之間的光路中第四最后鏡(M5；M3)和所述光路中的最后鏡(M8；M6)之間的距離為物場(4)和像場(8)之間的距離的至少10%。6.成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，包括多個(gè)鏡(Ml至M8；Ml至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少一個(gè)包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，其特征在于所述成像光學(xué)系統(tǒng)(7)包括至少六個(gè)鏡(Ml至M8；Ml至M6)，在物場(4)和像場⑶之間的光路中第四最后鏡(M5；M3)和所述光路中的最后鏡(M8；M6)之間的距離為物場(4)和像場(8)之間的距離的至少10%。7.成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，包括多個(gè)鏡(Ml至M8；Ml至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少三個(gè)包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，至少一個(gè)中間像平面(20、23.27)存在于所述物平面(5)和像平面(9)之間，其特征在于最接近像平面(9)的中間像平面(23；27)在物場(4)和像場(8)之間的光路中空間上設(shè)置于最后鏡(M8；M6)和像平面(9)之間。8.如權(quán)利要求7所述的成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，其特征在于，距所述像平面(9)的中間像平面(23；27)的距離至多是所述光路中的最后鏡(M8；M6)距所述像平面(9)的距離的0.95倍。9.如權(quán)利要求1到8的任一所述的成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，其特征在于數(shù)值孔徑至少0.4、優(yōu)選至少0.5、甚至更優(yōu)選至少0.6、甚至更優(yōu)選至少0.9。10.成像反射光學(xué)系統(tǒng)(7)，包括少于十個(gè)鏡(Ml至M8)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，其特征在于數(shù)值孔徑>0.7。11.根據(jù)權(quán)利要求10的成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，包括精確的八個(gè)鏡(Ml至M8)且具有0.9的數(shù)值孔徑。12.根據(jù)權(quán)利要求1至11的至少之一的成像光學(xué)系統(tǒng)(7)。13.根據(jù)權(quán)利要求1至12的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于波前誤差的最大均方根(rms)小于lOnm，優(yōu)選小于5nm，甚至更優(yōu)選小于2nm，甚至更優(yōu)選小于lnm，甚至更優(yōu)選小于0.5nm。14.根據(jù)權(quán)利要求1至13的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于最大變形小于lOnm，優(yōu)選小于5nm，甚至更優(yōu)選小于2nm，甚至更優(yōu)選小于lnm，甚至更優(yōu)選小于0.5nm。15.根據(jù)權(quán)利要求1至14的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于光瞳遮攔小于20%，優(yōu)選小于15%，甚至更優(yōu)選小于10%。16.根據(jù)權(quán)利要求1至15的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所述像平面(9)設(shè)置平行于所述物平面(5)。17.根據(jù)權(quán)利要求1至16的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所述像平面(8)大于1mm2o18.根據(jù)權(quán)利要求17的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于矩形或弧形像場(8)大于具有1mm和13mm的邊長。19.根據(jù)權(quán)利要求1至18的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于縮小成像比例為8。20.根據(jù)權(quán)利要求1至19的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于奇數(shù)個(gè)(M6至M8；M4至M6)鏡具有供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)。21.根據(jù)權(quán)利要求1至20的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于至少一個(gè)中間像平面(20)在成像光學(xué)系統(tǒng)(7)的光瞳平面(25)的附近折疊，尤其與該光瞳平面一致。22.根據(jù)權(quán)利要求1至21的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于主光線(16)發(fā)散地延伸到從物場⑷到第一鏡(Ml)的光路中的相鄰場點(diǎn)。23.根據(jù)權(quán)利要求1至22的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于所述成像光學(xué)系統(tǒng)包括精確的六個(gè)鏡(Ml至M6)和精確的兩個(gè)中間像平面(20、23)。24.微光刻的投射曝光設(shè)備包括根據(jù)權(quán)利要求1至23的任一的成像光學(xué)系統(tǒng)(7)，包括照明和成像光(3)的光源(2)，包括將照明光(3)引導(dǎo)到上述成像光學(xué)系統(tǒng)(7)的物面的照明光學(xué)系統(tǒng)(6)。25.根據(jù)權(quán)利要求24的投射曝光設(shè)備，其特征在于產(chǎn)生所述照明光(3)的光源(2)形成有10和30mm之間的波長。26.產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)的部件的方法，包括以下的步驟提供掩模母版(10)和晶片(11)，使用根據(jù)權(quán)利要求24或權(quán)利要求25的投射曝光設(shè)備，將掩模母版(10)上的結(jié)構(gòu)投射到晶片(11)的光敏層上，在晶片(11)上產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)。27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法產(chǎn)生的微結(jié)構(gòu)部件。全文摘要成像光學(xué)系統(tǒng)(7)具有多個(gè)鏡(M1至M8)。這些鏡將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)。鏡(M6、M7、M8)的至少一個(gè)被遮攔，且由此具有供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)。在像場(8)之前的光路中的第四最后鏡(M5)沒有被遮攔，且利用其光學(xué)有效反射表面的外邊緣(22)提供成像光學(xué)系統(tǒng)(7)的光瞳平面中的中心遮蔽。第四最后鏡(M5)和最后鏡(M8)之間的距離為物場(4)和像場(8)之間的距離的至少10％，最接近像平面(9)的中間像平面(23)設(shè)置于最后鏡(M8)和像平面(9)之間。成像光學(xué)系統(tǒng)(7)具有0.9的數(shù)值孔徑。這些措施不需所有必須同時(shí)實(shí)現(xiàn)，且導(dǎo)致了成像光學(xué)系統(tǒng)具有改善的成像性能和/或減少的生產(chǎn)成本。文檔編號(hào)G03F7/20GK101836164SQ200880113375公開日2010年9月15日申請(qǐng)日期2008年10月2日優(yōu)先權(quán)日2007年10月26日發(fā)明者漢斯-于爾根·曼申請(qǐng)人:卡爾蔡司Smt股份公司