專利名稱：隔離元件和用于制造隔離元件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及借助于復(fù)制過程在晶片規(guī)模以明確限定的空間布置制造具有例如折 射和/或衍射透鏡的一個或多個光學(xué)元件的集成光學(xué)器件的領(lǐng)域。更具體而言，其涉及如 相應(yīng)獨立權(quán)利要求的前序部分中所述的用于制造隔離元件的方法和隔離元件。
背景技術(shù)：
集成光學(xué)器件例如是照相機(jī)器件、用于照相機(jī)器件的光學(xué)裝置、或用于閃光燈尤 其是對于照相機(jī)移動電話而言的準(zhǔn)直光學(xué)裝置。已知通過壓印或成型的復(fù)制技術(shù)進(jìn)行光學(xué) 元件的制造。對具有成本效益的批量生產(chǎn)而言特別感興趣的是晶片規(guī)模制造過程，其中，通 過復(fù)制在盤形結(jié)構(gòu)(晶片)上制造光學(xué)元件陣列，例如透鏡。在大多數(shù)情況下，堆疊具有 附著到其的光學(xué)元件的兩個或更多晶片以便形成晶片規(guī)模封裝或晶片堆疊，其中，附著于 不同襯底的光學(xué)元件被對準(zhǔn)。在復(fù)制之后，可以將此晶片結(jié)構(gòu)分離成單獨的光學(xué)器件(切 割)。在本文中所使用的意義的晶片或襯底是盤形或矩形板或任何在維度上穩(wěn)定、通常 透明的材料的任何其它形狀的板。晶片盤的直徑通常在5cm與40cm之間，例如，在IOcm與 31cm之間。其常常是圓筒形的，具有2、4、6、8或12英寸的直徑，一英寸約為2. 54cm。晶片 厚度例如在0. 2mm與IOmm之間，通常在0. 4mm與6mm之間。集成光學(xué)器件包括沿著光傳播的大體方向堆疊在一起的功能元件，其中的至少一 個是光學(xué)元件。因此，通過器件行進(jìn)的光依次穿過多個元件。這些功能元件被布置成彼此 之間(集成器件)呈預(yù)定的空間關(guān)系，使得不需要進(jìn)一步相互對準(zhǔn)，只有光學(xué)器件就本身而 言要與其它系統(tǒng)對準(zhǔn)?？梢酝ㄟ^在晶片上以明確限定的空間布置堆疊包括例如光學(xué)元件的功能元件的 晶片來制造此類光學(xué)器件。此類晶片規(guī)模封裝(晶片堆疊)包括沿著對應(yīng)于最小晶片尺度 的方向(軸向)的軸堆疊并相互附著的至少兩個晶片。晶片中的至少一個承載復(fù)制光學(xué)元 件，并且另一個可以包括或可以意圖接納光學(xué)元件或其它功能元件，諸如光電元件(例如， CCD或CMOS傳感器陣列)。晶片堆疊因此包括并排布置的多個大體相同的集成光學(xué)器件。通過隔離裝置，例如US 2003/0010431或WO 2004/027880中公開的多個單獨隔離 物或互連隔離矩陣，可以將晶片相互隔離，并且還可以在晶片之間的面對另一晶片的晶片 表面上布置光學(xué)元件。因此，隔離物被夾在頂部晶片與底部晶片之間。可以用其它晶片和 中間隔離物來重復(fù)此布置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是產(chǎn)生隔離晶片和用于制造最初提及的類型的隔離晶片的方法，其 考慮簡單且具有成本效益的制造過程。另一目的是提供改善結(jié)果得到的晶片堆疊的質(zhì)量和 產(chǎn)量的隔離晶片。這些目的由根據(jù)各獨立權(quán)利要求的隔離晶片和用于制造隔離晶片的方法實現(xiàn)。
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用于晶片堆疊的隔離晶片包括具有第一表面和第二表面的隔離體，并且其意圖被 夾在第一晶片與第二晶片之間。也就是說，所述隔離物將靠著第一表面放置的第一晶片和 靠著第二表面放置的第二晶片保持彼此相距恒定距離。隔離物還提供被布置為使得第一晶 片和第二晶片的功能元件可以與開口對準(zhǔn)的開口。用于制造隔離晶片的方法包括步驟 提供成形工具； 借助于形狀復(fù)制過程，根據(jù)工具的形式來形成隔離物。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，形成隔離物的步驟包括步驟 提供可變形、亦即液體或粘性狀態(tài)下的隔離材料； 將隔離材料的形狀限定為工具的負(fù)版(negative)； 對隔離材料進(jìn)行硬化，從而產(chǎn)生隔離晶片；以及 將隔離晶片與工具分離。優(yōu)選地通過固化對隔離材料進(jìn)行硬化。固化是高分子化學(xué)和工藝工程中的術(shù)語， 指的是通過由化學(xué)添加劑、紫外輻射、電子束(EB)或加熱產(chǎn)生的聚合物鏈的交聯(lián)進(jìn)行聚合 物材料的韌化或硬化。因此，隔離物可以由首先處于液體或粘性狀態(tài)且可固化的合成有機(jī) 或無機(jī)基材制成。一種優(yōu)選基材是環(huán)氧樹脂?？梢詫⒃摶目蛇x地與用于著色的染料、和 /或諸如玻璃纖維等的填料金屬混合。在成形工具仍處于原位的同時對材料進(jìn)行固化_例 如UV固化。UV光固化是考慮到很好地控制硬化過程的快速工藝。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，隔離物由熱塑性材料制成。將其加熱并隨后通過 形狀復(fù)制過程、例如通過包括注模的沖壓或模制來對其進(jìn)行成形。在冷卻時，材料以隔離物 的期望形狀硬化。復(fù)制過程可以是壓印或沖壓過程，其中，將可變形或粘性或液體組分隔離材料設(shè) 置在襯底的表面上或成形工具上。也就是說，在工具與襯底之間布置襯底材料。襯底通常 是在尺寸上同樣為晶片規(guī)模的硬板，其中，‘晶片規(guī)?！傅氖桥c半導(dǎo)體晶片相當(dāng)?shù)某叽绲?盤狀或板狀襯底的尺寸，諸如具有在2英寸與12英寸之間的直徑的盤。然后，移動并靠著 襯底壓緊復(fù)制工具或成形工具。最遲一旦成形工具抵靠襯底，該移動立即停止。作為替換，復(fù)制過程可以是模制過程。相反，在模制過程中，首先將從中對隔離物 進(jìn)行成形的成形工具壓到襯底的表面上以形成限定腔體，隨后通過模制過程填充該腔體。
0022]在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，將隔離材料設(shè)置在工具上，并在靠著工具移動襯 底之前，在襯底板與隔離材料之間布置抗粘附層。該抗粘附層允許硬化隔離物容易地從襯 底板分離?？拐掣綄涌梢允抢缇埘ケ∧さ谋〔蛘呖梢允峭ㄟ^對襯底進(jìn)行噴灑或潤濕 涂敷的材料(例如，聚四氟乙烯)的抗粘附膜?？梢栽诠袒髮⒖拐掣綄恿粼诟綦x物上。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，提供成形工具的步驟包括借助于形狀復(fù)制過程根據(jù)靠 模的形狀來形成工具。然后可以將工具補充為包括用于增加硬度和堅固性的背板。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，第一和第二表面中的至少一個包括將所述表面與 開口分離的邊緣，并且對隔離材料進(jìn)行硬化的步驟包括使邊緣附近的區(qū)域中的隔離晶片的 厚度縮減得比在邊緣本身處的大。這得到隔離物，其中，邊緣處的隔離晶片的厚度超過邊緣 周圍的表面位置處的隔離晶片的厚度。換言之，邊緣相對于隔離物的平均厚度而言提高。在 本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，邊緣相對于周圍表面的提高約為一至十微米。隔離物本身通常具有100至1500微米的厚度。當(dāng)使用隔離物來此產(chǎn)生堆疊時，將粘合劑、即液體或粘性膠涂敷于隔離物的表面。 由于邊緣的提高，隔離物與相鄰晶片之間的自由空間朝著邊緣逐漸縮減。液體粘合劑被毛 細(xì)管力朝著邊緣吸引。這有助于保證即使在粘合劑中陷入氣泡，在邊緣附近或邊緣處也不 留下氣泡。相反，通過將粘合劑吸引在那里迫使任何空氣遠(yuǎn)離邊緣。結(jié)果，即使在將晶片堆 疊切割成單獨的單元之后，邊緣也被很好地密封。即使在邊緣處不存在顯著地提高，或根本沒有提高，粘合劑也將沿著兩個晶片之 間的間隙散布，只要存在粘合劑的貯存處即可。此類貯存處可以是沉積在一個晶片上、在稍 后與另一晶片相對地移動的表面上、和/或在腔體中的一滴或一點粘合劑，但是使得該滴 相互靠著設(shè)置晶片時與另一晶片接觸。非常接近的晶片表面之間的間隙由于毛細(xì)管力而變 得被膠/粘合劑填充，并且，空氣相反地移位至腔體中。這是相對局部的效應(yīng)，因為空氣和膠的交換在例如大約Imm(毫米)至小于3mm內(nèi) 發(fā)生(對特定的典型粘合劑)。例如，如果沒有腔體的區(qū)域在給定腔體之間延伸約3mm，則 在一個維度上，氣泡可以沿著這3mm在不確定的任意位置處形成。在中間引入腔體，即在中 間，在距現(xiàn)有腔體1.5mm處，促使空氣集中在腔體處，即在明確限定的位置處。還可以根據(jù)其功能將這些附加腔體或凹坑稱為流量控制腔體。然而，這不排除其 同樣具有其它功能。相反，當(dāng)其它腔體或開口與光電或微電子元件的主要功能相結(jié)合地使 用，例如用于光的通過時，應(yīng)將其它腔體或開口稱為器件腔體。應(yīng)將要粘合在一起的兩個表 面之間(例如，在隔離物與襯底之間)的間隙或窄隙簡單地稱為間隙。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，如果凹坑或腔體是鄰接的且其沿著用于分割晶片的切 割線定位，則出現(xiàn)其另一種功能。如果在沒有粘合到頂部晶片的情況下分割隔離晶片，則由 切割鋸造成的鋸齒狀邊緣位于凹陷區(qū)域中而不是在諸如邊緣區(qū)的最高區(qū)域中。當(dāng)稍后將單 個隔離晶片以其頂面粘合到另一表面時，鋸齒狀邊緣不妨礙頂面與另一表面的對準(zhǔn)。當(dāng)只存在稍后產(chǎn)生的光學(xué)元件所需的器件腔體或開口時，則任何過量的膠應(yīng)積聚 在腔體的邊緣處。這要求膠劑量方法的一定精度，因為過多的膠最終將填充腔體至妨礙腔 體中的光學(xué)或電子元件的功能或光路徑的程度。然而，如果存在附加腔體，則過量的膠應(yīng)進(jìn) 入其中，在那里其不產(chǎn)生干擾。并且，空氣和過量的膠更快地流過被成形為通道的腔體，這 改善工藝的速度和膠厚度的均勻性。為了更好地控制膠的流量，在本發(fā)明的優(yōu)選變體中，將膠設(shè)置到流量控制腔體上 或其中。膠的設(shè)置服從膠潤濕要粘合在一起的兩個表面之間的間隙的前提。結(jié)果，膠被毛 細(xì)管力吸入間隙中，直至其到達(dá)間隙的末端為止，即在器件腔體的邊緣處。由這些邊緣來明 確限定膠的邊界。過量的膠保持在其來自的流量控制腔體中。膠可以流動的距離當(dāng)然受到 可用膠的量、其粘度和諸如膠和晶片材料的潤濕性等其它物理參數(shù)的限制。流量控制腔體比較容易在借助于形狀復(fù)制過程制成的晶片(不僅是隔離晶片)中 制造。然而，還可以將流量控制腔體和相應(yīng)結(jié)合方法應(yīng)用于用其它工藝和材料制造的晶片。由于通過形狀復(fù)制過程(而不是從玻璃板對其進(jìn)行機(jī)械加工)來形成隔離物，所 以可以在隔離物的表面中形成實際上任意的形狀并提供開口任意形狀，除底切形狀之外。 因此，在本發(fā)明另外的優(yōu)選實施例中，靠模(master)的頂面和底面以及因此的相應(yīng)隔離物 的頂面和底面中的至少一個包括用于收集剩余膠和空氣的凹槽或通道、或用于在形成晶片堆疊之后將隔離物中的開口連接到環(huán)境空氣的通道。此類通道可以在隔離物的頂面和/或 底面中形成。通過用承載功能元件的至少一個晶片堆疊根據(jù)本發(fā)明的至少一個隔離物來產(chǎn)生 晶片堆疊。通過將晶片堆疊分離或切割成多個晶片堆疊元件，制造相應(yīng)的集成光學(xué)器件作 為來自晶片堆疊的晶片堆疊元件。晶片堆疊可以是中間產(chǎn)物，包括例如一個晶片和一個隔 離物。可以在稍后對此類堆疊提供被隔離物隔開的另一晶片。或者，可以將堆疊切割成單 獨的元件，逐個地使用隔離物對該單獨元件進(jìn)行組裝。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，晶片一方面包括圍繞開口(或器件腔體)的隔離區(qū)域， 另一方面包括剩余區(qū)域。使得剩余區(qū)域或連接區(qū)域至少為晶片的一半厚，優(yōu)選地小于其總 厚度的20%。絕對地說，連接區(qū)域優(yōu)選地至少0. 2mm至0. 3mm厚，總厚度在例如0. 5mm至 Imm至1.5mm范圍內(nèi)。結(jié)果，晶片的機(jī)械穩(wěn)定性足以限定開口和周圍隔離區(qū)域的相對位置。 然而，由于連接區(qū)域是相對薄的，所以得到以下優(yōu)點■晶片與在全部區(qū)域上具有全厚度的晶片相比很少會翹曲。晶片變得較厚時，這 變得特別重要，例如對于大于Imm的厚度而言?！鲇捎趶哪＞呷コ蟮牟牧吓蛎洠苌贂豿y方向、即在晶片的平面 內(nèi)膨脹?！鼍娜魏尾糠痔幍挠行П诤駵p小。也就是說，從晶片的最深點到晶片表面的 距離減小。結(jié)果，用于硬化的更多UV光到達(dá)最深點，并改善了硬化過程。在UV照射之后， 當(dāng)晶片不再在模具中時發(fā)生且可能還涉及不期望的晶片變形的硬化的時間減少?？梢詫⑦B接區(qū)域-通常為在晶片的至少一個表面中成形的凹槽結(jié)合到隔離晶片 中，以及承載功能元件的晶片中，諸如結(jié)合被模制到晶片中或其上的透鏡的模制晶片。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，隔離區(qū)域包括具有平行于隔離晶片的平面的基本 上平坦的表面的小的提高突出體，其限定隔離晶片的總厚度。這對于必須明確限定隔離物 厚度的應(yīng)用而言可能是必要的。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，連接區(qū)域包括直角通道網(wǎng)格。這留下矩形、臺狀隔 離物區(qū)域。所述通道優(yōu)選地被布置為處于晶片堆疊(限定？)將被分割成單元元件、即沿 著切割線分割的位置上。因此，還可以將通道稱為切割通道。得到以下其它優(yōu)點■切割鋸必須切穿較少的隔離物晶片材料，減少鋸條上的磨損，和/或允許更快 的分割?！鲣徢羞^程中的可選改善是切割中的鋸切步驟的減少可以在不必使鋸切過程適 應(yīng)材料變化的情況下鋸穿多層材料。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，連接區(qū)域包括被接合隔離物區(qū)域的橋元件分離的 通孔。這進(jìn)一步減少可能促進(jìn)隔離晶片的翹曲及其它變形的連接區(qū)域中的材料量。優(yōu)選地，切割通道的寬度在0. 2mm左右，即類似于切割鋸條的厚度。優(yōu)選地，通道 寬度略大，考慮到了通道與鋸的相應(yīng)的不對準(zhǔn)。將深連接區(qū)域的優(yōu)點與流量控制腔體不應(yīng)過深的要求組合得到本發(fā)明的混合優(yōu) 選實施例在這里，表面區(qū)域一方面包括限定隔離晶片的厚度的突出體，另一方面包括用于 沉積膠和/或用于吸收過量膠的局部流量控制腔體相對深的連接區(qū)域?qū)⑦^深而不允許足 夠量的膠到達(dá)被粘合到隔離區(qū)域上的襯底。因此，將這些一個或多個局部流量控制腔體布置在隔離區(qū)域的頂面上。膠被沉積在這些流量控制腔體中，并且當(dāng)將隔離物粘合到另一表 面時如已經(jīng)解釋地那樣造成膠的流動。在用于產(chǎn)生隔離晶片或工具的復(fù)制過程中，深的連接區(qū)域可能由于陷入空氣而導(dǎo) 致問題。因此，作為僅在模具(工具或靠模)上傾倒復(fù)制品的替代，執(zhí)行以下步驟-最初，將復(fù)制材料的至少一部分噴灑到模具上，從而潤濕整個復(fù)制表面并優(yōu)選地 填充深特征。一方面，其在沒有陷入空氣的情況下填充模具的較深特征，另一方面，大大地 改善了模具表面的潤濕性。-隨后，將液體復(fù)制材料分布在模具上。這優(yōu)選地通過將預(yù)定量的液體復(fù)制材料放 置到模具上、至少大約在模具的中間處并隨后朝著模具移動板(反之亦然)、促使復(fù)制材料 向外流、覆蓋整個模具并將空氣推出來實現(xiàn)。最初對模具噴灑復(fù)制材料以便改善相對于隨后涂敷的復(fù)制材料的潤濕性的這種 方法當(dāng)然可適用于任何復(fù)制階段，特別是涉及深且窄的特征的階段。膠以一定的潤濕角或接觸角(即內(nèi)角，在膠內(nèi)部，在模具表面與膠表面之間)沿著 模具的干燥表面流動。對于干燥模具而言，此角度通常大于90°。結(jié)果，在模具的形狀周圍 流動并再次相遇的膠很可能在會聚的膠之間陷入空氣。相反，如果至少用膠的薄膜來覆蓋模具表面，則在模具表面上流動的成塊膠之間 的潤濕角是小的，通常遠(yuǎn)低于90°結(jié)果，在形狀周圍流動的膠首先在該形狀的表面處相遇， 并且在膠的兩個會聚部分之間不陷入空氣。在本發(fā)明的另一實施例中，不僅是隔離物，而且晶片堆疊的其它元件由塑料材料 制成并通過形狀復(fù)制過程來制造。此類其它元件特別地是承載功能元件的晶片、和光學(xué)功 能元件(折射和/或衍射透鏡)本身。塑料材料可以是樹脂、環(huán)氧或熱塑性材料，并且優(yōu)選 地是可固化的，特別是UV可固化的。所選塑料材料優(yōu)選地被設(shè)計為能夠經(jīng)受達(dá)到約260°C的溫度，以便例如考慮到了 對晶片堆疊和將其安裝在上面的印刷電路進(jìn)行回流焊接。結(jié)果，通過用塑料材料替換用于晶片襯底的常見玻璃材料，可以用相同或類似的 過程來制造不同的晶片類型，這簡化制造過程并減少所使用的工具和設(shè)施的數(shù)目。通過從屬權(quán)利要求，其它優(yōu)選實施例是顯而易見的?？梢詫⒎椒?quán)利要求的特征 與器件權(quán)利要求的特征組合，反之亦然。
在下文中將參照在附圖中以示意性的方式示出的優(yōu)選示例性實施例來更詳細(xì)地 解釋本發(fā)明的主題，在附圖中圖1示出靠模的頂視圖；圖2示出靠模的截面的橫向剖視圖；圖3示出具有從靠模成形的工具的靠模的截面的橫向剖視圖；圖4示出具有復(fù)制材料的工具的截面的橫向剖視圖；圖5示出工具的截面的橫向剖視圖，具有在工具與板之間成形的復(fù)制材料；圖6示出結(jié)果得到的隔離物的截面的橫向剖視圖；圖7示出隔離物的立視圖8示出隔離物的細(xì)節(jié)的橫向剖視圖；圖9示出晶片堆疊的細(xì)節(jié)的橫向剖視圖；圖10示出靠模的另一實施例的橫向剖視圖；圖11示出隔離物的相應(yīng)細(xì)節(jié)的橫向剖視圖；圖12示出隔離物的相應(yīng)細(xì)節(jié)的立視圖；圖13在立視圖和橫向剖視圖中示出具有連續(xù)或連接通道的隔離物和沉積的膠 滴；圖14示出不相連的凹槽或通道；圖15示出沒有功能相關(guān)開口的隔離物中的不相連凹槽或通道；圖16示出空氣和過量的膠朝著凹槽的流動；圖17示出具有深凹槽并因此較不易于翹曲的隔離物；圖18示出本發(fā)明的優(yōu)選實施例中的隔離晶片的單個切斷隔離元件；圖19示出本發(fā)明的優(yōu)選實施例中的單個切斷晶片堆疊元件；以及圖20示出用于用膠的兩步涂敷來復(fù)制隔離晶片的工藝步驟。在圖中所使用的參考標(biāo)號及其意義在參考標(biāo)號列表中以概要的形式列出。原則 上，在圖中對相同的部分提供相同的參考標(biāo)號。
具體實施例方式圖1示出靠模3的頂視圖，并且圖2示出靠模3的截面的橫向剖視圖?？磕?包 括腔體23并具有本質(zhì)上與最終隔離晶片相同的形狀，例外的是某些維度(x，y，x)膨脹而補 償在隔離晶片制造過程期間發(fā)生的任何收縮。通常，只要隔離晶片的高度或厚度不超過某 一高度，則只需補償晶片的高度(ζ維度)的收縮，并且可以忽視平面(X和y維度)內(nèi)的收 縮。對于較厚的隔離晶片，例如，對于某些材料而言大于1mm，晶片可能在固化期間或之后翹 曲?？磕?可以是由金屬或玻璃或其它材料制成的高精度機(jī)械加工部件。出于制造隔離晶 片的本目的，優(yōu)選地通過由鋼或玻璃來制造靠模隔離晶片并隨后將其粘合到由鋼或玻璃制 成的平面來產(chǎn)生靠模。可以用抗粘附涂層來處理靠模以便在模具制造步驟期間更好地釋放 模具2。腔體23被示為是具有垂直側(cè)壁的圓形，但是還可以包括其它形狀和傾斜的壁，得到 相應(yīng)地形成的隔離物。腔體23、或隔離晶片上的其它特征形成例如每2mm至3mm至5mm重 復(fù)的網(wǎng)格。在下一步驟中，由靠模3來制造模具，或簡單地說是工具2。這通過在靠模3的頂 部上傾倒液體或粘性材料來執(zhí)行。圖3示出具有從靠模3成形的工具2的靠模3的截面的 橫向剖視圖。一旦液體或粘性材料凝固，則將工具2與靠模3分離。因此，工具2具有靠模 3的負(fù)版外形(negative topography) 0工具2可以由材料合成物制成。例如，可以使用玻 璃背板(圖中未示出)來增加工具的硬度，同時使用柔軟材料來對靠模的外形進(jìn)行成形。相 對軟(與玻璃相比)的工具材料可以由諸如PDMS(聚二甲基硅氧烷)的塑料制成。在工具準(zhǔn)備好的情況下，可以開始隔離晶片制造。為此，向工具2上沉積或傾倒限 定量的可固化材料(優(yōu)選地為諸如環(huán)氧材料的UV固化材料)。圖4示出此階段的橫向剖視 圖，亦即添加有復(fù)制材料20的工具2的截面。然后，將板4放置在工具2和復(fù)制材料20上?？梢韵虬?施加一些壓力以迫使復(fù)制材料20進(jìn)入工具2的腔體。在面對隔離材料20的板4的一側(cè)，可以施加抗粘結(jié)層5以 使得在固化之后容易分離隔離晶片?？拐辰Y(jié)層5可以是僅用于隔離晶片一次的犧牲聚酯薄 膜箔。硬背板4可以是玻璃板以也讓UV光在復(fù)制材料20的UV固化期間通過玻璃板4。圖 5示出具有工具2的截面的此階段的橫向剖視圖，具有在工具2和板4之間成形的復(fù)制材料 20 (或箔5，如果其存在)。一旦隔離晶片材料20被均勻地散布于工具2，則將整個夾層結(jié)構(gòu)(工具2、蓋板4、 可選箔5和隔離材料20)放置在UV光下以使隔離晶片材料20凝固。在凝固之后，可以通 過提升頂板4并從新成形的隔離晶片1去除隔離晶片工具2來打開該夾層結(jié)構(gòu)。然后可以 再次填充工具2以制造下一個隔離晶片1。通常，可以從工具制造幾十個至幾百個隔離晶 片。從一個工具制造的隔離晶片的數(shù)目是隔離晶片和工具材料的相容性的函數(shù)。出于經(jīng)濟(jì) 原因，工具材料與隔離晶片材料的良好相容性有益于使工具的使用壽命最大化。在從工具分離隔離晶片1之后，犧牲聚酯薄膜箔5可以保持附著于隔離晶片1。此 聚酯薄膜箔5可以繼續(xù)留在隔離晶片1上作為存儲或其它工藝步驟期間的保護(hù)箔。圖6示 出在固化并去除工具2和板4之后結(jié)果得到的隔離物或隔離晶片1的截面的橫向剖視圖。 在本示例中，示出了仍附著于隔離物1的箔5。在某些情況下，可以在聚酯薄膜箔5與工具2之間形成環(huán)氧材料的薄層或膜。此 膜在從隔離物1去除箔5時脫落，或者可以用壓縮空氣將其吹除。圖7示出隔離物1的立視圖。隔離物1的幾何結(jié)構(gòu)由原始靠模3的形狀確定，除 由于在工具復(fù)制中和隔離物復(fù)制過程中的收縮而引起的尺度變化之外。隔離物1因此包括 多個開口 13，開口 13通過邊緣或邊緣區(qū)域15與隔離物的頂面11和底面12分離。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，復(fù)制材料20在固化期間、或者更一般地說在凝固過程 期間的收縮行為促使隔離孔周圍的側(cè)壁保持總體上略微高于隔離晶片1的平均高度。此高 度差在幾微米的范圍內(nèi)，諸如一至十微米。圖8示出隔離物的細(xì)節(jié)的相應(yīng)橫向剖視圖。隔離晶片孔或開口 13周圍的此增加的高度在將隔離晶片1粘合到扁平晶片期間 具有積極效果，諸如在形成晶片堆疊8時。這在圖9中示出，圖9示出晶片堆疊8的細(xì)節(jié)的 橫向剖視圖；由于毛細(xì)管力的效應(yīng)，涂敷于隔離物1表面的膠17被拉到膠間隙的最薄部分， 亦即到隔離開口 13周圍的表面區(qū)域。因此，膠集中在隔離開口 13周圍，并且迫使可能被陷 入隔離物1與相鄰頂部晶片6之間的膠中的氣泡18遠(yuǎn)離邊緣15。結(jié)果，通過用頂部晶片 6(和底部晶片7)覆蓋開口 13產(chǎn)生的隔離孔腔體被膠17密封。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施 例中，(還)通過對靠模3和工具2進(jìn)行成形以產(chǎn)生凹坑16來形成凹坑16。請注意，將頂面11和底面12、及頂部晶片6和底部晶片7標(biāo)記為“頂部”和“底部” 以便易于說明；更一般地說，還可以將其標(biāo)記為“第一”和“第二”表面/晶片?？諝獾南萑胫饕趯㈨敳烤?粘合到隔離物時是個問題如果首先將底部晶片 7粘合到隔離物1，則開口 13打開，并且膠可能從隔離物下面溢出到開口 13，使空氣移位通 過開口 13。然而，當(dāng)隨后將頂部晶片6粘合到隔離物1時，則空氣不能再通過開口 13溢出， 因為其現(xiàn)在在兩端處是關(guān)閉的。這是在由提高的邊緣引起的毛細(xì)管效應(yīng)開始起作用來密封 邊緣15時的情況。圖9還舉例示出由開口 13限定的腔體之一中的功能元件9。實際上，通常每個開 口 13將包括此類功能元件9。這些功能元件9通常是光學(xué)或電光器件，諸如折射或衍射透鏡、光受體、光敏或光發(fā)射器件、圖像傳感器等。對于每個晶片，功能元件9通常是彼此相同 的并由晶片規(guī)模制造工藝產(chǎn)生，例如用于形成元件的復(fù)制過程或用于形成電子或光電元件 的IC制造。在將功能元件9與隔離物1組合之前將其布置在頂部晶片6和/或底部晶片7 上。當(dāng)晶片堆疊8完成時，這可能涉及未示出的晶片和隔離物，沿著切割線22將晶片堆疊 8切割成單獨元件、或晶片堆疊元件19，其優(yōu)選地是集成光學(xué)器件21。圖10示出包括在復(fù)制之后得到布置在圖11所示的開口 13周圍的隔離凹槽25的 靠模凹槽24的靠模3。隔離凹槽25優(yōu)選地被沿著切割線布置并用于在將頂部晶片6放置 在隔離物1上時收集過量的膠。隔離凹槽25可以相互連接并連接到隔離物1的側(cè)面，或者 其可以形成收集并包含多余膠的隔離體積并通過毛細(xì)管力迫使空氣遠(yuǎn)離邊緣或邊緣區(qū)域 15。在用于將頂部晶片6粘合到隔離物1上的相應(yīng)方法中，僅將膠涂敷于頂面11的選擇區(qū) 域。例如通過(絲)網(wǎng)印刷或噴射(類似于噴墨式印刷機(jī)中的噴墨印刷)來實現(xiàn)此選擇性 膠沉積。將所選區(qū)域或粘合區(qū)域28布置在留在開口 13與隔離凹槽25并且可選的通氣通 道26之間的表面區(qū)域中的頂面11上，在下文中進(jìn)行解釋圖12示出隔離物1的相應(yīng)細(xì)節(jié)的立視圖。僅示出了多個隔離元件中的四個。該 隔離元件被對應(yīng)于未來切割線的隔離凹槽25分離。隔離元件中的三個被示為具有被頂面 11完全圍繞的開口 13，使得在將頂部晶片6粘合到隔離物1之后，開口 13將被密封，如參 照圖9所解釋的那樣。隔離元件之一包括遠(yuǎn)離開口 13引出的頂面11中的通氣通道26。在 不應(yīng)將開口 13密封的應(yīng)用中使用此類實施例。通氣通道26通向遠(yuǎn)離開口 13的位置并例 如在切割晶片堆疊時被切開。在切開通氣通道26之后，開口 13向環(huán)境空氣打開。通氣通 道26優(yōu)選地包括障礙物，例如，諸如曲徑(meander) 27或窄部的形狀特征。此類障礙物允 許空氣流過完成的通道26，但是形成用于例如在切割晶片堆疊時使用的冷卻液體的障礙， 從而防止液體進(jìn)入開口 13。當(dāng)向頂面11涂敷膠時，通氣通道26當(dāng)然也被從粘合區(qū)域28排 除?？梢韵蛘澈媳砻?8本身涂敷膠，而且可以向凹槽25的選擇部分涂敷，例如在凹槽25 的網(wǎng)格的交叉點29處。在后一種情況下，當(dāng)將頂部晶片6放置在隔離晶片1上時，膠將被 毛細(xì)管力吸出凹槽25并散布于粘合表面28上。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，對于每個開口 13而言，僅存在單個此類通氣通道26。 這將防止在切割鋸切穿通氣通道26時水通過通氣通道26進(jìn)入，因為不存在相應(yīng)體積的空 氣可以通過其離開開口 13第二通道。雖然圖12舉例示出作為同一隔離物1的一部分的兩種不同類型的隔離元件，但實 際上通常所有的隔離元件將是相同類型的，亦即有或沒有通氣通道26。圖13在立視圖和在橫向剖視圖A-A'中示出與在圖12中類似的通道或凹槽25。 剖視圖A-A'示意性地示出在凹槽25的交叉點處設(shè)置在凹槽25中或之上的膠滴30。還可 以沿著凹槽25將液滴30涂敷于其它位置，或邊緣區(qū)域15。在所有情況下，毛細(xì)管力將膠吸 出凹槽25進(jìn)入位于隔離晶片1上的另一晶片之間的空間并使膠分布在晶片之間。此方法 起作用的前提是在將另一晶片放置在隔離晶片1上之后，膠必須與兩個晶片之間的窄隙或 間隙接觸，以便被吸入間隙中。為了此方法起作用，對于液體環(huán)氧膠而言，凹槽25與其它凹 槽25或開口 13之間的距離應(yīng)為2mm或3mm或5mm左右。圖14在立視圖中示出在隔離物中具有分離或不相連凹槽的其它布置與圖12的 交叉和接合的凹槽25相反，凹槽25是不相交的。凹槽25充當(dāng)流體控制腔體，因為其控制
12邊緣區(qū)域15中的空氣和膠的流量。流量控制腔體可以具有變化尺寸和在晶片表面上的分 布。流體控制腔體的寬度可以為從0. 05mm至10mm，其深度例如為0. 02mm至10mm，并且腔 體的間距可以是0. 1匪至10匪。根據(jù)圖15，使用本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例將沒有任何開口 13的晶片粘合到襯底。 凹槽25控制膠的流量，使得一方面過量的膠被集中在凹槽中，并且另一方面，任何陷入空 氣被收集在凹槽25中。這允許控制氣泡的位置，使得膠層的預(yù)定區(qū)域28沒有空氣。當(dāng)然， 還可以用交叉和接合凹槽來實現(xiàn)此流量控制。圖16在橫向剖視圖中示意性地示出由箭頭 指示的空氣和過量的膠17朝著凹槽25的流動，如果膠17位于遠(yuǎn)離凹槽25 (或開口 13)的 位置的話。雖然所示的示例是基于液滴沉積，即單獨地沉積一滴膠，但本發(fā)明在沿著線或多 個線段沉積膠時也可適用。此類線可以是直線或曲徑線。原則上，參照圖11至16所解釋的流動效應(yīng)、幾何特征15、16、25和膠設(shè)置可適用 于任何類型的晶片，不僅是在復(fù)制過程中制成的隔離晶片1。然而，復(fù)制過程使得特別容易 制造具有用于控制膠流量的幾何特征的隔離晶片1。如果稍后將在制造過程中切割晶片，則再次優(yōu)選地將凹槽25設(shè)置為與切割線22一致。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，凹槽25的深度至少是隔離晶片1的厚度的一半或 達(dá)到80%或以上。絕對地說，對于例如Imm至1.5mm或2mm的隔離晶片而言，凹槽或通道 25優(yōu)選地如此深，以致于將晶片保持在一起的剩余材料具有0. 2mm至0. 4mm至0. 5mm的厚 度。圖17示意性地示出此類隔離晶片1的截面的視圖，深凹槽25將剩余材料限定為臺狀 隔離元件31。具有此類深凹槽25防止隔離晶片1翹曲或過度收縮。在切割線22與深凹槽 25 一致的情況下，切割過程對鋸產(chǎn)生較少的磨損，并且可以使其簡化。圖18示出與晶片分離的單個隔離元件31。隔離元件31的頂面33包括從頂面33 突出的微隔離物32。其突出的高度優(yōu)選地約為20微米，亦即在10或15至25或35微米之 間。由于本實施例中的深凹槽25可能太深而不能在使隔離晶片1接合到頂部晶片6之前 沉積膠17，所以優(yōu)選地將膠17涂敷到頂面33。微隔離物32限定頂部晶片6?？吭诟綦x晶 片1上的精確距離。就膠的流動而言，微隔離物32對應(yīng)于圖11的邊緣15，并且頂面33的 其余部分對應(yīng)于圖11的凹坑16。還可以將這些頂面33視為局部流量控制腔體33，亦即局 限于對應(yīng)于一個晶片堆疊元件19的特定臺面的隔離區(qū)域的流量控制腔體。頂面還可以包 括如圖12所示的一個或多個通氣通道?？梢灾圃鞗]有頂部晶片6的中間產(chǎn)物并將其切割、即分割成單獨的晶片堆疊元件 19。結(jié)果得到的晶片堆疊元件19因此至少包括底部晶片7的切斷部分(例如，具有光學(xué)或 電子元件)和隔離晶片1?？梢栽趩为毜纳院筮^程中將此晶片堆疊元件19通過隔離晶片的 自由頂面逐個地粘合到另一對象。然后，流量控制腔體可以提供其功能。圖19示出此類單個切斷晶片堆疊元件19，其被從晶片堆疊切斷并包括底部晶片7 的至少切斷部分和隔離元件31。這里所示的隔離元件包括覆蓋隔離元件31的幾乎整個頂 面的微隔離物32，但其被形成剩余頂面33的小橫檔(ledge)與原始凹槽25和對應(yīng)于凹槽 25的切割線隔開。此橫檔對應(yīng)于圖9和11所示的凹陷區(qū)域16。因此，又一個微隔離物32 被布置在第一和第二表面11、12中的至少一個上并與切割線22相距預(yù)定的距離。
當(dāng)然，還可以用如在圖18中成形的隔離物來制造晶片堆疊元件19。如圖18和19中的微隔離物32與切割線間隔開這一事實提供切割鋸不干擾隔離 晶片或單個晶片堆疊元件19的最頂面(即，微隔離物32的頂面)的附加優(yōu)點。由切割鋸 切割到隔離元件31的主體中產(chǎn)生的任何鋸齒狀邊緣將局限于剩余頂面33的區(qū)域，其比微 隔離物32的低。結(jié)果，此類非理想邊緣在將頂面粘合到另一元件時不產(chǎn)生干擾。橫檔的寬 度例如在100與300微米之間，并且其高度與參照圖18描述的微隔離物32的一樣。圖20示出用于復(fù)制包括諸如深凹槽25的深特征、和在步驟a)中提供的工具中的 相應(yīng)地相對薄且高的隔離元件31的隔離晶片1的工藝步驟。這些隔離元件31對應(yīng)于工具 2中的深隔離元件負(fù)版34。深凹槽25對應(yīng)于工具2中的高脊35。圖4所示的復(fù)制步驟、即 在工具2上沉積一滴隔離材料20并在工具2上散布隔離材料20可以導(dǎo)致在工具2的較深 特征34中陷入空氣。因此，在本發(fā)明的優(yōu)選變體中，在第一沉積步驟b)中，將隔離材料或 復(fù)制材料20噴灑到工具2上，用薄層覆蓋工具2的整個復(fù)制表面。優(yōu)選地，較深特征34也 在此步驟中被至少部分地填充。在隨后的沉積步驟C)中，將復(fù)制材料20放置或傾倒在工具上，優(yōu)選地接近工具的 中間。在另一步驟d)中，如箭頭所指示的，復(fù)制材料20在工具2上向外流動，隨著板4相 對于工具2朝著工具2移動而被重力和/或板4驅(qū)動?；蛘?，可以將工具2浸入復(fù)制材料 中，填充剩余腔體。相同的過程當(dāng)然可適用于由靠模3產(chǎn)生工具2本身，和其中需要填充深特征的任 何其它復(fù)制過程。雖然在本發(fā)明的本優(yōu)選實施例中已描述了本發(fā)明，但應(yīng)清楚地理解的是本發(fā)明不 限于此，而是可以在權(quán)利要求范圍內(nèi)以各種方式來體現(xiàn)和實施。
0112]標(biāo)號列表0113]1隔離物0114]2工具0115]3靠模0116]4背板0117]5箔、抗粘附層0118]6頂部晶片0119]7底邰晶片0120]8晶片堆疊0121]9功能元件0122]10隔離體0123]11頂面0124]12底面0125]13開口0126]14側(cè)壁0127]15邊緣0128]16凹坑0129]17膠
14
18空氣
19晶片堆疊元件
20隔離材料
21光學(xué)器件
22切割線
23腔體
24靠模中的凹槽
25隔離物或晶片中的凹槽
26通氣通道
27曲徑
28粘合區(qū)域
29交叉點
30膠滴
31隔離元件
32微隔離物
33頂面
34隔離元件負(fù)版
35脊
權(quán)利要求
在一種用于通過在承載多個功能元件(9)的第一晶片(6)與承載與第一晶片(6)的功能元件(9)對準(zhǔn)的多個功能元件(9)的第二晶片(7)之間夾入隔離晶片來產(chǎn)生晶片堆疊(8)并將晶片堆疊(8)分離成多個集成光學(xué)器件(21)而制造集成光學(xué)器件(21)的方法中一種制造用于晶片堆疊(8)的隔離晶片(1)的方法，隔離晶片(1)包括具有第一表面(11)和第二表面(12)的隔離體(10)，隔離晶片(1)被成形為將靠著第一表面(11)放置的第一晶片(6)和靠著第二表面(12)放置的第二晶片(7)保持在相互之間相距恒定距離，隔離晶片(1)還包括多個開口(13)，包括步驟●提供成形工具(2)；●借助于形狀復(fù)制過程，根據(jù)工具(2)的形式來形成隔離物(1)。
2.權(quán)利要求1的方法，其中，形成隔離物(1)的步驟包括步驟 提供可變形狀態(tài)的隔離材料(20)；眷將隔離材料(20)的形狀限定為工具(2)的負(fù)版； 眷對隔離材料(20)進(jìn)行硬化，從而產(chǎn)生隔離晶片(1)； 將隔離晶片(1)與工具(2)分離。
3.權(quán)利要求2的方法，其中，提供可變形狀態(tài)的隔離材料(20)的步驟包括步驟 通過噴灑將隔離材料(20)的量的至少一部分沉積到工具(2)上； 可選地通過傾倒或浸漬將隔離材料(20)的量的其余部分沉積到工具(2)上。
4.權(quán)利要求2或權(quán)利要求3的方法，其中，限定隔離材料(20)的形狀的步驟包括步驟 在工具(2)與硬板(4)之間、優(yōu)選地在工具(2)的中心區(qū)域附近布置隔離材料(20)； 使板(4)和工具(2)彼此相對地移動，直至板(4)處于與工具(2)的預(yù)定距離為止；優(yōu)選地迫使隔離材料(20)從中心區(qū)域向外。
5.權(quán)利要求3或4的方法，其中，在板(4)與隔離材料(20)之間布置抗粘附層(5)。
6.權(quán)利要求2至5中的一項的方法，其中，第一和第二表面(11、12)中的至少一個包括 將所述表面(11、12)與開口(13)分離的邊緣(15)，并且其中，對隔離材料(20)進(jìn)行硬化的 步驟包括使邊緣(15)附近的區(qū)域中的隔離晶片(1)的厚度收縮得比在邊緣(15)本身處的 大。
7.前述權(quán)利要求中的一項的方法，其中，提供成形工具(2)的步驟包括借助于形狀復(fù) 制過程根據(jù)靠模(3)的形狀來形成工具(2)。
8.一種用于將晶片堆疊(8)的兩個晶片分離的隔離物(1)，晶片堆疊(8)包括承載多 個功能元件(9)的第一晶片(6)和承載與第一晶片(6)的功能元件(9)對準(zhǔn)的多個功能元 件(9)的第二晶片(7)，晶片堆疊(8)可分離成多個集成光學(xué)器件(21)，所述隔離物是包括具有第一表面(11))和第二表面(12)的隔離體(10)的隔離晶片 (1)，隔離晶片(1)被成形為將靠著第一表面(11)放置的第一晶片(6)和靠著第二表面 (12)放置的第二晶片(7)保持在相互之間相距恒定距離 隔離晶片(1)還包括多個開口(13)， 其中，借助于形狀復(fù)制過程來制造隔離晶片(1)。
9.權(quán)利要求8的隔離物(1)，其中，隔離物(1)由通過固化被硬化的材料制成。
10.權(quán)利要求9的隔離物(1)，其中，隔離晶片⑴由UV固化材料、特別是環(huán)氧樹脂制成。
11.權(quán)利要求10的隔離物(1)，其中，隔離物(1)由熱塑性材料制成。
12.—種晶片(1)，其優(yōu)選地根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項制造，并將會被結(jié)合在晶片 堆疊(8)中，晶片堆疊(8)包括承載多個功能元件(9)的第一晶片(6)和承載與第一晶片(6)的功能元件(9)對準(zhǔn)的多個功能元件(9)的第二晶片(7)，晶片堆疊⑶可分離成多個 集成光學(xué)器件(21)，晶片(1)包括具有將被靠著另一晶片(6)的表面放置的至少第一表面(11)的主體 (10)，晶片(1)還在至少第一表面(11)中包括多個腔體(25)，其適合于在靠著另一晶片(6) 粘合晶片(1)時收集過量膠和空氣中的至少一個。
13.權(quán)利要求12所述的晶片(1)，晶片是用于將晶片堆疊(8)分離的隔離晶片(1)， 隔離晶片(1)包括具有第一表面(11)和第二表面(12)的隔離體(10)，隔離晶片(1)被成形為將靠著第一表面(11)放置的第一晶片(6)和靠著第二表面(12)放置的第二晶片(7)保持在相互之間相距恒定距離，隔離晶片(1)還包括多個開口(13)，其中，第一和第二表面(11、12)中的至少一個包括將所述表面(11、12)與開口(13) 分離的邊緣區(qū)域(15)，并且其中，邊緣區(qū)域(15)處的隔離晶片(1)的厚度超過在邊緣區(qū)域 (16,25)周圍的表面位置處的隔離晶片(1)的厚度。
14.權(quán)利要求13的晶片(1)，其中，表面(11)相對于邊緣區(qū)域(15)形成凹坑(16)。
15.權(quán)利要求14的晶片(1)，其中，邊緣區(qū)域(15)處和邊緣區(qū)域(15)周圍的表面位置 處的厚度差在一至十個微米范圍內(nèi)。
16.一種用于將晶片堆疊(8)的兩個晶片分離的如權(quán)利要求13至15中的一項所述的 晶片(1)，其中，適合于收集過量膠和空氣中的至少一個的腔體(25)是布置在開口(13)之 間的第一和第二表面(11、12)中的至少一個上并通過邊緣區(qū)域(15)與開口(13)分離的隔 離凹槽(25)。
17.權(quán)利要求13至16中的一項所述的晶片(1)，其中，隔離凹槽(25)與用于將晶片堆 疊(8)分離成單獨器件(21)的切割線(22)重合。
18.權(quán)利要求16或17所述的晶片(1)，其中，隔離凹槽(25)的深度為隔離物⑴的高 度的至少50%至80%或90%，并且優(yōu)選地通過復(fù)制過程來制造晶片(1)。
19.權(quán)利要求8至11或13至18中的一項所述的隔離晶片(1)，包括在隔離物(1)的 表面(11、12)中成形的從開口(13)引向遠(yuǎn)離各開口(13)的所述表面的位置的通氣通道 (26)。
20.權(quán)利要求19的隔離晶片(1)，其中，通氣通道(26)包括阻礙材料流過通氣通道 (26)的障礙物。
21.權(quán)利要求17至20的隔離晶片(1)，包括布置在第一和第二表面(11、12)中的至少 一個上并與切割線(22)相距預(yù)定距離的又一微隔離物(32)。
22.—種晶片堆疊(8)，包括權(quán)利要求8至21中的一項的隔離物或晶片(1)。
23.一種晶片堆疊元件(19)，其是通過將晶片堆疊(8)分離成多個晶片堆疊元件(19)從權(quán)利要求22所述的晶片堆疊(8)制造的。
24.一種用于結(jié)合至少兩個晶片(1、6)的方法，包括步驟_提供第一晶片(1)，第一晶片⑴在第一晶片⑴的至少第一表面(11)中包括多個 流量控制腔體(25)和多個提高區(qū)域(15)； _提供另一晶片(6)；-在第一晶片(1)和另一晶片(6)中的至少一個上沉積粘合劑(17)； -將第一晶片(1)的第一表面(11)放置為接近于另一晶片(6)，有粘合劑(17)在其之 間，從而促使粘合劑(17)被毛細(xì)管力驅(qū)動而從流量控制腔體(25)流到提高區(qū)域(15)并從 而使陷入在晶片(1、6)之間的空氣從提高區(qū)域(15)移位到流量控制腔體(25)。
25.權(quán)利要求24的方法，包括在將粘合劑(17)沉積在第一晶片(1)的流量控制腔體 (25)中、或在當(dāng)?shù)谝痪?1)和另一晶片(6)被放置為相互接近時對應(yīng)于流量控制腔體 (25)的位置的位置處的另一晶片(6)上。
全文摘要
用于晶片堆疊(8)的隔離晶片(1)包括具有第一表面(11)和第二表面(12)的隔離體(10)，并意圖夾在第一晶片(6)與第二晶片(7)之間。也就是說，隔離物(1)將靠著第一表面(11)放置的第一晶片(6)和靠著第二表面(12)放置的第二晶片(7)保持在相互之間相距恒定距離。隔離物(1)提供被布置為使得第一晶片(6)和第二晶片(7)的功能元件(9)可以與開口對準(zhǔn)的開口(13)。隔離物(1)借助于形狀復(fù)制過程由成形工具(2)形成并優(yōu)選地由通過固化被硬化的材料制成。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，第一和第二表面(11、12)中的至少一個包括將所述表面(11、12)與開口(13)分離的邊緣(15)且邊緣(15)處的隔離晶片(1)的厚度超過邊緣(15)周圍的表面位置處的隔離晶片(1)的厚度。
文檔編號G02B6/42GK101946199SQ200880127057
公開日2011年1月12日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月19日
發(fā)明者A·比特希, H·魯?shù)侣? M·羅西, N·斯普林 申請人:赫普塔岡有限公司