專利名稱：：具有提高電子遷移率的量子阱的顯示基板和顯示裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種顯示基板和包含該顯示基板的顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及具有提高電子遷移率的量子阱的顯示基板，以及包含這種顯示基板的顯示裝置。
背景技術：
：人們一直在持續(xù)努力通過增加顯示尺寸和質(zhì)量來改進顯示裝置。尤其是，一直在努力改善通常被用于驅(qū)動液晶顯示器(LCD)的薄膜晶體管(TFT)的電特性。常規(guī)TFT通常使用溝道結(jié)構(gòu)，該溝道結(jié)構(gòu)是借助于氫化非晶硅(a-Si:H)圖案形成的。包含這種氫化非晶硅的常規(guī)TFT具有較低的電子遷移率，并且具有由它們的電特性劣化引起的操作可靠性問題。因此，人們一直在持續(xù)努力改進TFT，以提高顯示裝置的質(zhì)量和性能。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的各個方面提供一種顯示基板，所述顯示基板包括具有優(yōu)良的操作特性的薄膜晶體管(TFT)。本發(fā)明的各個方面還提供顯示質(zhì)量得到提高的顯示裝置。然而，本發(fā)明的各個方面并不限于本文中描述的這些。對于本發(fā)明所屬領域的普通技術人員，通過參考下面給出的本發(fā)明的詳細描述，本發(fā)明的上述和其它方面將變得更加明顯。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種顯示基板，該顯示基板包括柵極布線；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并且具有第一能帶隙；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙；數(shù)據(jù)布線，所述數(shù)據(jù)布線形成在所述第一半導體圖案上；以及像素電極，所述像素電極與所述數(shù)據(jù)布線電連接。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種包括薄膜晶體管的顯示基板，所述薄膜晶體管包括；柵極電極；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極電極上，并且包含非晶硅；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且包含氧化物；源極電極，所述源極電極形成在所述第二半導體圖案上；以及漏極電極，所述漏極電極形成在所述第二半導體圖案上而與所述源極電極分開。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一顯示基板；第二顯示基板，所述第二顯示基板面對所述第一顯示基板；以及液晶層，所述液晶層置于所述第一顯示基板和所述第二顯示基板之間，其中所述第一顯示基板包括柵極布線；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并且具有第一能帶隙；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙；數(shù)據(jù)布線，所述數(shù)據(jù)布線形成在所述第一半導體圖案上；以及像素電極，所述像素電極與所述數(shù)據(jù)布線電連接。通過參考下列附圖，詳細地描述本發(fā)明的示例性實施方案，本發(fā)明的上述和其它方面以及特征將變得更加明顯，在附圖中-圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的顯示基板的布置圖2是沿圖1的線II-II，截取的顯示裝置的橫截面圖3A是用于說明圖2所示的薄膜晶體管(TFT)的操作的能帶圖3B是圖2的部分A的放大圖4至6是顯示圖2的TFT的特性的圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方案的第一顯示基板的橫截面圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方案的顯示基板的橫截面以及圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方案的顯示基板的橫截面圖。具體實施例方式通過參考下面的示例性實施方案和附圖的詳細描述，可以更容易地理解本發(fā)明的優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)本發(fā)明的方法。然而，本發(fā)明可以以很多不同的形式具體化，并且不應當將本發(fā)明解釋為限于本文描述的實施方案。而是，提供這些實施方案使得本公開是詳盡和完整的，并且這些實施方案將本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達給本領域技術人員。因此，本發(fā)明只是受后附權(quán)利要求的限定。在一些實施方案中，為了避免本發(fā)明的含糊說明，熟知的加工方法、熟知的結(jié)構(gòu)和熟知的技術將不具體描述。在整個說明書中，相同標記指相同的元件。應當理解，當元件或?qū)颖惶岬?在"、"連接至"或"聯(lián)接至"另一個元件或?qū)由蠒r，它可以直接在、連接或聯(lián)接至該另一個元件或?qū)由?，或可以存在介于其間的元件或?qū)印Ｏ喾?，當元件被提?直接在"、"直接連接至"或"直接聯(lián)接至"另一個元件或?qū)由蠒r，不存在介于其間的元件或?qū)?。如此處使用的，術語〃和/或〃包括有關列出的項目中的任一個，或一個以上的所有組合。應當理解，盡管術語第一、第二、第三等在本文中可以被用于描述各種元件、部件、區(qū)域、布線、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、布線、層和/或部分應當不受這些術語的限制。這些術語只是被用于區(qū)別一個元件、部件、區(qū)域、布線、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)域、布線、層或部分。因此，在不偏離本發(fā)明的教導的情況下，下面論述的第一元件、部件、區(qū)域、布線、層或部分可以稱為第二元件、部件、區(qū)域、布線、層或部分。為了容易描述，本文中可以使用空間上的相對術語比如"下面""之下""下部""之上""上部"等，以描述在附圖中示出的一個裝置或元件與另外的裝置或元件的關系。應當理解，除附圖中所示的方位之外，空間上的相對術語意在還包括在使用或操作中的裝置的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征"下面"或"之下"的元件將定向為在其它元件或特征"之上"。因此，示例性術語"下面"或"之下"可以包括之上和下面的方位。裝置可以另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，因此可以解釋本文中使用的空間上相對的敘詞。本文中使用的術語只是為了描述具體實施方案，并不意在限制本發(fā)明。如此處使用的，.單數(shù)形式意在還包括復數(shù)形式，除非上下文另有清楚的說明。還應當理解，當本說明書中使用時，術語"包括"和/或"包含"是指存在所述的部件、步驟、操作和/或裝置，但是并不排除存在或增加一個或多個其它部件、步驟、操作、裝置和/或它們的組合。除非另有限定，否則本文中使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有本發(fā)明所屬領域的普通技術人員通常所理解的相同意義。還應當理解，術語比如在通常使用的詞典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關領域的范圍中的含義一致的含義，并且不應當在理想化的或過于形式化的意義上進行解釋，除非本文中特意這樣限定。本發(fā)明的實施方案在此參考橫截面圖進行描述，所述橫截面圖是本發(fā)明的理想化實施方案(以及中間結(jié)構(gòu))的示意性說明。同樣，由于例如制造技術和/或公差，預期圖中的形狀有變化。因此，本發(fā)明的實施方案不應當被解釋為限于本文所示區(qū)域的具體形狀或尺寸，而包括由例如制造所導致的形狀和尺寸的偏差。例如，圖示為矩形的插入?yún)^(qū)域典型地具有圓形或彎曲的特征。因此，在圖中所示的區(qū)域是示意性的，并且它們的形狀不意在說明裝置的區(qū)域的實際形狀，并且不意在限制本發(fā)明的范圍。下面，作為一個實例，將描述根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置為液晶顯示器(LCD)的方案。然而，本發(fā)明并不限于此?，F(xiàn)在，將參考圖1至6描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方案的顯示基板和包含該顯示基板的顯示裝置。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的第一顯示基板100的布局圖。圖2是沿著圖1的線n-n，截取的顯示裝置1的橫截面圖。圖3A是用于說明圖2所示的薄膜晶體管(TFT)TR1的操作的能帶圖。圖3B是圖2的部分A的放大圖。圖4至6是顯示圖2的TFTTR1的特性的圖。參考圖1和2，本實施方案的顯示裝置1包括第一顯示基板100、第二顯示基板200和液晶層300。為了簡便，圖1只顯示第一顯示基板100的布局?，F(xiàn)在，將在下面描述第一顯示基板100。柵極線22在絕緣基板IO上水平延伸。此外，在絕緣基板IO上形成TFTTRI的柵極電極26，該柵極電極26與柵極線22連接并且具有突起形狀。柵極線22和柵極電極26統(tǒng)稱為柵極布線。在絕緣基板10t還形成存儲電極線28和存儲電極27。存儲電極線28水平延伸跨過像素區(qū)域并且與柵極線22基本平行。存儲電極27連接至存儲電極線28并且具有寬的寬度。存儲電極27與連接至像素電極82(將在下面描述)的漏極電極延伸部分67交疊，以形成改善像素的電荷存儲能力的存儲電容器。存儲電極27和存儲電極線28統(tǒng)稱為存儲布線。存儲布線的形狀和設置可以變化。此外，如果通過像素電極82和柵極線22的交疊而產(chǎn)生足夠的存儲電容，則不需要形成專用存儲布線。柵極布線和存儲布線中的每一個可以由以下材料制成鋁(Al)-基金屬比如Al或Al合金、銀(Ag)-基金屬如Ag或Ag合金、銅(Cu)-基金屬如Cu或Cu合金、鉬(Mo)-基金屬如Mo或Mo合金、鉻(Cr)、鈦(Ti)或鉭(Ta)。此外，柵極布線和存儲布線中的每一個可以具有由兩個具有不同物理特性的導電層(未顯示)構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，兩個導電層中的一個可以由具有低電阻率的金屬比如Al-基金屬、Ag-基金屬或Cu-基金屬制成，以降低在柵極布線和存儲布線的每一個中的信號延遲或電壓降。導電層中的另一個可以由不同材料制成，尤其是，由與氧化錫銦(ITO)和氧化鋅銦(IZO)具有優(yōu)良接觸特性的材料比如Mo-基金屬、鉻、鈦或鉭制成。多層結(jié)構(gòu)的良好實例包括Cr下層和Al上層的組合，以及Al下層和Mo上層的組合。然而，本發(fā)明并不限于這些。柵極布線和存儲布線可以由各種金屬和導體形成。在柵極布線和存儲布線上形成由氮化硅(SiNx)制成的柵極絕緣膜30。此外，在柵極絕緣膜30上形成與柵極電極26交疊的第一半導體圖案42，并且在第-一半導體圖案42上形成與柵極電極26交疊的第二半導體圖案44。第二半導體圖案44的能帶隙可以大于第一半導體圖案42的能帶隙。即，第一半導體圖案42可以在柵極絕緣膜30和第二半導體圖案44之間形成量子阱。在這種情況下，可以提高在第一半導體圖案42中的電子遷移率，這將在下面參考圖3A和3B詳細地描述。第一半導體圖案42可以包含非晶硅。具體地，第一半導體圖案42可以包含氫化非晶硅。第二半導體圖案44可以包含氧化物，所述氧化物包含選自Zn、In、Ga、Sn或它們的組合中的至少一種材料。例如，第二半導體圖案44可以包含復合氧化物，比如InZnO、InGaO、InSnO、ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GalnZnO、In203Co、Ti02Co或MgOCo。如果半導體圖案僅包含氧化物，則TFT的電特性可能由于氧缺陷而劣化。但是，如果第一半導體圖案42包含非晶硅，并且如果第二半導體圖案44包含氧化物，則TFTTR1的電特性并不劣化。因此，TFTTR1可以具有優(yōu)良的穩(wěn)定性和操作可靠性。此外，可以提高顯示裝置1的顯示質(zhì)量。稍后將參考圖4至6進行更詳細的描述。在第一半導體圖案42和第二半導體圖案44以及柵極絕緣膜30上形成數(shù)據(jù)布線。數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線62、源極電極65、漏極電極66和漏極電極延伸部分67。數(shù)據(jù)線62垂直延伸并且跨過柵極線22，從而限定像素。源極電極65從數(shù)據(jù)線62分支并且延伸到第一半導體圖案42和第二半導體圖案44上。漏極電極66與源極電極65分開，并且形成在第一半導體圖案42和第二半導體圖案44上，從而與源極電極65面對。漏極電極延伸部分67具有從漏極電極66延伸并且與存儲電極27交疊的部分。數(shù)據(jù)布線可以直接接觸第二半導體圖案44以形成歐姆接觸。為了與氧化物半導體圖案形成歐姆接觸，數(shù)據(jù)布線可以具有包含Ni、Co、Ti、Ag、Cu、Mo、Al、Be、Nb、Au、Fe、Se或Ta的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的實例可以包括雙層結(jié)構(gòu)，比如Ta/Al、Ni/Al、Co/Al或Mo(Mo合金)/Cu，或者三層結(jié)構(gòu)，比如Ti/Al/Ti、Ta/Al/Ta、Ti/Al/TiN、Ta/Al/TaN、Ni/AlM或Co/Al/Co。數(shù)據(jù)布線的材料并不限于上述材料。此外，數(shù)據(jù)布線可以不直接接觸第二半導體圖案44，并且可以進一步將歐姆接觸層(未顯示)置于數(shù)據(jù)布線和第二半導體圖案44之間，以改善歐姆接觸。源極電極65與柵極電極26至少部分地交疊，并且漏極電極66與柵極電極26至少部分地交疊以面對源極電極65。柵極電極26、第一半導體圖案42、第二半導體圖案44、源極電極65和漏極電極66共同形成TFTTRK漏極電極延伸部分67與存儲電極27交疊，由此漏極電極延伸部分67和存儲電極27形成存儲電容器，其中柵極絕緣膜30置于它們之間。當不形成存儲電極27時，不需要形成漏極電極延伸部分67。在數(shù)據(jù)布線以及第一半導體圖案42和第二半導體圖案44上形成鈍化層70。鈍化層70可以由以下材料形成例如無機材料比如氮化硅或氧化硅、具有感光性和優(yōu)良的平面化特性的有機材料，或通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)形成的低k電介質(zhì)材料如a-Si:C:O或a-Si:O:F。鈍化層70可以由下無機層和上有機層構(gòu)成，以保護第二半導體圖案44的暴露部分，同時利用有機層的優(yōu)良特性。在鈍化層70中形成使漏極電極延伸部分67暴露的接觸孔77。像素電極82被設置在鈍化層70上。像素電極82通過接觸孔77與漏極電極延伸部分67電連接。像素電極82可以由例如透明導體比如ITO或IZO，或者反射性導體比如A1制成?，F(xiàn)在，在下面描述第二顯示基板200。在絕緣基板210上形成用于防止光泄漏的黑底(blackmatrix)220。黑底220形成在除像素區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)，由此限定像素區(qū)域。黑底220可以由例如不透明有機材料或不透明金屬制成。為了顯示顏色，在絕緣基板210上形成紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)濾色器230。R、G和B濾色器230各自通過利用包含在其中的R、G或B顏料，吸收在預定波長帶的光或使在預定波長帶的光通過，以顯示R、G或B顏色。R、G和B濾色器230可以通過相加混合通過其中的R、G和B光產(chǎn)生各種顏色。可以在黑底220和R、G和B濾色器230上形成外涂層240，以使它們的階梯高度變平。外涂層240可以由透明有機材料形成，保護黑底220和R、G和B濾色器230，并且使共用電極250(將在下面描述)與黑底220和R、G和B濾色器230絕緣(insulate)。在外涂層240上形成共用電極250。共用電極250可以由透明導電材料比如ITO或IZO制成。液晶層300置于第一顯示基板IOO和第二顯示基板200之間。在像素電極82和共用電極250之間的電壓差決定透射率?，F(xiàn)在，將參考圖3A和3B，對圖1和2所示的TFTTR1進行更詳細的描述。圖3A是顯示當對柵極電極26施加正電壓，即柵極導通電壓(gate-onvoltage)時，柵極電極26、柵極絕緣膜30和第一半導體圖案42和第二半導體圖案44的能帶的能帶圖。在圖3A中，第一能帶隙EBG一1是第一半導體圖案42的導帶C.B和價帶V.B之間的能量差，而第二能帶隙EBG_2是第二半導體圖案44的導帶(:.8和價帶￥3之間的能量差。此外，標記符號Ep指的是費米能級。由于費米能級在半導體領域中是廣泛己知的，因此將省略對它的詳細描述。如上所述，第一半導體圖案42具有第一能帶隙EBG—1，而第二半導體圖案44具有第二能帶隙EBG_2，所述第二能帶隙EBG—2大于第一能帶隙EBGJ。因此，在柵極絕緣膜30和第二半導體圖案44之間，艮P，在第一豐導體圖案42中形成量子阱。即，如圖3A和3B所示，在第一半導體圖案42和第二半導體圖案44之間的邊界上的能壘使得在第一半導體圖案42中的電子難以從第一半導體圖案42移動到第二半導體圖案44中。因此，第一半導體圖案42可以在其中具有高的電子遷移率。如果第一半導體圖案42的厚度約為200A以下，則可以降低量子阱的寬度，由此使得電子更難以移動到第二半導體圖案44中。因此，可以進一步提高第一半導體圖案42內(nèi)的電子遷移率。然而，在本發(fā)明中，第一半導體圖案42的厚度并不限于約200A以下。，如上所述，第一半導體圖案42可以包含氫化非晶硅，并且第二半導體圖案44可以包含氧化物。根據(jù)本實施方案的第一顯示基板100的TFTTR1的電子遷移率以及其它形式的TFT的電子遷移率被歸納在下表中。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>參考表1，編號1的TFT的半導體圖案包含氧化物，但不包含氫化非晶硅，而編號2的TFT的半導體圖案包含氫化非晶硅，但不包含氧化物。編號3的TFT是圖1和2所示的TFTTR1的一個實例。艮卩，編號3的TFT包括含有非晶硅的第一半導體圖案以及含有氧化物的第二半導體圖案。如果每一個TFT的半導體圖案的寬度與長度的比率(W/L比)為25/4，則編號1的電子遷移率為3cm2/Vsec，編號2的TFT的電子遷移率為0.5cm2/Vsec，而編號3的TFT的電子遷移率為6cmVVsec。艮卩，如果如本實施方案那樣TFT包含第一半導體圖案42和第二半導體圖案44，并且如果在第一半導體圖案42內(nèi)形成量子阱，則可以顯著提高電子遷移率.?，F(xiàn)在，將參考圖4至6更詳細地描述TFTTR1的其它特性。下列描述基于在測試TFTTR1的特性之后獲得的數(shù)據(jù)。測試的TFTTR1包括含氫化非晶硅的第--半導體圖案42，以及含氧化物的第二半導體圖案44。此外，第一半導體圖案42的厚度約為100A，而第二半導體圖案44的厚度約為700A。為了獲得圖4的數(shù)據(jù)，通過改變測試時間，對柵極電極26施加20V的柵極電壓Vg，并且對源極電極65施加10V的柵極電壓。然后，對于柵極電壓Vg，測量漏極-源極電流Ids。如圖4所示，當TFTTR1包含由氫化非晶硅制成的第一半導體圖案42以及由氧化物制成的第二半導體圖案44時，即使增加測試時間，I-V曲線也幾乎不偏移。為了獲得圖5的數(shù)據(jù)，對表中編號1至3的每一個TFT的柵極電極施加20V的柵極電壓Vg，并且對其源極電極施加lOV的柵極電壓Vg。然后，在每一個測試時間測量域值電壓。第一曲線Gl表示表1中編號2的TFT的域值電壓，第二曲線G2表示表1中編號1的TFT的域值電壓，而第三曲線G3表示表1中編號3的TFT的域值電壓。如圖5所示，在表1中包含氫化非晶硅的第一半導體圖案42以及由氧化物制成的第二半導體圖案44的編號3的TFT的情況下，即使測試時間增加，域值電壓也幾乎不改變?？傊?，具有氫化非晶硅的第一半導體圖案42和由氧化物制成的第二半導體圖案44的TFTTR1具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和操作可靠性。圖6顯示了關于漏極-源極電流Ids和漏極-源極電壓Vds之間的關系相對于柵極電壓Vg的變化的數(shù)據(jù)。參考圖6，即使當漏極-源極電壓Vds低，例如為0V至5V時，漏極-源極電流Ids也根據(jù)柵極電壓Vg變化。即，很少發(fā)生電流擁擠現(xiàn)象。因此，即使當漏極-源極電壓Vds低時，與每一個漏極-源極電壓Vds對應的漏極-源極電流Ids也仍然產(chǎn)生，并且被提供給像素電極82。以這種方式，通過小的漏極-源極電壓Vds來控制漏極-源極電流Ids允許更精確地控制像素電極82的電壓，由此提高顯示裝置1的顯示質(zhì)量。現(xiàn)在，參考圖7描述本發(fā)明的另一個示例性實施方案。圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方案的第一顯示基板IOI的橫截面圖，用于說明顯示基板以及包含該顯示基板的顯示裝置。與在上面參考圖2描述的前述實施方案的元件基本相同的元件由相同的標記表示，因此對它們的描述將省略。參考圖7，與前述實施方案中不同的是，根據(jù)本實施方案的第一顯示基板101還包括第三半導體圖案46。第三半導體圖案46可以形成在柵極絕緣膜30和第一半導體圖案42之間。半導體圖案46可以具有第三能帶隙，所述第三能帶隙大于第一半導體圖案42的第一能帶隙EBG1。在這種情況下，可以在第二半導體圖案44和第三半導體圖案46之間，S卩，在第一半導體圖案42中形成量子阱。因此，可以提高第一半導體圖案42中的電子遷移率。第三半導體圖案46可以包含氧化物。例如，第三半導體圖案46可以包含復合氧化物，比如InZnO、InGaO、InSnO、ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GalnZnO、In203Co、Ti02Co或MgOCo。如果第一顯示基板101還包含第三半導體圖案46，則可以省略柵極絕緣膜30。即，第三半導體圖案46可以起著柵極絕緣膜30的作用，并且可以直接形成在柵極電極26上。由于根據(jù)本實施方案的第一顯示基板101的TFTTR2包含第一半導體圖案42和第二半導體圖案44，因此如上面在前述實施方案中參考圖4至6所描述那樣，可以提高穩(wěn)定性、操作安全性和顯示質(zhì)量?，F(xiàn)在，將參考圖8描述本發(fā)明的另一個示例性實施方案。圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方案的第一顯示基板102的橫截面圖，用于說明顯示基板和包含該顯示基板的顯示裝置。與在上面參考圖2描述的前述實施方案的元件基本相同的元件由相同的標記表示，因此對它們的描述將省略。參考圖8，與在前述實施方案中不同的是，根據(jù)本實施方案的第一顯示基板102的第二半導體圖案45與第一半導體圖案42部分交疊。例如，第二半導體圖案45可以形成在源極電極65和漏極電極66之間。此外，第二半導體圖案45可以不與源極電極65和漏極電極66交疊。在這種情況下，在其中第一半導體圖案42和第二半導體圖案45彼此交疊的第一半導體圖案42的交疊區(qū)域OL中，形成如圖3A所示的能帶。以這種方式，可以在交疊區(qū)域中形成量子阱，由此提高在這個區(qū)域中的電子遷移率。如上面在前述實施方案中參考圖4至6所描述的那樣，這種量子阱的存在提供提高的穩(wěn)定性、操作可靠性和顯示質(zhì)量?，F(xiàn)在，參考圖9描述本發(fā)明的另一個示例性實施方案。圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方案的第一顯示基板103的橫截面圖，用于說明顯示基板以及包含該顯示基板的顯示裝置。與在上面參考圖2描述的前述實施方案的元件基本相同的元件由相同的標記表示，因此對它們的描述將省略。參考圖9，與在前述實施方案中不同的是，第一顯示基板103還可以包含在第-一半導體圖案42和第二半導體圖案45上的歐姆接觸層48。艮P，第二導體圖案45與第一半導體圖案42在交疊區(qū)域OL中交疊，并且在源極電極65和漏極電極66與第一半導體圖案42之間形成歐姆接觸層48。在這種情況下，通過如上所述由圖案42和45形成的量子阱，可以提高在交疊區(qū)域OL中的電子遷移率。此外，在源極電極65和漏極電極66與歐姆接觸層48之間的歐姆接觸提高了歐姆特性，由此提高了電子遷移率。歐姆接觸層48由例如摻雜有高濃度的n-型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅制成，并且降低了設置在其上的源極電極65和漏極電極66與設置在其下的第一半導體圖案42和第二半導體圖案45之間的接觸電阻。由于根據(jù)本實施方案的第一顯示基板103的TFTTR4包含第一半導體圖案42和第二半導體圖案45，因此如上面在前述實施方案中參考圖4至6所描述的那樣，可以提高穩(wěn)定性、操作可靠性和顯示質(zhì)量。盡管己經(jīng)參考本發(fā)明的示例性實施方案詳細地顯示并描述了本發(fā)明，但是本領域普通技術人員應當理解，在不偏離如后附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中進行形式和細節(jié)上的各種變化。所述示例性實施方案應當被認為只是說明性的，而非限制性的。權(quán)利要求1.一種顯示基板，所述顯示基板包括柵極布線；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并且具有第一能帶隙；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙；數(shù)據(jù)布線，所述數(shù)據(jù)布線形成在所述第一半導體圖案上；以及像素電極，所述像素電極與所述數(shù)據(jù)布線電連接。2.權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案被設置在所述數(shù)據(jù)布線下面，并且與所述數(shù)據(jù)布線形成歐姆接觸。3.權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案包含氧化物。4.權(quán)利要求3所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案包含O，以及Ga、In、Zn、Sn、Co、Ti和Mg中的至少一種。5.權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述第一半導體圖案包含非晶硅。6.權(quán)利要求1所述的顯示基板，還包括第三半導體圖案，所述第三半導體圖案形成在所述柵極布線和所述第一半導體圖案之間，并且具有第三能帶隙，所述第三能帶隙大于所述第一能帶隙，其中在所述第一半導體圖案中形成量子阱。7.權(quán)利要求1所述的顯示基板，還包括柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜形成在所述柵極布線和所述第一半導體圖案之間，其中在所述第一半導體圖案中形成量子阱。8.權(quán)利要求1所述的顯示基板，還包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層被設置在所述第一半導體圖案上，并且與所述數(shù)據(jù)布線形成歐姆接觸。9.權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述第一半導體圖案的厚度約為200A以下。10.—種包括薄膜晶體管的顯示基板，所述薄膜晶體管包括柵極電極；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極電極上，并且包含非晶硅；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且包含氧化物；源極電極，所述源極電極形成在所述第二半導體圖案上；以及漏極電極，所述漏極電極形成在所述第二半導體圖案上，并且與所述源極電極分開。11.權(quán)利要求IO所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案與所述源極電極和所述漏極電極中的每一個形成歐姆接觸。12.權(quán)利要求IO所述的顯示基板，其中所述第一半導體圖案具有第一能帶隙，并且所述第二半導體圖案具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙。13.權(quán)利要求10所述的顯示基板，還包括柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜形成在所述柵極布線和所述第一半導體圖案之間，其中在所述第一半導體圖案中形成量子阱。14.權(quán)利要求10所述的顯示基板，其中所述第二半導體圖案包含O，以及Ga、In、Zn、Sn、Co、Ti和Mg中的至少一種。15.權(quán)利要求10所述的顯示基板，其中所述第一半導體圖案的厚度約為200A以下。16.—種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一顯示基板；第二顯示基板，所述第二顯示基板面對所述第一顯示基板；以及液晶層，所述液晶層置于所述第一顯示基板和所述第二顯示基板之間，其中所述第一顯示基板包括柵極布線；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并且具有第一能帶隙；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙；數(shù)據(jù)布線，所述數(shù)據(jù)布線形成在所述第一半導體圖案上；以及像素電極，所述像素電極與所述數(shù)據(jù)布線電連接。17.權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述第二半導體圖案被設置在所述數(shù)據(jù)布線的下面，并且與所述數(shù)據(jù)布線形成歐姆接觸。18.權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述第二半導體圖案包含氧化19.權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中所述第二半導體圖案包含O，以及Ga、In、Zn、Sn、Co、Ti和Mg中的至少一種。20.權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述第一半導體圖案包含非晶娃。21.權(quán)利要求16所述的顯示裝置，還包括第三半導體圖案，所述第三半導體圖案形成在所述柵極布線和所述第一半導體圖案之間，并且具有第三能帶隙，所述第三能帶隙大于所述第一能帶隙，其中在所述第一半導體圖案中形成量子阱。22.權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中所述第一半導體圖案的厚度約為200A以下。全文摘要本發(fā)明提供一種顯示基板以及包括該顯示基板的顯示裝置。所述顯示基板包括柵極布線；第一半導體圖案，所述第一半導體圖案形成在所述柵極布線上并且具有第一能帶隙；第二半導體圖案，所述第二半導體圖案形成在所述第一半導體圖案上并且具有第二能帶隙，所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙；數(shù)據(jù)布線，所述數(shù)據(jù)布線形成在所述第一半導體圖案上；以及像素電極，所述像素電極與所述數(shù)據(jù)布線電連接。由于所述第二能帶隙大于所述第一能帶隙，因此在所述第一半導體圖案中形成量子阱，從而提高其中的電子遷移率。文檔編號G02F1/1362GK101487961SQ20091000212公開日2009年7月22日申請日期2009年1月15日優(yōu)先權(quán)日2008年1月15日發(fā)明者吳和烈,尹甲洙,崔在鎬,崔龍模,梁成勛,金成烈申請人:三星電子株式會社