專利名稱：掩模版承版臺及其光刻設(shè)備和雙曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程領(lǐng)域，特別涉及一種用于雙曝光工藝的掩模版承版 臺及其光刻設(shè)備和雙曝光方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的光刻裝置，主要用于集成電路IC或其它微型器件的制造。通
過光刻裝置，具有不同掩模圖案的多層掩模在精確對準(zhǔn)下依次成像在涂覆有光
刻膠的晶片上，例如半導(dǎo)體晶片或LCD板。光刻裝置大體上分為兩類， 一類是 步進光刻裝置，掩模圖案一次曝光成像在晶片的一個曝光區(qū)域，隨后晶片相對 于掩模移動，將下一個曝光區(qū)域移動到掩模圖案和投影物鏡下方，再一次將掩 模圖案曝光在晶片的另 一 曝光區(qū)域，重復(fù)這一 過程直到晶片上所有曝光區(qū)域都 擁有掩模圖案的像。另一類是步進掃描光刻裝置，在上述過程中，掩模圖案不 是一次曝光成像，而是通過投影光場的掃描移動成像。在掩模圖案成像過程中， 掩模與晶片同時相對于投影系統(tǒng)和投影光束移動。
目前，光刻設(shè)備大多釆用每批硅片曝光后更換一次掩模版的方式，即一個 掩模圖案對應(yīng)一批硅片曝光之后，再更換另一個掩模圖案，每個掩模圖案對應(yīng) 集成電路上的一層電路。但是，當(dāng)同一層上圖案的差別較大或是密度極大的情 況下掩模版的制備非常困難。請參見圖1，其所示為現(xiàn)有技術(shù)中硅片曝光形成的 圖形。設(shè)計在硅片上顯影出L型的線條，如果采用一塊掩模版單獨曝光完成， 則所形成的圖形在L拐角處會有圓角產(chǎn)生，影響線條質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中由于一次曝光由于圖形的復(fù)雜程度和密度的原 因所造成的成像不精準(zhǔn)的問題。
有鑒于此，本發(fā)明提供一種掩模版承版臺，包括掩模版保持架；第一掩
5模版安裝位與第二掩模版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上；標(biāo)記版安裝位， 設(shè)置于所述掩模版保持架中間位置；多個掩模版真空吸附槽，分別設(shè)置于所述 第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位中，用以吸附固定掩模版；角錐棱鏡安 裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架的一側(cè)，用于安裝角錐棱鏡；微動電機安裝位， 設(shè)置于所述掩模版保持架上；反射鏡鍍膜面，位于所述掩模版保持架的一側(cè)面。
進一步的，所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位為低于所述掩模版 保持架上表面的方形凹槽。
進一步的，所述掩模版承版臺還包括角錐棱鏡，安裝于所述角錐棱鏡安 裝位。
進一步的，所述掩模版承版臺還包括掩模版固定架，以輔助固定所述掩 模版。
進一步的，所述掩模版承版臺還包括氣孔堵頭，以封住所述掩模版保持 架上的氣路工藝孔。
進一步的，所述掩模版承版臺還包括微動電機，設(shè)置于所述微動電機安 裝位，用以控制所述掩模版承版臺的運動和姿態(tài)。
進一步的，所述微動電機包括直線電機，以及音圈電機。
本發(fā)明還提供一種雙曝光對準(zhǔn)掃描曝光的方法，包括以下步驟(l)利用 光源通過投影鏡頭形成主光軸；(2)將第一掩模版和第二掩模版放在承版臺上； (3)進行所述掩模版對準(zhǔn)；(4)進行離軸硅片對準(zhǔn)，將硅片放置在承片臺上； (5 )將所述硅片移動到所述主光軸位置；(6)利用所述承版臺帶動所述第一掩 模版運動到所述主光軸位置，將第一掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上；(7) 利用所述承版臺帶動所述第二掩模版運動到所述主光軸位置，將第二掩模版的 圖形曝光成像在所述硅片上。
進一步的，所述步驟(3)具體包括在所述承版臺上固定對準(zhǔn)標(biāo)記，在所 述第一掩模版和第二掩模版上設(shè)置有標(biāo)記，在所述承片臺上固定有基準(zhǔn)標(biāo)記； 將所述承片臺移動到預(yù)先設(shè)計位置，沿第一掃描方向移動所述承版臺，使所述 對準(zhǔn)標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)，并記錄下所述承版臺的坐標(biāo)和所述承片臺的第 一位置坐標(biāo)；建立起所述承版臺與所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系；沿第一掃描方向 移動所述承版臺，將所述第一掩模版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)；沿第一掃描方向移動所述承版臺，將所述第二掩模版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)；建立起所述 承版臺、所述第一掩模版和第二掩模版、所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的坐標(biāo)關(guān)系。
進一步的，所述步驟(4)具體包括將所述承片臺移動到離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)下， 使所述離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)中的參考標(biāo)記與所述承片臺的基準(zhǔn)標(biāo)記重合；記錄所述承 片臺的第二位置坐標(biāo)；建立起所述基準(zhǔn)標(biāo)記與所述參考標(biāo)記之間的坐標(biāo)關(guān)系；
通過所記錄的所述承片臺的第一及第二位置坐標(biāo)，計算出所述離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)的 光軸與所述主光軸之間的距離；將所述的距離作為基線，建立起所述承片臺與 所述承版臺之間的坐標(biāo)關(guān)系。利用所述承片臺將所述硅片運送至所述離軸對準(zhǔn) 系統(tǒng)的對準(zhǔn)范圍內(nèi)；將所述離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)的參考標(biāo)記與所述硅片標(biāo)記對準(zhǔn)；建 立起所述硅片與所述承片臺的基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系。
本發(fā)明還提供一種光刻設(shè)備，包括提供輻射束的照明系統(tǒng)；將輻射光束 投影到基底目標(biāo)位置的投影系統(tǒng)；用于支撐掩模設(shè)備的掩模版承版臺及用于支 撐基底的工件臺結(jié)構(gòu)；所述掩模版承版臺包括掩模版保持架；第一掩模版安 裝位與第二掩模版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上；標(biāo)記版安裝位，設(shè)置 于所述掩模版保持架中間位置；多個掩模版真空吸附槽，分別設(shè)置于所述第一 掩模版安裝位與第二掩模版安裝位中，用以吸附固定掩才莫版；角錐棱鏡安裝位， 設(shè)置所述掩模版保持架的一側(cè)，用于安裝角錐棱鏡；微動電機安裝位，設(shè)置 于所述掩模版保持架上；反射鏡鍍膜面，位于所述掩模版保持架的一側(cè)面。
進一步的，所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位為低于所述掩模版 保持架上表面的方形凹槽。
進一步的，所述的光刻設(shè)備還包括角錐棱鏡，安裝于所述角錐棱鏡安裝位。 進一步的，所述的光刻設(shè)備還包括掩模版固定架，以輔助固定所述掩模版。 進一步的，所述的光刻設(shè)備還包括氣孔堵頭，以封住所述掩模版保持架上 的氣路工藝孔。
進一步的，所述的光刻設(shè)備還包括微動電機，設(shè)置于所述微動電機安裝位，
用以控制所述掩模版承版臺的運動和姿態(tài)。
進一步的，所述微動電機包括直線電機，以及音圏電機。
綜上所述，本發(fā)明所采用的雙曝光的技術(shù)，利用掩模版承版臺將兩塊不同
的掩模版依次在同一個涂膠層上分別進行獨立的曝光，雙曝光技術(shù)可以將二維的圖案分解為兩個更容易生成的一維圖案，使得包含各種特征的掩模圖形的最 小特征尺寸的精密制造成為現(xiàn)實，而且本掩模版承版臺可以安裝在平版印刷系 統(tǒng)中。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中硅片曝光形成的圖形； 圖2所示為本發(fā)明一實施例中的掩模版承版臺結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3所示為本發(fā)明一實施例中的掩模版承版臺位置^f企測示意圖； 圖4所示為本發(fā)明一實施例中的掩模版承版臺的驅(qū)動控制示意圖； 圖5所示為本發(fā)明一實施例提供的雙曝光光刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6所示為本發(fā)明一實施例提供的雙曝光方法的流程圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，給出較佳實施例并結(jié)合附圖，對本 發(fā)明作進一步說明。
本發(fā)明一實施例提供了可以同時安裝兩個掩模版的掩模版承版臺，請參見 圖2，其所示為掩模版承版臺的結(jié)構(gòu)示意圖。該掩模版承版臺200,包括
掩模版保持架210,其為重要零件，其他零件在這個保持架的基礎(chǔ)上對掩模 版的安裝及定位起到輔助作用。
第一掩模版安裝位211與第二掩模版安裝位212,設(shè)置于所述掩模版保持架 210上，該些掩模版安裝位上可以同時安裝掩模版A ( 4 )和掩模版B ( 5 ),兩 個安裝位的大小結(jié)構(gòu)完全相同，因此同時安裝的兩個掩才莫版A (4)與掩才莫版B (5)的外形尺寸也相同。為避免兩個掩模版在工作過程中意外相撞或因夾持不 牢固產(chǎn)生的滑動甚至飛出，掩模版安裝位為低于掩模版保持架210上表面的兩 個方形凹槽。
標(biāo)記版安裝位240，設(shè)置于所述掩模版保持架210中間位置，用于安裝標(biāo)記 版250。
多個掩模版真空吸附槽230,分別設(shè)置于所述第一掩模版安裝位211與第二 掩模版安裝位212中，用以吸附固定掩模版。在實際應(yīng)用中還可加裝掩模版固定架220,以輔助固定掩^f莫版。
為了保證真空吸附槽230的氣密性，所述掩模版承版臺還包括氣孔堵頭231 ， 以封住所述掩模版保持架210上的氣路工藝孔232。掩模版經(jīng)過對準(zhǔn)后通過真空 吸附在真空吸附槽230上，掩模版承版臺200內(nèi)部有完整的氣路設(shè)計，加工氣 路的過程中有很多氣路工藝孔232,'將氣路工藝孔封住，保證真空吸附槽230的 氣密性。
角錐棱鏡安裝位260,設(shè)置于所述掩才莫版保持架210的一側(cè)，用于安裝角錐 棱鏡270，以測量掩模版的位置。
反射鏡鍍膜面280,位于所述掩模版保持架210的一側(cè)面。
在掩模版保持架的角錐棱鏡安裝位260安裝角錐棱鏡270，并給出角錐棱鏡 固定板安裝位261。掩模版保持架側(cè)面鍍膜形成反射鏡鍍膜面280。角錐棱鏡270 和反射鏡鍍膜面280分別接收激光干涉儀發(fā)出的光束，實現(xiàn)對掩模版的位置測 量。詳細測量方法請參見圖3,掩模版承版臺200的Y向位移測量如下，光源 發(fā)出的光束經(jīng)過光機系統(tǒng)后形成兩束光301和302照射在角錐棱鏡270上，角 錐棱鏡270的反射光束，經(jīng)過Y向雙頻激光干涉儀測量系統(tǒng)，計算出掩模版Y 向位移，精度可以達到1.2nm;同時計算出掩模版Rz向轉(zhuǎn)動。掩模版承版臺200 的X向位移測量如下，光源發(fā)出的光束經(jīng)過光學(xué)器件分成3束光303照射在反 射鏡鍍膜面280上，3束光成等腰三角形，經(jīng)過反射鏡鍍膜面280的反射，由X 向激光干涉儀接收計算出掩模版X向位移，精度可以達到0.6nm;同時計算出 掩模版Ry向轉(zhuǎn)動。從而實現(xiàn)對掩模版的位置的精確測量。
微動電機安裝位290，設(shè)置于所述掩模版保持架上，用于安裝電機。掩模版 承版臺的運動可以根據(jù)不同的電機驅(qū)動方式形成6自由度運動或3自由度運動。
參見圖4，舉出實施例以3自由度為例，但并不僅限于這種結(jié)構(gòu)。掩模版承 版臺200還可在微動電機安裝位290安裝微動電機，用以調(diào)整所述掩模版承版 臺的運動。所述微動電機包括直線電機，以及音圈電機。掩模版承版臺X向 驅(qū)動由一個直線電才幾410 (X—Motor)實現(xiàn)。直線電4幾動子411 ( X_Motor—1 )連 接在掩模版保持架210上。掩模版承版臺Y向驅(qū)動和Rz向驅(qū)動由兩個音圈電機 420, 430( Y—Motor—R; Y—Motor—L)實現(xiàn)。音圈電機動子421 ， 431 (Y—Motor—R—l; Y_Motor_L_l )安裝在掩模版保持架210上。當(dāng)兩個音圈電機420， 430( Y—Motor)同步運動時，掩才莫版沿Y向運動，當(dāng)兩個音圈電才幾420， 430 (Y—Motor)不同 步運動時，掩模版沿Rz向運動。由此實現(xiàn)了掩模版的3個自由度的運動。
本掩模版承版臺可以應(yīng)用于平版印刷系統(tǒng)，例如光刻機系統(tǒng)，但并不僅限 于這種系統(tǒng)。
參見圖6，本發(fā)明一實施例提供一種雙曝光的方法，包括以下步驟S610 利用光源通過投影鏡頭形成主光軸；S620將第一掩模版和第二掩模版放在承版 臺上；S630進行掩模版對準(zhǔn)；S640進行離軸硅片對準(zhǔn)，將硅片放置在承片臺上； S650將所述硅片移動到所述主光軸位置；S660利用所述承版臺帶動所述第一掩 模版運動到所述主光軸位置，將第一掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上；S670 利用所述承版臺帶動所述第二掩模版運動到所述主光軸位置，將第二掩模版的 圖形曝光成像在所述硅片上。
請參見圖5，其所示為本發(fā)明一實施例提供的雙曝光光刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖 該光刻設(shè)備，包括提供輻射束的照明系統(tǒng)500;將輻射光束投影到基底目 標(biāo)位置的投影系統(tǒng)520;用于支撐掩模設(shè)備的掩模版承版臺510及用于支撐基底 的工件臺結(jié)構(gòu)。所述掩模版承版臺510的詳細結(jié)構(gòu)與上文描述相同，請參見圖2 至圖4。
利用該光刻設(shè)備進行雙曝光的具體步驟如下
利用照明系統(tǒng)500提供穩(wěn)定的光源，照明系統(tǒng)500發(fā)出的光線通過投投影 系統(tǒng)520形成主光軸501。掩模版上的圖案可以通過投影系統(tǒng)520縮小一定比例 成像在硅片530上，以實現(xiàn)曝光。
將掩模版540,掩模版550同時放置在承版臺510上。
其次進行掩模版對準(zhǔn)。承版臺510上固定有掩模對準(zhǔn)標(biāo)記512，掩模版540、 掩模版550 A均設(shè)計有標(biāo)記541、 551。支撐基底的工件臺結(jié)構(gòu)承片臺590上 固定有基準(zhǔn)標(biāo)記570。
照明系統(tǒng)500發(fā)出的光線通過投投影系統(tǒng)520形成主光軸501。先將承片臺 590移動到預(yù)先設(shè)計位置，沿掃描方向Y向移動承版臺510,通過對準(zhǔn)系統(tǒng)，在 承版臺510上方的激光干涉儀系統(tǒng)511中同時探測到基準(zhǔn)標(biāo)記570和掩模版標(biāo) 記512，使掩模標(biāo)記512與基準(zhǔn)標(biāo)記570對準(zhǔn)。記錄下激光干涉儀系統(tǒng)測量出的 承版臺510,承片臺590的位置坐標(biāo)yl。建立起承版臺510與基準(zhǔn)標(biāo)記570之間的關(guān)系。沿掃描方向Y向移動承版臺510,通過對準(zhǔn)系統(tǒng)，將掩模版540的 標(biāo)記541與基準(zhǔn)標(biāo)記570對準(zhǔn)。沿掃描方向Y向移動卩l(xiāng)i版臺510，通過對準(zhǔn)系 統(tǒng)，將掩才莫版550的標(biāo)記551與基準(zhǔn)標(biāo)記570對準(zhǔn)。這樣就建立起了承版臺510、 掩模版540、掩模版550、與基準(zhǔn)標(biāo)記570之間的坐標(biāo)關(guān)系。
然后進行離軸硅片對準(zhǔn)。離軸硅片對準(zhǔn)系統(tǒng)580，固定在投影鏡頭外，離軸 對準(zhǔn)系統(tǒng)中設(shè)計有參考標(biāo)記581 。
移動承片臺590，到離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)580下，調(diào)整承片臺590位置，使離軸對 準(zhǔn)系統(tǒng)中的參考標(biāo)記581與基準(zhǔn)標(biāo)記570成像重合，記錄激光干涉儀系統(tǒng)測量 出的承片臺590的坐標(biāo)位置y2,建立起基準(zhǔn)標(biāo)記570,與參考標(biāo)記581之間的 坐標(biāo)關(guān)系。通過所記錄的承片臺590的坐標(biāo)位置yl、 y2可以計算出離軸對準(zhǔn)系 統(tǒng)580的光軸582，與投影鏡頭的主光軸501之間的距離BL， BL也稱為基線。 通過基線BL,可以建立起承片臺590與承版臺510之間的坐標(biāo)關(guān)系。
然后將硅片530利用機械手從片盒中取出，通過傳輸系統(tǒng)安裝在承片臺590 上。承片臺590將硅片530運送至離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)580的對準(zhǔn)范圍內(nèi)，通過離軸 對準(zhǔn)系統(tǒng)580,將參考標(biāo)記581與硅片標(biāo)記531對準(zhǔn)，建立起硅片530與基準(zhǔn)標(biāo) 記570之間的關(guān)系。
以上對準(zhǔn)過程通過基準(zhǔn)坐標(biāo)570間接的建立起了掩模版540、掩模版550、 與硅片530之間的坐標(biāo)關(guān)系。承版臺510帶動掩模版540沿掃描方向Y向運動 到投影鏡頭的主光軸501位置，承片臺590帶動硅片530運動到投影鏡頭的主 光軸501位置，進行曝光。將掩模版540上的圖形，曝光到硅片530上。掃描 方向為Y向，步進方向為X向。掩才莫版540的圖形曝光完成。
承版臺510帶動掩模版550運動到投影鏡頭的主光軸501位置，將掩模版 550的圖形曝光成像在硅片530上。
綜上所述，本發(fā)明所采用的雙曝光的技術(shù)，利用掩模版承版臺將兩塊不同 的掩模版依次在同 一個涂膠層上分別進行獨立的曝光，雙曝光技術(shù)可以將二維 的圖案分解為兩個更容易生成的一維圖案，使得包含各種特征的掩模圖形的最 小特征尺寸的精密制造成為現(xiàn)實。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟 悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種掩模版承版臺，其特征在于，包括掩模版保持架；第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上；標(biāo)記版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架中間位置；多個掩模版真空吸附槽，分別設(shè)置于所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位中，用以吸附固定掩模版；角錐棱鏡安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架的一側(cè)，用于安裝角錐棱鏡；微動電機安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上；反射鏡鍍膜面，位于所述掩模版保持架的一側(cè)面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模版承版臺，其特征在于，其中所述第一掩模 版安裝位與第二掩模版安裝位為低于所述掩模版保持架上表面的方形凹槽。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的掩模版承版臺，其特征在于，還包括角錐棱鏡， 安裝于所述角錐棱鏡安裝位。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模版承版臺，其特征在于，還包括掩模版固 定架，以輔助固定所述掩模版。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模版承版臺，其特征在于，還包括氣孔堵頭， 以封住所述掩模版保持架上的氣路工藝孔。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模版承版臺，其特征在于，還包括微動電機， 設(shè)置于所述微動電機安裝位，用以控制所述掩模版承版臺的運動和姿態(tài)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模版承版臺，其特征在于，所述微動電機包括 直線電機，以及音圈電才幾。
8. —種雙曝光方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用光源通過投影鏡頭形成主光軸；(2) 將第一掩模版和第二掩模版放在承版臺上；(3) 進行所述掩模版對準(zhǔn)；(4) 進行離軸硅片對準(zhǔn)，將硅片放置在承片臺上； (5 )將所述^f圭片移動到所述主光軸位置；(6) 利用所述承版臺帶動所述第一掩模版運動到所述主光軸位置，將第一 掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上；以及(7) 利用所述承版臺帶動所述第二掩模版運動到所述主光軸位置，將第二 掩模版的圖形曝光成像在所述硅片上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙曝光方法，其特征在于，所述步驟(3)具體包 括以下步驟在所述承版臺上固定對準(zhǔn)標(biāo)記，在所述第一掩模版和第二掩模版上設(shè)置有 標(biāo)記，在所述承片臺上固定有基準(zhǔn)標(biāo)記；將所述承片臺移動到預(yù)先設(shè)計位置，沿第一掃描方向移動所述承版臺，使 所述對準(zhǔn)標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)，并記錄下所述承版臺的坐標(biāo)和所述承片臺 的第一位置坐標(biāo)；建立起所述承版臺與所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系；沿第一掃描方向移動所述承版臺，將所述第一掩^t版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記 對準(zhǔn)；沿第一掃描方向移動所述承版臺，將所述第二掩模版標(biāo)記與所述基準(zhǔn)標(biāo)記 對準(zhǔn)；以及建立起所述承版臺、所述第一掩模版和第二掩模版、所述基準(zhǔn)標(biāo)記之間的 坐標(biāo)關(guān)系。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙曝光方法，其特征在于，所述步驟(4)具體 包括以下步驟將所述承片臺移動到離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)下，使所述離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)中的參考標(biāo)記 與所述承片臺的基準(zhǔn)標(biāo)記重合；記錄所述承片臺的第二位置坐標(biāo)；建立起所述基準(zhǔn)標(biāo)記與所述參考標(biāo)記之間的坐標(biāo)關(guān)系；通過所記錄的所述承片臺的第一及第二位置坐標(biāo)，計算出所述離軸對準(zhǔn)系 統(tǒng)的光軸與所述主光軸之間的距離；將所述的距離作為基線，建立起所述承片臺與所述承版臺之間的坐標(biāo)關(guān)系；利用所述承片臺將所述硅片運送至所述離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn)范圍內(nèi)；將所述離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)的參考標(biāo)記與所述珪片標(biāo)記對準(zhǔn)；以及建立起所述硅片與所述承片臺的基準(zhǔn)標(biāo)記之間的關(guān)系。
11. 一種光刻設(shè)備，包括 提供輻射束的照明系統(tǒng)； 將輻射光束投影到基底目標(biāo)位置的投影系統(tǒng)；用于支撐掩模設(shè)備的掩模版承版臺及用于支撐基底的工件臺結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述掩^i版承版臺包括掩模版保持架；第 一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上； 標(biāo)記版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架中間位置； 多個掩模版真空吸附槽，分別設(shè)置于所述第一掩模版安裝位與第二掩模版 安裝位中，用以吸附固定掩;f莫版；角錐棱鏡安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架的一側(cè)，用于安裝角錐棱鏡； 微動電機安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上； 反射鏡鍍膜面，位于所述掩模版保持架的一側(cè)面。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻設(shè)備，其特征在于，所述第一掩模版安裝 位與第二掩模版安裝位為低于所述掩模版保持架上表面的方形凹槽。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻設(shè)備，其特征在于，還包括角錐棱鏡，安裝于所述角錐棱^:安裝位。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻設(shè)備，其特征在于，還包括掩模版固定架， 以輔助固定所述掩模版。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻設(shè)備，其特征在于，還包括氣孔堵頭，以 封住所述掩模版保持架上的氣路工藝孔。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻設(shè)備，其特征在于，還包括微動電機，設(shè) 置于所述微動電機安裝位，用以控制所述掩模版承版臺的運動和姿態(tài)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻設(shè)備，其特征在于，所述微動電機包括直 線電機，以及音圈電機。
全文摘要
本發(fā)明提供一種掩模版承版臺，包括掩模版保持架；第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上；標(biāo)記版安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架中間位置；多個掩模版真空吸附槽，分別設(shè)置于所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位中，用以吸附固定掩模版；角錐棱鏡安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架的一側(cè)，用于安裝角錐棱鏡；微動電機安裝位，設(shè)置于所述掩模版保持架上；反射鏡鍍膜面，位于所述掩模版保持架的一側(cè)面。綜上所述，本發(fā)明利用掩模版承版臺將兩塊不同的掩模版依次在同一個涂膠層上分別進行獨立的曝光，雙曝光技術(shù)可以將二維的圖案分解為兩個更容易精確地生成的一維圖案。
文檔編號G03F7/20GK101526754SQ20091004828
公開日2009年9月9日 申請日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月26日
發(fā)明者李志龍, 齊寧寧, 齊芊楓 申請人:上海微電子裝備有限公司;上海微高精密機械工程有限公司