專利名稱：一種光刻膠的清洗劑組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中的一種清洗劑組合物，特別涉及一種光刻膠清洗劑 組合物。
背景技術(shù)：
在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，首先在二氧化硅、Cu (銅)等金屬以及低k材料等表 面上形成光刻膠的涂層，利用適當(dāng)?shù)难谀＿M(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)所用光刻膠的特性，除去曝 光或者未曝光部分的光刻膠，在所要求的部位形成光刻膠圖案，然后在該光刻膠圖案上進(jìn) 行等離子刻蝕或反應(yīng)性氣體刻蝕，進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。低溫快速的清洗工藝是半導(dǎo)體晶片制造 工藝發(fā)展的重要方向。20 μ m以上厚度的負(fù)性光刻膠正逐漸應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中， 而目前工業(yè)上大部分的光刻膠清洗劑對正性光刻膠的清洗能力較好，但不能徹底去除晶片 上經(jīng)曝光和刻蝕后的具有交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的負(fù)性光刻膠尤其是厚膜負(fù)性光刻膠。在半導(dǎo)體晶片進(jìn)行光刻膠的化學(xué)清洗過程中，清洗劑常會造成晶片圖案和基材的 腐蝕。特別是在利用化學(xué)清洗劑除去光刻膠和刻蝕殘余物的過程中，金屬(尤其是鋁和銅 等較活潑金屬)腐蝕是較為普遍而且非常嚴(yán)重的問題，往往導(dǎo)致晶片良率的顯著降低。目前，光刻膠清洗劑組合物主要由強(qiáng)堿、極性有機(jī)溶劑和/或水等組成，通過將半 導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中或者利用清洗劑沖洗半導(dǎo)體晶片，去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。強(qiáng)堿如氫氧化鉀、季銨氫氧化物和醇胺等，能夠溶解光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的 光刻膠殘余物。強(qiáng)堿含量過低時，清洗劑對光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的去 除能力不足；但強(qiáng)堿含量過高時，清洗劑易造成晶片圖案和基材的腐蝕。與由醇胺組成的清 洗劑相比，含有氫氧化鉀或季銨氫氧化物的清洗劑對光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘 余物的去除能力較好。但含有氫氧化鉀的清洗劑易造成晶片圖案和基材的腐蝕，而且其對 光刻膠的去除以剝離方式為主，使光刻膠形成碎片狀剝離物或膠狀溶脹物，容易造成光刻 膠在晶片表面的沉積或粘連，甚至導(dǎo)致晶片圖案的損壞。含有季銨氫氧化物的清洗劑對光 刻膠的去除兼具剝離和溶解兩種作用，不會造成光刻膠在晶片表面的沉積或粘連。極性有機(jī)溶劑能夠溶解光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物，提高化學(xué)清洗 劑對有機(jī)物的清洗能力。極性有機(jī)溶劑含量過低時，清洗劑對光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的 光刻膠殘余物的去除能力不足；但極性有機(jī)溶劑含量過高時，清洗劑中的強(qiáng)堿含量相應(yīng)降 低，使得清洗劑對光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的去除能力減弱。為了提高清洗劑對光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的水解和/或溶解能 力，化學(xué)清洗劑中的水有時是必需的。但水含量過高時，清洗劑對光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生 的光刻膠殘余物的去除能力不足，且易造成晶片圖案和基材的腐蝕。US4617251中提出了由醇胺和有機(jī)極性溶劑組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片 浸入該清洗劑中，在95°C下除去晶片上的正性光刻膠。但該清洗劑中不含有水，且其對負(fù)性 光刻膠的清洗能力不足。US6140027中提出了由醇胺、水溶性有機(jī)溶劑、水、有機(jī)酚化合物、三唑化合物和聚
5硅氧烷表面活性劑組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在20 50°C下除 去晶片上的光刻膠和刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物。該清洗劑采用有機(jī)酚化合物和三唑化合 物作為抑制金屬腐蝕的緩蝕劑。有機(jī)酚化合物對人體有害，而且會對環(huán)境造成污染。該清 洗劑對負(fù)性光刻膠的清洗能力不足。US5962197中提出了由氫氧化鉀、丙二醇醚、N-甲基吡咯烷酮、表面活性劑、1， 3_ 丁二醇、二甘醇胺和質(zhì)量百分含量小于的水組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸 入該清洗劑中，在90 110°C下除去晶片上的光刻膠。該清洗劑中含有氫氧化鉀，對晶片基 材的腐蝕較高，而且其剝離光刻膠所形成的碎片狀剝離物或膠狀溶脹物會在晶片表面上沉 積或粘連，造成光刻膠的殘留和晶片圖案的損壞。W02004059700中提出了由四甲基氫氧化銨、N-甲基嗎啡啉_N_氧化物、水和2_巰 基苯并咪唑組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在70°C下除去晶片上的 光刻膠。該清洗劑需在較高溫度下清洗光刻膠，對半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高，且對 光刻膠的清洗能力略顯不足。US6040117中提出了由季銨氫氧化物、二甲基亞砜、1，3’ - 二甲基_2_咪唑烷酮和 水組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在40 95°C下除去金屬(金、銅、 鉛或鎳)基材上的IOym以上厚度的光刻膠。該清洗劑采用價格較為昂貴的1，3’ - 二甲 基-2-咪唑烷酮作為有機(jī)共溶劑，而且不含有抑制金屬(尤其是鋁等較活潑金屬)腐蝕的 緩蝕劑。該清洗劑需在較高溫度下清洗光刻膠，對半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高。JP2001215736中提出了由季銨氫氧化物、水溶性有機(jī)溶劑、有機(jī)胺、二元醇和水組 成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在20 90°C下除去晶片上的20 μ m 40 μ m厚度的光刻膠。該清洗劑采用二元醇作為抑制金屬腐蝕的緩蝕劑，但二元醇對金屬腐 蝕的抑制能力很弱，而且會降低清洗劑對光刻膠尤其是負(fù)性光刻膠的清洗能力。該清洗劑 對半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高。JP2004093678中提出了由季銨氫氧化物、N-甲基吡咯烷酮、二乙醇胺或三乙醇 胺、水和甲醇或乙醇組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在15 80°C下 除去晶片上的10 μ m以上厚度的光刻膠。該清洗劑采用甲醇或乙醇作為季銨氫氧化物的增 溶劑，但甲醇或乙醇的閃點過低，而且會降低清洗劑對光刻膠尤其是負(fù)性光刻膠的清洗能 力。該清洗劑不含有抑制金屬(尤其是鋁和銅等較活潑金屬)腐蝕的緩蝕劑。該清洗劑對 半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高。綜上所述，現(xiàn)有的光刻膠的清洗劑對厚度較高的光刻膠的清洗能力不足，或者對 半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕性較強(qiáng)，存在較大的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就是針對現(xiàn)有的厚膜光刻膠清洗劑存在的清洗能 力不足或者對半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕性較強(qiáng)的缺陷，而提供一種對厚膜光刻膠清洗 能力強(qiáng)且對半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕性較低的光刻膠清洗劑組合物。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種光刻膠清洗劑組合物，包含 季銨氫氧化物，芳基醇，二甲基亞砜，緩蝕劑和水，其中，所述的緩釋劑包含選自于硼酸、硼 酸鹽和硼酸酯中的一種多種。
本發(fā)明中，所述的硼酸、硼酸鹽和硼酸酯較佳的選自硼酸、苯硼酸、2-甲基苯硼酸、 3-甲基苯硼酸、4-甲基苯硼酸、2，3- 二甲基苯硼酸、4-乙基苯硼酸、4-丙基苯硼酸、4- 丁基 苯硼酸、2-甲氧基苯硼酸、3-甲氧基苯硼酸、4-甲氧基苯硼酸、3，4_ 二甲氧基苯硼酸、2-羧 基苯硼酸、3-羧基苯硼酸、4-羧基苯硼酸、2-羥甲基苯硼酸、3-羥甲基苯硼酸、4-羥甲基 苯硼酸、2-噻吩硼酸、3-噻吩硼酸、萘硼酸、硼酸銨、四甲基硼酸銨、四乙基硼酸銨、四丙基 硼酸銨、四丁基硼酸銨、芐基三甲基硼酸銨、硼酸乙醇胺鹽、硼酸二乙醇胺鹽、硼酸三乙醇胺 鹽、硼酸二甘醇胺鹽、硼酸異丙醇胺鹽、硼酸甲基乙醇胺鹽、硼酸甲基二乙醇胺鹽、硼酸三甲 酯、硼酸三乙酯、硼酸三丙酯、硼酸三丁酯、異戊二醇硼酸酯、雙聯(lián)鄰苯二酚硼酸酯、硼酸頻 哪醇酯和硼酸咪唑啉酯中的一種或多種。其中，更佳的選自硼酸、苯硼酸、2-羧基苯硼酸、 2-羥甲基苯硼酸、四甲基硼酸銨、四乙基硼酸銨、硼酸乙醇胺鹽、硼酸三乙醇胺鹽、硼酸二甘 醇胺鹽和雙聯(lián)鄰苯二酚硼酸酯中的一種或多種。其含量較佳的為0. 01 10wt%，更佳的為
0. 1 5wt%o本發(fā)明中，所述的季銨氫氧化物較佳的選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四 丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨和芐基三甲基氫氧化銨中的一種或多種，更佳的選自四甲 基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨和四丁基氫氧化銨中的一種或多種，最佳的為四甲基氫氧化 銨。其含量較佳的為0. 1 10wt%，更佳的為1 5wt%。本發(fā)明中，所述的芳基醇較佳的選自苯甲醇、苯乙醇、二苯甲醇、二苯乙醇、三苯甲 醇、鄰氨基苯甲醇、間氨基苯甲醇、對氨基苯甲醇、鄰氨基苯乙醇、間氨基苯乙醇、對氨基苯 乙醇、甲基苯甲醇、甲基苯乙醇、二甲基苯甲醇、二甲基苯乙醇、三甲基苯甲醇、間甲氧基苯 甲醇、對甲氧基苯甲醇、間甲氧基苯乙醇、對甲氧基苯乙醇、鄰苯二甲醇、間苯二甲醇、對苯 二甲醇、對芐氧基苯甲醇和3，5_ 二芐氧基苯甲醇、苯丙醇、苯丁醇、苯戊醇和苯己醇中的一 種或多種，更佳的選自苯甲醇、苯乙醇、對氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、甲基苯乙醇和對苯二甲 醇中的一種或多種。其含量較佳的為0. 1 65wt%，更佳的為0. 5 20wt%。本發(fā)明中，所述的二甲基亞砜的含量較佳的為1 98wt%，更佳的為30 90wt%o本發(fā)明中，所述的水的含量較佳的為0. 2 15wt%，更佳的為0. 5 10wt%。本發(fā)明中，所述的光刻膠清洗劑組合物還可進(jìn)一步含有選自極性有機(jī)共溶劑、表 面活性劑和除硼酸、硼酸鹽和硼酸酯以外的其它緩蝕劑中的一種或多種。所述的極性有機(jī) 共溶劑含量較佳的為< 50wt%，但不包括0wt%，更佳的為5 30wt% ；所述的表面活性劑 含量較佳的為彡5wt%，但不包括0wt%，更佳的為0. 05 3. Owt% ；所述的除硼酸、硼酸鹽 和硼酸酯的緩蝕劑以外的其它緩蝕劑含量較佳的為<5. 0wt%，但不包括0wt%，更佳的為 0. 05 3. 0wt%。本發(fā)明中，所述的極性有機(jī)共溶劑較佳的選自亞砜、砜、咪唑烷酮、醇胺和烷基二 醇單烷基醚中的一種或多種。其中，所述的業(yè)砜較佳的選自二乙基亞砜或甲乙基亞砜中 的一種或多種；所述的砜較佳的選自甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或多種，更佳的為 環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮較佳的選自2-咪唑烷酮、1，3- 二甲基-2-咪唑烷酮和1，3_ 二乙 基-2-咪唑烷酮中的一種或多種，更佳的為1，3_ 二甲基-2-咪唑烷酮；所述的醇胺較佳的 選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺 和羥乙基乙二胺中的一種或多種，更佳的選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺和甲基乙醇胺
7中的一種或多種；所述的烷基二醇單烷基醚較佳的選自二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、 二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的 一種或多種，更佳的選自二乙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚和二丙二醇單丁醚中的一種或 多種。本發(fā)明中，所述的表面活性劑較佳的選自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯 醚中的一種或多種，更佳的選自聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種。所述的表 面活性劑的數(shù)均分子量較佳的為500 20000，更佳的為1000 10000。本發(fā)明中，所述的除硼酸、硼酸鹽和硼酸酯以外的其它緩蝕劑較佳的選自醇胺類、 唑類、膦酸類和聚丙烯酸類緩蝕劑中的一種或多種。其中，所述的醇胺類緩蝕劑較佳的選自 一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥 乙基乙二胺中的一種或多種，更佳的選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺和甲基乙醇胺中的 一種或多種；所述的唑類緩蝕劑較佳的選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙 醇胺鹽、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、二巰基噻二唑、3-氨基-1，2， 4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑、3，5- 二氨基-1，2， 4-三氮唑、4-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑和1-苯基_5_巰基四氮唑 中的一種或多種，更佳的選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、3-氨 基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮唑和5-氨基-四 氮唑中的一種或多種；所述的膦酸類較佳的選自1-羥基亞乙基-ι，ι-二膦酸、氨基三亞甲 基膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、乙二胺四亞甲基膦酸和二乙烯三胺五亞甲基膦酸中 的一種或多種，更佳的選自2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、乙二胺四業(yè)甲基膦酸和二乙烯三 胺五亞甲基膦酸中的一種或多種。本發(fā)明中，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑較佳的選自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基 丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，甲基丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯 改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇 銨鹽中的一種或多種，更佳的選自丙烯酸聚合物或其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧 乙烯改性的丙烯酸聚合物及其醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其醇銨鹽 中的一種或多種。所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的數(shù)均分子量較佳的為500 100000，更佳的 為1000 50000。所述的聚丙烯酸類緩蝕劑對金屬如鋁的腐蝕表現(xiàn)出極強(qiáng)的抑制作用。本發(fā)明所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明的光刻膠清洗劑組合物所述組分簡單混合即可制得。本發(fā)明的光刻膠清洗劑組合物可在較寬的溫度范圍內(nèi)使用(20 85°C之間)。清 洗方法可參照如下步驟將含有光刻膠的半導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中，在20 85°C下利用恒 溫振蕩器緩慢振蕩，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮氣吹干。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果如下(1)本發(fā)明的光刻膠清洗劑組合物可以較為迅速地清洗金屬、金屬合金或電介質(zhì) 等基材上的20 μ m以上厚度的光刻膠和其它刻蝕殘留物。(2)本發(fā)明的光刻膠清洗劑組合物含有的芳基醇可以提高季銨氫氧化物在二甲基 亞砜中的溶解度。(3)本發(fā)明的光刻膠清洗劑組合物中含有的芳基醇以及選自硼酸、硼酸鹽和硼酸酯的緩蝕劑能夠在晶片圖案和基材表面形成一層保護(hù)膜，阻止鹵素原子、氫氧根離子等對 晶片圖案和基材的攻擊，從而降低晶片圖案和基材的腐蝕，尤其是其含有的選自硼酸、硼酸 鹽和硼酸酯的緩蝕劑對金屬如鋁的腐蝕表現(xiàn)出良好的抑制作用。所以其對鋁和銅等金屬以 及二氧化硅等非金屬材料表現(xiàn)出極弱的腐蝕性。(4)本發(fā)明的光刻膠清洗劑組合物可以通過溶解的方式去除半導(dǎo)體晶片上的高交 聯(lián)度的厚膜負(fù)性光刻膠，且不會造成晶片圖案的腐蝕或損壞。(5)本發(fā)明的光刻膠清洗劑組合物可以在較大的溫度范圍內(nèi)(20 85°C )使用。
具體實施例方式下面通過實施例的方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實 施例范圍之中。下述實施例中，百分比均為質(zhì)量百分比。表1給出了本發(fā)明的光刻膠清洗劑實施例1 26的配方，按表1中所列組分及其 含量，簡單混合均勻，即制得各清洗劑。表1.本發(fā)明光刻膠實施例1 26 下面通過效果實施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明的有益效果。效果實施例1表2給出了對比清洗劑1’ 7’和本發(fā)明的光刻膠清洗劑1 16的配方，按表2 中所列組分及其含量，簡單混合均勻，即制得各清洗劑。表2.對比光刻膠清洗劑1’ 7’和本發(fā)明光刻膠清洗劑1 16的組分和含量
高純氮氣吹干。光刻膠的清洗效果和清洗劑對晶片圖案的腐蝕情況如表4所示。表3.將對比清洗劑1， 6，和本發(fā)明清洗劑1 16對金屬Cu和Al以及非金屬TEOS的腐蝕性及其對負(fù)性光刻膠的清洗情況 腐蝕情況◎基本無腐蝕； 清洗情況◎完全去除；〇略有腐蝕；〇少量殘余；Δ中等腐蝕；Δ較多殘余；X嚴(yán)重腐蝕。X大量殘余。表4.表2中本發(fā)明清洗劑6 16對負(fù)性丙烯酸酯類光刻膠(厚度約為150微米)的清洗情況
腐蝕情況◎基本無腐蝕； 清洗情況◎完全去除；〇略有腐蝕；〇少量殘余；Δ中等腐蝕；Δ較多殘余；X嚴(yán)重腐蝕。X大量殘余。從表3和表4可以看出，與對比清洗劑1’ 6’相比，本發(fā)明清洗劑1 16對厚 膜負(fù)性丙烯酸酯類光刻膠具有良好的清洗能力，使用溫度范圍廣，同時對金屬Cu和Al以及 非金屬TEOS的腐蝕性低，對晶片圖案無損壞。
權(quán)利要求
一種光刻膠清洗劑組合物，包含季銨氫氧化物，芳基醇，二甲基亞砜，緩蝕劑和水，其特征在于，所述的緩釋劑包含選自于硼酸、硼酸鹽和硼酸酯中的一種或多種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的硼酸、硼酸鹽和硼 酸酯選自硼酸、苯硼酸、2-甲基苯硼酸、3-甲基苯硼酸、4-甲基苯硼酸、2，3_二甲基苯硼酸、 4-乙基苯硼酸、4-丙基苯硼酸、4-丁基苯硼酸、2-甲氧基苯硼酸、3-甲氧基苯硼酸、4-甲氧 基苯硼酸、3，4_ 二甲氧基苯硼酸、2-羧基苯硼酸、3-羧基苯硼酸、4-羧基苯硼酸、2-羥甲基 苯硼酸、3-羥甲基苯硼酸、4-羥甲基苯硼酸、2-噻吩硼酸、3-噻吩硼酸、萘硼酸、硼酸銨、四 甲基硼酸銨、四乙基硼酸銨、四丙基硼酸銨、四丁基硼酸銨、芐基三甲基硼酸銨、硼酸乙醇胺 鹽、硼酸二乙醇胺鹽、硼酸三乙醇胺鹽、硼酸二甘醇胺鹽、硼酸異丙醇胺鹽、硼酸甲基乙醇胺 鹽、硼酸甲基二乙醇胺鹽、硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三丙酯、硼酸三丁酯、異戊二醇硼 酸酯、雙聯(lián)鄰苯二酚硼酸酯、硼酸頻哪醇酯和硼酸咪唑啉酯中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的硼酸、硼酸鹽和硼 酸酯的總含量為0. 01 IOwt%0
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的硼酸、硼酸鹽和硼 酸酯的總含量為0. 1 5wt%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的季銨氫氧化物選 自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨和芐基三甲基氫氧 化銨中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的季銨氫氧化物的 含量為0. 1 IOwt %。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的季銨氫氧化物的 含量為1 5wt%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的芳基醇選自苯甲 醇、苯乙醇、二苯甲醇、二苯乙醇、三苯甲醇、鄰氨基苯甲醇、間氨基苯甲醇、對氨基苯甲醇、 鄰氨基苯乙醇、間氨基苯乙醇、對氨基苯乙醇、甲基苯甲醇、甲基苯乙醇、二甲基苯甲醇、二 甲基苯乙醇、三甲基苯甲醇、間甲氧基苯甲醇、對甲氧基苯甲醇、間甲氧基苯乙醇、對甲氧基 苯乙醇、鄰苯二甲醇、間苯二甲醇、對苯二甲醇、對芐氧基苯甲醇和3，5-二芐氧基苯甲醇、 苯丙醇、苯丁醇、苯戊醇和苯己醇中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的芳基醇的含量為 0. 1 65wt%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的芳基醇的含量為 0. 5 20wt%。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的二甲基亞砜的含 量為1 98wt%。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的二甲基亞砜的 含量為30 90wt%。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的水的含量為 0. 2 15wt%。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的水的含量為.0.5 10wt%。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的光刻膠清洗劑組 合物還含有選自極性有機(jī)共溶劑、表面活性劑和除硼酸、硼酸鹽和硼酸酯以外的其它緩蝕 劑中的一種或多種。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的極性有機(jī)共溶 劑選自亞砜、砜、咪唑烷酮、醇胺和烷基二醇單烷基醚中的一種或多種。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的亞砜選自二乙 基亞砜或甲乙基亞砜中的一種或多種；所述的砜選自甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或 多種；所述的咪唑烷酮選自2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮和1，3-二乙基-2-咪 唑烷酮中的一種或多種。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的醇胺選自一乙 醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基 乙二胺中的一種或多種。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的烷基二醇單烷 基醚選自二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單 甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的一種或多種。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的極性有機(jī)共溶 劑的含量為彡50wt%，但不包括0wt%。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的表面活性劑選 自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的表面活性劑的 數(shù)均分子量為500 20000。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的表面活性劑含 量為< 5wt %，但不包括Owt %。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的除硼酸、硼酸鹽 和硼酸酯以外的其它緩蝕劑選自醇胺類、唑類、膦酸類和聚丙烯酸類緩蝕劑中的一種或多 種。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的醇胺類緩蝕劑 選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺 和羥乙基乙二胺中的一種或多種。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的唑類緩蝕劑選 自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻 唑、2-巰基苯并噁唑、二巰基噻二唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、3-氨 基-5-巰基-1，2，4-三氮唑、3，5- 二氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-5-巰基-1，2，4-三氮 唑、5-氨基-四氮唑和1-苯基-5-巰基四氮唑中的一種或多種。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的膦酸類選自 1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸、氨基三亞甲基膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、乙二胺四亞 甲基膦酸和二乙烯三胺五亞甲基膦酸中的一種或多種。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑選自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺 鹽，甲基丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽，以及聚氧 乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽中的一種或多種。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的聚丙烯酸類緩 蝕劑的數(shù)均分子量為500 100000。
30.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑組合物，其特征在于，所述的除硼酸、硼酸鹽 和硼酸酯的緩蝕劑以外的其它緩蝕劑的含量為< 5. Owt%，但不包括Owt%。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻膠清洗劑組合物，包含季銨氫氧化物，芳基醇，二甲基亞砜，緩蝕劑和水，其中，所述的緩釋劑包含選自于硼酸、硼酸鹽和硼酸酯中的一種多種。這種光刻膠清洗劑可以除去金屬、金屬合金或電介質(zhì)等基材上的厚度為20μm以上的光刻膠(尤其是厚膜負(fù)性光刻膠)和其它刻蝕殘留物，同時對鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料的腐蝕性較低，在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
文檔編號G03F7/42GK101907835SQ20091005266
公開日2010年12月8日 申請日期2009年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月8日
發(fā)明者彭洪修 申請人:安集微電子科技(上海)有限公司