專利名稱：水平電場型液晶顯示裝置及制造方法
技術領域：
本發(fā)明屬于微電子領域，特別涉及水平電場型液晶顯示裝置及制造方法。
背景技術：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡稱為IXD)是一種主要的平板顯示裝 置(Flat Panel Display，簡稱為 FPD)。根據驅動液晶的電場方向，液晶顯示裝置分為垂直電場型液晶顯示裝置和水平 電場型液晶顯示裝置。垂直電場型液晶顯示裝置包括扭曲向列(Twist Nematic，簡稱 為TN)型液晶顯示裝置；水平電場型液晶顯示裝置包括邊界電場切換(Fringe Field Switching，簡稱為FFS)型液晶顯示裝置，共平面切換(In-Plane Switching，簡稱為IPS) 型液晶顯示裝置。一般來講，在液晶顯示裝置中，在像素電極和公共電極之間會形成存儲電容，在像 素電極這數據線之間形成寄生電容。其中，存儲電容用于排列液晶以顯示畫面，寄生電容是 作為干擾電容擾亂液晶的正常排列。因此，在制造液晶顯示裝置的過程當中，為了防止由寄 生電容引起的不良現象，需要在像素電極和數據線之間設置一定的間隔。這樣會導致了黑 矩陣的遮擋面積增加，從而減低了開口率。開口率是評價液晶顯示裝置的一個主要指標。現有的一種提高開口率的技術在像素電極和數據線之間涂布厚厚的有機絕緣 層，通過增加像素電極和數據線之間的直線距離的方法降低了寄生電容的干擾。即形成數 據線后，在基板上形成有機絕緣膜，最后在該有機絕緣膜上形成像素電極。通過增加有機絕 緣膜的后的方法可以提高30%左右的開口率?，F有的另一種提高開口率的技術在第一基板上形成彩色樹脂的方法。另外，寬視角也是評價液晶顯示裝置的一個主要指標。水平電場技術是實現寬視 角的技術中一個應用較為廣泛的技術。圖1為現有的水平電場型液晶顯示裝置的截面示意圖。如圖1所示，該液晶顯示 裝置包括第一基板11和第二基板21。其中第一基板11包括公共電極13位于第一基板 11上，柵電極12位于公共電極13的一側，柵絕緣層14覆蓋了柵電極12和公共電極13，在 柵電極12的上方設有半導體層15，在半導體層15設有數據線16，鈍化層17覆蓋了整個基 板，像素電極18形成在鈍化層17上，像素電極18通過鈍化層17的過孔與數據線電連接。在這里，水平電場型液晶顯示裝置通過在第一基板上形成像素電極和公共電極以 形成水平電場，并且通過水平電場在水平面內控制液晶的排列，以實現較好的寬視角性能。由于水平電場型液晶顯示裝置的結構不同于垂直電場型液晶顯示裝置的結構，因 此無法采用上述的兩種提高開口率的技術。具體為在水平電場型液晶顯示裝置中采用第 一種提高開口率的技術，則會導致像素電極和公共電極之間的直線距離變大，從而不能有 效地形成水平電場。在水平電場型液晶顯示裝置中采用第二種提高開口率的技術，則彩色 樹脂將會位于水平電場區(qū)域，同時液晶會位于水平電場之外，因此即使形成了水平電場也無法用該水平電場有效地排列液晶。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種水平電場型液晶顯示裝置及制造方法，以克服現有技術 中無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術的缺陷。
為實現上述目的，本發(fā)明提供了一種水平電場型液晶顯示裝置，包括第一基板、 第二基板以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括多個 薄膜晶體管、用于驅動所述多個薄膜晶體管的柵線和數據線，所述第二基板包括多個像素 電極以及與所述像素電極對應并形成水平電場的公共電極，以及所述水平電場型液晶顯示 裝置還包括用于將每個所述像素電極和每個所述薄膜晶體管分別進行電連接的多個導電 隔墊物。其中，每個所述導電隔墊物的一端設置在對應的所述像素電極上，另一端設置在 對應的所述薄膜晶體管上，以電連接所述像素電極和所述薄膜晶體管。其中，還包括彩色樹脂，所述彩色樹脂位于所述第一基板上面或者位于所述第二 基板上面。其中，還包括黑矩陣，所述黑矩陣位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板 上面。其中，所述像素電極設有能夠與所述公共電極形成水平電場的多個縫隙。為實現上述目的，本發(fā)明還提供了一種水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，包 括步驟1，提供設有多個薄膜晶體管、用于驅動所述多個薄膜晶體管的柵線和數據線的第 一基板；步驟2，提供設有多個像素電極以及與所述像素電極對應并形成水平電場的公共 電極的第二基板；步驟3，形成用于將每個所述像素電極和每個所述薄膜晶體管分別進行 電連接的多個導電隔墊物；步驟4，在所述第一基板和所述第二基板之間夾入液晶層，對盒 所述第一基板和所述第二基板并且通過所述導電隔墊物將所述薄膜晶體管和所述像素電 極電連接。其中，在所述步驟3中，所述導電隔墊物的一端形成在所述第一基板的所述薄膜 晶體管上面，并且另一端露出；在所述步驟4中，所述導電隔墊物的另一端與所述第二基板 的所述像素電極接觸。其中，在所述步驟3中，所述導電隔墊物的一端形成在所述第二基板的所述像素 電極上面，并且另一端露出；在所述步驟4中，所述掉電隔墊物的另一端與所述第一基板的 所述薄膜晶體管接觸。其中，在所述像素電極上形成能夠與所述公共電極形成水平電場的多個縫隙。其中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成彩色樹脂。其中，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成彩色樹脂。其中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成黑矩陣。其中，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成黑矩陣。本實施例的液晶顯示裝置通過在第一基板上設置薄膜晶體管陣列，在第二基板上 形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體管和位于第 二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數據線和像素電極之間的距離，從而有效的提高了數據線和像素電極之間的直線距離。并且增加數據線和像素電極之間的直線距離之 后，可以減少數據線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面積，從而有 助于提高開口率。另外，本實施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之間形成的 水平電場，從而克服了現有技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術 的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮 度，從而可以適當減少用于提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。


圖1為現有的水平電場型液晶顯示裝置的截面示意圖；圖2為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第一實施例示意圖；圖3為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第二實施例示意圖；圖4為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第三實施例示意圖；圖5為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第四實施例示意圖；圖6為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第一實施例的流程圖；圖7a為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例的流程圖；圖7b為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成薄膜晶體 管的示意圖；圖7c為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成彩色樹脂 的示意圖；圖7d為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成黑矩陣和 公共電極的示意圖；圖7e為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中沉積第一絕緣 層的示意圖；圖7f為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成像素電極 的示意圖；圖7g為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成導電隔墊 物的示意圖；圖8a為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例的流程圖，圖8b為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成薄膜晶體 管的示意圖；圖8c為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成彩色樹脂 的示意圖；圖8d為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成黑矩陣和 公共電極的示意圖；圖Se為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中沉積第一絕緣 層的示意圖；圖8f為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成像素電極 的示意圖8g為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成導電隔墊 物的示意圖；圖9a為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例的流程圖；圖9b為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成薄膜晶體 管的示意圖；圖9c為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成彩色樹脂 的示意圖；圖9d為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成黑矩陣和 公共電極的示意圖；圖9e為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中沉積第一絕緣 層的示意圖；圖9f為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成像素電極 的示意圖；
圖9g為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成導電隔墊 物的示意圖；圖IOa為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例的流程圖；圖IOb為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成薄膜晶 體管的示意圖；圖IOc為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成彩色樹 脂的示意圖；圖IOd為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成黑矩陣 和公共電極的示意圖；圖IOe為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中沉積第一絕 緣層的示意圖；圖IOf為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成像素電 極的示意圖；圖IOg為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成導電隔 墊物的示意圖。附圖標記說明11-第一基板；12-柵電極； 13-公共電極；14-柵絕緣層；I5-半導體層；16_數據線；17-鈍化層；18-像素電極；21-第二基板；22-彩色樹脂； 23-黑矩陣； 24-導電隔墊物；25-第一絕緣層； 26-第二絕緣層。
具體實施例方式本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第一實施例圖2為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第一實施例示意圖。如圖2所示，本實 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11、第二基板21以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板11包括多個薄膜晶體管、用于驅動所述多個薄膜晶體管的柵線和 數據線；所述第二基板21包括多個像素電極18以及與所述像素電極18對應并形成水平 電場的公共電極13 ；以及所述液晶顯示裝置還包括用于將每個所述像素電極和每個所述 薄膜晶體管分別進行電連接的多個導電隔墊物24。本實施例的液晶顯示裝置通過在第一基板上設置薄膜晶體管陣列，在第二基板上 形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體管和位于第 二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數據線和像素電極之間的距離，從而有效的提 高了數據線和像素電極之間的直線距離。并且增加數據線和像素電極之間的直線距離之 后，可以減少數據線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面積，從而有 助于提高開口率。另外，本實施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之間形成的 水平電場，從而克服了現有技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術 的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮 度，從而可以適當減少用于提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進一步地，在本實施例中，每個所述導電隔墊物的一端設置在對應的所述像素電 極上，另一端設置在對應的所述薄膜晶體管上，以電連接所述像素電極和所述薄膜晶體管。進一步地，在本實施例中，還包括彩色樹脂，所述彩色樹脂位于所述第一基板上面 或者位于所述第二基板上面。進一步地，在本實施例中，還包括黑矩陣，所述黑矩陣位于所述第一基板上面或者 位于所述第二基板上面。進一步地，在本實施例中，所述像素電極設有能夠與所述公共電極形成水平電場 的多個縫隙。如果像素電極設有多個縫隙，而公共電極為無縫隙的板狀電極，則該水平電場 型液晶顯示裝置具體為邊界電場切換型液晶顯示裝置。另外，公共電極也可以具有至少一 個縫隙，則該水平電場型液晶顯示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第二實施例圖3為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第二實施例示意圖。如圖3所示，本實 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11和第二基板21，所述第一基板11包括薄膜晶體管位于第一基板11上面，彩色樹脂22位于所述 薄膜晶體管上面，在所述薄膜晶體管的漏電極上設有彩色樹脂過孔；所述第二基板21包 括公共電極13位于第二基板21上面，黑矩陣23位于所述公共電極13之間，并且黑矩陣 23和公共電極13的邊緣部分重疊，黑矩陣23位于公共電極13上面，第一絕緣層25位于所 述公共電極13上面，像素電極18位于第一絕緣層25上面，并且具有至少一個縫隙，導電隔 墊物24位于像素電極18上面，用于電連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極。本實施例的液晶顯示裝置通過在第一基板11上設置薄膜晶體管陣列，在第二基 板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體管和位 于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數據線和像素電極之間的距離，從而有效 的提高了數據線和像素電極之間的直線距離。并且增加數據線和像素電極之間的直線距離 之后，可以減少數據線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面積，從而 有助于提高開口率。另外，本實施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之間形成的水平電場，從而克服了現有技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技 術的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的 亮度，從而可以適當減少用于提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成 本。進一步地，在本實施例中，公共電極具有至少一個縫隙，這樣該水平電場型液晶顯 示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進一步地，在本實施例中，在薄膜晶體管上面還可以沉積鈍化層，并且在所述鈍化 層上與所述彩色樹脂過孔對應的位置設有鈍化層過孔。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第三實施例圖4為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第三實施例示意圖。如圖4所示，本實 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11和第二基板21，所述第一基板11包括黑矩陣23 第一基板11上面，第二絕緣層26位于所述黑矩陣23上面，薄膜晶體管位于第二絕緣層26 上面，彩色樹脂22位于所述薄膜晶體管上面，在所述薄膜晶體管的漏電極上設有彩色樹脂 過孔；所述第二基板21包括公共電極13位于第二基板21上面，第一絕緣層25位于所述 公共電極13上面，像素電極18位于第一絕緣層25上面，并且具有至少一個縫隙，導電隔墊 物24位于像素電極18上面，用于電連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極。本實施例的液晶顯示裝置通過在第一基板上依次設置黑矩陣和薄膜晶體管陣列， 在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶 體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩陣、彩色樹脂 及薄膜晶體管陣列，并且也不會使得液晶位于水平電場之外，從而克服了現有技術無法在 水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝 置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當減少用于提高亮度的 光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進一步地，在本實施例中，公共電極具有至少一個縫隙，這樣該水平電場型液晶顯 示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進一步地，在本實施例中，在薄膜晶體管上面還可以沉積鈍化層。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第四實施例圖5為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置的第四實施例示意圖。如圖5所示，本實 施例的液晶顯示裝置包括第一基板11和第二基板21，所述第一基板11包括薄膜晶體管 位于第一基板11上面，黑矩陣23位于所述薄膜晶體管上面，彩色樹脂22位于所述黑矩陣 23上面，在所述薄膜晶體管的漏電極上設有彩色樹脂過孔和黑矩陣過孔；所述第二基板21 包括公共電極13位于第二基板21上面，第一絕緣層位于所述公共電極13上面，像素電極 18位于第一絕緣層25上面，并且具有至少一個縫隙，導電隔墊物24位于像素電極18上面， 用于電連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極。本實施例的液晶顯示裝置通過在第一基板上依次設置薄膜晶體管陣列和黑矩陣， 在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶 體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩陣、彩色樹脂 及薄膜晶體管陣列，并且也不會使得液晶位于水平電場之外，從而克服了現有技術無法在 水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當減少用于提高亮度的 光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進一步地，在本實施例中，公共電極具有至少一個縫隙，這樣該水平電場型液晶顯 示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進一步地，在本實施例中，在薄膜晶體管上面還可以沉積鈍化層，并且在所述鈍化 層上與所述彩色樹脂過孔對應的位置設有鈍化層過孔。此時，黑矩陣過孔、鈍化層過孔和彩 色樹脂過孔位置相同，并且相互貫通。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第一實施例圖6為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第一實施例的流程圖。圖6所 示，本實施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟1，提供設有多個薄膜晶體管、用于驅動所述多個薄膜晶體管的柵線和數據線 的第一基板；
步驟2，提供設有多個像素電極以及與所述像素電極對應并形成水平電場的公共 電極的第二基板；步驟3，形成用于將每個所述像素電極和每個所述薄膜晶體管分別進行電連接的 多個導電隔墊物；步驟4，在所述第一基板和所述第二基板之間夾入液晶層，對盒所述第一基板和所 述第二基板并且通過所述導電隔墊物將所述薄膜晶體管和所述像素電極電連接。本實施例的液晶顯示裝置的制造方法通過在第一基板上形成薄膜晶體管陣列，在 第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體 管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數據線和像素電極之間的距離，從 而有效的提高了數據線和像素電極之間的直線距離。并且增加數據線和像素電極之間的直 線距離之后，可以減少數據線和像素電極之間的水平距離，因此有助于增加像素電極的面 積，從而有助于提高開口率。另外，本實施例的液晶顯示裝置不影響公共電極和像素電極之 間形成的水平電場，從而克服了現有技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口 率的技術的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示 裝置的亮度，從而可以適當減少用于提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的 制造成本。進一步地，在本實施例中，可以在所述步驟3中，所述導電隔墊物的一端形成在所 述第一基板的所述薄膜晶體管上面，并且另一端露出；并且可以在所述步驟4中，所述導電 隔墊物的另一端與所述第二基板的所述像素電極接觸。即，可以將導電隔墊物形成在第一 基板上面，然后在對盒的過程中將導電隔墊物的另一端與第二基板上的像素電極接觸。進一步地，在本實施例中，可以在所述步驟3中，所述導電隔墊物的一端形成在所 述第二基板的所述像素電極上面，并且另一端露出；并且可以在所述步驟4中，所述掉電隔 墊物的另一端與所述第一基板的所述薄膜晶體管接觸。即，可以將導電隔墊物形成在第二 基板上面，然后在對盒的過程中將導電隔墊物的另一端與第一基板上的薄膜晶體管接觸。進一步地，在本實施例中，在所述像素電極上形成能夠與所述公共電極形成水平 電場的多個縫隙。如果在像素電極上形成多個縫隙，而在公共電極上沒有形成縫隙，則該水 平電場型液晶顯示裝置具體為邊界電場切換型液晶顯示裝置。另外，公共電極也可以形成至少一個縫隙，則該水平電場型液晶顯示裝置具體為共平面切換型液晶顯示裝置。進一步地，在本實施例中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成彩 色樹脂?；蛘咚霾襟E2還包括在提供的所述第二基板上，形成彩色樹脂。如果在兩個基 板上沒有形成彩色樹脂，則需要在背光模組中采用具有三原色的光源，例如發(fā)光二極管等。進一步地，在本實施例中，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成黑 矩陣。或者所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成黑矩陣。如果不形成黑矩陣 時，雖然能夠最大化液晶顯示裝置的亮度，但是位于數據線和柵線上方的光學不良會被肉 眼看見。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例圖7a為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例的流程圖。圖7b 為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成薄膜晶體管的示意圖。圖 7c為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成彩色樹脂的示意圖。圖 7d為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成黑矩陣和公共電極的 示意圖。圖7e為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中沉積第一絕緣 層的示意圖。圖7f為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成像素 電極的示意圖。圖7g為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第二實施例中形成導 電隔墊物的示意圖。如圖7a 7g所示，本實施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟101，在第一基板11上面形成薄膜晶體管。在這里，形成薄膜晶體管的方法是 公知技術，因此在這里不進行贅述。步驟102，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設有彩色樹脂22過孔。步驟103，在所述第二基板上先形成黑矩陣23，后形成公共電極13。此時，公共電 極13形成在黑矩陣23之間，并且黑矩陣23的邊緣和公共電極13的邊緣相互重疊，并且公 共電極13的邊緣位于黑矩陣23邊緣的上面。步驟104，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個基板表面。步驟105，在所述公共電極13上方形成具有至少一個縫隙的像素電極18。步驟106，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過孔對應的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導電隔墊物24。在本實施例中，步驟101和步驟102屬于第一基板的制造方法，步驟103至步驟 106屬于第二基板的制造方法。本實施例的液晶顯示裝置的制造方法通過在第一基板上形成薄膜晶體管陣列，在 第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體 管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數據線和像素電極之間的距離，從 而有效的提高了數據線和像素電極之間的直線距離，并且不影響公共電極和像素電極之間 形成的水平電場，從而克服了現有技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率 的技術的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝 置的亮度，從而可以適當減少用于提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制 造成本。
進一步地，在本實施例中，形成彩色樹脂之前，可以在薄膜晶體管上面沉積鈍化 層，然后在鈍化層上形成彩色樹脂。形成鈍化層過孔的時候，可以在沉積鈍化層后單獨形成 鈍化層過孔，也可以在形成彩色樹脂過孔的時候同時形成。進一步地，在本實施例中，形成公共電極時可以形成具有至少一個縫隙的公共電 極。這樣通過該液晶顯示裝置的制造方法制造出來的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例圖8a為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例的流程圖。圖8b 為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成薄膜晶體管的示意圖。圖 8c為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成彩色樹脂的示意圖。圖 8d為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成黑矩陣和公共電極的 示意圖。圖8e為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中沉積第一絕緣 層的示意圖。圖8f為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成像素 電極的示意圖。圖8g為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第三實施例中形成導 電隔墊物的示意圖。如圖8a 8g所示，本實施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟201，在第一基板11上面形成薄膜晶體管。在這里，形成薄膜晶體管的方法是 公知技術，因此在這里不進行贅述。步驟202，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設有彩色樹脂22過孔。步驟203，在所述第二基板上先形成公共電極13，后形成黑矩陣23。黑矩陣23形 成在公共電極13之間，并且公共電極13的邊緣和黑矩陣23的邊緣相互重疊，并且黑矩陣 23的邊緣位于公共電極13邊緣的上面。步驟204，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個基板表面。步驟205，在所述公共電極13上方形成具有至少一個縫隙的像素電極18。步驟206，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過孔對應的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導電隔墊物24。在本實施例中，步驟201和步驟202屬于第一基板的制造方法，步驟203至步驟 206屬于第二基板的制造方法。本實施例的液晶顯示裝置的制造方法通過在第一基板上形成薄膜晶體管陣列，在 第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基板上的薄膜晶體 管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，增加了數據線和像素電極之間的距離，從 而有效的提高了數據線和像素電極之間的直線距離，并且不影響公共電極和像素電極之間 形成的水平電場，從而克服了現有技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率 的技術的缺陷。另外，本實施例的液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝 置的亮度，從而可以適當減少用于提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制 造成本。進一步地，在本實施例中，形成彩色樹脂之前，可以在薄膜晶體管上面沉積鈍化 層，然后在鈍化層上形成彩色樹脂。形成鈍化層過孔的時候，可以在沉積鈍化層后單獨形成鈍化層過孔，也可以在形成彩色樹脂過孔的時候同時形成。進一步地，在本實施例中，形成公共電極時可以形成具有至少一個縫隙的公共電 極。這樣通過該液晶顯示裝置的制造方法制造出來的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例圖9a為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例的流程圖。圖9b 為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成薄膜晶體管的示意圖。圖 9c為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成彩色樹脂的示意圖。圖 9d為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成黑矩陣和公共電極的 示意圖。圖9e為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中沉積第一絕緣 層的示意圖。圖9f為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成像素 電極的示意圖。圖9g為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第四實施例中形成導 電隔墊物的示意圖。如圖9a 9g所示，本實施例的液晶顯示裝置的制造方法包括步驟301，在第一基板11上面先形成黑矩陣23，后形成薄膜晶體管。即在第一基 板11上形成黑矩陣23之后，在所述黑矩陣23上面形成薄膜晶體管。在這里，形成薄膜晶 體管的方法是公知技術，因此在這里不進行贅述。步驟302，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設有彩色樹脂22過孔。步驟303，在所述第二基板上形成公共電極13。步驟304，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個基板表面。步驟305，在所述公共電極13上方形成具有至少一個縫隙的像素電極18。步驟306，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過孔對應的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導電隔墊物24。在本實施例中，步驟301和步驟302屬于第一基板的制造方法，步驟303至步驟 306屬于第二基板的制造方法。本實施例的液晶顯示裝置的制造方法通過在第一基板上依次形成黑矩陣和薄膜 晶體管陣列，在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基 板上的薄膜晶體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩 陣、彩色樹脂及薄膜晶體管陣列，并且也不會使得液晶位于水平電場之外，從而克服了現有 技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術的缺陷。另外，本實施例的 液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當減少用于 提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進一步地，在本實施例中，形成黑矩陣之后，還可以在黑矩陣上面形成第二絕緣層。進一步地，在本實施例中，形成彩色樹脂之前，可以在薄膜晶體管上面沉積鈍化層，然后在鈍化層上形成彩色樹脂。形成鈍化層過孔的時候，可以在沉積鈍化層后單獨形成 鈍化層過孔，也可以在形成彩色樹脂過孔的時候同時形成。進一步地，在本實施例中，形成公共電極時可以形成具有至少一個縫隙的公共電極。這樣通過該液晶顯示裝置的制造方法制造出來的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例圖IOa為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例的流程圖。圖 IOb為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成薄膜晶體管的示意 圖。圖IOc為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成彩色樹脂的示 意圖。圖IOd為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中形成黑矩陣和公 共電極的示意圖。圖IOe為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中沉積 第一絕緣層的示意圖。圖IOf為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例中 形成像素電極的示意圖。圖IOg為本發(fā)明水平電場型液晶顯示裝置制造方法的第五實施例 中形成導電隔墊物的示意圖。如圖IOa IOg所示，本實施例的液晶顯示裝置的制造方法 包括步驟401，在第一基板11上面先形成薄膜晶體管，后形成黑矩陣23。即在第一基 板11上形成薄膜晶體管之后，在所述薄膜晶體管上面形成黑矩陣23。在這里，形成薄膜晶 體管的方法是公知技術，因此在這里不進行贅述。步驟402，在所述薄膜晶體管上面形成彩色樹脂22，并且在所述薄膜晶體管的漏 電極上設有彩色樹脂22過孔。步驟404，在所述公共電極13和所述黑矩陣23上沉積第一絕緣層，使得第一絕緣 層覆蓋整個基板表面。步驟405，在所述公共電極13上方形成具有至少一個縫隙的像素電極18。步驟406，在所述像素電極18上面與所述彩色樹脂22過孔對應的位置形成用于電 連接所述像素電極18和所述薄膜晶體管的漏電極導電隔墊物24。在本實施例中，步驟401和步驟402屬于第一基板的制造方法，步驟403至步驟 406屬于第二基板的制造方法。本實施例的液晶顯示裝置的制造方法通過在第一基板上依次形成薄膜晶體管陣 列和黑矩陣，在第二基板上形成公共電極和像素電極，并且通過導電隔墊物將位于這列基 板上的薄膜晶體管和位于第二基板上的像素電極電連接的方式，在第一基板上形成了黑矩 陣、彩色樹脂及薄膜晶體管陣列，并且也不會使得液晶位于水平電場之外，從而克服了現有 技術無法在水平電場型液晶顯示裝置中采用提高開口率的技術的缺陷。另外，本實施例的 液晶顯示裝置通過提高開口率的方式提高了液晶顯示裝置的亮度，從而可以適當減少用于 提高亮度的光學薄膜，因此能夠降低液晶顯示裝置的制造成本。進一步地，在本實施例中，形成黑矩陣之前，還可以在薄膜晶體管下面形成第二絕 緣層，并且在薄膜晶體管的漏電極上形成第二絕緣層過孔。進一步地，在本實施例中，形成公共電極時可以形成具有至少一個縫隙的公共電 極。這樣通過該液晶顯示裝置的制造方法制造出來的液晶顯示裝置為共平面切換型液晶顯 示裝置。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精 神和范圍。
權利要求
一種水平電場型液晶顯示裝置，包括第一基板、第二基板以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，其特征在于，所述第一基板包括多個薄膜晶體管、用于驅動所述多個薄膜晶體管的柵線和數據線，所述第二基板包括多個像素電極以及與所述像素電極對應并形成水平電場的公共電極，以及所述水平電場型液晶顯示裝置還包括用于將每個所述像素電極和每個所述薄膜晶體管分別進行電連接的多個導電隔墊物。
2.根據權利要求1所述的水平電場型液晶顯示裝置，其特征在于，每個所述導電隔墊 物的一端設置在對應的所述像素電極上，另一端設置在對應的所述薄膜晶體管上，以電連 接所述像素電極和所述薄膜晶體管。
3.根據權利要求1或2所述的水平電場型液晶顯示裝置，其特征在于，還包括彩色樹 脂，所述彩色樹脂位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板上面。
4.根據權利要求1或2所述的水平電場型液晶顯示裝置，其特征在于，還包括黑矩陣， 所述黑矩陣位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板上面。
5.根據權利要求1或2所述的水平電場型液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極設 有能夠與所述公共電極形成水平電場的多個縫隙。
6.一種水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括步驟1，提供設有多個薄膜晶體管、用于驅動所述多個薄膜晶體管的柵線和數據線的第 一基板；步驟2，提供設有多個像素電極以及與所述像素電極對應并形成水平電場的公共電極 的第二基板；步驟3，形成用于將每個所述像素電極和每個所述薄膜晶體管分別進行電連接的多個 導電隔墊物；步驟4，在所述第一基板和所述第二基板之間夾入液晶層，對盒所述第一基板和所述第 二基板并且通過所述導電隔墊物將所述薄膜晶體管和所述像素電極電連接。
7.根據權利要求6所述的水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述步驟3中，所述導電隔墊物的一端形成在所述第一基板的所述薄膜晶體管上 面，并且另一端露出；在所述步驟4中，所述導電隔墊物的另一端與所述第二基板的所述像素電極接觸。
8.根據權利要求6所述的水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述步驟3中，所述導電隔墊物的一端形成在所述第二基板的所述像素電極上面， 并且另一端露出；在所述步驟4中，所述掉電隔墊物的另一端與所述第一基板的所述薄膜晶體管接觸。
9.根據權利要求6所述的水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述 像素電極上形成能夠與所述公共電極形成水平電場的多個縫隙。
10.根據權利要求6 9任一所述的水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成彩色樹脂。
11.根據權利要求6 9任一所述的水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成彩色樹脂。
12.根據權利要求6 9任一所述的水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟1還包括在提供的所述第一基板上，形成黑矩陣。
13.根據權利要求6 9任一所述的水平電場型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述步驟2還包括在提供的所述第二基板上，形成黑矩陣。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種水平電場型液晶顯示裝置及制造方法，其中該水平電場型液晶顯示裝置，包括第一基板、第二基板以及夾在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括多個薄膜晶體管、用于驅動所述多個薄膜晶體管的柵線和數據線，所述第二基板包括多個像素電極以及與所述像素電極對應并形成水平電場的公共電極，以及所述水平電場型液晶顯示裝置還包括用于將每個所述像素電極和每個所述薄膜晶體管分別進行電連接的多個導電隔墊物。本實施例的液晶顯示裝置通過在第一基板上設置薄膜晶體管陣列，在第二基板上形成公共電極和像素電極的方式，克服了現有技術的缺陷。
文檔編號G02F1/1343GK101833200SQ20091007995
公開日2010年9月15日 申請日期2009年3月13日 優(yōu)先權日2009年3月13日
發(fā)明者王靜, 裴揚, 閔泰燁, 高文寶 申請人:北京京東方光電科技有限公司