專利名稱：電極設(shè)備和檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電極設(shè)備和檢測(cè)方法，屬于液晶顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體制造技術(shù)也隨之快速發(fā)展。其中，薄膜晶體管 液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，以下簡(jiǎn)稱TFT-LCD)由于 具有體積小、功耗低以及無輻射等特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)有的TFT-LCD或半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)制造過程中，平板型等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積法(PECVD)被廣泛的應(yīng)用于非金屬成膜過程，相應(yīng)的等離子體蝕刻方法被廣泛地應(yīng) 用于非金屬膜層的蝕刻過程。在成膜過程中，將襯底放在具有溫控裝置的下部電極上，壓強(qiáng) 通常保持在133帕左右，射頻電壓加在上部電極和下部電極之間，于是在上下部電極間就 會(huì)出現(xiàn)電容耦合式的氣體放電，并產(chǎn)生等離子體。這些等離子體具有高反應(yīng)活性，很容易被 吸附到較低溫度的襯底表面上，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)，從而沉積生成薄膜。蝕刻過程首先 利用氣壓為10 1000帕的特定氣體(或混合氣體)的輝光放電，產(chǎn)生能與薄膜發(fā)生離子 化學(xué)反應(yīng)的分子或分子基團(tuán)，生成的反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的。它在低氣壓的真空室中被抽走， 從而實(shí)現(xiàn)蝕刻。但是在成膜過程和蝕刻過程中，反應(yīng)氣體復(fù)雜，設(shè)置在上部電極上的孔洞容 易發(fā)生堵塞，且上部電極堵塞的情況只有在產(chǎn)品的終端檢測(cè)階段才會(huì)被發(fā)現(xiàn)。而且，針對(duì)性 的檢測(cè)過程需要停止生產(chǎn)設(shè)備運(yùn)行，打開封裝上部電極和下部電極的腔體才能完成。由此可知，現(xiàn)有技術(shù)中，上部電極發(fā)生堵塞的情況不能被及時(shí)發(fā)現(xiàn)，輕則影響 TFT-IXD的特性，引起MURA，重復(fù)性缺陷(r印eat defect)等現(xiàn)象，重則整張玻璃斷裂，給生 產(chǎn)帶來重大的損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電極設(shè)備和檢測(cè)方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于設(shè)置在上部電 極上的孔洞發(fā)生堵塞而又不能被及時(shí)發(fā)現(xiàn)的問題，杜絕了因上部電極發(fā)生堵塞而導(dǎo)致的 MURA,repeat defect等現(xiàn)象，并能進(jìn)一步檢測(cè)出放置在壓敏薄膜上的玻璃基板是否存在破 損或裂紋，降低了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種電極設(shè)備，包括上部電極、下部電極以及電 壓檢測(cè)模塊，所述上部電極與所述下部電極相對(duì)設(shè)置，所述下部電極與所述上部電極相對(duì) 的表面上設(shè)有壓敏薄膜，所述電壓檢測(cè)模塊根據(jù)所述壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的 電阻變化，獲取相應(yīng)的電壓變化值，并根據(jù)所述電壓變化值進(jìn)行檢測(cè)處理。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種檢測(cè)方法，包括電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下 部電極表面的壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電壓變化，獲取電壓變化值，并在所述 電壓變化值超過預(yù)設(shè)值時(shí)發(fā)送報(bào)警信號(hào)。本發(fā)明通過在下部電極的表面上布設(shè)壓敏薄膜，可以根據(jù)該壓敏薄膜在受到從上 部電極的孔洞中通入的氣流時(shí)，所承受的壓力變化來檢測(cè)上部電極是否發(fā)生堵塞，從而能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)上部電極是否發(fā)生堵塞，杜絕了因上部電極發(fā)生堵塞而導(dǎo)致的MURA，重復(fù)性缺 陷(r印eat defect)等現(xiàn)象，降低了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)；而且，本實(shí)施例還能夠通過該壓敏薄膜檢測(cè) 到玻璃基板在傳送過程中是否出現(xiàn)破碎或者裂紋，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了損失。另 外，本發(fā)明在實(shí)施過程中，不需要停止生產(chǎn)設(shè)備的運(yùn)行，更不需要打開封裝上部電極和下部 電極的腔體，因此，操作簡(jiǎn)單，不會(huì)影響正常的生產(chǎn)流程且效率高。下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明電極設(shè)備第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明電極設(shè)備第二實(shí)施例中下部電極的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明檢測(cè)方法實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明電極設(shè)備包括上部電極、下部電極以及電壓檢測(cè)模塊，所述上部電極與所 述下部電極相對(duì)設(shè)置，下部電極與上部電極相對(duì)的表面上設(shè)有壓敏薄膜，電壓檢測(cè)模塊根 據(jù)該壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電阻變化，獲取相應(yīng)的電壓變化值，并根據(jù)該電 壓變化值進(jìn)行檢測(cè)處理。本發(fā)明的電極設(shè)備在PECVD/蝕刻設(shè)備的下部電極上設(shè)置一層壓敏薄膜。根據(jù)氣 壓傳感原理，壓敏薄膜表面承受的壓力變化可以產(chǎn)生電壓變化。檢測(cè)這種電壓變化，即可及 時(shí)監(jiān)控PECVD/蝕刻設(shè)備上部電極堵塞情況，或者玻璃基板在傳送過程中是否出現(xiàn)破碎或 裂紋。當(dāng)監(jiān)控PECVD/蝕刻設(shè)備上部電極是否堵塞時(shí)，例如可以采用從上部電極的孔洞 向下部電極上設(shè)有壓敏薄膜的表面充入氣體的方式對(duì)該壓敏薄膜加壓，該氣體會(huì)對(duì)壓敏薄 膜表面產(chǎn)生壓力。如果上部電極上的某個(gè)或某些孔洞堵塞了，則處于與該孔洞對(duì)應(yīng)的位置 上的壓敏薄膜所承受的壓力則較小，因此，孔洞是否堵塞的情況可以反映在壓敏薄膜承受 的壓力的變化上。當(dāng)壓敏薄膜承受的壓力變化時(shí)，其本身的電阻也發(fā)生變化，相應(yīng)的，壓敏 薄膜的電壓就會(huì)發(fā)生變化，通過電壓檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)獲取這種電壓變化值。在具體判斷上部 電極上是否存在孔洞堵塞時(shí)，可以預(yù)設(shè)一個(gè)電壓值，當(dāng)檢測(cè)獲取的電壓變化值大于預(yù)設(shè)電 壓值時(shí)，即可判定該上部電極的孔洞發(fā)生了堵塞。對(duì)于監(jiān)控玻璃基板表面是否存在破碎或裂紋的情況，當(dāng)設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)，玻璃基 板在此壓敏薄膜的上方，從而起到了保護(hù)膜層的作用，當(dāng)玻璃基板通過傳送腔放入反應(yīng)腔 的時(shí)刻，如果玻璃基板產(chǎn)生了破碎或裂紋，則玻璃基板對(duì)壓敏薄膜的壓力就會(huì)產(chǎn)生差異，此 時(shí)壓敏薄膜的電阻就會(huì)發(fā)生變化，從而反映在電壓的變化上。電壓檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)獲取該電 壓變化值，即可判斷出該玻璃基板表面是否存在破碎或裂紋。如果玻璃基板表面存在破碎 或裂紋，則可以報(bào)警，如果一切正常，則設(shè)備正常運(yùn)行。下面以具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明電極設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。下述實(shí)施例僅以PECVD/蝕 刻設(shè)備為例進(jìn)行說明，可以理解的是，下述實(shí)施例亦可用于TFT-LCD的半導(dǎo)體制造的其它 設(shè)備。圖1為本發(fā)明電極設(shè)備第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本實(shí)施例的電極設(shè)備包括上部電極10、下部電極11以及電壓檢測(cè)模塊，上部電極10與下部電極11相對(duì)設(shè) 置，下部電極11與上部電極10相對(duì)的表面上設(shè)有壓敏薄膜13，電壓檢測(cè)模塊根據(jù)該壓敏薄 膜13因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電阻變化，獲取相應(yīng)的電壓變化值，并根據(jù)該電壓變化值 進(jìn)行檢測(cè)處理。進(jìn)一步地，本實(shí)施例的電極設(shè)備包括充氣設(shè)備14，該充氣設(shè)備14用于通過設(shè)置在 上部電極10上的孔洞向下部電極11設(shè)有壓敏薄膜13的表面充入氣流。在具體生產(chǎn)過程 中，該氣流可以為惰性氣體，如氮?dú)?。該電壓檢測(cè)模塊可以包括與壓敏薄膜13連接的電壓 輸入端121、電壓輸出端122以及與電壓輸出端122連接的檢測(cè)模塊123。具體地，該充氣設(shè)備14可以設(shè)置在上部電極10的上方，向下充入氮?dú)?。氮?dú)馔ㄟ^ 上部電極10上的孔洞，到達(dá)下部電極11，從而向設(shè)置在下部電極11上的壓敏薄膜13施加 壓力。在測(cè)量壓敏薄膜13的電壓是否是正常值之前，可以先給該壓敏薄膜13施加電壓， 該電壓輸入端121可以輸入0 IOV的檢測(cè)電壓。如果上部電極10的孔洞沒有堵塞，則施 加在壓敏薄膜13表面的壓力是均勻的，可以預(yù)先設(shè)定此時(shí)檢測(cè)模塊123在電壓輸出端122 處檢測(cè)獲取的電壓值為正常值，即此時(shí)壓敏薄膜13本身的電阻也為正常值。而如果某個(gè)或 者某些孔洞堵塞，則壓敏薄膜13上與這些孔洞對(duì)應(yīng)的位置上就不會(huì)承受氮?dú)馐┘拥膲毫Γ?此時(shí)，壓敏薄膜13所承受的壓力相對(duì)于正常情況來說發(fā)生變化，壓敏薄膜13本身的電阻也 相應(yīng)地發(fā)生變化，此時(shí)檢測(cè)模塊123在電壓輸出端122處檢測(cè)獲取的電壓值相對(duì)于正常值 來說發(fā)生變化，從而獲取電壓變化值，該檢測(cè)模塊123可以進(jìn)一步判斷該電壓變化值是否 超出了一個(gè)預(yù)設(shè)的電壓值，相當(dāng)于上部電極10上的孔洞的堵塞情況是否超出了可承受的 范圍。檢測(cè)模塊123還可以在電壓變化值超過預(yù)設(shè)的電壓值時(shí)發(fā)送報(bào)警信號(hào)，從而停止設(shè) 備運(yùn)行，降低了損失。需要說明的是，本實(shí)施例中的電壓輸入端121和電壓輸出端122可以有選擇性地 設(shè)置在壓敏薄膜13上的任意位置，從而能夠靈活地實(shí)現(xiàn)對(duì)上部電極10的局部檢測(cè)和整體 檢測(cè)。而且，該壓敏薄膜13的材料可以根據(jù)需要任意選擇，僅需要該壓敏薄膜13可以將承 受的壓力變化轉(zhuǎn)換為自身的電阻變化即可。該壓敏薄膜13的結(jié)構(gòu)也可以根據(jù)需要任意選 擇，僅需要與下部電極11的尺寸相匹配即可。進(jìn)一步地，本實(shí)施例的下部電極11的中部與一用于翻轉(zhuǎn)該下部電極11的中樞軸連接。具體地，本實(shí)施例的電極設(shè)備中，可以在現(xiàn)有技術(shù)的下部電極的一面采用磁控濺 射發(fā)沉積壓敏薄膜13，而另一面保持不變，即仍采用現(xiàn)有技術(shù)中的鋁的氧化物質(zhì)地。在實(shí)際 生產(chǎn)過程中，采用中樞軸將下部電極11設(shè)有壓敏薄膜13翻轉(zhuǎn)到朝向上部電極10的操作可 以作為一項(xiàng)定期監(jiān)控操作。在不需要使用本實(shí)施例的電極設(shè)備進(jìn)行上述監(jiān)控時(shí)，該下部電 極11可以將涂有鋁的氧化物的一面朝向上部電極10，從而保證設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。而當(dāng)需要 使用本實(shí)施例的電極設(shè)備進(jìn)行上述監(jiān)控時(shí)即達(dá)到定期監(jiān)控時(shí)間時(shí)，可以采用中樞軸將該下 部電極11進(jìn)行180度翻轉(zhuǎn)，從而使得沉積有壓敏薄膜13的一面朝向氣流進(jìn)入的方向，從而 對(duì)該上部電極10是否存在堵塞進(jìn)行檢測(cè)。該中樞軸可以十分方便地使本實(shí)施例的電極設(shè) 備在生產(chǎn)狀態(tài)和檢測(cè)狀態(tài)之間進(jìn)行靈活切換。類似地，采用本實(shí)施例的電極設(shè)備也可用于檢測(cè)玻璃基板在傳送過程中是否發(fā)生
6破碎或者裂紋。在該檢測(cè)過程中，不需要充氣設(shè)備14充氣，僅需要電壓檢測(cè)設(shè)備將獲取到 的壓敏薄膜13的電壓變化值與預(yù)設(shè)的電壓值進(jìn)行比較即可。其原理與上述檢測(cè)上部電極 10的孔洞是否堵塞的原理相同，不再贅述。本實(shí)施例通過在下部電極上布設(shè)壓敏薄膜，可以檢測(cè)上部電極是否發(fā)生堵塞，從 而杜絕了因上部電極發(fā)生堵塞而導(dǎo)致的MURA，重復(fù)性缺陷(r印eat defect)等現(xiàn)象，降低 了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)；而且，本實(shí)施例還能夠通過該壓敏薄膜檢測(cè)到玻璃基板在傳送過程中是否出 現(xiàn)破碎或者裂紋，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了損失。另外，本實(shí)施例通過將電壓輸入端和 電壓輸出端有選擇性地設(shè)置在壓敏薄膜上的任意位置，從而能夠靈活地實(shí)現(xiàn)對(duì)上部電極或 者玻璃基板的局部檢測(cè)和整體檢測(cè)；通過中樞軸可以十分方便地使本實(shí)施例的電極設(shè)備在 生產(chǎn)狀態(tài)和檢測(cè)狀態(tài)之間進(jìn)行靈活切換。另外，本發(fā)明在實(shí)施過程中，不需要停止生產(chǎn)設(shè)備 的運(yùn)行，更不需要打開封裝上部電極和下部電極的腔體，因此，操作簡(jiǎn)單，不會(huì)影響正常的 生產(chǎn)流程且效率高。圖2為本發(fā)明電極設(shè)備第二實(shí)施例中下部電極的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本 實(shí)施例在本發(fā)明電極設(shè)備第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，對(duì)下部電極11上的壓敏薄膜13的結(jié)構(gòu)進(jìn) 行了進(jìn)一步的改進(jìn)。本實(shí)施例的壓敏薄膜13包括多個(gè)平行設(shè)置且依次連接的壓敏薄膜條131，電壓輸 入端121與壓敏薄膜13的一端連接，電壓輸出端122與壓敏薄膜13的另一端連接。優(yōu)選 地，該壓敏薄膜條131的數(shù)量可以在50 190內(nèi)。該壓敏薄膜條131的數(shù)量可以根據(jù)需要 選擇，且該壓敏薄膜13的結(jié)構(gòu)也不限于本實(shí)施例所述的結(jié)構(gòu)。因此，本實(shí)施例的電極設(shè)備 中，壓敏薄膜13呈S形分布。在實(shí)際使用中，根據(jù)測(cè)量需要，該壓敏薄膜13可以呈其它分 布形狀，只要其能夠?qū)⒊惺艿膲毫ψ兓D(zhuǎn)換成電阻變化，且分布形狀有利于測(cè)量點(diǎn)的定位 即可。該壓敏薄膜13可以采用磁控濺射法將具有氣壓敏感效應(yīng)的碳/硅異質(zhì)結(jié)材料沉 積在下部電極11上形成。具體地，該壓敏薄膜13可以采用磁控濺射法將純度為99. 9%的 石墨靶濺射到拋光的硅基片上形成，或者采用磁控濺射法將含有0 10%質(zhì)量分?jǐn)?shù)的鐵的 鐵_石墨混合靶濺射到拋光的硅基片上形成，且形成的厚度在20納米 200納米范圍內(nèi)。在實(shí)際操作中，下部電極11上還可以設(shè)有邊框15以及多個(gè)支撐針16。本實(shí)施例的檢測(cè)過程與本發(fā)明電極設(shè)備第一實(shí)施例的檢測(cè)過程類似，不再贅述。本實(shí)施例通過電壓輸入端，對(duì)壓敏薄膜輸入電壓，通過電壓輸出端獲取壓敏薄膜 的輸出電壓，通過檢測(cè)模塊判斷該電壓輸出端輸出的電壓是否為正常值，即電壓輸出端的 電壓變化值是否在正常值的范圍內(nèi)，從而可以將電壓輸出端的電壓變化值域壓敏薄膜所承 受的壓力對(duì)應(yīng)起來，進(jìn)一步根據(jù)壓力變化檢測(cè)上部電極的孔洞是否發(fā)生堵塞，或者放置在 壓敏薄膜上的玻璃基板是否發(fā)生破碎或者裂紋。本發(fā)明檢測(cè)方法可以利用上述檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)上部電極的孔洞是否發(fā)生堵塞，或者 放置在壓敏薄膜上的玻璃基板是否發(fā)生破碎或裂紋。具體地，本發(fā)明檢測(cè)方法包括電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下部電極表面的壓敏薄 膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電壓變化，獲取電壓變化值，并在所述電壓變化值超過預(yù)設(shè) 值時(shí)發(fā)送報(bào)警信號(hào)。當(dāng)監(jiān)控PECVD/蝕刻設(shè)備上部電極是否堵塞時(shí)，例如可以采用從上部電極的孔洞向下部電極上設(shè)有壓敏薄膜的表面充入氣體的方式對(duì)該壓敏薄膜加壓，該氣體會(huì)對(duì)壓敏薄 膜表面產(chǎn)生壓力。如果上部電極上的某個(gè)孔洞全部或者部分堵塞了，則處于與該孔洞對(duì)應(yīng) 的位置上的壓敏薄膜所承受的壓力則較小，因此，孔洞是否堵塞的情況可以反映在壓敏薄 膜承受的壓力的變化上。當(dāng)壓敏薄膜承受的壓力變化時(shí)，其本身的電阻也發(fā)生變化，相應(yīng) 的，壓敏薄膜的電壓就會(huì)發(fā)生變化，通過電壓檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)獲取這種電壓變化值。在具體判 斷上部電極上是否存在孔洞堵塞時(shí)，可以預(yù)設(shè)一個(gè)電壓值，當(dāng)檢測(cè)獲取的電壓變化值大于 預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，即可判定該上部電極的孔洞發(fā)生了堵塞，然后發(fā)出報(bào)警信號(hào)，提示需要對(duì)該 上部電極進(jìn)行清洗。對(duì)于監(jiān)控玻璃基板表面是否存在破碎或裂紋的情況，當(dāng)設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)，玻璃基 板在此壓敏薄膜的上方，從而起到了保護(hù)膜層的作用，當(dāng)玻璃基板通過傳送腔放入反應(yīng)腔 的時(shí)刻，如果玻璃基板產(chǎn)生了破碎或裂紋，則玻璃基板對(duì)壓敏薄膜的壓力就會(huì)產(chǎn)生差異，此 時(shí)壓敏薄膜的電阻就會(huì)發(fā)生變化，從而反映在電壓的變化上。電壓檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)獲取該電 壓變化值，即可判斷出該玻璃基板表面是否存在破碎或裂紋。如果玻璃基板表面存在破碎 或裂紋，則可以報(bào)警，如果一切正常，則設(shè)備正常運(yùn)行。本實(shí)施例在電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下部電極表面的壓敏薄膜因承受的壓力變 化而產(chǎn)生的電壓變化之前，可以包括充氣設(shè)備通過設(shè)置在上部電極上的孔洞向下部電極 設(shè)有壓敏薄膜的表面充入氣流。充氣設(shè)備通過設(shè)置在上部電極上的孔洞向下部電極設(shè)有壓敏薄膜的表面充入氣 流之前，還包括應(yīng)用電控設(shè)備控制中樞軸，通過中樞軸將下部電極翻轉(zhuǎn)180度，使下部電極設(shè)有 壓敏薄膜的表面朝向氣流進(jìn)入的方向。電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下部電極表面的壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的 電壓變化，具體為電壓輸入端向所述壓敏薄膜輸入電壓；電壓輸出端檢測(cè)壓敏薄膜的輸 出電壓；檢測(cè)模塊比較輸出電壓與正常電壓值，獲取電壓變化值，并在電壓變化值大于預(yù)設(shè) 電壓變化值時(shí)，發(fā)送報(bào)警信號(hào)。本發(fā)明通過在下部電極上布設(shè)壓敏薄膜，可以檢測(cè)上部電極是否發(fā)生堵塞，從而 杜絕了因上部電極發(fā)生堵塞而導(dǎo)致的MURA，重復(fù)性缺陷(r印eat defect)等現(xiàn)象，降低了 生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)；而且，本實(shí)施例還能夠通過該壓敏薄膜檢測(cè)到玻璃基板在傳送過程中是否出現(xiàn) 破碎或者裂紋，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了損失。另外，本實(shí)施例通過將電壓輸入端和電 壓輸出端有選擇性地設(shè)置在壓敏薄膜上的任意位置，從而能夠靈活地實(shí)現(xiàn)對(duì)上部電極或者 玻璃基板的局部檢測(cè)和整體檢測(cè)；通過中樞軸可以十分方便地使本實(shí)施例的電極設(shè)備在生 產(chǎn)狀態(tài)和檢測(cè)狀態(tài)之間進(jìn)行靈活切換。下面以一個(gè)具體實(shí)施例對(duì)應(yīng)用本發(fā)明檢測(cè)方法檢測(cè)上部電極的孔洞是否發(fā)生堵 塞的過程進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)用本發(fā)明檢測(cè)方法檢測(cè)玻璃基板上是否存在破損和裂紋的過程 類似，不再贅述。圖3為本發(fā)明檢測(cè)方法實(shí)施例的流程圖，如圖3所示，本實(shí)施例的方法包括步驟101、停止設(shè)備的正常運(yùn)行，并停止射頻電壓。在設(shè)備不進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，可以正常運(yùn)轉(zhuǎn)，當(dāng)需要進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，則可以先停止設(shè)備的正 常運(yùn)轉(zhuǎn)，并停止射頻電壓，從而使得設(shè)備進(jìn)入檢測(cè)狀態(tài)。
步驟102、通過中樞軸將下部電極翻轉(zhuǎn)180度，使下部電極設(shè)有壓敏薄膜的表面朝 向氣流進(jìn)入的方向。在不需要使用本實(shí)施例的電極設(shè)備進(jìn)行上述監(jiān)控時(shí)，該下部電極可以將涂有鋁的 氧化物的一面朝向上部電極，從而保證設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。而當(dāng)需要使用本實(shí)施例的電極設(shè) 備進(jìn)行上述監(jiān)控時(shí)，可以采用中樞軸將該下部電極進(jìn)行180度翻轉(zhuǎn)，從而使得沉積有壓敏 薄膜的一面朝向氣流進(jìn)入的方向，從而對(duì)該上部電極是否存在堵塞進(jìn)行檢測(cè)。該中樞軸可 以十分方便地使本實(shí)施例的電極設(shè)備在生產(chǎn)狀態(tài)和檢測(cè)狀態(tài)之間進(jìn)行靈活切換。需要說明的是，步驟101和步驟102之間可以沒有先后順序。步驟103、充氣設(shè)備通過設(shè)置在上部電極上的孔洞向下部電極充入氣流。在具體生產(chǎn)過程中，該氣流可以為惰性氣體，例如氮?dú)?。該氣流可以通過上部電極 上的孔洞，到達(dá)下部電極，從而向設(shè)置在下部電極上的壓敏薄膜施加壓力。當(dāng)孔洞沒有發(fā)生 堵塞時(shí)，該氣流可以均勻地到達(dá)壓敏薄膜的表面。當(dāng)某個(gè)或某些孔洞堵塞時(shí)，則需要通過這 些孔洞的氣流就不能到達(dá)壓敏薄膜的表面，從而使得壓敏薄膜表面本應(yīng)承受的壓力發(fā)生變 化。步驟104、電壓輸入端向壓敏薄膜輸入電壓。該電壓輸入端可以輸入0 IOV的檢測(cè)電壓。需要說明的是，步驟103和步驟104之間可以沒有先后順序。步驟105、電壓輸出端檢測(cè)該壓敏薄膜的輸出電壓。如果上部電極的孔洞沒有堵塞，則施加在壓敏薄膜表面的壓力是均勻的，可以預(yù) 先設(shè)定此時(shí)檢測(cè)模塊在電壓輸出端處檢測(cè)獲取的電壓值為正常值，即此時(shí)壓敏薄膜本身的 電阻也為正常值。而如果某個(gè)或者某些孔洞堵塞，則壓敏薄膜上與這些孔洞對(duì)應(yīng)的位置上 就不會(huì)承受氮?dú)馐┘拥膲毫?，此時(shí)，壓敏薄膜所承受的壓力相對(duì)于正常情況來說發(fā)生變化， 壓敏薄膜本身的電阻也相應(yīng)地發(fā)生變化，此時(shí)檢測(cè)模塊在電壓輸出端處檢測(cè)獲取的電壓值 相對(duì)于正常值來說發(fā)生變化步驟106、檢測(cè)模塊比較該輸出電壓與正常電壓值，獲取電壓變化值。在獲取輸出電壓時(shí)，由于存在噪聲等干擾問題，該輸出電壓有可能與正常電壓值 存在出入。因此，需要進(jìn)一步獲取輸出電壓相對(duì)于正常電壓值的電壓變化值。步驟107、判斷該電壓變化值是否大于預(yù)設(shè)電壓變化值，若是則執(zhí)行步驟108，否 則執(zhí)行步驟109。判斷該電壓變化值是否大于預(yù)設(shè)電壓變化值的過程相當(dāng)于判斷上部電極上的孔 洞的堵塞情況是否超出了可承受的范圍。檢測(cè)模塊還可以在電壓變化值超過預(yù)設(shè)的電壓變 化值時(shí)發(fā)送報(bào)警信號(hào)，從而停止設(shè)備運(yùn)行，降低了損失。步驟108、發(fā)送報(bào)警信號(hào)。步驟109、電壓輸入端切斷輸入電壓，設(shè)備正常運(yùn)行。本實(shí)施例通過在下部電極上布設(shè)壓敏薄膜，可以檢測(cè)上部電極是否發(fā)生堵塞，從 而杜絕了因上部電極發(fā)生堵塞而導(dǎo)致的MURA，重復(fù)性缺陷(r印eat defect)等現(xiàn)象，降低 了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。通過中樞軸可以十分方便地使本實(shí)施例的電極設(shè)備在生產(chǎn)狀態(tài)和檢測(cè)狀態(tài)之 間進(jìn)行靈活切換。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn)行限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依 然可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修 改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種電極設(shè)備，包括上部電極、下部電極以及電壓檢測(cè)模塊，所述上部電極與所述下部電極相對(duì)設(shè)置，其特征在于，所述下部電極與所述上部電極相對(duì)的表面上設(shè)有壓敏薄膜，所述電壓檢測(cè)模塊根據(jù)所述壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電阻變化，獲取相應(yīng)的電壓變化值，并根據(jù)所述電壓變化值進(jìn)行檢測(cè)處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極設(shè)備，其特征在于，還包括充氣設(shè)備，用于通過設(shè)置在所 述上部電極上的孔洞向所述下部電極設(shè)有所述壓敏薄膜的表面充入氣流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述氣流為惰性氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述下部電極的中部與一用于翻轉(zhuǎn) 所述下部電極的中樞軸連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一權(quán)利要求所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述電壓檢測(cè)模 塊包括與所述壓敏薄膜連接的電壓輸入端、電壓輸出端以及與所述電壓輸出端連接的檢測(cè) 模塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述壓敏薄膜包括多個(gè)平行設(shè)置且 依次連接的壓敏薄膜條，所述電壓輸入端與所述壓敏薄膜的一端連接，所述電壓輸出端與 所述壓敏薄膜的另一端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述壓敏薄膜包括50 190個(gè)平行 設(shè)置的壓敏薄膜條。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述壓敏薄膜采用磁控濺射法將具 有氣壓敏感效應(yīng)的碳/硅異質(zhì)結(jié)材料沉積在所述下部電極上形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述壓敏薄膜采用磁控濺射法將純 度為99. 9%的石墨靶濺射到拋光的硅基片上形成，或者采用磁控濺射法將含有0 10%質(zhì) 量分?jǐn)?shù)的鐵的鐵_石墨混合靶濺射到拋光的硅基片上形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電極設(shè)備，其特征在于，所述壓敏薄膜的厚度在20納米 200納米范圍內(nèi)。
11.一種檢測(cè)方法，其特征在于，包括電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下部電極表面的壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電壓 變化，獲取電壓變化值，并在所述電壓變化值超過預(yù)設(shè)值時(shí)發(fā)送報(bào)警信號(hào)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下 部電極表面的壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電壓變化之前，包括充氣設(shè)備通過設(shè)置在上部電極上的孔洞向所述下部電極設(shè)有所述壓敏薄膜的表面充 入氣流。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述充氣設(shè)備通過設(shè)置在上部電 極上的孔洞向所述下部電極設(shè)有所述壓敏薄膜的表面充入氣流之前，還包括應(yīng)用電控設(shè)備控制中樞軸，通過所述中樞軸將所述下部電極翻轉(zhuǎn)180度，使所述下部 電極設(shè)有所述壓敏薄膜的表面朝向所述氣流進(jìn)入的方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求11 13中任一權(quán)利要求所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電壓 檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下部電極表面的壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電壓變化，具體 為電壓輸入端向所述壓敏薄膜輸入電壓；電壓輸出端檢測(cè)所述壓敏薄膜的輸出電壓；檢測(cè)模塊比較所述輸出電壓與正常電壓值，獲取電壓變化 值，并在所述電壓變化值大 于預(yù)設(shè)電壓變化值時(shí)，發(fā)送報(bào)警信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電極設(shè)備和檢測(cè)方法，該電極設(shè)備包括上部電極、下部電極以及電壓檢測(cè)模塊，所述上部電極與所述下部電極相對(duì)設(shè)置，所述下部電極與所述上部電極相對(duì)的表面上設(shè)有壓敏薄膜，所述電壓檢測(cè)模塊根據(jù)所述壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電阻變化，獲取相應(yīng)的電壓變化值，并根據(jù)所述電壓變化值進(jìn)行檢測(cè)處理。該檢測(cè)方法包括電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)設(shè)置在下部電極表面的壓敏薄膜因承受的壓力變化而產(chǎn)生的電壓變化，獲取電壓變化值，并在所述電壓變化值超過預(yù)設(shè)值時(shí)發(fā)送報(bào)警信號(hào)。本發(fā)明杜絕了因上部電極發(fā)生堵塞而導(dǎo)致的MURA，repeat defect等現(xiàn)象，并能檢測(cè)出放置在壓敏薄膜上的玻璃基板是否存在破損或裂紋，降低了生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101887194SQ20091008398
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月13日
發(fā)明者李麗, 王威 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司