專利名稱：使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器制造方法，尤其是一種使用掩模板曝光工藝的基板及 其對位方法，屬于掩模板曝光技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著薄膜晶體管液晶顯示器(簡稱TFT-IXD)技術(shù)的迅猛發(fā)展，液晶面板的尺寸也 在不斷增大，為了生產(chǎn)出更大尺寸的液晶面板，需要建立新的生產(chǎn)線，特別是更高世代的生 產(chǎn)線，這樣不但投資巨大，而且風(fēng)險也非常大。因此，在目前的生產(chǎn)線上來開發(fā)生產(chǎn)較大尺 寸液晶顯示器的基板成為一個行之有效的解決方案。圖1為現(xiàn)有使用掩模板曝光工藝制作基板的掩模板結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，一 般可以將該掩模板分為三個不同的部分A1、B1和Cl，各個部分由兩條用于遮擋該掩模板要 曝光區(qū)域邊緣的擋光條11分開；在該掩模板的中心線的兩側(cè)，即Bl部分的“☆”區(qū)域處設(shè) 置有用于對位的對位標(biāo)記12。圖2為現(xiàn)有使用掩模板曝光工藝的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖 2所示，在該基板的B2部分設(shè)置有與圖1的掩模板上設(shè)置的對位標(biāo)記12對應(yīng)的對位標(biāo)記 21，用于將掩模板和基板進行對位，使用掩模板的中間部分Bl對基板的B2部分進行曝光， 使用位于掩模板的邊緣的Al部分對基板的邊緣A2部分進行曝光，使用位于掩模板的邊緣 的Cl部分對基板的邊緣C2部分進行曝光。通過使用掩模板的不同部分對該基板的不同部 分進行對位曝光的方法拼接形成大尺寸的液晶顯示器的基板。在一般情況下，由于掩模板和設(shè)備自身條件的限制，在圖1所示的掩模板上只能 在以中心位置為對稱的兩側(cè)、且靠近中心位置形成一對對位標(biāo)記12，即在Bl部分，那么，在 上述技術(shù)方案中，在對圖2所示的基板的不同部分進行對位曝光時，只有位于面板中間的 B2部分是進行精確對位的，而位于面板兩端的A2和C2部分是沒有被對位的。A2和C2部分 只是依靠硬件設(shè)備本身的精度進行位置的控制。因此，也就使得A2和C2部分的套刻精度 (Overlay)比B2部分的差很多。從實際的工藝數(shù)據(jù)來看，B2部分的套刻精度在X和Y兩個 方向上都在士 0. 6 μ m以內(nèi)，而A2和C2部分的套刻精度則經(jīng)常在士 4. 0 μ m左右，而且數(shù)值 非常不穩(wěn)定，將圖1所示的掩模板用在不同的基板上進行對位曝光時，對不同的基板的A2 和C2部分更會得到完全不同的結(jié)果，即基板的A2和C2部分的套刻精度可能會忽大忽小， 完全不可預(yù)料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法，有效解決現(xiàn) 有技術(shù)中對使用掩模板分步曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板 曝光工藝的基板進行分步對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板，所述掩模板 包括三個曝光區(qū)域，分別為右側(cè)曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側(cè)曝光區(qū)域，所述掩模板的中 部曝光區(qū)域上設(shè)置有關(guān)于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標(biāo)記，所述基板包
4括位于基板右側(cè)的右側(cè)曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側(cè)的左側(cè)曝光區(qū)域，在 所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側(cè)分別設(shè)置有與掩模板進行對位的基 板對位標(biāo)記，所述基板對位標(biāo)記為三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標(biāo)記，其中，第一對位子標(biāo)記用于與所述掩模板對位標(biāo)記進行對位以對所述基板的右側(cè)曝光 區(qū)域進行曝光；第二對位子標(biāo)記用于與所述掩模板對位標(biāo)記進行對位以對所述基板的各個中部 曝光區(qū)域進行分步曝光，所述第二對位子標(biāo)記與所述第一對位子標(biāo)記相鄰，位于所述第一 對位子標(biāo)記的右側(cè)；第三對位子標(biāo)記用于與所述掩模板對位標(biāo)記進行對位以對所述基板的左側(cè)曝光 區(qū)域進行曝光，所述第三對位子標(biāo)記與所述第二對位子標(biāo)記相鄰，位于所述第二對位子標(biāo) 記的右側(cè)。所述第二對位子標(biāo)記關(guān)于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，相鄰所述對位子標(biāo)記間的距離等于所 述擋光條的寬度?；蛘?，所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，且各個相鄰曝光區(qū)域的 擋光條兩側(cè)還包括重復(fù)曝光區(qū)域，相鄰所述對位子標(biāo)記間的距離為所述擋光條的寬度與單 側(cè)所述重復(fù)曝光區(qū)域的寬度之和。三個所述對位子標(biāo)記包括粗對位標(biāo)記和精確對位標(biāo)記，分別與所述掩模板上的對 位標(biāo)記進行對位。所述精確對位標(biāo)記包括一條或多條橫線以及一條或多條豎線。本發(fā)明還提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，所述掩模板包括三 個曝光區(qū)域，分別為右側(cè)曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側(cè)曝光區(qū)域，所述掩模板的中部曝光 區(qū)域上設(shè)置有關(guān)于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標(biāo)記，所述基板包括位于 基板右側(cè)的右側(cè)曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側(cè)的左側(cè)曝光區(qū)域，包括采用所述掩模板對位標(biāo)記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左 右兩側(cè)設(shè)置的基板對位標(biāo)記進行對位，所述基板對位標(biāo)記為三個并排放置、間距相等、形狀 相同的對位子標(biāo)記；對對位后的所述基板的左側(cè)曝光區(qū)域、各個中部曝光區(qū)域和右側(cè)曝光區(qū)域進行分
步曝光。所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，或所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光 條隔離并且各個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側(cè)還包括重復(fù)曝光區(qū)域，則所述采用所述掩模板 對位標(biāo)記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側(cè)設(shè)置的基板對位標(biāo) 記進行對位具體包括采用所述掩模板對位標(biāo)記與所述基板上的第一對位子標(biāo)記進行所述掩模板的右 側(cè)曝光區(qū)域和所述基板的右側(cè)曝光區(qū)域的對位；采用所述掩模板對位標(biāo)記與所述基板上的第二對位子標(biāo)記進行所述掩模板的中 部曝光區(qū)域和所述基板的各個中部曝光區(qū)域的對位，所述第二對位子標(biāo)記與所述第一對位 子標(biāo)記相鄰，位于所述第一對位子標(biāo)記的右側(cè)；采用所述掩模板對位標(biāo)記與所述基板上的第三對位子標(biāo)記進行所述掩模板的左 側(cè)曝光區(qū)域和所述基板的左側(cè)曝光區(qū)域的對位，所述第三對位子標(biāo)記與所述第二對位子標(biāo) 記相鄰，位于所述第二對位子標(biāo)記的右側(cè)。
所述第二對位子標(biāo)記關(guān)于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。在所述基板上形成三個所述對位子標(biāo)記，相鄰所述對位子標(biāo)記間的距離等于所述 擋光條的寬度，或者相鄰所述對位子標(biāo)記間的距離為所述擋光條的寬度與所述擋光條單側(cè) 的重復(fù)曝光區(qū)域的寬度之和。本發(fā)明提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法，通過在基板上的各 個對位標(biāo)記出形成三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標(biāo)記，可以有效解決現(xiàn)有技 術(shù)中對使用掩模板曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板曝光工藝 的基板進行對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。


圖1為現(xiàn)有使用掩模板曝光工藝制作基板的掩模板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有使用掩模板曝光工藝的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意 圖；圖5B為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標(biāo)記的另一結(jié)構(gòu)示 意圖；圖6A為圖4所示的掩模板對位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6B為圖4所示的掩模板對位標(biāo)記的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明采用掩模板對基板進行對位曝光的示意圖；圖8為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法實施例的流程示意圖。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細(xì)描述。圖3為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為本發(fā)明掩 模板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，該基板上包括多個曝光區(qū)域，位于基板中部的各個中部曝 光區(qū)域標(biāo)記為B3，位于基板兩側(cè)的左側(cè)曝光區(qū)域和右側(cè)曝光區(qū)域分別標(biāo)記為A3和C3，其 中斜線陰影部分為采用如圖4所示的掩模板上的斜線陰影區(qū)域?qū)Ω鱾€曝光區(qū)域進行曝光 時產(chǎn)生的重復(fù)曝光區(qū)域，且曝光兩次的重復(fù)曝光區(qū)域形成的圖形與基板中間的B3部分曝 光后形成的圖形相同，如圖4所示的掩模板上的斜線陰影區(qū)域?qū)?yīng)于基板上的重復(fù)曝光區(qū) 域，也被稱為重復(fù)曝光區(qū)域。在圖3所示的曝光區(qū)域B3的上邊緣和下邊緣的左右兩側(cè)分別 設(shè)置有用于和圖4所示的掩模板對位標(biāo)記41進行對位的基板對位標(biāo)記31，基板對位標(biāo)記 31位置如圖3中的“☆”標(biāo)記所示。如圖4所示，掩模板具有三個曝光區(qū)域，相鄰曝光區(qū)域 由擋光條隔離，三個曝光區(qū)域分別為A4、B4和C4，掩模板對位標(biāo)記41位置也如“☆”標(biāo)記所 示，其中斜線陰影區(qū)域為重復(fù)曝光區(qū)域，黑色線條為擋光條42。其中圖4中的擋光條42的 設(shè)置是由于對基板的曝光也是采用掩模板的各個部分分別曝光，因此例如當(dāng)采用掩模板 的B4部分進行曝光時，需要將掩模板的A4和C4部分擋住，由于用于遮擋A4和C4的擋板 會略高出基板，因此在基板的被曝光區(qū)域的邊緣處由于光的反射會形成不清楚的區(qū)域，對該處不清楚的區(qū)域可以通過在掩模板上設(shè)置擋光條42來將基板上的會形成不清楚的區(qū)域 擋住，從而避免光的反射，在基板應(yīng)曝光的區(qū)域形成清晰的圖形。圖5A為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖， 圖6A為圖4所示的掩模板對位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5A所示，基板對位標(biāo)記31 (如圖 3所示)為三個并排放置的、間距相等、形狀相同的對位子標(biāo)記，分別為Ml、M2和M3。如圖 6A所示，掩模板對位標(biāo)記41設(shè)置在掩模板上，且與基板上的對位子標(biāo)記M2的坐標(biāo)位置相 同，即掩模板對位標(biāo)記41 (如圖4所示)距離B4部分的中心線的距離與對位子標(biāo)記M2距 離B3部分的中心線的距離是相等的。第一對位子標(biāo)記Ml用于與掩模板對位標(biāo)記41進行 對位以對基板的左側(cè)曝光區(qū)域A3部分進行曝光；第二對位子標(biāo)記M2用于與掩模板對位標(biāo) 記41進行對位以對基板的各個中部曝光區(qū)域B3部分進行分步曝光，該第二對位子標(biāo)記M2 與第一對位子標(biāo)記Ml相鄰，位于第一對位子標(biāo)記Ml的右側(cè)；第三對位子標(biāo)記M3用于與掩 模板對位標(biāo)記41進行對位以對基板的右側(cè)曝光區(qū)域C3部分進行曝光，該第三對位子標(biāo)記 M3與第二對位子標(biāo)記M2相鄰，位于第二對位子標(biāo)記M2的右側(cè)。其中，第二對位子標(biāo)記M2關(guān)于基板的各個中部曝光區(qū)域B3的中線對稱。圖5A和圖6A所示的基板對位標(biāo)記和掩模板對位標(biāo)記的對準(zhǔn)過程即是，移動掩模 板或者承載基板的基臺，使得掩模板對位標(biāo)記41對準(zhǔn)基板上的對位子標(biāo)記Ml、M2或M3。其 中，若采用圖5A和圖6A所示的對位標(biāo)記形狀，則具體的對準(zhǔn)過程為首先將圖5A所示的各 個對位子標(biāo)記右側(cè)的“田”字形圖形置于圖6A所示的掩模板對位標(biāo)記右側(cè)的“ 口”字形圖形 之中，進行粗對位；然后再微調(diào)，當(dāng)基板上的對位子標(biāo)記M1、M2或M3中的左側(cè)的橫線對位到 掩模板對位標(biāo)記41的左側(cè)的兩條橫線的中間，基板上的對位子標(biāo)記Ml、M2或M3中的左側(cè) 的豎線對位到掩模板對位標(biāo)記41的左側(cè)的兩條豎線的中間時，即可以得到較為精確的對 位。如圖5A所示，其中對位子標(biāo)記M1、M2和M3之間的距離d可以為掩模板上的擋光條42 的寬度dl與掩模板上單側(cè)重復(fù)曝光區(qū)域的寬度d2之和；或者當(dāng)不存在重復(fù)曝光區(qū)域時，對 位子標(biāo)記Ml、M2和M3之間的距離d可以等于掩模板上的擋光條42的寬度dl。圖5B為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標(biāo)記的另一結(jié)構(gòu)示 意圖，圖6B為圖4所示的掩模板對位標(biāo)記的另一結(jié)構(gòu)示意圖。其與圖5A和圖6A的不同之 處在于圖5B所示的基板對位標(biāo)記的左側(cè)標(biāo)記線形為交叉的“十”字形，圖6B所示的掩模 板對位標(biāo)記的左側(cè)標(biāo)記線形為“#”字形，仍然是將圖5B所示的一條橫線和一條豎線分別對 位到圖6B所示的兩條橫線和兩條豎線之間。需要說明的是，用于將基板和掩模板進行對位 的對位標(biāo)記的形狀并不限于圖示上所示的形狀，任一可以將基板和掩模板進行對位的對位 標(biāo)記的形狀均屬于本發(fā)明所涉及的對位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)。圖7為本發(fā)明采用掩模板對基板進行對位曝光的示意圖。如圖7所示，現(xiàn)具體說 明如何對使用掩模板曝光工藝的基板進行曝光。如圖7所示，先用掩模板對基板上的A3部 分進行對位曝光，即#1處，如圖7中上方的掩模板對位所在的位置，采用掩模板對位標(biāo)記41 對準(zhǔn)基板上的對位子標(biāo)記M3，此時掩模板上左側(cè)的擋光條位于重復(fù)曝光區(qū)域A3B3的右側(cè)， 然后對基板的A3部分，即#1處進行對位曝光；之后，將掩模板向左移動距離d或者將承載 基板的基臺向右移動距離d，如圖7中下方的掩模板對位所在的位置，采用掩模板對位標(biāo)記 41對準(zhǔn)基板上的對位子標(biāo)記M2，擋光條42位于B3部分兩側(cè)重復(fù)曝光區(qū)域的外側(cè)，從而對 B3部分，即#2處進行對位曝光。這樣以此類推，采用掩模板對位標(biāo)記41對準(zhǔn)圖3所示的基
7板上的#3/#4/#5/#6處B3部分的對位子標(biāo)記M2，對B3部分進行對位曝光，最后將與#6處 基板的B3部分對準(zhǔn)的掩模板向右移動距離d或者將承載基板的基臺向左移動距離d，采用 掩模板對位標(biāo)記41對準(zhǔn)基板上的對位子標(biāo)記M1，然后對基板的C3部分，即#7處進行對位 曝光。從而完成對整個基板的對位曝光。需要說明的是，對該使用掩模板曝光工藝的基板 的各個曝光區(qū)域的曝光順序是可以改變的，例如，曝光順序可以為#2-# 1 -#3-#4-#5-#6-#7， 只要參照上述方式采用對位標(biāo)記對位準(zhǔn)確即可。本發(fā)明實施例提供的方案，基板上兩側(cè)的曝光區(qū)域的套刻精度與中間部分的曝光 區(qū)域的套刻精度比較，差別在于在玻璃基板上形成對位標(biāo)記時的位置精度，而玻璃基板上 形成的三個對位子標(biāo)記之間的距離只有d，d—般為10mm，且在同一次曝光過程中形成，所 以對于整個基板的曝光過程來說，該誤差可以忽略。也就是說，基板上兩側(cè)的曝光區(qū)域的套 刻精度可以達(dá)到中間部分的曝光區(qū)域的套刻精度。圖8為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法實施例的流程示意圖。掩模 板包括三個曝光區(qū)域，分別為右側(cè)曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側(cè)曝光區(qū)域，掩模板的中部 曝光區(qū)域上設(shè)置有關(guān)于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標(biāo)記，基板包括位于 基板右側(cè)的右側(cè)曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側(cè)的左側(cè)曝光區(qū)域，如圖8所 示，包括如下步驟步驟801、采用掩模板對位標(biāo)記分別與基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左 右兩側(cè)設(shè)置的基板對位標(biāo)記進行對位，該基板對位標(biāo)記為三個并排放置、間距相等、形狀相 同的對位子標(biāo)記；步驟802、對對位后的基板的左側(cè)曝光區(qū)域、各個中部曝光區(qū)域和右側(cè)曝光區(qū)域進 行分步曝光。其中，所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，或掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋 光條隔離并且各個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側(cè)還包括重復(fù)曝光區(qū)域，則步驟801中的采用 所述掩模板對位標(biāo)記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側(cè)設(shè)置的 基板對位標(biāo)記進行對位具體可以包括步驟801a、采用掩模板對位標(biāo)記與基板上的第一對位子標(biāo)記進行掩模板的右側(cè)曝 光區(qū)域和基板的右側(cè)曝光區(qū)域的對位；步驟801b、采用掩模板對位標(biāo)記與基板上的第二對位子標(biāo)記進行掩模板的中部曝 光區(qū)域和基板的各個中部曝光區(qū)域的對位，該第二對位子標(biāo)記與第一對位子標(biāo)記相鄰，位 于第一對位子標(biāo)記的右側(cè)；步驟801c、采用掩模板對位標(biāo)記與基板上的第三對位子標(biāo)記進行掩模板的左側(cè)曝 光區(qū)域和基板的左側(cè)曝光區(qū)域的對位，該第三對位子標(biāo)記與第二對位子標(biāo)記相鄰，位于第 二對位子標(biāo)記的右側(cè)。需要說明的是，步驟801a、步驟801b和步驟801c的順序不限；且第二對位子標(biāo)記 關(guān)于基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。在步驟801之前還可以包括步驟803、在基板上形成三個對位子標(biāo)記，相鄰對位 子標(biāo)記間的距離等于擋光條的寬度，或者相鄰對位子標(biāo)記間的距離為擋光條的寬度與擋光 條單側(cè)的重復(fù)曝光區(qū)域的寬度之和。本實施例所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法中的基板、掩模板及基板和掩模板上的對位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)如上述使用掩模板曝光工藝的基板實施例中的描述，在此不 再贅述。本發(fā)明提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，通過在基板上的各個 對位標(biāo)記出形成三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標(biāo)記，可以有效解決現(xiàn)有技術(shù) 中對使用掩模板曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板曝光工藝的 基板進行對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照 較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的 技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
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權(quán)利要求
一種使用掩模板曝光工藝的基板，所述掩模板包括三個曝光區(qū)域，分別為右側(cè)曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側(cè)曝光區(qū)域，所述掩模板的中部曝光區(qū)域上設(shè)置有關(guān)于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標(biāo)記，所述基板包括位于基板右側(cè)的右側(cè)曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側(cè)的左側(cè)曝光區(qū)域，其特征在于，在所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側(cè)分別設(shè)置有與掩模板進行對位的基板對位標(biāo)記，所述基板對位標(biāo)記為三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標(biāo)記，其中，第一對位子標(biāo)記用于與所述掩模板對位標(biāo)記進行對位以對所述基板的右側(cè)曝光區(qū)域進行曝光；第二對位子標(biāo)記用于與所述掩模板對位標(biāo)記進行對位以對所述基板的各個中部曝光區(qū)域進行分步曝光，所述第二對位子標(biāo)記與所述第一對位子標(biāo)記相鄰，位于所述第一對位子標(biāo)記的右側(cè)；第三對位子標(biāo)記用于與所述掩模板對位標(biāo)記進行對位以對所述基板的左側(cè)曝光區(qū)域進行曝光，所述第三對位子標(biāo)記與所述第二對位子標(biāo)記相鄰，位于所述第二對位子標(biāo)記的右側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述第二對位子 標(biāo)記關(guān)于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述掩模板的 相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，相鄰所述對位子標(biāo)記間的距離等于所述擋光條的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述掩模板的 相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，且各個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側(cè)還包括重復(fù)曝光區(qū)域，相 鄰所述對位子標(biāo)記間的距離為所述擋光條的寬度與單側(cè)所述重復(fù)曝光區(qū)域的寬度之和。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，三個所述對位 子標(biāo)記包括粗對位標(biāo)記和精確對位標(biāo)記，分別與所述掩模板上的對位標(biāo)記進行對位。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述精確對位標(biāo) 記包括一條或多條橫線以及一條或多條豎線。
7.一種使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，所述掩模板包括三個曝光區(qū)域，分別 為右側(cè)曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側(cè)曝光區(qū)域，所述掩模板的中部曝光區(qū)域上設(shè)置有關(guān) 于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標(biāo)記，所述基板包括位于基板右側(cè)的右側(cè) 曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側(cè)的左側(cè)曝光區(qū)域，其特征在于，包括采用所述掩模板對位標(biāo)記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩 側(cè)設(shè)置的基板對位標(biāo)記進行對位，所述基板對位標(biāo)記為三個并排放置、間距相等、形狀相同 的對位子標(biāo)記；對對位后的所述基板的左側(cè)曝光區(qū)域、各個中部曝光區(qū)域和右側(cè)曝光區(qū)域進行分步曝光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，其特征在于，所述 掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，或所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離并且各 個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側(cè)還包括重復(fù)曝光區(qū)域，則所述采用所述掩模板對位標(biāo)記分別 與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側(cè)設(shè)置的基板對位標(biāo)記進行對位具 體包括采用所述掩模板對位標(biāo)記與所述基板上的第一對位子標(biāo)記進行所述掩模板的右側(cè)曝 光區(qū)域和所述基板的右側(cè)曝光區(qū)域的對位；采用所述掩模板對位標(biāo)記與所述基板上的第二對位子標(biāo)記進行所述掩模板的中部曝 光區(qū)域和所述基板的各個中部曝光區(qū)域的對位，所述第二對位子標(biāo)記與所述第一對位子標(biāo) 記相鄰，位于所述第一對位子標(biāo)記的右側(cè)；采用所述掩模板對位標(biāo)記與所述基板上的第三對位子標(biāo)記進行所述掩模板的左側(cè)曝 光區(qū)域和所述基板的左側(cè)曝光區(qū)域的對位，所述第三對位子標(biāo)記與所述第二對位子標(biāo)記相 鄰，位于所述第二對位子標(biāo)記的右側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，其特征在于，所述 第二對位子標(biāo)記關(guān)于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，其特征在于， 還包括在所述基板上形成三個所述對位子標(biāo)記，相鄰所述對位子標(biāo)記間的距離等于所述 擋光條的寬度，或者相鄰所述對位子標(biāo)記間的距離為所述擋光條的寬度與所述擋光條單側(cè) 的重復(fù)曝光區(qū)域的寬度之和。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法。其中掩模板包括三個曝光區(qū)域，分別為右側(cè)曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側(cè)曝光區(qū)域，掩模板的中部曝光區(qū)域上設(shè)置有關(guān)于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標(biāo)記，基板包括位于基板右側(cè)的右側(cè)曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側(cè)的左側(cè)曝光區(qū)域，在所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側(cè)分別設(shè)置有與掩模板進行對位的基板對位標(biāo)記，所述基板對位標(biāo)記為三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標(biāo)記。本發(fā)明可以有效解決現(xiàn)有技術(shù)中對使用掩模板曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板曝光工藝的基板進行對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。
文檔編號G03F9/00GK101900933SQ20091008584
公開日2010年12月1日 申請日期2009年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月1日
發(fā)明者呂敬 申請人:北京京東方光電科技有限公司