專利名稱：光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法
光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工業(yè)中的光刻技術(shù)，尤其涉及一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法。背景技術(shù)：
一個版圖中按照對關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension,⑶)控制精度的不同，可以劃 分為多個區(qū)域。在對掩膜圖形做光學(xué)臨近效應(yīng)修正(Optical ProximityCorrection,OPC) 時，需要選擇不同的修正精度才能滿足關(guān)鍵尺寸控制的要求。但是，光學(xué)臨近效應(yīng)修正的精 度越高，程序運(yùn)行耗時越長。請參見圖1，傳統(tǒng)的光學(xué)臨近效應(yīng)修正技術(shù)會根據(jù)關(guān)鍵尺寸控制精度要求最高的 部分來確定整體的光學(xué)臨近效應(yīng)修正精度，假設(shè)圖1中各區(qū)域所要求的關(guān)鍵尺寸控制精度 的關(guān)系是豎條區(qū)域(C5、C6) >斜紋區(qū)域(C1、C9) >空白區(qū)域(C2,C3,C4,C7,C8,C10),|)c 將豎條區(qū)域的關(guān)鍵尺寸控制精度作為光學(xué)臨近效應(yīng)修正的標(biāo)準(zhǔn)。這樣雖然能夠保證修正精 度，但對斜紋區(qū)域和空白區(qū)域來說，卻是采用了過高的修正精度，增加了光學(xué)臨近效應(yīng)修正 系統(tǒng)的運(yùn)行時間，降低了生產(chǎn)效率。申請?zhí)枮?006100M872. 7的中國專利公開了一種修正光學(xué)臨近效應(yīng)的圖形分割 方法，但其僅適用于接觸孔圖形的分割，且分割圖形的判據(jù)是禁止間距。

發(fā)明內(nèi)容傳統(tǒng)的光學(xué)臨近效應(yīng)修正技術(shù)在關(guān)鍵尺寸控制精度要求相對較低的區(qū)域，使用了 過高的修正精度，無謂地增加了光學(xué)臨近效應(yīng)修正系統(tǒng)的運(yùn)行時間。因此，有必要提供針對 關(guān)鍵尺寸控制精度不同的區(qū)域采用不同的修正精度的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法。一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，包括根據(jù)關(guān)鍵尺寸控制精度的不同，將一個版圖劃 分為至少二個區(qū)域；對所述至少二個區(qū)域，分別按照其關(guān)鍵尺寸控制精度的要求進(jìn)行光學(xué) 臨近效應(yīng)修正，并且對關(guān)鍵尺寸控制精度相同的區(qū)域采用相同的修正精度。優(yōu)選的，還包括分解所述劃分后的至少二個區(qū)域及將修正后的所述至少二個區(qū)域 按照原本的組合形式嵌合在一起的步驟。優(yōu)選的，所述分解所述劃分后的至少二個區(qū)域是將關(guān)鍵尺寸控制精度相同、而又 在版圖中相鄰的部分，保持原連接狀態(tài)從版圖中分離出來，形成一個區(qū)域；將關(guān)鍵尺寸控制 精度相同而又不相鄰的部分，分別從版圖中分離出來，形成分離的區(qū)域。上述光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法對于關(guān)鍵尺寸控制精度要求不同的區(qū)域，使用不同的 精度進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正，實現(xiàn)了修正精度的按需分配，既滿足了修正的精度需求，又有 效地縮短了光學(xué)臨近效應(yīng)修正系統(tǒng)的運(yùn)行時間，提高了生產(chǎn)效率。

圖1為傳統(tǒng)技術(shù)對版圖做光學(xué)臨近效應(yīng)修正的示意圖。圖2為光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法第一實施方式示意圖。
圖3為光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法第二實施方式示意圖。具體實施方式
下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式
的詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方 案及其他有益效果顯而易見。光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法為將一個版圖按照關(guān)鍵尺寸控制精度的不同，劃分為多個 區(qū)域。圖2是光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法第一實施方式的示意圖。假設(shè)豎條區(qū)域(C5、C6)對關(guān) 鍵尺寸控制精度要求為高，斜紋區(qū)域(Cl、C9)對關(guān)鍵尺寸控制精度要求為中等，空白區(qū)域 (C2、C3、C4、C7、C8、C10)對關(guān)鍵尺寸控制精度要求為低，那么就將該版圖按照關(guān)鍵尺寸控 制精度的不同進(jìn)行分解。在優(yōu)選的分解方式中，將關(guān)鍵尺寸控制精度相同、而又在版圖中相 鄰的部分，保持原連接狀態(tài)從版圖中分離出來，形成一個區(qū)域；將關(guān)鍵尺寸控制精度相同而 又不相鄰的部分，分別從版圖中分離出來，形成分離的區(qū)域。分解后對分離出來的各個區(qū)域 分別做光學(xué)臨近效應(yīng)修正，即豎條區(qū)域采用高修正精度，斜紋區(qū)域采用中等修正精度，空白 區(qū)域采用低修正精度。光學(xué)臨近效應(yīng)修正完成后，再將各個區(qū)域按照原來的組合形式嵌合 在一起，就得到了完整的光學(xué)臨近效應(yīng)修正后的版圖。圖3為光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法第二實施方式的示意圖。其與第一實施方式的主要 區(qū)別在于不對版圖進(jìn)行分解，而是在完整的版圖上，按照關(guān)鍵尺寸控制精度的不同，分別 做光學(xué)臨近效應(yīng)修正。省去了分解、嵌合的步驟。與傳統(tǒng)的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法相比，上述光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法對于關(guān)鍵尺寸 控制精度要求不同的區(qū)域，使用不同的修正精度進(jìn)行修正，實現(xiàn)了修正精度的按需分配，既 滿足了光學(xué)臨近效應(yīng)修正的精度需求，又有效地縮短了光學(xué)臨近效應(yīng)修正系統(tǒng)的運(yùn)行時 間，提高了生產(chǎn)效率。以上所述實施方式僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但 并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的 保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，包括根據(jù)關(guān)鍵尺寸控制精度的不同，將一個版圖劃分為至少二個區(qū)域；對所述至少二個區(qū)域，分別按照其關(guān)鍵尺寸控制精度的要求進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正， 并且對關(guān)鍵尺寸控制精度相同的區(qū)域采用相同的修正精度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，其特征在于還包括分解所述劃分 后的至少二個區(qū)域及將修正后的所述至少二個區(qū)域按照原本的組合形式嵌合在一起的步 馬聚ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，其特征在于所述分解所述劃分后 的至少二個區(qū)域是將關(guān)鍵尺寸控制精度相同、而又在版圖中相鄰的部分，保持原連接狀態(tài) 從版圖中分離出來，形成一個區(qū)域；將關(guān)鍵尺寸控制精度相同而又不相鄰的部分，分別從版 圖中分離出來，形成分離的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工業(yè)中的光刻技術(shù)，尤其涉及一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，包括根據(jù)關(guān)鍵尺寸控制精度的不同，將一個版圖劃分為至少二個區(qū)域；對所述至少二個區(qū)域，分別按照其關(guān)鍵尺寸控制精度的要求進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正，并且對關(guān)鍵尺寸控制精度相同的區(qū)域采用相同的修正精度。本發(fā)明的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法對于關(guān)鍵尺寸控制精度要求不同的區(qū)域，使用不同的修正精度進(jìn)行修正，實現(xiàn)了修正精度的按需分配，既滿足了光學(xué)臨近效應(yīng)修正的精度需求，又有效地縮短了光學(xué)臨近效應(yīng)修正系統(tǒng)的運(yùn)行時間，提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號G03F1/14GK102063010SQ20091010960
公開日2011年5月18日 申請日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月13日
發(fā)明者張雷, 王謹(jǐn)恒, 黃旭鑫 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司