專利名稱：非對(duì)稱凸起物與畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
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本發(fā)明涉及一種凸起物及具有此凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，且特別是關(guān)于一種可以減少光罩使用數(shù)量的非對(duì)稱凸起物(Asymmetric bump)及具有此非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
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薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)的畫(huà)素結(jié)構(gòu)使用光線的方式可分類成穿透式、反射式與半穿透半反射式。在穿透式畫(huà)素結(jié)構(gòu)中，乃是以透明導(dǎo)電材料制作畫(huà)素結(jié)構(gòu)的畫(huà)素電極，并利用背光源提供光線。此光線可穿過(guò)此透明畫(huà)素電極，以提供畫(huà)面顯示所需的光源。
在反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)中，主要是利用具有反射光線特性的導(dǎo)電材料來(lái)制作畫(huà)素結(jié)構(gòu)的畫(huà)素電極，從而可將自外界入射至畫(huà)素電極的光線進(jìn)行反射，以提供畫(huà)面顯示所需的光源。在半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)中，則是結(jié)合上述兩者，每一畫(huà)素電極是由反光導(dǎo)電薄膜以及透明導(dǎo)電薄膜所共同組成，并同時(shí)利用背光源與外界光線。在上述的反射式及半穿透半反射式的畫(huà)素結(jié)構(gòu)中，通常會(huì)再形成多個(gè)凸起物以提升反射光線的效率。
圖1A 圖1B為習(xí)知具有對(duì)稱式凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，首先，在具有光穿透區(qū)112與光反射區(qū)114的基板110形成一膜層120后，接著利用具有非透光區(qū)102與透光區(qū)104的光罩100a為罩幕，對(duì)膜層120進(jìn)行一圖案化制程，亦即照射曝光光線L與進(jìn)行顯影步驟，而移除光穿透區(qū)112處的膜層120。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1B，接著，提供另一具有非透光區(qū)102、透光區(qū)104的灰階光罩100b，并利用此灰階光罩100b的多個(gè)非透光區(qū)102來(lái)對(duì)于位在光反射區(qū)114的膜層120進(jìn)行圖案化制程，以形成多個(gè)對(duì)稱式凸起物126。
承上述可知，必須使用兩道光罩來(lái)移除穿透區(qū)112的膜層120以及形成反射區(qū)114中的對(duì)稱式凸起物126，因此，制程較為繁瑣、且耗費(fèi)較多的時(shí)間。
圖2為習(xí)知另一種具有對(duì)稱式凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，提供一具有非透光區(qū)102、透光區(qū)104與半透光區(qū)106的半調(diào)式光罩100c。以半調(diào)式光罩100c為罩幕，對(duì)于膜層120進(jìn)行圖案化制程。如此，僅需要一道光罩制程即可同時(shí)完成光反射區(qū)114中的對(duì)稱式凸起物126與光穿透區(qū)112的制作。
然而，如圖1A 圖1B、圖2所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法僅能制作對(duì)稱式凸起物126，特別是，對(duì)稱式凸起物126無(wú)法有效反射外界光線。為了能達(dá)到良好的反射外界光線的效果，有研究者進(jìn)一步提出下述具有非對(duì)稱式凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法。
圖3A 圖3B為習(xí)知具有非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。請(qǐng)共同參照?qǐng)D1A 圖1B與圖3A 圖3B，亦即，在利用圖1A 圖1B的步驟形成了對(duì)稱式凸起物126之后，接著，再使用非透光區(qū)102呈現(xiàn)隨機(jī)分布的光罩100d，且以光罩100d為罩幕對(duì)于上述如圖1B所示的對(duì)稱式凸起物126進(jìn)行另一次圖案化制程。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3B，原本的對(duì)稱式凸起物126在另一次的圖案化制程后，形成了非對(duì)稱式凸起物128。然而，此制造非對(duì)稱凸起物128的步驟依然至少需要兩道光罩制程，而較不經(jīng)濟(jì)、較繁瑣。
圖4A 圖4B為習(xí)知又一種具有非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4A，以灰階光罩100e為罩幕對(duì)膜層120進(jìn)行圖案化制程，其中灰階光罩100e的多個(gè)非透光區(qū)102呈現(xiàn)不規(guī)則的排列方式，所以膜層120所受到的曝光強(qiáng)度因光干涉作用而產(chǎn)生強(qiáng)弱之別。
請(qǐng)參照?qǐng)D4B，在將上述曝光后的膜層120顯影之后，會(huì)形成高低不一的非對(duì)稱凸起物128'。此非對(duì)稱凸起物128'雖然只需要一道灰階光罩100e就可以制作完成，然而，^f形成的非對(duì)稱式凸起物128'彼此之間的高低落差相當(dāng)?shù)拇?，從而影響了非?duì)稱式凸起物128'反射光線的效果。
承上述，要如何在較少的光罩制程下的前提下，得到高度均勻且具有良好反射效果的非對(duì)稱凸起物，亟需進(jìn)一歩加以研究。

發(fā)明內(nèi)容
為了有效解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的其中一個(gè)目的在于提供一種非對(duì)稱凸起物的制造方法，該制造方法不僅可形成高度均勻的非對(duì)稱凸起物，而且使所需的光罩使用數(shù)量較少。
本發(fā)明的非對(duì)稱凸起物的制造方法。首先，提供一基板，在基板上形成一膜層。接著，提供一復(fù)合光罩，此復(fù)合光罩包括至少一透光區(qū)、多個(gè)非透光區(qū)與多個(gè)半透光區(qū)，其中，每一半透光區(qū)位于兩相鄰的非透光區(qū)之間，且在每一半透光區(qū)中還設(shè)置有隨機(jī)排列的至少一遮光圖案。然后，以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層，以于基板上形成多個(gè)非對(duì)稱凸起物。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的復(fù)合光罩是由一半調(diào)式光罩與一灰階式光罩所組成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的位于每一半透光區(qū)中的遮光圖案的個(gè)數(shù)是多個(gè)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述在基板上形成膜層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布法。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述膜層的材料包括有機(jī)感光材質(zhì)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層的步驟例如是首先，以復(fù)合光罩為罩幕，對(duì)膜層照射一曝光光線，其中，于半透光區(qū)中隨機(jī)排列的遮光圖案使曝光光線產(chǎn)生干涉現(xiàn)象，以對(duì)膜層進(jìn)行曝光。之后，對(duì)曝光后的膜層進(jìn)行一顯影制程，以形成非對(duì)稱凸起物。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，該制造方法可形成具有高度均勻的非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)、使其光罩使用數(shù)量較少。
本發(fā)明的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法。首先，提供一基板，其具有一主動(dòng)組件區(qū)與一畫(huà)素區(qū)。接著，在基板的主動(dòng)組件區(qū)中形成一主動(dòng)組件。再來(lái)，于基板上形成一膜層。接著，提供一復(fù)合光罩，此復(fù)合光罩包括至少一透光區(qū)、多個(gè)非透光區(qū)與多個(gè)半透光區(qū)，其中，每一半透光區(qū)位于兩相鄰的非透光區(qū)之間，且在每一半透光區(qū)中還設(shè)置有隨機(jī)排列的至少一遮光圖案。繼之，以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層，而在基板的畫(huà)素區(qū)中形成非對(duì)稱凸起物，并且暴露出主動(dòng)組件的一汲極。之后，于基板的畫(huà)素區(qū)中形成一畫(huà)素電極電性連接到汲極，并且畫(huà)素電極覆蓋非對(duì)稱凸起物。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的復(fù)合光罩是由一半調(diào)式光罩與一灰階式光罩所組成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的位于每一半透光區(qū)中的遮光圖案的個(gè)數(shù)是多個(gè)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述在基板上形成膜層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布法。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的膜層的材料包括有機(jī)感光材質(zhì)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層的歩驟例如是首先，以復(fù)合光罩為罩幕，對(duì)膜層照射一曝光光線，其中，于半透光區(qū)中隨機(jī)排列的遮光圖案使曝光光線產(chǎn)生干涉現(xiàn)象，以對(duì)膜層進(jìn)行曝光。之后，對(duì)曝光后的膜層進(jìn)行一顯影制程，以形成非對(duì)稱凸起物。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫(huà)素電極的材料包括金屬。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板的畫(huà)素區(qū)包括彼此相鄰的一光反射區(qū)與一光穿透區(qū)，其中，在以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層的歩驟時(shí)，非對(duì)稱凸起物形成于光反射區(qū)中，且光穿透區(qū)中的膜層被移除。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的畫(huà)素電極的材料包括透明導(dǎo)電材料。 '在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的透明導(dǎo)電材料包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的適素結(jié)構(gòu)的制造方法更包括在覆蓋非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素電極上形成一反射電極。
本發(fā)明因采用結(jié)合半透式光罩與灰階式光罩的特點(diǎn)而構(gòu)成的復(fù)合光罩，因而只需要一道光罩制程就可以形成高度均勻的非對(duì)稱凸起物，所以此非對(duì)稱凸起物的制造方法可以節(jié)省制造時(shí)間與成本。上述的非對(duì)稱凸起物的制造方法適于制造反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)或半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)中的非對(duì)稱凸起物，不但可節(jié)省制造時(shí)間與成本，并且由于這些非對(duì)稱凸起物的高度相當(dāng)均勻，而能夠提升反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)或半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)拘反射光線的效率。


圖1A 圖1B為習(xí)知具有對(duì)稱式凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。
圖2為習(xí)知另一種具有對(duì)稱式凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。
圖3A 圖3B為習(xí)知具有非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。
圖4A 圖4B為習(xí)知又一種具有非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造流程示意圖。
圖5A 圖5B為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種非對(duì)稱凸起物的制造方法的流程示意圖。
圖6A 圖6C為本發(fā)明較佳實(shí)施例的以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層的步驟流程示意圖。
圖7A 圖7E為本發(fā)明較佳實(shí)施例的反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造步驟示意圖。
圖8A 圖8C為本發(fā)明較佳實(shí)施例的半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造步驟示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
100a、 100d:光罩 100b、 100e:灰階光罩 100c:半調(diào)式光罩 102、 234:非透光區(qū) 104、 232:透光區(qū) 106、 236:半透光區(qū) 110、 210、 300:基板 112、 212、 304h:光穿透區(qū) 114、 214、 304a:光反射區(qū)
120、 220、 320:膜層 ' 126:對(duì)稱式凸起物
128、 128' 、 222、 332:非對(duì)稱凸起物 230、 230， 、 230'，復(fù)合光罩 236a:遮光圖案 240:顯影制程 3(12:主動(dòng)組件區(qū) 304:畫(huà)素區(qū)
310:主動(dòng)組件310a:閘極 310b:閘絕緣層
312c:半導(dǎo)體層
310d:源極
310e:汲極 320a:接觸窗開(kāi)口
330:畫(huà)素電極 340:反射電極
L:曝光光線具體實(shí)施方式
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為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明 如下。
非對(duì)稱凸起物的制造方法
圖5A 圖5B為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種非對(duì)稱凸起物的制造方法的流程示意圖。請(qǐng)參 考圖5A，首先，提供一基板210。此基板210可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板，或是 其它適合的基板。之后，如圖5A所示在基板210上形成一膜層220。形成膜層220的方^H列 如是旋轉(zhuǎn)涂布法、印刷法(Printing).化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor D印osition, CVD) 等。另外，膜層220的材料可以是有機(jī)感光材質(zhì)，例如采用光阻。所使用的光阻種類需配合 所使用的光罩形式，在此實(shí)施例中以正光阻為例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于使用正光阻 的情況。
請(qǐng)參照?qǐng)D5B，接著，提供一復(fù)合光罩230，此復(fù)合光罩230包括至少一透光區(qū)232、 多個(gè)非透光區(qū)234與多個(gè)半透光區(qū)236，其中，每一半透光區(qū)236位于兩相鄰的非透光區(qū)234 之間，且在每一半透光區(qū)236中還設(shè)置有隨機(jī)排列的至少一遮光圖案236a。
接著，以圖5B所示的復(fù)合光罩230為罩幕而圖案化膜層220，以于基板210上形成多個(gè) 非對(duì)稱凸起物。以下，以圖6A 圖6C說(shuō)明上述圖案化膜層220的歩驟的一個(gè)實(shí)施例。
圖6A 圖6C為本發(fā)明較佳實(shí)施例的以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層的歩驟流程示意圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D6A，首先，以復(fù)合光罩230為罩幕，對(duì)膜層220照射一曝光光線L，其中，半透光 區(qū)236中隨機(jī)排列的遮光圖案236a使曝光光線L產(chǎn)生干涉現(xiàn)象，以對(duì)膜層220進(jìn)行曝光。
更詳細(xì)而言，非透光區(qū)234下方的膜層220未受到曝光光線L的照射而使膜層220不會(huì)
被移除，而成為后續(xù)非對(duì)稱凸起物222的均勻波峰(如圖6C所示)。透光區(qū)232下方的膜層220受到曝光光線L的照射，而完全被移除。特別是，半透光區(qū)236下方的膜層220僅會(huì)受 到曝光光線L的局部程度的曝光量而部分移除，而成為后續(xù)非對(duì)稱凸起物222的均勻波谷。 特別是，藉由在每個(gè)半透光區(qū)236中還隨機(jī)排列的遮光圖案236a，這些遮光圖案236a所產(chǎn) 生的干涉效應(yīng)能改變局部區(qū)域的曝光光線L的曝光量。也就是說(shuō)，每個(gè)半透光區(qū)236下方的 膜層220所受到曝光光線L照射的曝光效果都不相同，藉此可使形成后續(xù)非對(duì)稱凸起物222 (如圖6C所示)。
請(qǐng)共同參照?qǐng)D6B與圖6C，之后，對(duì)曝光后的膜層220進(jìn)行一顯影制程240，以形成如圖 6C所示的非對(duì)稱凸起物222。顯影制程240可以是采用顯影液來(lái)移除經(jīng)曝光光線L照射部分 的膜層220，經(jīng)常使用的濕顯影方式例如有浸泡法、旋噴法以及覆液法。然后，再以清水沖 洗基板210。完成上述顯影步驟后，膜層220上受到曝光光線L照射的部份被去除，而形成 如圖6C所示的非對(duì)稱凸起物222。這些非對(duì)稱凸起物222具有均勻高度，且每一非對(duì)稱凸起 物222的輪廓都不相同，而能夠有效地反射外界光線。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D5B，上述復(fù)合光罩230可看成是由半調(diào)式光罩與灰階式光罩所組成的光罩， 其中，所謂半調(diào)式光罩是相當(dāng)于此復(fù)合光罩230的透光區(qū)232、非透光區(qū)234與半透光區(qū)236 等區(qū)域所組成，而所謂的灰階式光罩是相當(dāng)于復(fù)合光罩230的遮光圖案236a的部分。亦即， 將灰階式光罩的遮光圖案236a的干涉特性引用到半調(diào)式光罩中，并將遮光圖案236a采取隨 機(jī)排列的方式，而可以同時(shí)制作光反射區(qū)214中的非對(duì)稱凸起物222與形成光穿透區(qū)212。
另外，每一半透光區(qū)236中的遮光圖案236a的個(gè)數(shù)可以是多個(gè)，藉此來(lái)調(diào)整曝光光線L 的對(duì)于膜層220的曝光效果，以形成光反射率更為良好的非對(duì)稱凸起物222。在圖5B及圖6A 中繪示的遮光圖案236a為一個(gè)或兩個(gè)，但是本發(fā)明并不限定于此，可視實(shí)施當(dāng)時(shí)的情況需要， 而增加或減少遮光圖案236a的個(gè)數(shù)。例如，在每個(gè)半透光區(qū)236僅采用一個(gè)遮光圖案236a、 或是采用一個(gè)或多個(gè)的遮光圖案236a的組合。
承上所述，采用單一個(gè)復(fù)合光罩230來(lái)進(jìn)行非對(duì)稱凸起物222的制作方法，使半透光區(qū) 236下方的膜層220受到較弱的曝光光線L照射，而形成深度一致的波谷。特別是，位于半 透光區(qū)236上的遮光圖案236a的分布呈隨機(jī)排列，而導(dǎo)致曝光光線L的干涉現(xiàn)象，因而使每 個(gè)非對(duì)稱凸起物222的波峰移除了些許部份，因此，形成高度一致的非對(duì)稱凸起物222。相 較于習(xí)知技術(shù)的圖4B所述的使用單一道灰階式光罩所形成的非對(duì)稱凸起物128'而言，本實(shí) 施例所提供的非對(duì)稱凸起物222可更良好地反射光線，而沒(méi)有高度不均勻的問(wèn)題。
綜上所述，上述非對(duì)稱凸起物222的制造方法只需要一道光罩制程，即可形成光反射區(qū)
214中的多個(gè)高度均勻的非對(duì)稱凸起物222以及形成光穿透區(qū)212?？蓪⒋朔菍?duì)稱凸起物222
的制造方法進(jìn)一步應(yīng)用至反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)、或半穿透半反射式的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造上，如下所
9述。
畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法
圖7A 圖7E為本發(fā)明較佳實(shí)施例的反射式畫(huà)素縛構(gòu)的制造步驟示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7A， 首先，提供一基板300，此基板300具有主動(dòng)組件區(qū)302與畫(huà)素區(qū)304。此基板300可以是玻 璃基板、石英基板、塑料基板或其它適合的基板。
接著，請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D7A，在基板300的主動(dòng)組件區(qū)302中形成一主動(dòng)組件310。此主動(dòng)組 件310例如是薄膜晶體管(TFT)或三端子的開(kāi)關(guān)組件，如圖7A所示，主動(dòng)組件310包括閘 極310a、閘絕緣層310b、半導(dǎo)體層310c、源極310d與汲極310e，其中，閘極310a設(shè)置于 基板300上；閘絕緣層310b覆蓋閘極310a;半導(dǎo)體層310c位于閘極310a上方的閘絕緣層 310b上；而源極310d與汲極310e與半導(dǎo)體層310c接觸且位于半導(dǎo)體層310c的兩側(cè)。lt匕主 動(dòng)組件310可以采用五道光罩制程來(lái)制作或是四道光罩制程來(lái)制作。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D7B,于基板300上形成一膜層320。此膜層320覆蓋全部的基板300以及主 動(dòng)組件310。在基板300上形成膜層320的方法例如是旋轉(zhuǎn)涂布法、印刷法、化學(xué)氣相沈積 法等。另外，膜層320的材質(zhì)可以是有機(jī)感光材料，例如是光阻。在此實(shí)施例中是以正光阻 為例進(jìn)行說(shuō)明，但并不限定于此。
請(qǐng)參照?qǐng)D7C，提供一復(fù)合光罩230'。此復(fù)合光罩230'的結(jié)構(gòu)類似于上述的復(fù)合光罩 230，相同的構(gòu)件標(biāo)示以相同的符號(hào)，兩者的差異僅在于上述的復(fù)合光罩230的透光區(qū)可用 來(lái)形成如圖6C所示的光穿透區(qū)212，而此復(fù)合光罩230'的透光區(qū)232是用來(lái)形成如圖7D所 示的接觸窗開(kāi)口 320a。
然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D7C與圖7D，以復(fù)合光罩230'為罩幕，對(duì)膜層320照射一曝光光線 L而圖案化此膜層320，以于基板300的畫(huà)素區(qū)304中形成多個(gè)非對(duì)稱凸起物332，且暴露出 主動(dòng)組件310的一汲極310e。至于圖案化此膜層320而形成多個(gè)非對(duì)稱凸起物332的實(shí)施例 類似于圖6A 圖6C的說(shuō)明，在此不予以贅述。特別是，形成接觸窗開(kāi)口 320a (如圖7D所示) 以曝露出汲極310e。
請(qǐng)參照?qǐng)D7E，之后，于基板300的畫(huà)素區(qū)304中形成一畫(huà)素電極330，此畫(huà)素電極330 電性連接到汲極310e且覆蓋非對(duì)稱凸起物332。此畫(huà)素電極330的材質(zhì)例如是金屬或其它高 反射性的材質(zhì)。至此，可完成如圖7E所示的反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)。
由于只采用了一道光罩的制程，即完成了反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)中高度均勻的非對(duì)稱凸起物332 的制作。若主動(dòng)組件310使用四道光罩制程而制作，將可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化此反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)的 整體制作流程。
10圖8A 圖8C為本發(fā)明較佳實(shí)施例的半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)的部分制造步驟示意圖。 圖8A 圖8C的半穿透半反射式的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法與上述圖7A 圖7E的反射式的畫(huà)素結(jié) 構(gòu)的制造方法相當(dāng)類似，相同的組件標(biāo)示以相同的符號(hào)。惟二者主要的不同之處在于本實(shí) 施例的基板300的畫(huà)素區(qū)304包括一光反射區(qū)304a與一光穿透區(qū)304b，其中，在以復(fù)合光 罩230為罩幕來(lái)圖案化此膜層320的步驟時(shí)，多個(gè)非對(duì)稱凸起物332形成于光反射區(qū)304a中， 而光穿透區(qū)304b中的膜層320被移除。
請(qǐng)參照?qǐng)D8B，然后，于畫(huà)素區(qū)304中形成一畫(huà)素電極330，并且畫(huà)素電極330電性連接 到汲極310e。畫(huà)素電極330的材質(zhì)可以是透明導(dǎo)電材質(zhì)，例如是銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)。形成畫(huà)素電極330的方法例如是濺鍍法。 至此，即形成如圖8B所示的半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D8C，還可以于覆蓋非對(duì)稱凸起物332的畫(huà)素電極330上形成一反射電極340， 此反射電極340的材質(zhì)，例如是金屬或其它高反射性的材質(zhì)。形成反射電極340的方法例如 是濺鍍法配合屏蔽而形成。如此一來(lái)，可進(jìn)一步提升光反射區(qū)304a的光線反射效果。
承上所述，由于只采用了一道光罩的制程，即完成了半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)中高度均 勻的非對(duì)稱凸起物332的制作。若主動(dòng)組件310使用四道光罩制程而制作，將可以縮減此半 穿透半反射畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制程為五道。
綜上所述，本發(fā)明的非對(duì)稱凸起物與畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制作方法至少具有以下優(yōu)點(diǎn)
采用結(jié)合了半調(diào)式光罩以及灰階光罩的特性的復(fù)合光罩，而可以在較少的光罩制程歩驟 中形成高度均勻的非對(duì)稱凸起物。若再配合制作薄膜晶體管的四道光罩制程，則可以在較少 的制程歩驟中制作反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)或半穿透半反射式畫(huà)素結(jié)構(gòu)。并且，利用在半透光區(qū)中隨 機(jī)排列至少一個(gè)遮光圖案的做法，可以制作出具有大致相同的高度的非對(duì)稱凸起物，而達(dá)到 良好的光線反射效果。
雖然本發(fā)明己以實(shí)施例揭露如上，然并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通 常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù) 范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種非對(duì)稱凸起物的制造方法，其特征在于包括提供一基板；在該基板上形成一膜層；提供一復(fù)合光罩，該復(fù)合光罩包括至少一透光區(qū)、多個(gè)非透光區(qū)與多個(gè)半透光區(qū)，其中，每一半透光區(qū)位于兩相鄰的該些非透光區(qū)之間，且在每一半透光區(qū)中還設(shè)置有隨機(jī)排列的至少一遮光圖案；以及以該復(fù)合光罩為罩幕而圖案化該膜層，以于該基板上形成多個(gè)非對(duì)稱凸起物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱凸起物的制造方法，其特征在于其中該復(fù)合光罩是由 一半調(diào)式光罩與一灰階式光罩所組成；其中位于每一半透光區(qū)中的該遮光圖案的個(gè)數(shù)是多個(gè)；其中在該基板上形成該膜層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布法；其中該膜層的材料包括有機(jī)感光材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱凸起物的制造方法，其特征在于其中以該復(fù)合光罩為 罩幕而圖案化該膜層的步驟包括以該復(fù)合光罩為罩幕，對(duì)該膜層照射一曝光光線，其中，于該半透光區(qū)中隨機(jī)排列的該 遮光圖案使該曝光光線產(chǎn)生干涉現(xiàn)象，以對(duì)該膜層進(jìn)行曝光；以及 對(duì)曝光后的該膜層進(jìn)行一顯影制程，以形成該些非對(duì)稱凸起物。
4. 一種畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括 提供一基板，具有一主動(dòng)組件區(qū)與一畫(huà)素區(qū)； 在該基板的該主動(dòng)組件區(qū)中形成一主動(dòng)組件； 于該基板上形成一膜層；提供一復(fù)合光罩，該復(fù)合光罩包括至少一透光區(qū)、多個(gè)非透光區(qū)與多個(gè)半透光區(qū)，其中， 每一半透光區(qū)位于兩相鄰的該些非透光區(qū)之間，且在每一半透光區(qū)中還設(shè)置有隨機(jī)排列的至 少一遮光圖案；以該復(fù)合光罩為罩幕而圖案化該膜層，以于該基板的該畫(huà)素區(qū)中形成該些非對(duì)稱凸起物， 且暴露出該主動(dòng)組件的一汲極；以及于該基板的該畫(huà)素區(qū)中形成一畫(huà)素電極，電性連接到該汲極，且該畫(huà)素電極覆蓋該些非 對(duì)稱凸起物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該復(fù)合光罩是由一半 調(diào)式光罩與一灰階式光罩所組成；其中位于每一半透光區(qū)中的該遮光圖案的個(gè)數(shù)是多個(gè)；其 中在該基板上形成該膜層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布法；其中該膜層的材料包括有機(jī)感光材質(zhì)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中以該復(fù)合光罩為罩幕 而圖案化該膜層的歩驟包括以該復(fù)合光罩為罩幕，對(duì)該膜層照射一曝光光線，其中，于該半透光區(qū)中隨機(jī)排列的該 遮光圖案使該曝光光線產(chǎn)生干涉現(xiàn)象，以對(duì)該膜層進(jìn)行曝光；以及 對(duì)曝光后的該膜層進(jìn)行一顯影制程，以形成該些非對(duì)稱凸起物。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該畫(huà)素電極的材料包括金屬。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該基板的該畫(huà)素區(qū)包括彼此相鄰的一光反射區(qū)與一光穿透區(qū)；其中，在以該復(fù)合光罩為罩幕而圖案化該膜層的步驟時(shí)，該些非對(duì)稱凸起物形成于該光 反射區(qū)中、且該光穿透區(qū)中的該膜層被移除。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該畫(huà)素電極的材料包 括透明導(dǎo)電材料；其中該透明導(dǎo)電材料包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括于覆蓋該些非對(duì)稱凸起物的該畫(huà)素電極上形成一反射電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種非對(duì)稱凸起物與畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法。首先，提供一基板。再來(lái)，在基板上形成一膜層。繼之，提供一復(fù)合光罩，此復(fù)合光罩包括至少一透光區(qū)、多個(gè)非透光區(qū)與多個(gè)半透光區(qū)，其中，每一半透光區(qū)位于兩相鄰的非透光區(qū)之間，且在每一半透光區(qū)中還設(shè)置有隨機(jī)排列的至少一遮光圖案。之后，以復(fù)合光罩為罩幕而圖案化膜層，以于基板上形成多個(gè)非對(duì)稱凸起物。采用復(fù)合光罩可以減少非對(duì)稱凸起物的制造步驟。此外，還提出具有上述非對(duì)稱凸起物的畫(huà)素結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101499414SQ200910111108
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2009年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月26日
發(fā)明者葉錦龍, 王裕芳, 陳德譽(yù) 申請(qǐng)人:華映光電股份有限公司;中華映管股份有限公司